CN1224733C - 电磁波屏蔽膜涂敷方法及其装置 - Google Patents

电磁波屏蔽膜涂敷方法及其装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1224733C
CN1224733C CNB001309412A CN00130941A CN1224733C CN 1224733 C CN1224733 C CN 1224733C CN B001309412 A CNB001309412 A CN B001309412A CN 00130941 A CN00130941 A CN 00130941A CN 1224733 C CN1224733 C CN 1224733C
Authority
CN
China
Prior art keywords
rolling clamp
cavity
coated
clamp
shielding film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB001309412A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1312398A (zh
Inventor
金道坤
李应直
金东元
李元钟
李延升
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SUI-IL SYSTEM Co Ltd
Original Assignee
SUI-IL SYSTEM Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SUI-IL SYSTEM Co Ltd filed Critical SUI-IL SYSTEM Co Ltd
Publication of CN1312398A publication Critical patent/CN1312398A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1224733C publication Critical patent/CN1224733C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/021Cleaning or etching treatments
    • C23C14/022Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073Shielding materials
    • H05K9/0081Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0084Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/18Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
    • C23C14/185Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates by cathodic sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/35Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • C23C14/505Substrate holders for rotation of the substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种电磁波屏蔽膜涂敷方法及其装置,能提高被涂敷物和电磁波屏蔽膜间的粘合力,并且能均匀地进行涂敷,能带来批量生产的再现性,不仅能消除安全事故的危险性,而且能够通过实施干式工艺进行无公害作业。为了实现上述目的,其特征在于,在将多个被涂敷物设置在圆筒形的旋转夹具上并旋转的状态下,通过溅射将电磁波屏蔽膜涂敷到上述被涂敷物上。

Description

电磁波屏蔽膜涂敷方法及其装置
本发明涉及电磁波屏蔽膜涂敷方法及其装置,特别涉及一种电磁波屏蔽膜涂敷方法及其装置,在对被涂敷物实施等离子体蚀刻后,涂敷电磁波屏蔽膜,增大被涂敷物和电磁波屏蔽膜间的粘合力,并且制造优质的涂敷膜,能在可旋转地设置在大口径腔体内侧的夹具上设置大量被涂敷物的状态下实施涂敷作业,能够制造批量生产及均匀状态的涂敷膜。
一般,电磁波不仅被广泛地应用于现代文明生活的电气、电子、通信、计算机医疗领域,而且其应用范围正在被最大化。此外,最近,随着半导体开发的进步,在家电设备、工业设备、医疗设备的领域中,以设备的小型化、轻量化、多功能化、高可靠性为目的,正在迅速推进数字化,随着这种数字设备的增加,产生各种形式的噪声,成为引起电磁波干扰的原因,即,成为VDT(Video display terminal,视频显示终端)症候群及Na+、Ka+离子流的扰乱引起的荷尔蒙分泌异常、癌的诱发等的原因,像飞机等尖端电子装备的误操作那样对设备相互间及人体造成影响,所以迫切需要早日解决电磁波公害的问题。
然而,在用于屏蔽上述有害电磁波的方法中,作为最常用的方法,已知有:喷射方式,用喷雾器将屏蔽金属溶液喷射、涂敷到被涂敷物上;和非电解镀方式,将被涂敷物放入镀槽内,实施非电解镀,但是这些方法有下述各种问题。
第1,在通过上述喷射方式和非电解镀方式来形成电磁波屏蔽膜的情况下,在大气中进行作业工艺,技术水平低劣,被涂敷物上涂敷的屏蔽膜的粘合力相当低,而且在涂敷的屏蔽膜的涂敷厚度及涂敷的粒子等的浓度不均匀的状态下进行涂敷,提高屏蔽效果很有限。
第2,几乎所有的作业都通过手工作业来进行,所以不可能有批量生产的再现性。
第3,不仅在作业者的喷射作业时招致安全事故的危险,而且非电解镀时使用的工业用水造成废水处理的费用增多。
因此,本发明就是为了解决上述各种问题而提出的,本发明的目的在于提供一种电磁波屏蔽膜涂敷方法及其装置,能解决上述各种问题。
本发明的另一个目的在于提供一种电磁波屏蔽膜涂敷方法及其装置,能提高被涂敷物和电磁波屏蔽膜间的粘合力,并且能均匀地进行涂敷。
本发明的另一个目的在于提供一种电磁波屏蔽膜涂敷装置,能带来批量生产的再现性。
本发明的另一个目的是提供一种电磁波屏蔽膜涂敷装置,不仅能消除安全事故的危险性,而且能够通过实施干式工艺进行无公害作业。
为了实现上述目的,本发明的特征在于,在将多个被涂敷物设置在圆筒形的旋转夹具上并旋转的状态下,通过溅射将电磁波屏蔽膜涂敷到上述被涂敷物上。
此外,本发明的特征在于,在用等离子体蚀刻多个被涂敷物的表面后,在将该蚀刻过的多个被涂敷物设置在圆筒形的夹具上并旋转的状态下通过溅射在上述被涂敷物上涂敷电磁波屏蔽膜。
此外,本发明的特征在于,包括:圆筒形工艺腔体,前面设有门,两侧连结设有多个泵;圆筒形的旋转夹具,设置在该腔体的内侧,用于安装多个被涂敷物;夹具旋转部件,设置在该旋转夹具的后方,用于使旋转夹具以规定速度旋转;夹具移动部件,设置在上述旋转夹具的下侧,用于在旋转夹具上装卸被涂敷物时将旋转夹具引出引入腔体内;多个靶,配置在上述旋转夹具的内外侧,作为阴极;以及控制器,设置在上述腔体的一侧,用于控制装置的操作。
附图的简单说明
图1是本发明的电磁波屏蔽膜涂敷装置的结构横截面图;
图2是本发明的电磁波屏蔽膜涂敷装置除去门状态的主视图;
图3是本发明的电磁波屏蔽膜涂敷装置引出旋转夹具状态的截面图;
图4是本发明的电磁波屏蔽膜涂敷装置引入旋转夹具状态的截面图;
图5是图4的A-A’线截面图;
图6是图4的B-B’线截面图;
图7是本发明的旋转夹具的结构主视图;
图8是图7的C-C’线截面图;
图9是图8的D部的详细放大图;
图10是本发明的靶(タ一ゲツト)的结构截面图;
图11是O2等离子体蚀刻装置的结构概略截面图;
图12是被涂敷物聚碳酸酯的AFM(Atomic Force Microscopy,原子力显微镜)特性图;
图13是被涂敷物聚碳酸酯的XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy,X射线光电子分析器)光谱特性图;
图14是被涂敷物上涂敷的电磁波屏蔽膜的概略截面图;
图15是被涂敷物上涂敷的铜膜的表面的扫描显微镜照片;
图16是现有及本发明的电磁波屏蔽膜的结构对比照片;
图17是现有及本发明的电磁波屏蔽膜的EDS成分的分析特性图;
图18是现有及本发明的电磁波屏蔽膜的粘合力测试后的对比照片;
图19是现有及本发明的电磁波屏蔽膜的ASTM的电磁波屏蔽效果的对比特性图。
以下,参照附图来详述本发明的电磁波屏蔽膜涂敷方法及其装置的一优选实施例。
如图1~10所示,本发明的电磁波屏蔽膜涂敷装置包括:圆筒形的腔体1;圆筒形的旋转夹具3,设置在该腔体1的内侧,安装多个被涂敷物2,在电气上为阳极;夹具旋转部件4,设置在该旋转夹具3的后方,用于使旋转夹具3以规定速度旋转;夹具移动部件5,设置在上述旋转夹具3的下侧,用于使旋转夹具3出入腔体1的内侧;多个靶6:6a、6b,配置在上述腔体1的内部,在电气上为阴极;控制器7,设置在上述腔体1的一侧,用于提供电源,并且控制装置的操作;以及夹具移动台8,设置在上述腔体1的外侧,用于搭载旋转夹具3。
在上述腔体1的一侧,2个扩散泵11、11’被连结设置在排气管12上,在另一侧,1个低温泵13被连结在排气管12’上,在前面可开闭地设有包括观察口14a的门14,在后端部,设有突出的外部保护管15,在该外部保护管15内,在腔体1的内侧突出规定部分,并且设有内部保护管17,用于保护进入腔体1内侧的电源线16和冷却水管16’及气管16”,在位于该腔体1内侧的内部保护管17的下侧,连结设有靶支承台18。
上述旋转夹具3是圆环状,包括:一对固定板21、21’,相隔规定间隔配置;多个固定台22,按放射状固定在该固定板21、21’间;以及夹持部件23,位于该固定台22的外侧,用于固定被涂敷物2。
上述夹持部件23包括:可动夹钳24,配置在上述固定台22的外侧;螺栓25,按规定间隔设置,贯通该固定台22和可动夹钳24;以及紧固螺丝26,与该螺栓25结合,用于紧固或放松可动夹钳24。
上述旋转夹具部件4包括:马达31,设置在上述腔体1的后面外侧;驱动齿轮32,连结到该马达31的马达轴31a上,并且可旋转地配置在腔体1的内侧;以及环状的从动齿轮34,与该驱动齿轮32啮合,并且内周面由多个支持辊33支持。
在上述从动齿轮34的规定部分上,设有驱动侧突起35,在上述旋转夹具3的固定板21’上设有夹具侧突起27,在上述从动齿轮34旋转时与驱动侧突起35啮合。
上述夹具移动部件5包括:一对半圆形的夹具支承台41、41’,相隔规定间隔设置在上述旋转夹具3的下侧;一对支持台42、42’,设置在两侧,与该支承台41、41’连结;多个辊43,相隔规定间隔设置在该支持台42、42’上;以及一对轨道44、44’,配置在上述腔体1内的两侧,使得上述多个辊43能沿前后方向滚动。
在上述支承台41、41’的上面,分别切出规定深度的防脱槽41a、41a’,多个轴承45位于该防脱槽41a、41a’的内侧,上述旋转夹具3的固定板21、21’的外周面上形成的导向突起21a、21a’被嵌入上述防脱槽41a、41a’,所以在旋转时旋转夹具3不会脱离夹具移动部件5。
在上述腔体1的内侧上部和上述靶支承台18上,间隔规定距离分别各设有2个铜靶6a和不锈钢靶6b,使得通过绝缘体(未图示)与腔体1绝缘,该腔体1的内侧上部设置的靶6a、6b被配置得面向腔体内的中央,靶支承台18上配置的靶6a、6b被配置得面向腔体1的内周面。
在上述靶6:6a、6b的后面,排列有用于产生磁力的多个磁棒53,在用于固定上述靶6:6a、6b和多个磁棒53的支架(ホルダ一)54上穿设有冷却水的循环孔55,在上述支架54的外侧设置有穿设了多个气体喷射孔(未图示)的气管56。
上述冷却水循环孔55被连结到引入内部保护管17的冷却水管16’,所以冷却水能够使靶6:6a、6b冷却并循环。
上述夹具移送台8是用于在将旋转夹具3取出到腔体1的外部时支承旋转夹具3的辅助器具,两侧备有一对轨道9、9’,所以使得上述旋转夹具3上设置的多个辊43能够滚动。
图中,未说明标号60是支承腔体1的腔体支承台。
接着,说明利用上述电磁波屏蔽膜涂敷装置来实施涂敷的方法。
实施涂敷的被涂敷物2是作为塑料注模品的聚碳酸酯,是最近通用的便携电话外壳。
1、注模品检查及超声波清洗步骤
这是被涂敷物的预处理步骤,用肉眼检查会影响涂敷的注模品成型时产生的脱模剂(parting powder)、指纹、污垢及有机物等污染物质,用超声波清洗机进行超声波清洗。
2、烘箱热风干燥步骤
将经过超声波清洗步骤的被涂敷物放入烘箱内,在注模品不会由于热而损伤的范围内充分除去被涂敷物的表面产生的气体,减少批量生产作业时产生的气体造成的初始工艺压力降低,用于节省工艺时间,提高合算性。
3、等离子体蚀刻步骤
将被涂敷物放入蚀刻装置的腔体内侧,在腔体的内部保持30~60Torr的真空度,同时施加100~500W的电源,注入10~30分钟的20~50sccm左右的氧气(O2),同时进行等离子体蚀刻。
4、被涂敷物的装载步骤
这是将如上所述结束蚀刻作业的多个被涂敷物2安装到本发明的上述电磁波屏蔽膜涂敷装置的步骤,打开腔体1的门14,在腔体1的内侧将夹具支承台41、41’和旋转夹具3拉近,使得夹具支承台41、41’和旋转夹具3位于夹具移送台8上。
接着,放松旋转夹具3上设置的多个紧固螺丝26,在可动夹钳24松弛的状态下,在可动夹钳24和固定台22之间夹装被涂敷物2的一侧,另一侧夹装在邻接的其他可动夹钳24和固定台22之间,在此状态下紧固紧固螺丝26,固定多个被涂敷物2,通过此方法,在圆筒形旋转夹具3上按2列设置多个,涂敷面配置得相互面向外侧。
接着,将安装多个被涂敷物2的旋转夹具3推入腔体1的内侧,此时,旋转夹具3通过支持台42、42’上设置的多个辊43沿轨道44、44’滚动并移动,而与夹具支承台41、41’一起进入腔体1的内侧,开放的门14被关闭。
5、铜膜涂敷步骤
如上所述将多个被涂敷物2装载到腔体1的内侧后,用扩散泵11、11’进行抽吸,使得腔体1内侧的真空度被保持在10-5mbar,通过气管56向腔体1的内侧注入10~20sccm左右的氩气。进而,使马达31旋转,旋转夹具3的固定板21’上形成的夹具侧突起26与从动齿轮34上形成的驱动端突起35啮合,使旋转夹具3一起旋转。这样,在安装多个被涂敷物2的旋转夹具3旋转的状态下,用控制器7向铜靶6a施加300~600V、5~10A的DC电压,自由溅射(フリ一スパツタリング)铜靶6a达5~10秒钟后,在调整得使得真空度保持在10-2~10-4mbar左右的状态下,用等离子体进行规定时间的溅射,在被涂敷物2上涂敷铜膜。
6、不锈钢膜的涂敷步骤
如上所述在设定的时间中进行铜膜涂敷作业后,向不锈钢靶6b施加400~700V、5~10A的DC电压,向腔体1的内侧注入20~50sccm左右的氩气,并且用等离子体溅射在铜膜的外侧涂敷不锈钢膜。这样,涂敷的不锈钢膜起到防止铜膜被氧化或磨损的保护膜的作用。
图11示出上述涂敷作业时使用的等离子体蚀刻装置的一例,设有用于在腔体71的内侧安装被涂敷物2的支架73,设置有对面接地电极74以围绕该支架73,通过盖75上设置的气体注入口76将O2气体注入腔体71的内侧,并且向支架73上安装的RF电极77施加电源,通过O2等离子体在被涂敷物2的表面均匀的状态下进行蚀刻,增进导电性涂敷物的粘合力。
在如上所述用等离子体装置来蚀刻多个被涂敷物2的情况下,被涂敷物(用作便携电话外壳的塑料注模品聚碳酸酯)和导电性涂敷物铜膜的粘合力增进的理由如下所述。
图12是被涂敷物聚碳酸酯蚀刻前的表面和蚀刻后的表面状态(图12b)的AFM(Atomic Force Microscopy,原子力电子显微镜)特性的对照照片,通过进行O2等离子体蚀刻处理,除去被涂敷物的表面吸附的污染物质,而且被涂敷物的表面积增加,在涂敷铜膜时,提高与铜膜涂敷物的吸附率。
即,从照片可知,在实施蚀刻的情况下,均一、微细的表面的粗糙度增加,从而不仅表面能增加,并且与涂敷物接触的面积增加,在涂敷铜膜时,具有将铜涂敷物锚定(anchor)的效果。
图13是对比被涂敷物聚碳酸酯未实施蚀刻的状态(上侧的曲线)和实施了蚀刻的情况(下侧的曲线)的表面键能的XPS(X-ray PhotoelectronSpectroscopy’X射线光电子分析器)光谱对比图,在进行O2等离子体蚀刻处理的情况下,氧的原子量与原来的被涂敷物相比大致增加2倍左右,在减少作为被涂敷物聚碳酸酯键形态的C-O-C键、增加C=O键来涂敷铜膜的情况下,通过这些效果使薄层的铜-氧-碳复合体薄膜及铜氧化膜形成在被涂敷物和涂敷物间的界面上,促进界面反应,增进粘合力。
图14示出对聚碳酸酯实施蚀刻后、涂敷涂敷物的状态的截面状态,聚碳酸酯的表面状态变化,在界面上形成铜-氧-碳复合体及铜氧化膜,由此增进粘合力,在导电性优越、电磁波屏蔽特性优越的铜膜上面涂敷与铜膜粘合力优越的不锈钢膜,从而尽管用几微米以下的厚度进行涂敷,涂敷膜的粘合力也优越,而且电磁波屏蔽特性也优越。
图15示出对聚碳酸酯材料的被涂敷物未实施等离子体蚀刻的情况和实施了等离子体蚀刻的情况的试片,在该试片上涂敷铜膜后,利用ScotchTape(商标)(3M公司的胶带)进行粘合力测试的扫描显微镜照片,可知未进行蚀刻处理的被涂敷物上涂敷的铜膜(参照图15a)通过Scotch Tape很容易剥离,可知进行蚀刻处理后涂敷的铜膜(参照图15b)的粘合力优越,显示出即使在100℃的热水中加热2个小时后通过Scotch Tape也不能脱离的优越粘合力。
图16是现有通过喷射方式来形成电磁波屏蔽膜的情况和通过本发明的电磁波屏蔽膜涂敷装置和方法来形成电磁波屏蔽膜的情况的结构对比的扫描显微镜照片,图16a是用现有方法制造的电磁波屏蔽膜的表面照片,涂敷层的表面上涂敷的粒子粗大,不致密,此外,不仅粗糙度大,而且被涂敷物几乎所有部分都露出涂敷层的外部,与此相反,如图16b所示,可知通过本发明制造的电磁波屏蔽膜的表面涂敷粒子微细、而且致密,表面的平坦化优越。
此外,从图16c的照片可知,用现有方法制造的电磁波屏蔽膜的截面形状不致密,涂敷粒子和粒子间割离,所以被涂敷物和涂敷层间隔离,从而粘合力恶劣,用40微米左右的涂敷层的厚度进行涂敷,与此相反,如图16d所示,可知通过本发明制造的电磁波屏蔽膜的截面结构与现有电磁波屏蔽膜相比,涂敷层致密,表面的均匀度及被涂敷物和涂敷层间紧密粘合,不仅粘合力优越,而且能用1.3微米左右的厚度进行涂敷。
图17是用EDS(Energy Dispersive X-ray Spectrometer,能量分散X射线检测器)进行现有电磁波屏蔽膜和本发明的电磁波屏蔽膜的成分分析而得到的,从图17a可知,用现有方法制造的电磁波屏蔽膜的主成分由铜和银构成,涂敷层不致密,而且不均匀,所以存在露出的被涂敷物的成分和喷射涂敷时产生的杂质成分即碳和氧。
然而,如图17b所示,可知通过本发明的装置及方法制造的电磁波屏蔽膜中,存在铜及构成不锈钢的成分,涂敷层致密、而且均匀,不存在露出的被涂敷物的成分或杂质。
图18是对用现有方法制造的电磁波屏蔽膜和用本发明的装置及方法制造的电磁波屏蔽膜进行胶带处理后、对其分别用扫描显微镜进行摄影而得到的,从图18a的照片可知,现有的电磁波屏蔽膜的表面照片示出涂敷表面附着在胶带上而被剥离,从图18b的照片可知,用本发明的装置和方法制造的电磁波屏蔽膜的表面为与进行胶带处理前的状态类似的表面状态,从而可知本发明的电磁波屏蔽膜比现有电磁波屏蔽膜的粘合力优越。
图19是用现有喷射方式制造的电磁波屏蔽膜和用本发明的装置和方法制造的电磁波屏蔽膜的ASTM(American Society of Testing and Material,美国测试和材料学会)的电磁波屏蔽效果的对比图,现有电磁波屏蔽膜的电磁波屏蔽效果在40微米的涂敷层的厚度时为43~33dB,而用本发明的装置和方法制造的电磁波屏蔽膜在1.3微米涂敷层的厚度时为70~62dB。因此,可知用本发明制造的电磁波屏蔽膜的屏蔽效果比用现有方法制造的电磁波屏蔽膜优越。
通过利用上述技术,不仅能广泛应用于塑料(被涂敷物)/金属(涂敷物)、陶瓷(被涂敷物)/金属(涂敷物),而且还能广泛应用于微电子部件,上述工艺是在独立的空间内利用等离子体技术及溅射技术的干式涂敷,所以作为与使用环境污染工艺的非电解镀或喷射涂敷不同的无公害工艺,适合于环境友好产业。
此外,由于通过溅射及夹具旋转效果来致密地制造铜膜及不锈钢膜,所以能够解决现有屏蔽膜的问题、即被涂敷物的边缘部的不均匀涂敷及不致密的涂敷造成屏蔽效果恶劣的问题,通过大面积的溅射阴极、均匀配置的气孔、靶和被涂敷物的接近配置及夹具旋转,能够将涂敷层的厚度及电阻因子的均一度保持在±2%以内,能够调整涂敷层的厚度来细致地调整导电性涂敷膜的电阻。
此外,根据本发明制造的电磁波屏蔽膜使用铜膜和不锈钢膜构成的2重涂敷膜的导电性金属膜,成为在低频范围内显示优越的电磁波屏蔽特性的铜涂敷膜和在高频范围内显示优越的电磁波屏蔽特性的不锈钢涂敷膜复合的形式,在宽频率范围内得到稳定、而且优越的电磁波屏蔽效果。
举用于使批量生产最大化的具体数值来说,最好腔体由直径1200mm、长度1500mm的大型腔体构成,旋转夹具直径大致为700mm,长度大致为1300mm,能够旋转。这种尺寸是用相同的方法能最大安装被涂敷物的尺寸,不管导电性及非导体材料和尺寸及形状如何,都能够安装大量的被涂敷物,通过使用大型高速泵装置,能缩短残留气体的抽吸时间,并且通过蚀刻处理来除去装置内存在的表面异物及注模脱模剂等,所以能得到最佳的涂敷条件。
此外,由于靶的背面设置有强力的磁铁,所以能提高靶上溅射的原子被放电气体的原子打散、到达产品的溅射率,而且靶负荷的磁场平行、接近被涂敷物而排列,能够缩短离子化的多个原子到达被涂敷物的时间,能够进行宽范围的蒸镀,所以能够弥补现有屏蔽膜形成方法中产生的膜形成速度降低的缺点,由于离子化率的增进,可高速形成膜,批量生产时间缩短,从而能够大量生产产品。
此外,使冷却水循环到靶的后面,防止过热引起的磁铁变形或老化,所以能够延长磁铁的寿命。
从再现性方面来看,本发明的电磁波屏蔽膜涂敷装置的全部工艺由全自动系统构成,所以能够调整功率、气量等,能够调整夹具旋转速度,所以再现性优越,在经济性方面,具有在旋转夹具旋转10次时与25mm长度的直列式(In-Line)溅射系统相同的成膜速度,所以与25mm长度的直列式溅射系统制造时相比,制造费远远降低。
另一方面,在上述实施例中,是将被涂敷物限定为塑料注模品聚碳酸酯来说明的,但是当然也可以将本发明应用于陶瓷、树脂、纤维及微电子部件等被涂敷物。
此外,在上述实施例中,对被涂敷物进行等离子体蚀刻处理后,在上述被涂敷物上依次涂敷铜膜和不锈钢膜,但是上述铜膜也可以被铜氧化膜、铝膜及铝氧化膜等取代,而且上述不锈钢膜也可以被银等金属膜取代。
此外,在上述实施例中,用烘箱热风来烘干经过超声波清洗步骤的被涂敷物后,进行等离子体蚀刻处理,但是也可以在等离子体蚀刻的前面步骤中对被涂敷物的涂敷面实施溅射蚀刻及物理蚀刻工艺后,连续进行等离子体蚀刻处理。
此外,在上述实施例中,在等离子体蚀刻处理时,将O2注入等离子体蚀刻腔体内作为反应气体,但是也可以注入非活性气体或O2以外的其他反应性气体。作为上述非活性气体,可举出Ar或He,而作为上述反应性气体,可举出H2、N2、CF4、NH4、O2或它们的混合气体。
另一方面,本发明不限于上述例示性说明的特定实施例,在不脱离本发明要旨的范围内可以进行各种变形和修改。应该注意,本领域的技术人员能够实施的变形或修改只要利用本发明的特征,都包含在本发明的范围内。
如上所述,本发明的电磁波屏蔽膜涂敷方法和装置与现有的相比,被涂敷物和涂敷物间的粘合力优越,涂敷层致密,而且能够制造厚度及成分为均匀状态的电磁波屏蔽膜,能够与被涂敷物的形状无关地进行均匀状态的涂敷,而且在涂敷层内完全不存在杂质。此外,如上所述制造的电磁波屏蔽膜由铜膜和不锈钢膜二重金属膜构成,在宽频率范围内得到稳定、而且优越的电磁波屏蔽效果。不锈钢膜作为保护膜,能防止表面损伤。

Claims (5)

1、一种用于涂敷电磁波屏蔽膜的装置,该装置包括:
圆筒形腔体,在该腔体的前面有门,在该腔体的两侧设有多个泵;
圆筒形旋转夹具,设置在该腔体内,该旋转夹具中安装有多个被涂敷物;
用于以预定速度旋转该旋转夹具的部件,所述旋转部件设置在该旋转夹具的后方;
用于移动该旋转夹具的部件,用于将该旋转夹具放入该腔体或从该腔体中取出,以便将被涂敷物装入该旋转夹具或从该旋转夹具中卸下,所述移动部件设置在该旋转夹具的下侧;
靶,设置在该旋转夹具的内侧和外侧,所述靶用作阴极;以及
控制器,用于控制该装置的操作,该控制器设置在该腔体的一侧,
其中,该旋转夹具是圆环形的,并且包括:一对彼此间隔开的固定板;多个固定构件,设置在该固定板之间;以及多个夹持部件,用于固定被涂敷物,所述夹持部件设置在该固定构件的外侧;并且
其中,每个夹持部件包括:可动夹钳,设置在每个固定构件的外侧;螺栓,贯通所述固定构件和可动夹钳;以及紧固螺丝,与该螺栓结合,以便紧固或放松可动夹钳。
2、如权利要求1所述的装置,其特征在于,该夹具旋转部件包括:马达,设置在该腔体的外侧;驱动齿轮,可旋转地设置在腔体内,并且连结到该马达的马达轴上;以及从动齿轮,与该驱动齿轮啮合,该从动齿轮是环形的,其内周面由支持辊支持。
3、如权利要求2所述的装置,其特征在于,该从动齿轮在其一部分上设有驱动侧突起,该旋转夹具的固定板上设有夹具侧突起,当该从动齿轮旋转时,该夹具侧凸起与该驱动侧突起啮合。
4、一种涂敷电磁波屏蔽膜的装置,该装置包括:
圆筒形腔体,在该腔体的前面有门,在该腔体的两侧设有多个泵;
圆筒形旋转夹具,设置在该腔体内,该旋转夹具中安装有多个被涂敷物;
用于以预定速度旋转该旋转夹具的部件,所述旋转部件设置在该旋转夹具的后方;
用于移动该旋转夹具的部件,用于将该旋转夹具放入该腔体或从该腔体中取出,以便将被涂敷物装入该旋转夹具或从该旋转夹具中卸下,所述移动部件设置在该旋转夹具的下侧;
靶,设置在该旋转夹具的内侧和外侧,所述靶用作阴极;以及
控制器,用于控制该装置的操作,该控制器设置在该腔体的一侧,其中,
上述夹具移动部件包括:一对半圆形的夹具支承台,设置在该旋转夹具的下部,并且彼此间隔开;一对支持台,与该夹具支承台连结;多个辊,相隔预定间隔设置在该支持台上;以及一对轨道,设置在该腔体内的两侧,所述多个辊可以沿其滚动。
5、如权利要求1或4所述的装置,其特征在于,所述靶在其后表面排列有多个磁棒,该装置还包括支架,用于固定所述靶和磁棒,该支架具有在其中形成的冷却水循环孔。
CNB001309412A 2000-03-08 2000-11-14 电磁波屏蔽膜涂敷方法及其装置 Expired - Fee Related CN1224733C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000011539A KR20010087664A (ko) 2000-03-08 2000-03-08 전자파 차폐막 코팅방법 및 그 장치
KR11539/2000 2000-03-08
KR11539/00 2000-03-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1312398A CN1312398A (zh) 2001-09-12
CN1224733C true CN1224733C (zh) 2005-10-26

Family

ID=19653256

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB001309412A Expired - Fee Related CN1224733C (zh) 2000-03-08 2000-11-14 电磁波屏蔽膜涂敷方法及其装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6406601B1 (zh)
JP (1) JP2001267789A (zh)
KR (1) KR20010087664A (zh)
CN (1) CN1224733C (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003211084A (ja) * 2001-10-26 2003-07-29 Seiko Instruments Inc フッ素系樹脂コーティング方法およびこの方法を用いた摺動部材、気体圧縮機
KR100784155B1 (ko) * 2005-12-22 2007-12-10 주식회사 디엠에스 지그 및 이를 구비하는 기판 지지 장치
CN100482852C (zh) * 2005-12-30 2009-04-29 财团法人工业技术研究院 镀膜夹具及其镀膜载盘
KR100765941B1 (ko) * 2006-04-28 2007-10-11 주식회사 에이브이엠에스 증착 챔버 장치 및 이를 구비하는 증착 챔버 시스템
US8043452B2 (en) * 2007-11-01 2011-10-25 The Boeing Company Multifunctional electromagnetic shielding
DE102010056157A1 (de) * 2010-12-28 2012-06-28 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Halterung für Bohrkopfbeschichtung
KR101262872B1 (ko) * 2012-04-17 2013-05-09 (주)알텍테크놀로지스 리플렉터 제작 방법
KR101686318B1 (ko) * 2014-09-23 2016-12-13 명지대학교 산학협력단 스퍼터링을 이용한 전자파 차단 차폐막 형성 방법 및 그 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4560462A (en) * 1984-06-22 1985-12-24 Westinghouse Electric Corp. Apparatus for coating nuclear fuel pellets with a burnable absorber
US5618388A (en) * 1988-02-08 1997-04-08 Optical Coating Laboratory, Inc. Geometries and configurations for magnetron sputtering apparatus
JPH03264667A (ja) * 1990-03-12 1991-11-25 Shin Meiwa Ind Co Ltd カルーセル型スパッタリング装置
DE4123274C2 (de) * 1991-07-13 1996-12-19 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Bauteilen bzw. Formteilen durch Kathodenzerstäubung
US5421979A (en) * 1993-08-03 1995-06-06 Photran Corporation Load-lock drum-type coating apparatus
US5489369A (en) * 1993-10-25 1996-02-06 Viratec Thin Films, Inc. Method and apparatus for thin film coating an article
US5972183A (en) * 1994-10-31 1999-10-26 Saes Getter S.P.A Getter pump module and system
US5753092A (en) * 1996-08-26 1998-05-19 Velocidata, Inc. Cylindrical carriage sputtering system
US5788825A (en) * 1996-12-30 1998-08-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Vacuum pumping system for a sputtering device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001267789A (ja) 2001-09-28
CN1312398A (zh) 2001-09-12
KR20010087664A (ko) 2001-09-21
US6406601B1 (en) 2002-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3540093B1 (en) Planetary rotary shelf device for nano-coating apparatus
CN1224733C (zh) 电磁波屏蔽膜涂敷方法及其装置
CN1189595C (zh) 阻抗减小的室
US20230365769A1 (en) Resin surface hydrophilization method, plasma processing device, laminate body, and laminate body manufacturing methodresin surface hydrophilization method, plasma processing device, laminate body, an laminate body manufacturing method
JP2021512224A (ja) シャッターディスクアセンブリ、半導体処理デバイス、及び半導体処理方法
KR20200129615A (ko) 균일한 두께로 코팅 가능한 플라스틱 진공증착 코팅장치
NL8202368A (nl) Werkwijze voor het metalliseren van met koolvezels versterkte kunststofonderdelen.
CN1790615A (zh) 基板处理装置用部件及其制造方法
CN110527966B (zh) 一种用于长管镀膜的卧式磁控溅射设备
KR100295551B1 (ko) 전자파차폐막코팅방법및그장치
US20120062081A1 (en) Housing and method for manufacturing housing
CN101042989A (zh) 等离子体处理装置
CN115505908A (zh) 一种dlc层制备装置及制备方法
KR200436092Y1 (ko) 이온질화가 가능한 진공증착 코팅장치
JPH06248417A (ja) 基体表面の改質処理方法およびその改質処理装置
KR100651167B1 (ko) 전자파 차폐막 코팅장치 및 그 방법
US20120055691A1 (en) Housing and method for manufacturing housing
KR200183869Y1 (ko) 플라즈마를 이용한 전자파 차폐 자동코팅 장치
CN205710902U (zh) 增强型磁控溅射卷绕镀膜设备
TWI400347B (zh) 濺鍍式鍍膜裝置及鍍膜方法
JP3180557U (ja) 薄膜作製装置
CN113621929B (zh) 微波器件的制造设备和制造方法
TWI247576B (en) Method of manufacturing electromagnetic interference shield
JP2004197139A (ja) スパッタリング装置
KR100730435B1 (ko) 정전기를 이용하는 전처리 수단을 구비한 코팅 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20051026

Termination date: 20091214