CN1413062A - 薄膜,平面型声音变换器以及平面型薄膜 - Google Patents

Abstract

在一个薄膜上设置第一导体和第二导体。第一和第二导体与在彼此相邻的永磁铁M的北极和南极之间形成的磁力线相交。当对导体通电时，来自磁场的力作用于电流的方向大致垂直于薄膜的表面。因此，薄膜能够沿垂直于薄膜表面的方向振动。导体的宽度为1000μm－2000μm。这样，与现有技术相比，可极大地减小由蚀刻引起的宽度上的相对误差，而且使蚀刻更易于进行。此外，导体以之字形排列。由于导体不呈螺旋形，因此无需像传统产品那样设置大量的通孔。

Description

薄膜，平面型声音变换器以及平面型薄膜

技术领域

本发明涉及一种用于平面型声音变换器上的薄膜和采用这种薄膜的平面型声音变换器，所述薄膜可被用于诸如平面型扬声器、平面型麦克风、可被用作麦克风的平面型扬声器等的平面型声音变换器上。

背景技术

平面型声音变换器的实例包括在日本专利3159714中公开的一种动态平面型扬声器。

在这种平面型扬声器中，多个永磁铁彼此相邻设置，而且以使其极性交叉相对的方式间隔一定的间距排列。在面对永磁铁的位置上间隔一定距离地设置一个薄膜。

在薄膜处与各个永磁铁相对应地形成有线圈。这些线圈被加工成螺旋形。

当电流流过这些线圈时，就会有一个力沿垂直方向作用于薄膜的膜片表面上，使该薄膜沿垂直于膜片表面的方向移动。

这样，通过使代表希望发出的声音的电信号经过线圈，使薄膜根据电信号而产生振动，从而发出声音信号。

在日本专利3159714所公开的动态平面型扬声器和其它传统的动态平面型扬声器中，由于导体被制造成呈螺旋形的线圈，因此每个导体的宽度非常小。

此外，在这些平面型扬声器中，要为每个被加工成螺旋状的导体设置永磁铁。

这些导体可通过将铜、铝等金属薄膜层压、蒸发敷镀、粘接到一个由合成树脂制成的薄膜上而制造成形。接着，可通过蚀刻将该金属薄膜构造成形。

如果将多个螺旋形线圈仅仅设置在薄膜的一侧，而且使这些螺旋形线圈相互串联，以便将一个线圈的内侧端部与另一线圈的外侧端部连接在一起，那么就需要在薄膜的与其设置线圈的那侧相对的一侧设置连接用导电线路，而且需要利用通孔将线圈与连接用导电线路连接在一起。

当多个螺旋形线圈串联在一起时，就需要为所有的线圈(用于所有的磁铁)设置通孔，而且还需要在薄膜上设置多个通孔。因此，当在通孔部分上出现连接故障时，对发生连接故障的部分进行检查的操作就会非常复杂。这样，就存在着处理连接故障时的情况很复杂的问题。

此外，即使将螺旋形线圈设置在薄膜的两侧，也必须通过通孔将位于前表面侧的线圈和位于后表面侧的线圈连接起来，这样就会产生相同的问题。

因此，与常规的印刷电路板及类似物的制造相比，存在着制造用于平面型扬声器的薄膜十分困难的问题。

发明内容

本发明旨在解决上述现有技术中的问题，本发明的一个目的在于提供一种易于制造的薄膜和一种平面型声音变换器。

本发明的第一方面在于提供一种用于平面型声音变换器上的薄膜，其中在该平面型声音变换器内，设置有多个沿第一方向和与第一方向相交的第二方向延伸的磁铁，而且相邻的磁铁间其极性互不相同，这种薄膜包括：一个可面向磁铁安装的平面状薄膜主体；以及一个设置在薄膜主体上并与在相邻磁铁的北极和南极之间形成的磁场相交的导体，该导体以小于360°的角度沿每个磁铁的周边设置。

下面，将对用于本发明第一方面的平面型声音变换器上的薄膜的操作加以说明。

用于本发明第一方面的平面型声音变换器上的薄膜相对多个磁铁以预定的间隔设置，以备使用。多个磁铁沿第一方向和与第一方向相交的第二方向延伸，而且相邻的磁铁具有互不相同的磁极。

根据这种用于平面型声音变换器上的薄膜，将导体设置成沿一个与彼此相邻的北极和南极之间的磁力线相交的方向延伸。这样，当电流流过导体时，磁场作用于电流的方向基本上垂直于薄膜表面。因此，就能够使用于平面型声音变换器上的薄膜沿垂直于薄膜主体表面的方向产生振动。

此外，导体以小于360°的角度环绕每个磁铁设置。另外，导体不是螺旋形。就是说，导体不包括被缠绕成多圈的螺旋形部分。因此，无需像现有技术那样设置大量的通孔，这样就使结构简单。

本发明的第二方面提供一种用于根据本发明第一方面的平面型声音变换器上的薄膜，其中磁铁沿第一方向和第二方向至少排列成一行，而且导体包括一个沿该行以“之”字形延伸的曲折部分。

下面，将对根据第二方面的用于平面型声音变换器的薄膜之操作加以说明。

根据用于第二方面的平面型声音变换器的薄膜，导体沿那排磁铁以之字形排列。因此，导体的布局型式简单，而且这种型式也易于设计和设置。

本发明的第三方面涉及一种用于根据本发明第一或第二方面的平面型声音变换器上的薄膜，其中设置有多个导体，每个导体都相互绝缘并相互平行地且沿其宽度方向彼此邻近地布置。

下面，将对用于第三方面的平面型声音变换器上的薄膜之操作加以说明。

根据用于第三方面的平面型声音变换器上的薄膜，多个导体沿其宽度方向彼此相邻并大体上相互平行地排列。各个导体彼此间电绝缘。

多个导体可以与一个能够输出电信号的放大器串联和/或并联。这样，就能够通过改变多个导体的连接方式而容易地改变平面型声音变换器的阻抗。

本发明的第四方面是一种用于根据本发明第一、第二和第三方面的平面型声音变换器上的薄膜，其中导体的宽度至少为1000μm。

下面，将对用于第四方面的平面型声音变换器上的薄膜之操作加以说明。

根据用于第四方面的平面型声音变换器上的薄膜，导体的宽度至少为1000μm。因此，能够使通过蚀刻产生的宽度比例误差更小。

本发明的第五方面在于用于根据第四方面的声音变换器上的薄膜，其中导体包括一个将导体划分成多个平行的导体部分的区域。

下面，将对用于第四方面的平面型声音变换器上的薄膜之操作加以说明。

由于导体的宽度很大，因此尤其是当高频电流从导体内通过时，可能会产生涡电流。因此，可以通过将导体局部划分成多个平行的部分来抑制涡电流的产生。

本发明的第六方面是一种用于根据第一至第五方面之一的平面型声音变换器上的薄膜，其中导体设置在薄膜主体的两个表面上。

下面，将对用于第六方面的平面型声音变换器上的薄膜之操作加以说明。

根据用于第六方面的平面型声音变换器上的薄膜，导体设置在薄膜主体的两侧。因此，与导体设置在薄膜主体一侧的情况相比，可将作用于薄膜主体上的驱动力大致增大一倍。因此，可以提高平面型声音变换器的效率。

此外，当导体仅设置在薄膜主体的一侧上时，例如当曲折的导体设置在位于一条直线上的多个磁铁上时，就会存在多个不连续的部分，在这些不连续的部分上，导体未设置在磁铁的外周边部分上。这样，驱动力就会反复无常地作用在薄膜上。

反复无常的驱动力显然是不理想的，尤其是在仅设置几排(例如，两排)磁铁的情况下。

在这种情况下，导体设置在薄膜主体的两侧。通过调整曲折导体的相对位置，可将导体制造成完全环绕磁铁的外周边部分的结构形式。这样，可以使驱动力稳定地作用于整个薄膜上。

本发明的第七方面是一种平面型声音变换器，该装置包括：用于根据第一至第六方面之一的平面型声音变换器上的薄膜；以及多个沿第一方向和与第一方向相交的第二方向延伸的磁铁，而且相邻的磁铁具有互不相同的磁极。

下面，将对根据第七方面的平面型声音变换器的操作加以说明。

根据用于平面型声音变换器上的薄膜，导体沿一个与在相邻的北极和南极之间的磁力线相交的方向延伸。因此，当电流流过导体时，磁场作用于电流的方向基本上垂直于薄膜表面。这样，能够使用于平面型声音变换器上的薄膜沿垂直于薄膜主体的表面的方向产生振动。

附图说明

图1为根据本发明第一实施例的平面型扬声器的部件分解透视图；

图2为第一磁轭(yoke)的平面视图；

图3为沿图1所示平面型扬声器的剖面线3-3截取的剖视图；

图4为第二磁轭的平面视图；

图5为沿图1所示平面型扬声器的剖面线5-5截取的剖视图；

图6为薄膜的平面视图；

图7为第一导体和第二导体的示意图；

图8为第一导体和第二导体的局部放大视图；

图9为平面型扬声器的局部的示意剖视图；

图10为设置在根据另一实施例的平面型扬声器上的多个永磁铁的平面视图；

图11为根据第二实施例的平面型扬声器的部件分解透视图；

图12为根据第二实施例的平面型扬声器的剖视图；

图13A为根据第二实施例的平面型扬声器的薄膜前侧的平面视图；

图13B为根据第二实施例的平面型扬声器的薄膜后侧的平面视图；

图14为根据第三实施例的平面型扬声器的部件分解透视图；

图15A为根据第三实施例的平面型扬声器的薄膜前侧的平面视图；

图15B为根据第三实施例的平面型扬声器的薄膜后侧的平面视图。

具体实施方式

本发明的实施例

第一实施例

下面将参照附图对第一实施例的平面型扬声器加以详细说明，这种平面型扬声器是一种平面型声音变换器。

如图1所示，该实施例的平面型扬声器10按下述排列顺序设置有一个第一磁轭12，一个衬垫14，一个薄膜16，一个衬垫18和一个第二磁轭20。

如图2所示，第一磁轭12设置有多个磁体而且被加工成平板形，该平板是沿附图中的Y方向具有一长边的矩形。

如图2和3所示，第一磁铁组26被设置成多排(在本实施例中为8排)，各个排沿Y方向间隔一定的距离地排列在第一磁轭12的薄膜侧表面上。第一磁铁组26由两排磁铁组成：第一排磁铁22和第二排磁铁24。在每排磁铁中，南极面向薄膜侧的四边形永磁铁M和北极面向薄膜侧的四边形永磁铁M沿X方向以一定的间距交错排列，其中X方向与Y方向相交。

如图2所示，在第一排磁铁22中，永磁铁M的薄膜侧磁极表面的极性(在附图中表示为S或N)与和第一排磁铁22之磁铁M相邻的第二排磁铁24之永磁铁M的薄膜侧磁极表面的极性不同。

如图4所示，第二磁轭20设置有多个磁体而且被加工成平板形，该平板是沿附图中的Y方向具有长边的矩形。

如图3和4所示，第二磁铁组32被设置成多排(在本实施例中为7排)，各排沿Y方向间隔一定的距离地设置在第二磁轭20的薄膜侧表面上。第二磁铁组32由两排磁铁构成：第三排磁铁28和第四排磁铁30。在每排磁铁中，南极面向薄膜侧的四边形永磁铁M和北极面向薄膜侧的四边形永磁铁M以一定的间距沿与Y方向相交的X方向交错排列。

如图4所示，在第三排磁铁28中，永磁铁M的薄膜侧磁极表面的极性(在附图中表示为S或N)与和第三排磁铁28之磁铁M相邻的第四排磁铁30之永磁铁M的薄膜侧磁极表面的极性不同。

如图3所示，第二磁铁组32和第一磁铁组26沿Y方向以一定的间距排列。第一磁铁组26中的永磁铁M之薄膜侧磁极表面的极性与邻近第一磁铁组26的这个磁铁M的第二组磁铁组32之永磁铁M的薄膜侧磁极表面的极性不同。

此外，第一磁铁组26的永磁铁之磁极表面面向第二磁轭20上未设置永磁铁M的多个部分，第二磁铁组32的永磁铁之磁极表面面向第一磁轭12上未设置永磁铁M的多个部分。

第一磁铁组26中的永磁铁M和第二磁铁组32中的永磁铁M按下述方式分布：使其沿Y方向和X方向的间距分别相等。

如图2和5所示，磁极表面面向薄膜侧的四边形排斥用永磁铁RM在第一磁铁组26之间被四个成一组地设置在第一磁轭12之薄膜侧表面的中央附近。

排斥永磁铁RM设置在面向第二磁轭20的永磁铁M的位置上。排斥永磁铁RM的薄膜侧极性被设定成与第二磁轭20的面向该磁铁的永磁铁M的极性相同。这样，排斥永磁铁RM和第二磁轭20的与之面对的永磁铁M就会相互排斥。

如图2和4所示，在第一磁轭12和第二磁轭20上以矩阵型式设置有许多孔33。

如图1、3和5所示，平面型薄膜16设置在第一磁轭12和第二磁轭20之间，同时在薄膜16和第一磁轭12之间以及在薄膜16和第二磁轭20之间分别设置有衬垫14和18。

衬垫14和18分别为矩形的框架结构。薄膜16的外周边附近被夹持在衬垫14和18之间。

如图1、2、4和6所示，沿第一磁轭12的外周边设置有多个螺钉孔12A和12B。沿衬垫14的外周边设置有多个孔14A。沿薄膜16的外周边设置有多个孔16A。沿衬垫18的外周边设置有多个孔18A。沿第二磁轭20的外周边设置有多个孔20A。

如图3和5所示，第二磁轭20、衬垫18、薄膜16、衬垫14及第一磁轭12通过穿过孔20A、孔18A、孔16A和孔14A(这些孔在图3和5中未示出)地插入螺钉34并将螺钉34拧到螺钉孔12A内的方式整体地固定在一起。

第一磁轭12的孔12B用于安装。

薄膜16通过衬垫14和衬垫18与永磁铁M及排斥永磁铁RM间隔一定的距离。

薄膜16由聚合物膜或类似材料制成，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯等。

在本实施例中，薄膜16的有效薄膜区域为约200mm×约300mm。

如图6所示，第一导体36和第二导体38设置在薄膜16的一侧。第一导体36和第二导体38设置在沿X方向从中央部分的两侧夹持该中央部分的区域内。

图7示意性地示出了第一导体36和第二导体38的图案。

如图7和8所示，第一导体36和第二导体38彼此平行。如图8所示，第一导体36和第二导体38设置在所有永磁铁M的外周边附近并位于永磁铁M之间。第一导体36和第二导体38以之字形(蛇形或折曲形)沿磁铁排的长度方向(箭头Y所示的方向)由Y方向的一端延伸到另一端。

如图7和9所示，第一导体36和第二导体38以能够使电流沿相同方向在其中流动的方式连接在一起。

如图7所示，第一导体36和第二导体38既可以串联在一起，也可以相互并联(平行连接)。

第一导体36和第二导体38可通过利用层压、淀积、粘接或类似方式将铜、铝等的金属薄膜固定到薄膜16上而成形。上述金属膜可通过蚀刻加工成形。

如图8所示，第一导体36和第二导体38包括在箭头X所示方向上沿一直线延伸的宽阔部分和在箭头Y所示方向上沿一直线延伸的宽阔部分。在每个所述宽阔部分的沿宽度方向的中央部分上，沿导体的延伸方向(与磁场取向相交的方向)设置有一个细长的狭窄区域40，在区域40内未设置金属薄膜。细长、狭窄的区域40将导体划分为两个平行的部分。

这样，就可以抑制在流过高频电流时涡电流的产生。也可以将导体划分成三个或更多的部分。

在第一导体36和第二导体38上，沿箭头X所示的方向成一直线延伸的宽阔部分和沿箭头Y所示的方向成一直线延伸的宽阔部分分别大致平行于永磁铁M的边缘。

此外，沿箭头X所示的方向成一直线延伸的宽阔部分和沿箭头Y所示的方向成一直线延伸的宽阔部分以最小的间隔连接在一起。

每个第一导体36的图案宽度和每个第二导体38的图案宽度都最好被设定成至少为500μm。

在本实施例中，第一导体36的图案宽度和第二导体38的图案宽度被设定成：在狭窄部分为1000μm，在宽阔部分为2000μm。

操作

下面，将对本实施例的扬声器10的操作加以说明。

如图7和9所示，当电流I在第一导体36和第二导体38内(沿箭头所示的方向)流动时，根据F1eming的左手法则，一个力F(电磁力)作用在与电流I的流动方向和磁场H的方向相交的方向上(在这种情况下，力F的方向朝向第二磁轭20侧)。

当电流I在第一导体36和第二导体38内沿着与图7和9所示方向相反的方向流动时，力F朝移向磁轭12侧的方向产生作用。

因此，通过使代表希望发出的声音的电信号通过，能够使设置有第一导体36和第二导体38的薄膜16根据通过的电信号而振动。

在薄膜16上产生的声音穿过第一磁轭12和第二磁轭20上的孔并向磁轭的外部传播。

由于薄膜16为平面形并沿垂直于薄膜表面的方向振动，因此由薄膜16传播出去的声音就是平面波。

另外，在本实施例中，将第一磁轭12和第二磁轭20上相邻永磁铁M的极性设置成彼此不同。这样，就使磁轭侧的N极数量与S极的数量相等。因此，可以减少磁漏。由此无需设置一个单独的磁屏蔽。

这里，第一磁轭12的永磁铁M面向第二磁轭20上未设置永磁铁M的位置，第二磁轭20的永磁铁M面向第一磁轭12上未设置永磁铁M的位置。因此，尽管第一磁轭12的永磁铁M吸引第二磁轭20，而且第二磁轭20的永磁铁M吸引第一磁轭12，从而使第一磁轭12和第二磁轭20弯曲，但设置在第一磁轭12的中央附近的排斥永磁铁RM面向第二磁轭20的永磁铁M并产生一个与吸引力的作用方向相反的排斥力。这样，就能够防止第一磁轭12和第二磁轭20产生弯曲。

结果，在本实施例的平面型扬声器10中，可以使第一磁轭12、第二磁轭20和薄膜16的面积大于传统产品中的相应面积。因此，可以使输出更大。

此外，由于薄膜16的面积变大，因此可使小范围的复制极限(reproduction limit)更小。

在本实施例中，第一磁铁组26和第二磁铁组32设置有多个以预定间隔排列的永磁铁M。但是，如图10所示，第一磁铁组26和第二磁铁组32可分别为一个单独的长条永磁铁42，这种永磁铁42可以被磁化成使S极和N极交错排列的型式。

此外，在本实施例中，排斥永磁铁RM设置在第一磁轭12上。但是，排斥永磁铁RM还可以设置在第二磁轭20上，或可以分布在第一磁轭12和第二磁轭20之间。

另外，在本实施例中，第一导体36和第二导体38均设置在薄膜16上。因此，通过将这些导体串联或并联在一起，就可以将作为一个整体存在的平面型扬声器10的阻抗变换到不同的水平。

第一导体36的图案宽度和第二导体38的图案宽度在狭窄部分被设定为1000μm，在宽阔部分被设定为2000μm，这些尺寸比较宽。

因此，由于蚀刻而在图案宽度上产生的变化从比例上来讲极小(例如，±20μm)。这样，可以使直流电阻的变化很小，而且也不会发生局部加热的问题。

此外，由于第一导体36和第二导体38设置在薄膜16的一侧，因此使其结构简单、加工容易。

另外，本实施例中的平面型扬声器10可被用作一个麦克风。

第二实施例

下面，将对根据本发明第二实施例的平面型扬声器50加以说明。

如图11和12所示，平面型扬声器50设有一个磁轭52，该磁轭52包括一个设置有多个磁体的板状构件。

12个永磁铁M通过粘接被固定设置在磁轭52的一个磁铁固定部分52A上。永磁铁M被加工成大体为扁平状的四边形。这些永磁铁M以下述方式被磁化：使具有不同极性的磁铁表面相邻设置，而且以预定的间隔排列。

在磁轭52的上表面侧，一个薄膜54设置在永磁铁M的磁铁表面附近。薄膜54基本上平行于磁铁表面，因此也平行于磁轭52的上表面。

一个大体为矩形的框架体58的外周边附近被固定在磁轭52的薄膜连接部分52B上，同时一个衬垫56设置在框架体和薄膜连接部分之间。

在框架体58上，沿外周边连续地形成一个边缘60。该边缘60是一个截面形状大体为半圆弧形的弹性部分。

薄膜54的外周边附近被粘接到框架体58的内周边侧上。

如图13A所示，在薄膜54的正面上形成一个正面侧导体62，并且如图13B所示，在薄膜54的背面上形成一个背面侧导体64。

正面侧导体62的一端在通孔66处被连接，另一端在正极接线端部分68处被连接。

现在，背面侧导体64具有与正面侧导体62相同的图案，而且被设置在与正面侧导体62相对的那一侧(见图12)。

背面侧导体64的一端通过通孔66与正面侧导体62相连接。背面侧导体64的另一端通过位于正面侧上的一个通孔70和一个引线部分72与正面侧上的一个负极接线端部分74相连接。

这样，在本实施例中，正面侧导体62和背面侧导体64被串联在一起。正面侧导体62和背面侧导体64按下述方式连接在一起：当从薄膜54的一侧观看时，电流在正面侧导体62和背面侧导体64内沿相同的方向流动(电流的方向由附图中的箭头表示)。

如图11和12所示，正面侧导体62和背面侧导体64被多圈缠绕在各个永磁铁M的外周边附近，而且被设置在多个夹在各个永磁铁M的外周边附近之间的位置上(在薄膜54的平面图中，位于永磁铁M之外围的外部和内部的地方)。

正面侧导体62和背面侧导体64可被设置成能够至少与一个磁场相交。就薄膜54的平面图而言，正面侧导体62和背面侧导体64可按下述方式设置：使其最接近永磁铁M的部分基本上与永磁铁M的外周边相对应，而且无需设置在永磁铁M之外周边的内部。

在考虑蚀刻误差的情况下，正面侧导体62和背面侧导体64的宽度最好至少为200μm。在本实施例中，正面侧导体62和背面侧导体64的宽度被设定为250μm。

当电流流过本实施例中的正面侧导体62和背面侧导体64时，力将沿垂直于薄膜54的膜片表面的方向产生作用，而且薄膜54将沿垂直于膜片表面的方向发生位移。

由于在本实施例中导体设置在薄膜54的两侧，因此可以使驱动力基本上为将导体仅设置在薄膜一侧时的驱动力的两倍。这样，可以提高效率。此外，在本实施例中，由于永磁铁M的所有外周边均被正面侧导体62和背面侧导体64中的至少一个所包围，因此驱动力可稳定地作用于整个薄膜54上。

尽管在本实施例中使正面侧导体62和背面侧导体64相互串联，但如果合适的话，其也可并联。

此外，还可叠置、固定和使用多个薄膜54。在这种情况下，各个薄膜54的导体可通过通孔连接起来。

在本实施例中，正面侧导体62和背面侧导体64通过通孔连接在一起。但是，也可省去通孔，而用引线或类似部件将正面侧导体62和背面侧导体64连接在一起。

第三实施例

下面，将对根据本发明第三实施例的平面型扬声器80加以说明。本实施例的平面型扬声器80是第二实施例的平面型扬声器50的一种变形结构。

如图14所示，有8个永磁铁M被固定地设置在磁轭82的磁铁固定部分82A上。这些永磁铁M按下述方式具有磁性：使具有不同极性的磁铁表面相邻设置，而且按预定的间隔排列。

一薄膜84设置在位于磁轭82之上表面侧的磁铁表面附近。

大体为矩形的框架体88的外周边附近被固定在磁轭82的薄膜连接部分82B上，同时在二者之间设置有一个在图中未示出的衬垫。

沿框架体88的外周边连续地形成一边缘90。边缘90是一个横截面大体为半圆弧形的弹性部分。

薄膜84的外周边附近被粘接到框架体88的内周边侧。

如图15A所示，在薄膜84的正面上设置一个正面侧导体92，而且如图15B所示，在薄膜84的背面上设置一个背面侧导体94。

正面侧导体92的一端在通孔96处被连接，另一端在正极接线端部分98处相连接。

现在，背面侧导体94具有与正面侧导体92相同的图案，而且被设置在与正面侧导体92相对的那侧。

背面侧导体94的一端通过通孔96与正面侧导体92相连接。背面侧导体94的另一端通过位于正面侧上的一个通孔100和一个引线部分102与正面侧上的负极接线端部分104相连接。

这样，在本实施例中，正面侧导体92和背面侧导体94串联在一起。正面侧导体92和背面侧导体94按下述方式连接：从薄膜84的一侧观看时，电流在正面侧导体92和背面侧导体94内沿相同的方向流动(电流的方向由附图中的箭头表示)。

与第二实施例相同，正面侧导体92和背面侧导体94被多圈缠绕在各个永磁铁M的外周边附近，而且设置在多个夹在各个永磁铁M的外周边附近之间的位置上(在薄膜84的平面图中，位于永磁铁M之外周边的外部和内部)。正面侧导体92和背面侧导体94可被设置成至少与一个磁场相交。就薄膜84的平面图而言，正面侧导体92和背面侧导体94可按下述方式设置：使其最接近永磁铁M的部分基本上与永磁铁M的外周边相对应，而且无需设置在永磁铁M之外周边的内部。

在考虑蚀刻误差的情况下，正面侧导体92和背面侧导体94的宽度最好至少为200μm。在本实施例中，正面侧导体92和背面侧导体94的宽度被设定为250μm。

当电流流过本实施例中的正面侧导体92和背面侧导体94时，力将沿垂直于薄膜84的膜片表面的方向产生作用，而且薄膜84将沿垂直于膜片表面的方向发生位移。

由于在本实施例中导体设置在薄膜84的两侧，因此能够使驱动力基本上为将导体仅设置在薄膜一侧时的驱动力的两倍。这样，可提高效率。此外，在本实施例中，由于永磁铁M的所有外周边均被正面侧导体92和背面侧导体94中的至少一个所包围，因此驱动力可稳定地作用于整个薄膜84上。

Claims (18)

1.一种用于平面型声音变换器上的薄膜，所述声音变换器设置有多个沿第一方向和与第一方向相交的第二方向延伸的磁铁，而且相邻的磁铁分别具有互不相同的磁极，所述薄膜包括：

一个可面朝磁铁安装的平面形薄膜主体；以及

一个设置在薄膜主体上的导体，该导体与在相邻磁铁的北极和南极之间形成的磁场相交，而且所述导体以小于360°的角度设置在每个磁铁的周边周围。

2.如权利要求1所述的薄膜，其特征在于：所述磁铁沿第一方向和第二方向被排列成至少一排，所述导体包括一个以“之”字形沿所述排延伸的曲折部分。

3.如权利要求1或2所述的薄膜，其特征在于：设置有多个导体，每个相应的导体都是绝缘的而且平行排列，沿其宽度方向彼此邻近。

4.如权利要求1至3之一所述的薄膜，其特征在于：所述导体的宽度至少为1000μm。

5.如权利要求4所述的薄膜，其特征在于：所述导体包括一个将所述导体划分成多个平行的导体部分的区域。

6.如权利要求1至5之一所述的薄膜，其特征在于：所述导体设置在薄膜主体的至少一个表面上。

7.如权利要求6所述的薄膜，其特征在于：多个磁铁设置在平面型声音变换器用薄膜的两侧，而且所述导体设置在薄膜主体的一个表面上。

8.如权利要求6所述的薄膜，其特征在于：多个磁铁设置在平面型声音变换器用薄膜的一侧，而且所述导体设置在薄膜主体的两个表面上。

9.一种平面型声音变换器，其包括：

如权利要求1至6之一所述的用于平面型变换装置上的薄膜；

多个沿第一方向和与第一方向相交的第二方向延伸的磁铁，而且相邻的磁铁具有互不相同的磁极。

10.一种平面型薄膜，其包括：

一个平面形薄膜主体；以及

一个设置在薄膜主体的一个表面上的导体，该导体以小于360°的角度设置在所述表面的多个特定区域中的每一个的周边周围。

11.如权利要求10所述的平面型薄膜，其特征在于：多个区域沿第一方向和与第一方向相交的第二方向延伸，而且所述导体包括一个沿第一方向或第二方向以“之”字形延伸的曲折部分。

12.如权利要求10所述的平面型薄膜，其特征在于：设置多个导体，每个导体都是绝缘的，而且平行排列，沿其宽度方向彼此邻近。

13.如权利要求10至12之一所述的平面型薄膜，其特征在于：所述导体的宽度至少为1000μm。

14.如权利要求13所述的平面型薄膜，其特征在于：所述导体包括一个将所述导体划分成多个平行的导体部分的区域。

15.如权利要求10至14之一所述的平面型薄膜，其特征在于：所述导体设置在薄膜主体的至少一个表面上。

16.一种平面型声音变换器，其包括：

如权利要求10至15之一所述的平面型薄膜；以及

多个面向平面型薄膜的磁铁，所述多个磁铁设置在与多个特定区域相对应的位置上并按下述方式排列：使相邻磁铁的薄膜侧表面具有互不相同的磁极。

17.如权利要求16所述的平面型声音变换器，其特征在于：多个磁铁设置在平面型薄膜的两侧，而且所述导体设置在薄膜主体的一个表面上。

18.如权利要求16所述的平面型声音变换器，其特征在于：多个磁铁设置在平面型薄膜的一侧，而且所述导体设置在薄膜主体的两个表面上。

Images