CN1197325A - 由交流电网的两相电源线路驱动的直流电机的控制装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种由交流电网的两相电源线路(A,B)驱动的直流电机的控制装置,所述直流电机具有两个接线端子(C,D)。由于交流电网电压通常是恒定的,而且不允许超过规定的上限,所以在给定电压下,所能实现的电机功率主要取决于电机的大小及其效率,而且其功率通常会由于闸流管的移相控制或全波控制而减小。为使电网供电的电机功率超过其最大值,提供了一种由交流电网的两相电源线路(A,B)驱动的直流电机的控制装置,它可产生高压,从而提高电机功率。

Description

由交流电网的两相电源线路 驱动的直流电机的控制装置
本发明涉及一种由交流电网的两相电源线路(A,B)驱动的直流电机的控制装置,所述直流电机具有两个接线端子(C,D)。
在实际中,由交流电网驱动的直流电机通常用于吸尘器、理发用吹风机、电钻、圆锯、水泵、食品加工机以及其他许多家用电器和电动工具中。各种电器设备的功率一方面取决于电机的大小,另一方面取决于工作电压和电流强度。直流电机通常通过一个插座与当地的交流电网相连。
由于当地的交流电网的电网电压通常是恒定的,而且不允许超过规定的上限,所以在给定的电网电压下,所能实现的电机功率主要取决于电机的大小及其效率,而且其功率通常会由于闸流管的移相控制或全波控制而减小。所以在相应设备中使用的电机的结构尺寸由于空间安装条件而受到限制,同时也限制了可供使用的电机功率。
在无线电技术中存在一种可能性,使耗电装置,例如一个“真空管”以高于当地交流电网电压的有效电压工作。其中所采用的电路可将交流电压转换成较高的直流电压,而不必使用变压器或扼流圈,在文献中这种电路被称为DELON或者GREINACHER倍压电路,该电路由两个二极管和两个电容构成。其中各有一个电容和一个二极管串联在一起,并与另一个电容和另一个二极管相并联,其中的二极管布置成不同的极性,并且在二极管和对应的电容之间分别设置耗电装置的接线端子。
DELON电路和其他电路的区别在于能产生相对较高的电压,而且电路中设置的电容所承受的交流电负载相对较低。
但是,这种电路的缺点是,在电容充电期间会产生较强的电流增量,并且电容在半波充电过程中至少会出现部分放电。这样将会造成电网电流在该半波内有很大一部分为零,从而在电网电流中产生很强的谐波,这种谐波会造成很多问题。一方面它会影响当地的交流电网本身,另一方面会对与倍压电路串联的开关元件造成不利影响,此外还会对当地交流电网的运行产生不良影响。
对与倍压电路串联在一起的开关元件造成不利影响的原因是,谐波会产生较高的尖峰电流,该电流会对开关元件,例如电网开关,电网线路,电网插头或内部电路造成额外的负载。
在当地的交流电网中以及在与倍压电路串联的开关元件中产生的谐波只能造成无功功率,所以交流电网或开关元件的设计必须考虑这部分功率,从而其实际规格必须大于其有效功率所需的要求。
此外,由于高频谐波有可能对电网中进行的数据传输(例如婴儿呼叫器、住宅对讲机等装置)造成干扰。这种干扰有时是很严重的,因为住宅之间的通信和数据传输在今后会大大扩展其应用范围,所以必须避免对交流电网造成的干扰。
本发明的任务是,提供一种由交流电网的两相电源线路(A,B)驱动的直流电机的控制装置,所述直流电机具有两个接线端子(C,D),该装置可在交流电网中运行时提高电机的功率,并且避免对电网造成额外的负担和干扰。
以上任务的解决方案是,提供一种由交流电网的两相电源线路(A,B)驱动的直流电机的控制装置,所述直流电机具有两个接线端子(C,D),该装置具有以下特征:
1)接线端子(D)经至少一个二极管(D1)与电源线路(B)相连,其中二极管(D1)的阳极与电源线路(B)相连,阴极与接线端子(D)相连,
2)接线端子(C)经至少一个二极管(D2)与电源线路(B)相连,其中二极管(D2)的阳极与接线端子(C)相连,阴极与电源线路(B)相连,
3)接线端子(C)经至少一个二极管(D4)与电源线路(A)相连,其中二极管(D4)的阳极与接线端子(C)相连,阴极与电源线路(A)相连,
4)接线端子(D)经至少一个二极管(D3)与电源线路(A)相连,其中二极管(D3)的阳极与电源线路(A)相连,阴极与接线端子(D)相连,
5)接线端子(C)与由电容放电所控制的控制电路(S1)相连,所述控制电路至少具有一个第一控制电路接点(E)和一个第二控制电路接点(G),
6)所述控制电路接点(E)与接线端子(C)相连,
7)所述控制电路接点(G)经至少一个电容(C2),特别是一个电解电容(EC2)与电源线路(A)相连,并且所述控制电路接点(G)与电容(C2)的一端或电解电容(EC2)的负端相连,
8)接线端子(D)与由电容放电所控制的控制电路(S2)相连,所述控制电路至少具有一个第一控制电路接点(F)和一个第二控制电路接点(H),
9)所述控制电路接点(H)与接线端子(D)相连,
10)所述控制电路接点(F)经至少一个电容(C1),特别是一个电解电容(EC1)与电源线路(A)相连,并且所述控制电路接点(F)与电容(C1)的一端或电解电容(EC1)的正端相连。
该方案可产生电压举升,进而提高了电机的功率,其中的控制电路(S1,S2)可根据事先确定的相位角打开和关闭,使得来自交流电网的电流和电容(C1,C2)的放电电流相互补充,形成一个近似连续的电流。所以避免了较强的电流增量,降低了尖峰电流,使得电容的负载下降,尺寸减小。此外,由于明显减小了谐波及其调制,所以还避免了交流电网的多重损耗和附加电网损失以及干扰影响。
另外,由于减小了交流电分量,进而减小了铁芯损耗,电机的功率因数也得到了改善。
和普通的DELON电路相比,在同样的功率参数下,电容的容量可减小一半以上,这样不仅可以大大缩小结构尺寸,还可以明显降低电容的成本。
本发明所述的控制电路(S1,S2)还具有以下特征:
11)在第一控制电路接点(E,F)和第二控制电路接点(G,H)之间各有一个电阻(R5,R6)与电容(C3,C4)串联连接,
12)在第一控制电路接点(E,F)和第二控制电路接点(G,H)之间各有一个与对应的电容(C3,C4)和电阻(R5,R6)相并联的闸流晶体管(THY1,THY2),所述闸流晶体管的阳极与对应的第一控制电路接点(E,F)相连,所述闸流晶体管的阴极与对应的第二控制电路接点(G,H)相连,所述闸流晶体管的栅极与对应的电容(C3,C4)和对应的电阻(R5,R6)之间的连接点相连,
13)在第一控制电路接点(E,F)和第二控制电路接点(G,H)之间各有一个与对应的电容(C3,C4)和电阻(R5,R6)相并联的电阻(R2,R1),而且所述电阻又与二极管(D5,D6)串联在一起,其中所述二极管(D5,D6)的阴极与对应的控制电路接点(E,F)相连,所述二极管(D5,D6)的阳极与对应的电阻(R1,R2)相连。
由于采用了电阻(R1,R2),使得启动电流得到了限制,而且也限制了工作过程中电流上升的速率,从而一方面减小了二极管(D5,D6)启动时的负荷,另一方面限制了电网电流的谐波调制。
按照本发明,所述闸流晶体管(THY1,THY2)各经一个齐纳二极管(D11,D12)与对应的电容(C3,C4)和对应的电阻(R5,R6)之间的相应连接点相连,并且所述齐纳二极管(D11,D12)的阳极与对应的闸流晶体管(THY1,THY2)的栅极相连。这样可以提高闸流晶体管(THY1,THY2)的导通阈值,从而减小了闸流晶体管(THY1,THY2)因导通电压的公差不同而带来的影响。
本发明的进一步改进是,所述控制电路(S1,S2)各有一个二极管(D9,D10),该二极管的阳极与对应的第一控制电路接点(E,F)相连,该二极管的阴极与对应的闸流晶体管(THY1,THY2)的阳极和对应的电阻(R5,R6)之间的连接点相连。因为闸流晶体管的棚极相对阴极预先加有较大的负电压,所以可实现对闸流晶体管(THY1,THY2)的保护。
在本发明的一个优选的实施例中,所述控制电路(S1,S2)各有一个与对应电阻(R5,R6)相并联的二极管(D7,D8),该二极管的阴极与对应的闸流晶体管(THY1,THY2)的阳极相连,该二极管的阳极与对应的齐纳二极管(D11,D12)的阴极相连。这样可使得电容(C3,C4)在对应的闸流晶体管(THY1,THY2)每次导通后,能够可靠地接近彻底放电。
另外,可在所述控制电路接点(G,H)和所述闸流晶体管(THY1,THY2)的栅极与所述齐纳二极管(D11,D12)的阳极间的接线之间各有一个电阻(R3,R4),以便防止闸流晶体管(THY1,THY2)自行导通,因为闸流晶体管(THY1,THY2)栅极上的电载荷可被泄放。
在本发明的另一个实施例中,所述控制电路(S1,S2)各有一个相并联的二极管(D5,D6),所述二极管(D5,D6)的阳极与对应的第一控制电路接点(E,F)相连,所述二极管(D5,D6)的阴极与对应的第二控制电路接点(G,H)相连。所以相应电容(C1,C2)或电解电容(EC1,EC2)的充电可做到与控制电路(S1,S2)的结构或开关状态无关。
其中还可在所述二极管(D5,D6)的阴极和第二控制电路接点(G,H)之间相连有电阻(R1,R2)。这样,一方面可减小二极管(D5,D6)的启动负荷,另一方面可限制电网电流的谐波调制。
在本发明的一个优选的实施例中,所述控制装置可具有以下特征:
14)在第一控制电路接点(E,F)和第二控制电路接点(G,H)之间各有一个电阻(R5,R6)与电容(C3,C4)串联连接,
15)在第一控制电路接点(E,F)和第二控制电路接点(G,H)之间各有一个与对应的电容(C3,C4)和电阻(R5,R6)相并联的闸流晶体管(THY1,THY2),所述闸流晶体管的阳极与对应的第一控制电路接点(E,F)相连,所述闸流晶体管的阴极与对应的第二控制电路接点(G,H)相连,所述闸流晶体管的栅极与对应的电容(C3,C4)和对应的电阻(R5,R6)之间的连接点相连,
另一种优选的方案是,所述闸流晶体管(THY1,THY2)各经一个齐纳二极管(D11,D12)与对应的电容(C3,C4)和对应的电阻(R5,R6)之间的相应连接点相连,并且所述齐纳二极管(D11,D12)的阳极与对应的闸流晶体管(THY1,THY2)的棚极相连。这样可以提高闸流晶体管(THY1,THY2)的导通阈值,从而减小了闸流晶体管(THY1,THY2)因导通电压的公差不同而带来的影响。
根据本发明,所述控制电路(S1,S2)各有一个二极管(D9,D10),该二极管的阳极与对应的第一控制电路接点(E,F)相连,该二极管的阴极与对应的闸流晶体管(THY1,THY2)的阳极和对应的电阻(R5,R6)之间的连接点相连。因为闸流晶体管的栅极相对阴极预先加有较大的负电压,所以可实现对闸流晶体管(THY1,THY2)的保护。
另一种优选的方案是,所述控制电路(S1,S2)各有一个与对应电阻(R5,R6)相并联的二极管(D7,D8),该二极管的阴极与对应的闸流晶体管(THY1,THY2)的阳极相连,该二极管的阳极与对应的齐纳二极管(D11,D12)的阴极相连。这样可使得电容(C3,C4)在对应的闸流晶体管(THY1,THY2)每次导通后,能够可靠地接近彻底放电。
此外,在所述控制电路接点(G,H)和所述闸流晶体管(THY1,THY2)的栅极与所述齐纳二极管(D11,D12)的阳极间的接线之间各有一个电阻(R3,R4),以便防止闸流晶体管(THY1,THY2)自行导通,因为闸流晶体管(THY1,THY2)棚极上的电载荷可被泄放。
在本发明的一个优选的实施例中,所述控制装置的特征是采用以下特征的组合,
16)在电容(C1)或电解电容(EC1)与电源线路(A)之间有一个与二极管(D11)相串联的电容(C5),该电容特别是一个电解电容(EC5),并且所述二极管(D11)的阳极与电容(C1)的一端或电解电容(EC1)的负端相连,所述电容(C5)的自由端或电解电容(EC5)的负端与所述电源线路(A)相连,
17)设有一个二极管(D13),该二极管的阳极与二极管(D11)的阴极和电容(C5)或电解电容(EC5)的正端之间的接点(P)相连,该二极管的阴极与第一控制电路接点(F)相连,
18)设有一个二极管(D15),该二极管的阳极与所述电源线路(A)相连,该二极管的阴极与二极管(D11)的阳极和电容(C1)或电解电容(EC1)的负端之间的接点(J)相连,
19)在电容(C2)或电解电容(EC2)的负端和接线端子(C)之间有一个与二极管(D12)相串联的电容(C6),特别是一个电解电容(EC6),其中的二极管(D12)的阳极与电容(C2)的一端或电解电容(EC2)的负端相连,并且电容(C6)的自由端或电解电容(EC6)的负端与接线端子(C)相连,
20)设有一个二极管(D14),该二极管的阳极与二极管(D12)的阴极和电容(C6)或电解电容(EC6)的正端之间的接点(O)相连,该二极管的阴极与第一控制电路接点(E)相连,
21)设有一个二极管(D16),该二极管的阳极与所述电源线路(C)相连,该二极管的阴极与二极管(D12)的阳极和电容(C2)或电解电容(EC2)的负端之间的接点(I)相连,
由于设置了第二个功率级,所以实现了电压的小幅度然而持续不断的升高,这样可减小交流电的分量,进而减小了电机的铁芯损失。相应地,电机效率也得到提高。此外,由于能量的转换是分布在若干个电容上进行的,所以减小了单个电容的负荷,使得电容可以采用较小的规格,从而进一步降低了成本。
根据一种优选的方案,每个控制电路至少各有一个额外的功率级,各功率级均包括以下特征之组合:
22)所述功率级至少由三个二极管和一个电容或电解电容组成,
23)所述电容或电解电容以及第一个二极管串联布置在前一个功率级的电容和电源线路(A)或接线端子(C)之间,其中第一个二极管的阳极与前一个功率级的电容或电解电容的负端相连,而电容的自由端或电解电容的负端则与电源线路(A)或接线端子(C)相连,
24)在第一个二极管的阳极与电容或前一个功率级之间的接点(M,N)上各连接有第二个二极管的阴极,而该二极管的阳极则与电源线路(A)或接线端子(C)相连,
25)第三个二极管的阴极与第一控制电路接点(E,F)相连,该二极管的阳极与第一个二极管的阴极和前一个功率级的电容或电解电容正端之间的接点(K,L)相连。
以此方式可将电路进行任意的级联,从而灵活地适应不同的要求。本发明所述控制电路(S1,S2)可具有金属氧化物场效应晶体管和/或双极晶体管,从而可实现对电容(C3,C4)放电过程的任意控制。本发明所述控制电路(S1,S2)还可具有绝缘栅双极晶体管,该晶体管的截至电压较高,而且工作电流大,所需控制功率小。它也可实现对电容(C3,C4)放电过程的任意控制。
此外,本发明所述控制电路(S1,S2)还可具有双向闸流晶体管。
下面对照附图所示实施例对本发明做进一步的说明。
图1表示本发明所述控制装置的第一个实施例,其控制电路(S1,S2)以简图表示;
图2表示本发明所述控制装置的第二个实施例,其控制电路(S1,S2)以详图表示;
图3表示本发明所述控制装置的第三个实施例,这是一个一元级联,其控制电路(S1,S2)以简图表示;
图4表示本发明所述控制装置的第四个实施例,这是一个二元级联,其控制电路(S1,S2)以简图表示;
图5表示本发明所述控制装置的第五个实施例,其控制电路(S1,S2)以详图表示。
图1至图5表示本发明所述控制装置的不同的实施例,该装置是由交流电网的两相电源线路(A,B)驱动的直流电机的控制装置,图中未画出的直流电机具有两个接线端子(C,D)。各图所示实施例之间的区别主要在于其控制电路(S1,S2)有不同的结构,或者存在级联或有级联的扩展。在所有的附图中,相同或一致的部分均使用统一的标记表示。
图2表示的是本发明所述控制装置的电路图,其中并没有画出交流电网和直流电机,而是分别用电网的电源线路(A,B)和直流电机的接线端子(C,D)代表。
接线端子(D)经一个二极管(D1)与电源线路(B)相连,其中二极管(D1)的阳极与电源线路(B)相连,阴极与接线端子(D)相连。接线端子(C)经一个二极管(D2)同样与电源线路(B)相连,其中二极管(D2)的阳极与接线端子(C)相连,阴极与电源线路(B)相连。
接线端子(C)经一个二极管(D4)与电源线路(A)相连,其中二极管(D4)的阳极与接线端子(C)相连,阴极与电源线路(A)相连。接线端子(D)经一个二极管(D3)同样与电源线路(A)相连,其中二极管(D3)的阳极与电源线路(A)相连,阴极不仅与接线端子(D)相连,而且与二极管(D1)的阳极相连。
此外,接线端子(C)经具有一个第一控制电路接点(E)和一个第二控制电路接点(G)的控制电路(S1),与一个电解电容(EC2)的负端相连。电解电容(EC2)的正端与电源线路(A)相连。
在控制电路(S1)的第一控制电路接点(E)和第二控制电路接点(G)之间有一个二极管(D6)与电阻(R2)串联在一起,其中所述二极管(D6)的阴极与对应的控制电路接点(E)相连,所述二极管(D6)的阳极与电阻(R2)相连。与此平行的是在控制电路接点(E)和控制电路接点(G)之间有一个二极管(D10)串联连接,并且有一个电容(C4)与电阻(R6)串联在一起,其中所述二极管(D10)的阴极与电阻(R6)相连,所述二极管(D10)的阳极与控制电路接点(E)相连。在二极管(D10)的阴极和电阻(R6)以及控制电路接点(G)之间的连接点上接有一个闸流晶体管(THY2),该晶体管的阳极与二极管(D10)的阴极和电阻(R6)之间的连接点相连,该晶体管的阴极与控制电路接点(G)相连,该晶体管的栅极与一个齐纳二极管(D12)的阳极和一个电阻(R4)相连,该电阻的另一端则与控制电路接点(G)相连。与电阻(R6)相并联的二极管(D8)的阴极同样与二极管(D10)的阴极相连。齐纳二极管(D12)的阴极与二极管(D8)的阳极相连。
此外,接线端子(D)经具有一个第一控制电路接点(F)和一个第二控制电路接点(H)的控制电路(S2),与一个电解电容(EC1)的正端相连。电解电容(EC1)的负端与电源线路(A)相连。
在控制电路(S2)的控制电路接点(F)和控制电路接点(H)之间有一个二极管(D5)与电阻(R1)串联在一起,其中所述二极管(D5)的阴极与对应的控制电路接点(F)相连,所述二极管(D5)的阳极与电阻(R1)相连。与此平行的是在控制电路接点(F)和控制电路接点(H)之间有一个二极管(D9)串联连接,并且有一个电容(C3)与电阻(R5)串联在一起,其中所述二极管(D9)的阴极与电阻(R5)相连,所述二极管(D9)的阳极与控制电路接点(F)相连。在二极管(D9)的阴极和电阻(R5)以及控制电路接点(H)之间的连接点上接有一个闸流晶体管(THY1),该晶体管的阳极与二极管(D9)的阴极和电阻(R5)之间的连接点相连,该晶体管的阴极与控制电路接点(H)相连,该晶体管的栅极与一个齐纳二极管(D11)的阳极和一个电阻(R3)相连,该电阻的另一端则与控制电路接点(H)相连。与电阻(R5)相并联的二极管(D7)的阴极同样与二极管(D9)的阴极相连。齐纳二极管(D11)的阴极与二极管(D7)的阳极相连。
下面对照图2所示实施例对本发明所述控制装置的工作方式加以说明,其中作为初始点,电解电容(EC1)没有充电,而电解电容(EC2)反向充电。
在电源线路(B)上出现的是交流电压的正半波,电解电容(EC1)在通过二极管(D1)、电阻(R1)和二极管(D5)的电流作用下进行正向充电。与此平行的是连接在电源线路(C,D)上的电机经二极管(D1)供电,所提供的电流来自于二极管(D4)。
当电解电容(EC1)的充电电流达到最大值时,因电容(C4)和电阻(R6)的存在,使得闸流晶体管(THY2)延迟导通,并且电解电容(EC2)经接线端子(C)与电机相连。电解电容(EC2)上作用的电压相叠加达到电网电压,从而产生了电压举升。当电解电容(EC2)放电时,闸流晶体管(THY2)自动截至,电机仅经二极管(D4)与电源接线(A)相连。此时正半波的整流结束。这时作为结束的终点,电解电容(EC1)正向充电,而电解电容(EC2)放电。
接着在电源接线(B)上进行负半波的整流,整流过程与上述相同,但方向相反。

Claims (19)

1、一种由交流电网的两相电源线路(A,B)驱动的直流电机的控制装置,具有以下特征:
1)接线端子(D)经至少一个二极管(D1)与电源线路(B)相连,其中二极管(D1)的阳极与电源线路(B)相连,阴极与接线端子(D)相连,
2)接线端子(C)经至少一个二极管(D2)与电源线路(B)相连,其中二极管(D2)的阳极与接线端子(C)相连,阴极与电源线路(B)相连,
3)接线端子(C)经至少一个二极管(D4)与电源线路(A)相连,其中二极管(D4)的阳极与接线端子(C)相连,阴极与电源线路(A)相连,
4)接线端子(D)经至少一个二极管(D3)与电源线路(A)相连,其中二极管(D3)的阳极与电源线路(A)相连,阴极与接线端子(D)相连,
5)接线端子(C)与由电容放电所控制的控制电路(S1)相连,所述控制电路至少具有一个第一控制电路接点(E)和一个第二控制电路接点(G),
6)所述控制电路接点(E)与接线端子(C)相连,
7)所述控制电路接点(G)经至少一个电容(C2),特别是一个电解电容(EC2)与电源线路(A)相连,并且所述控制电路接点(G)与电容(C2)的一端或电解电容(EC2)的负端相连,
8)接线端子(D)与由电容放电所控制的控制电路(S2)相连,所述控制电路至少具有一个第一控制电路接点(F)和一个第二控制电路接点(H),
9)所述控制电路接点(H)与接线端子(D)相连,
10)所述控制电路接点(F)经至少一个电容(C1),特别是一个电解电容(EC1)与电源线路(A)相连,并且所述控制电路接点(F)与电容(C1)的一端或电解电容(EC1)的正端相连。
2、如权利要求1所述的控制装置,其特征是,
11)在第一控制电路接点(E,F)和第二控制电路接点(G,H)之间各有一个电阻(R5,R6)与电容(C3,C4)串联连接,
12)在第一控制电路接点(E,F)和第二控制电路接点(G,H)之间各有一个与对应的电容(C3,C4)和电阻(R5,R6)相并联的闸流晶体管(THY1,THY2),所述闸流晶体管的阳极与对应的第一控制电路接点(E,F)相连,所述闸流晶体管的阴极与对应的第二控制电路接点(G,H)相连,所述闸流晶体管的栅极与对应的电容(C3,C4)和对应的电阻(R5,R6)之间的连接点相连,
13)在第一控制电路接点(E,F)和第二控制电路接点(G,H)之间各有一个与对应的电容(C3,C4)和电阻(R5,R6)相并联的电阻(R2,R1),而且所述电阻又与二极管(D5,D6)串联在一起,其中所述二极管(D5,D6)的阴极与对应的控制电路接点(E,F)相连,所述二极管(D5,D6)的阳极与对应的电阻(R1,R2)相连。
3、如权利要求2所述的控制装置,其特征是,所述闸流晶体管(THY1,THY2)各经一个齐纳二极管(D11,D12)与对应的电容(C3,C4)和对应的电阻(R5,R6)之间的相应连接点相连,并且所述齐纳二极管(D11,D12)的阳极与对应的闸流晶体管(THY1,THY2)的棚极相连。
4、如权利要求3所述的控制装置,其特征是,所述控制电路(S1,S2)各有一个二极管(D9,D10),该二极管的阳极与对应的第一控制电路接点(E,F)相连,该二极管的阴极与对应的闸流晶体管(THY1,THY2)的阳极和对应的电阻(R5,R6)之间的连接点相连。
5、如权利要求3或4所述的控制装置,其特征是,所述控制电路(S1,S2)各有一个与对应电阻(R5,R6)相并联的二极管(D7,D8),该二极管的阴极与对应的闸流晶体管(THY1,THY2)的阳极相连,该二极管的阳极与对应的齐纳二极管(D11,D12)的阴极相连。
6、如权利要求3至5中任何一项所述的控制装置,其特征是,在所述控制电路接点(G,H)和所述闸流晶体管(THY1,THY2)的栅极与所述齐纳二极管(D11,D12)的阳极间的接线之间各有一个电阻(R3,R4)。
7、如权利要求1所述的控制装置,其特征是,所述控制电路(S1,S2)各有一个相并联的二极管(D5,D6),所述二极管(D5,D6)的阳极与对应的第一控制电路接点(E,F)相连,所述二极管(D5,D6)的阴极与对应的第二控制电路接点(G,H)相连。
8、如权利要求7所述的控制装置,其特征是,在所述二极管(D5,D6)的阴极和第二控制电路接点(G,H)之间相连有电阻(R1,R2)。
9、如权利要求7或8所述的控制装置,其特征是,
14)在第一控制电路接点(E,F)和第二控制电路接点(G,H)之间各有一个电阻(R5,R6)与电容(C3,C4)串联连接,
15)在第一控制电路接点(E,F)和第二控制电路接点(G,H)之间各有一个与对应的电容(C3,C4)和电阻(R5,R6)相并联的闸流晶体管(THY1,THY2),所述闸流晶体管的阳极与对应的第一控制电路接点(E,F)相连,所述闸流晶体管的阴极与对应的第二控制电路接点(G,H)相连,所述闸流晶体管的栅极与对应的电容(C3,C4)和对应的电阻(R5,R6)之间的连接点相连,
10、如权利要求9所述的控制装置,其特征是,所述闸流晶体管(THY1,THY2)各经一个齐纳二极管(D11,D12)与对应的电容(C3,C4)和对应的电阻(R5,R6)之间的相应连接点相连,并且所述齐纳二极管(D11,D12)的阳极与对应的闸流晶体管(THY1,THY2)的栅极相连。
11、如权利要求10所述的控制装置,其特征是,所述控制电路(S1,S2)各有一个二极管(D9,D10),该二极管的阳极与对应的第一控制电路接点(E,F)相连,该二极管的阴极与对应的闸流晶体管(THY1,THY2)的阳极和对应的电阻(R5,R6)之间的连接点相连。
12、如权利要求10或11所述的控制装置,其特征是,所述控制电路(S1,S2)各有一个与对应电阻(R5,R6)相并联的二极管(D7,D8),该二极管的阴极与对应的闸流晶体管(THY1,THY2)的阳极相连,该二极管的阳极与对应的齐纳二极管(D11,D12)的阴极相连。
13、如权利要求10至12中任何一项所述的控制装置,其特征是,在所述控制电路接点(G,H)和所述闸流晶体管(THY1,THY2)的栅极与所述齐纳二极管(D11,D12)的阳极间的接线之间各有一个电阻(R3,R4)。
14、如权利要求7至13中任何一项所述的控制装置,其特征是采用以下特征的组合,
16)在电容(C1)或电解电容(EC1)与电源线路(A)之间有一个与二极管(D11)相串联的电容(C5),该电容特别是一个电解电容(EC5),并且所述二极管(D11)的阳极与电容(C1)的一端或电解电容(EC1)的负端相连,所述电容(C5)的自由端或电解电容(EC5)的负端与所述电源线路(A)相连,
17)设有一个二极管(D13),该二极管的阳极与二极管(D11)的阴极和电容(C5)或电解电容(EC5)的正端之间的接点(P)相连,该二极管的阴极与第一控制电路接点(F)相连,
18)设有一个二极管(D15),该二极管的阳极与所述电源线路(A)相连,该二极管的阴极与二极管(D11)的阳极和电容(C1)或电解电容(EC1)的负端之间的接点(J)相连,
19)在电容(C2)或电解电容(EC2)的负端和接线端子(C)之间有一个与二极管(D12)相串联的电容(C6),特别是一个电解电容(EC6),其中的二极管(D12)的阳极与电容(C2)的一端或电解电容(EC2)的负端相连,并且电容(C6)的自由端或电解电容(EC6)的负端与接线端子(C)相连,
20)设有一个二极管(D14),该二极管的阳极与二极管(D12)的阴极和电容(C6)或电解电容(EC6)的正端之间的接点(O)相连,该二极管的阴极与第一控制电路接点(E)相连,
21)设有一个二极管(D16),该二极管的阳极与所述电源线路(C)相连,该二极管的阴极与二极管(D12)的阳极和电容(C2)或电解电容(EC2)的负端之间的接点(I)相连,
15、如权利要求14所述的控制装置,其特征是,每个控制电路至少各有一个额外的功率级,各功率级均包括以下特征之组合:
22)所述功率级至少由三个二极管和一个电容或电解电容组成,
23)所述电容或电解电容以及第一个二极管串联布置在前一个功率级的电容和电源线路(A)或接线端子(C)之间,其中第一个二极管的阳极与前一个功率级的电容或电解电容的负端相连,而电容的自由端或电解电容的负端则与电源线路(A)或接线端子(C)相连,
24)在第一个二极管的阳极与电容或前一个功率级之间的接点(M,N)上各连接有第二个二极管的阴极,而该二极管的阳极则与电源线路(A)或接线端子(C)相连,
25)第三个二极管的阴极与第一控制电路接点(E,F)相连,该二极管的阳极与第一个二极管的阴极和前一个功率级的电容或电解电容正端之间的接点(K,L)相连。
16、如权利要求1、7、8中任何一项,或权利要求14或15与权利要求7或8之组合所述的控制装置,其特征是,控制电路(S1,S2)具有金属氧化物场效应晶体管。
17、如权利要求1、7、8中任何一项,或权利要求14或15与权利要求7或8之组合所述的控制装置,其特征是,控制电路(S1,S2)具有双极晶体管。
18、如权利要求1、7、8中任何一项,或权利要求14或15与权利要求7或8之组合所述的控制装置,其特征是,控制电路(S1,S2)具有绝缘栅双极晶体管。
19、如权利要求1、7、8中任何一项,或权利要求14或15与权利要求7或8之组合所述的控制装置,其特征是,控制电路(S1,S2)具有双向闸流晶体管。
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