CN1419311A - 三模式单块滤波器组件 - Google Patents
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Abstract
本发明结合了体积较小成本较低的三模式单块腔体的滤波器。尺寸的降低有两个来源。首先，三模式单块谐振器在一个块中有三个谐振器。与当前所使用的透露每个块一个谐振器滤波器比较，这提供了尺寸的三倍的降低。其次，该谐振器不是象标准的梳状线结构中那样的空气填充同轴谐振器，而现在则是电介质填充块。模式之间的耦合通过角切口实现。一个沿Y轴指向，一个沿Z轴指向。此外，可以使用沿X指的第三角切口。角切口用来耦合一个方向指向的模式与第二个相互正交方向指向的模式。每一耦合表示滤波器响应中的一极。因而，以上讨论的三模式单块表示三个极或三个电谐振器。
Description
本发明的领域
本发明涉及滤波器组件。更具体来说，本发明公开了三模式单块谐振器，这种谐振器比可比较的金属梳状线(combline)谐振器尺寸小成本低。
本发明的背景
当在通信系统中产生信号时，梳状线滤波器用来滤除有害的信号。当前的梳状线滤波器结构由分散在金属壳体中的一系列金属谐振器组成。因为对每一谐振器所需的体积，不能超越当前的技术减小金属壳体尺寸，一般为3-10个立方英寸/谐振器，这取决于工作频率和最大插入损耗。此外，金属壳体体现着整个滤波器组件主要的成本百分比。因而，当前的金属滤波器太大并太昂贵。
本发明的概述
在一个优选实施例中，本发明是这样一种方法和设备，通过增加每块的极数并以电介质填充块以降低块谐振器的尺寸。
在另一优选实施例中，增加每块的极数的方法和设备包括激发多个模式并耦合这些模式。
在另一优选实施例中，激发多个模式的方法和设备包括在块谐振器滤波器中形成孔，电镀孔的内部并固定从电镀孔到外部电路的连接，且耦合模式的方法和设备包括切除块的至少一个角。
在另一优选实施例中，本发明包括一种滤波器组件，该组件包含块谐振器滤波器，可操作连接到块谐振器滤波器的掩模滤波器，其中掩模滤波器的通带比块谐振器滤波器的通带宽，以及可操作连接到块谐振器滤波器的一个低通滤波器，其中低通滤波器滤除大于块谐振器滤波器通带的频率。
附图的简要说明
图1a和1b是基本的三模式单块形的两个图示。图1b是表示插入到单块中的探针的视图。
图2是连接在一起形成6-极滤波器的两个单块的固体和线框视图。
图3a和3b是第三个角被切除的单块的固体和线框视图。
图4是表示谐振器面内切除的切口。
图5是对于沿X-Z面上沿X-方向切除的切口，模式1，2和3对切除长度的谐振频率的曲线图。
图6是对于沿X-Y面上沿X-方向切除的切口，模式1，2和3对切除长度的谐振频率的曲线图。
图7是对于沿X-Y面上沿Y-方向切除的切口，模式1，2和3对切除长度的谐振频率的曲线图。
图8a表示通过从单块特定面的导电表面除去小圆面调节单块的方法。图8b表示在三个直角侧使用缺口或圆形调谐块中三个模式的谐振频率。
图9是一曲线图，表示当从单块的X-Y面切除相继的圆形时单一模式1频率的变化。
图10a和b示出使用附加在三个直角侧金属或电介质调谐器(图10a)、或伸入单块的金属或电介质调谐器(图10b)，调谐块中三个模式谐振频率。
图11a，b，c和d表示用于对三模式单块滤波器输入/输出耦合的方法。
图12a和12b示出组件的配置，其中低通滤波器在支撑单块滤波器和掩模滤波器的同一电路板上制成。
图13示出一种组件，其中单块滤波器和梳状线滤波器安装在支撑4元件天线阵列的同一板上。
图14a，b和c示出封装在一盒子中的单块滤波器(图14a)，带有特别显示的内部特征(图14b)。图14c表示双工器类似的封装。
图15示出低通滤波器(LPF)，预选或掩模滤波器及三模式单块通带响应。
图16a和16b是掩模滤波器的照片。
本发明一实施例的详细说明
希望能够超越当前用来衰减有害信号的现有使用金属梳状线结构的可能，降低滤波器组件的尺寸和成本。本发明把三模式谐振器结合到包含掩模滤波器和低通滤波器的组件中，使得整个组件提供了对有害信号扩展的频率范围衰减。该组件是以尽可能减小所需体积并使易于安装到电路板的方式集成的。
三模式单块腔体
采用三模式单块腔体的滤波器提供了显著降低滤波器封装的整个体积并降低成本的机会，同时保持可接受的电性能。尺寸的降低有两个来源。首先，三模式单块谐振器在一个块中有三个谐振器。(每一谐振器对滤波器响应提供一极)。与当前所使用的透露每个块一个谐振器滤波器比较，这提供了尺寸的三倍的降低。其次，该谐振器不是象标准的梳状线结构中那样的空气填充同轴谐振器，而现在则是电介质填充块。在一优选实施例中，它们是涂敷有一般是银的导电金属层的陶瓷固体块。高的介电常数材料在保持同样的工作频率时，允许谐振器按大约介电常数平方根缩小尺寸。在一优选实施例中，所使用的陶瓷介电常数在35和36之间且Q为2,000。在另一实施例中，介电常数为44而Q是1,500。虽然Q较低，但由于较高的较低常数谐振器比较小。在又一个优选实施例中，较低常数为21而Q为3,000。
此外，因为单块腔体是自包含的谐振器，故不需要外壳。因免除了金属外壳而降低成本，大于使用电介质谐振器而不用空气填充谐振器增加的成本。
单块的概念不是新的。然而，这是第一个三模式的单块谐振器。此外，把以低损耗、高降低常数材料填充的电镀的单块三模式谐振器封装为实际的滤波器及组件，这种可能性则是新颖的而且是非寻常的。
三模式单块谐振器10的基本设计示于图1，其中两个视图1(a)和1(b)示出基本的三单块形状。它接近于立方体块。被激发的三个模式是TE110，TE101，TE011模式。参见J.C.Sethares与S.J.Naumann，“Design of Micromave dielectric Rsonators，”IEEE Trans.MicrowaveTheory Tech.，pp.2-7，Jan.1966，在此结合以资对比。三模式相互正交。该设计是对在以下文献中描述的对于矩形(中空)波导的三模式设计的改进，G.Lastoria，G.Gerini，M.Guglielmi and F.Emma，“CAD ofTriple-Mode Cavities in Rectangular Waveguide，”IEEE Trans.Microwave Theory Tech.，pp.339-341，Oct.1998，在此结合以资对比。
三模式单块谐振器中的三个谐振模式一般标记为TE011，TE101，TE110(或者有时标记为TE□11，TE1□1，TE11□)，其中TE指示横向电模式，三个相继的索引(常常写成为下标)指示沿x，y，z方向的半波长数。例如，TE101指示谐振模式将具有沿x和z方向以180度(半波长)相位变化、且沿y方向没有变化的电场。为了对此进行讨论，将称TE110模式为模式1，TE101为模式2，TE011为模式3。
角切除
如图1(b)中所见，通过插入到单块10中的输入/输出端口21的探针20输入和输出功率往返被耦合到单块10。探针可以是外同轴线的一部分，或可以连接到某其它外部电路。模式之间的耦合通过角切除30，33实现。一个沿y轴30指向，一个沿z轴33指向。两个角切除用于耦合模式1和2以及模式2和3。除了图1所示的角切除之外，沿x轴的第三个角切除可用来交叉耦合模式1和3。图2是实体和线框视图，表示连接在一起的两个三模式单块10，12形成六极滤波器15(每一三模式单块谐振器有三个极)。连接孔或波导40把每一块中的窗口链接在一起。孔跨越是空气或电介质材料。这一滤波器上的输入/输出端口21，23表示为连接到每一块10、12中的探针20、22(参见图1)的同轴线路。
角切除30、33用来耦合指向一个方向的模式与指向第二个相互正交的方向的模式。每一耦合代表滤波器响应中的一个极。因而，以上所讨论的三模式单块代表三个极三个电谐振器的等价物。
图3示出第三个角切除36(在这例子的底部)，该角切除提供了单块中模式1和3之间的交叉耦合。在部分3(a)中示出实体块以及3(b)中示出线框视图。通过适当选择用于这一角切除的具体的块边缘，能够实现正的或负的交叉耦合。
调谐：与许多其它高精度、射频滤波器同样，这里所公开的滤波器被调谐到最优滤波响应。机械允差和介电常数中的不确定性需要进行这种调谐。调谐或调准三模式单块谐振器10的谐振频率的可能性，提高了采用三模式单块10作为谐振元件的滤波器组件的可制造性。理想上来说，应当能够彼此独立地调谐单块中三个谐振模式的每一个。此外，应当能够把模式的谐振频率调谐为较高或较低。
这里公开了四个新型的非寻常的调谐方法。第一个调谐方法是机械研磨单块10的三个正交面上的区域，以便改变每一块中三个模式的谐振频率。提高研磨这些区域，陶瓷电介质材料被去除，从而改变谐振模式的谐振频率。
这种方法在机械上是简单的，但是由于研磨单块10的一面将影响所有三个模式的谐振频率这样的事实，使之复杂化。对于生产环境需要计算机辅助分析，从而能够获知并控制从给定的面研磨掉给定量的材料的影响。
调谐频率的另一方法是在谐振器10的面60切割切口50、52(参见图4)。通过在导电层简单地切割出适当的切口50、52，能够把任何特定的模式调谐到较低的频率。切口50、52越长，频率降低的量越大。使用这一调谐方法的优点在于，其它两个模式的谐振频率不受影响。例如如图5所示，沿单块10的X-Z面(或平面)60中X-方向切割切口50、52将引起模式1的谐振频率降低。对于这一具体例子，单块10由具有介电常数＝21.65，X-维0.942英寸，Y-维0.916英寸，以及Z-维0.935英寸的陶瓷块组成。切口宽度为0.020英寸，谐振频率随切口长度的变化如图5所示。注意，虽然模式1的频率变化，但模式2和3的频率超越相对不变。
以类似的方式，图6示出对于X-Y面(或平面)60上沿X-方向切割的切口50、52，模式2的频率随所示切口长度将降低，并使模式1和3的频率相对不变。
图7示出对于X-Y面(平面)60上但是沿Y-方的切口50、52，模式3的频率现在被调谐得较低。比较这些数据与图6中所示的数据，可看出切口的方向和面的朝向确定了哪个模式被调谐。表1示出对于给定的一组条件哪个模式将被调谐。
表1.作为切口方向和块面的函数谐振模式调谐选择
| X-方向 | Y-方向 | Z-方向 | |
| X-Y面 | 模式2 | 模式3 | 不允许 |
| X-Z面 | 模式1 | 不允许 | 模式3 |
| Y-Z面 | 不允许 | 模式1 | 模式2 |
调谐单块10的第三个方法是通过从单块10的特定面(或平面)去除导电表面小圆区域70，把特定模式的谐振频率调谐为较高的频率(参见图8a和b)。图9示出当从单块10的X-Y面(或平面)60切割出接近面的中心的相继的圆形70(直径＝0.040英寸)时，模式1的频率的变化。以类似的方式，通过从X-Z面(或平面)60去除金属小圆形70可把模式2的频率调谐到较高频率，并通过施加于Y-Z面(或平面)60相同的过程能够把模式3调谐到较高频率。注意，在图9中，在模式1的频率增加时，模式2和3是相对不变的。孔的深度影响频率。再次强调，使用这一方法只影响一个被耦合模式的频率。其它两个模式的谐振频率不受影响。可通过数种手段去除金属，包括研磨、激光切割、化学蚀刻、放电切削、或其它方法。图8(b)示出在连接在一起的两个三模式单块10、12之一的三个正交面60上使用三个圆形(或缺口)70。它们用来调准一个块12中的三个模式的谐振频率。这图只示出对一个块的调谐。对第二块10的调谐(左侧的那个)是类似的。
这里所公开的第四个调谐方法是使用分离的调谐元件或圆柱体80、82、84。图10(a)和10(b)示出分布在单块10的三个正交面60之中的三个元件80、82、84，以影响谐振频率的必须的改变。图10(a)示出另一调谐方法，以此方法金属或电介质调谐器附加在三个正交侧面，且金属或电介质元件伸入到单块10中，如图10(b)所示。这图中只示出一个块的调谐。对于第二个块(左侧的块)的调谐将是类似的。调谐元件80、82、84可以是从商业源可得的金属元件。(例如参见从Johanson Manufacturing，
http：//www.johansonmfg.com/mte.htm#可得的金属调谐元件)。还可以使用电介质调谐元件，而且可从商业来源获得(例如还是参见Johanson Manufacturing)。
以上的描述主要集中在三模式单块10在滤波器中的使用。应当明白，这一公开还函盖了三模式单块滤波器作为多路复用器的一部分的使用，其中两个或多个滤波器连接到公共端口。多个滤波器中的一个或多个能够由三模式单块形成。
输入/输出
输入/输出：用于往(输入)来(输出)于三模式单块滤波器传输微波信号的适当的方法是通过探针的使用。输入探针激发由多个模式组成的RF波。然后角切口耦合不同的模式。在此结合以资对比的K.Sano和M.Miyashita，“Application of the Planar I/O Terminal to Dual-ModeDielectric-Waveguide Filter，”IEEE Trans.Microwave Theory Tech.，pp.2491-2495，December 2000公开了具有输入/输出端的双模式单块，该输入/输出端的功能是作为向单块和从单块向外辐射功率的接线天线。
本发明中公开的方法是要在单块中形成缺口90(特别地，这里使用的是圆柱形孔)，以导体(以便是银，但不是必须的)电镀该孔90的内部，并然后把金属表面连接到滤波器/单块之外的电路，如图11所示。从金属电镀层到外部电路的连接形式可采用若干形式之一，如图11所示，其中孔或缺口的内部或内径以金属电镀(图11(a))。然后，电连接100从孔/缺口90中的金属到外部电路被固定，这样形成可再生的方法用于向三模式单块10和从三模式单块10向外传输信号。在图11(b)中向电镀层焊接有一导线以形成电连接100。在图11(c)中，使用了压入连接器100，并在图11(d)中缺口被填充包括导线100的金属。
由于探针100集成到单块10中，探针与块之间的间隙被减小。这是对外部探针100被插入到块100中的孔90的先有技术的一个改进。由于探针100与孔90之间的间隙而出现功率处理问题。
包括预选或掩模滤波器的集成的滤波器组件，三模式单块谐振器和低通滤波器
已经研发了几种特性/技术使三模式单块滤波器成为实用的器件。这些特性和技术在以下说明并形成本公开的权利要求。
滤波器组件：由三的部件即单块谐振器10、预先掩模(或掩模)120、及低通滤波器130组成学新型的非寻常的滤波器组件110，可以采取若干实施方式之一。在一实施例中，三个滤波器元件按图12a所示组合，通过同轴连接器140提供到公共电路板的连接。在这一实施例中，LPF 130是在图12b所示电路板上正面被蚀刻的。低通滤波器130以微波传输带在支撑单块滤波器10、12和掩模120滤波器的同一电路板上制成。图12中所示低通滤波器130由三个末端开放的短管及其连接部分组成。低通滤波器130的设计可以按不同规范的要求改变。
在第二实施例中，支撑滤波器组件110的电路板是由传输/接收系统的其它部分，诸如天线、放大器、模拟大数字转换器等形成的电路板的一个组成部分。作为一例，图13示出在同一板上作为4-元件微波传输带接线天线阵列150的滤波器组件110。单块滤波器10、12和梳状线(预先掩模)滤波器120安装在支撑4-元件天线阵列150的同一板上。单块10和掩模滤波器120在电路板的一侧。低通滤波器130和天线150在相反侧。需要时可包括一外壳。
在第三实施例中，滤波器组件110包含在一盒子中，且连接器或者作为同轴连接器提供，或者作为能够按标准的焊接操作焊接到另一电路板的焊片提供。图14示出带有焊片160的封装的两个例子。滤波器封装如果需要可以包含冷却散热片。图14所示的类型的封装可以只包含如所示的单块10、12，或者可包含图13所示类型的滤波器组件110。图14(a)示出封装在盒子中单块滤波器10、12，其内部特征在图14(b)中着重表示出。在图14(a)中盒子底部的焊片160将被焊接到电路板上。图14(c)示出用于双工器类似的封装，由两个滤波器带一个公共端口并因而有三个连接焊片160组成。这里所示类型的封装可以只包含单块10、12或可以包含滤波器组件110。
预选或掩模滤波器：有害的寄生模式或有害谐振的问题，是对任何诸如滤波器等谐振器件共同的问题。这一问题在如三模式单块10、12这种多模式谐振器中特别明显。对于以1.95GHz为中心的通带设计的三模式单块10、12，第一谐振将出现在2.4GHz附近。为了减轻这一问题，公开了使用以单块滤波器10、12封装的相对宽的带宽掩模滤波器120。预掩模滤波器120的作用是作为宽-带宽通带滤波器，它跨在三模式单块10、12通带响应上。其通带比三模式单块10、12谐振器通带要宽。因而，这不会影响落在三模式单块谐振器10、12的通带内的信号。然而，它将提供阻带中附加的滤除作用。因而，它将滤除在三模式单块10、12谐振器通带之后的首批寄生模式。参见图15。
在例子1中，滤波器组件设计为3G应用。在一优选实施例中，它用于宽带码分多址(WCDMA)基地台。它具有大约f0＝2.00GHz的输出频率，滤除规格高达12.00GHz。接收带宽为1920到1980MHz。发送带宽为2110到2170MHz。在用于发送模式的阻带中，需要的衰减从2110到2170MHz为90dB，从2170到5GHz为55dB，从5GHz到12.00GHz为30dB。预选或掩模滤波器120被选择为带有从1800MHz到2050MHz的通带，并在2110MHz有60dB的切口。在2110MHz到5GHz之间提供30dB的衰减。
在例1中，掩模滤波器120具有250MHz带宽，并基于带有帮助实现所需频带外滤除的一个交叉耦合的4-极梳状线设计。掩模滤波器120的一个照片示于图16。图16(a)表示4-极梳状线滤波器封装。图16(b)表示4个极和交叉耦合的内部设计。图16(b)中所示的SMA连接器由到用于整个滤波器封装的电路板的直接连接代替。
低通滤波器：蜂窝式基地台滤波器规范在几倍大于通带的频率处常常需要有某种水平的信号滤除。例如，通带在1900MHz处的滤波器具有在12,000MHz处的滤除要求。对于标准的梳状线滤波器，同轴低通滤波器在显著高于通带的频率处提供了滤除作用。对于这里所公开的滤波器封装，在微波传输带或带状线中制成低通滤波器130，并集成到(蚀刻到)已经支撑并连接到单块滤波器10、12与掩模滤波器120的电路板中。低通滤波器130的精确设计依赖于要满足的特定的电学要求。一种可能的构型示于图12中。
虽然参照本发明优选实施例的细节在本专利申请中公开了本发明，应当理解，这种公开目的是示例性的，而没有限制的意思，预期在本发明的精神及所附权利要求及其等价物范围内，对于业内专业人员显然会有多种改型出现。
Claims (45)
1.降低块谐振器滤波器尺寸的一种方法，包括以下步骤：
增加每块的极数；以及
以电介质填充所述块。
2.根据权利要求1的方法，还包括以导电层覆盖所述块的步骤。
3.根据权利要求1的方法，其中电介质是低损耗的并具有高的介电常数。
4.根据权利要求1的方法，其中所述增加每块的极数目的步骤包括以下步骤：
激发多个模式；以及
耦合所述模式。
5.根据权利要求4的方法，其中所述模式彼此正交。
6.根据权利要求4的方法，其中耦合所述模式的步骤包括切割所述块的至少一个角。
7.根据权利要求4的方法，其中所述激发多个模式的步骤包括使用探针向所述块谐振器滤波器内以及从所述块谐振器滤波器向外辐射能量。
8.根据权利要求4的方法，其中所述激发多个模式的步骤包括：
在所述块谐振器滤波器中形成一个孔；
电镀所述孔的内部；以及
固定从所述被电镀的孔到外部电路的连接。
9.根据权利要求6的方法，其中所述至少一个角切口是沿Y轴指向的。
10.根据权利要求6的方法，其中所述切割至少一个角还包括沿Y轴切割，沿Z轴切割及沿X轴切割。
11.根据权利要求7的方法，其中耦合所述模式的所述步骤包括切割所述块的至少一个角。
12.根据权利要求8的方法，其中耦合所述模式的所述步骤包括切割所述块的至少一个角。
13.根据权利要求11的方法，其中所述切割至少一个角还包括沿Y轴切割，沿Z轴切割及沿X轴切割。
14.根据权利要求12的方法，其中所述切割至少一个角还包括沿Y轴切割，沿Z轴切割及沿X轴切割。
15.增加滤波器中极数的一种方法，包括以下步骤：
激发多个模式；及
耦合所述模式。
16.根据权利要求15的方法，其中所述激发多个模式的步骤，包括使用探针向所述块谐振器滤波器内以及从所述块谐振器滤波器向外辐射能量。
17.根据权利要求15的方法，其中所述激发多个模式的步骤包括：
在所述块谐振器滤波器中形成一个孔；
电镀所述孔的内部；以及
固定从所述被电镀的孔到外部电路的连接。
18.根据权利要求15的方法，其中所述模式彼此正交。
19.根据权利要求18的方法，其中耦合所述模式的所述步骤包括切割所述块的至少一个角。
20.根据权利要求19的方法，其中所述至少一个角切割是沿Y轴指向的。
21.根据权利要求19的方法，其中所述至少一个角切割是沿Z轴指向的。
22.根据权利要求19的方法，其中所述至少一个角切割是沿X轴指向的。
23.根据权利要求19的方法，其中所述激发多个模式的步骤包括：
在所述块谐振器滤波器中形成一个孔；
电镀所述孔的内部；以及
固定从所述被电镀的孔到外部电路的连接。
24.一种滤波器组件，包括：
块谐振器滤波器；
可操作地连接到所述块谐振器滤波器的掩模滤波器，其中所述掩模滤波器的通带比所述块谐振器滤波器通带要宽；以及
可操作地连接到所述块谐振器滤波器的低通滤波器，其中所述低通滤波器滤除大于所述块谐振器滤波器通带的频率。
25.根据权利要求24的滤波器组件，其中所述块谐振器滤波器包括每块一个以上的谐振器。
26.根据权利要求24的滤波器组件，其中所述块谐振器滤波器以电介质填充。
27.根据权利要求24的滤波器组件，其中所述块谐振器滤波器以导电层覆盖。
28.根据权利要求24的滤波器组件，其中所述块谐振器滤波器包括至少一个角切口。
29.根据权利要求24的滤波器组件，还包括可操作地连接到所述块谐振器滤波器的输入探针，其中输入功率通过所述输入探针耦合到所述块谐振器滤波器。
30.根据权利要求24的滤波器组件，还包括：
在所述块谐振器滤波器中的电镀孔；及
从所述被电镀的孔到外部电路的连接。
31.根据权利要求24的滤波器组件，其中所述滤波器组件是通信系统的一部分。
32.根据权利要求26的滤波器组件，其中所述电介质是低损耗的并具有高的介电常数。
33.根据权利要求28的滤波器组件，其中所述至少一个角切口沿Y轴指向。
34.根据权利要求28的块谐振器滤波器，其中所述至少一个角切口包括：
沿Y轴指向的角切口；
沿X轴指向的角切口；及
沿Z轴指向的角切口。
35.根据权利要求30的块谐振器滤波器，还包括：
沿Y轴指向的角切口；
沿X轴指向的角切口；及
沿Z轴指向的角切口。
36.一种块谐振器滤波器，包括：
多个谐振器；及
至少一个角切口。
37.根据权利要求36的块谐振器滤波器，其中所述块谐振器滤波器包括每块一个以上的谐振器。
38.根据权利要求36的块谐振器滤波器，其中所述块谐振器滤波器以电介质填充。
39.根据权利要求36的块谐振器滤波器，其中所述块谐振器滤波器以导电层覆盖。
40.根据权利要求36的块谐振器滤波器，还包括可操作地连接到所述块谐振器滤波器的输入探针，其中输入功率通过所述输入探针耦合到所述块谐振器滤波器。
41.根据权利要求36的块谐振器滤波器，还包括：
在所述块谐振器滤波器中的电镀孔；及
从所述被电镀的孔到外部电路的连接。
42.根据权利要求36的块谐振器滤波器，其中所述至少一个角切口沿Z轴指向。
43.根据权利要求36的块谐振器滤波器，其中所述至少一个角切口包括：
沿Y轴指向的角切口；
沿X轴指向的角切口；及
沿Z轴指向的角切口。
44.根据权利要求38的块谐振器滤波器，其中所述电介质是低损耗的并具有高的介电常数。
45.根据权利要求36的块谐振器滤波器，还包括：
第二块谐振器滤波器；及
波导，以此所述波导链接所述块谐振器滤波器中的第一窗口与所述第二块谐振器滤波器中的第二窗口。
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