CN1497351A - 光刻投射装置及器件制造方法 - Google Patents

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Abstract

光刻装置具有用于向装置中的空间提供一种或多种全卤C1－C6烷烃和一种或多种化合物中的至少一个的装置，所述化合物基本上由一个或多个氮原子以及从氢，氧和卤素中选择的一种或多种原子构成。通过应用适当的激活装置而产生的烷烃和化合物的激活提供活性反应组分，这些活性反应组分能够高选择性的蚀刻碳氢化合物组分，而将对敏感光学表面的损坏降为最小。

Description

光刻投射装置及器件制造方法
技术领域
本发明的实施例涉及一种光刻投射装置，包括：
-辐射系统，用于产生辐射的投射束；
-支撑结构，用于支撑构图部件，该构图部件用于根据理想图案而对投射束构图；
-基底台，用于固定支撑基底；
-投射系统，用于将带图案的光束投射到基底的靶部上。
背景技术
这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给入射的辐射束赋予带图案的截面的部件，其中所述图案与要在基底的靶部上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在靶部中形成的器件的特殊功能层相应，如集成电路或者其它器件(如下文)。这种构图部件的示例包括：
掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型和衰减的相移类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性的被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的理想位置，并且如果需要该台会相对光束移动。
程控反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的理论基础是(例如)反射表面的寻址区域将入射光反射为衍射光，而非可寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中过滤所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的寻址图案而产生图案。程控反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过施加适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，以使可寻址的反射镜以不同的方向将入射的辐射束反射到非可寻址反射镜上；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的可寻址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵寻址。在上述两种情况中，构图部件包括一个或者多个程控反射镜阵列。反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891和美国专利US5,523,193和PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在程控反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构可以是固定的或者根据需要是可移动的；以及
程控LCD阵列，例如由美国专利US5,229,872给出这种结构的例子，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构可以是固定的或者根据需要是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图部件。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图部件可产生对应于IC每一层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅片)的靶部上(例如包括一个或者多个电路小片(die))。一般地，单一的晶片将包含相邻靶部的整个网格，该相邻靶部由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，得到两种不同类型机器之间的区别。在一类光刻装置中，通过一次曝光靶部上的全部掩模图案而辐射每一靶部；这种装置通常称作晶片分档器。另一种装置—通常称作分步扫描装置—通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一靶部；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。如这里描述的关于光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中获得，该文献这里作为参考引入。
在使用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底进行各种处理，如涂底漆、涂敷抗蚀剂和软烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学—机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯断的其它技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些步骤的进一步信息可从例如Peter van Zant的 “微 型集成电路片制造：半导体加工实践入门(Microchip Fabrication：A Practical Guideto Semiconductor Processing)(第三版，McGraw Hill Publishing Co.，1997，ISBN 0-07-067250-4)一书中获得，这里作为参考引入。
为了简单起见，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术语应广义地解释为包含各种类型地投影系统，包括例如折射光学装置、反射光学装置和反折射系统，辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作部件，该操作部件用于操纵、整形或者控制辐射的投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或多个基底台(和/或两个或者多个掩膜台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其他台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO 98/40791中描述的两级光刻装置，这里作为参考引入。
本发明的实施例涉及低波长光刻系统，如在193nm和157nm处工作的光刻系统，以及远紫外(EUV)光刻仪器。通常，EUV系统使用约低于50nm的波长来工作，优选约低于20nm，最优选约低于15nm。在EUV区域中的波长的实例是例如13.4nm，该波长在光刻工业中正获得相对大的利益，尽管在该区域中也有其他期望的波长，如11nm。
在上面提到的所有系统中，辐射引起的碳杂质是很重要的问题，它使膜在光学元件上形成。即使非常薄的碳膜也能吸收相当数量的投射束，导致光学系统链中能量产量的降低。此外，这些碳膜可能是不均匀的，并且因此会导致相移和构图误差。因此需要有效的策略减轻碳杂质的影响。
到目前为止用于解决这些问题的标准方法包括以相对较高的浓度向系统添加O2和/或H2气体，随后进行UV辐射。然而，这种已知的技术存在固有的缺点。在光刻技术(例如193nm和157nm系统)的情况下，考虑利用光子通过气相的碳氢化合物的直接裂化而清除碳杂质。尽管该技术已经显示出在一些情况下降低碳增长率，但是通过裂化过程(cracking process)引起暂时较高的碳氢化合物分压。这随后又引起碳膜的增长。因此，已知的技术并不是在所有的情况下都有效。
当这种技术应用于EUV系统时发现更重要的问题。EUV仪器通常采用多层反射镜，具有高度敏感的表面。标准的O2/UV清除方法经常不仅蚀刻掉反射镜表面上的碳膜，而且损坏反射镜的覆盖层。这种损坏通常是不可逆的，因此导致反射率的损失。因此需要改进的碳清除方法，特别在EUV光刻领域中。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种光刻投射装置，包括用于原位置处控制分子杂质的装置，该装置可以有效地用在DUV和EUV光刻中。
根据本发明实施例，在如起始段落的光刻装置中提出上述和其他目的，其特征在于供应装置用于向所述装置中的空间供应以下至少一个：
-一种或多种全卤C1-C6烷烃；以及
-一种或多种化合物，所述化合物基本上由一个或多个氮原子以及从氢、氧和卤素中选择的一种或多种原子构成。
本发明的光刻装置提供上面提出的一种或多种化合物，通常是连同氮、氢和/或一种或多种惰性气体。提供到空间的化合物，或化合物的混合物，在下文称为组合物。组合物可以由纯正单个化合物组成，或者可以是化合物的混合物。
组合物供给装置中的空间，例如供应到投射系统中。通过将投射束应用于包含组合物的空间，或者通过使用另外的激活源而产生的组合物的激活导致化合物激发或分解为各种活性反应成分。这些活性反应组分作为高选择性的蚀刻组分，有效地除去碳氢化合物而不会引起对现有的任何EUV反射镜表面的损坏。此外，用于本发明的组合物通常提供碳氢化合物组分的高蚀刻速度。它们的光吸收通常也低，因此这种材料引入到光学系统链中在透射率方面几乎没有或者没有反作用。
在本发明的优选实施例中，组合物包括二氧化氮。二氧化氮具有各种特性，使其作为清洁剂比氧更有利。首先，它比氧具有更低的离解能，因此容易被光子和次级电子分解。其次，二氧化氮的激活导致臭氧的形成，臭氧本身就是高效蚀刻剂。第三，二氧化氮的粘附概率明显高于氧的粘附概率，确保大量清洁剂存在于待清洁的表面上。
由于这些优点，可以使用比利用氧的对应过程中所需要的更低压力的清洁剂来进行净化。另外，更有效的二氧化氮净化技术允许使用减少的净化时间，导致系统中故障时间减少。
根据本发明的另一方面，提供一种器件制造方法，包括：
-提供基底，该基底至少部分地由辐射敏感材料层覆盖；
-利用辐射系统提供辐射的投射束；
-使用构图部件赋予投射束横截面图案；
-将带图案的辐射束投射到辐射敏感材料层的靶部上，
其特征在于：
-向所述投射束穿过的空间供应以下至少一个：
-一种或多种全卤C1-C6烷烃；以及
-一种或多种化合物，所述化合物基本上由一个或多个氮原子以及从氢、氧和卤素中选择的一种或多种原子构成；
-导致一种或多种烷烃和/或一种或多种化合物中的多个的激发和/或分解。
尽管特定的参考在文中给出，用以在IC的制造中使用根据本发明实施例的装置，但是应该明确，这种装置可以具有许多其他的应用。例如，可以用于集成光学系统，制导和探测磁畴存储器的构图，液晶显示板，薄膜磁头等的制造中。技术人员知道，在这些其他应用的情况下，文中所用的术语“分划板”、“晶片”或“电路小片”应该认为分别由更普通的术语“掩膜”、“基底”和“靶部”代替。
在本文中，术语“辐射”和“光束”用于包含所有类型的电磁辐射，包括紫外线辐射(例如波长为365、248、193、157或126nm)和EUV(远紫外辐射，例如具有5-20nm范围内的波长)，以及粒子束，如离子束或电子束。
附图说明
现在仅仅通过例子的方式，参考随附的示意图说明本发明的各个具体实施方式，其中：
图1示出根据本发明一个具体实施方式的光刻投射装置；以及
图2示出根据本发明实施例的光刻装置的辐射系统。
在图中，对应的参考标记表示对应的部分。
具体实施方式
实施例1
图1示意性地示出根据本发明的具体实施方式的光刻投射装置。该装置包括：
辐射系统Ex，IL，用于提供辐射(例如UV/DUV/EUV辐射)投射光束PB。在这种具体的情况下，辐射系统还包括辐射源LA；
第一目标台(掩膜台)MT，设有用于保持掩膜MA(例如分划板)的掩膜保持器，并与用于将该掩膜相对于元件PL精确定位的第一定位装置连接；
第二目标台(基底台)WT，设有用于保持基底W(例如涂覆抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于元件PL精确定位的第二定位装置连接；
投射系统(“镜头”)PL(例如折射/折反射透镜系统/反射镜组)，用于将掩膜MA的辐射部分成像在基底W的靶部C(例如包括一个或多个电路小片(die))上。
如这里指出的，该装置属于反射型(例如具有反射掩膜)。可是，一般来说，它还可以是例如透射型(例如具有透射掩膜)。另外，该装置可以采用其他种类的构图部件，如上述提到的程控反射镜阵列型。
辐射源LA(例如汞灯/准分子激光器/产生激光的或放射等离子源)产生辐射束。该射束例如直接或经过如扩束器Ex的横向调节装置后，再照射到照射系统(照射器)IL上。照射器IL包括调节装置AM，用于设定射束强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，它一般包括各种其他部件，如积分器IN和聚光器CO。这样，照射到掩膜MA上的光束PB在其横截面上具有理想的均匀性和强度分布。
应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投射装置的壳体中(例如当源LA是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投射装置，其产生的辐射束被(例如通过合适的定向反射镜的帮助)引导至该装置中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明的实施例包含至少这些方案。
光束PB然后与保持在掩膜台MT上的掩膜MA相交。光束PB选择性地被掩膜MA反射，并通过镜头PL，该镜头将光束PB聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置(和干涉测量装置IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似地，例如在从掩膜库中机械取出掩膜MA之后或在扫描期间，可以使用第一定位装置将掩膜MA相对射束PB的光路进行精确定位。一般地，用图1中未明确显示的长冲程模块(粗略定位)和短冲程模块(精确定位)，可以实现目标台MT、WT的移动。然而，在晶片分档器(与分步扫描装置相对)的情况下，掩膜台MT可与短冲程执行装置连接，或者固定。
所示的装置可以按照两种不同模式使用：
1.在步进模式中，掩膜台MT基本保持不动，整个掩膜图像被一次投射(即单“闪”)到靶部C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的靶部C能够由射束PB照射；
2.在扫描模式中，基本为相同的情况，但是所给的靶部C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩膜台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向，例如y方向”)以速度v移动，以使投射光束PB扫描整个掩膜图像；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相对大的靶部C，而不必损害分辨率。
图2用示意图更详细地示出本发明特定实施例的投射系统。在这种情况下，组合物提供到的空间是投射系统。在另一实施例中，空间通常是在装置中投射束穿过的任何区域。优选的空间是那些包含至少一部分辐射系统和/或至少一部分投射系统的空间。优选地，空间包含至少一个反射镜。
如图2所示，投射系统包括反射镜3和参考图1所述的任选的各种其它光学部件。投射系统包含在容器2中。从供应装置4向容器供应这里公开的组合物，容器可以是包含液态或气态组合的增压容器。组合物通过入口5向容器供应，入口包括一个阀。组合物通常以气态或作为分子束向容器供应。然而，也可以是以液体或固体的形式供应。然后所述液体被蒸发或者所述固体被升华，将组合物以气体形式供应到空间中。供应组合物的其它装置提供在多微孔介质(microporous media)中密封的组合物。例如，可以提供在其结构的空腔中具有组合物分子的沸石。一旦沸石引入该空间，为了释放组合物例如对沸石加热。
组合物包含多于一种化合物，那么可以存在两个或多个供应装置，每个供应装置例如向空间供应一种化合物。另外，每种化合物可以经过同一个供应装置同时供应或在不同的时期供应。因此上述有关任何提供组合物方法同样涉及提供组合物的化合物之一的方法。通常，光刻装置包含组合物。例如组合物可以在供应装置4和/或容器2(通常是投射系统)中存在。然而，显而易见地，也可以分别供给光刻装置。
组合物引入到装置的空间中之后被激活。通常，在与曝光基底的步骤不同的时间进行激活，例如在曝光基底步骤之前。然后可选择地净化或排空该空间，从而在所述曝光之前除去组合物。例如通过用投射束照射包含组合物的空间而完成激活。然而，也可以使用另外的激活装置，只要该装置能够分解或激发组合物中的至少一些(优选是多数)分子。另外的激活装置的例子是额外的UV源，例如DUV或EUV源、离子源、电场或磁场或电子辐射。激活装置优选是投射束本身，特别是当使用EUV投射束时，由于其导致组合物中化合物的高度分解，并由此提高净化效率。
激活主要通过两种装置产生。首先，当UV辐射用作激活装置时，分解或激发可直接通过光子产生。其次，由于例如在照射表面产生的次级电子或者通过电子源而发生激活。激活导致活性反应组分的产生，活性反应组分特别是已经激发到较高能级的分子和分解的分子碎片。
产生的活性反应组分提供碳膜的高选择性蚀刻。这通过在这里描述的组合物上进行的测试得以证明，示出选择性地蚀刻类似sp3碳的sp2碳，即脂族烃、无定形碳和石墨碳。虽然通过UV碳氢化物的分解产生sp2和sp3碳，但是在光刻装置中的碳杂质层示出大量形成的毫微结构的石墨类膜是由sp2碳构成的。因此，这里公开的组合物对于在光刻装置中有问题的特定类型的杂质是高选择性。
这里公开的组合物优选易于分解为辐射应用方面的活性反应组分或其它激活装置。高粘着系数也是有益的，因为它提高了分解的可能性以及与sp2碳反应的可能性。
通常，组合物包括或者基本上由全卤C1-C6烷烃、二氧化氮、酮酸氮(nitrogenoxoacids)、氢化氮及氢化氮的盐中选择的一种或多种化合物构成，所述盐由氮、氢、氧和卤素原子构成。例如，组合物可以包括或者基本上由全卤C1-C6烷烃、酮酸氮、氢化氮及氢化氮的盐中选择的一种或多种化合物构成，所述盐由氮、氢、氧和卤素原子构成。在这些盐中，卤素通常是氟、氯或溴，优选为氟。通常，全卤C1-C6烷烃是全氟C1-C6烷烃。C1-C6烷烃优选是C1-C4烷烃，特别优选是甲烷和乙烷。因此，全卤C1-C6烷烃优选是全氟C1-C4烷烃，特别优选是全氟代甲烷和全氟代乙烷。通常酮酸氮是硝酸氮(HNO3)。氢化氮是只由氮和氢原子构成的化合物。氢化氮的例子包括氨(NH3)、联氨(N2H4)、叠氮化氢(HN3)，叠氮化铵(NH4N3)、叠氮化肼(N2H5N3)、二氮烯(N2H2)和四氮烯(H2N-N＝N-NH2)。氢化氮优选是氨、二氮烯和联氨，特别优选是氨。通常氢化氮的盐是铵盐。铵盐的例子包括氢氧化铵和如氟化铵、氯化铵和溴化铵的卤化铵。
因此，优选的组合物包括或者基本上由全氟C1-C4烷烃、二氧化氮、硝酸、氢化氮和铵盐中选择的一种或多种化合物构成。优选组合物的例子包括或者基本上由全氟C1-C4烷烃、硝酸、氢化氮和铵盐中选择的一种或多种化合物构成。更优选的组合物包括或者基本上由四氟代甲烷、二氧化氮、硝酸、氟化铵、氢氧化铵、氨、二氮烯和联氨，例如四氟代甲烷、硝酸、氟化铵、氢氧化铵、氨、二氮烯和联氨中选择的一种或多种化合物构成。
当采用钌反射镜时，基本上仅由包含氮和/或氢的成分，任选地连同N2、H2和/或一种或多种惰性气体构成的组合物，是特别有利的。这些化合物作为高选择性蚀刻剂，基本除去系统中存在的所有碳氢化合物，若有的话，而几乎不会损坏钌反射镜。因此，在采用钌反射镜的系统中，优选的组合物包括或者基本上由氢化氮，任选地连同N2、H2和/或一种或多种惰性气体构成。更优选的组合物包括或者基本上由氨、二氮烯和联氨中选择的一种或多种化合物构成。最优选的组合物包括或基本上由氨构成。通常，上面每种组合物包括或基本上由上面指定的氢化氮连同N2、H2和/或一种或多种惰性气体构成。
虽然氢化氮提供高选择性蚀刻，但是其它组合物，如包含卤素或氢氧化物组的化合物，通常提供较快的蚀刻速度。在需要快速的蚀刻速度的地方，适当的组合物包括或基本上由全卤C1-C6烷烃、酮酸氮和铵盐中选择的一种或多种化合物构成，所述盐基本上由氮、氢、氧和卤素原子构成。这种组合物优选包含或基本上由全氟C1-C4烷烃、硝酸和铵盐中选择的一种或多种化合物构成。用于快速蚀刻的更优选化合物包含或基本上由全氟代甲烷、全氟代乙烷、硝酸、氟化铵和氢氧化铵中选择的一种或多种化合物构成。当需要快速蚀刻厚层碳氢化物时，例如使用用于快速蚀刻的这些组合物。氢化氮基组合物通常为一般的应用而采用，因为它们改良的选择性。通常，上面组合物中的每一个包括或基本上由上述指定的化合物连同N2、H2和/或一种或多种惰性气体构成。
在本发明的另一实施例中，组合物包括或基本上由二氧化氮构成，由于二氧化氮的低离解能和高粘附系数，已经被发现是特别有利的净化物质。二氧化氮可以很容易地分解为活性反应组分，如原子氧和反应的氧化氮，例如：
                     
二氧化氮分子的离解能比氧分子的离解能低。因此二氧化氮分子可直接由波长仅为397nm的光子分解。与氧分子比较，氧分子发生分解需要242nm的波长。二氧化氮通过次级电子的分解也更容易发生。此外，活性反应组分的重新组合再形成二氧化氮分子是不利的。因此，通过相对较低的能量输入，高比例的活性反应组分在光学系统链中是可用的。
使用二氧化氮的更多优点涉及其高粘附系数。二氧化氮分子物理吸附到碳类表面上的吸附作用相对较强，特别是在比较通过分子氧粘附到碳类表面而形成的可比较的粘合强度时。因此二氧化氮在硅、钌和甚至碳表面上的粘附概率接近1。假定这粘合强度，大量二氧化氮分子在任一时刻粘合到光学元件的表面。这提供了清洁剂在需要清洁的精确位置中的定位，并由此提高方法的效率。
二氧化氮可以单独地与惰性气体混合，或与氧、氢和/或水混合而输送到系统中。已经发现包括二氧化氮结合现有的清洁剂，特别是氧、氢和/或水的组合物提供高效的净化过程。特别地，在有氧存在的情况下使用二氧化氮导致臭氧的产生，臭氧作为特别有效的清洁剂是已知的。例如，臭氧可以如下产生：
    或者
这里VOC表示易挥发的有机化合物(volatile organic compound)。
通常，供应到空间的气态组合的分压为空间中碳氢化合物气体分压的至少5倍，优选是空间中碳氢化合物气体分压的至少10倍。在EUV系统中，优选以NO2∶CxHy为102-104的比例供应气态组合，通常作为连续的或准连续操作。引入的气态组合的实际分压通常在10-4-10-5毫巴数量级。气态组合包括活性的清洁剂以及惰性物质，上面提到的分压通常指的是清洁剂的压力。一般，技术人员可以根据本领域已知的技术选择适当的分压来使用。然而，这里公开的气态组合的较低吸收率意味着可以允许比利用标准O2/UV技术所用的分压更高的分压。
尽管本发明的具体实施例已经描述如上，但是可以知道本发明可以进行除上述说明之外的实践。说明书不作为对本发明的限制。

Claims (14)

1.一种光刻投射装置，包括：
-辐射系统，用于提供辐射的投射束；
-支撑结构，用于支撑构图部件，该构图部件用于根据理想图案而对投射束构图；
-基底台，用于支撑基底；
-投射系统，用于将带图案的光束投射到基底的靶部上；
其特征在于供应装置用于向所述装置中的空间供应以下至少一个：
一种或多种全卤C1-C6烷烃；以及
一种或多种化合物，所述化合物基本上由一个或多个氮原子以及从氢、氧和卤素中选择的一种或多种原子构成。
2.根据权利要求1的装置，其特征在于供应装置用于向所述装置中的空间供应一种组合物，所述组合物基本上由以下至少一个构成：
一种或多种全卤C1-C6烷烃；以及
一种或多种化合物，所述化合物基本上由一个或多个氮原子以及从氢、氧和卤素中选择的一种或多种原子构成；
任选地连同N2和/或H2和/或一种或多种惰性气体。
3.根据权利要求1或2的装置，其中装置包含一种或多种烷烃和/或一种或多种化合物。
4.根据前面任一权利要求的装置，其中一种或多种烷烃包括四氟代甲烷。
5.根据前面任一权利要求的装置，其中一种或多种化合物包括一种或多种氢化氮。
6.根据前面任一权利要求的装置，其中一种或多种化合物包括氨、二氮烯、联氨及其盐中至少一种。
7.根据前面任一权利要求的装置，其中一种或多种化合物包括硝酸。
8.根据前面任一权利要求的装置，其中所述供应装置进一步供应N2和H2中的至少一种。
9.根据前面任一权利要求的装置，其中一种或多种化合物包括二氧化氮。
10.根据权利要求9的装置，其中所述供应装置进一步供应氧、氢和水的一种或多种。
11.根据前面任一权利要求的装置，其中投射束穿过该空间。
12.根据前面任一权利要求的装置，其中该空间包括至少一部分辐射系统和/或至少一部分投射系统。
13.根据前面任一权利要求的装置，进一步包括用于激发和/或分解一种或多种烷烃和/或一种或多种化合物的多个分子的装置。
14.一种器件制造方法，包括：
-提供基底，该基底至少部分地由辐射敏感材料层覆盖；
-利用辐射系统提供辐射的投射束；
-使用构图部件在投射束横截面处赋予图案；
-将带图案的辐射束投射到辐射敏感材料层的靶部上，
其特征在于：
-向所述投射束穿过的空间供应以下至少一个：
-一种或多种全卤C1-C6烷烃；以及
-一种或多种化合物，所述化合物基本上由一个或多个氮原子以及从氢、氧和卤素中选择的一种或多种原子构成；
-导致一种或多种烷烃和/或一种或多种化合物中的多个的激发和/或分解。
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