CN1384395A - 非线性元件和电光学装置及其制造方法以及电子仪器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能使非线性元件的非线性进一步提高的非线性元件的制造方法,电光学装置和电子仪器。在形成液晶装置的元件基板(20)时,在底层形成工序(a)中在元件基板(20)的表面上形成底层(61)后在第一金属膜形成工序(b)中形成由至少含Ta的金属膜构成的第一金属膜(62)。接着在绝缘膜形成工序(c)中对第一金属膜(62)在含水蒸气的氛围中进行高压退火处理,从而在第一金属膜(62)的表面上形成绝缘膜(63)。然后在第二金属膜形成工序中,在绝缘膜(63)的表面上形成第二金属膜,制造非线性元件。

Description

非线性元件和电光学装置及其制造方法以及电子仪器
技术领域
本发明涉及非线性元件的制造方法、电光学装置的制造方法、电光学装置和电子仪器，特别是涉及构成非线性元件的绝缘膜的形成技术。
背景技术
近年来，以液晶装置和EL(电致发光)显示面板为代表的电光学装置作为便携式电话机和便携式计算机、电视摄象机等电子仪器的显示部广泛普及。
在上述的电光学装置中，例如液晶装置中用薄膜二极管(Thin FilmDiode，以下简称TFD)元件作为象素开关元件用的非线性元件进行有源驱动是公知的。
这种液晶装置中，保持液晶的一对基板在一个基板上形成TFD元件和象素电极，在另一基板上形成条状对置电极(信号电极)。其中，TFD元件例如通过下述方式制造：在基板表面上形成Ta膜或Ta合金膜等第一金属膜后，通过对该第一金属膜进行阳极氧化处理在该第一金属膜的表面上形成绝缘膜，然后在该绝缘膜的表面上形成第二金属膜。
发明内容
在用TFD元件作为非线性元件的液晶装置中，TFD元件的电流一电压特性上非线性高的液晶装置可将液晶装置的驱动电压设定得较低，并且可以进行高对比度高的显示。根据这个见解，要对作为使TFD元件的特性提高的技术例如在特开平08-830953号公报中那样使绝缘膜在水蒸气氛围下退火进行绝缘膜的改性这样的方法作进一步改进。
另外，为抑制在TFD相对施加电压正负的元件中流过的电流差(极性差)而通常用使TFD元件串联的背靠背(Back to Back)的构造的TFD元件。在该背靠背构造的情况下，在用阳极氧化形成绝缘膜的工序中，因为必需向元件部供电而进行流过变成TFD元件的部分和用于阳极氧化的电流的配线必需用桥接部连接的构成进行阳极氧化。因此用阳极氧化的绝缘膜形成后，必需切断TFD元件和阳极氧化时的供电用配线的桥接部，从而存在引起制造工序数目的增加这类问题。
鉴于以上问题，本发明的目的是提供一种能使TFD元件的非线性等的电特性进一步提高的非线性元件的制造方法，电光装置的制造方法，电光学装置和电子仪器。
另外，本发明的目的是提供一种能减少非线性元件的制造工序数、用低成本制造的非线性元件的制造方法。
为了解决上述问题，按照本发明，在将第一金属膜，绝缘膜和第二金属膜按其顺序层叠的非线性元件的制造方法中，进行形成上述第一金属膜的第一金属膜形成工序，形成上述第二金属膜的第二金属膜形成工序，在上述第一金属膜形成工序以后，直到进行上述第二金属膜形成工序的期间，在规定的氛围中进行在高压下退火的高压退火处理。
按照本发明，在改质通过阳极氧化形成的绝缘膜情况下，在不活泼气体氛围、氮气氛围中或含水蒸气的氛围中进行退火处理。如上所述，在规定的氛围中以高压进行退火处理时，与在水蒸气等中在常压下进行退火处理的情况相比较，可以使非线性元件的电流一电压特性的非线性更进一步提高，因此可以在液晶装置中设定低驱动电压，并且可以提高对比度等，进行高质量的显示。
在本发明中，上述第一金属膜例如由至少含Ta的金属膜构成。
在本发明中，例如在上述第一金属膜形成工序后，进行通过在上述第一金属膜的表面上进行阳极氧化形成上述绝缘膜的绝缘膜形成工序，接着，在惰性气体氛围、氮气氛围中或含水蒸气的氛围中进行上述退火处理，然后，在上述第二金属膜形成工序中，在上述绝缘膜的表面上形成上述第二金属膜。这时，上述高压退火处理在例如在温度100℃以上、600℃以下，压力0.5MPa以上、5MPa以下的条件下，最好在温度150℃以上、300℃以下，压力0.5MPa以上、2MPa以下的条件下进行。因为一这样构成，就可以改质通过阳极氧化形成的绝缘膜，所以可以在非线性元件中提高电流一电压特性的非线性。并且，如在高压下进行退火处理，则因为与现有技术中的退火处理相比较可以在低温下获得同样的效果，所以可以防止基板的变形等。
例如按照本发明人进行的实验结果，在制造背靠背结构的TFD元件时，通过把阳极氧化电压设定为10V、15V、20V形成阳极氧化薄膜后，研究在含水蒸气的1MPa的高压氛围下进行200℃的高压退火处理1小时的非线性元件的非线性β，在含水蒸气的1MPa的高压氛围下进行300℃的高压退火处理1小时的非线性β和在1MPa的高压氮气氛围中进行350℃的高压处理1小时的非线性它的非线性β，得到分别如图1(a)用实线C，点B，实线D所示的结果。如该图1(a)所示，当进行这样的高压退火处理时，可以得到良好的非线性β，并且根据在此所示的实验结果和发明人进行的其它实验结果，作高压退火处理在温度大致200℃，压力约1MPa下得到非线性元件的非线性β良好结果。
在本发明中，例如上述第一金属膜形成工序后在含水蒸气的氛围中进行上述高压退火处理，以使上述第一金属膜的表面氧化，接着进行通过对上述第一金属膜的表面进行阳极氧化形成上述绝缘膜的绝缘膜形成工序。然后在上述第二金属膜形成工序中也可以在上述绝缘膜的表面上形成第二金属膜。这时，高压退火处理例如在把温度设定在100℃以上、600℃以下，把压力设定在0.5MPa以上、3MPa以下，最好是温度为150℃以上、300℃以下，压力为0.5MPa以上、2MPa以下的条件进行。如用上述构成，由于可以把通过高压退火形成的绝缘膜和通过阳极氧化形成的绝缘膜作为非线性元件的绝缘膜使用，可以提高在非线元件中非线性元件中的电流一电压特性的非线性。
在本发明中，最好是例如在上述第一金属膜形成工序后，使含水蒸气的氛围中进行高压退火处理以使上述第一金属表面氧化而形成上述绝缘膜，然后，在上述第二金属膜形成工序中，在上述绝缘膜表面上形成第二金属膜。如按照这样构成，则因为可以用由高压退火形成的绝缘膜作为非线性元件的绝缘膜，所以可以提高非线元件的电流一电压特性的非线性。另外因为通过高压退火处理形成绝缘膜，所以不用进行阳极氧化。因此，在背靠背结构的TFD元件的情况下，因为没有必要形成阳极氧化时的供电用的桥部，从而可以省去除去该桥部的工序。
例如根据本发明人进行过的实验结果，如图1(a)的点A所示那样，不对Ta膜进行阳极氧化，即在图1(a)中在阳极氧化电压为OV的条件下进行350℃的高压退火处理时，获得非线性元件的非线性β约5.5这样好的效果。而且，根据本发明人实际进行的实验结果，作为高压退火处理，在温度约为350℃、压力约为1MPa下，在非线性元件的非线性β上获得了良好的效果。
在图1(b)示出了上述高压退火的条件与通过该处理进行Ta膜表面氧化形成的Ta氧化膜的厚度的关系。在该条件下氛围的水蒸气是100％。在温度350℃、压力1MPa进行1小时处理的情况下，形成具有约250厚的Ta氧化膜。而在温度350℃，压力为1.5MPa进行1小时处理时的情况下，形成具有约320厚度的Ta氧化膜。
按照本发明，最好在进行上述高压退火处理后在比该高压退火处理低的压力下，对上述绝缘膜进行退火处理的再退火处理。
按照本发明，最好例如在进行上述第一金属膜形成后，在该第一金属膜的表面上进行形成第三金属膜的第三金属膜形成工序，接着在含水蒸气的氛围中进行上述高压退火处理以使上述第三金属膜氧化形成上述绝缘膜，然后在上述第二金属膜形成工序中，在上述绝缘膜的表面上形成上述第二金属膜。这时，上述第三金属膜例如是至少含Ta的金属膜。如按照这样的构成，因为可以用通过高压退火形成的绝缘膜作为非线性元件的绝缘膜，所以可以提高非线性元件的电流一电压特的非线性。另外，因为通过高压退火处理形成绝缘膜，所以不用进行阳极氧化。因此在背靠背结构的TFD元件的情况下没有必要形成阳极化时的供电用的桥部，从而可以省去除去该桥部的工序。
按照本发明，最好在上述高压退火处理后，在比该高压退火处理低的压力下进行对上述氧化膜进行退火处理的再退火处理。
按照本发明，在把通过高压退火处理形成的绝缘膜本身作为非线性元件的绝缘膜用的情况下，例如在温度250℃以上、400℃以下，压力0.5MPa以上、3MPa以下的条件，最好在温度300℃以上、400℃以下，压力0.5MPa以上、2MPa以下的条件下进行。如进行这样的高压退火处理，与在比其低的压力下(例如大气压)下进行退火处理的情况相比较，可以促进金属膜的表面氧化，把均匀而优良的氧化膜作为绝缘膜获得。因此在通过该方法形成绝缘膜的TFD元件中，可以使电流一电压特性的非线性进一步提高。
按照本发明，关于上述再退火处理，最好在进行上述第二金属膜形成工序之前进行。也就是说，最好在进行上述再退火处理后，在形成上述第二金属膜工序中，在上述绝缘膜的表面上形成上述第二金属膜。
按照本发明，上述再退火处理最好是通过在含水蒸气或氮气的氛围中进行以使上述绝缘膜结晶。这样，由于可使绝缘膜结晶化，可以提高非线性元件的电流一电压特性的非线性。
按照本发明，上述再退火处理最好在温度100℃以上、500℃以下的条件下进行。
按照本发明，在具有保持电光学物质的基板的电光学装置的制造方法中，利用本发明的非线性元件的制造方法把非线性元件作为象素开关元件形成，并在该基板上形成与上述非线性元件连接的象素电极。
按照本发明方法制造的电光学装置具有保持电光学物质的基板，同时在该基板上保持上述电光学物质一侧的面上把由绝缘膜和第二金属膜构成的非线性元件作为象素开关元件持有，并且上述绝缘膜通过对上述第一金属膜进行退火处理形成。
另外，按照本发明另外方法制造的电光学装置，具有保持电光学物质的基板，同时在该基板上保持上述电光学物质一侧的面上把由绝缘膜和第二金属膜构成的非线性元件作象素开关元件持有，并且上述绝缘膜通过对在上述第一金属膜的表面上形成的第三金属膜进行退火处理形成。
按照本发明，上述电光学物质例如是液晶。
按照本发明，因为用简单的工序就可以形成具有良好特性的TFD元件，按照适用于该制造方法的电光学装置的制造方法，可以通过简单的工序制造出能实现在使驱动电压降低的同时具有高对比度的电光学装置。
适用本发明的电光学装置可以作为便携电话机和移动计算机等电子仪器的显示部等利用。
如以上说明那样，按照本发明，在改质通过阳极氧化形成的绝缘膜的情况下，在不活泼气体氛围、氮气氛围中或含水蒸气的氛围中进行高压退火处理；在使金属膜的表面氧化的情况下，在规定的氛围中进行高压退火处理。这样，在规定的氛围中进行高压退火处理时，与在水蒸气的氛围中进行常压的退火处理的情况相比，可以使非线性元件的电流一电压特性的非线性进一步提高，因此可以降低液晶装置的驱动电压，并且可以进行高质量的显示。
另外，在只用高压处理形成的绝缘膜构成非线性元件的绝缘膜的情况下，由于在制造背靠背结构的TFD元件的情况下也不需要连接多个第一金属膜的供电用桥部，而可以省去除去桥部工序等，可以实现制造工序简单化。
附图说明
图1(a)是表示用适用本发明的非线性元件的制造方法进行的高压退火处理效果一例的曲线。(b)是表示用适用本发明的非线性元件的制造方法进行的高压退火处理效果一例的曲线。
图2是模拟的适用本发明的液晶装置的电构成的方框图。
图3是表示图2所示的液晶装置构造的分解斜视图。
图4(a)、(b)、(c)分别是在液晶装置中夹持液晶的一对基板中元件基板上的一份象素的平面图，沿图4(a)的III-III′线剖切的断面图，形成在各象素上的TFD元件的斜视图。
图5是表示本发实施方式1的液晶装置的元件基板的制造方法的工序图。
图6是表示在图5中所示的各制造工序中从底层形成工序到除去桥部工序的工序断面图。
图7是表示图5中所示的各制造工序中从第二金属膜形成工序到象素电极形成工序的工序断面图。
图8是表示本发明的第二实施方式的液晶装置的基板制造方法的工序图。
图9是表示在图8中所示的制造工序中从底层形成工序到桥部除去工序的工序断面图。
图10是表示本发明实施方式3的液晶装置元件基板的制造方法的工序图。
图11是表示在图10所示的制造工序中从底层形成工序到绝缘膜形成工序的工序断面图。
图12是表示本发明第四实施方式的液晶装置的元件基板的制造方法的工序图。
图13是表示的图12中所示的各制造工序中从底层形成工序到在常压下再退火处理工序的工序断面图。
图14是表示本发明实施方式5中液晶装置的元件基板的制造方法的工序图。
图15是表示在图14中所示的各制造工序中从底层形成工序到绝缘膜形成工序(高压退火处理)的工序断面图。
图16是表示本发明实施方式6的液晶装置的元件基板的制造方法的工序图。
图17是表示在图16中所示的各制造工序中从底层形成工序到在常压下的再退火处理工序的工序断面图。
图18是表示利用本发明的液晶装置的各种电子仪器构成的方框图。
图19是表示作为利用本发明的液晶装置的电子仪器的一实施方式的移动式个人计算机的说明图。
图20是作为本发明液晶装置的电子仪器的一实施方式的便携式电话机的说明图。
具体实施方式
下面参照附图说明本发明的实施方式。在说明实施方式时，在各种电光学装置中利用液晶作电光学物质并且以例子说明利用TFD为有源元件的有源阵列方式的装置。另外，以下说明的各实施方式的基本构成是共用的，所以在大体上说明共通的构成后说明各实施方式的特征的构成。
共同的构成
(液晶显示装置的构成)
图2是模拟地表示适用本发明的液晶装置的电构成的方框图。图3是表示该液晶显示装置构造的分解斜视图。
如图2所示，液晶装置1具有：在行方向(X方向)延伸的多个扫描线51、在列方向(Y方向)延伸的多个数据线52，形成在与扫描线51和数据线52的各交叉的位置E上的象素53。各扫描线51被扫描驱动电路57驱动，各数据线52被数据线驱动电路58驱动。另外，各象素53具有使液晶层54和象素开关用的TFD元件56串联连接的构成。
如图3所示，液晶装置1具有在通过密封件(未示出)互相贴合的对置基板10与元件基板20之间保持液晶6的构成。对置基板10和元件基板20是具有透光性的基板。在这两个基板中的元件基板20上的面上形成上述的多条扫描线51，象素电极66通过象素电极56连接在各扫描线51上。
在对置基板10的面上形成与红(R)、绿(G)和青(B)的各色对的滤色层2R、2G、2B，和覆盖这些滤色层的平坦化层(未示出)。另外在该平坦层的面上形成在与扫描线51交叉的方向上延伸的多条数据线52。各数据线52是通过ITO(铟锡氧化物)等的透明导电材料形成的带状电极，并与在元件基板20上构成的多个象素电极66对置。
将扫描信号供给形成在该结构下的元件基板20的面上的各个扫描线51，并且将数据信号供给形成在对置基板10上的各个数据线52，借此使夹在上述象素电极66和数据线52对置的部分的液晶6取向方向变化。从而使从背照光装置3射出的光透过元件基板20和象素电极66入射在液晶6上并被该液晶6逐个象素调制。于是该调制的光如用箭头L所示那样透过数据线52和对置基板10射出到观察侧。这时光因通过滤色器层2R、2G、2B着色而可以进行彩色显示。
在用通常的TN(Twisted Nematic)型的液晶作液晶6的情况下，这种液晶6通过改变光的偏振方向进行光调制，在元件基板20和对置基板10的外侧表面上分别贴着偏振片8和9。
在图2和图3所示的例子中，在元件基板20上形成扫描线51，在对置基板10上形成数据线52，也可与此相反，在元件基板20上形成数据线，在对置基板10上形成扫描线。
接着参照图4(a)至(c)，就构成一个象素53的各构成要素中形成在元件基板20上的要素进行说明。图4(a)是表示对应一个象素的元件基板20上的构成的平面图，图4(b)是在(a)中的III-III′线上的断面图，图4(c)是表示对应各象素的TFD元件的构成的斜视图。
如图4(a)至(c)所示，在元件基板20的表面上形成底层61，该底层61是由厚度50nm～200nm左右的氧化钽(Ta2O5)构成的薄膜。上述的TFD元件56通过形成在底层61上的第一TFD元件56a和第二TFD元件56b构成的两个TFD元件要素作为所谓背靠背构造构成。因此TFD元件56的电源一电压的非线性特性在正负两个方向是对称的。
第一TFD元件56a和第二TFD元件56b由第一金属膜62、形成在该第一金属膜62的表面上的绝缘膜63、在该绝缘膜63的表面上互相离开形成的第二金属膜64a和64b构成。第一金属膜62是由Ta(钽)单质或Ta-W(钨合金)等的至少Ta合金构成。另外，绝缘膜63是通过使Ta氧化形成在第一金属膜62的表面上的厚度10nm至35nm左右的膜。也就是说，绝缘膜63五氧化钽(Ta2O5)等构成。
第二金属膜64a和64b是由铬(Cr)等金属形成为50nm～300nm左右厚的薄膜。其中第二金属膜64a是从扫描线51分杈的部分。另外，第二金属膜64b与由ITO的透明导电材料构成的象素电极66相连接。如图4(a)和(b)所示，底层61中应形成象素电极66的区域被除去。
另外，象素电极66也可由Al(铝)等这样的反射光材料形成，这时因为来自对置基板10侧的入射光被象素电极66的表面反射后射出到对置基板10侧，所以可实现所谓反射型显示。另外在象素电极由反射光材料形成的情况下，构成使光在该象素中透过的窄缝，或者通过使象素电极66的厚度变薄，还往往使其具有反射光和透射光两方面的性质。另外，用透明导电器材构成象素电极66，也可在构成象素电极66的基板或与其对置的基板上形成由Al(铝)等这样的反射光材料的反射光板。这时构成使光透射在反射光板中透射的窄缝，或使反射光板的厚度变薄也往往使具有反射光和透射光两方的性质。
实施方式1
下面参照5至图7说明本发明的实施方式1。
图5、图6和图7分别是表示在图2中示出的元件基板20的制造方法的工序图，在从底层形成工序到桥部除去工序的断面图和从第二金属膜形成工序到象素形成工序的断面图。
当制造液晶装置1的元件基板20时，如图所示，顺序进行底层形成工序(a)、第一金属膜形成工序(b)、绝缘膜形成工序(c)、高压退火处理工序(c1)、桥部除去工序(d)、第二金属膜形成工序(e)、底层除去工序(f)和象素电极形成工序(g)。下面参照图6和图7说明这些工序。虽然在制造元件基板20和对置基板10时，在取出多块与各液晶装置1的尺寸相对应的单件基板的大型原基板的状态下进行TFD元件56等的各要素的形成，但在以下说明中不区分单件基板与原基板，都称为素件基板20和对置基板10。
首先，在图6中，在底层形成工序(a)中，在元件基板20的表面上形成一样厚度的Ta氧化物，例如Ta2O5，厚度例如50nm～200nm左右的底层61。
接着在第一金属膜形成工序(b)中，通过溅射形成一样厚度的钽薄膜，其厚度例如100nm～500nm左右，另外利用蚀刻技术同时形成扫描线51的第一层和第一金属膜62等。这时由桥部69使扫描线51的第一层和第一金属膜62相连。
接着在绝缘膜形成工序(c)中，将扫描线51的第一层作为阳极进行氧极氧化处理，在该扫描线51和第一金属膜52的表面上形成作为绝缘膜起作用的一样厚度的阳极氧化膜，其厚度例如10nm～35nm。借此在扫描线51的表面上形成绝缘膜(第二层)。同时形成第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的绝缘膜63。
接着，在本实施方式中，对绝缘膜63在规定的氛围中在高压下退火的高压退火处理(c1)。在此进行的高压退火处理(c1)是在不活泼气体氛围、氮气氛围中或含水蒸气的氛围中，温度100℃以上600℃以下，最好在150℃以上300℃以下，压力0.5MPa以上、3MPa以下，最好在0.5MPa以上、2MPa以下条件下进行从30分到2小时。
接着，在桥部除去工序(d)中，利用蚀刻技术从元件基板20上除去桥部69。借此把第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金属膜62和绝缘膜63从扫描线51上分断成岛状。
接着在图7所示的第二金属膜形成工序(e)中，通过溅射等形成一样厚度的Cr薄膜，其厚度例如为50nm～300nm左右，然后利用光刻技术形成扫描线51的第三层、第一TFD元件56a的第二金属膜64a、和第二TFD元件56b的第二金属膜64b。从而形成作为有源元件的TFD元件。
在此，桥部除去工序(d)和第二金属膜形成工序(e)也可按相反顺序进行。
在底层除去工序(f)中，除去象素电极66的形成预定区域的底层61后，在象素电极形成工序(g)中通过溅射以一样的厚度制成用于形成象素电极66的ITO，再利用光刻技术形成相当一象素大小的规定形状的象素电极66，以使其一部分重叠在第二金属膜64b上。通过这样的一系列工序形成图3和图4所示的TFD元件56和象素电极66。
在此，底层除去工序(f)也可以与桥部除去工序(d)同时进行。
然后，虽然图中未示出，但在元件基板20的表面上通过形成一样厚度的聚酰亚胺、聚乙烯醇等形成取向膜后，对取向膜进行磨擦处理和其它的取向处理。
与此相对，为了制造图3中所示的对置基板10，在形成滤色器2R、2G、2B后在滤色器2R、2G、2B上形成平坦化层(未示出)。然后利用ITO膜等形成条状的对置电板即数据线52。接着在数据线52等上由聚酰胺形成一样厚度的取向膜(未示出)后，对取向膜进行磨擦处理等这样的取向处理。从而完成对置基板20。
然后将元件基板20和对置基板10位置对中后通过夹着密封件使基板彼此贴合，然后将液晶6注入两基板之间的空间，对液晶注入口(未示出)涂敷树脂等密封材料，如果密封则完成液晶装置1。
这样，按照本实施方式，在形成元件基板20时，在不活泼气体氛围中，氮气氛围中或含水蒸气的氛围中通过对由阳极氧化形成的绝缘膜63进行高压退火处理(c1)，改质通过阳极氧化形成的绝缘膜63。因此与在水蒸气氛围中在常压下进行退火处理的情况相比可以提高液晶装置1的电流一电压特性的非线性，从而可以把液晶装置1的驱动电压设定得低，并且可以进行高性能的显示。
另外，如果在高压下进行退火处理，则由于与现有技术的退火处理相比可在低温度下获得同等以上的效果，而可以防止元件基板20的变形等。
另外，按照本实施方式，虽然第一金属膜64a、64b为Cr，但不限于此，也可以Ti、Mo、Al等其它金属。
另外，按照本实施方式，虽然是TFD元件56制成由第一TFD元件56a、和第二TFD元件56b的由两个TFD元件部组成的背靠背结构，但不限于此，也可把TFD元件56制成一个TFD元件组成的构造。这时在第一金属膜形成工序(b)中，把第一金属膜62形成为配线状，将其作为扫描线51，在第二金属膜形成工序(e)中只形成第二金属膜64b即可。并且，这时不需要桥部除去工序(d)。
实施方式2
按照实施方式1，通过在第一金属膜62的表面上进行阳极氧化形成绝缘膜63后，进行高压退火处理作为对该绝缘膜63的改质处理。但按照本实施方式，将如参照图8和图9所说明那样，在通过阳极氧化形成绝缘膜63之前进行高压退火处理作为对第一金属膜62的前处理。
图8和图9分别是表示本发明的第二实施方式的制造工序中元件基板制造方法的工序图，和表示图8所示的各制造工序中从底层形成工序到绝缘膜形成的断面图。另外，在本实施方式和以后描述的各实施方式中液晶装置、元件基板和TFD元件等的构造是与实施方式1的构造相同，所以省略关开共同部分的详细说明，并在说明制造工序时，参照图7说明。
按照本实施方式，在制造液晶装置的元件基板20时，如图8所示，顺次进行底层形成工序(a)、第一金属膜形成工序(b)、高压退火处理(c2)，绝缘膜形成工序(c)、桥部除去工序(d)、第二金属膜形成工序(e)、底层除去工序(f)和图象电极形成工序(g)。
也就是说，按照本实施方式与实施方式1同样，首先在图9所示的底层形成工序(a)中在元件基板20的表面上形成例如一样厚度的Ta2O5作为底层61，在第一金属膜形成工序(b)中，通过溅射Ta等形成一样厚度的例如100nm～500nm左右厚度的膜，再利用光刻技术同时形成扫描线51的第一层和第一金属膜62等。
接着按照本实施方式对扫描线51的第一层61和第一金属膜62在规定的氛围中在高压下进行退火处理(c2)。在此进行的高压退火处理(c2)是在含水蒸气的氛围中，温度在100℃以上、600℃以下，压力0.5MPa以上、3MPa以下的条件下进行从30分到2小时。结果使扫描线第一层和第一金属膜62的表面氧化形成薄的绝缘膜63′。
接着在绝缘膜形式工序(c)中，以扫描线51的第一层作为阳极进行阳极氧化处理，在该扫描线51和第一金属膜52的表面上形成作为绝缘膜63起作用的阳极氧化膜，该阳极氧化膜具有一样的厚度例如10nm～35nm的厚度。从而在扫描线51的表面上形成绝缘膜(第二层)，并且形成第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的绝缘膜63。
接着在桥部除去工序(a)中，利用光刻技术将第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金属膜62和绝缘膜63从扫描线51分割成岛状。
此后与实施方式1相同，进行参照图7说明的第二金属膜形成工序(e)，通过溅射Cr形成一样厚度的膜后利用光刻技术形成扫描线51的三层，第一TFD元件56a的第二金属膜64a和第二TFD元件56b的第二金属膜64b。通过以上工序形成作为有源元件的TFD元件56。另外，与实施方式1相同，在底层除去工序(f)中在除去象素电极66的形成预定区域的底层61之后，在象素电极形成工序(g)中形成象素电极66。在此也可以按照与桥部除去工序(d)和第二金属膜形成工序(e)的顺序相反的顺序进行。另外底层除去工序(f)与桥部除去工序(d)也可同时进行。
如上所述，按照本实施方式，因为把通过高压退火处理(c2)形成的绝缘膜63′和通过阳极氧化形成的绝缘膜作为TFD元件56的绝缘膜63使用，所以可以提高TFD元件56的电流一电压特性的非线性。从而可以把液晶装置1设定低的驱动电压，并且可以进行高质量的显示。
另外，按照本实施方式虽然使用Cr作为第二金属膜64a、64b；但不限于此，也可以使用Ti、Mo、Al等其它金属。
另外，按照本实施方式，虽然把TFD元件56制成为由第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的两个TFD元件部分组成的背靠背结构，但不限于此，也可把TFD元件56制成由一个TFD元件组成的结构。这时在第一金属膜形成工序(b)中将第一金属膜形成为配线状，将其作为扫描线51，在第二金属膜形成工序(e)中只形成第二金属膜64b即可。并且在这时不需要桥部除去工序(d)。
实施方式3
按照实施方式1、2，虽然进行高压退火处理(c1、c2)作为对通过阳极氧化在第一金属膜62的表面上形成的绝缘膜63的改质处理或通过阳极氧化形成绝缘膜63之前的前处理，但按照本实施方式，进行高压退火处理作为如参照图10和图11说明那样的绝缘膜形成工序(c)，省略阳极氧化。
图10和图11分别表示本发明实施方式3的液晶装置制造工序中元件基板的制造方法的工序图和图10所示的各制造工序中从底层形成工序到绝缘膜形成工序的断面图。
按照本实施方式，在制造液晶装置的元件基板时，如图9所示，顺次进行底层形成工序(a)、第一金属膜形成工序(b)，作为绝缘膜形成工序(c)的高压退火处理、第二金属膜形成工序(e)，底层除去工序(f)、绝缘膜除去工序(f)和象素电极形成工序(g)。这样，按照本实施方式，因为在绝缘膜形成工序(c)中不进行阳极氧化，所以不需在进行阳极氧化时的供电用桥部，因此不用进行在实施方式1、2中进行的桥部除去工序。
也就是说，在本实施方式中，首先在图11所示底层形成工序(a)中，在元件基板20的表面上形成Ta氧化物例如Ta2O5厚度一样的膜作为底层61后，在第一金属膜形成工序(b)中通过溅射Ta等形成一样厚度的例如100nm～500nm左右的膜，再利用光刻技术形成第一金属膜62。在该第一金属膜形成工序(a)中，把第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金属膜62作为一个TFD元件的岛与另一TFD元件分别分离成岛状的状态下形成。
按照本实施方式，作为绝缘膜形成工序(c)，对第一金属膜62在含有水蒸气的氛围中进行在高温高压下处理的高压退火处理。在此高压退火处理在温度250℃以上，600℃以下，压力在0.5MPa以上、3MPa以下的条件下，最好是高压退火处理在温度300℃以上，400℃以下，压力在0.5MPa以上、2MPa以下的条件下进行从30分到2小时。其结果在第一金属膜52的表面上形成第一TFD元件65a和第二TFD元件56b的绝缘膜63，该绝缘膜具有一样的厚度例如10nm～35nm。
在这时，因为第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金属膜62和绝缘膜63在作为一个TFD元件的岛与另一TFD元件分离成岛状的状态下，所以不需要进行实施方式1、2中说明的桥部处理工序。
因此，按照本实施方式，在进行绝缘膜形成工序(c)后，进行参照图7说明的第二金属膜形成工序(e)，通过对Cr溅射等形成一种厚度的膜后，利用光刻技术形成扫描线51，第一TFD元件56a的第二金属膜64a和第二TFD元件56b的第二金属膜64b。通过以上工序形成作为有源元件的TFD元件56。此后与实施方式1、2同样，在底层除去工序(f)中除去象素电极66形成预定区域的底层61后，在象素电极形成工序(g)中形成象素电极66。在此，底层除去工序(f)也可以与第一金属膜形成工序(b)或第二金属膜形成工序(e)同时进行。
如上所述，按照本实施方式，因为在绝缘膜形成工序(c)中通过进行高压退火处理形成绝缘膜63，所以可以提高TFD元件56的电流一电压特性的非线性。因此液晶装置1的电压可以设定得低，并且可以进行高质量的显示。
另外，按照本实施方式，在绝缘膜形成工序(c)中通过高压退火处理形成绝缘膜63，不用进行阳极氧化。因此与实施方式1、2不同，由于不需要形成在阳极氧化时的供电用桥部(见图6)，所以可以省去除去该桥部的工序。
另外，按照本实施方式，虽然把TFD元件56制成由第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的两个TFD元件部分组成的背靠背结构，但不限于此，也可以把TFD元件56制成由一个TFD元件组成的构造。这时在第一金属膜形成工序(b)中，将第一金属膜62形成为配线状，将其作为扫描线51，在第二金属膜形成工序(e)中只形成第二金属膜64b即可。
实施方式4
图12和图13分别是本发明实施方式4的液晶装置的制造工序中元件基板制造方法的工序图和图12所示的各制造工序中从底层形成工序到常压下的再退火处理的工序断面图。
按照本实施方式，在制造液晶装置元件基板时，如图12所示，在进行了底层形成工序(a)、第一金属膜形成工序(b)、作为绝缘膜形成工序(c)的高退火处理、在常压下的再退火处理(c3)后，进行第二金属膜形成工序(e)、底层除去工序(f)和象素电极形成工序(g)。如上所述，但照本实施方式，因为不需要在绝缘膜形成工序(c)中进行阳极氧化，所以不需要进行阳极氧化时的供电用桥部，所以不需要进行在实施方式1、2中进行的桥部工序。
按照本实施方式，在图13中所示的底层形成工序(a)中，在元件基板20的表面上通过形成一样厚度的Ta氧化物例如Ta2O5的膜作为底层61后，在第一金属形成工序(b)中对Ta进行溅射等形成一样厚度例如100nm～500nm左右厚度的膜，再利用光刻技术形成第一金属电极62。在第一金属膜形成工序(b)中把构成第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金属膜62作为一个TFD元件的岛，与另一TFD元件在分别分离成岛状的状态下形成。
接着在绝缘膜形成工序(b)中，对第一金属膜62在含水蒸气的氛围中在高温高压下进行高压退火处理。
具体地说，温度250℃以上，600℃以下，压力在0.5MPa以上、3MPa以下最好温度在300℃以上，400℃以下，并且压力在0.5MPa以上、2MPa以下这样的条件下对第一金属膜62进行高压退火处理。结果在第一金属膜62的表面上形成具有一样厚度的第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的绝缘膜63，其厚度例如10nm～35nm厚。在这时，第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金属膜62和绝缘膜63处在各个被单独分离成岛状的状态下，所以不需要进行包含上述阳极氧化制造方法中的桥部除去工序。
接着在水蒸气或包含氮气氛围中对绝缘膜63进行在常压下的再退火处理(c3)，该再退火处理在例如100℃以上，500℃以下的条件下进行。结果使通过绝缘膜形成工序(c)形成的绝缘膜63的结晶性提高。
这样在进行常压下的再退火处理(c3)后，进行参照图7说明的第二金属膜形成工序(e)，通过溅射Cr形成一样厚度的膜后，利用光刻技术形成扫描线51、第一TFD元件56a的第二金属膜64a和第二TFD元件56b的第二金属膜64b。通过以上工序形成作为元件的TFD元件56。此后与实施方式1相同，在底层除去工序(f)除去象素电极66的形成预定区域的底层61后，在象素电极形成工序(g)中形成象素电极66。在此底层除去工序(f)也可以第一金属膜形成工序(b)或第二金属膜形成工序(e)同时进行。
因此，在本实施方式的制造方法中，因为在绝缘膜形成工序(c)中通过进行高压退火处理形成绝缘膜63，通过在常压下的再退火处理(c3)使绝缘膜的结晶性提高，所以可以提高TFD元件56的电流一电压特性的非线性。可以使液晶装置1的驱动电压降低，并且进行高质量的显示。
另外，在本方法中，在绝缘膜形成工序(c)中通过高压退火处理形成绝缘膜63，不需要阳极氧化处理。因此与上述的包含阳极氧化处理的制造方法不同，因为不需要形成在阳极氧化处理的供电用的桥部69(见图6)，所以也不需要除去该桥部69的工序。
按照本实施方式，虽然把TFD元件56制成由第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的两个TFD元件部分组成的背靠背结构，但不限于此，也可以把TFD元件56制成由一个TFD元件组成的结构。这时在第一金属膜形成工序(b)中，把第一金属膜62和第三金属膜62′形成为配线状，将它们作为扫描线51，在第二金属膜形成工序(e)中，只形成第二金属膜64b即可。另外，按照本发明，虽然用Cr作为第二金属膜64a、64b，但不限于此，也可以使用Ti、Mo、Al等其它金属。
实施方式5
按照实施方式3，虽然通过高压退火处理使第一金属膜62的表面变成绝缘膜63，但也可如参照图14和图15说明那样，通过高压退火处理使在第一金属膜62的表面上形成的另一层金属膜氧化，将其作为TFD元件56的绝缘膜利用。
图14和图15分别是表示本发明实施方式5的液晶装置的制造工序中元件基板的制造方法的工序图，和图14中所示的制造工序中从底层形成工序到绝缘膜形成工序的工程断面图。
在本实施方式中，当制造液晶装置的元件基板20时，如图14所示，顺次进行底层形成工序(a)、第一金属膜形成工序(b)、第三金属膜形成工序(b′)、作为绝缘膜形成工序(c)的高压退火处理工序，第二金属膜形成工序(e)、底层除去工序(f)和象素电极形成工序(g)。这样，按照本实施方式，因为在绝缘膜形成工序(c)中不进行阳极氧化，所以不需要进行阳极氧化时供电用的桥部，因此不需要进行在实施方式1、2中进行的桥部除去工序。
也就是说按照本实施方式，首先在图15所示的底层形成工序(a)中，在元件基板20的表面上形成Ta氧化物例如Ta2O5一样厚度的膜作为底层61后，在第一金属膜形成工序(b)中例如通过溅射Ta等这样的金属膜形成例如100nm～500nm左右厚度的膜，利用光刻技术同时形成扫描线51的第一层和第一金属膜62等。在该第一金属膜形成工序中，把第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金属膜62作为一个岛，在与另一TFD元件分离成岛状的状态下形成。
另外，在第三金属膜形成工序(b′)中通过溅射Ta形成一样厚度的膜，利用光刻技术形成第三金属膜62′，以使其重合在第一金属膜62上。
在此，也可以连续形成第一金属膜62和第三金属膜62′后使这两个金属膜62、62′成批地形成图形。因为在任何的情况下，按照本实施方式不进行阳极化，所以在分离成岛状态下形成第一金属膜62和第三金属膜62′。
接着，作为绝缘膜形成工序(c)，按本实施方式对第三金属膜62′进行在含水蒸气的氛围中在高温高压下处理的高压退火处理，在此，高压退火处理在温度250℃以上，600℃以下，压力在0.5MPa以上、3MPa以下的条件下，最好高压退火处理温度在350℃以上，400℃以下，并且压力在0.5MPa以上、2MPa以下的条件下进行30分至2小时。结果使第三金属膜62′通过被完全氧化形成具有一样厚度的例如10nm～35nm的绝缘膜63。
在这时，因为第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金属膜62和绝缘膜63处在从扫描线51分离成岛状的状态，所以不需要进行在实施方式1、2中说明的桥部除去工序。
因此按照本实施方式，在进行绝缘膜工序(c)之后，进行参照图7说明的第二金属膜形成工序(e)，通过溅射Cr形成一样厚度的膜后，利用光刻技术形成扫描线51、第一TFD元件56a的第二金属膜64a和第二TFD元件56的第二金属膜64b。通过以上工序形成作为有源元件的TFD元件56。此后与实施方式1、2同样在底层除去工序(f)中除去象素电极66形成预定区域的底层61后，在象素电极形成工序(g)中形成象素电极66。在此，底层除去工序(f)也可以与第一金属膜形成工序(b)或第二金属膜形成工序(e)同时进行。
这样，按照本实施方式，因为在绝缘膜形成工序(e)中通过高压退火处理形成绝缘膜63，所以可以提高TFD元件56的电流一电压特性的非线性。从而可以降低液晶装置1的驱动电压，并且可以进行高质量的显示。
另外，按照本实施方式，在绝缘膜形成工序(c)中通过进行高压退火处理形成绝缘膜63，不进行阳极氧化。因此与实施方式1、2不同，因为不需要形成在阳极氧化时供电用的桥部，所以可省去除去该桥部的工序。
按照本实施方式，虽然是用Cr作为第二金属膜64a、64b为，但不限于此，也可以使用Ti、Mo、Al等其它金属。
另外，按照本实施方式，虽然把TFD元件56制成由第一TFD元件56a、和第二TFD元件56b两个TFD元件部组成的背靠背结构，但不限于此，也可把TFD元件56制成一个TFD元件组成的结构。这时在第一金属膜形成工序(b)中，把第一金属膜62和第三金属膜62′形成为配线状，将其作为扫描线51，在第二金属膜形成工序(e)中只形成第二金属膜64b即可。
另外，因为绝缘膜63通过对第三金属膜62′氧化形成，所以第一金属膜62未必非得是Ta膜，也可以使用Cr膜等其它金属膜。
实施方式6
图16和图17分别是表示本发明实施方式6的液晶装置的制造工序中元件基板制造方法的工序图，和图16所示的各制造工序中从底层形成工序到绝缘膜形成工序的断面图。
按照本实施方式，与实施方式5同样，在第一金属膜62的表面上形成与该第一金属膜62不同的金属膜后，通过高压退火处理使该金属膜氧化，从而作为TFD元件56的绝缘膜63使用。也就是说，按照本实施方式，当制造液晶元件基板20时，如图16所示，进行底层形成工序(a)、第一金属膜形成工序(b)、第三金属膜形成工序(b′)、作为绝缘膜形成工序(c)的高压退火处理，在进行常压的再退火处理(c3)后的第二金属膜形成工序(e)、底层除去工序(f)和象素电极形成工序(g)。这样，按照本实施方式，因为在绝缘膜形成工序(c)中不进行阳极氧化，所以不需要进行阳极氧化时供电用的桥部，因此不需要进行在实施方式1、2中进行的桥部除去工序。
按照本实施方式，首先在图17所示的底层形成工序(a)中，在元件基板20的表面上形成Ta氧化物，例如Ta2O5形成一样厚度的膜作为底层61。接着在第一金属膜形成工序(b)中通过溅射等形成一样厚度的Ta等金属膜例如100nm～500nm左右厚度的膜后，利用光刻技术对该金属膜制作图形，形成第一金属膜62，在该第一金属膜形成工序中，与上述的包含阳极化的制造方法不同，把第一TFD元件56a和第二TFD元件56b构成的第一金属膜62作为一个TFD元件岛，并在与其他TFD元件彼此独立地分离成岛状的状态下形成。
接着，在第三金属膜形成工序(b′)中，通过溅射至少含有Ta的合金等形成一样厚度的膜后，利用光刻技术制成图形，形成第三金属膜62′，使其重合在第一金属膜62上。另外，在此，虽然是在第一金属膜62和第三金属膜62′的各个形成工序后进行制作图形，但也可以在使成为第一金属膜62的金属膜和成为第三金属膜62′的金属膜层叠合后，通过使这些金属膜成批形成图形，形成第一金属膜62和第三金属膜62′。不管按任何顺序，都可以使第一金属膜62和第三金属膜62′形成为各自独立地分离成岛状的状态。
作为绝缘膜形成工序(c)，对第三金属膜62′在含水蒸气的氛围中进行在高温高压下处理的高压退火处理。具体地说，在250℃以上，600℃以下的温度，在0.5MPa以上、3MPa以下的压力，最好在350℃以上，400℃以下的温度，在0.5MPa以上、2MPa以下的压力这样的条件下对第三金属膜62′进行高压退火处理从30分到2小时。结果使第三金属膜62′全部氧化，形成厚度一样的例如10nm～35nm厚度的绝缘膜63。在这时，因为第一TFD元件56a和第二TFD元件56b的第一金属膜62和绝缘膜63层叠形成的部分处在彼此单分离成岛状的状态，所以不需要进行在上述包含阳极氧化的制造方法的桥部除去工序。
接着对绝缘膜63在含水蒸气或氮气的氛围中进行在常压下的再退火处理(c3)。该再退火处理在例如100℃以上，500℃以下的条件下进行。结果使通过高压退火处理形成的绝缘膜63的结晶性提高。
这样在进行常压下的退火处理(c3)后，进行参照图7说明的第二金属膜形成工序(e)，通过溅射等形成一样厚度的Cr膜以后，利用光刻技术形成扫描线51、第一TFD元件56a的第二金属膜64a和第二TFD元件56的第二金属膜64b。通过以上工序形成作为有源元件的TFD元件56。此后与实施方式1、2同样在底层除去工序(f)中，除去象素电极66形成预定区域的底层61后，在象素电极形成工序(g)中形成象素电极66。在此，底层除去工序(f)也可以与第一金属膜形成工序(b)或第二金属膜形成工序(e)同时进行。
这样，在本实施方式的制造方法中，在绝缘膜形成工序(c)中，通过对第三金属膜62′进行高压退火处理形成绝缘膜63，通过在常压下的再退火处理(c3)使该绝缘膜63的结晶性提高，因此可以提高TFD元件56的电流一电压特性的非线性。从而可以降低液晶装置1的驱动电压，并且进行高质量的显示。
另外，在本方法中，在绝缘膜形成工序(c)中通过在高压下对第三金属膜62′进行高压退火处理形成绝缘膜63，所以不需要阳极氧化处理。因此与上述的包含阳极氧化的制造方法不同，因为不需要形成阳极氧化的供电用的桥部69(见图6)，所以也不需要除去该桥部69的工序。结果只用成膜工序、退火处理、图形工序这样的半导体工艺就可以高效率形成包含TFD元件56的元件基板20上的各元件。
另外，按照本实施方式，虽然用Cr作为第三金属膜64a、64b，但不限于此，也可以使用Ti、Mo、Al等其它金属。
按照本实施方式，虽然把TFD元件56制成由第一TFD元件56a、和第二TFD元件56b两个TFD元件部组成的背靠背结构，但不限于此，也可把TFD元件56制成一个TFD元件组成的结构。这时在第一金属膜形成工序(b)中，把第一金属膜62和第三金属膜62′形成为配线状，将其作为扫描线51，在第二金属膜形成工序(e)中只形成第二金属膜64b即可。
另外，因为绝缘膜63通过对第三金属膜62′氧化形成，所以不一定用Ta形成第一金属膜62，也可以用Cr等其它金属形成。
其它实施方式
另外，按照上述实施方式，虽然利用Ta或Ta合金和Cr膜，制造Ta/Ta2O5/Cr构造的TFD元件56，但只要能通过高压退火处理形成绝缘膜63，则也可以用Nb、Al、Ti等其它的金属。
另外，按照上述实施方式，虽然例示利用液晶作电光学物质的液晶装置使用本发明的情况，但本发明也可以适用于采用EL元件作为电光学物质的EL显示面板和采用气体作为电光学物质的等离子显示面板等其它各种电子仪器中。这样，只要是具有由第一金属膜、绝缘膜和第二金属膜组成的薄膜两极管非线性的装置，则可以不管其它构成元件的状态如何、都可以使用发明。
电子仪器的实施方式
图18示出了把本发明的液晶装置作为各种电子仪器使用时的一实施方式。所示的电子仪器具有显示信息输出源70，显示信息处理电路71、电源电路72、定时发生器73、以及液晶装置74。另外液晶装置74具有液晶显示面板75和驱动电路76。可以利用上述的液晶装置1作为液晶装置74和液晶装置75。
显示信息输出源70具有ROM(Read Only Memory)RAM(Random AccessMemory)等这样的存储器，各种数据等这样的存储单元，使数字图象信号调谐输出的调谐电路等，根据由定时发生器73生成的各种时钟信号把规定格式的图象信号等这样的显示信息供给显示信息处理电路71。
显示信息处理电路71具有串联一并联变换电路、放大倒向电路、逻辑电路、γ校正电路、箍位电路等这样公知的各种电路，进行输入的显示信息的处理，使该图象信号与时钟信号CLK一起供给驱动电路76。驱动电路76是图2中的扫描线驱动电路57、数据线驱动电路58和检查电路等的总称。另外，电源电路72把规定的电压供给各构成元件。
图19示出了作为本发明的电子仪器的一实施方式的移动式个人计算机，在此示出的个人计算机具有装备有键盘81的本体部82，液晶显示单元83。液晶显示单元83由含上述的液晶装置1构成。
图20示出了作为本发明的电子仪器的其他实施方式的便携式电话机，在此示出的便携式电话机90具有多个操作组91和液晶显示装置1。

Claims (23)

1、一种非线性元件的制造方法，该非线性元件是将第一金属膜，绝缘膜和第二金属膜按其顺序层叠而成的，其特征在于：进行形成上述第一金属膜的第一金属膜形成工序，形成上述第二金属膜的第二金属膜形成工序，在上述第一金属膜形成工序以后，直到进行上述第二金属膜形成工序的期间，在规定的氛围中进行在高压下退火的高压退火处理。
2、如权利要求1所述的非线性元件的制造方法，其特征在于：上述第一金属膜由至少含Ta的金属膜构成。
3、如权利要求1或2所述的非线性元件的制造方法，其特征在于：在上述第一金属膜形成工序后，进行在上述第一金属膜的表面上进行阳极氧化以形成上述绝缘膜的绝缘膜形成工序；
接着，在惰性气体氛围、氮气氛围中或含水蒸气的氛围中进行上述退火处理；
然后，在上述第二金属膜形成工序中，在上述绝缘膜的表面上形成上述第二金属膜。
4、如权利要求1或2所述的非线性元件的制造方法，其特征在于：在上述第一金属膜形成工序后，在含水蒸气的氛围中进行上述退火处理使上述第一金属膜的表面氧化；
接着，通过对上述第一金属表面进行阳极氧化进行形成上述绝缘膜的绝缘膜形成工序；
然后，在上述第二金属膜形成工序中，在上述绝缘膜的表面上形成上述第二金属膜。
5、如权利要求3或4所述的非线性元件的制造方法，其特征在于：上述高压退火处理在温度100℃以上、600℃以下，压力0.5MPa以上、3MPa以下的条件下进行。
6、如权利要求5所述的非线性元件的制造方法，其特征在于：上述高压退火处理在温度150℃以上、300℃以下，压力0.5MPa以上、2MPa以下的条件下进行。
7、如权利要求1或2所述的非线性元件的制造方法，其特征在于：在上述第一金属膜形成工序后，在含水蒸气氛围中进行上述高压退火，使上述第一金属膜的表面氧化以形成上述绝缘膜；
然后，在上述第二金属膜形成工序中，在上述绝缘膜的表面上形成上述第二金属膜。
8、如权利要求7所述的非线性元件的制造方法，其特征在于：在进行上述高压退火处理后，在低于该高压退火处理的压力下进行对上述绝缘膜退火的再退火处理。
9、如权利要求1或2所述的非线性元件的制造方法，其特征在于：在进行上述第一金属膜形成工序后，进行在上述第一金属的表面上形成第三金属膜的第三金属膜形成工序；
接着，在含水蒸气的氛围中进行高压退火处理，使上述第三金属膜氧化以形成绝缘膜；
然后，在上述第二金属膜形成工序中，在上述绝缘膜的表面上形成上述第二金属膜。
10、如权利要求9所述的非线性元件的制造方法，其特征在于：上述第三金属膜由至少含Ta的金属膜构成。
11、如权利要求9或10所述的非线性元件的制造方法，其特征在于：在进行上述高压退火处理后，在低于该高压退火处理的压力下进行对上述绝缘膜退火的再退火处理。
12、如权利要求8或11所述的非线性元件的制造方法，其特征在于：在进行上述再退火处理后，在上述第二金属膜形成工序中，在上述绝缘膜的表面上形成上述第二金属膜。
13、如权利要求8、11或12所述的非线性元件的制造方法，其特征在于：上述再退火处理通过在含水蒸气或氮的氛围中进行而使上述绝缘膜结晶化。
14、如权利要求8、11、12或13所述的非线性元件的制造方法，其特征在于：上述再退火处理在温度100℃以上、500℃以下的条件下进行。
15、如权利要求7至14中任一项所述的非线性元件的制造方法，其特征在于：上述高压退火处理在温度250℃以上、600℃以下，压力在0.5MPa以上、3MPa以下的条件下进行。
16、如权利要求15所述的非线性元件的制造方法，其特征在于：上述高压退火处理在温度300℃以上、400℃以下，压力在0.5MPa以上、2MPa以下的条件下进行。
17、一种电光学装置的制造方法，是一种具有保持电光学物质的基板的电光学装置的制造方法，其特征在于：通过权利要求1～16中任意一项所述的制造方法把非线性元件作为象素开关元件形成在上述基板上保持上述电光学物质一侧的面上，同时在该基板上形成与上述非线性元件连接的象素电极。
18、如权利要求17所述的电光学装置的制造方法，其特征在于：上述电光学物质是液晶。
19、一种具有保持电光学物质的基板的电光学装置，其特征在于：通过权利要求1～16中任意一项所述的制造方法把非线性元件作为象素开关元件形成在上述基板保持上述电光学物质一侧的面上。
20、一种电光学装置，具有保持电光学物质的基板，在该基板上保持上述电光学物质一侧的面上把由第一金属膜、绝缘膜和第二金属膜构成的非线性元件作为象素开关配置，其特征在于：上述绝缘膜通过对上述第一金属膜进行退火处理形成。
21、一种电光学装置，具有保持电光学物质的基板，在该基板上保持上述电光学物质一侧的面上把由第一金属膜、绝缘膜和第二金属膜构成的非线性元件作为开关元件配置，其特征在于：上述绝缘膜通过对形成在上述第一金属膜的表面上的第三金属膜进行退火处理形成。
22、如权利要求19～21中任意一项所述的电光学装置，其特征在于：上述电光学物质是液晶。
23、一种电子仪器，其特征在于：把权利要求19～22中任意一项所述的电光学装置作为显示部配置。
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