CN1257213A - 光缆及其制造方法以及从光缆中取出光纤的方法 - Google Patents

Abstract

一种在中心内藏有金属制抗张力体的中心构件的周围将多根光纤以SZ扭绞状态集合,并在其周围覆盖外护层的光缆,在与上述各光纤形成的SZ轨迹的反转部对应的位置处具有通过使抗张力体磁化而形成的带磁部,在上述外护层外侧可分别检测各带磁部,并在与上述带磁部对应的位置处设置反转部表示标志。

Description

光缆及其制造方法以及从光缆中取出光纤的方法

本发明涉及以地下、陆上、架空等方式敷设的光缆及其制造方法以及从光缆中取出光纤的方法，特别涉及以SZ扭绞状态集合的多根光纤的周围覆盖有外护层的光缆及其制造方法以及从光缆中取出光纤的方法。

迄今已知的光缆是在内藏有抗张力体的中心构件的周围将多根光纤以SZ扭绞状态集合，并在其周围覆盖外护层而成。这种光缆可以以地下、陆上、架空等方式敷设。即使在光缆一旦敷设之后，有时也需要在光缆的中间部去除一部分外护层或是将其切开而将光缆中所包含的光纤的一部分取出构成分叉(所谓中间后分叉)。

此处，在内藏有以SZ状延伸的多根光纤的光缆中，相对光缆本体的长度(中心构件的长度也相同)而言内藏的各光纤的长度长。所以，如将光纤形成的SZ轨迹的反转部(指光纤从S扭绞到Z扭绞或从Z扭绞到S扭绞反转的部分)附近的外护层去除，不必过度拉伸光纤就可将光纤平滑地从光缆中取出。有鉴于此，如果能从光缆的外护层的外侧判断光纤形成的以SZ扭绞状态集合轨迹的反转部，就可提高在光缆敷设后的进行分叉的作业性。

作为与上述事项相关联的技术，已知有美国专利No.4,828,352号及美国专利No.5,729,966号公开的内容。在这些文献中记载的现有的光缆是在中心构件的周围将多根光纤(光纤芯线或管状芯线)以SZ扭绞形式集合而成。并且，在集合光纤的周围利用合成树脂等形成的外护层进行包覆。并且，在外护层上在与各光纤形成的SZ轨迹的反转部对应的位置处附上记号、文字等反转部表示标志。

这种光纤是按照下面的顺序制造。即在从光纤扭绞工序开始一直到外护层形成工序为止的一条生产线的场合，在将表示标志形成装置配置于外护层冷却水槽的下游侧的同时，在用来在中心构件的周围扭绞光纤用的多个分线板(lay plate)之中取出示出位于最下游侧的分线板的反转方向的信号。并且，如果根据此信号、中心构件的供料长度及预定的偏移长度可判断反转部到达表示标志形成装置的下方时，就利用表示标志形成装置在外护层上形成反转部表示标志。

另外，在光纤扭绞工序与外护层形成工序分开的场合，在光纤扭绞工序中，利用和在上述的一条生产线上制造光缆的场合同样的手法判断反转部的位置，在各光纤的外周上卷绕的压紧卷带之上粘贴表示反转部的位置的色带及金属带等。并且，在外护层成形工序中，在外护层挤压成形之前，利用颜色传感器、金属传感器等检测粘附在压紧卷带上面的色带等，根据此检测信号在挤压成形的外护层上形成反转部表示标志。

但是，上述文献中公开的光缆，在光纤的周围设置外护层之前，是根据为了表示反转部的位置而在压紧卷带上面粘附的色带等，或根据分线板的动作等，在检测反转部位置之上，在挤压成形的外护层上附加反转部表示标志而制造。在如此制造的光缆中，只要不设置反转部表示标志，一旦外护层设置之后，实际上不可能从外护层外侧判断外护层内部的反转部的位置。另外，在制造光缆的场合，必须具有用来粘贴色带等的设备，会增大光缆的制造设备所需费用，进而增加光缆制造成本。

此外，为表示反转部的位置而在外护层上附加的反转部表示标志，有时在光缆敷设后消失。在这种场合，也是只要不完全去除外护层，就不可能从外护层的外侧检测反转部的位置。所以，在外护层上的反转部表示标志剥落的场合，外护层的外侧检测反转部的位置就极为困难，在光缆敷设后进行分叉之际的作业性显著恶化。

所以，本发明课题就是要提供一种可以以简易、低成本方式制造的光缆及其制造方法以及从光缆中取出光纤的方法，此种光缆从外护层外侧可以很容易判断反转部，在敷设后光纤的取出性良好。

为解决上述课题，本发明的光缆，是在中心内藏有金属制抗张力体的中心构件的周围将多根光纤以SZ扭绞状态集合，并在其周围覆盖外护层而制成，其中的抗张力体在与光纤形成的SZ轨迹的反转部对应的位置处具有带磁部，在外护层上与带磁部对应的位置处设置有反转部表示标志。

此光缆，是在与光纤形成的SZ轨迹的反转部对应的位置处通过使上述抗张力体磁化而形成带磁部，从外护层的外侧检测此带磁部并在外护层上与带磁部对应的位置处设置反转部表示标志而制成的。

此光缆制造方法是在一种在中心构件的周围以SZ扭绞状态集合多根光纤而制造光缆的方法。在这种光缆中，光纤形成的SZ轨迹的反转部位于以光缆的中心轴为中心的同一圆周上(另外，所谓“光纤”是作为光纤芯线、带状芯线、带状芯线集成体、管状芯线等的总称而使用)。根据这一点，在这种光缆制造方法中，以与光纤形成的SZ轨迹的反转部的位置相对应的方式通过使抗张力体磁化而形成带磁部。

借助使抗张力体磁化而形成的带磁部，如采用磁性检测装置等，就可以容易且确实地从外护层的外侧进行检测。所以，通过检测抗张力体的带磁部就可以判断各光纤的反转部的位置。这样，根据本发明的光缆制造方法，就可以容易且低成本地制作能够从外护层的外侧判断各光纤形成的SZ轨迹的反转部的光纤。

另外，在根据此光缆制造方法制造的光缆中，不论有无表示反转部位置的反转部表示标志，当在光缆的中间部去除外护层的一部分取出光纤进行分叉之际，可以很容易判断作业上最合适的反转部的位置而提高作业效率。所以，因为此光缆容易找出分叉最合适的地点并可以进行灵活的分叉作业，所以适合于在不得不缩短光缆余长的地点(比如地下)敷设。

于是，在借助外护层检测带磁部的同时，通过在与外护层的带磁部相对应的位置设置反转部表示标志，在与光纤形成的SZ轨迹的反转部的位置正确对应的状态下，可在外护层上附加反转部表示标志。另外，在光缆完成之后，还可以检查反转部表示标志是否与光纤反转部的位置正确对应。另外，因为在外护层设置之前无须设置用于表示光纤反转部的标记，所以可防止在设置外护层之际标记材料(涂料、各种带子等)混入外护层材料之中。

此处，中心构件为在外周上形成多个可容纳上述光纤的SZ状的螺旋沟的多沟定位件，如将预定根数的光纤分别内藏的多个光纤单元在中心构件的周围以SZ扭绞状态集合，则将很容易使光纤在中心构件的周围以SZ扭绞状态集合。

此光纤单元最好是将光纤收纳于单沟定位件内或松套管内而形成。

或者是本发明的光纤结构为在中心内藏有金属制抗张力体的中心构件的周围以SZ扭绞状态集合多个内层光纤的同时，在内层光纤的周围以SZ扭绞状态集合多个外层光纤，并在其周围包覆外护层的此光缆中，抗张力体具有在与内层光纤形成的内层SZ轨迹的内层反转部对应位置处设置的第一带磁部及在抗张力体的外层光纤形成的外层SZ轨迹的外层反转部对应位置处设置的可与第一带磁部互相识别的第二带磁部。

此光缆的制造方法包括在内层光纤形成的内层SZ轨迹的内层反转部对应位置处，通过使抗张力体磁化而形成第一带磁部的工序及在外层光纤形成的外层SZ轨迹中包含的外层反转部对应位置处，通过使抗张力体磁化而形成可与第一带磁部互相识别的第二带磁部的工序。

从光缆，可装纳极多根光纤。在此场合，所谓“光纤”也是作为光纤芯线、带状芯线、带状芯线集成体、管状芯线等的总称而使用。

另外，在此光纤中，在将内层于中心构件中的抗张力体在与内层光纤形成的内层SZ轨迹的内层反转部对应位置处受到磁化的同时，在与外层光纤形成的外层SZ轨迹的外层反转部对应位置处也受到磁化(第二带磁部)。在抗张力体磁化之际，应使第一带磁部和第二带磁部可互相识别。在此场合，为了使第一带磁部和第二带磁部能可靠地识别，最好是使第一带磁部的磁通密度和第二带磁部的磁通密度不同。另外，最好使抗张力体纵长方向上的第一带磁部的长度与抗张力体纵长方向上的第二带磁部的长度不同，并且最好是使第一带磁部和第二带磁部中的磁通密度沿抗张力体的纵长方向改变。

对通过使抗张力体磁化而形成的第一带磁部和第二带磁部，如使用磁性检测装置，可在区别两者的状态下从外护层的外侧容易而可靠地进行检测。于是，通过检测抗张力体的第一带磁部和第二带磁部就可以分别独立地判断各光纤的内层反转部及外层反转部。

这样，本发明的光缆就是可以从外护层的外侧判断各光纤形成的SZ轨迹的反转部并可容易而低成本地制造的光缆。

此外，此光缆，无论有无表示反转部的位置的反转部表示标志，对内层及外侧两方面都可以在光缆的中间部通过去除外护层的一部分取出光纤进行分叉之际，能够很容易的判断作业上最合适的反转部位置，使作业效率提高。所以，因为此光缆容易找出分叉最合适的地点并可以进行灵活的分叉作业，所以适合于在不得不缩短光缆余长的地点(比如地下)敷设。

另外，在制造光缆时最好是通过从外护层的外侧分别检测各带磁部，在与第一带磁部对应的位置处的外护层上设置内层反转部表示标志，在与第二带磁部对应的位置处的外护层上设置可与内层反转部表示标志互相识别的外层反转部表示标志的办法在外护层上标记可互相识别的反转部表示标志。

这样一来，就可以在与内层反转部与外层反转部的位置正确对应的状态下在外护层上附加内层/外侧反转部表示标志。此外，在光缆完成后，还可以检查内层/外侧反转部表示标志与内层/外侧反转部的位置是否正确对应。另外，因为在外护层设置之前无须设置用于表示光纤反转部的标记，所以可防止在设置外护层之际标记材料(涂料、各种带子等)混入外护层材料之中。

此处，中心构件为在外周上形成多个可容纳内层光纤的多个SZ状的螺旋沟的多沟定位件，如将外侧光纤内藏的多个光纤单元在多沟定位件的周围以SZ扭绞状态集合，分别备有多个内藏内层光纤的内层光纤单元和内藏外层光纤的外层光纤单元，内层光纤单元在中心构件的周围以SZ扭绞状态集合，外层光纤单元在内层光纤单元周围以SZ扭绞状态集合，则很容易制造内层光纤和外层光纤分别以SZ扭绞状态集合的光缆。

在这些场合，光纤单元最好是将光纤容纳于单沟定位件或松套管之中而形成。

本发明的从光缆中取出光纤的方法包括在光纤形成的SZ轨迹的反转部对应位置处，通过使抗张力体磁化而预先形成带磁部的工序及从外护层的外侧检测此带磁部而去除与外护层的带磁部对应的部分的工序。

或者是，本发明的从光缆中取出光纤的方法包括在内层光纤形成的内层SZ轨迹的内层反转部对应位置处，通过使抗张力体磁化而预先形成第一带磁部的同时，在外层光纤形成的外层SZ轨迹中的外层反转部对应位置处，通过使抗张力体磁化而预先形成可与第一带磁部互相识别的第二带磁部的工序，从外护层的外侧至少检测第一带磁部和第二带磁部的一方并去除外护层与第一带磁部和第二带磁部至少一方对应的部分的工序。

根据本发明的详细说明并参考附图可以更充分了解本发明。这些仅仅是示例而已，本发明并不限于这些示例。

本发明的进一步应用范围可从下面的详细介绍中得知。然而，虽然详细说明及特定事例示出本发明的优选实施形态，但本发明的思想及范围的种种变形及改进本领域人员可据此详细说明获得自是不言而喻的。

图1为示出本发明的光缆的第一实施形态的剖面图。

图2为示出在图1的光缆中包含的光纤单元的剖面图。

图3A～图3C为用来说明设置在图1的光缆中的第一带磁部和第二带磁部的模式图。

图4为用来说明第一带磁部和第二带磁部的磁通密度的分布状态的模式图。

图5A～图5C为用来说明设置在图1的光缆中的内层反转部表示标志及外层反转部表示标志的模式图。

图6A～图6C为内层反转部表示标志及外层反转部表示标志的其他实施例的模式图。

图7、图8为示出用来制造图1的光缆的光缆生产线的模式图。

图9为示出本发明光缆的第二实施形态的剖面图。

图10为示出在图9的光缆中所包含的光纤单元的剖面图。

图11为示出本发明光缆的第三实施形态的剖面图。

图12为为示出用来制造图11的光缆的光缆生产线的模式图。

图13为示出本发明光缆的第四实施形态的剖面图。

图14A～图14C为用来说明图13的光缆中的带磁部及反转部表示标志的模式图。

图15、图16分别为示出本发明光缆的第五及第六实施形态的剖面图。

下面参考附图对本发明的光缆及其制造方法以及从光缆中取出光纤的方法的优选实施形态予以详细说明。为了易于理解本说明，对各图中的同一构件尽可能以同一标号表示，且重复的说明部分省略。

第一实施形态

图1为示出本发明的光缆的第一实施形态的剖面图。在同图示出的光缆1的中央，配置有实现中心构件作用的纵长的圆柱形构件2。此圆柱形构件2由LPED等合成树脂形成，外径为14mm。在圆柱形构件2的中心，埋设一根由钢绞线构成的抗张力体3。此钢绞线由7根直径2mm的钢线绞合而成。在圆柱形构件2的外周上有9个内层光纤单元4i分别以SZ扭绞状态安置(参考图3A)。各内层光纤单元4i的SZ扭绞间距(等于相邻反转部之间的距离2倍的长度)为700mm，SZ的反转角φ为275°。

图2为示出光纤单元4(4i、4o)的结构图。如图2所示，这些光纤单元4是由单沟定位件5及带状芯线集成体6(光纤)单元化而形成的部件。单沟定位件5由PBT树脂制造，为直长形构件，剖面大致为U字形。单沟定位件5的底部和一对侧部形成可容纳光纤芯线、管状芯线、带状芯线等各种光纤的一个光纤容纳部5a。单沟定位件5各个尺寸为Bu＝6.0mm，bu＝4.0mm，B1＝5.0mm，b1＝3.5mm，D＝5.0mm，d＝4.5mm。

带状芯线集成体6是由10根各有8根光纤的8芯带状芯线集成而成。带状芯线集成体6容纳于单沟定位件5的光纤容纳部5a之中。这样，在容纳带状芯线集成体6的单沟定位件5的周围卷绕无纺布等的压紧卷带7。据此使单沟定位件5i和带状芯线集成体6i单元化。通过使各内层光纤单元4i以SZ扭绞状态安置在中心构件2的周围，作为内层光纤的各带状芯线集成体6i就以SZ扭绞状态集合在圆柱形构件2的周围。

如图1所示，在圆柱形构件2的外周面上，在以SZ扭绞状态安置的各内层光纤单元4i的周围以无纺布等的压紧卷带8卷绕不留空隙。这样，在压紧卷带8的周围，就安置了以SZ扭绞状态集合的16根外层光纤单元4o。各外层光纤单元4o的SZ扭绞间距为900mm，SZ的反转角φ为275°。

此外层光纤单元4o的构成，如前所述，与内层光纤单元4i相同。通过使各外层光纤单元4o在内层光纤单元4i的周围以SZ扭绞状态安置，作为外层光纤的各带状芯线集成体6o在各内层光纤单元4i的周围以SZ扭绞状态集合。这样，光缆1就具有在圆柱形构件2的周围以SZ扭绞状态集合的多个内层光纤(带状芯线集成体6i)的周围还以SZ扭绞状态集合多个外层光纤(带状芯线集成体6o)的2层结构。因此，此光缆1可装纳极多的光纤(带状芯线集成体)。

在以SZ扭绞状态安置在内层光纤单元4i周围的外层光纤单元4o的周围以压紧卷带9卷绕不留空隙。在压紧卷带9的周围再设置以低密度聚乙烯形成的外径为41mm的外护层10。据此，光缆1的内部就得到保护。另外，如图1所示，在此外护层10中内藏一根拉开带11。

在光缆1的外护层10的内部，如图3A所示，各内层光纤单元4i(带状芯线集成体6i)形成以SZ状延伸的轨迹(以下称之为“内层SZ状轨迹”)。在此内层SZ状轨迹中包含的带状芯线集成体6i从S扭绞状态到Z扭绞状态，或从Z扭绞状态到S扭绞状态的反转部分(以下称之为“内层反转部Ri”)。在此场合，内层侧的带状芯线集成体6i形成的SZ轨迹的反转部Ri位于以光缆1的中心轴为中心的同一圆周上。

同样，在光缆1的外护层10的内部，如图3B所示，各外层光纤单元4o(带状芯线集成体6o)形成以SZ状延伸的轨迹(以下称之为“外层SZ状轨迹”)。在此外层SZ状轨迹中包含的带状芯线集成体6o从S扭绞状态到Z扭绞状态，或从Z扭绞状态到S扭绞状态的反转部分(以下称之为“外层反转部Ro”)。外层侧的带状芯线集成体6o形成的SZ轨迹的反转部Ro位于以光缆1的中心轴为中心的同一圆周上。

这样一来，在内藏以SZ状延伸的多个光纤单元4i、4o(带状芯线集成体6i、6o)的光缆1中，相对光缆1(中心构件2)的长度各带状芯线集成体6i、6o的长度长。所以，如将各内层光纤单元4i、4o形成的SZ轨迹的反转部Ri、Ro附近的外护层10去除，不必过度拉伸光纤就可将光纤(带状芯线集成体6i、6o)平滑地从光缆1中取出。

根据这些点，在此光缆1中，如图3C所示，为了从外护层10的外侧判断内层/外侧反转部Ri、Ro，对内藏于圆柱形构件2中的抗张力体3在与内层光纤单元4i(带状芯线集成体6i)形成的内层SZ状轨迹的内层反转部Ri相对应的位置磁化。另外，对抗张力体3，在与外层光纤单元4o(带状芯线集成体6o)形成的外层SZ状轨迹的内外层反转部Ro相对应的位置磁化。通过磁化抗张力体3而形成的第一带磁部Z1和第二带磁部Z2如使用磁性检测装置(如玛科梅研究所制造的磁性检测器FS201)，就可在区别两者的状态下从外护层10的外侧容易而可靠地进行检测。

此外，第一带磁部Z1和第二带磁部Z2是可以互相识别的。在此光缆1中，为了区别与内层反转部Ri对应的第一带磁部Z1和与外层反转部Ro对应的第二带磁部Z2，可使第一带磁部Z1的磁通密度(平均磁通密度)和第二带磁部Z2的磁通密度(平均磁通密度)不同。另外，在第一带磁部Z1和第二带磁部Z2中的磁通密度可沿抗张力体3的纵长方向改变。并且，此光缆1，其在抗张力体3纵长方向上的第一带磁部Z1的长度与抗张力体3纵长方向上的第二带磁部Z2的长度可以不同。

就是说，如图4所示，在第一带磁部Z1和第二带磁部Z2两者之中，磁通密度的分布是在第一带磁部Z1和第二带磁部Z2的纵长方向上的这些处有一峰值，在靠近两端时逐渐减小。于是，与内层反转部Ri对应的第一带磁部Z1的磁通密度平均为1000G(高斯)，而与外层反转部Ro对应的第二带磁部Z2的磁通密度平均为2000G(高斯)。另外，第一带磁部Z1的长度为12mm，而第二带磁部Z2的长度为6mm。据此，因为可以可靠地识别第一带磁部Z1和第二带磁部Z2，就可以从外护层10的外侧分别独立地判断各带状芯线集成体6i、6o(内层/外层光纤)的内层反转部Ri及外层反转部Ro的位置。

在此，为了在光缆的中间部去除外护层的一部分取出光纤进行分叉之际提高作业效率，光纤的SZ扭绞间距越长的场合，就越是需要精度更高地判断反转部的位置。在此光缆1中，与内层光纤单元4i的SZ扭绞间距Pi(700mm)比较，外层光纤单元4o的SZ扭绞间距Po(900mm)较长。

此处，在此光缆1中，在与SZ扭绞间距Po较长的外层光纤单元4o的外层反转部Ro对应的第二带磁部Z2，与内层光纤单元4i的内层反转部Ri对应的第一带磁部Z1比较，磁通密度(平均磁通密度)设定值更大。还有，在光缆1的纵长方向上，第二带磁部Z2的长度比第一带磁部Z1的长度短。据此，从外护层10的外侧，可以以高灵敏度检测与外层反转部Ro对应的第二带磁部Z2。所以，就可以容易且可靠地判断SZ扭绞间距Po长的外层光纤单元4o的外层反转部Ro。

还有，通过使内藏于圆柱形构件2的抗张力体3磁化而预先形成第一带磁部和第二带磁部，当从光缆1取出带状芯线集成体6i、6o时，可以采用下面的方法。即首先在敷设光缆1的地点，通过外护层10至少检测第一带磁部Z1和第二带磁部Z2中的一个。在此场合，最好是使用小型轻量容易携带的磁性检测装置(如电气磁气公司生产的磁强计GM-003)。于是，将与第一带磁部Z1和第二带磁部Z2中至少一个对应的部分去除。

据此，当在光缆1的中间部去除外护层10的一部分取出光纤(带状芯线集成体6i、6o)进行分叉之际，不论有无表示反转部位置的反转部表示标志，对内层及外层两者都可以很容易判断作业上最合适的反转部Ri、Ro的位置。这样一来，因为此光缆容易找出分叉最合适的地点并可以进行灵活的分叉作业，所以适合于在不得不缩短光缆余长的地点(比如地下)敷设。

如上所述，此第一带磁部Z1和第二带磁部Z2可以很容易从外护层10的外侧检测。此处，在此光缆1中，利用这些第一带磁部Z1和第二带磁部Z2，在外护层10上设置指示内层反转部Ri位置的内层反转部表示标志Mi和指示外层反转部Ro位置的外层反转部表示标志Mo。据此，因为在光缆1的中间部去除外护层的一部分取出带状芯线集成体6i、6o进行分叉之际，对内层及外层两者都可以更为容易地判断作业上最合适的反转部Ri、Ro的位置，所以可以极大地提高作业效率。

如图5C所示，在光缆1的外护层10的表面上配置指示与各内层光纤单元4i(带状芯线集成体6i)形成的内层SZ状轨迹的内层反转部Ri对应位置的内层反转部表示标志Mi。同样，在外护层10的表面上配置指示与外层光纤单元4o形成的外层SZ状轨迹中包含的外反转部Ro对应位置的外层反转部表示标志Mo。

在此光缆1上，作为内层反转部表示标志Mi，利用印字装置等，将字母“I”这样的文字标记到外护层10上。据此，内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo就可以互相识别。内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo，考虑到作业时的识别性，最好是位于以光缆1的中心轴为中心的同心圆的同一圆周上。

还有，像光缆1这样，在内层光纤单元4i的SZ扭绞间距Pi(700mm)和外层光纤单元4o的SZ扭绞间距Po(900mm)不同的场合，如图5A、图5B的右侧那样，内层反转部Ri和外层反转部Ro会出现重合的部分。因此，在此光缆1中，如图5C所示那样，在与外护层10的内层反转部Ri和外层反转部Ro重合的部分对应的地点互相标记上指示内层反转部Ri的“I”字母和指示外层反转部Ro的“O”的字母。

据此，根据内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo就可以找出内层反转部Ri和外层反转部Ro接近或一致的地点。比如，在从光缆1取出内层侧的带状芯线集成体6i的场合，当然，一旦也需要取出外层光纤单元4o(带状芯线集成体6o)时，在此光缆1中，可以在内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo接近或一致的地点去除外护层10，可以极大地提高在光缆敷设后减小分叉之际的作业效率。

这样，在此光缆1中，在该光缆的中间部去除外护层10的一部分取出任何带状芯线集成体6i、6o进行分叉之际，对内层反转部Ri和外层反转部Ro两者都可以从光缆1的外护层10的外侧通过目视分别独立地判断。所以，为了在敷设光缆1之后减小分叉而去除外护层10之际，因为对内层就外层两者很容易判断作业上最适合的反转部Ri、Ro的位置，所以可极大地提高作业效率。

作为内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo，如图6A～图6C所示，最好是采用标识(记号)。在图6C的示例中，在与外护层10的内层反转部Ri对应的位置，作为内层反转部表示标志Mi，是以细长的金属带12(比如，长30mm，宽大约5mm的铜带)沿光缆1的纵长方向粘贴。另一方面，在与外护层10的外层反转部Ro对应的位置，作为外层反转部表示标志Mo，是以细长的金属带12在与光缆1的纵长方向垂直粘贴。

还有，如图6从外护层的外侧右侧部分所示，在与外护层10的内层反转部Ri和外层反转部Ro重合的部分对应的地点，作为内层反转部表示标志Mi，沿光缆1的纵长方向在外护层10上粘贴的金属带12之上与光缆1的纵长方向垂直(成十字状)再粘贴一个金属带12作为外层反转部表示标志Mo。

采用这种结构时，可以从光缆1的外护层10的外侧分别独立地判断内层反转部Ri和外层反转部Ro两者，所以为了在光缆光缆1敷设之后进行分叉去除外护层10之际，可以更为容易地判断作业上最合适的反转部Ri、Ro的位置，所以可以极大地提高作业效率。另外，作为内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo，如可以对两者进行判断，对其形状等无任何限制，可使用任意的文字、记号、标识。

其次，对此光缆1的制造方法，即本发明的光缆的制造方法的第一实施形态进行详细说明。

在制造光缆1之际，首先利用如图7所示的光纤扭绞生产线50，将内层光纤单元4i扭绞在圆柱形构件2的周围。在此场合，内藏抗张力体3的圆柱形构件2由芯线放线滚筒51放线。另外，内层光纤单元4i由光纤单元放线滚筒52放线。于是，从芯线放线滚筒51和光纤单元放线滚筒52向分线板群53提供一个圆柱形构件2及多个(在此场合为9个)内层光纤单元4i。

各内层光纤单元4i，利用在预定的反转角度内一边交互改变回转方向一边分别独立转动的各分线板54缓慢地以SZ扭绞。在扭绞在圆柱形构件2的周围的各内层光纤单元4i的周围，利用压紧装置55在利用对各内层光纤单元4i进行临时固定用的纱线进行卷绕的同时，由压紧卷带8不留间隙地进行卷绕。据此，在各内层光纤单元4i中所包含的各带状芯线集成体6i就在圆柱形构件2的周围以SZ扭绞状态集合。

另外，在分线板54之中，位于最下游处的分线板54a与图中未示出的编码器连接。从此编码器向控制计算机56给出指示分线板54a的角速度的反转信号。另外，控制计算机56与配置在压紧装置55的下游侧的消磁装置57连接。在消磁装置57的下游侧配置磁化装置58(比如，日本电磁测器公司生产的电容式磁化器SCB-20)。此磁化装置58也与控制计算机56连接。

控制计算机56根据从分线板54a接受的反转信号进行预定的计算求出在圆柱形构件2的周围扭绞的各内层光纤单元4i细长的SZ轨迹的内层反转部Ri到达磁化装置58的下方的定时。于是，控制计算机56，在内层反转部Ri到达磁化装置58的下方时，使磁化装置58动作。如磁化装置58动作，在与各内层光纤单元4i(带状芯线集成体6i)形成的内层SZ轨迹的内层反转部Ri对应的位置处使抗张力体3磁化而形成第一带磁部Z1。还有，在利用磁化装置58磁化抗张力体3之前，要使用消磁装置57将在抗张力体3中残留的磁性去除。从而可提高磁化装置58的磁化效率。处于形成第一带磁部Z1状态的半成品H1由卷绕滚筒59A卷收。

其次，再一次，利用图7所示的光纤扭绞生产线50，将外层光纤单元4o扭绞在各内层光纤单元4i的周围。在此场合，将图7所示的芯线放线滚筒51换成卷绕滚筒59A，同时由光纤单元放线滚筒52进行外层光纤单元4o(在光缆1中两者为同一物)的放线。于是，使分线板群53动作而将各外层光纤单元4o扭绞于各内层光纤单元4i的周围。于是，利用压紧装置55，将压紧卷带9卷绕在各外层光纤单元4o的周围不留空隙。据此，在外层光纤单元4o中包含的各带状芯线集成体6o就在内层光纤单元4i的周围以SZ扭绞状态集合。

还有，利用控制计算机56使消磁装置57和磁化装置58动作。据此，在与外层光纤单元4o(带状芯线集成体6o)形成的外侧SZ轨迹中所包含的外层反转部Ro对应的位置处使抗张力体3磁化而形成第二带磁部Z2。在形成第二带磁部Z2之际，为使第二带磁部Z2可与第一带磁部Z1识别，由利用磁化装置58产生的磁化强度、图形模式应与形成Z1时的不同。处于形成第一带磁部Z1和第二带磁部Z2两者的状态的半成品H2由替换卷绕滚筒59A的卷绕滚筒59B卷收。

如内层光纤单元4i及外层光纤单元4o在圆柱形构件2上的扭绞完成，就利用如图8所示的外护层形成生产线60在半成品H2上包装外护层10。在此场合，如图8所示，卷绕滚筒59B将半成品H2供给外护层挤压装置61。从外护层挤压装置61将在半成品H2周围包装了外护层10的一体化的光缆挤出。此光缆被引入外护层冷却水槽62，据此，外护层10受到冷却并固化。这一状态(为附加反转部表示标志的状态)的光缆也可以当作是成品。据此，就可以容易并低成本地制造从外护层的外侧可以判断各光纤形成的SZ轨迹的反转部的光缆。

还有，在外护层10上设置内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo的场合，如图8所示，在外护层冷却水槽62的下游侧配置磁性检测装置63(如玛科梅研究所制造的磁性检测器FS201)。此磁性检测装置63可从外护层10的外侧检测上述的第一带磁部Z1和第二带磁部Z2的位置。在磁性检测装置63检测第一带磁部Z1和第二带磁部Z2的场合，将指示该点的检测信号送往控制计算机64。还有，此控制计算机64与配置在磁性检测装置63下游侧的可在外护层10上设置内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo的表示标志形成装置65连接。

如图5C所示，在利用文字作为内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo的场合，可利用印字装置(比如依玛久公司生产的喷墨印字机Inkjet)作为表示标志形成装置65。在此场合，为了在外护层10的全周上设置内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo，最好配置3台印字装置。还有，如图6C所示，在附加采用金属带的标识作为内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo的场合，也可采用2台金属带粘贴装置(内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo各用1台)作为表示标志形成装置65。

控制计算机64根据从磁性检测装置63接受的检测信号进行计算求出第一带磁部Z1或第二带磁部Z2(在两者重合的场合为两者)到达表示标志形成装置65的下方的定时。于是，在第一带磁部Z1或第二带磁部Z2到达表示标志形成装置65的下方时，控制计算机64就使表示标志形成装置65动作。

表示标志形成装置65在包覆第一带磁部Z1附近的外护层10上附加内层反转部表示标志Mi(比如“I”字母)，在包覆第二带磁部Z2附近的外护层10上附加外层反转部表示标志Mo(比如“O”字母)。还有，在包覆第一带磁部Z1和第二带磁部Z2重合部分的外护层10上交互附加内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo两者(比如“I”字母和“O”字母)。据此，在与内层/外侧反转部Ri、Ro的位置正确对应的状态下，就可以在外护层10上附加内层/外侧反转部表示标志Mi、Mo。如此光缆1就完成了。完成的光缆1由卷收滚筒66卷收。

如上所述，通过使抗张力体3磁化而形成的第一带磁部Z1和第二带磁部Z2，如使用磁性检测装置63等，可在对其分别区别的状态下，容易而可靠地从外护层10的外侧进行检测。于是，通过检测抗张力体3的第一带磁部Z1和第二带磁部Z2，可以分别独立地判断各内层光纤单元4i、4o的内层/外侧反转部Ri、Ro的位置。这样，根据本发明的制造方法，可以容易并低成本地制造可从外护层10的外侧判断各内层光纤单元4i、4o形成的SZ轨迹的反转部Ri、Ro的光缆1。

还有，在光缆1完成后，可以对内层/外侧反转部表示标志Mi、Mo是否与内层/外侧反转部Ri、Ro的位置正确对应。此外，因为在外护层10设置之前无须设置用于表示内层/外侧反转部Ri、Ro的标记，所以可防止在设置外护层10之际标记材料(涂料、各种带子等)混入外护层材料之中。

另外，在外护层10上设置内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo的场合，第一带磁部Z1和第二带磁部Z2不一定需要与所有的内层/外侧反转部Ri、Ro对应形成。即各反转部Ri、Ro也可以以预定的间隔(1/2Pi，1/2×Po)隔着出现。所以，也可能与间隔预定个数的反转部Ri、Ro相对应地形成第一/第二带磁部Z1、Z2，与各反转部Ri、Ro相对应地附加反转部表示标志Mi、Mo。在此场合，如利用磁性检测装置63检测到第一/第二带磁部Z1、Z2的位置，就可根据以SZ扭绞间距Pi、Po的长度判断各反转部Ri、Ro的位置。这一点特别是对磁化装置需要长时间的运转准备时间的场合有效。

第二实施形态

图9为示出本发明光缆的第二实施形态的剖面图。同图所示的光缆20与第一实施形态的光缆1的构成相同，是利用内层松套管25i及外层松套管25o由内层光纤单元及外层光纤单元构成的。此光缆20也可装纳极多的的光纤(管状芯线集成体)。

内层光纤单元24i，如图10所示，由聚乙烯形成的内层松套管25i(外径6.0mm，内径4.5mm)及外层松套管25o内部容纳的带状芯线集成体26i(内层光纤)组成。带状芯线集成体26i是由8芯带状芯线10根集成而成。还有，在内层松套管25i内部除了带状芯线集成体26i之外还填充有用作缓冲材的润滑脂27。外层光纤单元24o与内层光纤单元24i相同，由外层松套管25o和带状芯线集成体26o(外层光纤)构成。

在此光缆20的中央部配置有用作中心构件的组成圆柱形构件22(LDPE树脂制，直径14mm)。在圆柱形构件22的中心埋设一根由钢绞线构成的抗张力体23。此钢绞线也由7根直径2mm的钢线绞合而成。在圆柱形构件22的外周上有9个内层光纤单元24i分别以SZ扭绞状态安置。各内层光纤单元24i的SZ扭绞间距为700mm，SZ的反转角φ为275°。

如图9所示，在圆柱形构件22的外周面上，在以SZ扭绞状态安置的各内层光纤单元24i的周围以无纺布等的压紧卷带28卷绕不留空隙。这样，在压紧卷带28的周围，就安置了以SZ扭绞状态集合的16根外层光纤单元24o。各外层光纤单元24o的SZ扭绞间距为900mm，SZ的反转角φ为275°。在各外层光纤单元24o的周围以压紧卷带29卷绕不留空隙。在压紧卷带29的周围再设置以低密度聚乙烯形成的外径为41mm的外护层21。另外，在此外护层21中内藏一根拉开带21a。并且，在外护层20表面上，与第一实施形态的光缆1一样，设置内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo(参考图5C或6C)。

在制造此光缆20的场合，也可利用如图7所示的光纤扭绞生产线50将光纤单元24i、24o扭绞安置在圆柱形构件22的周围。即由光纤单元放线滚筒52进行光纤单元24i、24o的放线，向分线板群53供给一根圆柱形构件22及多个(在此场合计为25个)光纤单元24i、24o，利用与第一实施形态的光缆1同样的方法制造光缆20。

第三实施形态

图11为示出本发明光缆的第三实施形态的剖面图。同图所示的光缆30是在上述光缆1中，以多沟定位件32代替圆柱形构件2，通过将作为内层光纤的带状芯线集成体容纳在多沟定位件32的螺旋沟37之内而构成。此光缆30也可装纳极多的的光纤(管状芯线集成体)。

在纵长多沟定位件32(HDPE树脂制，直径14mm)的中心埋设一根由钢绞线构成的抗张力体33。此钢绞线也由7根直径2mm的钢线绞合而成。在抗张力体33上，与光缆1一样，形成第一带磁部Z1和第二带磁部Z2(参考图3C)。还有，在多沟定位件32的外周上有10个以SZ扭绞状态集合状的螺旋沟37。各螺旋沟37的深度为4.3mm，上宽(与图2的bu对应)为4.2mm，底宽为3.2mm。还有，各螺旋沟37的SZ扭绞间距为700mm，SZ的反转角φ为275°。

在各螺旋沟37中容纳由10个8芯的带状芯线集成而成的带状芯线集成体36i(内层光纤)。据此，带状芯线集成体36i作为中心构件以SZ扭绞状态集合于多沟定位件32的周围。在将带状芯线集成体36i容纳于各螺旋沟37中的多沟定位件32的周围以无纺布等的压紧卷带38卷绕不留空隙。这样，在压紧卷带38的周围，就安置了以SZ扭绞状态集合的15根外层光纤单元34。各外层光纤单元34的SZ扭绞间距为900mm，SZ的反转角φ为275°。

外层光纤单元34是单沟定位件35和带状芯线集成体36o(外层光纤)的一体化部件。此处，在此光缆30中，单沟定位件35与图2所示的单沟定位件5相同。还有，带状芯线集成体36o，与带状芯线集成体36i一样，也是由10个8芯的带状芯线集成而成。通过在多沟定位件32的周围以SZ扭绞状态集合各外层光纤单元34，各带状芯线集成体36o就以SZ扭绞状态集合在多沟定位件32的周围。

在各外层光纤单元34的周围以压紧卷带39卷绕不留空隙。在压紧卷带39的周围再设置以低密度聚乙烯形成的内藏一根拉开带31a的外护层31(外径39mm)。并且，在外护层30表面上，与第一实施形态的光缆1一样，设置内层反转部表示标志Mi和外层反转部表示标志Mo。

在制造光缆30的场合，首先利用如图12所示的定位件生产线40制造多沟定位件32。在此场合，如图12所示，由卷绕滚筒41进行抗张力体33的放线。于是，从此卷绕滚筒41向图中未示出的内藏反转塑模的定位件挤压装置42供给抗张力体33。利用定位件挤压装置42将抗张力体33与熔融的HDPE树脂一起挤出。此半成品在冷却水槽43内冷却固化。

在冷却水槽43的下游侧，配置由控制计算机44控制的消磁装置45及磁化装置46。定位件挤压装置42通过编码器向控制计算机44发送表示反转塑模角速度的反转信号。控制计算机44根据反转信号使消磁装置45和磁化装置46动作。据此，在与在定位件32中形成的螺旋沟37的反转部(与内层侧的带状芯线集成体36i形成的内层SZ轨迹的反转部Ri对应)对应的位置上使抗张力体33磁化而形成第一带磁部Z1。形成第一带磁部Z1状态的多沟定位件32由卷绕滚筒47卷收。

在利用定位件生产线40制造多沟定位件32之后，在多沟定位件32的各螺旋沟37内容纳带状芯线集成体36i。于是，利用如图7所示的光纤扭绞生产线50，在将外层光纤单元34以SZ扭绞状态集合于多沟定位件32的同时，在与外层光纤单元34形成的外层SZ轨迹中包含的外层反转部Ro对应的位置上，使抗张力体33磁化而形成第二带磁部Z2。另外，在利用如图8所示的外护层形成生产线60在外层光纤单元34的周围设置外护层31的同时，配置内层/外侧反转部表示标志Mi、Mo。

第四实施形态

图13为示出本发明光缆的第四实施形态的剖面图。在同图示出的光缆70的中央，配置有实现中心构件作用的纵长的圆柱形构件72。此圆柱形构件72由LPED等合成树脂形成，外径为25mm。在圆柱形构件72的中心，埋设一根由钢绞线构成的抗张力体73。此钢绞线由7根直径2mm的钢线绞合而成。在圆柱形构件72的外周上有15个内层光纤单元74分别以SZ扭绞状态安置(参考图14A～图14C)。

此内层光纤单元74与图2所示的光纤单元4相同，是由单沟定位件75容纳带状芯线集成体76作为光纤而形成的部件。各光纤单元74的SZ扭绞间距(等于相邻反转部之间的距离2倍的长度)为900mm，SZ的反转角φ为275°。还有，在圆柱形构件72的外周面上，在以SZ扭绞状态安置的各内层光纤单元74的周围以无纺布等的压紧卷带79卷绕不留空隙。这样，在压紧卷带79的周围，再设置以低密度聚乙烯形成的外径为41mm的外护层71。据此，光缆1的内部就得到保护。另外，在此外护层71中内藏一根拉开带71a。

在此光缆70中，为了从外护层71的外侧判断反转部R，如图14B所示，通过对内藏于圆柱形构件72中的抗张力体73在与光纤单元74(带状芯线集成体76)形成的SZ轨迹的反转部R对应的位置进行磁化而形成带磁部Z。据此，在从光缆70取出带状芯线集成体76之际，可采用如下的方法。即首先在敷设光缆70的地点通过外护层71检测带磁部Z。在此场合，最好是使用小型轻量容易携带的磁性检测装置(如电气磁气公司生产的磁强计GM-003)。于是，将外护层71与带磁部Z对应的部分去除。

据此，当在光缆70的中间部去除外护层71的一部分取出光纤(带状芯线集成体76)进行分叉之际，不论有无表示反转部R位置的反转部表示标志，都可以很容易判断作业上最合适的反转部R的位置。这样一来，因为此光缆70容易找出分叉最合适的地点并可以进行灵活的分叉作业，所以适合于在不得不缩短光缆余长的地点(比如地下)敷设。另外，如图14C所示，也可以利用带磁部Z在外护层71上配置指示反转部R位置的反转部表示标志M。

在制造此光缆70的场合，也可利用如图7所示的光纤扭绞生产线50在将光纤单元74扭绞安置在圆柱形构件72的周围的同时，通过在与光纤单元74形成的SZ轨迹这包含的的反转部R对应的位置对抗张力体73进行磁化而形成带磁部Z。另外，在利用如图8所示的外护层形成生产线60在外层光纤单元74的周围设置外护层71的同时，在外护层71上配置反转部表示标志M。

第五实施形态

图15为示出本发明光缆的第五实施形态的剖面图。同图所示的光缆80，在光纤单元84中采用松套管85，其构成与上述光缆70相同。松套管85与在第二实施形态中的光缆20中所包含的松套管25相同。此光缆80，采用松套管85，可利用与第四实施形态的光缆70相同的方法制造。

在光缆80的中央，配置有实现中心构件作用的纵长的圆柱形构件82(HPED树脂制，直径为25mm)。在圆柱形构件82的中心，埋设一根由钢绞线构成的抗张力体83。此钢绞线由7根直径2mm的钢线绞合而成。在圆柱形构件82的外周上有15个内层光纤单元84分别以SZ扭绞状态安置。各光纤单元84的SZ扭绞间距为900mm，SZ的反转角φ为275°。在各内层光纤单元84的周围以无纺布等的压紧卷带89卷绕不留空隙。在压紧卷带89的周围，再设置以低密度聚乙烯形成的外径为41mm的外护层81。另外，在此外护层81中内藏一根拉开带81a。

在此光缆80中，为了从外护层81的外侧判断反转部R，通过对内藏于圆柱形构件82中的抗张力体83在与光纤单元84形成的SZ轨迹的反转部R对应的位置进行磁化而形成带磁部Z(参考图14B)。另外，也可以利用带磁部Z在外护层81上配置指示反转部R位置的反转部表示标志M(参考图14C)。

第六实施形态

图16为示出本发明光缆的第六实施形态的剖面图。同图所示的光缆90相当于从第三实施形态的光缆30省略外层光纤单元34的部件。及在光缆90中使用的多沟定位件92与第三实施形态的光缆30中包含的多沟定位件32相同，在其中心内藏抗张力体93。在多沟定位件92的各螺旋沟94中容纳由10根8芯带状芯线集成成束的带状芯线集成体96(光纤)。在将带状芯线集成体96容纳于螺旋沟94中的多沟定位件92的周围以无纺布等的压紧卷带95卷绕不留空隙。这样，在压紧卷带95的周围，设置以低密度聚乙烯形成的内藏一根拉开带91a的此外护层91(外径29mm)。

在此光缆90中，为了从外护层91的外侧判断反转部R，通过对内藏于圆柱形构件92中的抗张力体93在与光纤单元94形成的SZ轨迹的反转部R对应的位置进行磁化而形成带磁部Z(参考图14B)。另外，也可以利用带磁部Z在外护层91上设置指示反转部R位置的反转部表示标志M(参考图14C)。

在制造此光缆90的场合，利用如图12所示的定位件生产线40制造内藏抗张力体93的多沟定位件92。于是，在将带状芯线集成体96容纳于各螺旋沟94内之后，利用如图8所示的外护层形成生产线60在多沟定位件92的周围设置外护层91的同时，在外护层91上配置反转部表示标志M。

根据以上对本发明的说明，可了解本发明的其它种种变形。只要这些变形不脱离本发明的思想及范围，对于本技术领域的人士来说，很显然，这些改进都应包含在下面的权利要求之中。

Claims (29)

1.一种光缆，在该光缆中，在中心内藏有金属制抗张力体的中心构件的周围，将多根光纤以SZ扭绞状态集合并在其周围覆盖外护层，其中：

上述抗张力体在与上述光纤形成的SZ轨迹的反转部对应的位置处具有带磁部，在上述外护层上与上述带磁部对应的位置处设置有反转部表示标志。

2.如权利要求1的光缆，其中上述中心构件是在外周上形成多个可容纳上述光纤的SZ状的螺旋沟的多沟定位件。

3.如权利要求1的光缆，其中分别内藏有预定个数的上述光纤的多个光纤单元在上述中心构件的周围以SZ扭绞状态集合。

4.如权利要求3的光缆，其中上述光纤单元是通过将光纤容纳于单沟定位件中而形成的。

5.如权利要求3的光缆，其中上述光纤单元是通过将光纤容纳于松套管中而形成的。

6.一种光缆，在该光缆中，在中心内藏有金属制抗张力体的中心构件的周围，将多根光纤以SZ扭绞状态集合的同时，在上述内层光纤的周围以SZ扭绞状态集合多个外层光纤，并在其周围包覆外护层，其中：

上述抗张力体具有在与上述内层光纤形成的内层SZ轨迹的内层反转部相对应的位置处设置的第一带磁部，及在与上述抗张力体的上述外层光纤形成的上述外层SZ轨迹的外层反转部相对应的位置处设置的可与上述第一带磁部互相识别的第二带磁部。

7.如权利要求6的光缆，其中上述第一带磁部的磁通密度和上述第二带磁部的磁通密度不同。

8.如权利要求6的光缆，其中在上述抗张力体纵长方向上的上述第一带磁部的长度与在该方向上的上述第二带磁部的长度不同。

9.如权利要求6的光缆，其中上述第一带磁部和上述第二带磁部中的磁通密度沿上述抗张力体的纵长方向分别变化。

10.如权利要求6的光缆，其中在与上述第一带磁部对应的位置处的上述外护层上设置上述内层反转部表示标志，在与上述第二带磁部对应的位置处的上述外护层上设置可与上述内层反转部表示标志互相识别的外层反转部表示标志。

11.如权利要求6的光缆，其中上述中心构件是在外周上形成多个可容纳上述光纤的SZ状的螺旋沟的多沟定位件，内藏有上述外层光纤的多个光纤单元在中心构件的周围以SZ扭绞状态集合。

12.如权利要求11的光缆，其中上述光纤单元只通过将光纤容纳于单沟定位件中而形成的。

13.如权利要求7的光缆，其中具有多个内藏上述内层光纤的内层光纤单元和内藏上述外层光纤的外层光纤单元，上述内层光纤单元在上述中心构件的周围以SZ扭绞状态集合，上述外层光纤单元在上述内层光纤单元周围以SZ扭绞状态集合。

14.如权利要求13的光缆，其中上述光纤单元是通过将光纤容纳于单沟定位件中而形成的。

15.如权利要求13的光缆，其中上述内层光纤单元和上述外层光纤单元是通过将光纤容纳于松套管中而形成的。

16.一种光缆制造方法，在该光缆中，在中心内藏金属制抗张力体的中心构件的周围将多根光纤以SZ扭绞状态集合，并在其周围覆盖外护层，该制造方法包括下列步骤：

在上述光纤形成的SZ轨迹的反转部对应位置处，通过使上述抗张力体磁化而形成带磁部的工序，以及

通过从上述外护层的外侧检测上述带磁部而在与上述外护层的上述带磁部对应的位置处设置反转部表示标志的工序。

17.如权利要求16的光缆制造方法，其中还包括：

将上述光纤容纳于由在外周形成多个SZ状的多个螺旋沟的单沟定位件组成的上述中心构件的相应的上述螺旋沟中的工序。

18.如权利要求16的光缆制造方法，其中还包括：

制造内藏有预定数目的上述光纤的光纤单元的工序，及将制造的上述光纤单元以SZ扭绞状态集合在上述中心构件周围的工序。

19.如权利要求18的光缆制造方法，其中：上述制造光纤单元的工序包含将上述光纤容纳于单沟定位件中的工序。

20.如权利要求18的光缆制造方法，其中：上述制造光纤单元的工序包含将上述光纤单元容纳于松套管中的工序。

21.一种光缆制造方法，在该光缆中，在中心内藏有金属制抗张力体的中心构件的周围将多根光纤以SZ扭绞状态集合的同时，在上述内层光纤的周围以SZ扭绞状态集合多个外层光纤，并在所述外层光纤的周围覆盖外护层，该制造方法包括下列步骤：

在上述光内层纤形成的SZ轨迹的内层反转部对应位置处，通过使上述抗张力体磁化而形成第一带磁部的工序，以及

在上述外层光纤形成的SZ轨迹中包含的外层反转部对应位置处，通过使上述抗张力体磁化而形成可以与第一带磁部互相识别的第二带磁部的工序。

22.如权利要求21的光缆制造方法，其中还包括：

通过从上述外护层的外侧检测上述第一带磁部，而在与上述第一带磁部位置对应的上述外护层上设置内层反转部表示标志的工序，以及

通过从上述外护层的外侧检测上述第二带磁部，而在与上述第二带磁部位置对应的上述外护层上设置可与上述外护层上的上述内层反转部表示标志互相识别的外层反转部表示标志的工序。

23.如权利要求21的光缆制造方法，其中还包括：

作为上述中心构件，在由外周上形成多个可容纳上述内层光纤的SZ状的螺旋沟的多沟定位件所组成的上述中心构件的上述螺旋沟内容纳上述内层光纤的工序，

制造多个容纳上述外层光纤的光纤单元的工序，以及

将制造的上述光纤单元以SZ扭绞状态集合在上述单沟定位件的周围的工序。

24.如权利要求23的光缆制造方法，其中：上述制造光纤单元的工序包含将上述光纤容纳于单沟定位件中的工序。

25.如权利要求21的光缆制造方法，其中还包括：

分别制造多个内藏有上述内层光纤的内层光纤单元和内藏上述外层光纤的外层光纤单元的工序，

将上述外层光纤单元以SZ扭绞状态集合在上述中心构件的周围的工序，以及

将上述外层光纤单元以SZ扭绞状态集合在上述内层光纤单元的周围工序。

26.如权利要求25的光缆制造方法，其中：上述内层及外层光纤单元的制作工序包含将预定个数的光纤容纳于单沟定位件中的工序。

27.如权利要求25的光缆制造方法，其中：上述内层及外层光纤单元的制作工序包含将预定个数的光纤容纳于松套管中的工序。

28.一种从光缆中取出光纤的方法，在该光缆中，在从中心内藏有金属制抗张力体的中心构件的周围将多根光纤以SZ扭绞状态集合，并在其周围覆盖外护层，该方法包含下列步骤：

在与上述光纤形成的SZ轨迹的反转部对应的位置处，使上述抗张力体磁化而预先形成带磁部的工序，以及

从上述外护层的外侧检测上述带磁部，并将外护层上与上述带磁部对应的部分去除的工序。

29.一种从光缆中取出光纤的方法，在该光缆中，在中心内藏有金属制抗张力体的中心构件的周围将多根光纤以SZ扭绞状态集合的同时，在上述内层光纤的周围以SZ扭绞状态集合多个外层光纤，并在所述外层光纤的周围覆盖外护层，该方法包含下列步骤：

在上述内层光纤形成的SZ轨迹的内层反转部对应位置处，通过使上述抗张力体磁化而预先形成第一带磁部的同时，在上述外层光纤形成的SZ轨迹中包含的外层反转部对应位置处，通过使上述抗张力体磁化而预先形成可以与第一带磁部互相识别的第二带磁部的工序，以及

对上述第一带磁部和第二带磁部至少检测其中一个，并将上述外护层与上述第一带磁部和第二带磁部至少一个的对应部分去除的工序。

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