CN1294647C - 一种降低rfcmos器件噪声的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种降低RFCMOS器件噪声的方法，具体是在集成电路的制造过程中，介于晶体管和金属铝之间增加一层金属屏蔽层，该金属屏蔽层覆盖除有接触孔的地方(包括PAD)外的所有区域，金属屏蔽层接地或接某固定电压。进行这样的结构设计，可以将电路中的晶体管与RF电路及其它上层铝线进行了有效的隔离。而实现这样的结构设计也比较简单，只是在标准的CMOS工艺上增加一金属屏蔽层的制作。
Description
技术领域
本发明属于集成电路制造技术领域，具体涉及一种降低RFCMOS器件噪声的方法。
背景技术
RFCMOS器件在现代通讯，IT领域正得到广泛应用。例如，Bluetooth技术以它特有的产品间无线连接的优势更被认为是下一代通讯产品的发展方向。为了实现这样复杂而快速的功能，一个通常的RFCMOS器件通常需要至少这样3个模块：RF电路，CMOS逻辑电路，ADC/DAC等模拟电路。
RF电路是实现无线通讯的信号出入口。其主要组件电感，电容通常由较上层金属层做成。RF电路发射的无线信号对接受目标而言是信号，但对器件本身其它电路而言是躁声。CMOS逻辑电路包括嵌入式存储器(SRAM，DRAM，Falsh memory等)、逻辑电路、时序电路等等。这部分电路通常抗躁声能力很强，有较大的工作余量。但是，ADC/DAC等模拟电路通常对各种躁声十分敏感。
事实上，这些躁声直接影响ADC/DAC重要性能之一----分辨率。来自器件内部的躁声包括2部分：一部分来自ADC/DAC组件，这里不做讨论；另一部分来自上层铝线，特别是RF电路。
发明内容
本发明的目的在于提出一种可降低RFCMOS器件噪声的方法。
在传统的用分立元件设计的RF电路模块中，经常是用金属层将RF电路模块全部屏蔽起来，可以有效减少RF电路与其他电路之间的相互影响。联系到集成电路的实际制造及使用，本发明提出在RFCMOS器件中介于晶体管和金属铝之间设置一金属屏蔽层，这层金属屏蔽层覆盖除有接触孔的地方(包括PAD)外的所有区域，且金属屏蔽层接地或接某固定电压，如图1所示。
本发明的结构设计，可以将电路中的晶体管与RF电路及其它上层铝线进行有效的隔离。使RF电路及其它上层铝线对ADC/DAC等模拟电路噪声最小化。而实现这样的结构设计也比较简单，只是在标准的CMOS工艺上增加一金属屏蔽层的制作，如图1所示。金属屏蔽层采用铝(AL)，铜(Cu)或其它金属，厚度为0.3微米到2微米。
现有标准CMOS工艺简略流程如下：首先进行晶体管制作，然后进行自对准金属硅化物(Salicide)层的制作、层间介质ILD(层间膜通常为SiO2)制作、接触孔制作，最后进行多层铝配线即可完成整个集成电路的制造，如图2所示。
而增加一金属屏蔽层的制作工艺只是在ILD(通常为SiO2)制作中增加铝(AL)淀积、金属屏蔽层光刻、金属屏蔽层刻蚀及SiO2淀积，如图3所示。
附图说明
图1本发明的结构示意图。
图2现有标准CMOS工艺简略流程。
图3本发明中的ILD(通常为SiO2)工艺简略流程。
附图标号：1表示晶体管部分需要连线的部分、2是金属屏蔽层、3表示把金属屏蔽层接地或某个固定电压、4表示晶体管部分。
5表示晶体管制作、6表示自对准硅化物层制作、7表示层间介质制作、8表示接触孔制作、9表示多层铝配线、10表示完成。
11表示金属屏蔽层的淀积、12表示金属屏蔽层的光刻、13表示金属屏蔽层的刻蚀、14为表示SiO2淀积。
具体实施方式
本发明的具体实施方式如下：
1、通过常规的标准CMOS工艺流程完成晶体管制作；
2、进行自对准硅化物层制作；
3、用SiO2完成层间介质(ILD)制作；
4、进行铝金属屏蔽层的淀积；
5、进行铝金属屏蔽层的光刻；
6、进行铝金属屏蔽层的刻蚀；
7、进行SiO2淀积；
8、常规的标准CMOS工艺流程完成接触孔制作以及多层铝配线制作等工艺步骤，完成整个集成电路的工艺制作。
本发明充分利用了金属屏蔽层可以对干扰进行屏蔽的原理，在介于晶体管和金属铝之间增加一层金属屏蔽层，可以将电路中的晶体管与RF电路及其它上层铝线进行了有效的隔离，可以取得良好的效果。
Claims (2)
1、一种降低RFCOMS器件噪声的方法，其特征在于RFCOMS器件中介于晶体管和金属铝之间设置一个金属屏蔽层，该金属屏蔽层覆盖除有接触孔地方以外的所有区域，并且接地或接某固定电压。
2、根据权利要求1所述的降低RFCOMS器件噪声的方法，其特征在于所说金属屏蔽层采用铝或铜，厚度为0.3微米到2微米。
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