CN1507106A - 非互易性电路装置和通信装置 - Google Patents
非互易性电路装置和通信装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1507106A CN1507106A CNA2003101225930A CN200310122593A CN1507106A CN 1507106 A CN1507106 A CN 1507106A CN A2003101225930 A CNA2003101225930 A CN A2003101225930A CN 200310122593 A CN200310122593 A CN 200310122593A CN 1507106 A CN1507106 A CN 1507106A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- central electrode
- central
- ferrite
- reciprocal circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 21
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/36—Isolators
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Transceivers (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
一种非互易性电路装置和具有非互易性电路装置的一种通信装置，在所述非互易性电路装置中，通过在底层中的中心电极的端部的上表面上的第一和第二绝缘薄膜中的开口中形成填充电极而使铁氧体表面上的多层电极结构的底层中的每个中心电极的每个端部加厚。通过在第二层中的中心电极的端部的上表面上的第二绝缘薄膜中的开口中形成填充电极而使第二层中的每个中心电极的每个端部加厚。通过在顶层中的中心电极的端部的下表面上的第二绝缘薄膜中的开口中形成填充电极而使顶层(第三层)中的每个中心电极的每个端部加厚。
Description
发明背景
1.发明领域
本发明涉及非互易性电路装置，尤其，涉及诸如隔离器之类的非互易性电路装置，用于微波波段和包括这种非互易性电路装置的通信装置。
2.有关技术的描述
在诸如便携式电话之类的移动通信装置中，一般使用诸如隔离器或环形器之类的非互易性电路装置，只在一个方向上发送信号而不允许在相反方向上传递信号。
一般，这种非互易性电路装置包括永久磁铁、永久磁铁向其施加固定磁场的中心电极组件以及放置永久磁铁和中心电极组件的金属盒。
如在图12中所示，日本未审查专利申请公布第2002-76711号揭示了一种中心电极组件201，它包括块状微波铁氧体231、中心电极221到223、绝缘薄膜226、侧电极(通孔电极)224以及接地电极225。
把三对中心电极221到223放置在铁氧体23 1的表面231a(一个极的表面)上，并且把绝缘薄膜226放置在中心电极的各个相邻对之间。在铁氧体231的各个转角上，用铁氧体231的侧表面231c上提供的侧电极224与每个中心电极221到223的两个端子的每一个连接。把每个中心电极221到223的一个端子通过侧电极224电气连接到实质上放置在整个下表面231b上的接地电极225上。连接到各个中心电极221到223的另一个端子的侧电极定义端口P1、P2和P3。利用端口P1、P2和P3把中心电极组件201连接到外部电路。通过间隙228使端口P1、P2和P3中的每一个与接地电极225隔离。
用诸如银之类的导电材料通过丝网印或其它合适的方法来构成中心电极221到223。形成侧电极224如下。首先，形成通过铁氧体231的孔，致使孔从铁氧体231的上表面延伸到下表面。然后把导电膏填充在通孔中或在每个通孔的内壁形成电镀薄膜(plated film)。最后，把每个通孔在它的中心处切升。
在铁氧体231上除了外围区域之外的几乎整个表面231a上通过丝网印或其它合适的方法用玻璃或其它合适的材料来构成绝缘薄膜226，致使相互交叉的中心电极221到223通过绝缘薄膜226而相互绝缘。因为提供绝缘薄膜226只是使中心电极221-223的各个层相互绝缘，所以在形成中心电极221-223的图案时可以接受较大的对准容差。因此，通常丝网印技术得到的对准正确度是足够的。
然而，在日本未审查专利申请公布第2002-76711号中揭示的中心电极组件201中，在铁氧体231的表面231a上提供的中心电极221到223具有较小的均匀的厚度，因此，如在图13中的圆圈中所示，侧电极224和对应的中心电极221-223是通过较小的接触面积而相互连接的。这导致较差的连接可靠性。
为了避免上述问题，已经建议增加整个中心电极221到223的厚度，致使中心电极221到223可以通过增加的接触面积与对应的侧电极224连接。然而，通过丝网印来增加整个中心电极221到223的厚度是有困难的。此外，增加整个中心电极221到223的厚度导致中心电极组件201的总厚度增加，因此不可能满足减少中心电极组件201的厚度的要求。
发明概述
为了克服上述问题，本发明的较佳实施例提供一种非互易性电路装置，该电路装置的中心电极和侧电极之间的连接可靠性具有极大的改进，但是其厚度没有增加。本发明的另一个较佳实施例提供包括这种非互易性电路装置的一种通信装置。
本发明的较佳实施例提供一种非互易性电路装置，它包括中心电极组件，所述中心电极组件包括铁氧体、多个中心电极和放置在铁氧体表面上的多层结构中的多层绝缘薄膜，以及在铁氧体的侧表面上提供的多个侧电极，其中在铁氧体表面上提供的每个中心电极的每个端部所具有的厚度大于每个中心电极的其它部分的厚度，并且把每个中心电极的每个厚的端部连接到对应的侧电极上。
最好通过在绝缘薄膜的外围部分中提供的对应开口(凹入部分)中填充导电材料来确定每个中心电极的每个厚的端部。更具体地，最好通过在端部的上表面上的绝缘薄膜中提供的对应开口(凹入部分)中填充导电材料来增加铁氧体表面上多层结构的底层中的中心电极的每个端部的厚度。最好通过在端部的下表面上的绝缘薄膜中提供的对应开口(凹入部分)中填充导电材料来增加铁氧体表面上多层结构的顶层中的中心电极的每个端部的厚度。最好，由光敏导电材料构成中心电极，并由光敏绝缘材料构成绝缘薄膜。
在根据本发明的较佳实施例的结构中，使每个中心电极通过中心电极的加厚的端部与对应的侧电极相连接，为的是增加它们之间的接触面积。另一方面，除了端部之外的每个中心电极的其它部分的厚度是不增加的。因为向下增加顶层中的中心电极的端部的厚度，所以中心电极组件的总厚度没有增加。
本发明的另一个较佳实施例提供一种通信装置，它包括具有上述特征的非互易性电路装置，因此，具有改进的连接可靠性和减少的厚度。
在本发明的较佳实施例中，如上所述，通过中心电极的加厚的端部得到中心电极和对应的侧电极之间的连接，致使连接具有增加的接触面积。另一方面，除了端部之外的每个中心电极的其它部分的厚度是不增加的。因为向下增加顶层中的中心电极的端部的厚度，所以中心电极组件的总厚度没有增加。因此，根据本发明的较佳实施例的非互易性电路装置和通信装置的连接可靠性具有较大的改进，但是装置的总厚度没有增加。
从下面连同附图的较佳实施例的说明，本发明的上述和其它单元、特征、特性、步骤和优点将变得更加清楚。
附图简述
图1是根据本发明的较佳实施例的非互易性电路装置的分解透视图；
图2是图1所示一例中心电极的制造过程的平面图；
图3是接在图2所示过程之后的一个过程的平面图；
图4是接在图3所示过程之后的一个过程的平面图；
图5是接在图4所示过程之后的一个过程的平面图；
图6是接在图5所示过程之后的一个过程的平面图；
图7是接在图6所示过程之后的一个过程的平面图；
图8A、8B和8C是示出中心电极的端部和侧电极之间的连接的垂直截面图；
图9是图1中示出的多层衬底的分解透视图；
图10是图1所示的非互易性电路装置的等效电路的电路图；
图11是根据本发明的另一个较佳实施例的通信装置的方框图；
图12是根据传统技术的中心电极组件的外形的透视图；以及
图13是示出根据传统技术的中心电极的端部和侧电极的连接的垂直截面图。
较佳实施例的详述
下面参考非互易性电路装置和通信装置的较佳实施例，并结合附图来进一步详细描述本发明。
第一较佳实施例(1到10)
图1是根据本发明的较佳实施例的非互易性电路装置的分解透视图。在这个特定的较佳实施例中，非互易性电路装置1最好是集总恒定隔离器。如在图1中所示，集总恒定隔离器最好包括包含上金属外壳4和下金属外壳8的金属外壳、包含永久磁铁9、铁氧体20和中心电极21到23的中心电极组件13以及多层衬底30。
上金属外壳4实质上具有盒子的形状，它包括顶部部分4a和四个侧面部分4b。下金属外壳8包括底部部分8a和右侧面和左侧面部分8b。为了提供磁路，最好由诸如软铁之类的铁磁材料来构成上金属外壳4和下金属外壳8，并且在它们的表面上镀复银、铜或其它合适的材料。
中心电极组件13包括实质上具有矩形块的形状的微波铁氧体20以及在微波铁氧体20的上表面上提供的三组中心电极21到23，致使中心电极21到23通过绝缘层(图1中未示出)以约120°角相互交叉。在这第一较佳实施例中，每个中心电极21到23包括两行电极。
例如，可以制造中心电极组件13如下。首先，如在图2中所示，通过印刷光敏厚膜在大小约4×4英寸的铁氧体母衬底20的上表面的每个单位面积S中形成一组中心电极22的图案。注意，将通过沿图2中点划线L表示的切割线把铁氧体母衬底20分割成面积S(一般具有1到3毫米的大小)的中心电极组件。
在光敏厚膜印刷中，通过丝网印或其它合适的方法在铁氧体母衬底20的实质上整个表面上均匀地涂复光敏导电膏到特定厚度。然后使紫外线通过光掩模图案照射(曝光)光敏导电薄膜。此后，通过喷射弱碱性溶液使光敏导电薄膜暴露，致使蚀刻了光敏导电薄膜的未曝光部分(显影)，从而形成中心电极22。然后烘干中心电极22，为的是得到具有约10微米厚度(典型值)的最终的中心电极22。
此后，使用丝网印或其它合适的方法，在铁氧体母衬底20的实质上整个表面上涂复光敏绝缘膏，致使用光敏绝缘膏覆盖了中心电极22，并使光敏绝缘膏干燥。然后使紫外线通过光掩模图案照射(曝光)光敏绝缘薄膜。此后，通过喷射弱碱性溶液使光敏绝缘薄膜暴露，致使蚀刻了光敏绝缘薄膜的未曝光部分(显影)，从而形成具有开口(凹入部分)50a的绝缘薄膜50，如在图3中所示。然后烘干绝缘薄膜50，为的是得到具有约20微米厚度(典型值)的最终的绝缘薄膜50。使每个中心电极22的每个端子暴露在开口(凹入部分)50a中的一个开口中。
此后，在铁氧体母衬底20的实质上整个表面上均匀地涂复光敏导电膏到特定厚度，并使光敏导电膏干燥。在这个涂复过程中，光敏导电膏完全填充了每个开口(凹入部分)50a。然后使紫外线通过光掩模图案照射(曝光)光敏导电薄膜。此后，通过喷射弱碱性溶液使光敏导电薄膜暴露，致使蚀刻了光敏导电薄膜的未曝光部分(显影)，从而同时形成中心电极21和填充电极24a和24b。在这个过程中，在安排中心电极22的端部的各个开口(凹入部分)50a中形成填充电极24a，并且在安排中心电极23的端部的绝缘薄膜50上形成填充电极24b。
烘干中心电极21和填充电极24a和24b，从而得到两者都具有约10微米厚度(典型值)的中心电极21和填充电极24b以及具有约30微米厚度的填充电极24a。在绝缘薄膜50的表面上形成中心电极21和填充电极24b，以及在暴露在开口(凹入部分)50a中的各个中心电极22的顶部形成填充电极24a。注意，形成中心电极21和填充电极24a和24b，致使它们的上表面实质上具有相等的高度。
此后，使用丝网印或其它合适的过程，在铁氧体母衬底20的实质上整个表面上涂复光敏绝缘膏，致使用光敏绝缘膏覆盖了中心电极21和填充电极24a和24b，并使光敏绝缘膏干燥。然后使紫外线通过光掩模图案照射(曝光)光敏绝缘薄膜。此后，通过喷射弱碱性溶液使光敏绝缘薄膜暴露，以致蚀刻了光敏绝缘薄膜的未曝光部分(显影)，从而形成具有开口(凹入部分)51a、51b、和51c的绝缘薄膜51，如在图5中所示。烘干绝缘薄膜51。这里，在开口(凹入部分)51a中之一的左半部分中暴露每个中心电极21的一个端子，并且在该开口(凹入部分)51a的右半部分中暴露填充电极24a中之一。以及，在每个开口(凹入部分)51b的左半部分中暴露填充电极24a中之一，并且在该开口(凹入部分)51b的右半部分中暴露每个中心电极21的另一个端子。在每个开口(凹入部分)51c中暴露填充电极24b。
此后，在铁氧体母衬底20的实质上整个表面上均匀地涂复光敏导电膏到特定厚度，并使光敏导电膏干燥。在这个涂复过程中，光敏导电膏完全填充了开口(凹入部分)51a、51b和51c。然后，使紫外线通过光掩模图案照射(曝光)光敏导电薄膜。此后，通过喷射弱碱性溶液使光敏导电薄膜暴露，致使蚀刻了光敏导电薄膜的未曝光部分(显影)，从而同时形成中心电极23和填充电极25a、25b和25c。在如上所述的过程中，每个填充电极25a包括开口(凹入部分)51a的右半部分和处于开口(凹入部分)51b的左半部分中。即，在放置中心电极22的两个端子的位置处形成填充电极25a。另一方面，每个填充电极25b包括开口(凹入部分)51a的左半部分和处于开口(凹入部分)51b的右半部分中。即，在放置中心电极21的两个端子的位置处形成填充电极25b。在安排中心电极23的两个端子的开口(凹入部分)51c中之一中形成填充电极25c。
烘干中心电极23和填充电极25a、25b和25c，以得到具有约20微米厚度(典型值)的最终中心电极23，具有约30微米厚度(典型值)的填充电极25a和25c以及具有约20微米厚度的填充电极25b。在绝缘薄膜51的表面上形成中心电极23，并在开口(凹入部分)51a的右半部分或开口(凹入部分)51b的左半部分中暴露的各个填充电极24a的上面形成填充电极25a。在开口(凹入部分)51a的左半部分或开口(凹入部分)5 1b的右半部分中暴露的各个中心电极21的上面形成填充电极25b，并且在开口(凹入部分)51c中暴露的填充电极24b的上而形成填充电极25c。注意，形成中心电极23和填充电极25a到25c，致使它们的上表面处于近似相同的高度。
在上述处理中，在中心电极21到23、填充电极24a、24b、25a、25b和25c以及绝缘薄膜50彼此的上面相继形成它们。然后通过丝网印、溅射、蒸发、结合、电镀或其它合适的技术，在铁氧体母衬底20的下表面上形成折叠电极26(图1)。
沿通过点划线表示的切割线切割铁氧体母衬底20，从而把铁氧体母衬底20分割成独立的中心电极组件。例如，可以使用激光或通过切成小块来执行切割。如在图7中所示，在完成切割之后，在通过切割过程得到的每个铁氧体块20的四个侧表面上形成侧电极27。因此，如上所述，本发明提供中心电极组件13的优良的大批量生产方法。
在中心电极组件13中，在铁氧体20的实质上整个表面上形成绝缘薄膜50和51，致使中心电极21到23是相互电气绝缘的。在绝缘薄膜50和1的外围部分，在放置各个中心电极21到23的端子的位置处形成开口(凹入部分)50a、51b和51c。在开口(凹入部分)50a、51a、51b和51c中，形成填充电极24a、24b、25a、或25c。使用这些填充电极24a、24b、25a、25b和25c，使每个中心电极21到23(它们连接到对应的侧电极27)的两个端子的厚度相对于中心电极21到23的其它部分的厚度有所增加。
更具体地说，如在图8A中所示，通过在铁氧体20的上表面上的多层结构的底层中的中心电极22的端部的上表面上的各层绝缘薄膜50和51中的开口(凹入部分)50a和51a中形成填充电极24a和25a，使在底层中的中心电极22的两个端部(例如，图7中通过圆圈A表示的区域)加厚。即，在中心电极22的两个端子处，向上增加约70微米(典型值)的厚度，这个厚度大于中心电极22其它部分的约10微米(典型值)的厚度。结果，中心电极22通过比根据传统技术的接触面积大至少3倍的接触面积与对应的侧电极27电气连接。
与此类似，如在图8B中所示，通过在第二层中的中心电极21的端部的上表面上的绝缘薄膜51中的开口(凹入部分)51b中形成填充电极25b而使第二层中的中心电极21的两个端部(图7中通过圆圈B表示的区域)加厚。即，在中心电极21的两个端子处，向上增加约40微米(典型值)的厚度，这个厚度大于中心电极21其它部分的约10微米(典型值)的厚度。结果，中心电极21通过比根据传统技术的接触面积大至少2倍的接触面积与对应的侧电极27电气连接。
进一步，如在图8C中所示，通过在顶层中的中心电极23的下表面上的绝缘薄膜51中的开口(凹入部分)51c中形成填充电极24b和25c而使铁氧体20的上表面上的顶层(第三层)中的中心电极23的两个端子(例如，图7中通过圆圈C表示的区域)加厚。即，在中心电极23的两个端子处，向下增加约40微米(典型值)的厚度，这个厚度大于中心电极23其它部分的约10微米(典型值)的厚度。结果，中心电极23通过比根据传统技术的接触面积大至少约2倍的接触面积与对应的侧电极27电气连接。
注意，除了端部之外，每个中心电极21到23的厚度与传统技术的厚度相似或相同。此外，因为在顶层中的中心电极23的每个端子的厚度是向下增加的，所以端部所增加的厚度不增加中心电极组件13的总厚度。
在中心电极组件13中，可以使用在不同层之间提供杰出对准正确度的光敏厚膜印刷方法来形成具有复杂图案的中心电极21到23和绝缘薄膜50和51。因为执行母衬底的一层对一层的对准，所以不管中心电极组件的大小而得到杰出的对准正确度。因此，不象传统方法那样通过把金属箔绕在铁氧体上来制造中心电极组件，在根据本发明的较佳实施例的方法中，中心电极组件是容易制造的，甚至当减小个别中心电极组件的大小时。
因此，制造了一种中心电极组件13，在中心电极21到23和对应的侧电极27之间的连接可靠性方面，这种中心电极组件13具有较大的改进。
注意，在这个第一较佳实施例中，由于绝缘薄膜50和51具有与铁氧体20的大小近似相同的尺寸，所以光敏厚膜印刷过程是容易执行的。此外，因为在铁氧体的边缘处没有弯曲侧电极27，所以在铁氧体边缘处的侧电极27上没有机械应力的影响，这进一步改进了隔离器1的可靠性。然而，绝缘薄膜51和51不需要具有与铁氧体20一样的大小。
如在图9中所示，多层衬底30包括介质片41(它包含中心电极连接电极P1到P3)、接地连接电极31、通孔18、以及介质片42(它包含都提供于介质片42的表面上的热-侧电容器电极71a到73a、电路电极17和终端电阻器R)、包含热-侧电容器电极71b到73b的介质片44、每个包括接地电极74的介质片43和45、输入终端电极14、输出终端电极15以及接地终端电极16。
例如，可以制造多层衬底30如下。用低温烧结介质材料构成介质片41到45，这些材料包括作为主要成分的Al2O3，以及作为次要成分的：SiO2、SrO、CaO、PbO、Na2O、K2O、MgO、BaO、CeO2以及B2O3中之一。
使用在多层衬底30结块的温度处(约1000℃以下)不会结块的一种材料来提供收缩防止片46，用于在多层衬底30烧结期间防止多层衬底30的径向收缩(在X-Y方向上)。收缩防止片46的例子是氧化铝粉末和稳定二氧化锆的混合物。例如，片41到46的厚度是在约10微米到约200微米的范围内。
通过丝网印或其它合适的方法在片41到46上形成电极P1到P3、14到17、31、71a到73a、71b到73b以及74。电极P1到P3等的材料例子为Ag、Cu和Ag-Pd，它们中的每一种都可以与介质片41到45同时烧结。
通过丝网印或其它合适的方法在介质片42的表面上形成终端电阻器R。电阻器的材料的例子是金属陶瓷、碳和和钌。
形成用于信号传送的通孔18，首先通过激光束加工或冲孔在介质片41到45上形成孔，然后把导电膏填充在孔中。一般，对于导电膏，使用与电极P1到P3所采用的材料相同的材料(Ag、Cu、Ag-Pd等)。
在接地电极74和电容器电极71a、71b、72a、72b、73a和73b之间形成匹配电容器C1、C2和C3，其中每个匹配电容器包括放置在接地电极74和各个电容器电极之间的介质片42到44。使用匹配电容器C1到C3、终端电阻器R、电极P1到P3、17和31以及信号通孔18在多层衬底30中形成电路。
使介质片41到45一片放在另一片上面，以形成多层结构，并把收缩防止片46放置在所产生的多层结构的上面和下面(在图9中没有示出放在上面的收缩防止片)。此后，对多层结构进行烧结。在烧结之后，通过超声波清洗或湿磨除去未结块的收缩防止材料，从而得到如图1所示的最终多层衬底30。
在多层衬底30中，在多层衬底30的下表面上提供输入端电极14、输出端电极15以及接地端电极16。通过信号通孔18把输入端电极14电气连接到电容器电极71a和7 1b，并且通过另外的信号通孔18把输出端电极15电气连接到电容器电极72a和72b。把接地端电极16电气连接到电路电极17和接地电极74。通过涂复Ag、Ag-Pd或Cu的导电膏并且进行烘干而在各个输入和输出端14和15上形成凸缘形状的厚膜电极。
装配按上述方法制造的部件如下。如在图1中所示，通过黏合剂把永久磁铁9结合到上金属外壳4的天花板上。在多层衬底30上安装中心电极组件13，并且进行焊接，致使把每个中心电极21到23的一个端子连接到中心电极连接电极P1、P2或P3，并把每个中心电极21到23的另一个端子连接到接地连接电极31。按有效的方法在包括多层衬底30的母衬底上执行焊接，以把中心电极21到23连接到连接电极P1、P2、P3和31。
把多层衬底30放置在下金属外壳8的下面部分8a上，并把在片45的后表面上提供的接地端电极16焊接到下面部分8a，从而把多层衬底30固定在下金属外壳8上，并把接地端电极16电气连接到下金属外壳8。这样得到优良的接地连接，因此得到隔离器1的杰出的电气特征。
此后，通过焊接使下金属外壳8的侧面部分8b和上金属外壳4的侧面部分4b相互连接，为的是得到完整的金属外壳，它的功能如同接地端、磁轭(yoke)和电磁屏蔽。即，金属外壳形成围绕永久磁铁9、中心电极组件13和多层衬底30的磁路。从永久磁铁9把恒定磁场施加于铁氧体20。图10是隔离器1的等效电路。
第二较佳实施例(图11)
下面描述根据本发明的通信装置的较佳实施例。在这个特定较佳实施例中，作为例子，通信装置是便携式电话。
图11是便携式电话120的RF(射频)部分的电路方框图。如在图11中所示，便携式电话120的RF部分包括天线122、双工器123、发射隔离器131、发射功率放大器132、发射级间带通滤波器133、发射混频器134、接收功率放大器135、接收级间带通滤波器136、接收混频器137、压控振荡器(VCO)138以及本地带通滤波器139。
在这个便携式电话120中，提供根据上述第一较佳实施例的凸缘式恒定隔离器1作为发射隔离器131。隔离器1的使用产生了可靠性具有较大改进的便携式电话120。
其它较佳实施例
本发明不限于上述特定的较佳实施例。相反，各种修改是可能的，不偏离本发明的精神和范围。例如，根据本发明的非互易性电路装置不限于隔离器，而是还可以把本发明应用于其它类型的非互易性电路装置，诸如环形器或耦合器。
此外，不限于图8B或8C所示的结构，而是，可以在放置中心电极21到23的端部的位置处在绝缘层50中形成开口(凹入部分)。既然是这样，中心电极21到23的端部的厚度可以等于图8A中示出的中心电极22的端部的厚度。
此外，不但可以把本发明应用于3-端口非互易性电路装置，而且还可以应用于2-端口非互易性电路装置。在2-端口非互易性电路装置的情况中，在上述例子中的多层结构的第二层中的中心电极变成在顶层中的中心电极。因此，既然是这样，通过在第二层中的中心电极的端部的下表面上的绝缘薄膜的开口(凹入部分)中形成填充电极而使第二层中的中心电极的端部加厚。
本发明不限于上述较佳实施例中的每一个较佳实施例，在权利要求书说明的范围内，各种修改都是可能的。在本发明的技术范围内包括通过适当地组合每个不同的较佳实施例中揭示的技术特征而得到的一个实施例。
Claims (17)
1.一种非互易性电路装置，其特征在于，它包括：
中心电极组件，所述中心电极组件包括铁氧体、限定所述铁氧体表面上提供的多层结构的多个中心电极和多层绝缘薄膜，以及提供在所述铁氧体侧表面上的多个侧电极；其中
在所述铁氧体表面上提供的多个中心电极中的每一个的每个端部具有比多个中心电极中的每一个的其它部分的厚度大的厚度，并且把多个中心电极中的每一个中心电极的每个较厚的端部连接到对应的侧电极。
2.如权利要求1所述的非互易性电路装置，其特征在于，所述多个中心电极中的每一个的每个较厚的端部是由填充在所述绝缘薄膜的外围部分中提供的多个开口中对应的一个开口中的导电材料构成的。
3.如权利要求2所述的非互易性电路装置，其特征在于，通过在所述端部的上表面上的绝缘薄膜中形成的多个开口中对应的一个开口中填充的导电材料来增加所述铁氧体表面上的多层结构的底层中中心电极的每一端部的厚度。
4.如权利要求3所述的非互易性电路装置，其特征在于，通过在所述端部的下表面上的绝缘薄膜中形成的多个开口中的对应的一个开口中填充的导电材料来增加所述铁氧体表面上的多层结构的顶层中的多个中心电极的每一端部的厚度。
5.如权利要求1所述的非互易性电路装置，其特征在于，由光敏导电材料构成所述中心电极。
6.如权利要求1所述的非互易性电路装置，其特征在于，由光敏绝缘材料构成所述绝缘薄膜。
7.如权利要求1所述的非互易性电路装置，其特征在于，进一步包括金属外壳，所述金属外壳包括下金属外壳和上金属外壳，所述下金属外壳具有底部部分和右侧面和左侧面部分，而所述上金属外壳具有顶部部分和四个侧面部分。
8.如权利要求1所述的非互易性电路装置，其特征在于，每个所述较厚的端部具有约40微米的厚度。
9.如权利要求1所述的非互易性电路装置，其特征在于，所述多层结构进一步包括在多层结构的上表面和下表面中至少一个上提供的至少一个防收缩片。
10.如权利要求1所述的非互易性电路装置，其特征在于，由从包括Ag、Cu和Ag-Pd的一组材料中选择出来的材料来构成所述多个中心电极中的每一个中心电极。
11.如权利要求1所述的非互易性电路装置，其特征在于，所述铁氧体是微波铁氧体。
12.一种通信装置，它包括根据权利要求1所述的非互易性电路装置。
13.一种制造非互易性电路装置的中心电极组件的方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：
在铁氧体母衬底的表面上交替形成中心电极和绝缘薄膜，用以形成多层结构，在所述多层结构中，通过多个绝缘薄膜中的各层绝缘薄膜，使所述多个中心电极相互绝缘；
在所述多个绝缘薄膜的每一个中多个中心电极中各中心电极的端部所处的位置上形成一个开口；
用电极材料填充每个开口以形成填充电极，以便电气连接到多个中心电极中的各个中心电极；以及
把所述铁氧体母衬底切割成独立的中心电极组件；其中
在所述铁氧体母衬底的表面上提供的多个中心电极中的每一个的每个端部所具有的厚度大于所述多个中心电极中的每一个的其它部分的厚度，并且把多个中心电极中的每一个的每个较厚的端部连接到对应的所述填充电极。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，通过印刷光敏厚膜、用紫外线通过光掩模而使光敏厚膜曝光，以及喷射碱性溶液从而蚀刻所述光敏厚膜的非曝光部分，来形成多个中心电极，从而形成多个中心电极。
15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述切割的步骤包括在所述填充电极的中心位置处切割所述铁氧体母衬底而使之在各个中心电极组件的每一个的至少一个侧表面上形成侧电极的步骤。
16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述每一个厚端部具有约40微米的厚度。
17.如权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述铁氧体母衬底上形成防收缩片的步骤。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002361137 | 2002-12-12 | ||
| JP2002361137 | 2002-12-12 | ||
| JP2003334003A JP3852434B2 (ja) | 2002-12-12 | 2003-09-25 | 非可逆回路素子および通信装置 |
| JP2003334003 | 2003-09-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1507106A true CN1507106A (zh) | 2004-06-23 |
| CN1264247C CN1264247C (zh) | 2006-07-12 |
Family
ID=32328392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2003101225930A Expired - Fee Related CN1264247C (zh) | 2002-12-12 | 2003-12-12 | 非互易性电路装置和通信装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7292120B2 (zh) |
| EP (1) | EP1429414B1 (zh) |
| JP (1) | JP3852434B2 (zh) |
| KR (1) | KR100528528B1 (zh) |
| CN (1) | CN1264247C (zh) |
| AT (1) | ATE304738T1 (zh) |
| DE (1) | DE60301608T2 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108306084A (zh) * | 2018-03-06 | 2018-07-20 | 西南应用磁学研究所 | 三孔接地小型化准siw环行器 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1167898A (en) | 1966-05-12 | 1969-10-22 | Marconi Co Ltd | Improvements in or relating to Stripline Circulators for High Frequencies. |
| US3831114A (en) * | 1973-04-30 | 1974-08-20 | Rca Corp | Encapsulated microstrip circulator with mode elimination means |
| US4904965A (en) * | 1988-12-27 | 1990-02-27 | Raytheon Company | Miniature circulator for monolithic microwave integrated circuits |
| JPH0955607A (ja) | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Taiyo Yuden Co Ltd | 非可逆回路素子 |
| US5858145A (en) * | 1996-10-15 | 1999-01-12 | Sarnoff Corporation | Method to control cavity dimensions of fired multilayer circuit boards on a support |
| JP3528771B2 (ja) | 2000-08-25 | 2004-05-24 | 株式会社村田製作所 | 中心電極組立体の製造方法 |
| JP2002270465A (ja) | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Soshin Electric Co Ltd | 積層電子部品の端子電極 |
-
2003
- 2003-09-25 JP JP2003334003A patent/JP3852434B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-13 US US10/706,045 patent/US7292120B2/en active Active
- 2003-11-18 DE DE60301608T patent/DE60301608T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-11-18 AT AT03026574T patent/ATE304738T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-11-18 EP EP03026574A patent/EP1429414B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-09 KR KR10-2003-0088906A patent/KR100528528B1/ko active IP Right Grant
- 2003-12-12 CN CNB2003101225930A patent/CN1264247C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108306084A (zh) * | 2018-03-06 | 2018-07-20 | 西南应用磁学研究所 | 三孔接地小型化准siw环行器 |
| CN108306084B (zh) * | 2018-03-06 | 2023-09-12 | 西南应用磁学研究所 | 三孔接地小型化准siw环行器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60301608T2 (de) | 2006-06-14 |
| JP2004208273A (ja) | 2004-07-22 |
| JP3852434B2 (ja) | 2006-11-29 |
| EP1429414A1 (en) | 2004-06-16 |
| KR20040051513A (ko) | 2004-06-18 |
| CN1264247C (zh) | 2006-07-12 |
| DE60301608D1 (de) | 2005-10-20 |
| US20040113710A1 (en) | 2004-06-17 |
| KR100528528B1 (ko) | 2005-11-15 |
| ATE304738T1 (de) | 2005-09-15 |
| EP1429414B1 (en) | 2005-09-14 |
| US7292120B2 (en) | 2007-11-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1319208C (zh) | 介电滤波器、天线收发转换装置和使用滤波器的通讯装置 | |
| EP0249378B1 (en) | Package for integrated circuit | |
| CN106876969A (zh) | 一种天线及无线信号收发系统 | |
| CN1204651C (zh) | 中心电极组件及其生产方法,不可逆电路装置,通信装置 | |
| CN1249846C (zh) | 不可逆电路元件及使用它的无线通信设备 | |
| US6992540B2 (en) | Two-port isolator and communication device | |
| CN1264247C (zh) | 非互易性电路装置和通信装置 | |
| CN1472841A (zh) | 两端口型隔离器和通信装置 | |
| KR19990037050A (ko) | 비가역 회로소자 | |
| CN1993858A (zh) | 非可逆电路元件 | |
| EP4224519A1 (en) | Wiring base and electronic device | |
| CN1233064C (zh) | 三端口型非可逆电路元件和通信装置 | |
| CN1207815C (zh) | 不可逆电路装置,通信设备和制造不可逆电路装置的方法 | |
| JP2000068716A (ja) | 多層伝送線路 | |
| JP3409998B2 (ja) | チップ型インダクタアレイ | |
| CN218070167U (zh) | 耦合器 | |
| CN221708919U (zh) | 一种巴伦 | |
| CN115343812B (zh) | 输入输出构件和制备方法及封装基座和光器件 | |
| EP4123836A1 (en) | Antenna and manufacturing method therefor | |
| US6888432B2 (en) | Laminated substrate, method of producing the same, nonreciprocal circuit element, and communication device | |
| JP4962729B2 (ja) | 非可逆回路素子及び通信装置 | |
| KR20020095211A (ko) | 유전체 필터 및 이것을 사용한 안테나 공용기와 통신 기기 | |
| CN115173011A (zh) | 耦合器 | |
| JPH1098315A (ja) | 誘電体積層デバイス、その製造方法及び移動体通信装置 | |
| JP2004356910A (ja) | 誘電体共振器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20060712 Termination date: 20211212 |