CN1524192A - 光信号传输之发射模块 - Google Patents

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Abstract

本发明系相关于一种用于一光信号传输之发射模块，包括一发射单元(1)，其系发射一特定波长之光，一发射单元基板(3)，于其上系配置或成形该发射单元，一侦测单元(2)，其系侦测一特定波长之光，以及一侦测单元基板(4)，于其上系配置或成形该侦测单元。根据本发明，该发射单元基板(3)及/或该侦测单元基板(4)系对该发射单元(1)所发射之波长为可穿透，以及该发射单元(1)及该侦测单元(2)系于该发射光方向上叠置。此具发明性之解决方法系使即将光耦合之该发射单元(1)及该侦测单元(2)可以不需要如反射表面之额外光学组件。因此，新颖的，简洁的光学系统可以于发射模块实现。

Description

光信号传输之发射模块
本发明系有关于根据申请专利范围第一项前言之光信号传输之发射模块。
光信号传输之发射模块系为已知，于其中一雷射二极管系分配用于侦测部分雷射二极管所发射之光及用作以监控雷射二极管之监控光二极管(monitor photodiode)，特别地是，为了实现在VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Laser，垂直腔表面发射激光器)雷射二极管中之监控功能，其已知使用将部分雷射光投射至一监控二极管上的反射区域，其中，该VCSEL雷射二极管中之共振器系垂直位于一芯片之表面。在此例子中，雷射二极管亦可以位于该监控二极管本身之表面。
再者，已知双向发射/接收模块，为了数据的双向传输，同时耦合光辐射至一光导及侦测导通入该光导内之光功率。而伴随波选择性滤波器(wave-selective filters)之光束分光器(beam splitters)以及耦合光组合之一透镜系被使用来去耦(decoupling)此一形式之发射/接收模块中之发射装置及接收装置。
但该已知用于光数据通信之发射模块或发射/接收模块的缺点为，其系以相对而言较复杂地方式所建构，并需要如反射区域、光束分光器或透镜的光学构件。
本发明乃基于提供具有一发射装置及一侦测装置之一发射模块之目的，其中发射模块系以简单及简洁的方式所建构，并使尽可能不需额外光学构件即可操控之发射及侦测装置的组合成为可能。
此一目的系藉由根据本发明具有申请专利范围第一项之特征之发射模块而达成，本发明较佳及较具优势之实施例则明确记载于附属项中。
因此，本发明系藉由如下之事实而能被区分，亦即，发射装置之基板及/或侦测装置之基板对该发射装置所发射之波长而言系为可穿透，且该发射装置及该侦测装置系关于该发射光之方向而被配置为一个置于另一个之上(光学上串联)，因此，该发射装置基板及/或该侦测装置基板对该发射装置所发射之光为可穿透。
由于根据本发明之解决方法，该发射装置所发射之光可以辐射穿透该发射装置之基板及/或光二极管之基板，因此发射装置及侦测装置可以被配置为一个位于另一个之上或之下，而使发射模块的光束路径不需要由各个基板所中断。由于如此，发射装置及侦测装置之光耦合则可能可以不需要如反射区域的额外光学构件，而且，其亦可能在发射模块中实现新的、简洁的光学组合。
以本案而言，如果基板未完全吸收一特定波长之光，则其系被视为对该波长的光为可穿透，较佳者为仅呈现少于20 dB/mm，轻微的传输光吸收度。
在本案的一较佳实施例中，该发射装置所发射之光系于耦合至一光波导之前辐射穿过该侦测装置，举例而言，该侦测装置被配置于该发射装置及一光波导或一耦合之光组合之间。在这个状况中，该发射装置精确地在一方向发射光，而在此实施例中，该侦测装置系被以其仅吸收该辐射之部分并将其转换为一电性信号的方式而设计，举例而言，该光的少量百分比，相比之下，该发射装置所发射之光的大部分则辐射穿透该侦测装置基板，而该基板于本实施例中系为可穿透。
此一组合的优点为，该发射装置所发射并用于数据传输目的之光亦直接辐射穿透该侦测装置，因此，该发射装置之监控可以以一简单的方式达成。
在本发明的再一较佳实施例中，该发射装置发射两相反方向之光。为了此一目的，举例而言，光系由一VCSEL基板的两侧穿出，在此状况中，发射于其中一方向的光系耦合至一光波导，而另一方向所发射之光则落于该侦测装置上，耦合至该光波导或落于该侦测装置上之光的比例可以透过雷射二极管之两镜面之镜镀(mirror-coating)程度而加以设定。
在此实施例中，不是用以侦测之光就是用以耦合一光波导之光会辐射穿透该发射装置之基板。由于该基板之可穿透特性，该侦测装置或将被耦合之光波导可以直接毗邻该发射装置或该发射装置之基板。
在本案之一较佳实施例中，该发射装置，特别是于黏晶之组合(chip-on-chip arrangement)中，系被直接配置于该侦测装置之上或之下。为了此一目的，举例而言，则以一光可穿透胶直接黏着地将该发射装置结合于该侦测装置之上，或藉由焊接或凸块法(bumpmethod)而将该发射装置附着于该侦测装置之上的方式。在此一例子中，该发射装置之光学活性区可以位于该发射装置基板之上侧或下侧，并且，若适当的话，可被直接相对于该侦测装置之该光学活性区域而配置。
较佳的是，可能出现在该发射装置及该侦测装置之间的间隙系藉由一光学可穿透灌注化合物(optically transparent pottingcompound)而填满，此种作法的优点是，位于该发射装置及该侦测装置之间的光学路径区域系被封住并受到保护而避免灰尘及周遭的影响。
在一较佳实施例中，发射装置及侦测装置系以该发射装置之一电性终端与该侦测装置之一电性终端连接在一起的方式而接触连接(contact-connected)，因此，这两个终端仅需要一结合线(bondingwire)。
本案较有利的发展是，发射装置及侦测装置的组合系直接设置于一光波导之上，而为了这个目的，其较佳的是，提供经由远至该发射装置基板或该侦测装置基板之表面的一导通所导通并相对于其而固定的该光学波导。为了此一目的，发射装置与侦测装置之组合，举例而言，将被设置于将该光波导容纳于中央的陶瓷接脚(ceramic pin)(ceramic pin)之端面(end face)，而为了能同时提供该发射装置及/或该接收装置之接触连接，该端面在此例子中可被金属化。
于一较佳实施例中，该发射装置系被设置为其光学活性区域直接面对该光波导之上，而在此一例子中，该侦测装置则被配置于该发射装置远离该光波导的一侧，在此一例子中，该发射装置在两相反的方向发射光。
侦测单元系直接社至于该光波导之上，该发射装置系位于该侦测装置远离该光波导的一侧，而在此实施例中之发射装置则仅在一个方向发射光。
发射装置及监控装置之组合较佳地是设置于一导线架(leadframe)之上。在此一例子中，为了允许至一光波导的光学耦合，该导线架系具有一镂空(cutout)，而由于芯片架设于一导线架系建构出一标准科技，并且其可在生产工程方面以一简单的方式实现，因此于一导线架上之发射装置及侦测装置之组合系特别具有优势。在此一例子中，其系有可能依赖已知之生产及设置方法。
于本案一较有利的发展中，光成型组件(light-shapingelement)，特别是透镜，举例而言，以微圆盖(microcalotte)形式或以菲涅尔(Fresnel)透镜形式，系整合入该发射装置基板及/或该监控装置基板，而此会简化配置于该发射装置之光波导之光耦合。
在本案的一较佳实施例中，该发射装置包含一VCSEL雷射二极管，其系以相关于该发射装置基板表面而垂直的方向发射光，而由于发射装置基板系形成为可穿透形式，在此例子中，亦有可能使光发射于相反方向，同样的是相关于该基板表面而垂直，在此例子中，雷射共振器的两镜面系形成为部分可传递之镜面，而反射之程度系为，举例而言，一个镜面99.91％，而另一个镜面99.95％。
该侦测单元较佳地是包含一光二极管。
于本案的一第一种变化中，该侦测装置系侦测该发射装置所发射之光的部分，并因此作为用以监控该发射装置之一监控装置。而在一第二、两者择一的变化中，该侦测装置侦测波长不同于该发射装置所发射之光之波长的光，相比之下，该光二极管系对该发射装置所发射之光的波长不敏感，此型态的结构系提供于每一方向皆有不同波长的波导上，一双向数据传输的可能性。在此一例子中，此双向数据传输系藉由一个配置于另一个上之发射及侦测装置之相当简洁的组合而达成。
较佳地是，该发射装置发射于950nm以上之波长并较佳地为1300nm及1500nm其中之一波长之光，然而，其亦可以为发射装置发射少于950nm波长的光，特别是850nm。
砷化镓(GaAs)，举例而言，系用作为对该发射装置之光为可穿透之基板，而该砷化镓系在大于950nm之波长下为可穿透。然而，其亦有可能使用其它材质作为该发射装置或该侦测装置之基板，特别是亦可为硅或蓝宝石基板(sapphire substrate)。在此一例子中，其系依赖于其中产生于一第一基板然后转移至另一基板，如硅，之雷射二极管或监控二极管之方法。此形式之方法系为已知。
本发明将伴随所附之图式做为参考并使用复数个示范性实施例而于之后被更详细地叙述，其中：
图1：其系显示根据本发明之一发射模块之一第一示范性实施例，其中一雷射二极管系配置于一光二极管之上；
图2：其系显示根据本发明之一发射模块之一第二示范性实施例，其中一雷射二极管系配置于一光二极管之上；
图3：其系显示根据本发明之一发射模块之一第三示范性实施例，其中一雷射二极管系配置于一光二极管之上；
图4：其系显示图3之示范性实施例之另一种结构，其中一透镜系额外整合至该雷射二极管之该基板；
图5：其系显示根据本发明之一发射模块之一第四示范性实施例，其中一雷射二极管及一光二极管之三明治式组合系被直接配置于一波导之上；
图6：其系显示根据本发明之一发射模块之一第五示范性实施例，其中一雷射二极管及一光二极管之三明治式组合系被直接配置于一波导之上；
图7：其系显示根据本发明之一发射模块之一第六示范性实施例，其中一雷射二极管及一光二极管之三明治式组合系被直接配置于一波导之上；
图8：其系显示根据本发明之一发射模块之一第七示范性实施例，其中一雷射二极管及一光二极管之三明治式组合系设置于具有一开口之一导线架之上；以及
图9：其系显示根据本发明之一发射模块之一示范性实施例，其系代表图8之示范性实施例之另一种结构。
所有的举例说明系为概略的，并且没有必要重现真实的相关尺寸。
图1系显示根据本发明之一发射模块，其系具有一发射装置1及一侦测装置2，该两者系配置于一导线架或一印刷电路板6之上。较佳地，该发射装置为一VCSEL雷射二极管1，而该VCSEL之结构系磊晶地以一垂直方向施加于一芯片或一基板3之上，然而，VCSEL结构产生于另一个基板之上、从此基板移除，然后再设置于基板3之上，亦相同地落入本发明的范围之内。
该侦测装置系为一光二极管2，其系至于或整合于一基板4之上，在所举例之示范性实施例中，其系作为一监控二极管，并且，为了此一目的，其乃连接至一控制/调整装置(未显示)，以调节该雷射二极管1之输出功率。
该VCSEL雷射二极管1配置于其上之该基板3系对该雷射二极管1所发射之光波长为可穿透，因此，其有可能的是，由该VCSEL雷射二极管1之共振器之两侧穿出之光亦发射为两种方向，由该共振器向下穿出之光首先辐射穿越该基板3然后由该基板3穿出，其中该共振器系被垂直配置于该基板3之上。在此一例子中，该雷射二极管1向上发射之光的比例以及该雷射二极管1向下发射之光的比例系藉由该雷射二极管1之共振器之上部及下部镜面的镜镀(mirror-coating)程度而加以设定。
具体来看，如图1所示，该光二极管2系以光学活性区面向上(上方向上)之方式而设置于配置在该印刷电路板6上之该载体基板4上，具有该雷射二极管1之该基板3系直接设置于该光二极管2之上，并藉由于示范性实施例中所举例说明之一光学可穿透性胶而准确的达成。由于该基板3之可穿透性，该雷射二极管1所向下发射之光系直接辐射至该光二极管2之上。
在所举的示范性实施例中，该雷射二极管1上部之电性接触系藉由两接合线51及52而实现，该两接合线系连通至该印刷电路板6上之接触垫7，而该光二极管2上部之接触是藉由一接合线53，以及下部的接触则藉由焊接或一导电胶黏剂之黏着接合(未显示)。
该雷射二极管1向下发射之光可被直接耦合入一光波导(未显示)，或经由一额外光学组合。
较佳地是，该雷射二极管1发射大于950nm波长之光，特别是1300nm及1500nm波长之光。该雷射二极管1之该基板3系包含砷化镓(GaAs)，举例而言，其对具有大于950nm波长之光系为光可传递。二者择一地，该基板3举例而言可为一硅或蓝宝石(shappire)基板，系对大于1100nm之波长为可穿透，而蓝宝石(shappire)亦对低于950nm之波长为可穿透，特别是对850nm波长者。举例而言，该VCSEL雷射1系发射一波长850nm之光，于是，就生产工程而言，其首先被产生于另一基板上，接着从该基板分离，再被转移至该蓝宝石(shappire)基板，此以方法将该雷射二极管1转移至一新的基板上表示，是有可能可以使用具所需光学特性之基板3。
图2之示范性实施例系不同于图1所举之示范性实施例。首先，该VCSEL雷射二极管1系藉由焊接凸块81及82而不是一胶黏剂而施加于该光二极管2，而一接触连接亦可取代焊接凸块81及82而达到目的，举例而言，藉由一导电性胶黏剂或其它于该光二极管芯片与该基板3间可选择之电性连接，在此例子中，该光二极管2之该光学感应区域则为使其受限以通过辐射。而该光二极管及该基板3间所造成之间隙较佳地系以一光学可穿透灌注化合物(optically transparentpotting compound)填满。
有关于图1之示范性实施例之其它不同点系为，该雷射二极管1之该第二电性接触系位于该基板3之后侧，该雷射二极管1之一接触及该监控二极管2之一接触系被连接在一起，并经由一接合线52而接触连接。
于图3之示范性实施例中，该光学活性区域面向下(下部朝下)之该雷射二极管1系藉由焊接凸块81及82而设置于该光二极管2或该光二极管基板4之上，因此，在此示范性实施例中，从该雷射二极管1穿越该基板3所发射之光的比例系被用于数据传输，反之，直接发射之光会落在直接配置于下方之该光二极管2之上，而藉由两结合线51及52可与该组合之该雷射二极管1形成电性接触，如图2所示，终端其中之一系与该光二极管2之一终端连接在一起。
于图4之示范性实施例中，一微圆盖(microcalotte)，如一透镜，系被整合入该基板3远离该活性VCSEL区域之一侧，而此会聚焦将耦合入一光波导之光。
图5系显示本案一更进一步之示范性实施例，其中雷射二极管1及光二极管2之一三明治式的组合(对应于图2之该组合)系直接设置为一波导10之上方，该波导10系位于一金属箍11中之一细小的洞(fine hole)12中。而取代使用一金属箍，其亦可提供波导处于一基板内，特别是在一陶瓷基板中，且其被远至该基板之一表面所导通并固定于该处。
该雷射二极管及该光二极管2之组合系直接固定于该金属箍11之端面(end face)，而为了此一目的，该光二极管基板4系被黏着地接合至该金属箍之该端面(end face)。
该雷射二极管及该光二极管2系于每个例子中在顶部具有其两个电性接触，并藉由接通至一印刷电路板6上之接触垫7之接合线51、52、53、54而接触连接，在此一例子中，该印刷电路板6于该金属箍11区域具有一镂空(cutout)，一支架14则作为该金属箍11之支架及/或作为印刷电路板6之载体。
在远离该雷射二极管1之一侧上，该雷射二极管基板3系具有，如光束成型组件(beam-shaping element)，一微圆盖(microcalotte)形式之透镜31，其系具有使该雷射二极管2所发射之光系耦合至具高耦合程度之波导10之效果。
于图5之示范性实施例中，该雷射二极管1所产生之光首先辐射穿越该雷射半导体基板3，其次穿越该光二极管2及该光二极管基板4，而光系透过该光二极管基板4而耦合进入直接配置于该光二极管芯片之下之光波导10中。
在此一例子中，该光二极管2系侦测由该雷射二极管1所发射之相同波长，其系作为所发射光之一监控二极管。然而，相同地其亦可能以该光二极管2不敏感于该雷射二极管1之波长，但相当敏感于该雷射波长之上或之下之一不同的波长的方式而设计该光二极管2。该侦测装置或光二极管2可以接着被使用作为一双向发射/接收模块之一侦测单元，其系当该雷射二极管1将一第一波长之光耦合至该光波导10时，该侦测单元系侦测耦合于该光波导10外之一第二波长之光。
本案系提供简洁组合以两不同之波长于波导10上之资料双向传输，而藉由更进一步地一个接着一个地配置具可穿透性基板之发射及接收装置，其系有可能更进一步使用一双向数据传输之波长。
在图6的示范性实施例中，一聚焦透镜41系形成于该光二极管之基板4之内，而非于该雷射二极管基板3内，更甚者，与图5及图1的组合比较，该光二极管系以光学活性区域面向下(下部朝下)的方式固定于该金属箍11之端侧(end side)。在这个例子中，该金属箍11之端侧系被金属化，且系藉由配置于该金属箍11之端侧上之焊接凸块81及82可制成与该光二极管2之电性接触，而其余的部分则可对应至图5的组合。
在图7之实施例中，该光二极管1系藉由于导通该光波导10之该基板(金属箍11)之端侧上的焊接凸块81及82而以该光学活性区域面向下(下部朝下)的方式被导通(guided)。在这个例子中，向下发射之光系直接耦合入该波导10，而该向下发射之光会穿过该雷射二极管1及该光二极管2之该基板3、4，其中该等基板系对雷射光为光可穿透。至于电性接触连接，其系以类似于图6示范性实施例中之电性接触连接之方式实现。再者，该基板及该光二极管较佳系藉一光可穿透黏胶而设置于该雷射二极管1之基板3之上。
在图7示范性实施例之二者择一之结构中(未显示)，该雷射芯片系为颠倒，因此该雷射二极管1系配置于该基板3之顶部，而从该顶部与该雷射芯片之接触系接着藉由导通自该印刷电路板6之两接合线或与图5中连接至雷射二极管1之顶部一致之导线架，此较图7之实施例有优势的地方是，该雷射二极管1于将该组合设置于该基板11上之期间已经可以操作，因此在设置其间可进行主动调整。在图7实施例之例子中，相较之下，雷射二极管及光二极管之调整需要于雷射二极管结构及该光二极管结构中，以及同时于导通该光波导10之基板11中之被动校准结构。
在先前之示范性实施例中，如与图2之示范性实施例一样的方式，系于该光成形组件31及41区域中及/或于该光波导10及该毗邻基板3及4之间提供一光学可穿透灌注化合物(opticallytransparent potting compound)。举例而言，在图5之示范性实施例中，其系于该透镜31与该光二极管2中间之区域填满一灌注化合物，在图6之示范性实施例中，其系首先以灌注化合物填满该透镜41周围之区域，其次再填满该光二极管2及该波导10之间或该基板4及该金属箍11之端侧之间的间隙。光学可穿透灌注化合物会保护光路径免于灰尘及周遭之影响，在此例子中，伴随该灌注所发生之该透镜31及41的折射功率下降的情形是可以接受的。
在图8之示范性实施例中，该光二极管系配置为上部朝上，如之前已解释过之图7之另一选择一样。在此一例子中，该雷射二极管1及该光二极管2之该三明治式组合系设置于一导线架13之上，该导线架13系具有一开口13’，而其乃允许该雷射二极管1及该光波导10间之光耦合。在此例子中，导通该光波导10之该基板11(金属箍11)系直接接至该导线架13之下侧，而该光二极管与该雷射二极管1之接触首先系藉由接合线51及52，其次系藉由焊接凸块81及82。在本案此一变化之简单方式中，于该波导10上之主动调整系为可能。
为了使获改善之进入光波导10之雷射光耦合成为可能，一透镜31系再次被整合入该雷射二极管基板3。
最后，图9之示范性实施例基本上系与图8之示范性实施例相对应。该雷射二极管1，与图6之示范性实施例一致，系设置于该光二极管之上，而该光二极管系设置于该导线架13之上；该雷射二极管之接触系藉由接合线51及52达成，而该光二极管2之接触则藉由置于该导线架13之电流及信号携带接触垫(current-and signal-carrying contact pads)上之焊接凸块81及82而达成。
本案之实施例并不受限于先前所呈现者，本发明所必须的是一发射装置基板及/或一侦测装置基板系至少部分对发射装置所发射之光为可穿透，且该发射装置及该侦测装置系关于该发射光之方向而一个配置于另一个之上或之下。

Claims (23)

1.一种用于一光信号传输之发射模块，其包括：
一发射装置，其系发射一特定波长之光；
一发射装置基板，于其上系配置或形成该发射装置；
一侦测装置，其系侦测一特定波长之光；以及
一侦测装置基板，于其上系配置或形成该侦测装置，
其特征在于该发射装置基板(3)及/或该侦测装置基板(4)系对该发射装置(1)所发射之波长为可穿透，以及该发射装置(1)及该侦测装置(2)系相关于该发射光方向而一个配置于另一个之上。
2.如申请专利范围第一项所述之发射模块，其特征在于该发射装置(1)所发射之光在被耦合入一光波导(10)之前，系辐射通过该侦测装置(2)。
3.如申请专利范围第一项所述之发射模块，其特征在于该发射装置(1)系发射二相反方向之光，一个方向发射之光系耦合入一光波导(10)，而另一方向发射之光系落于该侦测装置(2)之上。
4.如申请专利范围第三项所述之发射模块，其特征在于该落于该侦测装置(2)上之光系已于之前通过该发射装置基板(3)。
5.如申请专利范围第三或四项所述之发射模块，其特征在于该耦合入该光波导(10)之光系已于之前通过该侦测装置基板(4)。
6.如先前申请专利范围至少其中一项所述之发射模块，其特征在于该发射装置(1)系被配置于该侦测装置(2)之上，或反之亦然。
7.如申请专利范围第六项所述之发射模块，其特征在于该发射装置(1)系以光学活性区域面向上的方式而配置于该侦测装置(2)之上。
8.如申请专利范围第六项所述之发射模块，其特征在于该发射装置(1)系以光学活性区域面向下的方式而配置于该侦测装置(2)之上。
9.如申请专利范围第六至八项至少其中一项所述之发射模块，其特征在于一可能存在于该发射装置(1)与该侦测装置(2)间之间隙(gap)系藉由一光可穿透灌注化合物(optically transparentpotting compound)而加以填满。
10.如申请专利范围第六至九项至少其中一项所述之发射模块，其特征在于该发射装置(1)之一电性终端及该侦测装置(2)之一电性终端系连接在一起而接合成接触连接。
11.如先前申请专利范围至少其中一项所述之发射模块，其特征在于该发射装置(1)与该侦测装置(2)之组合系直接设置于一光波导(10)之上。
12.如申请专利范围第十一项所述之发射模块，其特征在于该光波导(10)系经由远至该发射装置基板(3)或该侦测装置基板(4)之表面之一基板(11)中之一导件(12)而导通。
13.如申请专利范围第十一或十二项所述之发射模块，其特征在于该发射装置(1)与该侦测装置(2)之组合系直接设置于一容纳该光波导(10)之陶瓷接脚(ceramic pin)(11)之端面(end face)。
14.如申请专利范围第十一至十三项至少其中一项所述之发射模块，其特征在于该发射装置(1)系直接设置于该光波导(10)之上。
15.如申请专利范围第六至十四项至少其中一项所述之发射模块，其特征在于该发射装置(1)与该侦测装置(2)之组合系设置于一导线架(13)之上，该导线架(13)系为了允许至一光波导(10)之一光耦合而具有一镂空(cutout，13’)。
16.如先前申请专利范围至少其中一项所述之发射模块，其特征在于光成形组件(light-shaping elements)，特别是一透镜，系被整合入该发射装置基板(3)及/或该侦测装置基板(4)。
17.如先前申请专利范围至少其中一项所述之发射模块，其特征在于该发射装置(1)系包含一VCSEL雷射二极管(1)。
18.如先前申请专利范围至少其中一项所述之发射模块，其特征在于该侦测装置(2)系包含一光二极管(2)。
19.如先前申请专利范围至少其中一项所述之发射模块，其特征在于该侦测装置(2)系作为一监控二极管，以及为了此目的，其系侦测部分源自该发射装置(1)之光。
20.如申请专利范围第一至十八项至少其中一项所述之发射模块，其特征在于该侦测装置(2)系侦测与该发射装置(1)所发射之光具不同波长之光，该发射及侦测装置(1、2)系形成一双向发射/接收模块。
21.如先前申请专利范围至少其中一项所述之发射模块，其特征在于该发射装置(1)系发射波长大于950nm之光，特别是1300nm及1500nm波长的光。
22.如先前申请专利范围至少其中一项所述之发射模块，其特征在于该发射装置基板(3)及/或该侦测装置基板(4)系包含砷化镓。
23.如申请专利范围第一至二十一项至少其中一项所述之发射模块，其特征在于该发射装置基板(3)及/或该侦测装置基板(4)系包含硅或一蓝宝石材质(sapphire material)。
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