CN118265952A - 光敏树脂组合物、使用其制造的显示面板及其制造方法 - Google Patents

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具永谟
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Abstract

公开了一种光敏树脂组合物，所述光敏树脂组合物包括粘结剂树脂、光可聚合单体、光引发剂、活性成分和溶剂，其中，活性成分包括酰基酰肼、烷基羧酸、有机氢过氧化物或它们的任何组合。另外，公开了一种使用所述光敏树脂组合物制造的显示面板以及该显示面板的制造方法。

Description

光敏树脂组合物、使用其制造的显示面板及其制造方法
技术领域
一个或更多个实施例涉及光敏树脂组合物、使用其制造的显示面板以及制造该显示面板的方法。
背景技术
发光器件是将电能转换成光能的器件。这种发光器件的示例包括使用有机材料用于发射层的有机发光器件、使用量子点用于发射层的量子点发光器件等。这种发光器件可以包括在各种电子装置(诸如显示装置)中。
一些量子点发光器件表现出正老化效应，其中量子点发光器件的特性随时间改善。需要合适的材料来实现这种正老化效应。
发明内容
技术问题
本发明的任务是提供促进正老化效应的光敏树脂组合物、使用其制造的显示面板以及用于制造该显示面板的方法。然而，这些任务是说明性的，并且不限制本发明的范围。
技术方案
根据一个或更多个实施例，光敏树脂组合物包括粘结剂树脂、光可聚合单体、光聚合引发剂、活性成分和溶剂，其中，活性成分包括酰基酰肼、烷基羧酸、有机氢过氧化物或它们的任何组合。
在一个或更多个实施例中，活性成分可以包括苯甲酰肼、异丁酸、过氧化氢异丙苯或它们的任何组合。
在一个或更多个实施例中，基于100重量份的光敏树脂组合物，活性成分的量可以为约0.1重量份至约1重量份。
在一个或更多个实施例中，光敏树脂组合物还可以包括拒液材料。
根据一个或更多个实施例，显示面板包括：位于基底上的发光器件；以及使用上述光敏树脂组合物形成的堤层，其中：发光器件包括像素电极、布置在像素电极上并且包括量子点发射层的中间层以及布置在中间层上的对电极，堤层覆盖像素电极的边缘部分并且包括与像素电极叠置的开口，并且中间层布置在开口中。
在一个或更多个实施例中，对电极可以覆盖中间层和堤层。
在一个或更多个实施例中，中间层还可以包括：第一区域，位于像素电极与量子点发射层之间；以及第二区域，位于量子点发射层与对电极之间。第一区域可以是空穴传输区域，并且第二区域可以是电子传输区域，或者第一区域可以是电子传输区域，并且第二区域可以是空穴传输区域。
在一个或更多个实施例中，发光器件可以包括从堤层扩散的活性成分。
在一个或更多个实施例中，堤层的上表面和/或侧面可以具有拒液性。
在一个或更多个实施例中，量子点可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物或者它们的任何组合。
根据一个或更多个实施例，制造显示面板的方法包括以下步骤：在基底上形成像素电极；使用上述光敏树脂组合物在像素电极上形成堤层，堤层覆盖像素电极的边缘部分并且包括与像素电极叠置的开口；形成中间层，中间层布置在开口中并且包括量子点发射层；以及在中间层上形成对电极，从而提供发光二极管。
在一个或更多个实施例中，所述方法还可以包括：在提供发光二极管的步骤之后，将活性成分从堤层扩散到发光二极管中。
在一个或更多个实施例中，可以在约50℃至约100℃的温度范围内进行使活性成分扩散的步骤。
在一个或更多个实施例中，可以在约2小时至约48小时的时间范围内进行使活性成分扩散的步骤。
在一个或更多个实施例中，可以在氧气氛和/或氢气氛中进行使活性成分扩散的步骤。
在一个或更多个实施例中，形成堤层的步骤可以包括以下步骤：使用上述光敏树脂组合物在像素电极上形成光致抗蚀剂层；曝光光致抗蚀剂层的至少一部分；以及使其至少一部分被曝光的光致抗蚀剂层显影，从而形成堤层。
在一个或更多个实施例中，所述方法还可以包括：在形成堤层的步骤之后，烘烤堤层。
在一个或更多个实施例中，所述方法还可以包括：在形成堤层的步骤之后，对堤层进行等离子体处理。
在一个或更多个实施例中，通过溶液工艺形成量子点发射层。
在一个或更多个实施例中，通过喷墨印刷形成量子点发射层。
有益效果
如上所述，根据一个或更多个实施例，可以提供具有改善的效率的显示面板。本公开的范围不受这种效果的限制。
附图说明
图1是根据实施例的显示面板的示意性透视图；以及
图2是根据实施例的显示面板的剖视图。
具体实施方式
因为公开可以具有各种修改的实施例，所以在附图中示出了实施例并且在详细描述中描述了实施例。当参照参考附图描述的实施例时，公开的效果和特性以及实现这些的方法将是明显的。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此阐述的实施例。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施例。相同或对应的组件将由相同的附图标记表示，因此将省略其冗余描述。
除非在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数使用的表述包括复数的表述。
在下面的示例中，前缀“聚(多)”指1个或更多个的复数。
如在此所使用的，术语“包括”、“包含”、“具有”等表明存在所陈述的特征和/或组件，并且不排除存在或添加一个或更多个其它特征和/或组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上”时，它可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在居间层、区域或组件。
为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。换言之，因为为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。
如在此所使用的，表述“A和/或B”表示A或B的情况或者A和B的情况。如在此所使用的，表述“A和B中的至少一个(种/者)”表示A或B的情况或者A和B的情况。
在以下示例中，表述“平面”可以意味着从感兴趣的部分的顶部的视图，并且“剖面”可以意味着从在竖直方向上切割的部分的剖面的感兴趣的部分的视图。在以下实施例中，表述“叠置”可以包括从平面图叠置和从剖视图叠置。
当不同地实现某个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，连续描述的两个工艺可以基本上同时执行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“连接到”另一层、区域或组件时，所述层、区域或组件可以直接连接到所述另一层、区域或组件，或者当存在居间层、区域或组件时间接连接到所述另一层、区域或组件。例如，将理解的是，当层、区域或组件被称为“电连接到”另一层、区域或组件时，所述层、区域或组件可以直接电连接到所述另一层、区域或组件，或者经由居间层、区域或组件间接电连接到所述另一层、区域或组件。
在本说明书中，术语“室温”指约25℃。
在下文中，将参照附图详细描述公开的实施例。相同或对应的组件将由相同的附图标记表示。
[光敏树脂组合物]
光敏树脂组合物包括粘结剂树脂、光可聚合单体、光聚合引发剂、活性成分和溶剂。
活性成分包括酰基酰肼、烷基羧酸、有机氢过氧化物或它们的任何组合。
活性成分可以包括苯甲酰肼、异丁酸、过氧化氢异丙苯或它们的任何组合。
活性成分可以衍生自366TM。因此，在实施例中，光敏树脂组合物还可以包括366TM。
基于100重量份的光敏树脂组合物，活性成分的量可以为约0.1重量份至约1重量份。当活性成分的量满足上述范围时，可以减少光敏树脂组合物的显示缺陷的发生，并且可以促进正老化效应。
与用于形成显示面板的堤层的常规光敏树脂组合物相比，光敏树脂组合物还包括活性成分。由于光敏树脂组合物中的活性成分扩散到显示面板中(具体地，扩散到发光器件中)，活性成分可以促进显示面板的正老化效应。通常，为了促进正老化效应，需要进行附加的工艺(诸如施涂树脂组合物、用盖玻璃覆盖和曝光)。然而，当使用光敏树脂组合物形成堤层时，可以促进正老化效应而无需这种附加的工艺。因此，可以改善显示面板的生产率。另外，使用光敏树脂组合物形成堤层是一种甚至可应用于大型面板的技术，因此，即使在大型面板中也可以促进可以有限地仅应用于现有的中小型面板中的正老化效应。
光敏树脂组合物包括粘结剂树脂。粘结剂树脂调节光敏树脂组合物的粘度，并因此改善了基底与使用光敏树脂组合物形成的堤层之间的紧密粘附，并且能够在显影工艺期间形成具有优异表面光滑度的图案。
粘结剂树脂可以是碱溶性的，但不限于此。例如，粘结剂树脂可以包括酸酐残基或酸二酐残基。粘结剂树脂的酸值可以为约5mg KOH/g至约60mg KOH/g(例如，约20mg KOH/g至约50mg KOH/g)。当粘结剂树脂的酸值在上述范围内时，图案的分辨率可以是优异的。
粘结剂树脂可以包括卡多类粘结剂树脂、丙烯酸类粘结剂树脂、聚酰亚胺类树脂、聚氨酯类树脂或它们的任何组合。
基于100重量份的光敏树脂组合物，粘结剂树脂的量可以为约1重量份至约10重量份(例如，约3重量份至8重量份)。当粘结剂树脂的量满足上述范围时，可以适当地保持粘度，因此，在图案形成中，图案形成性、可加工性和/或显影能力可以是优异的。
光敏树脂组合物包括光可聚合单体。光可聚合单体在图案形成工艺中通过曝光经由聚合形成图案。
光可聚合单体可以具有例如至少一个烯属不饱和双键。
例如，光可聚合单体可以包括具有至少一个烯属不饱和双键的(甲基)丙烯酸的单官能酯、具有至少一个烯属不饱和双键的(甲基)丙烯酸的多官能酯或它们的任何组合。当光可聚合单体具有烯属不饱和双键时，在图案形成工艺期间通过曝光诱导充分的聚合，从而能够形成具有优异的耐热性、耐光性和耐化学性的图案。
根据一个或更多个实施例，光可聚合单体可以包括乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、双酚A二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、双酚A环氧(甲基)丙烯酸酯、乙二醇单甲醚(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三(甲基)丙烯酰氧乙基磷酸酯、酚醛环氧(甲基)丙烯酸酯或它们的任何组合。
基于100重量份的光敏树脂组合物，光可聚合单体的量可以为约0.5重量份至约10重量份(例如，3重量份至8重量份)。当光可聚合单体的量满足上述范围时，在曝光期间可以发生充分的固化，因此，可靠性和显影能力可以是优异的。
光敏树脂组合物包括光聚合引发剂。光聚合引发剂用于加快聚合并且改善固化速度，并且可以使用本领域已知的任何光聚合引发剂而没有特别限制。
光聚合引发剂可以包括肟类化合物、苯乙酮类化合物、噻吨酮类化合物、安息香类化合物和二苯甲酮类化合物或它们的任何组合。
肟类化合物可以包括1,2-辛二酮、2-二甲基氨基-2-(4-甲基苯甲基)-1-(4-吗啉-4-基-苯基)-丁-1-酮、1-(4-苯基氢硫基苯基)-丁-1,2-二酮-2-肟-O-苯甲酸酯、1-(4-苯基氢硫基苯基)-辛烷-1,2-二酮-2-肟-O-苯甲酸酯、1-(4-苯基氢硫基苯基)-辛烷-1-酮肟-O-乙酸酯、1-(4-苯基氢硫基苯基)-丁-1-酮-2-肟-O-乙酸酯、2-(O-苯甲酰基肟)-1-[4-(苯硫基)苯基]-1,2-辛二酮、1-(O-乙酰基肟)-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮、O-乙氧基羰基-α-氧氨基-1-苯基丙烷-1-酮或它们的任何组合。
苯乙酮类化合物可以包括4-苯氧基二氯苯乙酮、4-叔丁基二氯苯乙酮、4-叔丁基三氯苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、1-(4-异丙基苯基)-2-羟基-2-甲基-丙烷-1-酮、1-(4-十二烷基苯基)-2-羟基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羟基乙氧基)-苯基-(2-羟基-2-丙基)酮、1-羟基环己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-吗啉代-丙烷-1-酮或它们的任何组合。
噻吨酮类化合物可以包括噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮或它们的任何组合。
安息香类化合物可以包括安息香、安息香甲基醚、安息香乙基醚、安息香异丙基醚、安息香异丁基醚、苯甲基二甲基缩酮或它们的任何组合。
二苯甲酮类化合物可以包括二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、苯甲酰基苯甲酸甲酯、4-苯基二苯甲酮、羟基二苯甲酮、4-苯甲酰基-4'-甲基二苯基硫醚、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮或它们的任何组合。
基于100重量份的光敏树脂组合物的总重量，光聚合引发剂的量可以为约0.1重量份至约5重量份(例如，约0.5重量份至约1重量份)。当光聚合引发剂的量满足上述范围时，可以获得足够快的工作速度，并且可以减小由于过快的固化反应引起的膜的不均匀性。
光敏树脂组合物可以包括溶剂。溶剂可以为可与光敏树脂组合物的其它成分混溶但不与其反应的材料。
溶剂的示例包括化合物，所述化合物包括：醇，诸如甲醇和乙醇；醚，诸如二氯乙醚、正丁基醚、二异戊基醚、甲基苯基醚和四氢呋喃；二醇醚，诸如乙二醇甲醚、乙二醇乙醚和丙二醇单甲醚；溶纤剂乙酸酯，诸如甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯和二乙基溶纤剂乙酸酯；卡必醇，诸如甲基乙基卡必醇、二乙基卡必醇、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇甲基乙基醚和二乙二醇二乙醚；丙二醇烷基醚乙酸酯，诸如丙二醇甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯和丙二醇丙醚乙酸酯；芳香烃，诸如甲苯和二甲苯；酮，诸如甲基乙基酮、环己酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、甲基-正丙基酮、甲基-正丁基酮、甲基-正戊基酮和2-庚酮；饱和脂肪族单羧酸烷基酯，诸如乙酸乙酯、乙酸正丁酯和乙酸异丁酯；乳酸烷基酯，诸如乳酸甲酯和乳酸乙酯；羟基乙酸烷基酯，诸如羟基乙酸甲酯、羟基乙酸乙酯和羟基乙酸丁酯；乙酸烷氧基烷基酯，诸如乙酸甲氧基甲酯、乙酸甲氧基乙酯、乙酸甲氧基丁酯、乙酸乙氧基甲酯和乙酸乙氧基乙酯；3-羟基丙酸烷基酯，诸如3-羟基丙酸甲酯和3-羟基丙酸乙酯；3-烷氧基丙酸烷基酯，诸如3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯和3-乙氧基丙酸甲酯；2-羟基丙酸烷基酯，诸如2-羟基丙酸甲酯、2-羟基丙酸乙酯和2-羟基丙酸丙酯；2-烷氧基丙酸烷基酯，诸如2-甲氧基丙酸甲酯、2-甲氧基丙酸乙酯、2-乙氧基丙酸乙酯和2-乙氧基丙酸甲酯；2-羟基-2-甲基丙酸烷基酯，诸如2-羟基-2-甲基丙酸甲酯和2-羟基-2-甲基丙酸乙酯；2-烷氧基-2-甲基丙酸烷基酯，诸如2-甲氧基-2-甲基丙酸甲酯和2-乙氧基-2-甲基丙酸乙酯；酯，诸如丙酸2-羟乙酯、丙酸2-羟基-2-甲基乙酯、乙酸羟乙酯和2-羟基-3-甲基丁酸甲酯；或者酮酸酯，诸如丙酮酸乙酯。此外，溶剂的示例可以包括N-甲基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰苯胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲亚砜、苄基乙基醚、二己基醚、乙酰丙酮、异佛尔酮、羊油酸、羊脂酸、1-辛醇、1-壬醇、苯甲醇、乙酸苯甲酯、苯甲酸乙酯、草酸二乙酯、马来酸二乙酯、γ-丁内酯、碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯、苯基溶纤剂乙酸酯或它们的任何组合。
基于100重量份的光敏树脂组合物，溶剂的量可以为约70重量份至约98重量份。当溶剂的量满足上述范围时，光敏树脂组合物可以具有适当的粘度，并且因此具有优异的可加工性。
在实施例中，光敏树脂组合物还可以包括各种添加剂，因此，光敏树脂组合物可以具有各种改性。具体地，光敏树脂组合物可以包括拒液材料、表面活性剂、粘合增强剂、敏化剂、稳定剂或它们的任何组合作为添加剂。
光敏树脂组合物还可以包括拒液材料以改善拒液性。
拒液材料可以包括氟树脂。
基于100重量份的光敏树脂组合物，拒液材料的量可以为约0.01重量份至约5重量份(例如，约0.1重量份至约2重量份)。
在一些实施例中，光敏树脂组合物还可以包括表面活性剂(例如，氟类表面活性剂或硅树脂类表面活性剂)以改善涂覆特性和流平性能。
氟类表面活性剂可以具有在约4,000g/mol至约10,000g/mol(例如，约6,000g/mol至约10,000g/mol)的范围内的重均分子量。另外，氟类表面活性剂可以具有在约18mN/m至约23mN/m的范围内的表面张力(在0.1％丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)溶液中测量)。当氟类表面活性剂的重均分子量和表面张力在这些范围内时，可以进一步改善流平性能，可以防止涂覆期间出现污渍，并且产生相对较少的气泡，导致较少的膜缺陷。
氟类表面活性剂的市售示例包括：例如，由DIC公司制造的产品系列，诸如F-114、F-251、F-253、F-281、F-410、F-430、F-477、F-510、F-551、F-552、F-553、F-554、F-555、F-556、F-557、F-558、F-559、F-560、F-561、F-562、F-563、F-565、F-568、F-569、F-570、F-572、F-574、F-575、F-576、R-4、R-41、R-94、RS-56、RS-72-K、RS-75、RS-76-E、RS-76-NS、RS-78、RS-90或DS-21；由3M公司制造的产品系列，诸如FC-135、FC-170C、FC-430、FC-431、FC-4430或FC-4433；由AGC公司制造的产品系列，诸如S-211、S-221、S-231、S-232、S-241、S-242、S-243、S-420、S-431、S-386、S-611、S-647、S-651、S-653、S-656、S-658、F693；或者由DuPONT公司制造的产品系列，诸如FS-30、FS-65、FS-31、FS-3100、FS-34、FS-35、FS-50、FS-51、FS-60、FS-61、FS-63、FS-64、FS-81、FS-22或FS-83；等等，但是本公开的实施例不限于此。
例如，表面活性剂可以包括硅类表面活性剂。硅类表面活性剂的市售示例包括：例如，由Evonik公司制造的DYNOLTM产品系列，诸如DYNOLTM 360、DYNOLTM 604、DYNOLTM 607、DYNOLTM 800或DYNOLTM 810，以及由同一公司制造的产品系列，诸如Twin 4000、Twin 4100或Twin 4200；由BYK公司制造的BYK-300、BYK-301、BYK-302、BYK-306、BYK-307、BYK-310、BYK-313、BYK-315N、BYK-320、BYK-322、BYK-323、BYK-325N、BYK-326、BYK-327、BYK-329、BYK-330、BYK-331、BYK-332、BYK-333、BYK-342、BYK-345、BYK-346、BYK-347、BYK-348、BYK-350、BYK-352、BYK-354、BYK-355、BYK-356、BYK-358N、BYK-359、BYK-360P、BYK-361N、BYK-364P、BYK-366P、BYK-368P、BYK-370、BYK-375、BYK-377、BYK-378、BYK-381、BYK-390、BYK-392或BYK-394；等等，但是本公开的实施例不限于此。
基于100重量份的光敏树脂组合物，表面活性剂的量可以为例如0.01重量份至约5重量份(例如，约0.1重量份至约2重量份)。
在一些实施例中，光敏树脂组合物还可以包括粘合增强剂。
粘合增强剂可以包括例如钛类粘合增强剂、铝类粘合增强剂或硅烷类粘合增强剂。
硅烷类粘合增强剂的示例是：环氧类硅烷粘结剂，诸如3-缩水甘油基氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油基氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油基氧基丙基(二甲氧基)甲基硅烷或2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷；巯基类硅烷粘结剂，诸如3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基三乙氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷或11-巯基十一烷基三甲氧基硅烷；氨基类硅烷粘结剂，诸如3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基二甲氧基甲基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷或N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基二甲氧基甲基硅烷；酰脲类硅烷粘结剂，诸如3-脲基丙基三乙氧基硅烷；乙烯基类硅烷粘结剂，诸如乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷或乙烯基甲基二乙氧基硅烷；苯乙烯基类硅烷粘结剂，诸如对苯乙烯基三甲氧基硅烷；丙烯酸酯类硅烷粘结剂，诸如3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷或3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷；异氰酸酯类硅烷粘结剂，诸如3-异氰酸酯丙基三甲氧基硅烷；硫化物类硅烷粘结剂，诸如双(三乙氧基甲硅烷基丙基)二硫化物或双(三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物；苯基三甲氧基硅烷；甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷；咪唑硅烷；三嗪硅烷；等等，但是本公开的实施例不限于此。粘合增强剂的市售示例是：由Shin Etsu公司制造的KBM-1003、KBE-1003、KBM-303、KBM-402、KBM-403、KBE-402、KBE-403、KBM-1403、KBM-502、KBM-503、KBE-502、KBE-503、KBM-5103、KBM-602、KBM-603、KBM-903、KBE-903、KBE-9103P、KBM-573、KBM-575、KBE-585、KBE-9007N、KBM-9659、KBM-802或KBM-803；由Gelest公司制造的SIA02000.0、SIS6964.0、SIA08591.0、SIS6964.0、SIB1824.5、SIA0591.0、SIT8192.6、SIG5840.0、SIB1834.0、SIE4668.0、SIA0599.2、SIC2295.5、SIB1833.0、SIA0611.0、SIG5840.0、SIB1140.0、SIB1833.0、SIS6990.0、SIB1832.0、SIE4670.0、SIM6487.4、SIB1828.0、SIM6487.4、SIS6994.0、SIB1140.0、SIM6476.0、SIU9058.0、SII6455.0、SIT8717.0、SSP-055、SIA0780.0或VEE-005；由KCC公司制造的SA6112C、SA1003O、SA0004O、SA3003O、SA4003O、SA1003M、SB1003M、SB1013E、SB1022M、SB2003M或SB3003M；等等，但是本公开的实施例不限于此。
另外，基于光敏树脂组合物的总重量的100重量份，粘合增强剂的量可以为约0.1重量份至约10重量份(例如，约0.5重量份至约5重量份)。在其它实施例中，基于光敏树脂组合物中第一单体和第二单体的总量的100重量份，粘合增强剂的量可以为约0.1重量份至约10重量份(例如，约0.5重量份至约5重量份)。在其它实施例中，基于光敏树脂组合物中第一单体、第二单体和第三单体的总量的100重量份，粘合增强剂的量可以在约0.1重量份至约10重量份(例如，约0.5重量份至约5重量份)的范围内。
在一些实施例中，光敏树脂组合物还可以包括敏化剂。敏化剂可以进一步改善聚合引发剂的聚合引发效率，并因此可以用于进一步加快光敏树脂组合物的固化反应。
敏化剂可以用具有300nm或更大的长波长的射线补充固化性。敏化剂可以是吸收具有在约250nm至约405nm、约300nm至约405nm或约350nm至约395nm的范围内的波长的光的化合物。
敏化剂的示例是：蒽类化合物，诸如9,10-二甲氧基蒽、9,10-二乙氧基蒽、9,10-二丁氧基蒽或2-乙基-9,10-二甲氧基蒽；二苯甲酮类化合物，诸如4,4-双(二甲基氨基)二苯甲酮、4,4-双(二乙基氨基)二苯甲酮、2,4,6-三甲基氨基二苯甲酮、甲基-邻苯甲酰基苯甲酸酯、3,3-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮或3,3,4,4-四(叔丁基过氧羰基)二苯甲酮；酮类化合物，诸如二甲氧基苯乙酮、二乙氧基苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮或丙酮；芴酮类化合物，诸如9-芴酮、2-氯-9-芴酮或2-甲基-9-芴酮；噻吨酮类化合物，诸如噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、1-氯-4-丙氧基噻吨酮、异丙基噻吨酮(ITX)或二异丙基噻吨酮；呫吨酮类化合物，诸如呫吨酮或2-甲基呫吨酮；蒽醌类化合物，诸如蒽醌、2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、叔丁基蒽醌或2,6-二氯-9,10-蒽醌；吖啶类化合物，诸如9-苯基吖啶、1,7-双(9-吖啶基)庚烷、1,5-双(9-吖啶基戊烷)或1,3-双(9-吖啶基)丙烷；二羰基化合物，诸如苯甲基、1,7,7-三甲基-双环[2,2,1]庚烷-2,3-二酮或9,10-菲醌；氧化膦类化合物，诸如2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦或双(2,6-二甲氧基苯甲酰基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦；苯甲酸酯类化合物，诸如甲基-4-(二甲基氨基)苯甲酸酯、乙基-4-(二甲基氨基)苯甲酸酯或2-正丁氧基乙基-4-(二甲基氨基)苯甲酸酯；氨基类化合物，诸如2,5-双(4-二乙基氨基苯亚甲基)环戊酮、2,6-双(4-二乙基氨基苯亚甲基)环己酮或2,6-双(4-二乙基氨基苯亚甲基)-4-甲基-环戊酮；香豆素类化合物，诸如3,3-羰基乙烯基-7-(二乙基氨基)香豆素、3-(2-苯并噻唑基)-7-(二乙基氨基)香豆素、3-苯甲酰基-7-(二乙基氨基)香豆素或3-苯甲酰基-7-甲氧基-香豆素；查耳酮化合物，诸如4-二乙基氨基查耳酮或4-叠氮基苯亚甲基苯乙酮；2-苯甲酰基亚甲基化物；3-甲基-β-萘并噻唑啉；等等，但是本公开的实施例不限于此。
基于100重量份的光敏树脂组合物，敏化剂的量可以在约0.05重量份至约3重量份(例如，约0.1重量份至约1重量份)的范围内。当敏化剂的量在这些范围内时，可以获得充分的敏化效果，并且光可以透射到深部。
在实施例中，光敏树脂组合物还可以包括稳定剂(例如，抗氧化剂、UV吸收剂和/或抗团聚剂)。稳定剂可以用于增大光敏树脂组合物的使用周期。
抗氧化剂的示例是2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚、3,5-二叔丁基-4-羟基苯甲醛、2-叔丁基-4-甲氧基苯酚、1,3,5-三[(4-叔丁基-3-羟基-2,6-二甲基苯基)甲基]-1,3,5-三嗪-2,4,6-三酮、[3-[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酰氧基]-2,2-双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酰氧基甲基]丙基]-3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯、[3-[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酰氧基]-2,2-双[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酰氧基甲基]丙基]-3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯、十八烷基-3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸酯、三(2,4-二叔丁基苯基)亚磷酸酯、4,4'-硫代-双(2-叔丁基-5-甲基苯酚)、2,2'-硫代-双(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚等，但是本公开的实施例不限于此。
UV吸收剂的示例是2-(3-叔丁基-2-羟基-5-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、烷氧基二苯甲酮双(2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基)癸二酸酯、2-过氧化羟基-2-甲基丙烷、双(3,3,5,5-四甲基哌啶-4-基)癸二酸酯、4-甲基己基-3-[3-(苯并三唑-2-基)-5-叔丁基-4-羟基苯基]丙酸酯等，但本公开的实施例不限于此。
抗团聚剂的示例是聚丙烯酸钠等，但是本公开的实施例不限于此。
基于100重量份的光敏树脂组合物，稳定剂的量可以在约0.05重量份至约10重量份(例如，约0.1重量份至约5重量份，例如，约0.1重量份至约3重量份)的范围内。
[显示面板]
图1是根据实施例的显示面板的示意性透视图。
参照图1，根据实施例的显示面板1可以包括显示区域DA和布置在显示区域DA的外围的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。显示面板1可以使用从布置在显示区域DA中的多个像素P发射的光来提供图像，并且非显示区域NDA可以是其中不显示图像的区域。
在下文中，尽管参照量子点发光显示面板描述了以下实施例作为根据本发明的实施例的显示面板1的实施例，但是本发明的显示面板的实施例不限于此。在一个或更多个实施例中，本发明的显示面板1可以是诸如无机发光显示面板或有机发光显示面板的显示面板。例如，设置在显示面板1中的显示元件的发射层可以包括有机材料或无机材料，或者可以包括量子点或者有机材料和量子点或者无机材料和量子点。
尽管在图1中示出了设置有平坦的显示表面的显示面板1，但是本发明不限于此。在一个或更多个实施例中，显示面板1可以包括3D显示表面或弯曲显示表面。
当显示面板1包括3D显示表面时，显示面板1可以包括指向不同方向的多个显示区域，并且可以包括例如多边形柱状显示表面。在一个或更多个实施例中，当显示面板1包括弯曲显示表面时，显示面板1可以以各种形式实现，例如，实现为柔性的、可折叠的或可卷曲的显示装置。
图1示出了可以应用于移动电话终端的显示面板1。尽管未示出，但是移动电话终端可以通过将安装在主板上的电子模块、相机模块、电源模块等与显示面板1一起布置在支架/壳体等中来构造。具体地，除了诸如电视、监视器等的大型电子装置之外，根据实施例的显示面板1还可以应用于诸如平板电脑、汽车导航、游戏机、智能手表等的中小型电子装置。
尽管图1示出了显示面板1的显示区域DA是矩形的情况，但是显示区域DA可以具有圆形形状、椭圆形形状或者类似三角形或五边形的多边形形状。
显示面板1可以包括布置在显示区域DA中的多个像素P。多个像素P可以均包括有机发光二极管(OLED)。多个像素P可以均通过有机发光二极管(OLED)发射例如红光、绿光、蓝光或白光。如在此所使用的，像素P可以被理解为发射红色、绿色、蓝色和白色中的任何一种颜色的光的像素。
图2是根据实施例的显示面板的剖视图。具体地，图2示出了沿着图1的线I-I’截取的剖面。
参照图2，显示面板1可以包括基底100和布置在基底100上的发光二极管LED。
在下文中，将根据堆叠顺序描述根据实施例的显示面板1。
基底100可以包括玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或者具有柔性或可弯曲特性的材料。基底100可以包括呈单层结构或多层结构的这种材料。当基底100具有多层结构时，还可以包括无机层。在一个或更多个实施例中，基底可以具有有机材料/无机材料/有机材料的结构。
薄膜晶体管(TFT)(未示出)可以布置在基底100上。薄膜晶体管(TFT)可以包括半导体层、与半导体层叠置的栅电极以及电连接到半导体层的连接电极。薄膜晶体管(TFT)可以电连接到发光二极管LED并且驱动发光二极管LED。
包括像素电极210、中间层220和对电极230的发光二极管LED可以布置在TFT上。
像素电极210可以是(半)透射电极或反射电极。像素电极210可以包括：反射膜，由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)或其化合物形成；以及透明电极层或半透明电极层，在反射膜上。透明电极层或半透明电极层可以包括选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中的至少一种。像素电极210可以设置为ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
堤层180可以布置在基底100上，并且可以覆盖像素电极210的边缘部分并且具有与像素电极210叠置的开口OP。堤层180的通过堤层180的开口OP暴露的区域可以被定义为发射区域EA。发射区域EA的外围是非发射区域NEA，并且可以围绕发射区域EA。也就是说，显示区域DA可以包括多个发射区域EA和围绕发射区域EA的非发射区域NEA。堤层180可以增大到像素电极210上的对电极230的距离，并且因此可以防止在像素电极210的边缘处发生电弧。堤层180可以使用上述光敏树脂组合物形成。对于光敏树脂组合物的细节，可以参照光敏树脂组合物的以上描述。
堤层180可以具有拒液性。在一个或更多个实施例中，堤层180的上表面180a可以具有拒液性。如在此所使用的，具有拒液性意味着，在喷墨工艺中，与构成包括形成中间层220(将在稍后描述)的有机材料的墨的溶剂的接触角或与包括有机材料的墨的接触角为约90度或更大。也就是说，具有拒液性意味着，在喷墨工艺中，与构成包括形成中间层220的有机材料的墨的溶剂的接触角或与包括有机材料的墨的接触角相对大。由于堤层180的上表面180a具有拒液性，因此可以防止非发射区域NEA被包括有机材料的墨涂覆，或者可以使这种涂覆最少化。在其它实施例中，堤层180的侧面180b可以具有拒液性。
中间层220可以布置在其至少一部分通过堤层180暴露的像素电极210上。也就是说，中间层220可以布置在由堤层180限定的开口OP中。
中间层130指在发光器件LED中布置在像素电极210与对电极230之间的单个层和/或多个层。包括在中间层130中的材料可以是有机材料和/或无机材料。
在一个或更多个实施例中，中间层220可以包括量子点发射层，并且第一区域和第二区域可以分别位于量子点发射层下方和上。例如，中间层220还可以包括位于像素电极210与量子点发射层之间的第一区域以及位于量子点发射层与对电极230之间的第二区域。在一个或更多个实施例中，第一区域可以是空穴传输区域，并且第二区域可以是电子传输区域。在其它实施例中，第一区域可以是电子传输区域，并且第二区域可以是空穴传输区域。
空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、辅助层或它们的任何组合。电子传输区域可以包括电子传输层、电子注入层、辅助层或它们的任何组合。
量子点发射层可以包括量子点。量子点没有特别限制，只要其吸收并发射光即可。例如，量子点可以包括II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；IV族元素或化合物；或者它们的任何组合。
II-VI族半导体化合物的示例是：二元化合物，诸如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS等；三元化合物，诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS等；四元化合物，诸如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe等；或者它们的任何组合。
III-V族半导体化合物的示例是：二元化合物，诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb等；三元化合物，诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP等；四元化合物，诸如GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb等；或者它们的任何组合。III-V族半导体化合物还可以包括II族元素。还包括II族元素的III-V族半导体化合物的示例是InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。
III-VI族半导体化合物的示例是：二元化合物，诸如GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、InSe、In2S3、In2Se3、InTe等；三元化合物，诸如InGaS3、InGaSe3等；或者它们的任何组合。
I-III-VI族半导体化合物的示例是：三元化合物，诸如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2等；或者它们的任何组合。
IV-VI族半导体化合物的示例是：二元化合物，诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等；三元化合物，诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe等；四元化合物，诸如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe等；或者它们的任何组合。
IV族元素或化合物可以包括：单元素化合物，诸如Si、Ge等；二元化合物，诸如SiC、SiGe等；或者它们的任何组合。
包括在多元素化合物(诸如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以以均匀浓度或非均匀浓度存在于其颗粒中。
量子点可以具有：均匀的单一结构；双重结构，诸如核-壳结构、梯度结构等；核-壳-壳三重结构；或者它们的混合结构。例如，包括在核中的材料和包括在壳中的材料可以彼此不同。
量子点的壳的示例是金属氧化物、准金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物或它们的任何组合。金属氧化物、准金属氧化物或非金属氧化物的示例是：二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO等；三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4等；或者它们的任何组合。半导体化合物的示例是如在此所描述的II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物或它们的任何组合。
在实施例中，核可以包括选自CdSe、CdS、InP、InGaP、ZnS、ZnSe、CdTe、CdSeTe、CdZnS、PbSe、AgInZnS和ZnO中的一种或更多种材料，但是本公开的实施例不限于此。
在实施例中，壳可以包括选自CdSe、ZnSe、ZnS、ZnTe、CdTe、PbS、TiO、SrSe和HgSe中的一种或更多种材料，但是本公开的实施例不限于此。
中间层220可以通过例如溶液工艺(例如，喷墨印刷工艺)形成。例如，根据实施例的中间层220可以通过将包括有机材料和/或量子点的墨排出到像素电极210上来形成。
对电极230可以布置在中间层220上。对电极230可以布置在中间层220上，并且可以布置为覆盖整个中间层220。在其它实施例中，对电极230可以布置在中间层220上，例如，可以布置为诸如覆盖中间层220和堤层180。对电极230可以布置在显示区域DA中，以诸如覆盖整个显示区域DA。也就是说，对电极230可以通过使用开口掩模在整个显示区域DA中形成为一体，以覆盖布置在显示区域DA中的多个像素P。
对电极230可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金的(半)透明层。在其它实施例中，对电极230还可以在包括如上列出的这种材料的(半)透明层上包括诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3层的层。
使用上述光敏树脂组合物形成堤层180，并且可以根据需要进一步进行使包括在光敏树脂组合物中的活性成分扩散的工艺，因此，发光二极管LED还可以包括从堤层180扩散的活性成分。活性成分可以与发光二极管LED的每个层相互作用，并且因此可以促进正老化效应。
具体地，证实了当使用根据实施例的光敏树脂组合物形成堤层时，与堤层由不包括活性成分的光敏树脂组合物形成的情况相比，表现出改善的电流效率和量子效率。测试其中使用不包括活性成分的光敏树脂组合物形成堤层的参考示例和其中使用根据实施例的包括活性成分的光敏树脂组合物形成堤层的示例的器件特性，并且结果在表1中示出用于参考。除了相对于100重量份的总化合物包括1重量份的活性成分(苯甲酰肼、异丁酸和过氧化氢异丙苯的混合物)之外，示例中使用的组合物与参考示例中使用的组合物相同。
表1
在一个或更多个实施例中，可以用薄膜封装层覆盖发光二极管LED。薄膜封装层可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在其它实施例中，可以用封装基底覆盖发光二极管LED。
[制造显示面板的方法]
在下文中，将按顺序描述制造上述显示面板1的方法。
根据实施例的制造显示面板1的方法包括以下步骤：在基底100上形成像素电极210；通过使用上述光敏树脂组合物在像素电极210上形成堤层180，堤层180覆盖像素电极210的边缘部分并且包括与像素电极210叠置的开口OP；形成布置在开口OP中并且包括量子点发射层的中间层220；以及在中间层上形成对电极230，从而提供发光器件LED。
首先，可以在基底100上形成薄膜晶体管(TFT，未示出)。可以在薄膜晶体管(TFT)上形成像素电极210。在基底100上形成像素电极210之后，可以进一步进行形成覆盖像素电极210的边缘部分并且具有与像素电极210叠置的开口OP的堤层180。
在一个或更多个实施例中，形成堤层180可以包括：使用上述光敏树脂组合物在像素电极210上形成光致抗蚀剂层；曝光光致抗蚀剂层的至少一部分；以及使其至少一部分被曝光的光致抗蚀剂层显影，从而形成堤层180。
在光致抗蚀剂层的至少一部分的曝光中，可以用包括遮光部分和透光部分的掩模来曝光光致抗蚀剂层的至少一部分。光致抗蚀剂层的与掩模的透光部分叠置的部分可以被曝光，并且光致抗蚀剂层的与掩模的遮光部分叠置的剩余部分可以不被曝光。
在一个或更多个实施例中，当光敏树脂组合物为负型时，与掩模的透光部分叠置的部分可以形成堤层180，并且与掩模的遮光部分叠置的部分可以形成开口OP。在其它实施例中，当光敏树脂组合物为正型时，与掩模的透光部分叠置的部分可以形成开口OP，并且与掩模的遮光部分叠置的部分可以形成堤层180。
此外，所述方法还可以包括：在形成堤层180之后，烘烤堤层180。在烘烤堤层180期间，包括在堤层180中的拒液材料或疏水材料可以上升到堤层180的上表面180a。因此，堤层180的上表面180a可以具有拒液性，并且堤层180的侧面180b可以不具有拒液性。在其它实施例中，除了堤层180的上表面180a之外，堤层180的侧面180b可以具有拒液性。
在其它实施例中，所述方法还可以包括在形成堤层180之后，对堤层180进行等离子体处理。在其它实施例中，堤层180的上表面180a和/或侧面180b可以通过用含氟气体进行等离子体处理而具有拒液性。
在形成堤层180之后，可以在像素电极210上形成包括量子点发射层的中间层220。可以通过例如溶液工艺(例如，喷墨印刷工艺)形成中间层220。更具体地，用于形成中间层220的墨从包括喷嘴的墨排出部分排出到像素电极210上，从而形成中间层220。具体地，可以通过溶液工艺(例如，喷墨印刷工艺)形成量子点发射层。
在形成中间层220之后，可以在中间层220上形成对电极230，从而形成发光二极管LED。对电极230可以布置在中间层220上，以覆盖整个中间层220。在其它实施例中，对电极230可以布置在中间层220上，以覆盖中间层220和堤层180。也就是说，对电极230可以通过使用开口掩模在整个显示区域DA中形成为一体，以覆盖布置在显示区域DA中的多个像素P。
尽管未示出，但是可以用薄膜封装层覆盖发光二极管LED。薄膜封装层可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在其它实施例中，可以用封装基底覆盖发光二极管LED。
在提供发光二极管LED之后，所述方法还可以包括将包括在光敏树脂组合物中的活性成分从堤层180扩散到发光二极管LED中。由此，发光二极管LED可以包括从堤层180扩散的活性成分。活性成分可以与发光二极管LED的每个层相互作用，并且因此可以促进正老化效应。
在一个或更多个实施例中，可以在50℃至100℃的温度范围内进行使活性成分扩散的步骤。
在一个或更多个实施例中，可以在2小时至48小时的时间范围内进行使活性成分扩散的步骤。
在一个或更多个实施例中，可以在非惰性气氛下的环境中(例如，在氧气氛和/或氢气氛中)进行使活性成分扩散的步骤。
虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种光敏树脂组合物，所述光敏树脂组合物包括：
粘结剂树脂；光可聚合单体；光聚合引发剂；活性成分；以及溶剂，
其中，所述活性成分包括酰基酰肼、烷基羧酸、有机氢过氧化物或它们的任何组合。
2.根据权利要求1所述的光敏树脂组合物，其中，所述活性成分包括苯甲酰肼、异丁酸、过氧化氢异丙苯或它们的任何组合。
3.根据权利要求1所述的光敏树脂组合物，其中，基于100重量份的所述光敏树脂组合物，所述活性成分的量在0.1重量份至1重量份的范围内。
4.根据权利要求1所述的光敏树脂组合物，所述光敏树脂组合物还包括拒液材料。
5.一种显示面板，所述显示面板包括：
位于基底上的发光器件；以及使用根据权利要求1所述的光敏树脂组合物制备的堤层，
其中，所述发光器件包括像素电极、布置在所述像素电极上并且包括量子点发射层的中间层以及位于所述中间层上的对电极，
所述堤层覆盖所述像素电极的边缘部分并且包括与所述像素电极叠置的开口，并且
所述中间层布置在所述开口中。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述对电极覆盖所述中间层和所述堤层。
7.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述中间层还包括：
第一区域，位于所述像素电极与所述量子点发射层之间；以及第二区域，位于所述量子点发射层与所述对电极之间，
其中，所述第一区域是空穴传输区域，并且所述第二区域是电子传输区域，或者
所述第一区域是电子传输区域，并且所述第二区域是空穴传输区域。
8.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述发光器件包括从所述堤层扩散的所述活性成分。
9.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述堤层的上表面和/或侧面具有拒液性。
10.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述量子点包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物或者它们的任何组合。
11.一种制造显示面板的方法，所述方法包括以下步骤：
在基底上形成像素电极；
通过使用根据权利要求1所述的光敏树脂组合物在所述像素电极上形成堤层，所述堤层覆盖所述像素电极的边缘部分并且包括与所述像素电极叠置的开口；
形成中间层，所述中间层布置在所述开口中并且包括量子点发射层；以及
在所述中间层上形成对电极，从而提供发光二极管。
12.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：在提供所述发光二极管的步骤之后，将所述活性成分从所述堤层扩散到所述发光二极管中。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，在50℃至100℃的温度范围内进行使所述活性成分扩散的步骤。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，在2小时至48小时的时间范围内进行使所述活性成分扩散的步骤。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，在氧气氛和/或氢气氛中进行使所述活性成分扩散的步骤。
16.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述堤层的步骤包括以下步骤：
通过使用根据权利要求1所述的光敏树脂组合物在所述像素电极上形成光致抗蚀剂层；
曝光所述光致抗蚀剂层的至少一部分；以及
使其至少一部分被曝光的所述光致抗蚀剂层显影，从而形成所述堤层。
17.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：在形成所述堤层的步骤之后，烘烤所述堤层。
18.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：在形成所述堤层的步骤之后，对所述堤层进行等离子体处理。
19.根据权利要求11所述的方法，其中，通过溶液工艺形成所述量子点发射层。
20.根据权利要求11所述的方法，其中，通过喷墨印刷形成所述量子点发射层。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102351378B1 (ko) * 2015-07-20 2022-01-20 삼성디스플레이 주식회사 점착제 조성물 및 표시장치
KR102617582B1 (ko) * 2018-03-14 2023-12-27 도레이 카부시키가이샤 네거티브형 감광성 착색 조성물, 경화막, 그것을 이용한 터치 패널
JP7297499B2 (ja) * 2019-04-04 2023-06-26 東京応化工業株式会社 感光性樹脂組成物、パターン化された硬化膜の製造方法、及びパターン化された硬化膜
KR20200135188A (ko) * 2019-05-24 2020-12-02 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 양자점 격벽용 구조물 및 이의 제조방법
KR102346577B1 (ko) * 2020-03-03 2022-01-03 동우 화인켐 주식회사 색변환 화소, 색변환 화소용 조성물 및 이를 포함하는 표시장치

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