CN118412299A - 基板处理系统 - Google Patents

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谷口进一
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Screen Holdings Co Ltd
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Abstract

比较简单地实现能够对基板连续地进行批量处理和单片处理的基板处理系统。根据本发明，通过利用中继装置将个别的批量处理装置与单片处理装置连结，对基板连续地进行批量处理和单片处理。这样构成的话，能够可靠地借用在个别的批量处理式装置和单片处理式装置中培养的技术，能够比较简单地实现可以对基板连续地进行批量处理和单片处理的基板处理系统。

Description

基板处理系统
技术领域
本发明涉及对半导体基板、液晶显示用或有机EL(Electroluminescence)显示装置等FPD(Flat Panel Display)用基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板等各种基板进行规定处理的基板处理系统。
背景技术
以往，作为这种装置存在具有批量式模块、单片式模块的装置(例如参照专利文献1)。批量式模块对多张基板一并进行规定处理。单片式模块对一张一张的基板进行规定处理。批量式模块、单片式模块有各自固有的长处。具有批量式模块、单片式模块的基板处理装置具有双方的长处，由此实现了比批量式基板处理装置或单片式基板处理装置更具有优点的结构。
专利文献1的装置在对盒(cassette)进行搬入搬出的搬入搬出部的里侧具有与单片式基板处理相关的单片处理部，在单片处理部的更里侧具有与批量式基板处理相关的批量处理部。因此，根据该装置结构，从搬入搬出部的盒C取出的基板首先通过单片处理部，被搬送到批量处理部。由批量处理部进行了批量处理的基板返回至单片处理部。然后，单片处理部对批量处理完的基板实施单片处理。通过批量式模块和单片式模块一体化而成的装置，来实现一系列的基板处理。
现有技术文献
专利文献1：日本特开2021-64654号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，上述装置的硬件结构与现有的基板处理装置大不相同，会产生各种问题。作为现有的基板处理装置，有仅进行批量处理的装置和仅进行单片处理的装置。仅进行批量处理的装置是从收纳多张基板的盒一并取出基板，进行批量处理，使基板返回至盒的结构。另一方面，仅进行单片处理的装置是从盒一张一张地取出基板，进行单片处理，使基板返回至盒的结构。这两种装置具有长期的实际运用成果，也确立了装置结构和运转方法。然而，在如专利文献1那样批量式模块与单片式模块一体化而成的装置结构中，可能在运转中产生无法预期的不良情况。另外，如果要新制造将批量式模块和单片式模块一体化而成的装置，将导致装置的设计成本和制造成本增大。
本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于比较简单地实现能够对基板连续地进行批量处理和单片处理的基板处理系统。
用于解决课题的手段
本发明为了解决上述课题而采取如下结构。
(1)一种基板处理系统，其连续地进行一并处理多张基板的批量处理和一张一张地处理基板的单片处理，其特征在于，所述基板处理系统具有：批量处理装置，其进行批量处理；至少一个单片处理装置，其对批量处理完的基板进行单片处理；以及至少一个中继装置，其确定了搬入位置和搬出位置这两个位置，其中，所述搬入位置用于从所述批量处理装置接受批量处理完的基板，所述搬出位置用于将在所述搬入位置接受的基板交付给所述单片处理装置，所述批量处理装置具有：第一载体载置搁板，其载置载体，该载体在铅垂方向上隔开规定间隔地收纳水平姿势的多张基板；移载块，其与所述第一载体载置搁板邻接；批量处理块，其与所述移载块邻接，所述移载块具有：基板处置机构，其从载置于所述第一载体载置搁板的载体，一并取出多张基板；以及第一姿势转换机构，其将从所述载体取出的多张基板从水平姿势一并转换为铅垂姿势，所述批量处理块具有：至少一个批量处理槽，其对铅垂姿势的多张基板一并进行浸渍处理；以及一并搬送机构，其在所述移载块、所述批量处理槽以及所述中继装置的所述搬入位置之间一并搬送铅垂姿势的多张基板，所述单片处理装置具有：第二载体载置搁板，其载置所述载体；分度块，其与所述第二载体载置搁板邻接；单片处理块，其与所述分度块邻接，所述单片处理块具有：多个单片处理腔室，其对水平姿势的基板一张一张地进行干燥处理；以及单片搬送机构，其从所述中继装置的所述搬出位置一张一张地接收批量处理完的水平姿势的基板，搬送至所述单片处理腔室，所述分度块具有：分度机器人，其将单片处理完的基板收纳到载置于所述第二载体载置搁板的所述载体，所述中继装置具有：第二姿势转换机构，其将从所述批量处理装置接受到的多张基板从铅垂姿势转换为水平姿势，以及中继搬送机构，其沿着在所述搬入位置与所述搬出位置之间设置的基板搬送路来搬送基板。
[作用和效果]根据上述(1)的发明，通过利用中继装置将个别的批量处理装置与单片处理装置连结，能够构成连续地进行一并处理多张基板的批量处理和一张一张地处理基板的单片处理的基板处理系统。即，本发明具有：中继装置，其确定了用于从批量处理装置接受批量处理完的基板的搬入位置、用于将在搬入位置接受的基板交付给单片处理装置的搬出位置这两个位置。该中继装置在搬入位置接受在个别的批量处理装置中结束了批量处理的基板，经由搬出位置交付给个别的单片处理装置。这样，能够构成根据在个别的装置中培养的技术来连续地进行批量处理和单片处理的基板处理系统。另外，也能够抑制系统的设计成本和制造成本。
本说明书除了上述(1)的发明以外，还公开了以下发明。
(2)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，在所述中继装置中，所述第二姿势转换机构设置于所述搬入位置侧，还具有：单片基板位移机构，其从由所述第二姿势转换机构从铅垂姿势一并转换为水平姿势的多张基板中一张一张地取出基板，向所述中继搬送机构交付，在所述中继装置中，所述中继搬送机构将从所述单片基板位移机构交付的水平姿势的基板一张一张地向所述搬出位置搬送。
[作用和效果]根据(2)的结构，中继装置构成为在搬入位置侧对多张基板一并进行姿势转换，经由中继搬送机构将姿势转换后的基板一张一张地交付至搬出位置。若这样构成为单片处理装置在中继装置的搬出位置一张一张地取得基板，则能够简化单片处理装置的结构，能够增加单片处理腔室的搭载数量，因此，可以提供吞吐量高的基板处理系统。
(3)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，在所述中继装置中，所述第二姿势转换机构设置于所述搬入位置侧，在所述中继装置中，所述中继搬送机构将由所述第二姿势转换机构从垂直姿势一并转换为水平姿势的多张基板一并向所述搬出位置搬送。
[作用和效果]根据(3)的结构，中继装置构成为在搬入位置侧对多张基板一并进行姿势转换，经由中继搬送机构将姿势转换后的基板一并交付至搬出位置。根据这样的结构，可以提供一种能够使在中继装置中搬送基板的速度高速化且基板流程顺畅的基板处理系统。
(4)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，在所述中继装置中，所述第二姿势转换机构设置于所述搬出位置侧，在所述中继装置中，所述中继搬送机构将从所述批量处理装置接受的铅垂姿势的多张基板一并搬送至所述第二姿势转换机构，在所述中继装置中，所述第二姿势转换机构将从所述中继搬送机构接受到的铅垂姿势的多张基板一并转换为水平姿势。
[作用和效果]根据(4)的结构，中继装置构成为：利用中继搬送机构将在搬入位置取得的多张基板搬送至单片处理装置侧，在搬出位置转换多张基板的姿势。根据这样的结构，可以提供一种能够使在中继装置中搬送基板的速度高速化且基板流程顺畅的基板处理系统。并且，通过将第二姿势转换机构放置于单片处理装置侧，能够简化批量处理装置的结构。
(5)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，所述中继搬送机构由传送带机构构成。
[作用和效果]根据(5)的结构，中继装置中的中继搬送机构由传送带机构构成。根据这样的结构，可以提供以简单且可靠的方法一张一张地搬送水平姿势的基板的基板处理系统。
(6)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，所述中继搬送机构由能够把持基板的机器人构成。
[作用和效果]根据(6)的结构，中继装置中的中继搬送机构由能够把持基板的机器人构成。根据这样的结构，可以提供可靠地搬送多张基板的基板处理系统。
(7)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，在所述中继装置的所述搬入位置具有：待机槽，其使从所述批量处理装置搬入的铅垂姿势的多张基板浸渍于液体中。
[作用和效果]根据(7)的结构，在中继装置的搬入位置具有：待机槽，其使从批量处理装置搬入的铅垂姿势的多张基板浸渍于液体中。若这样构成，则可以提供一种在中继装置中不使多张基板干燥就能可靠地搬送基板的基板处理系统。
(8)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，所述中继装置具有：液体供给部，其向由所述中继搬送机构搬送的基板供给液体而利用所述液体使基板的表面润湿。
[作用和效果]根据(8)的结构，中继装置具有：液体供给部，其向由中继搬送机构搬送的基板供给液体而利用液体使基板的表面润湿。若这样构成，则可以提供一种在中继装置中不使多张基板干燥就能可靠地搬送基板的基板处理系统。
(9)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，所述中继装置在所述搬入位置侧具有：批量处理装置侧闸门，其能够阻断通过所述基板搬送路的气体介质流通。
[作用和效果]根据(9)的结构，在搬入位置侧具有：批量处理装置侧闸门，其能够阻断通过中继装置的基板搬送路的气体介质流通。根据这样的结构，能够阻断批量处理装置的气体介质与单片处理装置的气体介质，因此，可以提供即使在批量处理装置中使用侵蚀性药液，也能够防止单片处理装置具有的各种机构产生故障的基板处理系统。
(10)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，所述中继装置在所述搬出位置侧具有：单片处理装置侧闸门，其能够阻断通过所述基板搬送路的气体介质流通。
[作用和效果]根据(10)的结构，在所述搬出位置侧具有：单片处理装置侧闸门，其能够阻断通过中继装置的基板搬送路的气体介质流通。根据这样的结构，能够阻断批量处理装置的气体介质与单片处理装置的气体介质，因此，可以提供即使在批量处理装置中使用侵蚀性药液，也能够防止单片处理装置具有的各种机构产生故障的基板处理系统。
(11)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，在所述中继装置中，所述搬出位置位于在所述单片处理装置中沿铅垂方向层叠所述单片处理腔室而构成的层叠体的中层。
[作用和效果]根据(11)的结构，中继装置位于在单片处理装置中沿铅垂方向层叠单片处理腔室而构成的层叠体的中层。若这样构成，则成为设置于层叠体上层的单片处理腔室与中继装置的搬出位置接近的配置，仅通过稍微进行基板搬送便能够从中继装置向单片处理腔室搬送基板。因此，根据该结构，可以提供吞吐量高的基板处理系统。另外，根据该结构，对于在层叠体下层设置有单片处理腔室，可以说是一样的效果。在这一意义上，基板处理系统中的吞吐量高。
(12)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，所述中继装置的搬出位置及多个所述单片处理腔室配置在所述单片搬送机构的周围。
[作用和效果]根据(12)的结构，单片处理装置中的单片搬送机构停留在中继装置的搬出位置及由多个单片处理腔室分别包围的位置。若这样构成，则能够接近搬出位置地配置单片处理腔室。因此，根据该结构，仅通过稍微进行基板搬送便能够从中继装置向单片处理腔室搬送基板，可以提供吞吐量高的基板处理系统。
(13)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，所述中继装置设置于比所述批量处理装置的所述批量处理槽靠所述移载块侧的位置。
[作用和效果]根据(13)的结构，中继装置设置于比所述批量处理装置中的至少一个批量处理槽靠移载块侧的位置。若这样构成，则即使在单片处理装置与批量处理装置之间装置大小不同，也能够利用中继装置将两装置桥接。这是因为单片处理装置至少延伸至移载块的后方。
(14)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，所述基板处理系统具有：载体搬送机构，其在所述批量处理装置与所述单片处理装置之间搬送所述载体，以使基板处理后的基板返回到与在基板处理前收容的载体同一个体的载体。
[作用和效果]根据(14)的结构，具有：载体搬送机构，其在所述批量处理装置与所述单片处理装置之间搬送所述载体，以使基板处理后的基板返回至与基板处理前收容的载体同一个体的载体。若这样构成，则可以提供一种基板处理系统，其能够将基板处理后的基板收纳于与基板处理前的基板所属的载体同一个体的载体，容易进行基板管理。
(15)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，所述批量处理装置具有：第一壳体，其收纳构成所述批量处理装置的各块；以及第一装载口，其从构成所述第一壳体的壁面中的、与从所述批量处理块朝向所述移载块的规定方向正交的第一壁面突出，所述单片处理装置具有：第二壳体，其收纳构成所述单片处理装置的各块；以及第二装载口，其从构成所述第二壳体的壁面中的、与所述规定方向正交的第二壁面突出，所述第二装载口相对于所述规定方向位于与所述第一装载口相同一侧的位置。
[作用和效果]根据(15)的结构，批量处理装置具有：第一装载口，其从构成第一壳体的第一壁面突出，该第一壳体收纳构成批量处理装置的各块；以及第二装载口，其从构成第二壳体的第二壁面突出，该第二壳体收纳构成单片处理装置的各块，第二装载口位于与第一装载口相同一侧的位置。若这样构成，则能够使用在设有基板处理系统的成套设备中设置的个别的载体搬送机构，将载体从批量处理装置搬送到单片处理装置，因此，可以提供载体移动容易的基板处理系统。
(16)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，所述批量处理装置具有：第一壳体，其收纳构成所述批量处理装置的各块；以及第一装载口，其从构成所述第一壳体的壁面中的、与从所述批量处理块朝向所述移载块的规定方向正交的第一壁面突出，所述单片处理装置具有：第二壳体，其收纳构成所述单片处理装置的各块；以及第二装载口，其从构成所述第二壳体的壁面中的、与所述规定方向正交的第二壁面突出，所述中继装置具有：中继壳体，其将相互分离的所述第一壳体及所述第二壳体连结，在所述中继装置中，所述中继壳体设置在所述第一壳体的第一正交壁面与所述第二壳体的第二正交壁面之间，其中，所述第一正交壁面与所述第一壁面正交，所述第二正交壁面设置在与所述第二壁面正交并与所述第一正交壁面对置的位置。
[作用和效果]根据(16)的结构，构成批量处理装置的第一壳体与构成单片处理装置的第二壳体不共享壁面而相互分离地设置，中继装置设置成桥接这些壳体。若这样构成，则能够使用第一壳体与第二壳体的间隙进行装置维护，可以提供维护容易的基板处理系统。
(17)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，所述基板处理系统具有：1个所述批量处理装置、第一和第二所述单片处理装置、第一和第二中继装置，所述批量处理装置隔开间隙地配置在所述第一单片处理装置与所述第二单片处理装置之间，所述批量处理装置和所述第一单片处理装置经由所述第一中继装置进行连结，所述批量处理装置和所述第二单片处理装置经由所述第二中继装置进行连结。
[作用和效果]根据(17)的结构，批量处理装置隔开间隙地配置在第一单片处理装置与第二单片处理装置之间，批量处理装置、第一单片处理装置经由第一中继装置连结。并且，批量处理装置、第二单片处理装置经由第二中继装置连结。这样，若对批量处理装置设置多个单片处理装置，则能够抑制在单片处理中产生的吞吐量降低。
(18)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，所述基板处理系统具有：1个所述批量处理装置、第一和第二所述单片处理装置、第一和第二中继装置，所述批量处理装置、所述第一单片处理装置、所述第二单片处理装置依次隔开间隙地排列配置，所述批量处理装置和所述第一单片处理装置经由所述第一中继装置进行连结，所述批量处理装置和所述第二单片处理装置经由所述第二中继装置进行连结。
[作用和效果]根据(18)的结构，批量处理装置、第一单片处理装置、第二单片处理装置依次隔开间隙地排列配置，批量处理装置、第一单片处理装置经由第一中继装置连结。并且，批量处理装置、第二单片处理装置经由第二中继装置连结。这样，若对批量处理装置设置多个单片处理装置，则能够抑制在单片处理中产生的吞吐量降低。
(19)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，所述基板处理系统具有：气流产生部，其使所述中继装置的气体介质流入到所述批量处理装置。
[作用和效果]根据(19)的结构，批量处理装置具有：气流产生部，其使中继装置的气体介质流入到批量处理装置。若这样构成，则可以提供一种基板处理系统，即使例如在批量处理装置中使用侵蚀性药液，也能够防止单片处理装置具有的各种机构产生故障。这是因为气流产生部阻止气体介质从批量处理装置向单片处理装置流入。
(20)在(1)所记载的基板处理系统中，其特征在于，所述批量处理块具有：一并干燥腔室，其使多张基板一并干燥，所述单片处理块具有：单片处理腔室，其能够一张一张地对基板进行药液处理，所述基板处理系统构成为能够选择如下控制：仅通过所述批量处理装置完成基板处理的批量处理模式相关的控制；仅通过所述单片处理装置完成基板处理的单片处理模式相关的控制；以及使用所述批量处理装置和所述单片处理装置完成基板处理的混合处理模式相关的控制。
[作用和效果]根据(20)的结构，可以通过单片处理装置完成基板处理，也可以通过批量处理装置完成基板处理。并且，还可以通过批量处理装置和单片处理装置完成基板处理。若这样构成，则可以提供一种能够符合基板处理目的地以多种方式运用的基板处理系统。
发明效果
根据本发明，通过利用中继装置将个别的批量处理装置与单片处理装置连结，对基板连续地进行批量处理和单片处理。这样构成的话，能够可靠地借用在批量处理式装置和单片处理式装置中培养的可靠性高的装置结构来构成基板处理系统。因此，根据本发明，能够预测在运转中产生怎样的不良情况，也能够抑制基板处理系统的设计成本和制造成本。
附图说明
图1是对实施例1中的基板处理系统的整体结构进行说明的俯视图。
图2是对实施例1中的批量处理装置的整体结构进行说明的俯视图。
图3是对实施例1中的HVC姿势转换部的结构进行说明的示意图。
图4是对实施例1中的第一姿势转换机构的结构进行说明的示意图。
图5是对实施例1中的中继装置的结构进行说明的示意图。
图6是对实施例1中的中继装置的结构进行说明的示意图。
图7是对实施例1中的中继装置的结构进行说明的示意图。
图8是对实施例1中的中继装置的结构进行说明的示意图。
图9是对实施例1中的中继装置的结构进行说明的示意图。
图10是对实施例1中的中继装置的结构进行说明的示意图。
图11是对实施例1中的闸门的结构进行说明的示意图。
图12是对实施例1的中继装置的结构进行说明的示意图。
图13是对实施例1的基板处理的流程进行说明的流程图。
图14是对实施例1的基板处理的流程进行说明的示意图。
图15是对实施例1的基板处理的流程进行说明的示意图。
图16是对实施例1的基板处理的流程进行说明的流程图。
图17是对实施例1的基板处理的流程进行说明的示意图。
图18是对实施例2的基板处理系统进行说明的俯视图。
图19是对实施例2的正反转传送带的结构进行说明的示意图。
图20是对实施例2的基板处理的流程进行说明的示意图。
图21是对实施例3的基板处理系统进行说明的俯视图。
图22是对实施例3的基板的交接过程进行说明的示意图。
图23是对实施例3的基板处理的流程进行说明的示意图。
图24是对实施例3的基板处理的流程进行说明的示意图。
图25是对变形例的基板处理系统进行说明的俯视图。
图26是对变形例的基板处理系统进行说明的俯视图。
图27是对变形例的基板处理系统进行说明的俯视图。
图28是对变形例的基板处理系统进行说明的俯视图。
图29是对变形例的基板处理系统进行说明的俯视图。
图30是对变形例的基板处理系统进行说明的俯视图。
图31是对变形例的基板处理系统进行说明的示意图。
图32是对变形例的基板处理系统进行说明的示意图。
图33是对变形例的基板处理系统进行说明的示意图。
图34是对变形例的基板处理系统进行说明的示意图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施例进行说明。本发明的基板处理系统连续地进行一并处理多张基板W的批量处理和一张一张地处理基板W的单片处理，批量处理的批量处理装置和单片处理的单片处理装置通过中继装置连结。
本发明的基板处理系统例如对基板W进行药液处理、清洗处理、干燥处理等各处理。基板处理系统采用将一并处理多张基板W的批量式处理方式和一张一张地处理基板W的单片式处理方式两者并用的处理方式(所谓的混合方式)。批量式处理方法是对以铅垂姿势排列的多张基板W一并处理的处理方法。单片式处理方法是一张一张地处理成为水平姿势的基板W的处理方法。
[实施例1]
＜1.整体结构＞
如图1所示，基板处理系统具有个别地构成的批量处理装置1和单片处理装置2、连接两个装置1、2的中继装置6。批量处理装置1涉及一并处理多张基板的批量处理，单片处理装置2涉及一张一张地处理基板的单片处理。中继装置6是从批量处理装置1向单片处理装置2搬送批量处理完的基板的结构，且为设置在介于批量处理装置1与单片处理装置2的位置的桥接构造。
如图1所示，批量处理装置1、单片处理装置2具有由隔壁划分的各块。即，批量处理装置1具有：仓储块3、与仓储块3邻接的移载块5、以及与移载块5邻接的批量处理块7。图2表示批量处理装置1中的批量处理块7的具体结构。另一方面，单片处理装置2具有分度块4(indexer block)、与分度块4邻接的单片处理块8。
批量处理装置1具有收纳构成批量处理装置1的各块的第一壳体1A，单片处理装置2具有收纳构成单片处理装置2的各块的第二壳体2A。第一壳体1A具有：第一装载口9，其从构成第一壳体的壁面中的、与从批量处理块7朝向移载块5的Y方向正交的第一壁面突出。第二壳体2A具有：第二装载口10，其从构成第二壳体2A的壁面中的、与Y方向正交的第二壁面突出，第二装载口10在Y方向上位于与第一装载口9相同的位置。
在本说明书中为了方便，将批量处理装置1中的仓储块3、移载块5以及批量处理块7排列的方向称为“前后方向X”。前后方向X也是单片处理装置2中的分度块4与单片处理块8排列的方向。该前后方向X水平地延伸。将前后方向X中的、从批量处理装置1中的移载块5朝向仓储块3的方向称为“前方”。前方也是从单片处理装置2中的单片处理块8朝向分度块4的方向。将与前方相反侧的方向称为“后方”。将与前后方向X正交的水平地延伸的方向称为“宽度方向Y”。为了方便，将“宽度方向Y”的一方向称为“右方”，为了方便，将另一方向称为“左方”。为了方便，将与前后方向X及宽度方向Y正交的方向(高度方向)称为“铅垂方向Z”。在各图中，作为参考，适当表示前、后、右、左、上、下。
本发明的基板处理系统首先利用批量处理装置1对基板W进行批量处理，利用中继装置6将批量处理后的基板W向单片处理装置2搬送。然后，利用单片处理装置2对基板W进行单片处理来完成基板处理的整个过程。以下，按照本发明的基板处理系统中基板W的流程，以批量处理装置1、中继装置6、单片处理装置2的顺序对各装置的具体结构进行说明。
＜2.批量处理装置：仓储块＞
仓储块3具有：第一装载口9，其是将载体C投入块内时的入口，其中，所述载体C以水平姿势隔开规定间隔沿铅垂方向收纳多张基板W。第一装载口9是从沿宽度方向(Y方向)延伸的仓储块3的外壁突出的结构。
多张(例如25张)基板W以水平姿势隔开一定间隔层叠收纳在一个载体C内。收纳了搬入到批量处理装置1的未处理的基板W的载体C首先载置于第一装载口9。载体C形成有沿水平方向延伸的多个槽(省略图示)，该槽在使基板W的面彼此分离的状态下进行收容。基板W一张一张地插入到该槽的每一个。作为载体C，例如有密闭型的FOUP(Front OpeningUnify Pod)。在本发明中，也可以采用开放型容器作为载体C。
对仓储块3的内部构造进行说明。仓储块3具有储备载体C并进行管理的搬送收纳部ACB。搬送收纳部ACB具有搬送载体C的载体搬送机构11和载置载体C的搁板13。仓储块3能够储备的载体C的个数为1以上。
仓储块3具有载置载体C的多个搁板13。搁板13设置于将仓储块3与移载块5隔开的隔壁。该搁板13具有：仅暂时载置载体C的储备用(stock)的搁板13b、移载块5具有的第一基板搬送机构HTR访问(access)的基板取出用的载体载置搁板13a。基板取出/收纳用的载体载置搁板13a相当于本发明的第一载体载置搁板。载体载置搁板13a是载置取出基板W的对象载体C的结构。在本实施例中设置有1个载体载置搁板13a，但也可以设置多个载体载置搁板13a。载体搬送机构11从第一装载口9取入收纳未处理的基板W的载体C，而载置于基板取出用的载体载置搁板13a。此时，载体搬送机构11也可以在将载体C载置于载体载置搁板13a之前暂时载置于储备用的搁板13b。仓储块3具有的载体载置搁板13a的个数为1以上。第一基板搬送机构相当于本发明的基板处置机构。
＜3.批量处理装置：移载块＞
移载块5与仓储块3的后方邻接地配置。移载块5具有：第一基板搬送机构HTR，其能够访问载置于基板取出用的载体载置搁板13a的载体C；HVC姿势转换部23，其将多张基板W一并从水平姿势姿势转换为垂直姿势；推杆机构25。第一基板搬送机构HTR相当于本发明的基板处置机构。HVC姿势转换部23、推杆机构25构成第一姿势转换机构15，相当于本发明的第一姿势转换机构。并且，在移载块5设定用于向设置于一并搬送区域R2的第二基板搬送机构WTR交接多张基板W的基板交接位置PP。第一基板搬送机构HTR、HVC姿势转换部23、推杆机构25依次排列在Y方向上。
第一基板搬送机构HTR设置在仓储块3具有的搬送收纳部ACB的后方中的右方。第一基板搬送机构HTR是用于从放置在基板取出/收纳用的载体载置搁板13a的载体C一并取出多张基板W的机构。第一基板搬送机构HTR具有一并搬送多张基板W的多个(例如25个)机械手51。1个机械手51支承1张基板W。第一基板搬送机构HTR从载置于仓储块3的载体载置搁板13a的载体C，一并取出多张(例如25张)基板W。而且，第一基板搬送机构HTR可以将所把持的多张基板W搬送至HVC姿势转换部23的支承台23A。HVC姿势转换部23将接受到的水平姿势的多张基板W转换为铅垂姿势。推杆机构25是保持铅垂姿势的多张基板W并使其上下左右移动的结构。
图3对实施例1的HVC姿势转换部23进行说明。HVC姿势转换部23具有沿纵向(Z方向)延伸的一对水平保持部23B和一对垂直保持部23C。支承台23A具有在支承水平保持部23B、垂直保持部23C的XY平面扩展的支承面。旋转驱动机构23D是使水平保持部23B、垂直保持部23C与支承台23A一起旋转90°的结构。通过该旋转，水平保持部23B、垂直保持部23C成为沿左右方向(Y方向)延伸的结构。此外，图4是对HVC姿势转换部23的动作进行说明的示意图。以下，参照图3及图4对各部的结构进行说明。
水平保持部23B从下侧支承成为水平姿势的多张基板W。即，水平保持部23B成为具有与支承对象的基板W对应的多个突起的梳形构造。在彼此邻接的突起之间具有基板W的周缘部所在的细长状的凹部。当将基板W的周缘部插入到该凹部时，水平姿势的基板W的下表面与突起的上表面接触，基板W以水平姿势被支承。
垂直保持部23C从下侧支承成为铅垂姿势的多张基板W。即，垂直保持部23C成为具有与支承对象基板W对应的多个突起的梳形构造。在彼此邻接的突起之间具有基板W的周缘部所在的细长状的V槽。当将基板W的周缘部插入到该V槽时，基板W被V槽夹持而以垂直姿势被支承。在支承台23A设置两个垂直保持部23C，因此，基板W的周缘部的两个部位分别被不同的V槽夹持。
沿纵向(Z方向)延伸的一对水平保持部23B及一对垂直保持部23C，以包围保持对象基板W的方式沿着相当于水平姿势的基板W的假想圆来设置。一对水平保持部23B分离基板W的直径大小，来保持基板W的一端和相当于距该一端最远位置的另一端。这样，一对水平保持部23B支承水平姿势的基板W。另一方面，一对垂直保持部23C分离比基板W的直径短的距离大小，来支承基板W的规定部和位于该规定部附近的特定部。这样，一对垂直保持部23C支承铅垂姿势的基板W。一对水平保持部23B在左右方向(Y方向)上位于相同位置，一对垂直保持部23C在左右方向(Y方向)上位于相同位置。一对垂直保持部23C设置在比一对水平保持部23B靠支承台23A旋转而倾倒的方向(左方向)一侧。
旋转驱动机构23D将支承台23A支承为能够绕沿前后方向(X方向)延伸的水平轴AX2旋转至少90°。当水平状态的支承台23A旋转90°时，支承台23A成为垂直状态，被水平保持部23B、垂直保持部23C保持的多张基板W的姿势从水平姿势转换为铅垂姿势。
如图4的(f)所示，推杆机构25具有：推杆25A，其能够搭载铅垂姿势的基板W；升降旋转部25B，其使该推杆25A旋转以及升降；水平移动部25C，其使升降旋转部25B沿左右方向(Y方向)移动；轨道25D，其引导水平移动部25C且沿左右方向(Y方向)延伸。推杆25A是支承铅垂姿势的多张(例如50张)基板W各自的下部的结构。升降旋转部25B是设置于推杆25A的下方的结构，具有使推杆25A沿上下方向升降的伸缩自如的机构。升降旋转部25B还能够使推杆25A绕铅垂轴旋转至少180°。水平移动部25C是支承升降旋转部25B的结构，使推杆25A和升降旋转部25B水平移动。水平移动部25C被轨道25D引导，能够使推杆25A从接近HVC姿势转换部23的提起位置移动到基板交接位置PP。另外，水平移动部25C也能够使铅垂姿势的基板W在基板W的排列方向上位移将推杆25A在基板排列中的半间距(half-pitch)所对应的距离。
在此，对HVC姿势转换部23和推杆机构25的动作进行说明。HVC姿势转换部23和推杆机构25使收容于2个载体C的例如合计50张基板W以面对面方式隔开规定间隔(例如5mm)地排列。将第一载体C内的25张基板W作为属于第一基板组的第一基板W1来进行说明。一样地，将第二载体C内的25张基板W作为属于第二基板组的第二基板W2来进行说明。此外，在图4的(a)～图4的(f)中，为了便于作图，第一基板W1的张数为三张，第二基板W2的张数为三张。
图4的(a)表示成为水平姿势的第一基板W1通过第一基板搬送机构HTR而一并交付给HVC姿势转换部23的状态。此时的第一基板W1的器件面(电路图案的形成面)朝上。25张第一基板W1以规定间隔(例如10mm)配置。该10mm的间隔被称为全间距(标准间距)。该状态的第一基板W1由水平保持部23B保持。此外，此时的推杆25A位于比支承台23A靠下方的提起位置。
图4的(b)表示通过旋转驱动机构23D使HVC姿势转换部23的支承台23A旋转了90°时的情形。这样，在HVC姿势转换部23中，25张第一基板W1的姿势从水平姿势转换为铅垂姿势。该状态的第一基板W1由垂直保持部23C保持。
图4的(c)表示推杆25A从提起位置上升而移动至设定在比提起位置靠上方的正上方位置的状态。该上升运动由升降旋转部25B进行。这样，当推杆25A从第一基板W1的下侧向上侧移动时，由HVC姿势转换部23的垂直保持部23C支承的第一基板W1被从垂直保持部23C拔出而移动到推杆25A上。在推杆25A的上表面设置有夹持基板W的槽。第一基板W1被等间隔地排列的这些槽支承。该槽以半间距排列，在HVC姿势转换部23以全间距排列有第一基板W1，因此，在位于正上方位置的推杆25A的上表面交替地排列有夹着第一基板W1的槽与不支承基板W的空槽。
图4的(d)表示推杆25A通过升降旋转部25B旋转180°的动作和HVC姿势转换部23的支承台23A通过旋转驱动机构23D反转90°时的动作。该状态的HVC姿势转换部23能够支承第二基板W2。当推杆25A旋转180°时，由推杆25A的右端支承的基板W向推杆25A的左端移动，位于推杆25A的左端的空槽向推杆25A的右端移动。HVC姿势转换部23与推杆25A的位置关系被设定成位于HVC姿势转换部23的右端的基板W被移载至推杆25A的右端，因此，HVC姿势转换部23能够与被推杆25A支承的第一基板W1的存在无关地将右端的第二基板W2交付给推杆25A的右端的槽。这样的情况对于被HVC姿势转换部23支承的其他第二基板W2也一样。即，在HVC姿势转换部23隔开全间距的间隔排列的第二基板W2，能够从推杆25A的右端依次隔开全间距的间隔排列。这是因为，在旋转后的推杆25A，空槽以右端为起点隔开全间距的间隔排列。此时的推杆25A上的第一基板W1装进推杆25A排列的第二基板的间隙。在图4的(d)中，表示已将第二基板W2搬送至HVC姿势转换部23时的情形。此外，在图4的(d)中，第二基板W2被水平保持部23B支承。
在图4的(d)的状态下，当位于正上方位置的推杆25A返回到原来的提取位置时，HVC姿势转换部23能够使支承台23A再次旋转90°。
图4的(e)表示支承台23A实际再次旋转时的情形。此时，推杆25A旋转180°，因此，如图4的(f)所示，若使推杆25A再次移动至正上方位置，则第二基板W2不与第一基板W1干涉地装进推杆25A的上表面的第一基板W1彼此所夹持的空槽。这样，形成第一基板W1和第二基板W2交替排列的批次(Lot)。此外，在图4的(e)中，第二基板W2被垂直保持部23C支承。该批次构成为面对面方式排列基板W，因此，构成批次的第一基板W1的器件面全部朝向图4的(f)中的右方，第二基板W2的器件面全部朝向图4的(f)中的左方。
图4的(f)表示推杆25A再次移动到正上方位置时的情形。并且，在推杆25A中生成的批次由水平移动部25C向左方向(Y方向)搬送而移动到基板交接位置PP。
此外，在以下的说明中，处理对象基板排列的结构不限。即，无论是通常的批次(以全间距排列例如25张的基板W)，还是上述批量批次，本发明的主要部分都是一样的结构。在以下的说明中，将处理对象简称为批次或多张基板W。
使由HVC姿势转换部23和推杆机构25形成了批量组的批次暂时待机，以此为主要目的而设置有干燥批次支承部33，干燥批次支承部33位于被基板交接位置PP和后述的中继装置6夹着的位置。在从干燥批次支承部33向批量基板处理块7搬送批次时，使用批量处理装置1具有的第二基板搬送机构WTR。
＜5.批量处理装置：批量处理块＞
批量处理块7对上述的批次进行批量处理。批量处理块7被分为沿宽度方向(Y方向)排列的批量处理区域R1和一并搬送区域R2。各区域沿前后方向(X方向)延伸。详细而言，批量处理区域R1配置于批量处理块7的内部。一并搬送区域R2与批量处理区域R1邻接，配置于批量处理块7的最左方。
＜5.1.批量处理区域＞
批量处理块7中的批量处理区域R1成为沿前后方向(X方向)延伸的矩形区域。批量处理区域R1的一端侧(前方侧)与中继装置6邻接。批量处理区域R1的另一端侧向远离移载块5、中继装置6的方向(后方侧)延伸。因此，中继装置6是插入到将批量处理装置1从中途分割的位置的装置。在从批量处理装置1向中继装置6搬送批次时，使用批量处理装置1具有的第二基板搬送机构WTR。因此，第二基板搬送机构WTR能够移动的区域即一并搬送区域R2未被中继装置6分割，而是沿着中继装置6的左端部在Y方向上延伸。中继装置6是嵌入到批量处理装置1的内部的结构，但未到达批量处理装置1的左端。这是因为在批量处理装置1的左端设置有一并搬送区域R2。
批量处理区域R1主要具有进行批量式处理的批量式处理部。具体而言，批量处理区域R1排列有使多张基板W一并干燥的批量干燥腔室DC和在批量处理区域R1延伸的方向上对多张基板W一并进行浸渍处理的多个批量处理单元BPU1～BPU6。对批量干燥腔室DC和批量处理单元BPU1～BPU6的配置进行具体说明。批量干燥腔室DC从后方与中继装置6邻接。第一批量处理单元BPU1从后方与批量干燥腔室DC邻接。第二批量处理单元BPU2从第一批量处理单元BPU1的后方邻接。第三批量处理单元BPU3从第二批量处理单元BPU2的后方邻接。第四批量处理单元BPU4从第三批量处理单元BPU3的后方邻接。第五批量处理单元BPU5从第四批量处理单元BPU4的后方邻接。第六批量处理单元BPU6从第五批量处理单元BPU5的后方邻接。因此，批量干燥腔室DC、第一批量处理单元BPU1、第二批量处理单元BPU2、第三批量处理单元BPU3、第四批量处理单元BPU4、第五批量处理单元BPU5、第六批量处理单元BPU6配置成依次远离中继装置6。在图1中为了便于作图，省略了第二批量处理单元BPU2～第五批量处理单元BPU5。关于该结构，可以通过参照图2来理解。批量处理单元BPU1～BPU6相当于本发明的批量处理槽。
具体而言，第二批量处理单元BPU2具有：批量药液处理槽CHB2，其对批次一并进行药液处理；升降器LF2，其使批次在基板交接位置与药液处理位置之间升降(参照图2)。基板交接位置是设定于第二基板搬送机构WTR能够访问的批量药液处理槽CHB2上空的位置，药液处理位置是设定于能够将批次浸渍于药液的批量药液处理槽CHB2的槽内的位置。批量药液处理槽CHB2对批次进行酸处理。作为酸处理，可以是磷酸处理，也可以是使用了其他酸的处理。磷酸处理对构成批次的多张基板W进行蚀刻处理。蚀刻处理例如对基板W的表面上的氮化膜进行化学蚀刻。
批量药液处理槽CHB2收容磷酸溶液等酸溶液。在批量药液处理槽CHB2附设有使批次上下移动的升降器LF2。批量药液处理槽CHB2例如从下方向上方供给药液而使药液对流。升降器LF2沿铅垂方向(Z方向)升降。具体而言，升降器LF2在与批量药液处理槽CHB2的内部相当的处理位置和与批量药液处理槽CHB2的上方相当的交接位置之间升降。升降器LF2保持由铅垂姿势的基板W构成的批次。升降器LF2在交接位置在与第二基板搬送机构WTR之间交接批次。当升降器LF2在保持批次的状态下从交接位置下降至处理位置时，基板W的整个区域位于药液的液面下。当升降器LF2在保持批次的状态下从处理位置上升至交接位置时，基板W的整个区域位于药液的液面上。
具体而言，第三批量处理单元BPU3具有批量药液处理槽CHB3和使批次在基板交接位置与药液处理位置之间升降的升降器LF3。批量药液处理槽CHB3是与上述的批量药液处理槽CHB2一样的结构。即，在批量药液处理槽CHB3中收容有上述药液，附设有升降器LF3。批量药液处理槽CHB3对批次进行与批量药液处理槽CHB2一样的处理。本例的批量处理装置1具有多个能够进行相同的药液处理的处理槽。这是因为磷酸处理与其他处理相比需要时间。磷酸处理需要较长时间(例如60分钟)的时间。因此，本例的装置通过多个批量药液处理槽平行地进行酸处理。
第四批量处理单元BPU4～第六批量处理单元BPU6的结构与第二批量处理单元BPU2、第三批量处理单元BPU3一样。即，第四批量处理单元BPU4具有批量药液处理槽CHB4和使批次在基板交接位置与药液处理位置之间升降的升降器LF4。一样地，第五批量处理单元BPU5具有批量药液处理槽CHB5和使批次在基板交接位置与药液处理位置之间升降的升降器LF5。并且，第六批量处理单元BPU6具有批量药液处理槽CHB6和使批次在基板交接位置与药液处理位置之间升降的升降器LF6。因此，批次在批量药液处理槽CHB2～批量药液处理槽CHB6的某一个中被进行酸处理。如果像这样通过五个处理单元平行地进行药液处理，则装置的吞吐量提高。
具体而言，第一批量处理单元BPU1具有收容冲洗液的批量冲洗处理槽ONB和使批次在基板交接位置与冲洗位置之间升降的升降器LF1。基板交接位置是设定于第二基板搬送机构WTR能够访问的批量冲洗处理槽ONB上空的位置，冲洗位置是设定于能够将批次浸渍于冲洗液的批量冲洗处理槽ONB的槽内的位置。批量冲洗处理槽ONB为与所述批量药液处理槽CHB2一样的结构。即，批量冲洗处理槽ONB收容冲洗液并附设有升降器LF1。批量冲洗处理槽ONB与其他处理槽不同，收容纯水，以清洗附着于多张基板W的药液为目的而设置。在批量冲洗处理槽ONB中，若槽内纯水的电阻率上升至规定值，则清洗处理结束。作为批量冲洗处理槽ONB收容的纯水的纯度，只要是能够进行基板W的批量冲洗处理的程度即可。
这样，本实施例中的批量冲洗处理槽ONB位于比批量药液处理槽CHB2～批量药液处理槽CHB6靠近中继装置6的位置。通过这样构成，使构成中继装置6的各机构与批量药液处理槽CHB2～批量药液处理槽CHB6尽量分离，中继装置6不会因磷酸等酸而受到不良影响。另外，通过配置成使中继装置6与批量冲洗处理槽ONB接近，冲洗处理结束后的批次被搬送较短的距离就能立即搬入到中继装置6。因此，根据本实施例的结构，能够在保持基板W的润湿状态的状态下迅速地完成基板W的搬送。
批量干燥腔室DC配置于被第一批量处理单元BPU1和中继装置6夹着的位置。批量干燥腔室DC具有：收容铅垂姿势的基板W排列而成的批次的干燥腔室。干燥腔室具有：向腔室内供给非活性气体的非活性气体供给喷嘴；向槽内供给有机溶剂的蒸气的蒸气供给喷嘴。批量干燥腔室DC首先对支承于腔室内的批次供给非活性气体，将腔室内的气体介质置换为非活性气体。并且，开始腔室内的减压。在腔室内被减压的状态下，向腔室内供给有机溶剂的蒸气。有机溶剂伴随着附着于基板W的水分而被向腔室外排出。这样，批量干燥腔室DC执行批次的干燥。此时的非活性气体例如可以为氮气，有机溶剂例如可以为IPA(异丙醇)。
＜5.2.一并搬送区域＞
批量处理块7中的一并搬送区域R2为沿前后方向(X方向)延伸的矩形的区域。一并搬送区域R2沿着批量处理区域R1的外缘设置，一端侧延伸至移载块5，另一端侧向远离移载块5的方向延伸。因此，一并搬送区域R2是也沿着中继装置6的结构，其中，中继装置6位于被移载块5和批量处理块7夹着的位置。
在一并搬送区域R2设置有一并搬送多张基板W的第二基板搬送机构WTR。第二基板搬送机构WTR在移载块5内确定的基板交接位置PP、干燥批次支承部33、批量干燥腔室DC、各批量处理单元BPU1～BPU6、后述的中继装置6中的搬入位置IP之间，一并搬送多张基板W(具体而言为批次)。第二基板搬送机构WTR构成为能够遍及移载块5、中继装置6、批量处理块7地沿前后方向(X方向)往复。第二基板搬送机构WTR除了批量处理块7中的一并搬送区域R2之外，还能够移动至移载块5内的基板交接位置PP、干燥批次支承部33、中继装置6内的搬入位置IP。第二基板搬送机构WTR相当于本发明的一并搬送机构。
第二基板搬送机构WTR具有搬送批次的一对卡盘29。一对卡盘29能够变化为相互接近的闭状态和相互远离的开状态。卡盘29是用于把持基板W的槽以半间距排列的沿Y方向延伸的部件。一对卡盘29成为闭状态而接收构成批次的多张基板W。并且，一对卡盘29成为开状态，将构成批次的多张基板W交付给其他部件(升降器LF1等)。第二基板搬送机构WTR在移载块5中的基板交接位置PP和干燥批次支承部33、属于设置于中继装置6中的搬入位置IP的基板待机槽65的升降器LF65之间交接批次。除此之外，第二基板搬送机构WTR在属于批量处理块7中的批量处理单元BPU1～BPU6的各升降器LF1～LF6与批量干燥腔室DC之间交接批次。
在一并搬送区域R2具有引导第二基板搬送机构WTR的沿X方向延伸的导轨31X。第二基板搬送机构WTR能够沿着该导轨31X在X方向上进退移动。因此，导轨31X从批量处理块7经由中继装置6延伸至移载块5。更具体而言，导轨31X从Y方向面向移载块5中的基板交接位置PP，从Y方向面向批量处理块7中的第六批量处理单元BUP6。除此之外，导轨31X从Y方向面向移载块5中的干燥批次支承部33、中继装置6中的基板待机槽65、批量处理块7中的批量干燥腔室DC以及第一批量处理单元BPU1～第六批量处理单元BPU6。
＜6.中继装置＞
中继装置6是将批量处理装置1及单片处理装置2桥接的构造，左端部嵌入至批量处理装置1的内部，右端部嵌入至单片处理装置2的内部。中继装置6具有沿Y方向延伸的基板W的搬送路，所述基板W的搬送路从批量处理装置1的一并搬送区域R2连结至单片处理装置2的单片搬送区域R3。该搬送路是不改变基板W的Z方向的位置而沿Y方向(水平)搬送基板W的结构。因此，批量处理装置1中的中继装置6的插入位置与单片处理装置2中的中继装置6的插入位置在Z方向上为相同的位置。
中继装置6位于批量处理装置1、单片处理装置2的中层(参照图12)。因此，中继装置6在远离设置有批量处理装置1、单片处理装置2的地面的空中位置，将批量处理装置1、单片处理装置2桥接。关于中继装置6的具体位置，与单片处理装置2的构造有关联，因此，与单片处理装置2的说明匹配地进行详细说明。
中继装置6具有：中继壳体6A，其将彼此在Y方向上分离的批量处理装置1的第一壳体1A及单片处理装置2的第二壳体2A连结。中继壳体6A设置于第三壁面1B与第四壁面2B之间，其中，第三壁面1B是构成第一壳体1A的壁面中的与第二壳体2A对置的壁面，第四壁面2B是构成第二壳体2A的壁面中的与第三壁面1B对置的壁面。第三壁面相当于本发明的正交壁面。第四壁面相当于本发明的正交壁面。
中继壳体6A具有连结批量处理装置1和单片处理装置2的侧壁62a、底板62b、顶板62c。关于侧壁62a、底板62b、顶板62c的结构，详见图2、图12。中继壳体6A将批量处理装置1及单片处理装置2具有的壳体连结，构成一个基板处理系统。由此，基板处理系统成为外部气体与装置内的气体介质被隔绝的结构。中继壳体6A从第一闸门S1延伸至第二闸门S2。因此，若使第一闸门S1为闭状态，则批量处理装置1与中继装置6中的比第一闸门S1靠右方的空间隔绝。第一闸门相当于本发明的批量处理装置侧闸门。第二闸门相当于本发明的单片处理装置侧闸门。
中继装置6具有：基板待机槽65，其使批量处理完的批次在纯水中待机；水中姿势转换部55，其接收沿Y方向排列的多张基板W，使接收到的基板W在水中一并旋转90°，由此，将多张基板W的姿势从铅垂姿势转换为水平姿势；第一传送带机构67，其将基板W一张一张地沿Y方向搬送；第二传送带机构68，其将第一传送带机构67搬送的基板W沿Y方向搬送，并向搬出位置OP送出。这些基板待机槽65、水中姿势转换部55、第一传送带机构67、第二传送带机构68依次以批量处理装置1的左部为起点沿右方向排列。以下，对各部进行具体说明。此外，水中姿势转换部55相当于本发明的第二姿势转换机构。第一传送带机构67、第二传送带机构相当于本发明的中继搬送机构。
＜6.1.中继装置：基板待机槽＞
基板待机槽65为与批量处理装置1具有的第一批量处理单元BPU1一样的结构。即，基板待机槽65保持纯水，具有使批次升降的升降器LF65。升降器LF65能够在用于使批次搬入到中继装置6的搬入位置IP与用于使搬入的批次浸渍于纯水的浸渍位置之间往复。搬入位置IP位于浸渍位置的上部，是第二基板搬送机构WTR能够搬送基板的位置。搬入位置IP设定为构成批次的基板W的整个区域位于空中，浸渍位置设定为构成批次的基板W的整个区域浸渍于纯水。
＜6.2.中继装置：全间距排列基板搬送机构＞
全间距排列基板搬送机构STR能够在基板待机槽65与水中姿势转换部55之间搬送以全间距排列的25张基板。基板待机槽65使以半间距排列的50张基板待机，全间距排列基板搬送机构STR拾取它们中的一半的25张而搬送到水中姿势转换部55。全间距排列基板搬送机构STR具有与第二基板搬送机构WTR中的一对卡盘29一样的一对卡盘30。在卡盘30，与卡盘29一样，以半间距间隔形成有槽，但2种槽交替地排列这一点与卡盘29不同。即，在卡盘30，以半间距的间隔交替地排列无法把持基板的深槽和把持基板的浅槽。因此，当想要通过全间距排列基板搬送机构STR把持处于升降器LF65的批次时，通过能够把持基板W的浅槽拾取25张基板W，剩余的25张基板无法与深槽抵接而残留于升降器LF65。卡盘30中的浅槽以半间距的2倍的间距(全间距)排列，因此，全间距排列基板搬送机构STR从升降器LF65中的批次拾取以全间距排列的25张基板W。从基板W以面对面的方式排列而构成批次来看，被拾取的基板W以表面(器件面)为右侧、背面为左侧的方式排列，以使相邻的基板W的器件面不对置。另一方面，未被拾取而残留于升降器LF65的25张基板W以表面(器件面)为左侧、背面为右侧的方式排列，以使相邻的基板W的器件面不对置。
全间距排列基板搬送机构STR具有的一对卡盘30与第二基板搬送机构WTR的卡盘29一样，能够采取卡盘30彼此在X方向上接近的闭状态、及卡盘30彼此在X方向上分离的开状态这两种状态。当一对卡盘30为闭状态时，卡盘30彼此相对于基板W的直径充分接近，因此，基板W的下部的两个部位分别与卡盘30抵接。这样，基板W由一对卡盘30把持。当将成为闭状态的一对卡盘30设为开状态时，卡盘30彼此相对于基板W的直径充分远离，因此，基板W从卡盘30脱离。具体而言，一对卡盘30为开状态的情况是指在搬入位置IP从升降器LF65接受多张基板W之前、以及在后述的浸渍槽上空位置向后述的推杆55A交付多张基板W之后。
中继装置6具有引导全间距排列基板搬送机构STR的沿Y方向延伸的导轨31Y。全间距排列基板搬送机构STR能够沿着该导轨31Y在Y方向上进退移动。因此，导轨31Y从基板待机槽65延伸至水中姿势转换部55。
全间距排列基板搬送机构STR能够在Y方向上从搬入位置IP进退移动到浸渍槽上空位置，其中，搬入位置IP是被导轨31Y引导而交接升降器LF65的批次的位置，浸渍槽上空位置是水中姿势转换部55具有的后述的推杆55A接受多张基板W的位置。由此，全间距排列基板搬送机构STR能够在Y方向上将多张基板W从搬入位置IP搬送至浸渍槽上空位置。另外，全间距排列基板搬送机构STR在第二基板搬送机构WTR从移载块5移动至批量处理块7时，也能够通过移动至浸渍槽上空位置而不干扰第二基板搬送机构WTR(参照图2)。
＜6.3.中继装置：水中转换部＞
水中姿势转换部55具有：保持纯水的浸渍槽73、位于浸渍槽73的底面的推杆55A、以及浸渍于浸渍槽73的槽内载体71。推杆55A能够从与设定在浸渍槽73的液面上的全间距排列基板搬送机构STR的基板交接位置升降至浸渍槽73的底面。槽内载体71接收推杆55A支承的多张基板W，该状态下能够向一个方向或反方向旋转90°。成为铅垂姿势的多张基板W的姿势因槽内载体71旋转而转换为水平姿势。
＜6.4.中继装置：传送带机构＞
第一传送带机构67是一端延伸至水中姿势转换部55，另一端延伸至单片处理装置2的在Y方向上细长状的基板搬送机构。第一传送带机构67从水中姿势转换部55一张一张地接受成为水平姿势的基板W，将基板W搬送至单片处理装置2。第二传送带机构68是一端延伸至第一传送带机构67的另一端，另一端延伸至中继装置6的搬出位置OP的在Y方向上细长状的基板搬送机构。第二传送带机构68一张一张地接收由第一传送带机构67搬送的水平姿势的基板W，将基板W搬送至设定于中继装置6的端部的搬出位置OP。第一传送带机构相当于本发明的中继搬送机构。
第一传送带机构67和第二传送带机构68构成通过协作将基板W从水中姿势转换部55搬送到搬出位置OP的基板搬送机构。因此，该基板搬送机构由多个传送带机构构成。构成单片处理装置2的第二壳体2A的侧壁位于第一传送带机构67与第二传送带机构68相向的位置。因此，若在第一传送带机构67与第二传送带机构68之间设置板状构件，就能够将单片处理装置2设为从批量处理装置1切离的状态。这样的装置切离由设置于第一传送带机构67与第二传送带机构68之间的第二闸门S2来实现。若将单片处理装置2设为从批量处理装置1切离的结构，则有利于能够不经由批量处理装置1而仅通过单片处理装置2来完成基板处理的情况。在本实施例中，以通过批量处理装置1将批量处理完的基板W搬送至单片处理装置2并在此进行处理的结构为基础，因此，设为第二闸门S2成为开状态来进行以后的说明。
此外，中继装置6具有沿着第一传送带机构67排列的多个喷头69。喷头69是将纯度与浸渍槽73保持的纯水相同程度的纯水向搬送中的基板喷雾的结构。构成中继壳体6A的侧壁62a、底板62b、顶板62c是包围第一传送带机构67的结构，该第一传送带机构67设置于将批量处理装置1和单片处理装置2桥接的位置。喷头69经由配管与供给纯水的纯水供给装置连接。纯水供给装置可以位于中继装置6外，也可以位于中继装置6内。喷头69相当于本发明的液体供给部。
＜6.5.中继装置的动作＞
对中继装置6将位于搬入位置IP的基板W搬送至搬出位置OP的情形进行说明。图5的(a)表示升降器LF65在设定于基板待机槽65的上空的搬入位置IP保持多张基板W的情形。第二基板搬送机构WTR执行到搬入位置IP为止的基板搬送。载置于升降器LF65的多张基板W以器件面朝向右方的基板W和器件面朝向左方的基板W交替地排列的面对面方式排列。
图5的(b)表示之后升降器LF65从搬入位置IP下降到浸渍位置时的情形。由此，中继装置6能够防止在将在搬入位置IP取得的基板W一张一张地搬送的期间等待搬送的基板干燥。
图6的(a)表示之后为了将多张基板搬送到水中姿势转换部55，从升降器LF65将多张基板W一并交付给全间距排列基板搬送机构STR的情形。此时的升降器LF65在搬入位置IP支承多张基板W，全间距排列基板搬送机构STR使一对卡盘30移动到能够保持批次的位置，使卡盘30为闭状态。此时，如上所述，卡盘30只能把持构成批次的以半间距排列的多张基板W中的一半。结果，批次成为被卡盘30把持的基板W与未被卡盘30把持的基板W交替地排列的状态。
图6的(b)表示之后升降器LF65从搬入位置IP下降到浸渍位置时的情形。当使升降器LF65从图6的(a)的状态下降时，与构成批次的基板W的一半相当的以全间距排列的多张基板W残存于全间距排列基板搬送机构STR，剩余一半的基板在升降器LF65中在以全间距排列的状态下返回到基板待机槽65。残存于全间距排列基板搬送机构STR的多张基板W的器件面朝向右方，由升降器LF65保持在浸渍位置的多张基板W的器件面朝向左侧。
图7的(a)表示之后全间距排列基板搬送机构STR从搬入位置IP移动到位于基板搬送的更下游侧的水中姿势转换部55时的情形。该状态下，使水中姿势转换部55具有的推杆55A上升时，如图7的(a)所示，推杆55A位于水中姿势转换部55中的浸渍槽73的上空。并且，推杆55A能够当场从全间距排列基板搬送机构STR一并收取以全间距排列的多张基板W。推杆55A的升降动作由推杆机构来实现。
图7的(b)表示之后全间距排列基板搬送机构STR中的一对卡盘30为开状态，从推杆55A分离时的情形。该图中的推杆55A返回到浸渍槽73的底面。即使这样，推杆55A保持的多张基板W也不会到达浸渍槽73的底面。这是因为槽内载体71在浸渍槽73的内部待机。槽内载体71能够保持以全间距的间隔排列的多张基板W。因此，当使位于空中的推杆55A下降时，被推杆55A保持的多张基板W被交付到位于浸渍槽73的底面上方的槽内载体71。槽内载体71位于能够使多张基板浸渍于液体的浸渍槽73中确定的浸渍位置。
槽内载体71在保持多张基板W的状态下能够进行左旋转。此时的旋转轴沿X方向延伸，旋转角度为90°。槽内载体71的旋转由槽内载体左旋转机构57A来实现。多张基板W在浸渍槽73的液面下旋转。因此，即使在旋转中，多张基板W也维持浸渍于浸渍槽73的状态。
图7的(c)表示槽内载体71的左旋转完成的状态。当槽内载体71左旋转90°时，槽内载体71保持的多张基板W也随之左旋转90°。于是，如图7的(c)所示，被槽内载体71保持的多张基板W的姿势从铅垂姿势转换为水平姿势。并且，器件面朝向右方的多张基板W通过姿势转换而使器件面朝向上方。
左旋转的槽内载体71在保持多张基板W的状态下能够进行升降移动。槽内载体71的升降移动由槽内载体升降机构57B来实现。当槽内载体71从浸渍槽73的浸渍位置上升时，沿铅垂方向层叠的成为水平姿势的多张基板W随之上升。本实施例是将水平姿势的基板一张一张地搬送到单片处理装置2的结构，因此，槽内载体升降机构57B为了实现该动作而使位于槽内载体71的上端的一张基板W移动到浸渍槽73的液面上。从槽内载体71是保持以全间距排列的25张基板W的结构来看，被槽内载体71保持的剩余24张基板W全部位于浸渍槽73的液面下。由此，中继装置6能够防止在一张一张地搬送被槽内载体71保持的基板W的期间等待搬送的基板干燥。
图7的(d)表示槽内载体71的上升动作结束的状态。槽内载体位移机构57C在使保持的多张基板W中的最上位置的基板W位于浸渍槽73的液面上的状态下，使槽内载体71沿Y方向移动。这样，槽内载体71接近浸渍槽73的右端，容易将最上位置的基板W搬入到后述的第一传送带机构67。
图8的(a)表示槽内载体71的位移动作结束的状态。基板位移机构57D能够沿Y方向进退，在前端具有能够把持基板W的多个突片。基板位移机构57D在初始状态下，使前端位于比浸渍槽73的左端靠左侧的位置以便不与位于浸渍槽73的底面的推杆55A干涉。如图8的(a)所示，当成为槽内载体71位于浸渍槽73的右端的状态时，基板位移机构57D从初始位置向右方延伸，把持槽内载体71保持的基板W中的、唯一保持在空中的最上位置的基板W。基板位移机构57D从该状态起进一步向右方延伸，将基板W送出至第一传送带机构67。基板位移机构57D结束基板W的把持，返回到初始状态的位置。因此，被基板位移机构57D把持的基板W载置于第一传送带机构67。这样的基板位移机构57D的动作由基板位移机构控制部57E来实现。基板位移机构相当于本发明的单片基板位移机构。
第一传送带机构67沿Y方向从浸渍槽73延伸至第二传送带机构68，能够将水平姿势的基板W从左方向右方沿Y方向搬送。第一传送带机构67具有沿X方向延伸的多个辊67A和支承于辊67A的带67B。带67B通过辊组的上层，被位于右方侧的最前端的辊67A引导，能够绕到辊组的下层。通过了辊组下层的带67B这次被位于左方侧的最基端的辊67A引导，能够再次绕到辊组上层。
图8的(b)表示通过第一传送带机构67将水平姿势的基板W移送至第一传送带机构67的前端部的状态。第一传送带机构67具有支承基板W的一端的带67B和支承基板W的另一端的带67B这两条带。基板W通过以相同的速度向相同方向移动的两条带被向右方搬送，这次通过第二传送带机构68进一步被向右方搬送。通过第一马达67C使辊67A旋转来执行该基板W的搬送。第一马达67C驱动构成第一传送带机构67的辊67A中的至少一个，使带67B动作。本例的基板处理系统可以构成为具有一个第一马达67C，一并驱动一个或多个辊67A，也可以构成为具有多个第一马达67C，个别地驱动多个辊67A。
第二传送带机构68为与第一传送带机构67大致一样的结构。即，第二传送带机构68沿Y方向从第一传送带机构67的右端延伸至在单片处理装置2内确定的搬出位置OP，能够将水平姿势的基板W从左方向右方沿Y方向搬送。第二传送带机构68具有沿X方向延伸的多个辊68A这一点、具有支承基板W的两端的两条带68B这一点、带68B相对于辊组的动作、两条带以相同的速度向相同方向移动这一点，与第一传送带机构67一样。第二传送带机构68进行的基板W的搬送与第一传送带机构67的第一马达67C一样，通过一个或多个第二马达68C驱动一个或多个辊67A来执行。
对设置于在中继装置6确定的搬出位置OP的升降销70进行说明。在中继装置6的搬出位置OP，在第二传送带机构68具有的两条带的间隙具有多个升降销70。这3个升降销70是沿Z方向伸出的销，相对于中继装置6的底板62b出没自如。在升降销70处于收缩状态时，如图8的(c1)所示，升降销70的前端位于被第二传送带机构68移送的基板W的下部。在升降销70处于伸长状态时，如图8的(c2)所示，升降销70的前端从下表面支承被第二传送带机构68移送的基板W，将基板W移送至设定在第二传送带机构68的上空的搬出位置OP。升降销70的出没动作在多个升降销70之间同步，因此，位于第二传送带机构68右端的基板W在保持水平姿势的状态下上升。这样的升降销70的动作由升降销升降机构70A来实现。从保持基板W的水平姿势的必要性出发，升降销70的个数为三个。在实施例中，也可以构成为具有4个以上的升降销70。
图8的(c2)表示基板W通过升降销70移动至搬出位置OP时的情形。中继装置6的搬出位置OP被确定为第二传送带机构68中的右端部的上空。从第一传送带机构67送出的基板W通过第二传送带机构68沿Y方向移动，之后，通过三个升降销70沿Z方向移动而到达搬出位置OP。
在通过升降销70使基板W上升至搬出位置OP时，第二传送带机构68为停止状态。即，第二传送带机构68是将从第一传送带机构67接受到的基板W搬送至与搬出位置OP的正下方相当的规定位置而停止的结构，升降销70是使位于规定位置的基板W上升至搬出位置OP而停止的结构。通过设为这样的结构，能够利用升降销70可靠地支承基板W。
送出至搬出位置OP的基板W由单片处理装置2中的中央机器人CR握持，被搬送至单片处理腔室。这样，搬出位置OP的基板W不会长时间停留在原地，而是立即被搬送至单片处理腔室。搬出位置OP为空的状态，能够接收后续的基板W。中央机器人相当于本发明的单片搬送机构。
以上，对构成批次的基板W中的第一个基板W由中继装置6如何搬送进行了说明。即，在遵从图5的(a)至图8的(c2)的顺序搬送基板W的时间点，在基板待机槽65中成为铅垂姿势的25张基板W为浸渍于纯水的状态，在水中姿势转换部55的浸渍槽73中成为水平姿势的24张基板W为浸渍于纯水的状态。以下，对搬送剩余49张基板W的方法进行说明。
关于剩余的基板W的搬送，基本能够通过组合上述的基板W的搬送方法来实现。即，如图9的(a)所示，残留在水中姿势转换部55的浸渍槽73中的成为水平姿势的24张基板W通过基板位移机构57D被一张一张地移送到第一传送带机构67。在槽内载体71排列的水平姿势的基板W中的、位于最上部的基板W为基板位移机构57D进行的移送对象的基板W。本实施例是一边将槽内载体71从浸渍槽73一点一点地抽出，一边通过基板位移机构57D向第一传送带机构67移送基板W的结构。由此，能够在仅使移送对象基板W在液面上待机、使其他基板W浸渍于纯水的状态下，完成剩余24张基板的搬送。
接着，对残留于基板待机槽65的25张基板的搬送方法进行说明。这些剩余的基板W也通过上述全间距排列基板搬送机构STR被搬送到水中姿势转换部55。图9的(b)表示为了向全间距排列基板搬送机构STR交付25张基板W使得升降器LF65上升至搬入位置IP时的情形。该图相当于上述的图6的(a)。在图9的(b)的情况下，全间距排列基板搬送机构STR与图6的(a)的情况相比，向右方偏移半间距。由此，设置于卡盘30的浅槽的位置与残留于升降器LF65的25张基板W的位置一致，25张基板W由一对卡盘30把持。为了利用全间距排列基板搬送机构STR把持在图6的(a)中未被把持的25张基板W，需要使全间距排列基板搬送机构STR偏移半间距的措施。升降器LF65在交付全间距排列基板搬送机构STR基板后，避让至基板待机槽65的浸渍位置(参照图9的(c))。基板待机槽相当于本发明的待机槽。
图10的(a)表示之后全间距排列基板搬送机构STR移动到水中姿势转换部55时的情形。若在该状态下使水中姿势转换部55具有的推杆55A上升，则如图10的(a)所示，推杆55A能够当场从全间距排列基板搬送机构STR一并收取以全间距排列的多张基板W。
图10的(b)表示之后全间距排列基板搬送机构STR远离推杆55A后的情形。如图10的(b)所示，此时的推杆55A以支承推杆55A的支柱为旋转轴旋转180°。在旋转前的推杆55A以使器件面朝向左方的状态排列多张基板W，与之相比，在旋转后的推杆55A以使器件面朝向右方的状态排列多张基板W(参照图10的(c))。
图10的(c)的状态与上述的图7的(a)一样。因此，图10的(c)所示的多张基板W以与图7的(a)～图9的(a)中说明的方法一样的方法从浸渍槽73向第一传送带机构67一张一张地搬送。
这样，本实施例的基板处理系统构成为：相对于以面对面方式排列基板W而成的批次，通过使推杆55A适当旋转，使向搬出位置OP搬出的基板W的器件面全部朝上。具体而言，通过对器件面朝向左方的基板W实施180°旋转，使器件面朝向右方。器件面朝向右方的多张基板W通过左旋转90°，在器件面朝向上方的状态下成为水平姿势。
＜6.6.中继装置：闸门＞
接着，对设置于中继装置6的第一闸门S1、第二闸门S2、第三闸门S3进行说明。第一闸门S1、第二闸门S2是在闭状态下与Y方向正交并阻断中继装置6的基板搬送路的结构，第三闸门S3是将搬出位置OP与后述的中央机器人CR的基准位置SP之间阻断的结构。
如图11的(a)所示，第一闸门S1设置于中继装置6的搬入位置IP侧，通过成为闭状态而将中继装置6分割为设置有第一传送带机构67的区划、设置有位于第一传送带机构67的上游的水中姿势转换部55的区划。当第一闸门S1为闭状态时，如图11的(a)的箭头所示，在各区划之间阻断气体介质流通。因此，当第一闸门S1为闭状态时，无法横穿第一闸门S1来搬送基板W。
如图11的(b)所示，第二闸门S2设置于中继装置6中的第一传送带机构67与第二传送带机构68之间。第二闸门S2在Y方向上位于与构成单片处理装置2的第二壳体2A的隔壁中的、和批量处理装置1对置的第四壁面2B相同的位置。因此，当第二闸门S2为闭状态时，在第四壁面2B为了使中继装置6嵌入而设置的矩形的开口部被第二闸门S2封闭。第二闸门S2为闭状态，由此，将中继装置6分割为设置有第二传送带机构68的区划、设置有第一传送带机构67的区划。当第二闸门S2为闭状态时，如图11的(b)的箭头所示，在各区划之间阻断气体介质流通。因此，当第二闸门S2为闭状态时，无法横穿第二闸门S2来搬送基板W。
如图11的(c)所示，第三闸门S3是与第二传送带机构68中的基板W的搬送方向(Y方向)交叉的可动式的板状结构。第三闸门S3为闭状态，由此，将中继装置6与单片处理装置2分割。第三闸门S3为闭状态时，如图11的(c)的箭头所示，在中继装置6与单片处理装置2之间阻断气体介质流通。因此，当第三闸门S3为闭状态时，无法横穿第三闸门S3来搬送基板W。
这些第一闸门S1、第二闸门S2、第三闸门S3仅在搬送基板W时为开状态。因此，例如，如在图5～图7中说明基板W的搬送那样，在基板W尚未到达槽内载体71时，各闸门为闭状态。另外，在各闸门的动作相对于基板搬送足够快时，也可以构成为每搬送一张基板W就开闭各闸门。另外，各闸门在不使用中继装置6就运转基板处理系统时始终为闭状态。该基板处理系统的运用方法涉及后述的批量模式、单片模式。
＜7.单片处理装置：分度块＞
如图1所示，分度块4具有载置载体C的第二装载口10，所述载体C将多张基板W以水平姿势隔开特定间隔沿铅垂方向收纳。因此，第二装载口10是载体C的载置台。另外，有时也在第二装载口10载置收纳单片基板处理完的多张基板W的载体C。本实施例的单片处理装置2构成为不经由第二装载口10而从中继装置6接受批量处理完的基板W，因此，第二装载口10载置收纳批量处理及单片处理完的基板W的空的载体C。因此，第二装载口10用作单片处理装置2中的基板W的出口。有时也在第二装载口10载置收纳未处理的基板W的载体C，但这是将第二装载口10用作基板W的入口的情况。该载置方法涉及后述的单张模式。第二装载口10是从沿宽度方向(Y方向)延伸的分度块4的外壁突出的结构。第二装载口相当于本发明的第二载体载置搁板。
对分度块4的内部构造进行说明。分度块4具有：分度机器人IR，其在载体C与后述的单片处理块8中设置于分度块4侧的路径24之间一张一张地搬送水平姿势的基板W。分度机器人IR在前端具有由把持水平姿势的基板W的一对把持体构成的机械手和支承机械手的臂。臂具有多个关节，前端与机械手连接，基端与设置于分度块4的臂的基台连接。本实施例的分度机器人IR构成为从路径24接受单片处理完的基板W并收纳于分度块4外的第二装载口10。
＜8.单片处理装置：单片处理块＞
从第二装载口10观察，单片处理块8设置在分度块4的里侧。在单片处理块8的Y方向上的中央部，具有分度机器人IR能够访问的路径24、能够在路径24载置单片处理完的基板W的中央机器人CR。在单片处理块8设置有沿X方向延伸的单片搬送区域R3，以使中央机器人CR能够在路径24与设定于在X方向上远离路径24的位置的中央机器人CR的基准位置SP之间往复。中央机器人CR能够在单片搬送区域R3内沿X方向进退移动。
单片处理块8具有能够对批量处理完的基板W进行干燥处理的单片处理腔室48a、单片处理腔室48b、单片处理腔室48c。各单片处理腔室设置于单片处理区域R4，单片处理区域R4设置成从Y方向夹着单片搬送区域R3。单片处理腔室48a、单片处理腔室48b设置在比单片搬送区域R3靠右方的单片处理区域R4，单片处理腔室48c设置在比单片搬送区域R3靠左方的单片处理区域R4。
在单片搬送区域R3设定有中央机器人CR的基准位置SP。基准位置SP位于在X方向上远离路径24的位置。在中央机器人CR位于基准位置SP时，中央机器人CR能够访问单片处理腔室48a、单片处理腔室48b、单片处理腔室48c及中继装置6的搬出位置OP。以基准位置SP为基准，在右前方设置单片处理腔室48a，在右后方设置单片处理腔室48b，在左后方设置单片处理腔室48c，在左前方设定有中继装置6的搬出位置OP。
单片处理腔室的每一个具有将连结单片处理腔室的每一个与基准位置SP的基板W的动作路线横切的对置面，以使中央机器人CR容易从基准位置SP进行访问。在对置面的每一个设置闸门，通过将闸门设为开状态，在对置面形成从位于基准位置SP的中央机器人CR向单片处理腔室的每一个交付基板W时的开口部。另外，在中继装置6也设置将连结搬出位置OP与基准位置SP的基板W的动作路线横切的第三闸门S3。通过将闸门S3设为开状态，形成位于基准位置SP的中央机器人CR接受搬出位置OP的基板W时的开口部。
图12是从批量处理装置1侧观察单片处理块8时的图。如该图所示，单片处理腔室在Z方向上层叠而构成层叠体。例如，在单片处理腔室48c的上侧配置有单片处理腔室49c，在单片处理腔室48c的下侧配置有单片处理腔室47c。一样地，在单片处理腔室48a的上侧配置有另一个单片处理腔室，在单片处理腔室48a的下侧配置有其他的单片处理腔室。在单片处理腔室48b的上侧也配置有另一个单片处理腔室，在单片处理腔室48a的下侧也配置有其他的单片处理腔室。
图12也对中继装置6配置在被单片处理腔室从上下夹持的位置这一点进行说明。即，在中继装置6的上侧配置有单片处理腔室49d，在中继装置6的下侧配置有单片处理腔室47d。
这样，本实施例的单片处理块8具有：第一层叠体，其由单片处理腔室48a所属的3个单片处理腔室在Z方向上排列而构成；第二层叠体，其由单片处理腔室48b所属的3个单片处理腔室在Z方向上排列而构成；第三层叠体，其由单片处理腔室48c所属的3个单片处理腔室在Z方向上排列而构成。并且，本实施例的单片处理块8具有设置在从Z方向夹着中继装置6的位置的两个单片处理腔室。因此，在单片处理块8中，具有构成层叠体的9个单片处理腔室、以及设置在中继装置6的上下的2个单片处理腔室，具有合计11个单片处理腔室。
如图12所示，遮蔽板16是单片处理装置2的第二壁面2B的一部分，位于被中继装置6、位于中继装置6的上下的单片处理腔室47d、单片处理腔室49d、分度块4包围的位置。遮蔽板16设置成堵塞矩形开口，该矩形开口无法由在X方向上比单片处理腔室47d、单片处理腔室49d短的中继装置6封闭。若将遮蔽板16设置在分度块4侧，则能够使中继装置6位于中央机器人CR的基准位置SP侧，因此，能够在不使中央机器人CR在X方向上移动的情况下，将从搬出位置OP接受的基板W交付给单片处理腔室。
此外，中央机器人CR具有的把持水平姿势的基板W的机械手能够在保持基板W的姿势的状态下沿Z方向移动。通过这样构成中央机器人CR，能够将从搬出位置OP接受的基板W交付给位于中继装置6的上侧及下侧的单片处理腔室。通过将中继装置6设置在单片处理腔室的层叠体中的中层，搬出位置OP在Z方向上成为单片处理块8的中间位置。若这样构成，则搬出位置OP对于上下的单片处理腔室中的任一者而言均为附近位置，因此，在基板搬送时，无需使中央机器人CR在Z方向上移动较长距离，就能从搬出位置OP向单片处理腔室迅速地搬送基板W。
中央机器人CR具有：第一机械手32a，其用于把持干燥处理前的基板W；第二机械手32b，其是用于把持干燥处理后的基板的结构，并设置在比第一机械手32a靠上方的位置。
对单片处理腔室的结构进行说明。单片处理腔室能够进行以旋转干燥方式使基板干燥的基板干燥处理。单片处理腔室的内部构造以图1中的单片处理腔室48a进行说明。其他的单片处理腔室也是与之一样的结构。在单片处理腔室的内部，具有在使基板W吸附的状态下旋转的旋转卡盘8a。通过使安装于旋转卡盘8a的干燥处理前的基板旋转，附着于基板W上的液体因离心力而发散被从基板W去除。本实施例的单片处理腔室除了基板干燥处理以外，还具有对基板W供给药液的药液喷嘴8b。药液喷嘴8b能够在远离旋转卡盘8a的待机位置与位于旋转卡盘8a的上方的供给位置之间回转。本实施例的基板处理系统中的单片处理装置2构成为作为基板干燥装置来运用。药液喷嘴8b涉及后述的变形例。
＜9.控制部＞
基板处理系统具有：与批量处理装置1的控制相关的第一控制部131、与单片处理装置2的控制相关的第二控制部132、与中继装置6的控制相关的第三控制部136。关于各控制部，可以参照图1。另外，虽然在图1中未图示，但在基板处理系统中具有与各控制部对应的存储部。控制部131、控制部132、控制部136例如由CPU(Central Processing Unit)构成。各控制部的具体结构没有限定，例如，可以由单一的处理器构成各控制部，也可以由个别的处理器构成各控制部。另外，也可以由多个处理器构成批量处理装置1的控制，该情况在单片处理装置2、中继装置6中一样。
作为与控制部131相关的控制，例如有与载体搬送机构11、第一基板搬送机构HTR、第一姿势转换机构15、第二基板搬送机构WTR、批量处理单元BPU1～BPU6、批量干燥腔室DC相关的控制。作为与控制部132相关的控制，例如有与中央机器人CR、各单片处理腔室、分度机器人IR相关的控制。并且，作为与第三控制部136相关的控制，例如有与全间距排列基板搬送机构STR、基板待机槽65、升降器LF65、水中姿势转换部55(第二姿势转换机构)、基板位移机构57D、第一传送带机构67、第二传送带机构68、纯水供给装置、升降销70相关的控制。
存储部存储与控制相关的程序、参数等。存储部可以由单一的器件构成，也可以由与各控制部对应的个别的器件构成。此外，本实施例的基板处理系统对实现存储部的器件的结构没有特别限定。
＜10.混合模式＞
以下，参照图13的流程图，对混合模式下的基板处理的流程进行说明。该基板处理通过首先对基板W进行批量处理，然后进行单片处理来进行。本实施例的基板W构成为：被依次搬送到第一装载口9、仓储块3、移载块5、批量处理块7、中继装置6、单片处理区域R4、分度块4以及第二装载口10，在此期间批量处理、单片处理完成(参照图14、图15)。
步骤S11：将沿高度方向排列并收纳成为水平姿势的未处理的基板W的载体C，载置于批量处理装置1中的第一装载口9。之后，该载体C被取入到仓储块3，被放置于载体载置搁板13a。在载置于载体载置搁板13a之前，载体C也可以经由储备用的搁板13b。此时的载体C的移动由载体搬送机构11进行。第一基板搬送机构HTR从载置于载体载置搁板13a的载体C一并取出成为水平姿势的多张基板W，交付给HVC姿势转换部23。载体载置搁板相当于本发明的第一载体载置搁板。
步骤S12：HVC姿势转换部23将接收的多张基板W的姿势一并从水平姿势转换为铅垂姿势，交付给推杆机构25。HVC姿势转换部23从第一基板搬送机构HTR接受源自与收纳姿势转换后的多张基板W的载体C不同的载体C的另一组基板W，将基板W的姿势从水平姿势转换为铅垂姿势。转换了姿势的多张基板W也被交付给推杆机构25。这样，对以全间距排列的基板W执行批量组，在推杆25A以半间距排列两个载体的基板W。这样生成的批次由推杆机构25搬送至在移载块5确定的基板交接位置PP。
步骤S13：第二基板搬送机构WTR从推杆机构25接受在基板交接位置PP待机的批次，交付给在第六批量处理单元BPU6中的批量药液处理槽CHB6的上空待机的升降器LF6。此时，也可以在载置于升降器LF6之前，使批次经由干燥批次支承部33。将批次交付给升降器LF6是为了对批次进行磷酸处理。因此，只要将批次交付给磷酸处理有关的升降器LF2～升降器LF6中的某一个即可。以下，设为批次被交付给升降器LF6进行说明。
之后，升降器LF6下降至浸渍位置，对批次进行批量式的磷酸处理。磷酸处理结束后的批次通过升降器LF6再次返回至批量药液处理槽CHB6的上空，交付给第二基板搬送机构WTR。第二基板搬送机构WTR交付给在第一批量处理单元BPU1中的批量冲洗处理槽ONB的上空待机的升降器LF1。之后，升降器LF1下降至浸渍位置，对批次进行批量冲洗处理。这样，一系列的批量处理完成。批量处理结束的批次通过升降器LF1再次返回到上空，交付给第二基板搬送机构WTR。第二搬送机构相当于本发明的一并搬送机构。
步骤S14：第二基板搬送机构WTR将批量处理完的批次交付给在搬入位置IP待机的升降器LF65。之后，升降器LF65下降至基板待机槽65的浸渍位置，使批次在纯水中待机。在从基板待机槽65向水中姿势转换部55的浸渍槽73搬送多张基板W时，首先升降器LF65使批次从浸渍位置移动到搬入位置IP。全间距排列基板搬送机构STR在搬入位置IP从升降器LF65接受成为铅垂姿势的基板列，将其向Y方向(右方)搬送。如上所述，全间距排列基板搬送机构STR无法一次搬送构成批次的50张基板W，因此，为了将构成批次的基板W的全部搬送到水中姿势转换部55，需要进行两次搬送动作。全间距排列基板搬送机构STR的第二次搬送动作，在第一次搬送动作中搬送的基板W的全部被从浸渍槽73搬出后进行。水中姿势转换部相当于本发明的第二姿势转换机构。
位于水中姿势转换部55的浸渍槽73的底部的推杆55A上升，从在浸渍槽73的上空待机的全间距排列基板搬送机构STR接受基板列。之后，推杆55A通过下降而将基板列交付给槽内载体71。
图14图示了在以上的步骤S11～步骤S14中一并搬送多张基板W的情形。
步骤S15：接受到基板列的槽内载体71通过左旋转，将成为铅垂姿势的基板W的姿势一并转换为水平姿势。
步骤S16：基板位移机构57D一张一张地把持被槽内载体71保持的基板W，交付给位于水中姿势转换部55的右方的第一传送带机构67。第一传送带机构67一张一张地接收水平姿势的基板W，向中继装置6的右方搬送。第一传送带机构67接收基板W的方式没有特别限定。第一传送带机构67为细长状，因此，也能够在搬送完一张基板W之前从水中姿势转换部55接收后续的基板W。若加快第一传送带机构67的搬送速度，则也能够设为在搬送完1张基板W之前不接收后续的基板W的构成。被搬送至第一传送带机构67的右端的基板W此次被从第二传送带机构68的左端接收而被搬送至单片处理装置2内部。第二传送带机构68也与第一传送带机构一样为细长状，因此，第二传送带机构68也能够一次载置成为水平姿势的多张基板W进行搬送。
这样，第一传送带机构67、第二传送带机构68成为一次搬送多张基板W的结构，但在不搬送层叠的基板W这样的意义上，将水平姿势的基板W一张一张地搬送。这是因为，第一传送带机构67、第二传送带机构68搬送的基板W的每一个的Y方向的位置互不相同。
第二传送带机构68将基板W搬送至中继装置6的搬出位置OP的正下方。3个升降销70使第二传送带机构68搬送的基板W上升，由此，将基板W移送至搬出位置OP。
位于单片搬送区域R3中的基准位置SP的中央机器人CR从中继装置6的搬出位置OP接受基板W，搬送至位于单片处理区域R4的单片处理腔室中的某一个(例如单片处理腔室48c)。此时，中央机器人CR通过干燥处理前基板搬送用的机械手收受干燥处理前的基板W。
步骤S17：被单片处理腔室48c接收的基板W当场被实施单片基板处理。作为单片基板处理，具体而言，是旋转干燥式的基板干燥处理。
步骤S18：单片基板处理完的基板W由中央机器人CR具有的干燥处理后基板搬送用的机械手接受，被从单片处理腔室48c搬送至路径24。分度机器人IR从路径24接受处理完的基板W，交付给载置于第二装载口10的载体C。这样，基板W的搬送完成。
图15图示了在以上的步骤S15～步骤S18中一张一张地搬送水平姿势的基板W的情形。
各步骤有时同时执行，因此，对这一点进行说明。在步骤S17中基板W接受干燥处理的期间，也继续步骤S16中说明的水平姿势的基板搬送。因此，步骤S16和步骤S17有时同时执行。反复进行步骤S16中的基板搬送，直到单片处理装置2具有的11个单片处理腔室全部处于使用中。另外，当成为使用中的单片处理腔室的某一个为空时，再次执行步骤S16。通过这样并行地进行单片基板处理，能够提高基板处理系统的吞吐量。
在步骤S15中，在将姿势为水平姿势的多张基板W全部从中继装置6搬送至单片处理装置2后，水中姿势转换部55能够接收新的基板列。全间距排列基板搬送机构STR在该时间点从升降器LF65接受在基板待机槽65中待机的基板列并交付给水中姿势转换部55。这样，根据本实施例，为了搬送一个批次，需要进行两次步骤S15。因此，步骤S15有时与步骤S16、步骤S17同时执行。
如果适当反复进行步骤S15、步骤S16、步骤S17，则能够一边解除批次的批量组一边完成单片处理腔室的基板干燥处理。当构成批次的全部基板W返回到载置于第二装载口的载体C时，本实施例的基板处理结束。
此外，本实施例的基板处理为一次处理两个载体C的结构。即，放置在批量处理装置1的第一装载口9的第一载体C与收纳在第二载体C的基板W的每一个收纳在放置于单片处理装置2的第二装载口10的第三载体C与第四载体C。
在步骤S15中，进行姿势转换的基板W全部源自第一载体C。因此，中继装置6仅将收纳在第一载体C的基板W搬送至单片处理装置2。分度机器人IR将这样搬送的第一载体C的基板W全部收纳于第三载体C。
当第一载体C的基板W的全部被从水中姿势转换部55搬送时，再次执行步骤S15。该情况下，进行姿势转换的基板W全部源自第二载体C。因此，中继装置6这次仅将收纳在第二载体C的基板W搬送到单片处理装置2。分度机器人IR将这样搬送的第二载体C的基板W全部收纳于第四载体C。
这样，收纳于第一载体C的基板W和收纳于第二载体C的基板W不混合地装进各个第三载体C、第四载体C。
＜11.批量模式＞
上述基板处理涉及连续进行批量处理和单片处理的混合模式。本实施例的基板处理系统除了混合模式以外，还能够根据仅由批量处理装置1完成基板处理的批量模式和仅由单片处理装置2完成基板处理的单片模式运转。
以下，参照图16的(a)的流程图对批量模式下的基板处理的流程进行说明。关于该基板处理，将基板W依次搬送到第一装载口9、仓储块3、移载块5、批量处理块7、移载块5、仓储块3、第一装载口9，在此期间完成批量处理(参照图17)。
步骤S31：将沿高度方向排列并收纳成为水平姿势的未处理的基板W的载体C载置于批量处理装置1中的第一装载口9。多张基板W被一并交付给HVC姿势转换部23。此时的基板W的流程与上述的步骤S11一样。
步骤S32：HVC姿势转换部23将接收的多张基板W的姿势一并从水平姿势转换为铅垂姿势并交付给推杆机构25。HVC姿势转换部23进行批量组，在推杆25A排列2个载体的基板W。推杆25A将批次搬送到基板交接位置PP。此时的基板W的流程与上述的步骤S12一样。
步骤S33：第二基板搬送机构WTR从推杆机构25接受在基板交接位置PP待机的批次，交付给在批量药液处理槽CHB6的上空待机的升降器LF6。批次浸渍于批量药液处理槽CHB6，执行磷酸处理。磷酸处理结束的批次由第二基板搬送机构WTR搬送，交付给在批量冲洗处理槽ONB的上空待机的升降器LF1。批次浸渍于批量冲洗处理槽ONB，执行批量冲洗处理。批量冲洗处理后的批次被交付给第二基板搬送机构WTR。以上的基板W的流程与上述的步骤S13一样。
本步骤与上述的步骤S13的不同点在于，基板W的干燥处理也由批量处理装置1进行。即，接受到批量冲洗处理后的批次的第二基板搬送机构WTR移动至批量干燥腔室DC的上空，将批次交付给批量干燥腔室DC。由批量干燥腔室DC进行了干燥处理的批次再次被第二基板搬送机构WTR接收，被搬送至移载块5的基板交接位置PP。
步骤S34：干燥处理完的批次在基板交接位置PP这次被交付给推杆机构25。推杆机构25使推杆25A接近HVC姿势转换部23侧。于是，批次成为图4的(f)那样的状态。通过从该状态进行与使用图4说明的批量组动作相反的动作，一边解除批量组一边将成为铅垂姿势的基板W的姿势转换为水平姿势。即，在图4的(f)中，构成被推杆机构25支承的批次的基板W中的一半被HVC姿势转换部23接收(参照图4的(e))。之后，HVC姿势转换部23将接收的基板W的姿势从铅垂姿势转换为水平姿势(参照图4的(d))。
步骤S35：在HVC姿势转换部23中成为水平姿势的多张基板W被第一基板搬送机构HTR接收，返回到放置在载体载置搁板13a的空的载体C。之后，载体C通过载体搬送机构11返回到第一装载口9。
在以上的说明中，成为在推杆机构25残留有以全间距排列的多张基板W的状态。残留的基板W通过推杆机构25旋转180°(参照图4的(d))，由HVC姿势转换部23接收(参照图4的(b)、图4的(c))。之后，HVC姿势转换部23将接收的基板W的姿势从铅垂姿势转换为水平姿势(参照图4的(a))。之后，再次进行上述的步骤S35，若使载体C返回到第一装载口9，则批量模式下的基板处理结束。
图17图示了在以上的步骤S31～步骤S35中执行批量处理的情形。
此外，在执行批量模式的过程中，第一闸门S1为闭状态。通过设为这样的结构，批量处理装置1内的气体介质与外部气体被阻断，因此，能够在更清洁的环境下进行批量处理。
＜12.单片模式＞
接着，参照图16的(b)的流程图对单片模式下的基板处理的流程进行说明。关于该基板处理，将基板W依次搬送到第二装载口10、分度块4、单片处理块8、分度块4、第二装载口10，在此期间完成单片处理(参照图17)。
步骤S41：将沿高度方向排列并收纳成为水平姿势的未处理的基板W的载体C载置于单片处理装置2的第二装载口10。分度机器人IR将该载体C收纳的未处理的基板W一张一张地搬送至路径24。中央机器人CR能够访问路径24，中央机器人CR当场接受基板W，移动至在X方向上分离的基准位置SP。中央机器人CR在该状态下将基板W交付给单片处理腔室48c。向单片处理腔室48c交付基板W是为了对基板W进行单片处理。因此，基板W也能够通过将基板W交付给单片处理块8具有的其他单片处理腔室而完成本步骤。以下，设为基板W被交付给单片处理腔室48c进行说明。
步骤S42：单片处理腔室48c对接收的基板W实施疏水加工处理等药液处理、干燥处理。在对基板W进行疏水加工处理时，一边从位于供给位置的药液喷嘴8b供给药液，一边使由旋转卡盘8a支承的基板W旋转。作为从药液喷嘴8b供给的药液，可以是在基板表面生成疏水性保护膜的硅烷偶联剂。针对基板W的干燥处理以上述的旋转干燥方式进行。
步骤S43：中央机器人CR从单片处理腔室48c接受在基准位置SP处单片处理完的基板W，沿X方向移动至路径24。分度机器人IR接受中央机器人CR载置于路径24的基板W，搬送至原来的载体C(与基板W在处理前的时间点所属的载体C同一个体的载体C)。如果适当反复进行上述的步骤S41～步骤S43，则针对载体C收纳的基板W的全部，单片处理完成。
图17图示了在以上的步骤S41～步骤S43中执行单片处理的情形。
此外，在执行单片模式的过程中，第二闸门S2为闭状态。通过设为这样的结构，单片处理装置2内的气体介质与外部气体被阻断，因此，能够在更清洁的环境下进行单片处理。
如上所述，根据本发明，通过利用中继装置6将个别的批量处理装置1与个别的单片处理装置2连结，能够构成连续地进行批量处理和单片处理的基板处理系统，所述批量处理是一并处理多张基板W的处理，所述单片处理是一张一张地处理基板W的处理。即，本发明具有确定了搬入位置IP和搬出位置OP这两个位置的中继装置6，所述搬入位置IP用于从批量处理装置1接受批量处理完的基板W，所述搬出位置OP用于将在搬入位置IP接受到的基板W交付给单片处理装置2。该中继装置6在搬入位置IP接受在现有的批量处理装置1中批量处理结束的基板W，经由搬出位置OP交付给现有的单片处理装置2。这样，能够比较简单地构成根据在个别的装置中培养的技术来连续地进行批量处理和单片处理的基板处理系统。另外，也能够抑制系统的设计成本和制造成本。
[实施例2]
接着，对实施例2的基板处理系统进行说明。如图18所示，本实施例的基板处理系统构成为：多个单片处理装置经由中继装置6与一个批量处理装置1连结。具体而言，单片处理装置2a、单片处理装置2b配置在从Y方向夹入批量处理装置1的位置，中继装置6是在单片处理装置2a、批量处理装置1之间、及单片处理装置2b、批量处理装置1之间进行桥接的结构。一般而言，单片处理与批量处理相比，基板处理更需要时间。因此，如果由多个单片处理装置和一个批量处理装置1构成基板处理系统，则可以提供改善了基板的处理速度的装置。
本实施例的批量处理装置1为与实施例1的批量处理装置一样的结构。即，本实施例的批量处理装置1具有：供载置载体C的第一装载口9突出的仓储块3、设置于与仓储块3邻接的位置的移载块5以及批量处理块7。本实施例的单片处理装置2a、单片处理装置2b为与实施例1的单片处理装置一样的结构。即，本实施例的单片处理装置2a具有供载置载体C的第二装载口10突出的分度块4、具有多个单片处理腔室的单片处理块8。单片处理装置2b为与单片处理装置2a一样的结构。
中继装置6在Y方向上横切批量处理装置1，一端延伸至位于批量处理装置1的右方的单片处理装置2a的内部，另一端延伸至位于批量处理装置1的左方的单片处理装置2b的内部。中继块具有与实施例1一样的基板待机槽65及水中姿势转换部55。
本实施例的中继装置6具有将水平姿势的基板W一张一张地搬送的中继局部搬送机构LRa。中继局部搬送机构LRa设置于水中姿势转换部55的右方，能够访问水中姿势转换部55。中继局部搬送机构LRa访问排列并保持水平姿势的基板W的槽内载体71，在浸渍槽73的上空接受槽内载体71保持的基板W中的位于最上位置的基板W。中继局部搬送机构LRa具有保持基板W的机械手，能够使机械手在Y方向上进退，也能够以在Z方向上延伸的旋转轴为中心使机械手旋转90°。由此，机械手能够朝向槽内载体71，也能够朝向后述的分拣传送带机构66。
分拣传送带机构66位于中继局部搬送机构LRa的后方，是将从中继局部搬送机构LRa交付的基板W向右方或左方搬送的结构。在从中继装置6向单片处理装置2a交付基板W时，分拣传送带机构66将基板W向右方搬送。在从中继装置6向单片处理装置2b搬送基板W时，分拣传送带机构66将基板W向左方搬送。这样，分拣传送带机构66通过将基板W向正向或反向搬送来进行基板W的分拣。分拣传送带机构66是与实施例1的第一传送带机构67一样的结构，具有多个带、多个辊。
图19的(a)对分拣传送带机构66进行具体说明。分拣传送带机构66具有3个以上与图8的(c2)中说明的升降销70一样的升降销。升降销相对于分拣传送带机构66中的带出没自如，通过伸长能够到达设定于分拣带搬送机构66的上空的中继位置NP。中继局部搬送机构LRa将从槽内载体71接受的基板W搬送至分拣传送带机构66上空的中继位置NP。在此时的中继位置NP，升降销待机，因此，基板W在被升降销支承的状态下维持水平姿势。当升降销收缩时，基板W被交付给构成分拣传送带机构66的带。
图19的(b)表示通过分拣传送带机构66向正向动作而将基板W向右方搬送的情形。在分拣传送带机构66的右方具有用于将基板W搬送到单片处理装置2a的第一传送带机构67a。通过分拣传送带机构66被向右方搬送的基板W通过该第一传送带机构67a被进一步向右方搬送。这样的分拣传送带机构66的动作由驱动辊的正反转马达66A实现。即，如果正反转马达66A使辊向正向旋转，则带以向右方流转的方式动作。这样的正反转马达66A的控制由正反转马达控制部66B实现。正反转马达控制部66B是第三控制部136的一部分。
图19的(c)表示通过分拣传送带机构66向反向动作而将基板W向左方搬送的情形。在分拣传送带机构66的左方具有用于将基板W搬送到单片处理装置2b的第一传送带机构67b。通过分拣传送带机构66被向左方搬送的基板W通过该第一传送带机构67b被进一步向左方搬送。这样的分拣传送带机构66的动作由驱动辊的正反转马达66A来实现。即，如果正反转马达66A使辊向反向旋转，则带以向左方流转的方式动作。这样的正反转马达66A的控制由正反转马达控制部66B来实现。
此外，本实施例的基板处理系统在中继装置6的右端部具有第二传送带机构68a，在中继装置6的左端部具有第二传送带机构68b。在第二传送带机构68a设定中继装置6的搬出位置OP1，在第二传送带机构68b设定中继装置6的搬出位置OP2。因此，本实施例的中继装置6设定有多个搬出位置。右方闸门S2a相当于实施例1的第二闸门S2，是阻断批量处理装置1与单片处理装置2a之间的联络的结构。左方闸门S2b也相当于实施例1的第二闸门S2，是阻断批量处理装置1与单片处理装置2b之间的联络的结构。
此外，第一传送带机构67b与第二基板搬送机构WTR的通路立体交叉，第一传送带机构67b与第二基板搬送机构WTR不会相互干涉。
图20对本实施例的基板流程进行说明。图20所示的是一张一张地搬送水平姿势的基板W时的过程，省略了一并搬送基板的过程。如图20所示，经由中继局部搬送机构LRa而从水中姿势转换部55搬送至分拣传送带机构66的基板W首先被向正向搬送而被搬送至单片处理装置2a。若反复进行这样的搬送，则来源的载体C共同的多张基板W全部由单片处理装置2a搬送，当场被实施单片处理。分度机器人IR将单片处理后的基板W全部收纳在单一的载体C内。
分拣传送带机构66在搬送完一个载体C的基板W时，将中继局部搬送机构LRa交付来的后续的基板向反向搬送。这样，基板W被一张一张地搬送至单片处理装置2b。若反复进行这样的搬送，则来源的载体C共同的多张基板W全部由单片处理装置2b搬送，当场被实施单片处理。分度机器人IR将单片处理后的基板W全部收纳在单一的载体C内。
根据本实施例，即使单片处理装置2a处于基板处理中，也能够在搬送完一个载体C的基板W后，将后续的基板W从批量处理装置1送至单片处理装置2b。若这样构成，则能够使用多个单片处理装置同时并行地进行单片基板处理，因此，可以提供吞吐量高的基板处理系统。
[实施例3]
接着，对实施例3的基板处理系统进行说明。如图21所示，本实施例的基板处理系统构成为：多个单片处理装置经由中继装置6与一个批量处理装置1连结。具体而言，单片处理装置2s、批量处理装置1配置在从Y方向夹入单片处理装置2t的位置，中继装置6是在单片处理装置2t、批量处理装置1之间、及单片处理装置2s、单片处理装置2t之间进行桥接的结构。一般而言，单片处理与批量处理相比，基板处理更需要时间。因此，若由多个单片处理装置和一个批量处理装置1构成基板处理系统，则可以提供改善了基板的处理速度的装置。
本实施例的批量处理装置1为与实施例1的批量处理装置一样的结构。即，本实施例的批量处理装置1具有：供载置载体C的第一装载口9突出的仓储块3、设置于与仓储块3邻接的位置的移载块5以及批量处理块7。本实施例的单片处理装置2s为与实施例1的单片处理装置一样的结构。即，本实施例的单片处理装置2s具有供载置载体C的第二装载口10突出的分度块4、具有多个单片处理腔室的单片处理块8。
单片处理装置2t其自身也是基板处理装置，也是将从批量处理装置1搬出的基板W移送至单片处理装置2s时的中继地。因此，单片处理装置2t与实施例1的单片处理装置2不同，不具有与单片处理腔室48a对应的腔室。即，单片处理装置2t以使中继装置6贯通为目的，而具有两个与Y方向正交的矩形的开口。该开口在X方向上位于同一位置，一个设置于与批量处理装置1对置的一侧，另一个设置于相反侧。中继装置6通过这些开口而嵌入至单片处理装置2t内部。因此，单片处理装置2t构成为在开口附近配置中继装置6来代替配置单片处理腔室。
中继装置6沿Y方向横切批量处理装置1，延伸至一端位于批量处理装置1的右方的单片处理装置2s、单片处理装置2t的内部。中继块具有与实施例1一样的基板待机槽65及水中姿势转换部55。
本实施例的中继装置6具有一张一张地搬送水平姿势的基板W的中继局部搬送机构LRb。中继局部搬送机构LRb设置于水中姿势转换部55的右方，能够访问水中姿势转换部55。中继局部搬送机构LRb访问排列并保持水平姿势的基板W的槽内载体71，在浸渍槽73的上空接受槽内载体71保持的基板W中的位于最上位置的基板W。中继局部搬送机构LRb具有保持基板W的机械手，能够使机械手在Y方向上进退，也能够以在Z方向上延伸的旋转轴为中心使机械手旋转180°。由此，机械手既能够朝向槽内载体71，也能够朝向后述的多级传送带机构64。
多级传送带机构64是成为上级传送带机构64u和下级传送带机构64d的两级构造的沿Y方向延伸的机构。多级传送带机构64位于中继局部搬送机构LRb的右方，是将从中继局部搬送机构LRb交付的基板W搬送至单片处理装置2s或单片处理装置2t的结构。在从中继装置6将基板W交付给单片处理装置2t时，构成多级传送带机构64的下级传送带机构64d将基板W向右方搬送。在从中继装置6将基板W搬送到单片处理装置2s时，上级传送带机构64u将基板W向右方搬送。这样，多级传送带机构64通过在上侧或下侧搬送基板W来进行基板W的分拣。上级传送带机构64u和下级传送带机构64d是与实施例1的第一传送带机构67一样的结构，具有多个带、多个辊。
图22对多级传送带机构64进行具体说明。多级传送带机构64具有3个以上的与图8的(c2)中说明的升降销70一样的升降销。升降销相对于下级传送带机构64d的带出没自如，通过伸长一阶段，能够到达设定于下级传送带机构64d的上空的中继位置NP2(参照图22的(a))。升降销通过进一步进行二阶段的伸长，能够到达设定于上级传送带机构64u的上空的中继位置NP1(参照图22的(b))。中继局部搬送机构LRb将从槽内载体71接受的基板W运送至上级传送带机构64u上空的中继位置NP1或在上级传送带机构64u、下级传送带机构64d的间隙确定的中继位置NP2。在将基板W交付给各中继位置时，升降销当场待机，因此，基板W在被升降销支承的状态下维持水平姿势。当升降销收缩时，基板W被交付给构成上级传送带机构64u或下级传送带机构64d的带。多级传送带机构64相当于实施例1的第一传送带机构67。
在下级传送带机构64d的右方设置有实施例1中说明的第二传送带机构68。在第二传送带机构68t设定有中继装置6向单片处理装置2t交出基板W时的搬出位置OPd。在搬出位置OPd设置有实施例1中说明的多个升降销70，通过将向Y方向搬送来的基板W提起而交付给中央机器人CR。如图22的(c)所示，搬出位置OPd被确定在第二传送带机构68t与后述的贯通传送带机构68u的间隙。
在上级传送带机构64u的右方设置有比第二传送带机构68向右方延伸的贯通传送带机构68u。贯通传送带机构68u是将向单片处理装置2t搬入来的基板W向Y方向搬送而送出至单片处理装置2t的外侧的结构。贯通传送带机构68u位于第二传送带机构68t的上方。
在贯通传送带机构68u的右方设置有比贯通传送带机构68u向右方延伸的中继传送带机构61。中继传送带机构61将从单片处理装置2t向Y方向搬出的基板W向右方搬送。
在中继传送带机构61的右方设置有实施例1中说明的第二传送带机构68s。在第二传送带机构68s设定有中继装置6向单片处理装置2s交出基板W时的搬出位置OPu。因此，本实施例的中继装置6设定有多个搬出位置。在搬出位置OPu设置有实施例1中说明的多个升降销70，通过将向Y方向搬送来的基板W提取而交付给中央机器人CR。贯通传送带机构68u和中继传送带机构61是与实施例1的第一传送带机构67一样的结构，具有多个带、多个辊。
此外，右方闸门Sa相当于实施例1的第二闸门S2，是阻断单片处理装置2s与单片处理装置2t之间的联络的结构。左方的第二闸门S2也是阻断单片处理装置2s与单片处理装置2t之间的联络的结构，设置在单片处理装置2t侧。
图23对本实施例的基板流程进行说明。图23所示的是将水平姿势的基板W一张一张地搬送至单片处理装置2t的第二装载口10时的过程，省略了一并搬送基板的过程。如图23所示，经由中继局部搬送机构LRb而被从水中姿势转换部55搬送至下级传送带机构64d的基板W首先被向右方搬送而搬送至单片处理装置2t。若反复进行这样的搬送，则来源的载体C共同的多张基板W全部由单片处理装置2a搬送，当场被实施单片处理。分度机器人IR将单片处理后的基板W全部收纳在单一的载体C内。
当搬送完一个载体C的基板W时，如图24所示，中继局部搬送机构LRb将基板W交付给上级传送带机构64u。然后，基板W被依次交付给贯通传送带机构68u、中继传送带机构61、第二传送带机构68s。这样，基板W被一张一张地搬送至单片处理装置2s。若反复进行这样的搬送，则来源的载体C共同的多张基板W全部由单片处理装置2s搬送，当场被实施单片处理。分度机器人IR将单片处理后的基板W全部收纳在单一的载体C内。
根据本实施例，即使单片处理装置2t处于基板处理中，也能够在搬送完一个载体C的基板W之后，将后续的基板W从批量处理装置1送到单片处理装置2s。若这样构成，则能够使用多个单片处理装置同时并行地进行单片基板处理，因此，可以提供吞吐量高的基板处理系统。
本发明除了上述实施例以外，还能够如下述那样实施变形。
＜变形例1＞
上述的基板处理系统不具有在批量处理装置1与单片处理装置2之间输送载体C的结构，但本发明不限于该结构。也能够如图25所示那样构成基板处理系统。参照该图，对本变形例的结构进行说明。在本发明的单片处理装置2中，在分度块4与第二装载口10之间，具有与设置在批量处理装置1的仓储块3一样的结构的载体块12。载体块12具有载置载体C的多个搁板14。搁板14设置在将载体块12与分度块4隔开的隔壁。在该搁板14具有仅暂时载置载体C的储备用的搁板14b和分度块4具有的分度机器人IR访问的基板交付用的载体载置搁板14a。载体载置搁板14a是载置收纳基板W的对象的载体C的结构。在载体载置搁板14a载置有将处理完的基板W沿铅垂方向排列并收纳的载体C。在本变形例中，设有1个载体载置搁板14a，但也可以设置有多个载体载置搁板14a。
单片处理装置2的载体块12与批量处理装置1的仓储块3在X方向上位于同一位置。在载体块12与仓储块3之间设置有用于使载体C在两块之间沿Y方向往来的联络通路CP。联络通路CP位于设置在批量处理装置1与单片处理装置2之间的联络块17的内部。联络块17具有侧壁和顶板，是将外部气体与基板处理系统内的气体介质隔绝的结构。
仓储块3中的载体搬送机构11能够通过联络块17的联络通路CP而移动到单片处理装置2的载体块12。因此，仓储块3和载体块12经由联络块17连通。
载体搬送机构11能够在载体载置搁板14a与第二装载口10之间搬送载体C。当载体搬送机构11将载体C从载体载置搁板14a搬送到第二装载口10时，批量处理、单片处理完的基板W被从基板处理系统交出。这是因为，在载置于载体载置搁板14a的载体C层叠收纳有处理完的基板W。载体搬送机构11也能够在将载体C载置于第二装载口10之前暂时载置于储备用的搁板14b。
另外，载体搬送机构11也能够将残留于批量处理装置1的载体载置搁板13a的空的载体C搬送到单片处理装置2。在放置于载体载置搁板13a的载体C中，最初收纳有多张基板W。当第一基板搬送机构HTR访问该状态的载体C，从载体C去除多张基板W时，载体C为空的状态。载体搬送机构11能够将成为空的状态的载体C从载体载置搁板13a搬送到载体载置搁板14a或搁板14b。搬送到搁板14b的空的载体C由载体搬送机构11在适当的时期搬送到载体载置搁板14a。
因此，根据本变形例的结构，能够在基板处理的前后维持载体C与基板W的对应关系。即，根据本变形例，在向空的载体C搬入处理完的基板W时，能够将与在处理前收纳基板W的同一个体的载体C作为基板搬入对象的载体C。这样，基板W的管理变得容易。
＜变形例2＞
在上述实施例中，设置有三个单片处理腔室48a、单片处理腔室48b、单片处理腔室48c以便包围单片处理装置2中的中央机器人CR的基准位置SP，但也可以构成为由四个单片处理腔室包围基准位置SP。即，本变形例具有中继装置6中的搬出位置OP远离基准位置SP的结构。
图26对本变形例进行具体说明。关于本变形例的基板处理系统，如该图所示，中央机器人CR的基准位置SP被四个单片处理腔室包围。即，以基准位置SP为基准，在右前方设置单片处理腔室48a，在右后方设置单片处理腔室48b，在左后方设置单片处理腔室48c，在左前方设置单片处理腔室48d。单片处理腔室48d位于在Z方向上层叠单片处理腔室而成的第四层叠体的中层。关于这一点，单片处理腔室48a属于实施例中说明的第一层叠体，单片处理腔室48b属于实施例中说明的第二层叠体，单片处理腔室48c属于实施例中说明的第三层叠体。因此，单片处理块8具有构成层叠体的12个单片处理腔室。
在上述实施例中，在基准位置SP的左前方设定中继装置6的搬出位置OP，但本变形例在该位置设置有单片处理腔室48d。中继装置6的搬出位置OP配置在单片处理腔室48d的前方。
在本变形例中，中继装置6与中央机器人CR能够访问各单片处理腔室的基准位置SP分离，因此，需要从中继装置6的搬出位置OP将基板W搬送至单片处理装置2的后方的结构。关于这一点，本变形例的单片处理装置2在单片搬送区域R3具有将干燥处理前的基板W搬送到单片处理装置2的后方的去路用往复机构81。在本变形例中，也需要将基准位置SP侧的基板W搬送至分度机器人IR能够访问的后述的下游位置P4的结构。关于这一点，本变形例的单片处理装置2在单片搬送区域R3具有将干燥处理后的基板W搬送到单片处理装置2的前方的回路用往复机构82。去路用往复机构81向一方向搬送基板W，回路用往复机构82向与一方向相反的方向搬送基板W。去路用往复机构81、回路用往复机构82具有载置基板W的支承体和使支承体沿X方向移动的移动机构。支承体是仅能够支承一张水平姿势的基板W的结构。
在单片处理装置2的单片搬送区域R3中使基板W往复的机构为两级构造，下级为去路用往复机构81，上级为回路用往复机构82。去路用往复机构81搬送干燥处理前的基板W，因此，附着从基板W滴落的纯水。该纯水也有时从去路用往复机构81垂落。该垂落的纯水不会传递至搬送干燥处理后的基板W的回路用往复机构82。这是因为回路用往复机构82设置于去路用往复机构81的上部。这样，根据本变形例，能够可靠地维持干燥处理后的基板W的干燥状态。
去路用往复机构81以在单片搬送区域R3确定的接受位置P1为起点沿X方向延伸至中央机器人CR的第一机械手32a能够接近的交付位置P2。在接受位置P1停止的去路用往复机构81载置基板W。基板W承载于去路用往复机构81，被向X方向搬送。
承载于去路用往复机构81被向X方向搬送的基板W若被搬送至交付位置P2则停止。
回路用往复机构82以中央机器人CR的第二机械手32a能够访问的上游位置P3为起点，沿X方向延伸至分度机器人IR能够访问的下游位置P4。上游位置P3与交付位置P2在X方向、Y方向上处于相同的位置，上游位置P3位于比交付位置P2靠上方的位置。
在上游位置P3停止的回路用往复机构82载置基板W。基板W承载于回路用往复机构82，被向X方向搬送。
承载于回路用往复机构82被向X方向搬送的基板W被搬送至下游位置P4。下游位置P4是分度机器人IR能够访问的位置。
在中继装置6中设置有一张一张地搬送水平姿势的基板W的局部机器人LR。局部机器人LR能够访问中继装置6的搬出位置OP及单片处理装置2的接受位置P1，将在搬出位置OP接受的基板W交付给接受位置P1。
因此，本变形例中的干燥处理前的基板W从搬出位置OP经由局部机器人LR被搬送至接受位置P1，从接受位置P1经由去路用往复机构81被搬送至交付位置P2。被搬送到交付位置P2的基板W经由中央机器人CR被搬送到单片处理腔室。图27的(a)图示了干燥处理前的基板W被一张一张地搬送的情形。
本变形例中的干燥处理后的基板W从单片处理腔室经由中央机器人CR被搬送至上游位置P3，从上游位置P3经由回路用往复机构82被搬送至下游位置P4。图27的(b)图示了干燥处理后的基板W被一张一张地搬送的情形。
如上所述，根据本变形例，能够增加单片处理装置2中的单片处理腔室的个数。这是因为位于基准位置SP的中央机器人CR能够访问四个单片处理腔室。
＜变形例3＞
在实施例的单片处理装置2中，设置有以旋转干燥方式使基板W干燥的单片处理腔室，但本发明并不限定于该构成，也能够采取利用超临界流体使基板W干燥的结构。搭载于本变形例中的单片处理装置2的基板干燥腔室为超临界流体腔室。超临界流体腔室例如利用成为超临界流体的二氧化碳进行基板W的干燥处理。作为超临界流体，也可以将二氧化碳以外的流体用于干燥。超临界状态通过将二氧化碳置于固有的临界压力和临界温度下而得到。具体的压力为7.38MPa，温度为31℃。在超临界状态下，流体的表面张力为零，因此，气液界面不会对基板W表面的电路图案产生影响。因此，若利用超临界流体进行基板W的干燥处理，则能够防止在基板W上电路图案崩坏的所谓的图案倒塌的产生。
图28对本变形例的单片处理装置2的结构进行说明。超临界流体腔室具有搬入干燥处理前的基板W的入口和搬出干燥处理后的基板W的出口。入口位于超临界流体腔室的前方或后方，具有开闭自如的闸门S5。出口位于超临界流体腔室的侧壁，具有开闭自如的闸门S6。闸门S5、闸门S6在基于超临界流体的干燥处理中关闭。超临界流体腔室的入口朝向第一湿式搬送机器人AR1、第二湿式搬送机器人AR2侧，出口朝向单张搬送区域R3。
本变形例的单片处理装置2的特征在于：在单片处理块8中追加两个机器人。作为追加的机器人中的一个的第一湿式搬送机器人AR1设置于被第二传送带机构68和位于单片搬送区域R3的左方的超临界流体腔室48f夹着的区域内。作为另一个机器人的第二湿式搬送机器人AR2设置于被位于单片搬送区域R3的右方的单片处理腔室48a和超临界流体腔室48e夹着的区域内。
此外，单片处理块8设置有能够进行药液处理的单片处理腔室。该单片处理腔室并非超临界流体腔室，而是具有向基板W供给药液的药液喷嘴8b的药液处理腔室。药液处理腔室在单片处理块8中设置有两个，其中一个为上述的单片处理腔室48a。另一个是位于第二传送带机构68的上侧的单片处理腔室49d。如图12中说明的那样，药液处理腔室49d是位于中继装置6的上侧的结构。作为药液可以是IPA。药液处理腔室具有能够处理可燃性的IPA的程度的防爆性。这样，药液处理腔室能够在基于超临界流体的干燥处理前安全地进行所需的IPA处理。然而，在本实施例的药液处理腔室中使用的药液不限于IPA。
药液处理腔室的位置能够比较自由地改变，但两个药液处理腔室中的一方位于单张搬送区域R3的右方，另一方位于左方。通过设为这样的结构，不需要使位于单片搬送区域R3的中央机器人CR接受IPA处理后的基板W。即，在药液处理腔室中进行了药液处理的基板W被第一湿式搬送机器人AR1或第二湿式搬送机器人AR2搬送到超临界流体腔室，因此，不会产生等待IPA处理的基板W迟滞而导致吞吐量降低的情况。
第一湿式搬送机器人AR1从单片处理腔室49d一张一张地接受成为水平姿势的干燥处理前的基板W(药液处理后的基板W)，从上述入口搬入到位于单片搬送区域R3的左方的超临界流体腔室中的某一个。因此，第一湿式搬送机器人AR1具有的基板搬送用的机械手能够访问单片处理腔室49d及其附近的超临界流体腔室具有的入口的全部。在Z方向上层叠各腔室，因此，该机械手能够在高度方向上移动。另外，各腔室有位于第一湿式搬送机器人AR1的前方的腔室和位于第一湿式搬送机器人AR1的后方的腔室。因此，该机械手既能够朝向前方也能够朝向后方。
第二湿式搬送机器人AR2具有与上述的第一湿式搬送机器人AR1一样的结构。第二湿式搬送机器人AR2从单片处理腔室48a一张一张地接受成为水平姿势的干燥处理前的基板W(药液处理后的基板W)，从上述的入口搬入到位于单片搬送区域R3的左方的超临界流体腔室中的某一个。因此，第二湿式搬送机器人AR2具有的基板搬送用的机械手能够访问形成前方的层叠体的各腔室以及形成后方的层叠体的各腔室的全部。
中央机器人CR能够访问超临界流体腔室的出口。中央机器人CR具有的第二机械手32b从位于单片搬送区域R3的左方的超临界流体腔室或位于右方的超临界流体腔室中的某一个经由上述的出口搬出干燥处理完的基板W。
另外，中央机器人CR也能够访问中继装置6的搬出位置OP。
并且，中央机器人CR也能够访问用于将基板W交付给分度机器人IR的路径24。
图29表示本变形例的基板W的流程。本变形例大致分为两种基板搬送方法，因此，依次分别进行说明。图29的(a)对第一基板搬送方法进行说明。根据该方法，位于中继装置6中的搬出位置OP的基板W首先被中央机器人CR接收，被交付给作为药液处理腔室的单片处理腔室49d。IPA处理后的基板W在未干燥的状态下再次被第一湿式搬送机器人AR1接收，被搬送到位于单片搬送区域R3的左方的超临界流体腔室中的某一个。干燥处理后的基板W这次被中央机器人CR接受，被搬送至分度机器人IR能够访问的路径24。这样，搬入到单片处理块8的基板W在单片处理后被交出到分度块4。
图29的(b)对第二基板搬送方法进行说明。根据该方法，位于中继装置6中的搬出位置OP的基板W首先被中央机器人CR接收，被交付给作为药液处理腔室的单片处理腔室48a。IPA处理后的基板W在未干燥的状态下这次被第二湿式搬送机器人AR2接收，被搬送到位于单片搬送区域R3的右方的超临界流体腔室中的某一个。干燥处理后的基板W再次被中央机器人CR接受，被搬送至分度机器人IR能够访问的路径24。这样，搬入到单片处理块8的基板W在单片处理后被交出到分度块4。
根据超临界流体腔室的空闲状况来判断通过哪种方法进行基板W的干燥处理。
通过某一方法，位于搬出位置OP的基板W均被实施药液处理、干燥处理而被搬送至路径24。分度机器人IR接受由路径24保持的基板W并搬送至空的载体C。这样，本变形例的基板处理结束。
如上所述，本变形例通过在基板的干燥中使用超临界流体腔室，能够进行在器件面不产生图案倒塌的基板处理。为了在超临界流体腔室进行基板干燥，首先需要对基板W使用了药液的前处理。根据本变形例的结构，在单片搬送区域R3的左方设有一个药液处理腔室，在单片搬送区域R3的右方设有一个药液处理腔室，因此，能够可靠地进行该前处理。本变形例的药液处理腔室的个数不限于上述结构，可以将多个药液处理腔室设置在单片搬送区域R3的左方，也可以将多个药液处理腔室设置在单片搬送区域R3的右方。
＜变形例4＞
在上述的实施例中，中继装置6的传送带机构是一张一张地搬送水平姿势的基板W的结构，但本发明不限于该结构。如图30的(a)所示，也可以构成为具有能够沿Y方向移动的第三基板搬送机构OTR来代替传送带机构。第三基板搬送机构OTR从第一闸门S1横穿第二闸门S2而移动至搬出位置OP，且也能够向其相反的方向移动。第三基板搬送机构OTR也能够从槽内载体71一张一张地接受水平姿势的基板W，搬送至搬出位置OP。在本变形例的搬出位置OP设置有路径26，经由该路径26，第三基板搬送机构OTR将水平姿势的基板W一张一张地交付给单片处理装置2的中央机器人CR。根据该结构，即使不设置多个传送带机构，也能够将第二闸门S2设置于基板搬送路的中途，装置结构变得简单。此外，第三基板搬送机构OTR具有把持基板W的机械手，该机械手直接访问槽内载体71而接受基板W。因此，本实施例能够够成为省略了实施例中说明的槽内载体位移机构57C、基板位移机构57D。
＜变形例5＞
上述的变形例4的结构为通过第三基板搬送机构OTR将基板W一张一张地从水中姿势转换部55的槽内载体71搬送至搬出位置OP的结构，但本发明不限于该结构。如图30的(b)所示，也可以构成为：代替第三基板搬送机构OTR，而设置能够将多张基板W一并搬送的第四基板搬送机构MTR，将以全间距排列的25张基板W搬送至搬出位置OP。在搬出位置OP设置能够在Z方向上层叠并保持成为水平姿势的25张基板W的路径26a。第四基板搬送机构MTR将接受的多张基板W搬送到路径26a。第四基板搬送机构MTR从槽内载体71接受成为水平姿势的多张基板W，一边保持姿势一边搬送至路径26a。在路径26a中排列的多张基板W由单片处理装置2中的中央机器人CR从上起一张一张地搬送至单片处理腔室。通过设为这样的结构，能够高效地进行中继装置6内部的基板搬送。另外，也能够构成为：在本变形例中的路径26a的位置设置纯水槽，使等待基于中央机器人CR的搬送的基板W淹没，从而防止基板W的干燥。该情况下的中继装置6具有使路径26a升降的升降机构。
＜变形例6＞
上述实施例的中继装置6构成为在搬入位置IP接受以面对面方式排列的多张基板W，但本发明不限于该结构。也可以构成为在搬入位置IP接受以面对背方式排列的多张基板W。在本变形例中，由移载块5进行的批量组的方式与实施例不同。即，设置于实施例中的移载块5的推杆机构25(参照图4)在进行批量组时，不进行图4的(d)中说明那样的使推杆25A旋转180°的动作。通过不进行该动作，多张基板W不被翻转地被批量组装。因此，通过批量组装构成的批次的基板W的器件面全部朝向左侧，以面对背方式排列。接受第一基板W的推杆25A通过位移半间距，能够将第二基板W2接受到第一基板W的间隙。推杆机构25的水平移动部25C执行推杆25A的移动。
根据本变形例，能够进一步简化实施例的结构。在实施例中，需要使水中姿势转换部55中的推杆55A至少旋转180°。与此相比，根据本变形例，不需要这样的复杂的控制。这是因为，仅通过使槽内载体71左旋转90°，构成批次的基板W的器件面全部朝向上侧。
＜变形例7＞
在采用在搬入位置IP接受以面对背方式排列的多张基板W的结构的情况下，如图30的(c)所示，也能够构成为将搬入到搬入位置IP的批次不进行姿势转换地搬送到搬出位置OP，而使中继装置6更简单化。本变形例中的中继装置6内的基板搬送通过搬送成为铅垂姿势的基板W以半间距排列而成的批次来进行。即，本变形例的中继装置6具有能够搬送以半间距排列的基板W的半间距基板搬送机构HFTR来代替实施例中的全间距排列基板搬送机构STR。半间距基板搬送机构HFTR能够从搬入位置IP移动到搬出位置OP，也能够向其相反方向移动。半间距基板搬送机构HFTR能够访问搬入位置IP并当场从基板待机槽65的升降器LF65接受批次，能够访问搬出位置OP并当场将批次交付给水中姿势转换部55的槽内载体71。半间距基板搬送机构HFTR是由一对卡盘30a接受多张基板W的结构。在卡盘30a以半间距排列用于把持基板W的槽。
与实施例中说明的水中姿势转换部55一样的结构的水中姿势转换装置56位于搬出位置OP。水中姿势转换装置56具有能够一并接受以半间距排列的50张基板的槽内载体71a。槽内载体71a位于使批次浸渍于纯水的浸渍槽73a内。推杆56A是能够保持以半间距排列的基板W的结构，能够从浸渍槽73a的底面移动至浸渍槽73a的上空。图31的(a)图示了从半间距基板搬送机构HFTR向水中姿势转换装置56的推杆56A交付基板W的情形。
图31的(b)表示之后推杆56A返回到浸渍槽73a的底面时的情形。即使这样，推杆55A保持的多张基板W也不会到达浸渍槽73a的底面。这是因为槽内载体71a在浸渍槽73a的内部待机。槽内载体71a能够保持以半间距的间隔排列的多张基板W。槽内载体左旋转机构58A能够在使基板W浸渍于浸渍槽73a的状态下使槽内载体71a右旋转90°。
图31的(c)表示了在槽内载体71a右旋转之后，槽内载体71a通过槽内载体升降机构58B上升时的情形。此时的槽内载体71a为仅保持的基板W中的最上层的基板W位于浸渍槽73a的上空那样的状态。位于浸渍槽73a的上空的基板W被中央机器人CR搬送至单片处理腔室。因此，浸渍槽73a的上空相当于搬出位置OP。
之后，一边通过槽内载体升降机构58B将槽内载体71a抽出半间距的宽度，一边每次由中央机器人CR接收最上层的基板W。这样，保持于槽内载体71a的基板W被一张一张地搬送至单片处理腔室。
在构成批次的基板W中，有源自第一载体C的第一基板W1和源自第二载体C的第二基板W2。分度机器人IR在向第二装载口10搬送基板W时，向载置于第二装载口10的2个载体C中的一方仅搬送第一基板W1，向另一方仅搬送第二基板W2。若这样构成，则第一基板W1和第二基板W2不混合地收纳于个别的载体C，因此，容易进行基板W的管理。
如上所述，本变形例的装置结构与实施例的装置结构相比变得简单，可以提供容易进行控制的基板处理单元。
＜变形例8＞
上述实施例的中继装置6具有喷头69，但本发明不限于该结构，也可以构成为不具有喷头69和与其相关的液体供给部。
＜变形例9＞
上述实施例的中继装置6具有第一闸门S1、第二闸门S2，但本发明并限于该结构，也可以构成为不具有第一闸门S1、第二闸门S2中的某一方以及双方。
＜变形例10＞
上述实施例的中继装置6位于单片处理装置2中的单片处理腔室构成的层叠体的中层，但本发明不限于该结构，也能够使中继装置6位于层叠体的上层。若这样构成，则位于批量处理装置1与单片处理装置2的间隙的维护用的空间不会被中继装置6分割，因此，可以提供容易维护的基板处理单元。一样地，也能够使中继装置6位于层叠体的下层。
＜变形例11＞
上述实施例的中继装置6位于移载块5的后方，但本发明不限于该结构。也能够构成为将中继装置6配置于批量处理块7的后方。
＜变形例12＞
上述的实施例的基板处理系统具有：批量处理装置1的第一壳体1A、单片处理装置2的第二壳体2A以及将它们连结的中继壳体6A，但本发明不限于该结构。如图32的(a)所示也可以构成为：具有构成第一壳体1A和第二壳体2A的共同的壁面并内置中继壳体6A的基板处理系统。根据本变形例，中继装置6为内置于基板处理系统的壳体的结构。若这样构成，则可以提供部件数量少的基板处理系统。
＜变形例13＞
在上述的变形例13的结构中，第一壳体1A和第二壳体2A具有共同的壁面，但本发明不限于该结构。如图32的(b)所示，也可以构成为：个别地具有构成第一壳体1A和第二壳体2A的壁面，通过使第一壳体1A的侧面和第二壳体2A的侧面在Y方向上邻接而内置中继壳体6A。通过将隔开批量处理装置1与单片处理装置的壁面设置在第一壳体1A侧与第二壳体2A侧而设为双重，能够将包含壳体在内现有的基板处理装置转用于本发明的基板处理系统。
＜变形例14＞
上述实施例的批量处理装置1的第一装载口9和单片处理装置2的第二装载口10在X方向上位于同一位置，但本发明不限于该结构。如图33的(a)所示，在构成批量处理装置1的第一壳体1A的前方的壁面设置第一装载口9，在构成单片处理装置2的第二壳体2A的后方的壁面设置第二装载口10，由此，能够使第一装载口9和第二装载口10在X方向上配置于不同的位置。
＜变形例15＞
在上述实施例的基板处理系统中，如图33的(b)所示，也可以构成为具有在系统内部产生气流的气流产生部83。作为气流产生部8的具体结构，想到风扇或泵等。气流产生部8设置于批量处理装置1、单片处理装置2、中继装置6中的至少某一个，使得中继装置6的气体介质流入到批量处理装置1。若这样构成，则即使在批量处理装置1中处理的磷酸溶液成为飞沫而在空中漂浮，也不会到达单片处理装置2。这样，构成单片处理装置2的各腔室、各机器人机构不会因酸而腐蚀。气流控制部84是控制气流产生部的结构。气流控制部84是第一控制部131的一部分。
＜变形例16＞
上述的实施例是在浸渍槽73具有推杆55A的结构，但本发明不限于该结构。如图34所示，也能够构成为不具有推杆55A。图34的(a)对全间距排列基板搬送机构STR的卡盘30向位于浸渍槽73的上空的槽内载体71直接交付多张基板W的本变形例的结构进行说明。即，本变形例的槽内载体71能够上升至浸渍槽73的上空。槽内载体73的升降动作由槽内载体升降机构55B实现。当槽内载体71从图34的(a)的状态起下降到浸渍槽73内时，成为与图7的(b)一样的状态。之后的槽内载体71的动作与上述的实施例一样。
50张基板W以半间距排列而成的批次由能够搬送25张基板W的全间距排列基板搬送机构STR分两次搬送，但在第二次搬送中本变形例具有特征性的结构。图34的(b)表示在该第二次搬送中槽内载体71在浸渍槽73的上空从卡盘30接受基板W的状态。此时的基板W的器件面全部朝向左方，这一点与图34的(a)不同。
如图34的(c)所示，接受以这样的朝向排列的基板W的槽内载体71首先浸渍于浸渍槽73内的纯水。然后，槽内载体71在浸渍槽73内旋转90°。这样，全部朝向左方的基板W的器件面通过右旋转而全部朝向上方(参照图34的(d))。这样的槽内载体71的旋转由槽内载体右旋转机构57F实现。图34的(d)对应于实施例的图7的(c)。之后，槽内载体71的动作与上述的实施例一样。根据本变形例，能够不将推杆55A设置于浸渍槽73就构成基板处理系统，因此，在成本方面比实施例更有利。
＜变形例17＞
变形例7中的基板处理系统具有推杆56A，但本发明不限于该结构。半间距基板搬送机构HFTR也可以将以半间距排列的多张基板W交付给位于浸渍槽73的上空的槽内载体71，而省略推杆56A。本变形例为与变形例16一样的结构。
符号说明
1 批量处理装置
1A 第一壳体
1B 第三壁面(正交壁面)
2 单片处理装置
2A 第二壳体
2B 第四壁面(正交壁面)
3 仓储块
4 分度块
5 移载块
6 中继装置
6A 中继壳体
7 批量处理块
8 单片处理块
9 第一装载口
10 第二装载口(第二载体载置搁板)
11 载体搬送机构
13a 载体载置搁板(第一载体载置搁板)
15 第一姿势转换机构
48a 单片处理腔室
48b 单片处理腔室
48c 单片处理腔室
55 水中姿势转换部(第二姿势转换机构)
57D 基板位移机构(单片基板位移机构)
65 基板待机槽(待机槽)
67 第一传送带机构(中继搬送机构)
68 第二传送带机构(中继搬送机构)
131 控制部
132 控制部
BPU1 第一批量处理单元(批量处理槽)
BPU2 第二批量处理单元(批量处理槽)
BPU3 第三批量处理单元(批量处理槽)
BPU4 第四批量处理单元(批量处理槽)
BPU5 第五批量处理单元(批量处理槽)
BPU6 第六批量处理单元(批量处理槽)
CR 中央机器人(单片搬送机构)
HTR 第一基板搬送机构(基板处置机构)
IP 搬入位置
IR 分度机器人
OP 搬出位置
S1 第一闸门(批量处理装置侧闸门)
S2 第二闸门(单片处理装置侧闸门)
STR 全间距排列基板搬送机构(中继搬送机构)
W 基板
WTR 第二搬送机构(一并搬送机构)。

Claims (20)

1.一种基板处理系统，其连续地进行一并处理多张基板的批量处理和一张一张地处理基板的单片处理，其特征在于，
所述基板处理系统具有：
批量处理装置，其进行批量处理；
至少一个单片处理装置，其对批量处理完的基板进行单片处理；以及
至少一个中继装置，其确定了搬入位置和搬出位置这两个位置，其中，所述搬入位置用于从所述批量处理装置接受批量处理完的基板，所述搬出位置用于将在所述搬入位置接受的基板交付给所述单片处理装置，
所述批量处理装置具有：第一载体载置搁板，其载置载体，该载体在铅垂方向上隔开规定间隔地收纳水平姿势的多张基板；移载块，其与所述第一载体载置搁板邻接；批量处理块，其与所述移载块邻接，
所述移载块具有：
基板处置机构，其从载置于所述第一载体载置搁板的载体，一并取出多张基板；以及
第一姿势转换机构，其将从所述载体取出的多张基板从水平姿势一并转换为铅垂姿势，
所述批量处理块具有：
至少一个批量处理槽，其对铅垂姿势的多张基板一并进行浸渍处理；以及
一并搬送机构，其在所述移载块、所述批量处理槽以及所述中继装置的所述搬入位置之间一并搬送铅垂姿势的多张基板，
所述单片处理装置具有：第二载体载置搁板，其载置所述载体；分度块，其与所述第二载体载置搁板邻接；单片处理块，其与所述分度块邻接，
所述单片处理块具有：
多个单片处理腔室，其对水平姿势的基板一张一张地进行干燥处理；以及
单片搬送机构，其从所述中继装置的所述搬出位置一张一张地接收批量处理完的水平姿势的基板，搬送至所述单片处理腔室，
所述分度块具有：分度机器人，其将单片处理完的基板收纳到载置于所述第二载体载置搁板的所述载体，
所述中继装置具有：
第二姿势转换机构，其将从所述批量处理装置接受到的多张基板从铅垂姿势转换为水平姿势，以及
中继搬送机构，其沿着在所述搬入位置与所述搬出位置之间设置的基板搬送路来搬送基板。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
在所述中继装置中，所述第二姿势转换机构设置于所述搬入位置侧，还具有：单片基板位移机构，其从由所述第二姿势转换机构从铅垂姿势一并转换为水平姿势的多张基板中一张一张地取出基板，向所述中继搬送机构交付，
在所述中继装置中，所述中继搬送机构将从所述单片基板位移机构交付的水平姿势的基板一张一张地向所述搬出位置搬送。
3.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
在所述中继装置中，所述第二姿势转换机构设置于所述搬入位置侧，
在所述中继装置中，所述中继搬送机构将由所述第二姿势转换机构从垂直姿势一并转换为水平姿势的多张基板一并向所述搬出位置搬送。
4.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
在所述中继装置中，所述第二姿势转换机构设置于所述搬出位置侧，
在所述中继装置中，所述中继搬送机构将从所述批量处理装置接受的铅垂姿势的多张基板一并搬送至所述第二姿势转换机构，
在所述中继装置中，所述第二姿势转换机构将从所述中继搬送机构接受到的铅垂姿势的多张基板一并转换为水平姿势。
5.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述中继搬送机构由传送带机构构成。
6.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述中继搬送机构由能够把持基板的机器人构成。
7.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
在所述中继装置的所述搬入位置具有：待机槽，其使从所述批量处理装置搬入的铅垂姿势的多张基板浸渍于液体中。
8.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述中继装置具有：液体供给部，其向由所述中继搬送机构搬送的基板供给液体而利用所述液体使基板的表面润湿。
9.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述中继装置在所述搬入位置侧具有：批量处理装置侧闸门，其能够阻断通过所述基板搬送路的气体介质流通。
10.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述中继装置在所述搬出位置侧具有：单片处理装置侧闸门，其能够阻断通过所述基板搬送路的气体介质流通。
11.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
在所述中继装置中，所述搬出位置位于在所述单片处理装置中沿铅垂方向层叠所述单片处理腔室而构成的层叠体的中层。
12.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述中继装置的搬出位置及多个所述单片处理腔室配置在所述单片搬送机构的周围。
13.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述中继装置设置于比所述批量处理装置的所述批量处理槽靠所述移载块侧的位置。
14.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述基板处理系统具有：载体搬送机构，其在所述批量处理装置与所述单片处理装置之间搬送所述载体，以使基板处理后的基板返回到与在基板处理前收容的载体同一个体的载体。
15.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述批量处理装置具有：
第一壳体，其收纳构成所述批量处理装置的各块；以及
第一装载口，其从构成所述第一壳体的壁面中的、与从所述批量处理块朝向所述移载块的规定方向正交的第一壁面突出，
所述单片处理装置具有：
第二壳体，其收纳构成所述单片处理装置的各块；以及
第二装载口，其从构成所述第二壳体的壁面中的、与所述规定方向正交的第二壁面突出，
所述第二装载口相对于所述规定方向位于与所述第一装载口相同一侧的位置。
16.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述批量处理装置具有：
第一壳体，其收纳构成所述批量处理装置的各块；以及
第一装载口，其从构成所述第一壳体的壁面中的、与从所述批量处理块朝向所述移载块的规定方向正交的第一壁面突出，
所述单片处理装置具有：
第二壳体，其收纳构成所述单片处理装置的各块；以及
第二装载口，其从构成所述第二壳体的壁面中的、与所述规定方向正交的第二壁面突出，
所述中继装置具有：中继壳体，其将相互分离的所述第一壳体及所述第二壳体连结，
在所述中继装置中，所述中继壳体设置在所述第一壳体的第一正交壁面与所述第二壳体的第二正交壁面之间，其中，所述第一正交壁面与所述第一壁面正交，所述第二正交壁面设置在与所述第二壁面正交并与所述第一正交壁面对置的位置。
17.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述基板处理系统具有：1个所述批量处理装置、第一和第二所述单片处理装置、第一和第二中继装置，
所述批量处理装置隔开间隙地配置在所述第一单片处理装置与所述第二单片处理装置之间，
所述批量处理装置和所述第一单片处理装置经由所述第一中继装置进行连结，
所述批量处理装置和所述第二单片处理装置经由所述第二中继装置进行连结。
18.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述基板处理系统具有：1个所述批量处理装置、第一和第二所述单片处理装置、第一和第二中继装置，
所述批量处理装置、所述第一单片处理装置、所述第二单片处理装置依次隔开间隙地排列配置，
所述批量处理装置和所述第一单片处理装置经由所述第一中继装置进行连结，
所述批量处理装置和所述第二单片处理装置经由所述第二中继装置进行连结。
19.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述基板处理系统具有：气流产生部，其使所述中继装置的气体介质流入到所述批量处理装置。
20.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
所述批量处理块具有：一并干燥腔室，其使多张基板一并干燥，
所述单片处理块具有：单片处理腔室，其能够一张一张地对基板进行药液处理，
所述基板处理系统构成为能够选择如下控制：
仅通过所述批量处理装置完成基板处理的批量处理模式相关的控制；
仅通过所述单片处理装置完成基板处理的单片处理模式相关的控制；以及
使用所述批量处理装置和所述单片处理装置完成基板处理的混合处理模式相关的控制。
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