CN1322176C - 具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910010092 LiAlO2 Inorganic materials 0.000 abstract 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007648 laser printing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N lithium aluminate Chemical compound [Li+].[O-][Al]=O YQNQTEBHHUSESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
一种具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法,其步骤:先合成制备γ-LiAlO2靶材,然后利用射频磁控溅射方法在α-Al2O3或硅单晶衬底上制备γ-LiAlO2单晶薄膜,本发明方法的工艺简单、易操作,此种具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底材料适合于高质量GaN的外延生长。
Description
技术领域
本发明涉及InN-GaN基蓝光半导体外延生长,特别是一种采用射频磁控溅射法制备具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法。
背景技术
以GaN为代表的宽带隙III-V族化合物半导体材料正在受到越来越多的关注,它们具有优异的特性,如稳定的物理和化学性质、高热导和高电子饱和速度、直接带隙材料的光跃迁几率比间接带隙的光跃迁几率高一个数量级,因此宽带隙InN-GaN基半导体在蓝、绿光发光二极管(LEDs)和激光二极管(LDs)、高密度信息读写、水下通信、深水探测、激光打印、生物及医学工程,以及超高速微电子器件和超高频微波器件方面具有广泛的应用前景。由于InN-GaN熔点比较高,N2饱和蒸汽压较大,InN-GaN体单晶制备十分困难,因此InN-GaN一般是在异质衬底上用外延技术生长的。
由于GaN熔点高、硬度大、饱和蒸汽压高,故要生长大尺寸的GaN体单晶需要高温和高压,波兰高压研究中心在1600℃的高温和20kbar的高压下才制出了条宽为5mm的GaN体单晶。在当前,要生长大尺寸的GaN体单晶的技术更不成熟,且生长的成本高昂,离实际应用尚有相当长的距离。
白宝石晶体(α-Al2O3)和硅易于制备,价格便宜,且具有良好的高温稳定性等特点,α-Al2O3是目前最常用的InN-GaN基外延衬底材料(参见Jpn.J.Appl.Phys.,第36卷,1997年,第1568页)。
铝酸锂(γ-LiAlO2)是近几年才受到重视的InN-GaN基外延衬底材料,由于其与GaN外延膜的晶格失配度相当小,只有1.4%,这使它有望成为一种相当理想的GaN外延衬底材料,参见美国专利USP6218280B1,Kryliouk Olga,Anderson Tim,Chai Bruce,“Method and apparatus for producing group-III nitrides”。
上述在先技术衬底(α-Al2O3、硅或γ-LiAlO2)存在的显著缺点是:
(1)用α-Al2O3和硅作衬底,该衬底和GaN之间的晶格失配度高,达14%,使制备的GaN薄膜具有较高的位错密度和大量的点缺陷;
(2)由于LiAlO2熔体高温下易发生非化学计量比挥发,晶体生长困难,难以获得大尺寸、高质量的LiAlO2单晶体,最大的蓝宝石直径达到350mm,而LiAlO2的直径都在100mm以下;而且,衬底的加工过程会造成大量原材料的浪费。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于克服上述现有技术的缺点,提供一种用作InN-GaN基蓝光半导体外延生长的具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法,该方法的工艺简单、易操作,所制备的衬底材料适合于高质量GaN的外延生长。
在本发明的关键是:利用射频磁控溅射法,在α-Al2O3或硅衬底上直按生成γ-LiAlO2覆盖层。在这里α-Al2O3或硅起支撑其上的γ-LiAlO2薄层的作用,此种结构衬底适合于高质量GaN薄膜的外延生长。
本发明方法包括两个步骤:首先是γ-LiAlO2的制备,然后利用射频磁控溅射法是α-Al2O3或硅衬底上制备一γ-LiAlO2覆盖层。
本发明的具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法具体工艺流程如下:
<1>称取一定量的LiOH和Al2O3(摩尔比2∶1)放入反应容器中,在空气气氛中加热保持温度在600℃充分反应1.5h(以上),即可得到γ-LiAlO2,然后将γ-LiAlO2粉压制成靶材。
<2>在单晶衬底上利用射频磁控溅射方法制备γ-LiAlO2薄膜。
射频磁控溅射的机理是Ar+经电场加速后成为高能入射粒子撞击γ-LiAlO2靶材,和靶原子碰撞,把部分动量传给靶原子,此靶原子又和其他靶原子碰撞,形成级联过程,在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量,离开靶被溅射出来,在离靶材的表面数厘米处放置的单晶衬底上附着、堆积,从而淀积成γ-LiAlO2薄膜。
本发明的特点是:
<1>、直接采用γ-LiAlO2作靶材利用射频磁控溅射技术,在单晶衬底上生成γ-LiAlO2覆盖层,避免了与衬底进行反应制备γ-LiAlO2薄膜,有利于控制γ-LiAlO2薄膜的厚度和薄膜的均匀性。
<2>、在具有γ-LiAlO2薄膜覆盖层衬底的结构中,α-Al2O3或硅仅起支撑其上的γ-LiAlO2薄层的作用,可选用多种衬底来支撑γ-LiAlO2。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明作进一步说明。
本发明的射频磁控溅射技术制备的具有γ-LiAlO2薄膜覆盖层衬底的具体工艺流程如下:
<1>称取一定量的LiOH和Al2O3(摩尔比2∶1)放入反应容器中,在空气气氛中加热保持温度在600℃充分反应1.5h(以上),即可得到γ-LiAlO2,然后将γ-LiAlO2粉压制成靶材。
<2>在单晶衬底上用射频磁控溅射装置制备γ-LiAlO2薄膜。
实施例1
称取一定量的LiOH和Al2O3(摩尔比2∶1)放入反应容器中,在空气气氛中加热,在600℃条件下,保持温度充分反应1.5h(以上),即可得到γ-LiAlO2,然后将γ-LiAlO2粉压制成靶材;
将抛光、清洗过的α-Al2O3单晶衬底送入Edwards ESM100型射频磁控溅射装置,该装置的真空室的尺寸为φ322×270mm,抽真空系统为机械泵、油扩散泵,附加液氮冷却阱,真空度可达2×10-4Pa,靶座内径100mm,内腔通冷却水,用压圈和螺钉固定靶。基板座φ250mm,内通冷却水,靶与基板之间的距离约60mm。溅射用的射频电源发生器用晶体管控制,功率可在0~1000W范围内调节,输出阻抗为50Ω,频率为13.56MHz。在溅射沉积薄膜时,仪器系统的基础真空压力为2×10-3Pa,射频功率范围为100-250W,靶直径为85mm,厚度3mm,溅射工作气体为纯度≥99.999%的高纯氩气,氩气压强为6.6×10-2Pa,衬底为双面抛光的α-Al2O3单晶片,衬底温度为600℃,薄膜淀积速率为0.063nm/s(合38/min),采用石英晶振片监控淀积速率,薄膜厚度为500nm。
实施例2
称取一定量的LiOH和Al2O3(摩尔比2∶1)放入反应容器中,在空气气氛中加热保持温度在600℃充分反应1.5h(以上),即可得到γ-LiAlO2,然后将γ-LiAlO2粉压制成靶材;
将抛光、清洗过的Si单晶衬底送入Edwards ESM100型射频磁控溅射装置,真空度大于2×10-4Pa,溅射用纯度≥99.999%的高纯氩气,氩气压强为6.6×10-2Pa,衬底温度为700℃,薄膜淀积速率为0.063nm/s左右,薄膜厚度为500nm。
经实验证明,该方法的工艺简单、易操作,制备的具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底材料适合于高质量GaN的外延生长。
Claims (2)
1、一种具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法,其特征是先制备γ-LiAlO2靶材,然后利用射频磁控溅射方法在α-Al2O3或硅衬底上形成γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层。
2、根据权利要求1所述的具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法,其特征在于包括下列具体步骤:
<1>γ-LiAlO2靶材制备:按摩尔比2∶1称取一定量的LiOH和Al2O3放入反应容器中,在空气气氛中加热,在600℃,保温时间≥1.5小时,以充分反应,得到γ-LiAlO2,然后将γ-LiAlO2粉压制成靶材;
<2>在α-Al2O3或硅单晶衬底上制备γ-LiAlO2薄膜:将抛光、清洗过的α-Al2O3或硅单晶衬底送入射频磁控溅射装置,仪器系统的基础真空压力为2×10-3Pa,溅射工作气体为纯度≥99.999%的高纯氩气,衬底为双面抛光的α-Al2O3或硅单晶片,薄膜淀积速率为0.063nm/s,采用石英晶振片监控淀积速率,得到γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层的衬底材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2004100667488A CN1322176C (zh) | 2004-09-28 | 2004-09-28 | 具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2004100667488A CN1322176C (zh) | 2004-09-28 | 2004-09-28 | 具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1614104A CN1614104A (zh) | 2005-05-11 |
CN1322176C true CN1322176C (zh) | 2007-06-20 |
Family
ID=34764942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2004100667488A Expired - Fee Related CN1322176C (zh) | 2004-09-28 | 2004-09-28 | 具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1322176C (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101330116B (zh) * | 2007-06-18 | 2010-06-02 | 周明奇 | 具有氧化锌缓冲层的铝酸锂基板结构 |
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CN1476047A (zh) * | 2003-06-27 | 2004-02-18 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | γ-LiAlO2/α-Al2O3复合衬底材料的制备方法 |
CN1482688A (zh) * | 2003-07-29 | 2004-03-17 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | γ-LiAlO2/α-Al2O3柔性衬底材料及其制备方法 |
CN1523640A (zh) * | 2003-09-05 | 2004-08-25 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 适用于InN-GaN外延生长的复合衬底材料及其制备方法 |
-
2004
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6218280B1 (en) * | 1998-06-18 | 2001-04-17 | University Of Florida | Method and apparatus for producing group-III nitrides |
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CN1523640A (zh) * | 2003-09-05 | 2004-08-25 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 适用于InN-GaN外延生长的复合衬底材料及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN1614104A (zh) | 2005-05-11 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
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