CN1229262A - 射线管用内屏蔽及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

阴极射线管用内屏蔽及其制造方法,其包括:从8个与荫罩框架相结合的法兰延伸出与管轴方向平行折弯的垂直部;从该垂直部延伸形成大体为相邻接的一对倾斜部上形成高阻部的孔,其制造方法包括:剪切工序,形成与罩框架相结合的内屏蔽下的8个法兰而剪切8处;将内屏蔽的上部原材料板相应部分剪切形成切口的工序;将原材料板一次弯曲,从与管轴方向平行的垂直部分形成按规定角度倾斜部,使之对管方向的横断面形成大体为八角形的工序。

Description

射线管用内屏蔽及其制造方法
本发明涉及一种阴极射线管用内屏蔽(Inner Shield)及其制造方法。更详细地说，是对垂直磁场和水平磁场构成的地磁场能进行有效的屏蔽，以提高阴极射线管的导磁效率，并使玻锥(funnel)和内屏蔽之间的间隔既均匀且又最小化的阴极射线管用内屏蔽及其制造方法。
从阴极射线管的电子枪发射的电子束，受到以地球的南极点和北极点为轴发生的电磁场的影响，路径会改变。因此，阴极射线管中的纯化(purity)特性降低，光栅(raster)位置变化、而且会聚(convergence)特性也变坏。
为此，在阴极射线管上设置了为屏蔽地磁场的内屏蔽。内屏蔽用夹子装在罩框架的后端，该罩框架通过支撑弹簧悬挂在销钉(スタツドピン)上，由此沿玻锥内周面设置。
上述内屏蔽的结构，在图3中充分表示了出来。当对内屏蔽10的中心的管轴方向成直角引虚拟的水平线时，如果位于长轴距离的短边倾斜部12的顶端形成V型切口部14，则能够减少地磁场影响引起的电子束移动量。
通常的阴极射线管处于从南朝北时，根据弗来明的左手定则，电子束要受到顺时针方向产生的地磁场的影响。
另一方面，由于地磁场对导磁率高的材料来说具有直角入射的性质，所以具有V型切口的内屏蔽，将从电子枪向萤光屏突出的地磁场吸引到长边倾斜部，引导成为垂直方向的地磁场，对电子枪发射的电子束施于反时针方向的影响。
但是，上述的内屏蔽在阴极射线管东西方向配置时，相反也伴随受地磁场影响很大的问题。
即，当阴极射线管东西方向配置时，地磁场作用于内屏蔽的长边方向，换言之，作用在穿过V型切口部分的水平方向。V型切口部分越大，对地磁场的屏蔽领域越减小，使电子束的着屏(ランデイング)特性变差。
本发明就是为了解决这种问题而做出来的，其目的是提供一种能够减少地磁场影响，映现出鲜明图象的内屏蔽及制造方法。
为了达到上述目的，本发明采取以下技术方案：
一种阴极射线管用内屏蔽，其特征在于包括：8个与荫罩框架相结合的法兰；从各法兰按与管轴方向平行地折弯延伸的垂直部分；
从该垂直部分以大体成梯形倾斜延伸的倾斜部；以及
在该倾斜部分中相邻接的一对倾斜部上形成的高阻部分的孔。
一种阴极射线管用内屏蔽的制造方法，其特征在于包括以下工序：
剪切工序，该工序用于在一对原材料板的上段形成切口和高阻部分的孔，下段形成8个法兰；
成形工序，对上述原材料板进行弯曲，以在与管轴方向相平行的垂直部分形成倾斜延伸的倾斜部分，而在其下段形成直角地折弯的法兰的工序；以及
对上述一对原材料板进行一体化，以相对管轴方向的横断面形成大体为八角形的封闭曲线状。
所记载的阴极射线管用内屏蔽的制造方法，其特征在于：在上述倾斜部中，相邻接的两个倾斜部上形成高阻部分的孔
本发明的内屏蔽包括：8个与罩框架相结合的法兰、从各法兰按与管轴方向平行折弯延伸的垂直部分、从该垂直部分以大体成梯形倾斜延伸的倾斜部分、以及在该倾斜的部分中相邻按的一部分上形成的高阻部分的孔(high resistance hole)。
这样的阴极射线管用内屏蔽可以通过以下的工序制造：
剪切工序，该工序用于在一对原材料板的上段形成切口和高阻部分的孔，下段形成8个法兰；
形成工序，该工序对上述原材料板进行挠弯，在与管轴方向相平行的垂直部分的上段形成倾斜延伸的倾斜部分，而在其下段形成弯曲成直角的法兰；以及
成形工序，该工序用于在一对原材料板进行一体化，对管轴方向的横断面形成大体为八角形的封闭曲线状。
本发明的效果：
正如以上的说明，本发明的内屏蔽从实质上消除了现有的问题。
即，本发明的内屏蔽的横断面形状为八角形的封闭曲线状，通过向从任一倾斜部入射的垂直磁场和水平磁场邻接的倾斜部发射，穿过内屏蔽的电子束都很少受到地磁场的影响，使在面板(パネル)的内侧面着屏的电子束枕形(ピンクツシヨン)化和光栅的桶形失真(バレル)化的影响减小。
进而，通过将内屏蔽的断面形状形成为八角形，从而可以得到与玻锥的内侧园形面几乎一致的角度邻近设置的效果。
另外，还可以减小现有具有V型切口部的地磁场所引起的电子束不稳定发射。
以下参照附图，详细说明本发明的实施例
图1表示安装有本发明的内屏蔽的阴极射线管断面的概略图。
图2表示本发明的内屏蔽的制造步骤的制作图。
图3表示现有的内屏蔽的斜视图。
下面通过附图详细说明本发明的最佳实施例。
在说明本发明时，对于从现有技术引用的附图相同的结构，使用相同的序号。
图1中，本发明的内屏蔽20安装在具有荫罩14的荫罩框(マスクフレ-ム)架6上。这时，用夹子4将内屏蔽20的前法兰(フランジ)22与荫罩框架6相结合。
上述的内屏蔽20，通过荫罩框架6由支撑弹簧悬挂在销钉10上，而沿着玻锥12的内周面安装。
此处，本发明的内屏蔽20与现有的内屏蔽不同，它具有8个与荫罩框架6相结合的法兰22，从各个法兰延伸有与管轴方向平行地变折的垂直部，从该垂直部延伸形成有大体为梯形的倾斜部。而且，在多个倾斜部中相邻接的一对倾斜部上形成高阻部分的孔27，从而减少E-W(东-西)方向的磁场影响造成的电子束移动量。
本发明的内屏蔽20，可以由下述的制造工序来实现。
通过图2可知，本发明的内屏蔽20，首先将扁平的一对原材料板24，沿虚线所示的多条折弯线和多条剪切线剪切，在其上段形成切口26和高阻部分的孔27，在其下段形成8个法兰22。
接着，将上述原材料板24一次弯曲，在与管轴方向平行的垂直部分28的上段形成按规定角度倾斜延伸的倾斜部分32，同时，在其下段形成与荫罩框架6相结合的前面法兰22。
然后，通过二次弯曲工序，使倾斜部分32的切口26的一端的突出部分26a垂叠在另一端端部的下方，进行焊接，使一对原材料板24一体化。这时，使对管轴方向的横断面形状形成大体为八角形的封闭曲线状，从而从内屏蔽20的任一倾斜面入射的水平磁场和垂直磁场构成的地磁场发射到邻接的倾斜部，使面板内侧面上着屏的电子束枕形(pincushion)化和光栅的桶形失真(barrel)化的影响减少。

Claims (3)

1.一种阴极射线管用内屏蔽，其特征在于包括：8个与荫罩框架相结合的法兰；从各法兰按与管轴方向平行地折弯延伸的垂直部分；
从该垂直部分以大体成梯形倾斜延伸的倾斜部；以及
在该倾斜部分中相邻接的一对倾斜部上形成的高阻部分的孔。
2.一种阴极射线管用内屏蔽的制造方法，其特征在于包括以下工序：
剪切工序，该工序用于在一对原材料板的上段形成切口和高阻部分的孔，下段形成8个法兰；
成形工序，对上述原材料板进行弯曲，以在与管轴方向相平行的垂直部分形成倾斜延伸的倾斜部分，而在其下段形成直角地折弯的法兰的工序；以及
对上述一对原材料板进行一体化，以相对管轴方向的横断面形成大体为八角形的封闭曲线状。
3.如权利要求2所记载的阴极射线管用内屏蔽的制造方法，其特征在于：在上述倾斜部中，相邻接的两个倾斜部上形成高阻部分的孔。
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