CN1281997A

CN1281997A - 液晶显示装置

Info

Publication number: CN1281997A
Application number: CN00121715A
Authority: CN
Inventors: 前田宏
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-07-21
Filing date: 2000-07-20
Publication date: 2001-01-31
Also published as: JP2001033809A; KR20010015376A

Abstract

象素电极仅位于采用横向电场系统的液晶显示装置的有源矩阵阵列基板中的象素单元的一侧,而公共电极仅位于象素单元的另一侧。这种结构提高了孔径比。另外,两个相邻的象素共享接触视频信号的一条视频信号线,并且也共享其间的一个公共电极作为公共电极。这种结构进一步提高了孔径比,并减少了驱动器LSI的数量。

Description

液晶显示装置

本发明涉及有源矩阵液晶显示装置领域，本发明尤其涉及向液晶施加横向电场的液晶显示象素结构。

液晶显示装置(LCD)已经商业化，并被研究作为平面显示器的主要装置。特别是，人们已经积极研究了生产通常用于图象显示的大容量显示器的技术。液晶显示器由于具有低功耗的轻、薄结构而正日益被看作是CRT的替代。

在有源矩阵LCD中，通常采用的是TN(扭曲向列型)模式。这种类型的LCD是通过在近似垂直于基板面的方向上向液晶施加电场来工作的。另一方面，日本专利公开号为S56-91277的文献中建议采用一种所谓的横向电场系统，它施加一种近似垂直于基板面的电场，来改进LCD的观察角特征。图17是传统的LCD有源矩阵阵列基板的平面图，而图18是传统的LCD的截面图。

如图17和18所示，在玻璃基板1a上形成矩阵图象显示区，它包括由薄膜晶体管(TFT)制成的开关装置、象素电极7、视频信号线6、扫描信号线2、公共信号线3，和公共电极4，以及从外部驱动器电路接收信号的信号输入电极组，以形成阵列基板AR。该阵列基板AR的截面图如图18所示。从上往下看时，公共电极4沿象素电极7延伸，并且公共电极4和象素电极7是形成在不同面上，由栅极绝缘膜5隔开。扫描信号线2(图18中未示出)是形成在同一平面上作为公共电极4上的。TFT分别采用视频信号线6和象素电极7，作为源电极和漏电极。辅助电容C是通过将栅极绝缘膜5夹在一部分象素电极7和扫描信号线2之间而形成的。每一象素电极7和公共电极4叉指式布置。

如图18所示，相向的基板CF，包括透明玻璃基板1b的阻光层9、彩色层10和涂层11。

由玻璃纤维或树脂粒制成的隔片12介于这些基板1a和1b之间。象素电极7和彩色层10相互面对，并且由树脂粘结剂制成的密封材料15粘结在一起。液晶复合物13被注入到隔片12产生的空间内。起偏器16是附在粘结基板的两个外表面上以形成LCD的。

下面描述上述LCD的操作。顺序施加电连接开关装置(TFT)的扫描信号，如来自图17上面的信号，到每一扫描线2。采用不是用于控制连接TFT的扫描信号线，例如图17以前一条线的扫描信号线，形成辅助电容C。要显示的含有图象信息的电压有选择地从视频信号线6通过TFT提供到象素电极7。公共信号线3向公共电极4提供恒定电压。一对象素电极7和公共电极4向液晶施加横向电场，液晶分子根据基板上施加的电压旋转和自己排齐。液晶分子的旋转改变通过液晶层的光的相位差，从而液晶板的透射率通过与起偏器16的组合而调制。

如上所述构成的LCD在理论上实现了满意的观察角特征。

然而，在传统的LCD中，象素电极7和公共电极4在单个的象素单元中形成叉指，每一电极占据一部分象素单元，使孔径比减小。这减小了LCD的透射率，并且在要求在高亮度的应用场合如液晶监视器和电视机中增加背光亮度。这使功耗和成本增加。

本发明提供了一种具有高性能的廉价的液晶显示装置(LCD)。

本发明的LCD仅在象素单元一侧具有象素电极，在相同基板上仅在象素单元的另一侧具有公共电极。换言之，该LCD具有一个阵列基板，包括一条以上的视频信号线和排列成矩阵的扫描信号线，位于这些视频信号线和扫描信号线截面上的至少一个或多个开关装置、与开关装置相连的象素电极，和面向象素电极的公共电极。LCD还包括面向具有预定间隔相间的阵列基板的相向基板，和填充在阵列基板和相向基板间的液晶显示器。电极对，即象素电极和公共电极，产生近似平行于两个基板面的用来改变液晶取向的电场。

当单个的象素单元是一个由相邻视频信号线和相邻扫描信号线隔开的区域时，象素电极仅位于每一象素单元的一侧，而公共电极位于每一象素电极的另一侧。

在本发明的LCD中，公共电极通过绝缘层与扫描信号线相交，并与视频信号线平行。

在本发明的LCD中，公共电极与扫描信号线相交。至少相邻的象素共享一条视频信号线，而另一的相邻象素共享一个公共电极。

在本发明的LCD中，公共电极与扫描信号线相交，并且与视频信号线平行。公共电极和视频信号线交替。单个的象素单元是一个由相邻的公共电极和相邻的扫描信号线隔开的区域。

在本发明的LCD中，除了第一和第四个典型实施例中的LCD以外，象素电极和公共电极中的至少一个通过绝缘层重叠在视频信号线上。

除非本发明中特别说明，从其更宽的方面上说，液晶显示器包含：

第一电极结构，它包含：

多条相邻的视频信号线和扫描信号线，它们排列成阵列，大体与所述信号线垂直，并与之绝缘；至少一个开关装置位于每一个所述视频信号线和所述扫描信号线交叉处；

具有一个侧面的象素电极，象素电极与每一个所述开关装置连接；以及

用于每一所述象素电极的单个公共电极，它沿大体与所述象素电极平行的所述象素电极的所述侧面延伸，并与之隔开。

该显示器还包含一第二基板结构，它位于所述第一基板结构上，与填充在其间的空间中的液晶具有预定的间隔。第一和第二基板结构具有大体成平面并相互平行的各内表面。象素电极和单个的公共电极产生与液晶层平行的电场，改变液晶的取向。

仅采用一个公共电极和一个象素电极，本发明使得能够采用横向电场系统增加LCD的孔径比，并降低成本。

图1是按照本发明的第一个典型实施例的阵列结构平面图。

图2是按照本发明第一个典型实施例的LCD的截面图。

图3是按照本发明的第二个典型实施例的阵列结构平面图。

图4是图3中沿4-4截取的截面图。

图5是按照本发明的第三个典型实施例的阵列结构平面图。

图6是图5中沿6-6截取的截面图。

图7是按照本发明的第四个典型实施例的阵列结构平面图。

图8是图7中沿8-8截取的截面图。

图9是按照本发明的第五个典型实施例的阵列结构平面图。

图10是图9中沿10-10截取的截面图。

图11是按照本发明的第六个典型实施例的阵列结构平面图。

图12是图11中沿12-12截取的截面图。

图13是按照本发明的第七个典型实施例的阵列平面图。

图14是按照本发明的第七个典型实施例的另一个阵列的平面图。

图15是按照本发明的第七个典型实施例的另一个阵列的平面图。

图16是按照本发明的第七个典型实施例的另一个阵列的平面图。

图17是传统的液晶显示装置中使用的总的阵列基板的平面图。

图18是传统的液晶显示装置结构的截面图。

标号说明：

1a．1b 玻璃基板

2，2a，2b 扫描信号线

3 公共信号线

4，4a，4b 公共电极

5 栅极绝缘膜

6，6a，6b 视频信号线7，7a，7b象素电极

8 防护绝缘膜

9 阻光层

10 彩色层

11 涂层

12 隔片

13 液晶组件

14 漏电极

15 密封物

16 起偏器

17 辅助电容电极

C 辅助电容

AR 阵列基板

CF 相向基板

下面参照附图描述本发明的典型实施例。

第一个典型实施例

图1是本发明的第一个典型实施例中的一部分阵列基板和LCD的主要部分的局部放大平面图。图2是实现本发明的LCD的局部截面图。下面描述细节。具有与图17和18中的现有技术中相同功能的元件用相同的标号表示，因此其说明从略。

在第一个典型实施例的LCD中，将一层200nm厚的铝溅射到0．7mm厚的玻璃绝缘基板1a上，随后通过光刻形成与公共信号线电连接的扫描信号线2、公共信号线3和公共电极4。接着，将一层50nm厚的氧化钽溅射到表面上，随后用等离子体CVD形成一层350nm厚的氮化硅，形成双层的栅极绝缘膜5。通过等离子体CVD，淀积一层50nm厚的非晶硅，它是一层半导体，随后是100nm氧化硅的半导体保护膜。随后，通过光刻将包括半导体保护膜在内的这些层处理成岛屿形状。接着通过等离子体CVD淀积一层50nm厚的含有磷的非晶硅层。在最上面一层上，顺序形成两层金属，如150nm厚的铝和50nm厚的钛。两金属层通过光刻处理形成如图1所示的视频信号线6和象素电极7。在这一点处，形成具有半导体保护膜的非晶硅薄膜晶体管器件(图中的TFT)，作为开关装置。这使得能够将来自视频信号线6的电压通过TFT有选择地施加到象素电极7。

每一象素是一个由相邻扫描线导体2和相邻音频信号导体6隔开的区域。只有一个公共电极4靠近并平行于象素一侧处的视频信号线6，即最靠近图1中所示右侧的视频信号线6。象素电极7平行于视频信号线6，面向象素单元中的公共电极4，位于象素另一侧处最靠近视频信号线6的地方，即，最靠近图1中象素左侧的视频信号线6的地方。象素间距在沿扫描信号线的方向(图1中的水平方向)上是20μm，在沿视频信号线6的方向(图1中的垂直方向)上是60μm。最后，采用等离子体CVD方法在表面上淀积由360nm厚的氮化硅组成的防护绝缘膜8，并采用光刻技术形成连接驱动器LSI(未图示)的电极，形成阵列基板(AR)。这里，在上扫描信号线2与电连接到象素电极7的电极之间，用栅极绝缘层5作为其介电层，形成辅助电容C。这里，“上”扫描线2指的是形成如图所示象素上限的扫描线2，而不是与扫描线2处于不同面上的另一条扫描线。

相向基板CF包括用氧化钛作为弥散抗蚀剂(resist)以及由抗蚀剂制成的的彩色层10在透明玻璃基板1b上形成的阻光层9。彩色层10的抗蚀剂由弥散的红、绿和蓝颜料组成，这些颜料按照象素的间距周期分布。随后，施加一使抗蚀剂平坦的丙烯酸涂层11，生成一滤色镜。由抗蚀剂颗粒组成的隔层(spacer)12分布在相向基板CF的涂层11上，并以阵列基板AR的象素电极7面向相向基板CF的彩色层10，与由树脂粘结剂组成的密封材料15粘结在一起。随后，将液晶注入到由隔层12生成的间隙内。将两基板粘结在一起的结构和处理过程与现有技术中的是相同的。起偏器16附在这些被粘结的基板外表面上，形成LCD。如上所述的LCD的基本操作与现有技术中的是相同的，因而其说明这里从略。

象素孔径比是由一对象素电极7和公共电极4之间受控的液晶的区域百分比决定的。象素的水平间距用L表示，最小行宽如象素电极7和公共电极4以及最小连线间距为简便起见用w表示。在现有技术中，如图17所示，总共有5行象素电极和公共电极，两行间隔，在靠近视频信号线左、右各一行，在一个象素中，液晶是不受控的。视频信号线自己也占据一个与一行等效的区域。因此，实际有效的象素宽度是L-8*w。因此，对于现有技术，估计孔径比是(L-8*w)／8。另一方面，在第一个典型实施例中，一个象素中总共只有两行象素电极和公共电极。估计孔径比是(L-5·w)／L。因此，明显，本发明的孔径比明显高于现有技术。

如上所述，在本典型实施例中，象素电极7位于每一象素单元所一侧，而公共电极4位于每一象素单元的另一侧。这使得孔径比大于传统结构中的情况。因此，背光所消耗的功率按比例减小，但所实现的亮度水平相同。

换言之，在相同水平的功耗上，可以提高亮度。另外，导光板(未示出)，可以是背光的一部分，可以做得更薄，所使用的透镜片数可以减小，故给出更便宜和更轻的LCD。

在第一个典型实施例中，辅助电容C介于象素电极7和上扫描信号线2之间。然而，也可以是介于象素电极7和公共信号线4之间的。铝或钛用于水平信号线6或象素电极7。然而也可以采用几种不同的材料。在第一个典型实施例中，将非晶硅薄膜晶体管器件用作开关装置。然而，也可以是多硅薄膜晶体管器件、由硅晶片制成的MOS(金属氧化物半导体)晶体管，或在反射型显示装置的情况下是在硅片上的MOS晶体管。绝缘膜是由氮化硅制成的，也可以包括氧化硅或树脂。

第二个典型实施例

图3是本发明第二个典型实施例中的LCD中使用的主要部件阵列基板AR的局部放大平面图。图4是图3中沿4-4线取得的阵列截面图。正如第一个典型实施例的那样，一个象素是由相邻的扫描信号线2和相邻视频信号线6隔开的区域。下面描述其细节。除了下面描述的点以外，第二个典型实施例与第一个典型实施例是相同的。

象素电极7平行于视频信号线6，靠近象素单元的一侧处的TFT。公共电极4平行于象素另一侧处的视频信号线6，通过栅极绝缘膜5与扫描信号线2相交，并保持足够的距离，以防止与视频信号线6短路。

在第二个典型实施例中，去掉了与图1中的扫描信号线2平行的公共信号导体，用以进一步提高第一个典型实施例的效果，一则也进一步提高孔径比。

第三个典型实施例

图5是本发明第三个典型实施例中LCD主要部分一部分阵列基板AR的局部放大平面图。图6是图5中沿6-6线截取的截面图。下面描述这一部分的细节。除了下面描述的点以外，第三个典型实施例与第一个典型实施例是相同的。

扫描信号线2具有最小必要间隔，并且两条扫描信号线2成一对。TFT形成在每一扫描信号线2的顶层。学第三个典型实施例中，一个象素是一个用相邻视频信号线6、公共电极4个扫描信号线2隔开的区域。其间具有视频信号线6的相邻象素的TFT共享一条视频信号线6，并且由不同的扫描信号线2控制，通过每一TFT向每一象素电极7提供独立的电位。其间具有公共电极4的相邻象素共享一个公共电极4。视频信号线6、公共电极4和象素电极7是形成在相同的层上的。

第三个典型实施例将视频信号线6数减少了一半，将公共电极数减少了一半，并去掉了公共信号导线3。这进一步改进了第一个典型实施例的效果，并因此提高了孔径比。也可以将提供视频信号的驱动器LSI的输出数减少一半。另一方面，提供扫描信号的LSI的输出数增加了一倍。然而，由于视频信号线6的数量通常是扫描信号线2的几倍，所以驱动器LSI的输出数可以在总体上减小。因此，第三个典型实施例降低了成本，并且实现了更小、更轻的LCD。

第四个典型实施例

图7是本发明的第四个典型实施例中LCD主要部件一部分阵列基板AR的局部放大平面图。图8是图7中沿8-8截取的阵列结构截面图。下面描述其细节。除了下面描述的点以外，第四个典型实施例与第一和第三个典型实施例是相同的。一个象素是一个由相邻扫描信号线2和相邻视频信号线6隔开的区域。

在第四个典型实施例的LCD中，在相同的平面上与视频信号线6一起，提供了一个与开关装置(TFT)相连的辅助电容C的漏电极14和一个电极17。通过光刻，在防护绝缘膜8的表面上形成一个孔图形，并且这些孔是用干刻蚀过程打开的，产生漏电极14、公共电极4和辅助电容C的接触孔(分别为H1、H2和H3)。接着，溅射100nm的钛膜，并且通过光刻使象素电极7和公共电极4形成如图7所示的形状。象素电极7通过用于漏电极14的接触孔H1与TFT漏电极14相连，并通过用于辅助电容C的接触孔H3，与用于辅助电容C的电极17相连。每一象素的公共电极4通过用于公共电极4的接触孔H2与公共信号导线3相连。公共信号线3是平行于扫描信号线2而形成在相同的平面上的。

在图7所示的结构中，对于视频信号线6(a)和6(b)和扫描线2(a)和2(b)之间形成的象素，象素电极7位于视频信号线6(a)上方，即，靠近TFT的行处，并通过绝缘层8与扫描行隔开。类似地，公共电极4位于视频信号线6(a)的上方(它是相邻象素的驱动信号线)。再有，该信号线通过绝缘层8与视频信号线隔开。同一视频信号线6上的象素电极7和公共电极4之间有一个间隙，以避免短路。

第四个典型实施例中的阵列基板是如上所述形成的。

在第四个典型实施例中，象素电极7和公共电极4的顶部是没有防护膜形成的。然而，可以有一个诸如氮化硅或树脂的防护膜。

由于现有技术中有两个金属层(两个平面)，并且只有栅极绝缘膜5用作绝缘膜，所以其制造过程简单。然而，相同平面上的象素电极7、公共电极4和视频信号线6的间隔具有某些限制。按照本发明的第四个典型实施例有三个金属层(三个平面)，因此象素电极7和公共电极4可以用两层栅极绝缘膜5和防护绝缘膜8重叠在视频信号线6的上方。这就使得无需因保持足够的间隔而需要某些限制。因此，第四个典型实施例改进了第一个典型实施例的效果，因此也提高了孔径比。

第五个典型实施例

图9是本发明的第五个典型实施例中LCD主要部件一部分阵列基板AR的局部放大平面图。图10是图9中沿10-10截取的阵列结构的截面图。下面描述其细节。除了下面描述的点以外，第五个典型实施例与第四个典型实施例是相同的。

在第五个典型实施例中，在扫描信号线2上形成公共电极4而去掉了公共电极导线3。与第四个导线实施例中一样，通过TFT漏电极14和绝缘膜之间形成的接触孔H1，使象素电极7位于TFT顶部形成的防护绝缘膜8上，重叠在视频信号线6上方。公共电极4也通过防护绝缘膜8重叠在视频信号线6上，并与扫描信号线2相交，同时保持一定的间距，以避免与同一视频信号线6上的象素电极7短路。

作为选择，绝缘膜也可以形成在象素电极7和公共电极4的顶部。上述结构进一步改进了第四个导线实施例的效果，因此提高了孔径比。

第六个导线实施例

图11是本发明第六个典型实施例中的LCD主要部分一部分阵列基板AR的局部放大平面图。图12是沿图11中12-12截取的阵列结构的截面图。下面描述其细节。除了下面描述的点以外，第六个典型实施例与第三个典型实施例是相同的。

在第六个典型实施例中，象素电极7位于TFT顶部形成的绝缘膜上，其方式是与视频信号线6重叠。象素电极7通过绝缘膜上的接触孔H1与TFT漏电极14电连接。象素电极7还通过接触孔H3与辅助电容电极17相连。

作为选择，绝缘膜也可以形成在象素电极7和公共电极4的顶部。一个象素是一个由相邻视频信号线6、公共电极4和扫描信号线2隔开的区域。

上述结构进一步改进了典型实施例的效果，因此也提高了孔径比。用来提供视频信号的驱动器LSI的输出数还可以被减少二分之一，使得可以降低成本，并实现更小、更轻的LCD。

第七个典型实施例

图13是本发明第七个典型实施例中LCD主要部件一部分阵列基板AR的局部放大平面图。第七个典型实施例比第六个典型实施例更好，它减少了一对扫描信号线2中的一个。

各个元件(包括视频信号线6a和6b、公共电极4a和4b、象素电极7a和7b、辅助电容C以及TFT)的平面和截面结构与第六个典型实施例中是一样的。防护绝缘膜8也是以同样的方式形成的。换言之，有三个金属层(三个平面)；和两层绝缘膜，它们是栅极绝缘膜5和防护绝缘膜8。不同之点在于将扫描信号线2从一对减少成一个。与其他的典型实施例不同的是，象素是由相邻公共电极4a和4b以及相邻扫描信号线2a和2b隔开的一个象素区域而驱动的。因此，视频信号线6穿过每一象素。象素电极7固定重叠在视频信号线6上。为了避免视频信号线6对显示区的影响，如图13所示，象素电极7的宽度最好略比视频信号线6稍宽。

第七个典型实施例通过将第六个典型实施例中的一对扫描信号线2减少到一个扫描线2，进一步提高了孔径比。

通过改变公共电极4a和视频信号线6a以及视频信号线6a和公共电极4b之间的间距，也可以改变每一对电极中电场的分布。不同的电场分布实现了可以由电场控制的液晶的不同观察角特征。采用一个象素中具有不同观察角特征的两个区域，能够进一步通过使观察角相互偏移而改进整个观察角特征。

第八个典型实施例

图14是本发明第八个典型实施例中LCD主要部件一部分阵列基板AR的局部放大平面图。第八个典型实施例具有与第七个典型实施例相同的结构，并且还在象素电极7上提供一个狭缝，用以减小象素电极7和视频信号线6之间的寄生电容。

第九个典型实施例

图15是按照本发明的第九个典型实施例中LCD主要部件一部分阵列基板AR的局部放大平面图。在第九个典型实施例中，形成的两个象素电极7a靠近视频信号线6a的两侧，视频信号线6a穿过每一象素，从而信号来自不同TFT被提供到每一象素电极7。这些TFT共享源极和栅极。图15中所示的结构与图5中所示的第三个典型实施例的结构是相似的，所不同的是扫描信号线2的数量从两条减少到一条，因此可以采用相同的工艺进行制造。然而，如上所述，其象素结构是不同的。第九个典型实施例的结构还使得无需图13和14中所示的防护绝缘膜，并且具有仅需要两层金属的优点。换言之，视频信号线6、象素电极7、漏电极14、辅助电容电极17和公共电极4都形成在相同的金属层平面上。第九个典型实施例具有略小的孔径比，但通过简化工艺过程而降低了成本。另外，每一象素具有两个TFT减小了对显示质量的影响，即使有一个TFT有缺点也是这样，从而提高了产量。

第十个典型实施例

图16是本发明第十个典型实施例中LCD主要部分一部分阵列基板AR的局部放大平面图。如果大的象素间距使得一对象素电极7和公共电极4之间的间距太宽，通过使至少一个电极形成叉指结构，可以实现所要求的电极间距。

如上所述，本发明提高了LCD的孔径比，并提高了在LCD中使用光的效率。

因此，通过减小功耗或背光成本(cost)，可以实现具有高性能的廉价的LCD。另外，第三个和第六个典型实施例还降低了成本，并通过减少驱动器LSI的输出数，实现了更小和更轻的LCD。

采用横向电场系统的LCD主要具有良好的观察角特征，但也可以进一步得到改进。

Claims

1．一种液晶显示装置，其特征在于，它包含：

第一基板结构，所述基板结构包含：

大体以垂直于所述信号线并与之绝缘而排列成阵列的多条视频信号线和扫描信号线；

至少一个开关装置，所述开关装置位于每一所述视频信号线和所述扫描信号线的交叉点处；

具有一个侧面的象素电极，所述象素电极与每一所述开关装置相连；以及

用于每一所述象素电极的单个公共电极，所述单个的公共电极沿大体平行于所述象素电极的所述象素电极的所述侧面延伸，并与之隔开。

2．如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，它还包含：

位于所述第一基板结构上方并与之隔开预定间隔的第二基板结构；

填充在所述第一基板和所述第二基板之间的所述空间中的液晶；

其中，施加在所述象素电极和所述公共电极之间的电场将所述液晶的排列从第一状态改变成第二状态。

3．如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，由两条相邻的视频信号线和两条相邻的扫描信号线隔开的区域包含一象素。

4．如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述公共电极在一绝缘层上方跨越所述扫描信号线，并沿平行于所述视频信号线的方向延伸。

5．如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述公共电极沿平行于所述视频信号线的方向延伸，所述公共电极和所述视频信号线位置交替，并且在最接近的公共电极和视频信号线之间形成一个象素区域。

6．如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置在相邻象素之间包含两条扫描信号线。

7．如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述象素电极和所述公共电极中的至少一个位于所述视频信号线的上方，并通过一绝缘层与之隔开。

8．如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述象素电极和所述公共电极中的至少一个位于所述视频信号线的上方，并通过一绝缘层与之隔开。

9．如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述象素电极和所述公共电极中的至少一个位于所述视频信号线的上方，并通过一绝缘层与之隔开。

10．如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述象素电极和所述公共电极中的至少一个位于所述视频信号线的上方，并通过一绝缘层与之隔开。

11．一种液晶显示装置，其特征在于，它包含：

具有大体为平面的内表面的阵列基板，它包含：

多条视频信号线和多条扫描信号线，它们跨越所述信号线排列成阵列并与之绝缘；至少一个开关装置位于每一所述视频信号线和所述扫描信号线的交叉点处；

用于每一所述象素电极的单个公共电极，所述单个公共电极沿大体平行于所述象素电极的所述象素电极的侧面延伸，一相向基板还具有朝向所述阵列基板内表面并与之隔开的大体为平面的内表面；以及

填充在所述内表面之间的液晶；

其中，所述液晶在受到近似平行于两基板内表面的电场的作用时会改变其排列；并且所述象素电极和所述公共电极产生这样的平行电场，所述公共电极平行于所述视频信号线，并且所述视频信号线和所述公共电极是交替排列的。

12．如权利要求11所述的装置，其特征在于，象素区域是一个由相邻公共电极和相邻扫描信号线隔开的区域，并且所述视频信号线和象素电极位于所述象素区域内。

13．如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述象素电极位于所述视频信号线上方，并且通过绝缘层与之隔开。

14．如权利要求12所述的装置，其特征在于，由将所述象素区与所述象素区内的所述象素电极隔开的第一公共电极组成的一对电极中的间隔与由将所述象素区与所述象素区中的所述象素电极隔开的第二公共电极组成的另一对电极中的间隔是不同的。

15．如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述象素电极、所述视频信号线和所述公共电极都是由相同的材料制成的，并且是形成在金属层上同一平面上的。

16．如权利要求11所述的装置，其特征在于，每一象素具有多个所述开关装置和所述象素电极。

17．如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述多个开关装置和象素电极位于所述视频信号线的两侧上。

18．如权利要求16所述的装置，其特征在于，由将所述象素区与所述象素区内的所述象素电极隔开的第一公共电极组成的一对电极中的间隔与由将所述象素区和靠近所述其他公共电极的所述象素区中的所述象素电极隔开的第二公共电极组成的另一对电极中的间隔是不同的。

19．如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述一对电极中的所述公共电极和象素电极以叉指的方式相互面对。

20．如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述一对电极中的所述公共电极和象素电极以叉指的方式相互邻近。

21．如权利要求14所述的装置，其特征在于，所述一对电极中的所述公共电极和象素电极以叉指的方式相互邻近。

22．如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述一对电极中的所述公共电极和象素电极以叉指的方式相互邻近。

23．如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述一对电极中的所述公共电极和象素电极以叉指的方式相互邻近。

24．如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述一对电极中的所述公共电极和象素电极以叉指的方式相互邻近。

25．如权利要求18所述的装置，其特征在于，所述一对电极中的所述公共电极和象素电极以叉指的方式相互邻近。