CN1298187A - 变热敏材料常数宽温区热敏电阻 - Google Patents
变热敏材料常数宽温区热敏电阻 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1298187A CN1298187A CN 99124527 CN99124527A CN1298187A CN 1298187 A CN1298187 A CN 1298187A CN 99124527 CN99124527 CN 99124527 CN 99124527 A CN99124527 A CN 99124527A CN 1298187 A CN1298187 A CN 1298187A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- thermistor
- temperature
- sintering
- value
- variable constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
本发明涉及一种变热敏材料常数(B值)宽温区热敏电阻,该热敏电阻是由氧化镁、氧化锰、三氧化二铁为原料组成的珠状负温度系数热敏电阻,采用预烧、烧结、高温快速还原处理的方法制成,经过还原处理后铁系热敏材料不仅具有高阻低B值电学特性,而且具有显著的变B值特性,其B值随着温度的增加呈连续性地快速增大,从而成为制作宽温区热敏电阻的理想材料。
Description
本发明涉及一种变热敏材料常数(B值)宽温区热敏电阻
通常认为使用温区能达到250℃或更宽的热敏电阻为宽温区热敏电阻。宽温区热敏电阻一般是为配合数字仪表而使用的。这要求宽温区热敏电阻在使用温区内阻值变化不超过三个数量级和高温端阻值不能太小,即宽温区热敏电阻应具有高阻低B值电学特性。
已有的宽温区热敏电阻(参见US Pat3,510,820,无机材料学报,1992,7(3):318-321)存在两个主要问题:
1)选材上存在着困难。通常热敏电阻的室温电阻率与其B值成正比关系,高阻材料具有高B值,低阻材料具有低B值。这样满足宽温区热敏电阻的高阻低B值要求就有一定的难度。
2)热敏电阻的温度系数α=-B/T。一般热敏电阻的B值随着温度的提高仅有小幅度的增加。因此随着温度的增加,热敏电阻的温度系数将显著降低,从而影响其使用温区的拓宽。
为解决目前存在的问题,本发明经过大量的研究试验,研制出适合0-300℃温区内使用的铁系宽温区热敏电阻。
本发明目的在于,研制的变热敏材料常数(B值)宽温区热敏电阻,该热敏电阻是由氧化镁、氧化锰、三氧化二铁为原料组成的珠状负温度系数热敏电阻,采用予烧、烧结、高温快速还原处理的方法制成;所得样品的室温阻值R25℃由还原前的2-20MΩ降为5-50KΩ;并同时具有显著的变B值特性,室温B(25-50)值降为1500-2000K,随着温度的增加其B值连续性地增加,300℃附近的B(275-300)值达到4200-4900K。
本发明研制的变热敏材料常数(B值)宽温区热敏电阻,经过大量的研究结果表明二价铁的出现与否对铁系热敏材料的电学特性影响甚大,二价铁的出现能大幅度地增加铁系数热敏材料的载流子浓度和降低电导激活能,铁系热敏材料的电学特性可以在很宽的范围内变化。基于此特性本发明采用了一种烧结后快速还原的方法,将烧结后的铁系热敏电阻再进行高温快速还原处理。经过快速还原处理后,铁系热敏电阻的表层成为低阻低B层,而内层仍为高阻高B层,热敏电阻的电学特性就是内层高阻高B值与表层低阻低B值相并联的结果。低温端0℃附近,热敏电阻的表层电阻远小于内层电阻,热敏电阻的电特性主要决定于表层电阻。随着温度的增加,内层电阻的下降幅度远大于表层电阻,内层电阻对电特性的贡献愈来愈大,至高温端300℃附近,内层电阻反而远小于表层电阻,这时热敏电阻的电特性将主要决定于内层电阻。因此经过快速还原出理的铁系热敏电阻将很容易地满足宽温区热敏电阻的高阻低B值要求,并且由于其显著的变B值特性使其在300℃附近仍具有较高的电阻温度系数。
本发明研制的变热敏材料常数(B值)宽温区热敏电阻,该热敏电阻是由氧化镁、氧化锰、三氧化二铁为原料组成的珠状负温度系数热敏电阻,采用予烧、烧结、高温快速还原处理的方法制成,所述原料各组份的配比为(含量为原子百分比):氧化镁10-40at%、氧化锰40-10at%、三氧化二铁20-80at%;该热敏电阻的制备方法为将原料氧化镁、氧化锰、三氧化二铁按比例称量,进行混合、研磨、成型、予烧温度1000℃,时间1小时,再进行烧结,温度1250℃,时间2小时,将烧结后的样品放置在封装火焰顶部的内火处进行还原处理,时间20秒,还原后进行玻璃封装即可。
参见附图
图1为宽温区热敏电阻的R-T特性
图2为宽温区热敏电阻的B-T特性
实施例1(以原子百分比为单位)
取氧化镁10at%、氧化锰10at%、三氧化二铁80at%进行混合、研磨、成型、予烧温度1000℃,时间1小时,再进行烧结,温度1250℃,时间2小时,将烧结后的样品放置在封装火焰顶部的内火处进行还原处理,时间20秒,还原后进行玻璃封装即可。
实施例2(以原子百分比为单位)
取氧化镁40at%、氧化锰40at%、三氧化二铁20at%进行混合、研磨、成型、予烧温度1000℃,时间1小时,再进行烧结,温度1250℃,时间2小时,将烧结后的样品放置在封装火焰顶部的内火处进行还原处理,时间20秒,还原后进行玻璃封装即可。
实施例3(以原子百分比为单位)
取氧化镁20at%、氧化锰40at%、三氧化二铁40at%进行混合、研磨、成型、予烧温度1000℃,时间1小时,再进行烧结,温度1250℃,时间2小时,将烧结后的样品放置在封装火焰顶部的内火处进行还原处理,时间20秒,还原后进行玻璃封装即可。
Claims (2)
1、一种变热敏材料常数宽温区热敏电阻,其特征在于,该热敏电阻是由氧化镁、氧化锰、三氧化二铁为原料组成的珠状负温度系数热敏电阻,采用予烧、烧结、高温快速还原处理的方法制成,所述原料各组份的配比为(含量为原子百分比):氧化镁10-40at%、氧化锰40-10at%、三氧化二铁20-80at%。
2、根据权利要求1所述的变热敏材料常数宽温区热敏电阻的制备方法,其特征在于将原料氧化镁、氧化锰、三氧化二铁按比例称量,进行混合、研磨、成型、予烧温度1000℃,时间1小时,再进行烧结,温度1250℃,时间2小时,将烧结后的样品放置在封装火焰顶部的内火处进行还原处理,时间20秒,还原后进行玻璃封装即可。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 99124527 CN1093681C (zh) | 1999-11-27 | 1999-11-27 | 宽温区热敏电阻及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 99124527 CN1093681C (zh) | 1999-11-27 | 1999-11-27 | 宽温区热敏电阻及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1298187A true CN1298187A (zh) | 2001-06-06 |
CN1093681C CN1093681C (zh) | 2002-10-30 |
Family
ID=5283450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 99124527 Expired - Fee Related CN1093681C (zh) | 1999-11-27 | 1999-11-27 | 宽温区热敏电阻及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1093681C (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102122552A (zh) * | 2010-12-08 | 2011-07-13 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种热敏指数可变的负温度系数热敏电阻 |
CN104370526A (zh) * | 2013-08-15 | 2015-02-25 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种具有电阻负温度系数铁浆的制备方法 |
CN110542488A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-12-06 | 安徽晶格尔电子有限公司 | 一种利用热敏电阻基片进行高温测定的方法 |
-
1999
- 1999-11-27 CN CN 99124527 patent/CN1093681C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102122552A (zh) * | 2010-12-08 | 2011-07-13 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种热敏指数可变的负温度系数热敏电阻 |
CN102122552B (zh) * | 2010-12-08 | 2012-11-07 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种热敏指数可变的负温度系数热敏电阻 |
CN104370526A (zh) * | 2013-08-15 | 2015-02-25 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种具有电阻负温度系数铁浆的制备方法 |
CN104370526B (zh) * | 2013-08-15 | 2016-07-13 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种具有电阻负温度系数铁浆的制备方法 |
CN110542488A (zh) * | 2019-09-23 | 2019-12-06 | 安徽晶格尔电子有限公司 | 一种利用热敏电阻基片进行高温测定的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1093681C (zh) | 2002-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Choi et al. | Electrical and CO gas sensing properties of layered ZnO–CuO sensor | |
Sabioni et al. | First study of manganese diffusion in Cr2O3 polycrystals and thin films by SIMS | |
Široký et al. | Iron oxide thin film gas sensor | |
Choe | New gas sensing mechanism for SnO2 thin-film gas sensors fabricated by using dual ion beam sputtering | |
Shao et al. | Reconstruction of climate change on Changbai Mountain, northeast China using tree-ring data | |
Nunes et al. | Influence of the deposition conditions on the gas sensitivity of zinc oxide thin films deposited by spray pyrolysis | |
US20190369040A1 (en) | Room temperature nitrogen dioxide gas sensor | |
CN1298187A (zh) | 变热敏材料常数宽温区热敏电阻 | |
Carlos-Chilo et al. | Study of Columnar Growth Polycrystalline (Sn, Cr) co-doped In2O3 films deposited by sputtering technique for potential gas sensors applications | |
Velmathi et al. | Analysis of factors for improving functionality of tin oxide gas sensor | |
Lee et al. | A microsensor array with porous tin oxide thin films and microhotplate dangled by wires in air | |
CN202036206U (zh) | 红外体温计 | |
CN101659544B (zh) | 一种低成本负温度系数热敏材料及其制备方法 | |
Lee et al. | Three electrodes gas sensor based on ITO thin film | |
Le et al. | Electrical properties and stability of low temperature annealed (Zn, Cu) co-doped (Ni, Mn) 3O4 spinel thin films | |
CN114384124A (zh) | 一种抗漂移的双气敏膜气体传感器 | |
Zeng et al. | On Coble creep in ultrafine‐grained Cu | |
Vyas et al. | Comparative Study of Fe‐Doped ZnO Nanowire Bundle and Their Thin Film for NO2 and CH4 Gas Sensing | |
He et al. | Gas sensitivity of Zn doped α-Fe2O3 (SO42−, Sn, Zn) to carbon monoxide | |
Vijayalakshmi et al. | Effect of heat treatment on the NO2-sensing properties of sputter-deposited indium tin oxide thin films | |
Aleksić Obrad et al. | Volume air flow sensors based on NTC thick film segmented thermistors | |
Ge et al. | Influence of annealing condition on giant magnetoresistance of FeCo–Cu granular films | |
Hartmann | Thermal resistance of thermal barriers in polycrystalline diamond | |
Li et al. | Holocene environmental changes in Zhujiang Delta | |
Yang et al. | Surface structure and electrical properties of Ag based low emissivity film by vacuum magnetron sputtering |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C19 | Lapse of patent right due to non-payment of the annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |