CN1188698A - 一种消失模铸造方法及设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种消失模铸造方法和专用设备,主要在普通消失模铸造方法和设备的基础上进行了改进,其特点是在砂箱4内放置发泡模型2,填入石英砂3,在型砂紧实后,在砂箱顶部覆盖塑料膜1,并在砂箱4内部安置抽真空终端管5,直至铸件完全凝固。采用本发明可使用普遍发泡材料,简化加工工序,提高铸件成品率,降低铸件成本。
Description
本发明属于一种铸造方法及专用设备,尤其是涉及一种消失模铸造方法。
目前,普通的消失模铸造方法是利用聚苯乙烯(EPS)或EPS和EPMA发泡材料混合制成的模型,经上涂料烘干后,放到已铺底砂的砂箱内,在加砂紧实后便可等待浇注。浇注时大部分铸造车间不采用抽真空,仅极少部分工厂在浇注同时进行抽气。由于砂箱顶面为松散的砂子,无任何覆盖物,因此在箱底下抽真空的目的也仅是在于改善浇注地的环境,把有害气体抽走。使用这种铸造方法在生产铸铁件时容易产生两个问题。首先是消失模气化的气体不易排出,导至在铸件上产生皱皮等亮碳缺陷。为解决这个问题就要求严格控制发泡材料,乃至使用更昂贵的EPMMA珠粒,同时要选用合格的涂料,透气性要高或者在工艺设计上使用其它工艺措施,如浇口位置及排气冒口的安置。其次是砂箱内表面的填充砂表面至模型最高处的距离要加大到250mm以上,导至砂箱的有效利用系数降低。同时在浇注时由于紧实度不够,型壁很易产生移动,在生产球墨铸铁时就易产生缩松,故要求使用良好的补缩措施,从而增加了成本和工序。
本发明的目的是提供一种可使用普遍发泡材料,加工工序简单,铸件成品率高且成本低的消失模铸造方法和专用设备。
为了实现上述目的本发明提供了一种消失模铸造方法,其特点是在砂箱内放置模型填砂紧实后,在砂箱顶部覆盖塑料膜,并在砂箱内部抽真空,浇注后直至铸件完全凝固。
上述的铸造方法,其特点在于浇注时填充干砂的紧实度在1.60g/cm3以上,砂型内部气压处于0.050-0.015MPa。
上述的铸造方法,其特点在于铸造球墨铸铁件时可采用普通发泡材料制成的模型。
上述的铸造方法,其特点在于对于中小型球墨铸铁件可采用无冒口铸造方法。
用于上述方法的专用设备,主要由砂箱及其内部的发泡模型和石英砂组成,其特征在于在所述的砂箱顶部表面还覆盖有塑料薄膜,在砂箱内部还安装有抽真空终端管。
采用上述方法和设备后,不仅减少了消失模气化烟气向大气中扩散的程度,较旧工艺有明显改善,而且高的压差,使消失模气化很易透过铸型涂料被抽走,从而减少了浇注高碳当量铸铁时易产生亮碳缺陷的危险,最终降低了对制模发泡材料和相配涂料的要求。在生产球墨铸铁件时不用EPMMA,仅用普遍发泡材料EPS就可获得健全的铸件。由于砂箱顶部有塑料膜,砂箱在接通真空系统后,填充石英砂后就可像V法造型一样再次紧实,这样即可减少砂面至模型上表面的距离,提高了砂箱的有效利用系数;同时高的紧实度使型壁移动减到最小,从而能防止球墨铸铁件的缩松。由于对中小型球墨铸件仅用凝固膨胀特性就可获得致密的铸件,而无需用冒口,所以上述方法能提高铸件的成品率,降低生产成本。
下面结合附图进一步说明本发明的实施例
图1是本发明的一种消失模铸造方法实施的专用设备示意图
本发明的工艺流程主要由模型制作、造型及浇注和旧砂处理三部分组成,其中造型及浇注工艺流程由如下步骤组成:倒尽铸件及残砂;空砂箱准备;填充底砂并铺平;在砂箱内放置聚苯乙烯发泡模型串;加砂;在三级振动台振动紧实;在砂箱表面覆盖塑料薄膜;抽真空;浇注;冷却;落砂。
在图1中,本发明的专用设备主要由塑料薄膜1、聚苯乙烯发泡模型2、石英砂3、砂箱4和抽真空终端管5组成。目前已建成一条采用本发明方法和专用设备、生产率为30箱/时的半自动生产线。砂箱尺寸为1000×1100×1400mm,采用3t冲天炉、5t无芯感应电炉,可生产DN100-600的各种型式100多种球墨铸铁管接头。
Claims (5)
1、一种消失模铸造方法,其特征是在砂箱内放置模型、填砂紧实后,在砂箱顶部覆盖塑料膜,并在砂箱内部抽真空,浇注后直至铸件完全凝固。
2、根据权利要求1所述的铸造方法,其特征在于浇注时填充干砂的紧实度在1.60g/cm3以上,砂型内部气压处于0.050-0.015MPa。
3、根据权利要求2所述的铸造方法,其特征在于铸造球墨铸铁件时可采用普通发泡材料制成的模型。
4、根据权利要求2或3所述的铸造方法,其特征在于对于中小型球墨铸铁件可采用无冒口铸造方法。
5、一种用于权利要求1所述方法的专用设备,主要由砂箱及其内部的发泡模型和石英砂组成,其特征在于在所述的砂箱顶部表面还覆盖有塑料薄膜,在砂箱内部还安装有抽真空终端管。
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- 1997-11-13 CN CN97120287A patent/CN1072072C/zh not_active Expired - Lifetime
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