TWI254839B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

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1254839 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明的一項具體貫施例係關於一微影投影裝置，其包 括： -一輻射系統，其用於供應一輻射投影光束； -一支承結構，其用以支承圖案化構件，該圖案化構件則用 於根據一所需圖案將該投影光束圖案化； -一基板臺，用於支撐一基板；以及 -一投影系統，其用以將該圖案化的光束投影在該基板的一 目標部分上… 【先前技術】 此處所用術語「圖案化構件」應廣義解釋為可用以賦予 進入之輕射光束一圖案化之斷面的構件，案化之斷面 係對應於需建立於基板目標部分的—w案；本文中亦可 用術語「光閥」。-般而言，該圖案係與建立於目標部 :、，件的¥疋功犯層有關’諸如-積體電路或其他元 (詳見下文）。此類圖案化構件的例子包括·· --光罩。光罩的概念在微影技街中係廣為人知，它並 括如二元式、交替式相位偏移及衰減式相位偏移等光 形式，以及各種混合的光罩形式。此種光罩放在㈣ 束中，將導致照射在光罩上的赛射依據光罩上圖案❸ 擇性透射（當於透射光罩的狀 几早〕狀况）或反射（於反射光罩合 大況）。在光罩的狀況中，支承結構一般是―光罩臺， 其為確保光罩被支撐於進入的輕射光束中一理想位置 88424 1254839 並於需要時可相對於光束移動。 -一可裎式-化鏡面陣列。該種元件的一個例子為一矩陣可 疋址表面，具有一黏彈性控制層及一反射表面。該種裝 置的基本原理為（例如）反射表面的已定址區域反射入 射光為繞射光；而未定址區域則反射入射光為非繞射 光。使用一適當的濾波器，該反射光束可過濾掉該未繞 射光，而僅留下该繞射光；依此方式，該光束根據該矩 陣可定址表面的定址圖案而成為圖案化。一可程式化 鏡面陣列的另一項具體實施例係使用一微小鏡面的矩 陣配置〃藉由施加一適當的局部電場或使用一壓電驅動 構件，各個鏡面可個別繞一軸傾斜。同樣地，該鏡面為 矩陣可走址，使得該等定址鏡面以不同方向反射進入的 1射光束至未定址的鏡面；以此方式，即可根據該等矩 陣可定址鏡面的定址圖案使反射光束圖案化。可使用適 當的電子構件，以執行所需的矩陣定址。在上述的兩種 狀況下，該®案化構件可包括—或多個可程式化鏡面陣 列。本文所述的鏡面陣列的詳細資料，請參閱（例如）美 國專利案號US 5,296,891及US 5,523，193及pcT專利申 請案號W〇98/38597及冒〇98/33〇96，此處以提及方式 併入本又中。就可程式化鏡面陣列而言，該支承結構可 以（例如）框架或臺面方式具體化，且視需要可為固定或 移動式。 ' —可程式化液晶顯示器（LCD)陣列。此種構造的實例可 於美國專利案號US 5,229,872中找到，此處以提及方式 ^8424 1254839 并入本文中。同上，在此實例中，支承結構可以（例如） 框木或堂面方式具體化，且視需要可為固定或移動式。 土万、簡化的目的，本文之其餘部分將在特定位置專門探討 有關光罩及光罩臺的實例，然而，此類實例中所探討的通 用原理應適用於較廣域的圖案化構件中，如上文所述。 锨办投影裝置可用於（例如）積體電路（IC)的製造上。在此 ^月况中，圖案化構件可產生相對應於1(：中個別層的電路圖 衣，並可將此圖案成像於已塗佈一層輻射敏感材料（光阻劑 iesist)< 一基板（矽晶圓）上的目標部分（如包括一或多個晶 _ ) I而5，單一晶圓可包含鄰近目標部分的整個網路 ’ t們將依次由投影系統逐個照射。在現行裝置中，用— ^罩至上的光罩以進行圖案化，在兩類不同的機器中會有 區々】在一種微影投影裝置中，一次處理將整個光罩圖案 暴露於目標部分上，讓每一目標部分都照射到；此種裝置 一般稱為晶圓步進機（wafer stepper)。在—替代裝置中（一般 係指一步進掃描裝置），在一既定參考方向（「掃描」方向） 上用投影光束逐步掃描光罩圖案，使每一目標部分均照射 到，而同時與1¾万向平行或反向平行择描基板臺；一般而 吕，由於投影系統將有一放大倍率因數M (通常〈U，則基 板臺的掃描速度V為因數縣以光罩臺的掃描速度。有關上 述微影元件的進一步資訊可於（例如）美國專利案號us 6，046,792中收集到，本文中以提及方式併入。 在使用微影投影裝置的製造方法巾u至少部分由一 層輕射敏感材料（光阻劑）覆蓋的基板上成像一圖案（例如在 88424 1254839 一光罩中）。在此成像步驟 ,gj 基板可經各種程序處理， 例如打底（PrLming)、光阻劑塗佈及軟烘（s〇ft bake)。暴光之 後，該基板可接受JL侦4 口古士 又八他私序處理，例如暴光後烘乾 (post-exposure bake ； PEB) ^ m ^ ^ ^ ^ }頭衫、硬烘（hard bake)及測量/

檢查成像之特徵。這一陣列的程序係用來作為一基礎，以 圖案化-元件（如IC)的個別層。接著，此—圖案化層可再經 過各種處理’例如蝕刻、離予植入(摻雜)、金屬電鍍、氧化 、化學機械㈣等，所有步驟皆為個別層表面處理所需。 如果需要許多I，則整個程序，或其一變化步驟必須在每 層中重複。.最後，在基板（晶圓）上將呈現一陣列的元件。然 後這些7L件將藉由一種技術來彼此分開，例如切割或鋸開 ，然後將該個別的元件安裝在一載具上，連接到接針等。 關於這種製程的進一步資訊可由（例如）peter van以加所著 鉍日θ片製造·半導體製程指南（Micr〇chip Fabricati⑽：A

Practical Guide to Semiconductor Processing)(第三版， McGrawffillPubHshmg 公司，1997年，ISBN 0-07-067250一4) 一書中獲知，本文中以提及方式併入。 為簡化起見，以下稱該投影系統為「透鏡」；不過，此 術語必須作廣義的解釋以包括各種投影系統，例如，包厶 折射光學、反射光學及反折射的系統。該輻射系統亦可包 含根據任何設計類型操作的組件，用以引導、塑造或控制 輻射的投影光束，且該組件以下也可以統稱或獨稱為「透 鏡」。另外，此微影裝置可係一種具有兩個以上基板臺（及 /或兩個以上光罩臺）的形式。在此種「多平臺」元件中，可 88424 1254839 以平行使用額外臺自，或在—或多個臺面上進行準備步驟 ’而其他-或多個臺面制於暴光。雙平臺微影裝置在（例 如）美國專利案號us ^嶋丨及心專利申請案號助 98/40791中均有說明，此處以提及方式併入本文中。 本發明的-項具體實施卿關於低波長的微影系統，諸 如在193 nm&157 nm下操作的微影系統’以及遠紫外光 (ext聽e Llltraviolet ; EUV)微影工具。通常，印V系:使用 低於大約50 nm的波長進行操作，較佳的低於大約別nm， 而最佳的低於大约15nmaEUV區域内在微影工業中獲得極 大利盈的波長之範例為13.4 nm，但在該區域中亦有其他有 希望的波長，例如Π 。 在所有上述系統内，輕射造成的碳污染係值得考慮的問 題’其會在光學元件上形成膜。即使極薄的碳膜也會吸收 大量的投影光束，導致光學串中能量輸出量的減少。此外 ，這些破膜可能不肖自，因此會導致相位偏移及圖案誤差 。因此需要一有效的策略’以減少碳污染的影響。 一種用於解決此類問題的標準方法包括：在1；乂照射後， 向系統添加較高濃度的〇2及/或H2氣體。然而，該已知技術 具有固有缺點。在光學微影（如193胆及157 nm的系統）的 狀況下，考慮藉由光子使氣相中的烴直接破裂，以此清除 咴3染。孩技術顯示出在某些狀況下可降低碳生長的速率 ’但破裂過程會引起-暫時較高的烴分壓。其隨後會反過 來導致碳膜的生長。因此，ΐ亥已知技術並非在所有狀況下 有效。 88424 -10 - 1254839 將該技術應用於EUV系統時會遇到更嚴重的問題。EUv 工具通常採周多層鏡面，其具有高度敏感的表面。標準的 〇2 / U V清潔法不僅需要頻繁地將鏡面上的碳膜蝕刻掉，而且 會損壞鏡面的覆蓋層。這種損壞通常係不可逆的，從而會 降低反射率。因此’需要一改進的碳清潔法，尤其在euv 微影領域中。 【發明内容】 本發明的一項具體實施例之目的係提供一種微影投影裝 且，其包含一構件，用於就地控制分子污染，該構件可有 效用於DUV及EUV微影技術中。 在開顽羧扣毛的微影裝置中依據本發明的一項具體實施 例貫現這些及其他目的，其特徵為供應構件向該裝置内的 一空間提供至少其中一個： _ 一或多個全iSCVC6烷烴；以及 '一或多個化合物，其本質上由一或多個氮原子及一或 多個選自氫、氧及齒素的原子組成。 本叙明之彳政影裝置提供一或多個上述化合物，通常亦加 上亂、氫及/或一或多個惰性氣體。向該空間提供的化合物 或化合物之混合物在下文中稱作組成物。組成物可由單一 的化口物以純/争形式構成，或可由化合物之混合物構成。 該、'且成物七、應土裝置內的一空間，例如進入投影系統。 使S、’且成物/舌化或係藉由將投影光束提供至包含該組成物 的丄間或係藉由使用一替代性的活化源，均可將該等化 合物激化或解離成各種活性㈣。這些活性物種作為高度 88424 1254839 k擇的I虫刻成义，可有效清除煙，而不會損壞任何現有e u v 鏡之表面。此外，本發明中所用之組成物通常對烴物種提 供高蝕刻速率。他們的光吸收性一般也低，因此將此類材 料引入光學串中對傳遞性幾乎沒有或完全沒有不利的影響。 在本發明的一較佳具體實施例中，該組成物包含二氧化 氮。二氧化氮具有各種特性，作為清潔劑，其比氧氣更為 有利。百先，與氧氣相比，其解離能要低許多，因此藉由 光子及次級電子可輕易地進行解離。其次，二氧化氮的活 化會形成臭氧，其本身即是一高度敏感的蝕刻齊卜第三， 二氧化氮的黏附機率大大高於氧氣的黏附機率，因此可保 證需要清潔的表面上具有大量的清潔劑。 运些優點的一結果是，與相應過程中需要使用的氧氣相 比’用壓力低許多的清潔劑即可進行清除。此彳，更有效 的二氧化氮清潔技術可減少所需的清潔時間，1而縮㈣ 統的停工時間。 一、 依據本發明的另 包括： 一方面可提供一種製造元件之方法 其 提供至少部分由—層輕射敏感材料所覆蓋之—基板； 使用库田射系統提供一輻射投影光束； ，用圖案化構件賦予投影光束—圖案式之斷面；

知圖案化4射光束投影至輕射敏感材料層之—目 其特徵為· 向該投影光束穿過的一 空間供應至少其中一個： 88424 -12 - 1254839 -一或多個全鹵C i - 〇6貌烴；以及 • 一或多假組成物，其本質上由一或多個氮原子及一或多 個選自氫、氧及齒素的原子組成；以及 _ 使複數個的該等一或多個烷烴及/或一或多個化合物激 化及/或解離。 雖然本文中係將在1C製造中使用依據本發明的一项具體 實施例之裝置作為特定參考，但必須明白該裝置具有許多 其他的應用。例如，其可用於製造整合光學系統、磁性區 域記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示器面板、薄膜磁頭 等。專業人士應瞭解，在這些其他應用的内容中，任何所 使用的術語「標線」、「晶圓」或「晶粒」必須分別考慮 由更為一般性的術語「光罩」、「基板」及「目標部分f 所取代。 在本文件中所使用的術語「輕射」及「光束」可用來包 含所有形式的電磁輻射，包括紫外光輻射(如波長為365、 248、193、157或126胆者）和遠紫外光輕射㈣職e 金㈣心；EUV)(如具有波長範圍5至20㈣者）’以及諸 如離子束或電子束之類的粒子束。 【實施方式】 具體貫施例1 圖1為依據本發明一特定具體實施例的微影投影裝置> 原理說明。該裝置包括·· 以衣且〜

.一輕射系統Ex、IL，用於提供1射（如imDUV/EUV 輻射）投影光束PB，在該特定範例 - 茨鳥射系統亦包括一 88424 -13 - 1254839 輻射源LA ; .第一物件臺（光罩臺）MT，具有支撐光罩Ma(例如—才 的光罩支架，並與第一定位構件連接以相對於嚷目^光

罩精確定位； H .一第：物件臺（基板臺）WT，具有支撐基板w(例如—余体 了光阻劑的碎晶圓)的-基板支架，並與第二定位構件：接 以相對於項目PL將基板精確定位； •一投影系統（「透鏡」）PL(例如—折射/反折射透鏡系统/ 鏡面群組）以將光罩MA的—受照射部分成像於基板___ 目標部分C(例如包含一或多個晶粒）上。 如本文所述’該裝置屬-反射型式（即具有—反射光罩卜炊 而，一般而言，它亦可屬一（例如）透射型式（即具有一透射 光罩）。或者，該裝置可引用另—種圖案化構件，例如一上 逑型式的可程式化鏡面陣列。 ρ該轉射源LA(例如水銀燈、準分子雷射、雷射產生或放電 電漿源）產生一輕射光束。此光束直接地或在穿過調節構件 (諸如-光束擴張器Ex)之後，被饋入一照射系統（照射器肚 中。照射器乩可包含調整構她以設定光束中強度分佈的 外徑向範圍及/或内徑向範圍(―般分別稱為σ外及σ内）。 、匕外其-般包含4多其他級件，例如—整合器ΙΝ及一聚 光器co。依此方式，照射在該光罩河八上的該光束ρΒ具有 所需的均勻性及在其横截面中的強度分佈。 於圖1中應注意的是：輻射源！^八可位於微影投影裝置的 外殼中（通常當輻射源LA是—（例如）水銀燈時），但它亦可 88424 -14 - 1254839 與微影投影裝置距離遙遠，其所產生之輻射光束被導入裝 置中（例如依—靠適當導引鏡面之助）；當輻射源[八為一準分 子雷射（excmer laser)時，通常是後面這種狀況。本發明之 一項具體實施例包含至少這兩種情況。 該光束PB隨後截斷該光罩“八，其係固定在一光罩臺“丁 上。藉由該光罩MA有選擇性地反射後，光束pB穿過透鏡pL ，其知该光束PB聚焦於基板w的一目標部分c上。藉由第二 足位構件（以及干涉量測構件（mterfer〇metric measurmg means ; IF))的幫助，可精確移動基板臺WT，（例如）在光束 PB的路徑上定位不同的目標部分c。同樣，可用第一定位 構件以相關於光束PB的路徑精確定位該光罩Ma，例如，自 光罩庫機械性地取出光罩M A之後，或在掃描期間。一般而 言，物件臺MT、WT的移動一般係藉由一長衝程模組（粗略 定位）及一短衝程模組（精確定位）的幫助，其未在圖丨中明確 出。但是，在晶圓步進機的例子中（相對於—步進及掃描 裝置），該光罩臺MT可正好連接到一短衝程驅動器，或可 為固定。 上述裝置可用於兩種不同模式中： 1. 在步進模式中，該光罩臺MT基本上保持靜止，而一敕 個光罩影像在一次處理中（即一單一「閃光」）中投射到一目 枯邰分C上。然後將該基板臺WT沿著X及/或y方向偏移，使 一不同的目標部分C可由該光束PB照射。 2. 在掃描模式中，大體上為相同狀況，但特定目授邻八c 並非在單一「閃光」中暴光。光罩臺MT可在—牲^/ 付义万向（所 88424 -15 - 1254839 明的知描万向」，例如γ方向）以一速度v移動，使投影光 束PB知榣通過一光罩影像，同時基板臺w丁則與之同向或反 向以速度V = Mv移動，其中M為透鏡孔的放大倍率（如μ ^ υ4或1/5)。以此方式，可暴光一相對大的目標部分C：而不需 犧牲解析度。 圖2 π思性地詳細顯示本發明一特定具體實施例之投影 系統。在蔹具體實施例中，組成物係供應至投影系統之空 間。在替代性具體實施例中，該空間通常係投影光束在裝 置中牙過的任何區i或。較佳的空間包含至少輻射系統之一 邙刀及/或至少投影系統之一部分。該空間最好包含至少一 個鏡面。 "如圖2所示，投影系統包含一鏡面3及選擇性的各物 光學組件，如上參考圖！所述。該投影I统包含於室2之内 。從供應構件4向該室供應本文所揭示的組成物，該室可為 -加壓容器’其中包含液態或氣態形式的該組成物。藉由 :口 5將該組成物供應至該室，該入口包含一闕。該組成物 迴常係以氣態形式或一分子束的形式供應至該室。然而， 其亦可替代性地以液態或固態的形式供應。然後使該液體 蒸發或該固體昇華’將氣態形式的組成物提供至該空間内 。供應該組成物的另-構件係用於提供封裝人多微孔媒介 中之組成物。例如，可提料石，其結構中的該等孔穴内 具有該組成物之分子。-旦將其引人該空間，料石（例如) 加熱以釋放該組成物。 如果該組成物包含一種以上的化合物，則需要兩個或以 88424 -16 - 1254839 應一種化合物至該空間 時或分批地供應各化合 的供應亦包括涉及該組 上的供應構件，各供應構件（例如）供 。或者，藉由相同的供應構件或同 物。因此，任何上述涉及該組成物 成物中该等化合物之一的供應。 通常，微影裝置包含該組成物。例如，該組成物可存在 於供應構件4及/或室2(通常為投影系統）之中。，然而，應明 白，其亦可單獨供應至微影裝置。 將其引人該裝置内的空間後，使該組成物活化。通常， 活化係在個別時間進行，例％，在暴光基板步驟之前。然 後’選擇性地淨化或抽空該空間，以便在暴光之前移除該 組成物。活化可（例如）藉由使用投影光束照射包含該组成物 的2間來實現。然而’可使用替代性的活化構件，只要該 構件能狗解離或激化該組成物中的至少部分（最好為大多 數）分子。替代性活化構件的範例為額外的uv輕射源，例I 晴或EUV源、電漿源、電或磁場或電予輕射。該活化構 件最好為投影光束本身’尤其在使用Euv投影光束時，因 為其會使該組成物中的該等化合物高度解離，從而提高产 潔效率。 Ο⑺ 活化主要係藉由兩個構件而進行。首先，當ϋν源用作活 化構件時，可藉由光子直接進行解離或激化。其次，活化 可由於所產生的次級電予而進行，例如在一照射表面或藉 由-電子源。活化可產生活性物種，具體而言係已被激： 土較鬲能f位準之分子及解離分子之一部分。 產生的活性物種對碳膜提供高度選擇的蝕刻。可藉由對 88424 -17- 1254839 明’该貫驗顯示Sp2 的選擇性地姓刻優 本文中所述之組成物的實驗對其進行說 碳（即脂肪族烴、非晶性碳或石墨碳）進行 及sp·3瑗，同時微影裝 於sp3碳。藉由uv使烴解離可獲得sp2 置中的碳污k層顯示其構成主要為毫微結構的、類似石墨 的薄膜，其係由SP2碳所形成。因此，本文所揭示的組成： 對於在微影裝置中難以解決的特定類型之污染物具有高产 選擇性。 本文所揭示的組成物根據所應用的輻射或其他活化構件 ，最好易於解離成活性物種。高黏附係數亦較佳，因為其 可增強解離可能性及與sp2碳反應之可能性。 通常，該組成物包含或本質上包含選自全鹵C1-C6燒烴、 二氧化氮、含氧酸氮、氫化氮及氫化氮鹽類的一或多個化 合物，該等鹽類由氮、氫、氧及4素原子組成。例如，該 組成物包含或本質上包含選自全鹵Ci-C6烷烴、含氧酸氣、 氫化氮及氫化氮鹽類的一或多個化合物，該等鹽類由氮、 氫、氧及鹵素原子組成。在這些鹽類中，鹵素通常為氣、 氯或溴，最好為氟。通常，全鹵CrC：6烷烴係全氟Ci-Q燒烴 。較佳的CrC6垸烴係Ci-CU虎烴，尤其係甲燒及乙燒。因此 ，較佳的全鹵CrC：6烷烴係全氟CKC4烷烴，尤其係全氟甲燒 及全氟乙烷。通常，含氧破氮為硝酸（HN〇3)。氫化氮係僅 由氮與氫原子組成之化合物。氫化氮的範例包括氨（NH3)、 聯氨（Ν^4)、疊氮化氫（Η%)、疊氮化銨（NH4N3)、疊氮化鉼 (ΝζΗ^3)、二氮烯（n2H2)及四氮烯（H2N-N=N-NH2)。較佳的 氫化氮為氨、二氮烯及聯氨，尤其係氨。通常，氫化氮的 88424 -18 - 1254839 一、係銨鹽。按鹽的範例包括氯氧化按及齒化按，諸如氣 化銨、氯化銨及溴化銨。 、一因此士佳的組成物包含或本質上包含選自全氟cvq燒 、 ^ 氮硝i、氫化氮及铵鹽的一或多個化人物。 較:組絲之範例包含或本質上包含選自全氣Cl-C4=、 硝酉义、風化氮及銨鹽的一或多個化合物。更佳的組成物包 含=質上包含選自四氟甲垸、二氧化氮、硝酸、敦化按 :虱虱化銨、4、二氮烯及聯氨的-或多個化合物，例如 斤四鼠甲k、硝酸、氟化銨、氫氧化銨、氨、二氮缔及聯 氣。 使用釕釦面時’則尤其有利的組成物實質上僅為包各物 =的，及/或氫，選擇性地加上N2、H2w或—或多個惰:氣 ^ &些化合物作為高度選擇的蝕刻劑’可將系統記憶體 在的烴實質上清除，而幾乎不會損壞（若有的話）銜鏡面。因 此，在使用衡鏡面的系統中，較佳的組成物包含或本質上 ^含氫化氮’其選擇性地加上N2u/或—或多個惰性氣 體。更佳組成物包含或本質上包含選自氨、二氮缔及聯氨 或多個化合物。最佳組成物包含或本質上包含氨。通 常，上述組成物中的各組成物包含或本質上 的氯化氮，其加上一 /或一或多個情性氣體，“ 當氫化氮提供高度選擇地兹刻時，其他组成物（諸如那些 包含商素或氫氧化物群组的組成物）通常使㈣速度加快。 如果需要加快餘刻速度時，則適當的组成物包含或本質上 包含選自全齒Cl-C6烷烴、含氧酸氮、及銨鹽的一或多個化 88424 -19- 1254839 分壓相比，較高的分壓係可以接受的。 雖然本發明的特定具體實施例已如上述加以說明，應明 瞭本發明可以上述以外的其他方法完成。本發明並不受本 說明所限制。 【圖式簡單說明】 現在僅藉由範例，並參考所附之示意圖說明本發明的具 體實施例如上，其中·· 圖1顯示依據本發明一項具體實施例之一微影投影裝置； 以及 圖2顯示^衣據本發明一項具體實施例之一微影裝置的輻 射系統。 在圖中，對應的參考符號表示對應的零件。 【圖式代表符號說明】 2 室 3 鏡面 4 供應構件 5 入口 AM 調整構件 CO 聚光鏡 Ex 光束擴張器 IF 干涉量測構件 IL 照射系統 IN 整合器 LA 輻射源 88424 -22 - 1254839 ΜΑ 光罩 ΜΤ 光罩臺 ΡΒ 光束 PL 透鏡 W 基板 WT 基板臺

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Claims (1)

1254|30?2126844號專利中請案 中文申請專利範圍替換本(94年5月） 拾、申請專利範園： 1β 一種微影投影裝置，其包括： 軲射系統，其係用於提供一輻射投影光束； 一支承結構，其係用以支承圖案化構件，該圖案化 構件則用於根據一所需圖案將該投影光束圖案化； -一基板臺，其係用於支撐一基板； • 一投影系統，其係用於將該圖案化的光束投影在該 基板的一目標部分上， 其特徵在於供應構件用於向該裝置内的一空間供應至 少其中一個： "一或多個全鹵cvc6垸烴；及 或多個化合物，其本質上由一或多個氮原子及 一或多個從氫、氧及!I素中選出的原子組成。 如申睛專利範圍第1項之裝置，其特徵在於供應構件用 於向該裝置内的一空間供應一組成物，其本質上至少由 其中一個組成： -一或多嗰全鹵CVC6烷烴；以及 • 一或多個化合物，其本質上由一或多個氮原子及一 或多個從氳、氧及素中選出的原子組成； 可選擇地加上A及/或私及/或一或多個惰性氣體。 3 •如申請專利範圍第1或第2項之裝置，其中該裝置包含該 等一或多個烷烴及/或一或多個化合物。 4 , u申請專利範圍第1或2項之裝置，其中該等一或多個烷 包含四氟甲烷。 1254839 •如申請專利範圍第丨或2項之裝置，其中該等一或多個化 合物包含一或多個氫化氮。 6·如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中該等一或多個化 3物包*土少氨、二氮缔、聯氨及其鹽類之一。 y •如申請專利範圍第丨或2項之裝置，其中該等一或多個化 合物包含硝酸。 8 ^如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中該供應構件進一 步供應至少N2&H2之一。 9β如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中該等一或多個化 合物包含二氧化氮。 〇·如申凊專利範圍第9項之裝置，其中該供應構件進一步 供應一或多個氧、氫及水。 U·如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中該投影光束穿過 該空間。 12·如申請專利範圍第1或2項之裝置，其中該空間包含至少 該輕射系統之一部分及/或至少該投影系統之一部分。 13·如申凊專利範圍第1或2項之裝置，其進一步包含構件， 用於激化及/或解離一或多個烷烴及/或一或多個化入 物之複數個分子。 14. 一種製造半導體元件之方法，其包括： - 提供至少部分由一層輻射敏感材料所覆蓋之—義 板； - 使用一輕射系統提供一輻射投影光束； - 使用圖案化構件賦予投影光束一圖案式之斷面； 88424-940510.DOC -2- 1254839 -將圖案化之輻射光束投影至輻射敏感材料層之/ 目標部分’ 其特徵為： -向該投影光束穿過的一空間供應至少其中一個： -一或多個全鹵CVC6烷烴；以及 -一或多個化合物，其本質上由一或多個氮原子及 一或多個從氫、氧及自素中選出的原子組成；以 及 -使複數個的該等一或多個烷烴及/或該等一或多個 化合物激化及/或解離。 88424-940510.DOC