CN1450567A - 一种高介电材料锂磷氧氮 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种新的高介电材料氮化的Li3PO4薄膜,简称锂磷氧氮(LiPON),它具有介电性能,其介电常数在14~26之间。本发明对Al/Liipon/Si电容器的电容-电压(C-V)和电容-电流(I-V)的特性进行了测量。结果表明:Lipon薄膜是一个高的介电材料,漏电流在电场强度为107V/m时低于~10-6A/cm2,慢界面态密度在~1012cm-2,在硅禁代中央处的界面态密度估计为~1011eV-1cm-2。Al/Lipon/Al结构的等温瞬态离子流测量的结果显示了Lipon薄膜有很明显的极化。
Description
技术领域
本发明属半导体材料技术领域,具体为一种新的高介电材料锂磷氧氮。
背景技术
随着电子技术向高密度与高速度方向发展,集成电路必须更微型化。目前,主要问题之一是如何增加集成电容器中单位面积的电容。诸如,在动态随机存取存储器(DRAM)中的电容元件的集成电容,传统的SiO2/Si3N4介电层的介电常数小(小于4)。使用高介电常数的材料代替它们,能够增加集成电容器中单位面积的电容,使集成电路更微型化与集成化。目前,许多研究主要集中在一些金属氧化物,如Ta2O5,TiO2,HfO2,ZrO2等。
发明内容
本发明的目的在于提出一种新的高介电材料,以增加集成电容器中单位面积的电容,使集成电路更微型化和集成化。
本发明提出的高电介质材料,是一种玻璃态锂磷氧氮Li3PO4Nx(
Lithium
PhosphorousOxy
nitride,简记为LIPON),其中x表示N的含量,N的含量为7-18%,介电常数16.8-18。是一种稳定的无机电解质,具有离子导电率高,热力学、稳定性好和宽的电化学窗口等优点,是一个比较理想的固体电解质材料。
本发明中,锂磷氧氮薄膜可采用射频磁控溅射制备。即通过射频磁控溅射Li3PO4靶,在N2或He+N2环境下通过反应性沉积锂磷氧氮薄膜。也可以采用热蒸发与离子束辅助(IBDA)结合的方法制备锂磷氧氮薄膜。此外,还可以采用脉冲激光沉积法制备锂磷氧氮薄膜。
但关于锂磷氧氮的介电性能的研究还未见报道。
本发明中制备的薄膜结构由X-射线衍射仪(Rigata/Max-C)确定。X-射线衍射图谱表明得到的薄膜均为无定形的非晶结构。
本发明中薄膜的组成由X射线光电子能谱(XPS)与电子损失谱(EDX)进行表征。光电子能谱和红外傅立叶光谱(FTIR,Bruker IFS 113V,德国)薄膜等用于表征薄膜的化学组成和薄膜结构。
由上述方法制备的锂磷氧氮薄膜(LiPON),经XPS与EDX测定表明Li,P,O和N元素的存在,N的含量在7%~18%之间。Nls XPS显示至少有三种N键插入方式。
薄膜的厚度采用椭圆偏振分析仪与台界仪来测量。
结合热蒸发的方法,组装金属Al/LIPON/Si的金属氧化物半导体结构(MOS)。与Al/Lipon/Al的金属氧化物金属(MIM)。
由HP 4275A型阻抗分析仪测定了在1MHz下Al/Lipon/Si电容器的电容-电压(C-V)曲线(见图1所示)。测量时,电压从积累区扫向深耗尽区,然后再返回。能够得到一个典型的C-V曲线。根据C-V曲线上积累区的电容值,薄膜的厚度,以及MOS电容器的电极面积,计算出MOS电容器的平均相对介电常数为14.9~26。根据回弛量,慢界面态密度为~1012cm-2。利用Terman方法在硅禁代中央处的界面态密度估计为~1011eV-1cm-2。
由电化学工作站Chi660a测量了Al/Lipon/Al的等温瞬态离子流曲线(ITIC)(见图2所示)与Al/Lipon/Si电容器的电容-电流(I-V)的曲线(见图3所示)。ITIC曲线上开始有一个由于极化产生的强信号。这证实了Lipon具有介电特性。Al/Lipon/Si电容器的I-V曲线显示了电容器在2V的漏电流小于10-6A/cm2
这些结果表明了Lipon薄膜是一个非常好的介电材料。
附图说明
图1为Al/Lipon/Si的C-V曲线。
图2为Al/Lipon/Al与Al/Li3PO4/Al的ITIC曲线,插图为方程的拟合。
图3为Al/Lipon/Si与Al/Li3PO4/Si的I-V曲线。
具体实施方式
实施例1
采用电子束加热方法与氮离子源发生器相结合的方法制备Lipon薄膜。首先用分子泵将真空室的气压抽到1.0×10-3Pa。该真空系统同时配有一个离子偶合等离子(ICP)的装置。离子偶合等离子器的工作功率在250瓦。由一针阀控制通入离子偶合等离子腔的高纯氮气体流量(99.99%),产生的氮等离子体自由扩散到蒸发真空室,扩散口的方向正对沉积基片上。调节氮气流量使真空反应室的气压保持在2×10-2Pa。蒸发时,电子枪输出的功率300瓦。基片与LiPO3靶距离为40厘米。基片的温度为常温。N-(100)Si(电阻为1~10Ωcm)与覆盖有金属Al的玻璃片作为基片。LiPO3靶由进口Li3PO4(99.99%)粉末压成圆片,经600℃退火2h制成。
由X-射线衍射测定表明沉积的薄膜为无定形的非晶结构。
薄膜的厚度采用椭圆偏振分析仪与台界仪来测量。
XPS与EDX结果表明了Li,P,O和N元素的存在,N的含量大致在12%。Nls XPS显示至少有三种N键插入方式。
结合热蒸发的方法,组装金属Al/LIPON/Si的金属氧化物半导体结构(MOS)与Al/Lipon/Al的金属氧化物金属(MIM)。
由HP 4275A型阻抗分析仪测定了在1MHz下Al/Lipon/Si电容器的电容-电压(C-V)曲线。测量时,电压从积累区扫向深耗尽区,然后再返回。能够得到一个典型的C-V曲线。根据C-V曲线上积累区的电容值1161.5pF,薄膜的厚度(200nm),以及MOS电容器的电极面积(0.0176cm2),计算出MOS电容器的平均相对介电常数为14.9。根据回弛量(0.12),估计慢界面态密度~8.7×1012cm-2。利用Terman方法在硅禁代中央处的界面态密度估计为~3.4×1011eV-1cm-2。
平带电压为-0.42V,在Si表面与Lipon薄膜中总的电荷数目估计为9.1×1010/cm3.
由电化学工作站Chi660a测量了Al/Lipon/Al的等温瞬态离子流曲线(ITIC)与Al/Lipon/Si电容器的电容-电流(I-V)的曲线。ITIC曲线上开始有一个由于极化产生的强信号。这证实了Lipon具有介电特性。Al/Lipon/Si电容器的I-V曲线显示了电容器在2V的漏电流小于10-6A/cm2
这些结果表明了由电子束蒸发与离子束辅助相结合制备的Lipon薄膜是一个具有广阔应用前景的介电材料。
Claims (3)
1.一种高介电材料,其特征在于为玻璃态锂磷氧氮薄膜Li3PO4Nx,其介电常数为14.8~26,N的含量为7-18%。
2.根据权利要求1所述的高介电材料,其特征在于锂磷氧氮薄膜为无定形的非晶结构,N在Li3PO4中至少有3种成键方式。
3.一种由权利要求1所述高介电材料制备的电容,其特征在于结构为Al/LIPON/Si。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 03116284 CN1450567A (zh) | 2003-04-10 | 2003-04-10 | 一种高介电材料锂磷氧氮 |
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CN 03116284 CN1450567A (zh) | 2003-04-10 | 2003-04-10 | 一种高介电材料锂磷氧氮 |
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CN1450567A true CN1450567A (zh) | 2003-10-22 |
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ID=28684158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN 03116284 Pending CN1450567A (zh) | 2003-04-10 | 2003-04-10 | 一种高介电材料锂磷氧氮 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN1450567A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103896573A (zh) * | 2014-04-12 | 2014-07-02 | 桂林理工大学 | 可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷LiPO3及其制备方法 |
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2003
- 2003-04-10 CN CN 03116284 patent/CN1450567A/zh active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN103896573A (zh) * | 2014-04-12 | 2014-07-02 | 桂林理工大学 | 可低温烧结的温度稳定型微波介电陶瓷LiPO3及其制备方法 |
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