CN118251985A - 谐振器及其制备方法、滤波器 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了一种谐振器及其制备方法、滤波器，涉及无线通信技术领域，可以通过降低横向声波的传播速度，提高谐振器的品质因素。该谐振器包括压电基底和设置在压电基底上表面的输入汇流条、输出汇流条、与输入汇流条电连接的多个第一叉指电极、与输出汇流条电连接的多个第二叉指电极。谐振器包括输入汇流区、输出汇流区和换能区。输入汇流条位于输入汇流区，输出汇流条位于输出汇流区，多个第一叉指电极和多个第二叉指电极位于换能区。压电基底的上表面中，位于所述换能区的部分与位于所述输入汇流区和输出汇流区的部分不在同一平面。
Description
本申请涉及无线通信技术领域，尤其涉及一种谐振器及其制备方法、滤波器。
随着无线通信技术的发展，带动了智能终端市场的蓬勃发展，而滤波器对无线通信技术的发展起着至关重要的作用。声波滤波器因体积小、质量轻等优点，在智能终端中广泛应用。
声波滤波器主要包括声表面波(surface acoustic wave，SAW)滤波器、体声波(bulk acoustic wave，BAW)声表面波滤波器等。其中，SAW滤波器包括谐振器，谐振器的品质因素(Q值)直接影响SAW滤波器的插入损耗，因此，对谐振器的工作频率和Q值具有较高要求。
发明内容
为了解决上述技术问题，本申请提供一种谐振器及其制备方法、滤波器，可以通过降低横向声波的传播速度，提高谐振器的品质因素。
第一方面，本申请提供一种谐振器，包括压电基底、设置于压电基底上的叉指电极。谐振器包括输入汇流区、换能区和输出汇流区。叉指换能器包括输入汇流条、输出汇流条、与输入汇流条电连接的多个第一叉指电极、以及与输出汇流条电连接的多个第二叉指电极；输入汇流条位于输入汇流区，输出汇流条位于输出汇流区，多个第一叉指电极和多个第二叉指电极位于换能区。其中，压电基底的上表面中，位于换能区的部分与位于输入汇流区和输出汇流区的部分不在同一平面。
本申请中，由于多个第一叉指电极与输入汇流条电连接，而压电基底的上表面中，位于换能区的部分与位于输入汇流区的部分不在同一平面，即，第一表面中从输入汇流区到换能区的部分具有台阶。因此，沿第二方向，多个第一叉指电极与输入汇流条之间不连续，进而导致沿第二方向传播的横向声波在传播时不连续。通过使横向声波在第二方向上不连续传播，可以降低横向声波沿第二方向的传播速度，从而有效抑制横向声波，提高谐振器的Q值，进而提高SAW滤波器的工作频率，降低SAW滤波器的插入损耗，同时改善横向声波影响SAW滤波器的带内纹波和通带性能的问题。
同理，由于多个第二叉指电极与输出汇流条电连接，而压电基底的上表面中，位于换能区的部分与位于输出汇流区的部分不在同一平面，即，第一表面中从输出汇流区到换能区的部分具有台阶。因此，沿第二方向，多个第二叉指电极与输出汇流条之间不连续，进而导致沿第二方向传播的横向声波在传播时不连续。通过使横向声波在第二方向上不连续传播，可以降低横向声波沿第二方向的传播速度，从而有效抑制横向声波，提高谐振器的Q值，进而提高SAW滤波器的工作频率，降低SAW滤波器的插入损耗，同 时改善横向声波影响SAW滤波器的带内纹波和通带性能的问题。
在一些可能实现的方式中，上述压电基底中位于换能区的部分的厚度，分别大于位于输入汇流区和输出汇流区的部分的厚度。
具体的，上述压电基底包括第一压电基底；第一压电基底中位于输入汇流区的部分开设有第一凹槽，第一压电基底中位于输出汇流区的部分开设有第二凹槽。第一凹槽和第二凹槽的深度范围可以为0.001λ～1λ，λ表示谐振器产生的纵向声波的波长，纵向声波沿第一叉指电极到第二叉指电极的垂直方向传播。由于压电基底10未开设凹槽的表面比压电基底中开设凹槽的表面平坦。因此，通过在输入汇流区开设第一凹槽，在输出汇流区开设第二凹槽，可以避免因开设第一凹槽和第二凹槽的工艺导致压电层中位于换能区的部分的表面不够平坦，从而影响多个第一叉指电极和多个第二叉指电极的换能效果。并且，相较于下文压电基底包括第一压电基底和第二压电基底的情况，本申请实施例不但可以省去沉积第二压电基底的工艺，还可以降低谐振器的总厚度。
或者，上述压电基底包括第一压电基底和设置于第一压电基底与叉指换能器之间的第二压电基底；第一压电基底至少位于输入汇流区、换能区和输出汇流区；第二压电基底位于换能区。通过在第一压电基底与叉指换能器之间形成第二压电基底，可以确保压电基底中位于换能区的部分的平坦度，从而确保多个第一叉指电极和多个第二叉指电极的换能效果。
当然，还可以以其他方式实现压电基底中位于换能区的部分的厚度，分别大于位于输入汇流区和输出汇流区的部分的厚度，以使得压电基底的上表面中，位于换能区的部分与位于输入汇流区和输出汇流区的部分不在同一平面，本申请实施例对此不作限定。
在一些可能实现的方式中，压电基底中位于换能区的部分的厚度，分别小于位于输入汇流区和输出汇流区的部分的厚度。
具体的，上述压电基底包括第一压电基底。第一压电基底中位于换能区的部分开设有第三凹槽，以使得压电基底中位于换能区的部分的厚度，分别小于位于输入汇流区和输出汇流区的部分的厚度。
或者，上述压电基底包括第一压电基底和设置于第一压电基底与叉指换能器之间的第二压电基底。第一压电基底至少位于输入汇流区、换能区和输出汇流区；第二压电基底位于输入汇流区和输出汇流区。通过将多个第一叉指电极和多个第二叉指电极设置于第一压电基底上，可以确保压电基底中位于换能区的部分的平坦度，从而确保多个第一叉指电极和多个第二叉指电极的换能效果。
在一些可能实现的方式中，上述压电基底中位于输入汇流区的厚度，与压电基底中位于输出汇流区的厚度相同。一方面，可以确保第一叉指电极与第二叉指电极的结构的一致性，从而使横向声波在第一叉指电极与输入汇流条不连续的部分、以及在第二叉指电极与输出汇流条不连续的部分同时进入活塞工作模式，也可以说，使横向声波在输入汇流区与换能区的台阶处、以及在输出汇流区与换能区的台阶处同时进入活塞工作模式，从而更好地抑制横向声波；另一方面，在第一压电基底包括第一凹槽和第二凹槽的情况下，可以采用同一道光刻工艺，同步刻蚀得到第一凹槽和第二凹槽，简化压电基底的制备工艺。
在一些可能实现的方式中，输入汇流区朝向输出汇流区的边沿，与输入汇流条朝向输出汇流条的边沿具有第一间距；输出汇流区朝向输入汇流区的边沿，与输出汇流条朝向输入汇流条的边沿具有第二间距。从而确保多个第一叉指电极与多个第二叉指电极之间相互绝缘，避免多个第一叉指电极通过输出汇流条与多个第二叉指电极短路，避免多个第二叉指电极通过输入汇流条与多个第一叉指电极短路。可选的，第一间距和第二间距的尺寸范围可以为10％λ～5λ。
在此基础上，多个第一叉指电极朝向输出汇流条的边沿，与输出汇流区朝向输入汇流区的边沿齐平；多个第二叉指电极朝向输入汇流条的边沿，与输入汇流区朝向输出汇流区的边沿齐平。可以使多个第一叉指电极和多个第二叉指电极沿第二方向连续设置在换能区，从而避免声表面波在边缘额外反射。
或者，多个第一叉指电极从输入汇流区延伸至输出汇流区，多个第二叉指电极从输出汇流区延伸至输入汇流区，以提高谐振器的设计自由度。
在另一些可能实现的方式中，多个第一叉指电极朝向输出汇流条的边沿，与输出汇流区朝向输入汇流区的边沿具有间距；多个第二叉指电极朝向输入汇流条的边沿，与输入汇流区朝向输出汇流区的边沿具有间距。从而提高谐振器的设计自由度。
第二方面，本申请提供一种滤波器，该滤波器包括一个或多个如第一方面所述的谐振器。
第三方面，提供一种谐振器的制备方法，谐振器划分为输入汇流条区、换能区和输出汇流条区；所述方法包括：形成压电基底；在压电基底上形成叉指换能器；叉指换能器包括输入汇流条、输出汇流条、与输入汇流条电连接的多个第一叉指电极、以及与输出汇流条电连接的多个第二叉指电极；输入汇流条位于输入汇流区，输出汇流条位于输出汇流区，多个第一叉指电极和多个第二叉指电极位于换能区；其中，压电基底的上表面中，位于换能区的部分与位于输入汇流区和输出汇流区的部分不在同一平面。
在一些可能实现的方式中，形成压电基底，包括：形成第一压电薄膜；采用光刻工艺，对第一压电薄膜中位于输入汇流区和输出汇流区的部分进行刻蚀，形成第一压电基底；第一压电基底包括位于输入汇流区的第一凹槽和位于输出汇流区的第二凹槽。
在一些可能实现的方式中，形成压电基底，包括：依次形成层叠设置的第一压电基底和第二压电薄膜，第一压电基底至少位于输入汇流区、换能区和输出汇流区；采用光刻工艺，对第二压电薄膜中位于输入汇流区和输出汇流区的部分进行刻蚀，形成第二压电基底；第二压电基底位于换能区。
在一些可能实现的方式中，形成压电基底，包括：形成第一压电薄膜；采用光刻工艺，对第一压电薄膜中位于换能区的部分进行刻蚀，形成第一压电基底；第一压电基底包括位于换能区的第三凹槽。
在一些可能实现的方式中，形成压电基底，包括：依次形成层叠设置的第一基底和第二压电薄膜，第一压电基底至少位于输入汇流区、换能区和输出汇流区；采用光刻工艺，对第二压电薄膜中位于换能区的部分进行刻蚀，形成第二压电基底；第二压电基底位于输入汇流区和输出汇流区。
在一些可能实现的方式中，在压电基底上形成叉指换能器，包括：在压电基底上形 成光刻胶，对光刻胶进行曝光，显影后得到光刻胶图案；光刻胶图案露出待形成的叉指换能器所在的区域；在光刻胶图案背离压电基底一侧形成电极薄膜；剥离光刻胶图案，由电极薄膜得到叉指换能器。可以仅通过一次半导体工艺即可形成叉指换能器的输入汇流条、输出汇流条、多个第一叉指电极和多个第二叉指电极，简化制备谐振器的工艺步骤，节省mask，降低制备成本。
第三方面以及第三方面的任意一种实现方式分别与第一方面以及第一方面的任意一种实现方式相对应。第三方面以及第三方面的任意一种实现方式所对应的技术效果可参见上述第一方面以及第一方面的任意一种实现方式所对应的技术效果，此处不再赘述。
图1为本申请实施例提供的滤波器的电路连接图；
图2为本申请实施例提供的谐振器的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的滤波器的工作原理图；
图4为本申请实施例提供的谐振器产生的声表面波的电导图和导纳图；
图5为本申请实施例提供的谐振器的一种俯视图；
图6a为图5所示的俯视图对应的一种谐振器的侧视图；
图6b为图5所示的俯视图对应的另一种谐振器的侧视图；
图7a为图5所示的俯视图对应的又一种谐振器的侧视图；
图7b为图5所示的俯视图对应的又一种谐振器的侧视图；
图8a为图5所示的俯视图对应的又一种谐振器的侧视图；
图8b为图5所示的俯视图对应的又一种谐振器的侧视图；
图9a为图5所示的俯视图对应的又一种谐振器的侧视图；
图9b为图5所示的俯视图对应的又一种谐振器的侧视图；
图10a为不同深度的第一凹槽和第二凹槽对应的谐振器的导纳图；
图10b为不同深度的第一凹槽和第二凹槽对应的谐振器的电导图
图11为本申请实施例提供的谐振器的另一种俯视图；
图12为图11所示的俯视图对应的又一种谐振器的侧视图；
图13为本申请实施例提供的谐振器的又一种俯视图；
图14a为图13所示的俯视图对应的又一种谐振器的侧视图；
图14b为图13所示的俯视图对应的又一种谐振器的侧视图；
图15a为图13所示的俯视图对应的又一种谐振器的侧视图；
图15b为图13所示的俯视图对应的又一种谐振器的侧视图；
图16a为图13所示的俯视图对应的又一种谐振器的侧视图；
图16b为图13所示的俯视图对应的又一种谐振器的侧视图；
图17a为图13所示的俯视图对应的又一种谐振器的侧视图；
图17b为图13所示的俯视图对应的又一种谐振器的侧视图；
图18为本申请实施例提供的谐振器的又一种俯视图；
图19为本申请实施例提供的谐振器的制备流程图；
图20a为本申请实施例提供的压电基底的一个制备过程图；
图20b为本申请实施例提供的压电基底的又一个制备过程图；
图20c为本申请实施例提供的压电基底的又一个制备过程图；
图21a为本申请实施例提供的压电基底的又一个制备过程图；
图21b为本申请实施例提供的压电基底的又一个制备过程图；
图21c为本申请实施例提供的压电基底的又一个制备过程图；
图22a为本申请实施例提供的压电基底的又一个制备过程图；
图22b为本申请实施例提供的压电基底的又一个制备过程图；
图22c为本申请实施例提供的压电基底的又一个制备过程图；
图23a为本申请实施例提供的压电基底的又一个制备过程图；
图23b为本申请实施例提供的压电基底的又一个制备过程图；
图23c为本申请实施例提供的压电基底的又一个制备过程图；
图24为本申请实施例提供的叉指换能器的制备流程图；
图25a为本申请实施例提供的压电基底的又一个制备过程图；
图25b为本申请实施例提供的压电基底的又一个制备过程图；
图25c为本申请实施例提供的压电基底的又一个制备过程图；
图25d为本申请实施例提供的压电基底的又一个制备过程图。
附图标记：
100-滤波器；10-压电基底；101-压电层；102-功能层；103-高声速层；104-支撑层；11-第一压电基底；111-第一压电薄膜；12-第二压电基底；121-第二压电薄膜；20-电极薄膜；21-输入汇流条；22-输出汇流条；23-第一叉指电极；24-第二叉指电极；31-第一光刻胶；311-第一光刻胶图案；32-第二光刻胶；321-第二光刻胶图案；33-第三光刻胶；331-第三光刻胶图案；34-第四光刻胶；341-第四光刻胶图案；35-第五光刻胶；351-第五光刻胶图案。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。
本申请实施例的说明书和权利要求书中的术语“第一”和“第二”等是用于区别不同的对象，而不是用于描述对象的特定顺序。例如，第一目标对象和第二目标对象等是用于区别不同的目标对象，而不是用于描述目标对象的特定顺序。
在本申请实施例中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请实施例中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解 释为比其它实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是指两个或两个以上。例如，多个处理单元是指两个或两个以上的处理单元；多个系统是指两个或两个以上的系统。
如图1所示，本申请实施例提供一种滤波器100，该滤波器100可以是SAW滤波器。SAW滤波器可以包括输入端Input、输出端Output、以及耦合于输入端Input与输出端Output之间的一个或多个串联的谐振器(S1、S2、S3)和/或一个或多个并联的谐振器(P1、P2、P3)。如图2所示，串联的谐振器和并联的谐振器可以包括压电基底10和设置于压电基底10上表面的叉指换能器(interdigital transducer，IDT)。
此处需要说明的是，压电基底10的上表面中的“上”，与压电基底10的设置位置无关，只要压电基底10的上表面为压电基底10中朝向叉指换能器的表面即可。
请继续参考图2，压电基底10可以包括压电层101。在此基础上，压电基底10还可以包括功能层102、高声速层103和支撑层104中的至少一个。沿叉指换能器到压电基底10的方向，功能层102、高声速层103和支撑层104依次层叠设置于压电层101背离叉指换能器一侧。压电层101的材料可以包括铌酸锂、钽酸锂、氮化铝中的至少一种，功能层102的材料可以包括二氧化硅、氮氧化硅、五氧化二钽中的至少一种，高声速层103的材料可以包括钨、金刚石、氧化铝、碳化硅、氮化硅、多晶硅中的至少一种。
为了方便描述，下文除另外说明以外，压电基底10包括压电层101、功能层102、高声速层103和支撑层104。
请继续参考图2，叉指换能器可以包括输入汇流条21、输出汇流条22、与输入汇流条21电连接的多个第一叉指电极23、以及与输出汇流条22电连接的多个第二叉指电极24。其中，多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24交替设置于输入汇流条21与输出汇流条22之间，且多个第一叉指电极23与多个第二叉指电极24之间相互绝缘。
如图3所示，以SAW滤波器包括一个谐振器为例，输入汇流条21与SAW滤波器的输入端Input电连接，输出汇流条22与SAW滤波器的输出端Output电连接。SAW滤波器的工作原理为：通过输入端Input向输入汇流条21输入电信号，根据逆压电效应，压电基底10中的压电层101将电能转换为机械能。压电层101在机械能的作用下发生形变，并带动设置在压电层101上的多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24发生形变，从而在压电层101表面形成沿第一方向传输的声表面波，也可以说，在压电层101表面形成纵向声波，纵向声波的谐振为主模态谐振。进一步的，根据压电效应，压电层101表面产生电荷，声信号转换为电信号，并通过输出汇流条22将电信号从输出端Output输出。SAW滤波器可以通过将纵向声波束缚在谐振器内部，以实现滤波。其中，第一方向为第一叉指电极23到第二叉指电极24的垂直方向，纵向与第一方向的方向相同。
上述过程中，为了确保多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24可以随着压电层101发生形变，以起到换能作用，可以使多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24与压电层101直接接触。而对于输入汇流条21和输出汇流条22，输入汇流条21和输出汇流条22可以与压电层101直接接触，也可以不与压电层101直接接触。
然而，除大部分沿第一方向传输的声表面波以外，还有少部分声表面波沿第二方向传播。也可以说，除了大部分纵向声波以外，还有少部分横向声波，横向声波为主模态谐振以外的横向模态(transverse mode，TM)谐振。如图4所示，横向声波会导致谐振器的导纳曲线上出现许多不需要的杂散峰值。这些杂散峰会导致谐振器的Q值降低，进而影响SAW滤波器的工作频率和插入损耗，同时还会影响SAW滤波器的带内纹波，恶化通带性能。其中，第二方向为输入汇流条21到输出汇流条22的垂直方向，第二方向与第一方向垂直。
基于此，本申请实施例通过改进谐振器的结构，以减少横向声波，从而提高谐振器的Q值，进而提高SAW滤波器的工作频率，降低SAW滤波器的插入损耗，同时改善横向声波影响SAW滤波器的带内纹波和通带性能的问题。
如图5所示，本申请的谐振器包括输入汇流区、换能区和输出汇流区。输入汇流条21位于输入汇流区，输出汇流条22位于输出汇流区，多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24位于换能区。压电层101应至少位于汇流区，以与第一叉指电极23和第二叉指电极24直接接触。
此处需要说明的是，如图6a所示，由于输入汇流条21与第一叉指电极23电连接，因此，在至少部分输入汇流条21与压电层101直接接触的情况下，至少部分输入汇流条21还可以用作第一叉指电极23，该部分输入汇流条21也可以起到换能作用。
同理，如图6a所示，由于输出汇流条22与第二叉指电极24电连接，因此，在至少部分输出汇流条22与压电层101直接接触的情况下，至少部分所以输出汇流条22还可以用作第二叉指电极24，该部分输出汇流条22也可以起到换能作用。
此处需要说明的是，图6a和图6b，以及下文任意一个谐振器的侧视图，均以输入汇流条21和一个第一叉指电极23为例介绍谐振器的结构。此外，图6a和图6b，以及下文任意一个谐振器的侧视图，也可以是输出汇流条22和第二叉指电极24的结构关系图。当图6a和图6b，以及下文任意一个谐振器的侧视图用于介绍输出汇流条22和第二叉指电极24的结构关系图时，图中的输入汇流条可以作为输出汇流条，第一叉指电极可以作为第二叉指电极，输入汇流区可以是可以作为输出汇流区，输出汇流区可以作为输出汇流区。
请继续参考图6a-图9b，压电基底10的上表面中，位于换能区的部分与位于输入汇流区和输出汇流区的部分不在同一平面。
本申请实施例中，可以采用半导体工艺形成输入汇流条21、输出汇流条22、多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24。由于多个第一叉指电极23与输入汇流条21电连接，而压电基底10的上表面中，位于换能区的部分与位于输入汇流区的部分不在同一平面，即，第一表面中从输入汇流区到换能区的部分具有台阶。因此，沿第二方向，多个第一叉指电极23与输入汇流条21之间不连续，进而导致沿第二方向传播的横向声波在传播时不连续。通过使横向声波在第二方向上不连续传播，可以降低横向声波沿第二方向的传播速度，从而有效抑制横向声波，提高谐振器的Q值，进而提高SAW滤波器的工作频率，降低SAW滤波器的插入损耗，同时改善横向声波影响SAW滤波器的带内纹波和通带性能的问题。
同理，如图6a所示，由于多个第二叉指电极24与输出汇流条22电连接，而压电基底10的上表面中，位于换能区的部分与位于输出汇流区的部分不在同一平面，即，第一表面中从输出汇流区到换能区的部分具有台阶。因此，沿第二方向，多个第二叉指电极24与输出汇流条22之间不连续，进而导致沿第二方向传播的横向声波在传播时不连续。通过使横向声波在第二方向上不连续传播，可以降低横向声波沿第二方向的传播速度，从而有效抑制横向声波，提高谐振器的Q值，进而提高SAW滤波器的工作频率，降低SAW滤波器的插入损耗，同时改善横向声波影响SAW滤波器的带内纹波和通带性能的问题。
并且，相较于形成厚度均一的第一叉指电极23和第二叉指电极24，之后再在厚度均一的第一叉指电极23和第二叉指电极24上方形成电极层的方案。本申请实施例可以利用压电基底10的上表面中，位于换能区的部分与位于输入汇流区和输出汇流区的部分不在同一平面这一特点，通过同一道半导体工艺形成不连续的第一叉指电极23与输入汇流条21、以及不连续的第二叉指电极24与输出汇流条22，以减少至少一道半导体工艺，简化谐振器的制备工艺，同时还可以省去制备电极层的掩模板(mask)，从而节省制备谐振器的成本。此处需要说明的是，当采用同一道半导体工艺形成输入汇流条21、输出汇流条22、多个第一叉指电极23、以及多个第二叉指电极24时，输入汇流条21、输出汇流条22、多个第一叉指电极23、以及多个第二叉指电极24的材料均相同。
在一些可能实现的方式中，可以采用一道半导体工艺形成叉指换能器的输入汇流条21、输出汇流条22、多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24，以简化叉指换能器的制备工艺，节省用于形成叉指换能器的mask，从而节省制备谐振器的成本。当然，也可以采用多道半导体工艺，分布形成叉指换能器的输入汇流条21、输出汇流条22、多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24，本申请实施例对此不作限定。此外，本申请实施例不对使得压电基底10的上表面中，位于换能区的部分与位于输入汇流区和输出汇流区的部分不在同一平面的实现方式进行限定。可选的，可以通过使压电基底10中位于换能区的部分的厚度，与压电基底10中位于输入汇流区和输出汇流区的部分的厚度不同来实现。例如，如图6a-7b所示，压电基底10中位于换能区的部分的厚度，分别大于位于输入汇流区和输出汇流区的部分的厚度。或者，如图8a-9b所示，压电基底10中位于换能区的部分的厚度，分别小于位于输入汇流区和输出汇流区的部分的厚度。
例如，如图6a和图6b所示，以压电基底10中位于换能区的部分的厚度，分别大于位于输入汇流区和输出汇流区的部分为例，如图6a和图6b所示，压电基底10包括第一压电基底11，第一压电基底11中位于输入汇流区的部分开设有第一凹槽，输入汇流条21设置于第一凹槽中；第一压电基底11中位于输出汇流区的部分开设有第二凹槽，输出汇流条22设置于第二凹槽中；多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24设置于第一凹槽与第二凹槽之间。这样一来，可以使压电基底10的上表面中，位于换能区的部分与位于输入汇流区和输出汇流区的部分不在同一平面。
本示例中，由于输入汇流条21和输出汇流条22对压电层101的要求不高，因此，第一凹槽和第二凹槽的底面可以是压电层101、功能层102、高声速层103和支撑层104中任意一个的表面。进一步的，由于压电基底10未开设凹槽的表面比压电基底中开设凹 槽的表面平坦。因此，本示例通过在输入汇流区开设第一凹槽，在输出汇流区开设第二凹槽，可以避免因开设第一凹槽和第二凹槽的工艺导致压电层101中位于换能区的部分的表面不够平坦，从而影响多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24的换能效果。并且，相较于下文压电基底10包括第一压电基底11和第二压电基底12的示例，本示例不但可以省去沉积第二压电基底12的工艺，还可以降低谐振器的总厚度。
在一些可能实现的方式中，本申请实施例不对第一凹槽的深度、第二凹槽的深度、输入汇流条21的厚度和输出汇流条22的厚度进行限定。或者，如图6a所示，沿压电基底10的厚度方向，输入汇流条21的厚度可以大于第一凹槽的深度，输出汇流条22的厚度可以大于第二凹槽的深度。或者，如图6b所示，沿压电基底10的厚度方向，输入汇流条21的厚度可以小于第一凹槽的深度，输出汇流条22的厚度可以小于第二凹槽的深度。当然，沿压电基底10的厚度方向，输入汇流条21的厚度也可以等于第一凹槽的深度，输出汇流条22的厚度也可以等于第二凹槽的深度，只要因第一凹槽的存在，使得多个第一叉指电极23与输入汇流条21不连续；因第二凹槽的存在，使得多个第二叉指电极24与输出汇流条22不连续即可。
在输入汇流条21、输出汇流条22、多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24的厚度一定时，第一凹槽和第二凹槽的深度不同，第一叉指电极23与输入汇流条21的连续性差异不同，第二叉指电极24与输出汇流条22的连续性差异不同，所能抑制的横向声波的强度不同。示例的，第一凹槽和第二凹槽的深度范围可以是0.001λ～1λ。其中，λ表示纵向声波的波长。图10a示出了不同深度的第一凹槽和第二凹槽对应的谐振器的导纳图，图10b示出了不同深度的第一凹槽和第二凹槽对应的谐振器的电导图，导纳图和电导图中的曲线越平滑，说明抑制的横向声波的强度越大。可选的，根据图10a和图10b可以得出，第一凹槽和第二凹槽的深度为0.05λ时，导纳图和电导图中的曲线最平滑，抑制的横向声波的强度越大，谐振器的Q值最大，SAW滤波器的工作频率最大、插入损耗最小，可以最大程度改善因横向声波影响SAW滤波器的带内纹波和通带性能的问题。
又例如，如图7a和图7b所示，仍以压电基底10中位于换能区的部分的厚度，分别大于位于输入汇流区和输出汇流区的部分为例，压电基底10包括第一压电基底11和设置于第一压电基底11与叉指换能器之间的第二压电基底12。第一压电基底11至少位于输入汇流区、换能区和输出汇流区，第二压电基底12位于换能区。多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24设置于第二压电基底12背离第一压电基底11一侧，输入汇流条21和输出汇流条22设置于第一压电基底11上。这样一来，可以使压电基底10的上表面中，位于换能区的部分与位于输入汇流区和输出汇流区的部分不在同一平面。
本示例中，通过在第一压电基底11与叉指换能器之间形成第二压电基底12，可以确保压电基底10中位于换能区的部分的平坦度，从而确保多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24的换能效果。
在一些可能实现的方式中，在多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24仅位于换能区的情况下，第一压电基底11可以是功能层102、高声速层103支撑层104和压电层101的第一压电层中的任意一个，第二压电基底12可以是压电层101的第二压电层。在多个第一叉指电极23还位于输入汇流区(或者输入汇流区和输出汇流区)、多个第二 叉指电极24还位于输出汇流区(或者输出汇流区和输入汇流区)的情况下，第一压电基底11可以是压电层101的第一压电层，第二压电基底12可以是压电层101的第二压电层。
在一些可能实现的方式中，本申请实施例不对第二压电基底12的厚度、输入汇流条21的厚度和输出汇流条22的厚度进行限定。如图7a所示，沿压电基底10的厚度方向，输入汇流条21的厚度和输出汇流条22的厚度可以大于第二压电基底12的厚度。或者，如图7b所示，沿压电基底10的厚度方向，输入汇流条21的厚度和输出汇流条22的厚度可以小于第二压电基底12的厚度。当然，沿压电基底10的厚度方向，输入汇流条21的厚度和输出汇流条22的厚度也可以等于第二压电基底12的厚度，只要多个第一叉指电极23与输入汇流条21不连续，多个第二叉指电极24与输出汇流条22不连续即可。
又例如，如图8a和图8b所示，以压电基底10中位于换能区的部分的厚度，分别小于位于输入汇流区和输出汇流区的部分的厚度为例，压电基底10包括第一压电基底11，第一压电基底11中位于换能区的部分开设有第三凹槽。多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24位于第三凹槽中，输入汇流条21和输出汇流条22分设于第三凹槽的相对两侧。这样一来，可以使压电基底10的上表面中，位于换能区的部分与位于输入汇流区和输出汇流区的部分不在同一平面。
在一些可能实现的方式中，由于多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24需与压电层101直接接触，因此，第三凹槽的底面可以是压电层101的表面，也可以说，第一压电基底11为压电层101。
在一些可能实现的方式中，本申请实施例不对第三凹槽的深度、多个第一叉指电极23的厚度和多个第二叉指电极24的厚度进行限定。或者，如图8a所示，沿压电基底10的厚度方向，多个第一叉指电极23的厚度和多个第二叉指电极24的厚度可以大于第三凹槽的深度。或者，如图8b所示，沿压电基底10的厚度方向，多个第一叉指电极23的厚度和多个第二叉指电极24的厚度可以小于第三凹槽的深度。当然，沿压电基底10的厚度方向，沿压电基底10的厚度方向，多个第一叉指电极23的厚度和多个第二叉指电极24的厚度也可以等于第三凹槽的深度，只要多个第一叉指电极23与输入汇流条21不连续，多个第二叉指电极24与输出汇流条22不连续即可。
又例如，如图9a和图9b所示，仍以压电基底10中位于换能区的部分的厚度，分别小于位于输入汇流区和输出汇流区的部分的厚度为例，压电基底10包括第一压电基底11和设置于第一压电基底11与叉指换能器之间的第二压电基底12。第一压电基底11至少位于输入汇流区、换能区和输出汇流区，第二压电基底12位于输入汇流区和输出汇流区。多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24设置于第一压电基底11上，输入汇流条21和输出汇流条22设置于第二压电基底12背离第一压电基底11一侧。这样一来，可以使压电基底10的上表面中，位于换能区的部分与位于输入汇流区和输出汇流区的部分不在同一平面。
本示例中，通过将多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24设置于第一压电基底11上，可以确保压电基底10中位于换能区的部分的平坦度，从而确保多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24的换能效果。
在一些可能实现的方式中，在多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24仅位于换能区的情况下，第一压电基底11可以是压电层101的第一压电层，第二压电基底12可以是功能层102、高声速层103支撑层104和压电层101的第二压电层中的任意一个。在多个第一叉指电极23还位于输入汇流区(或者输入汇流区和输出汇流区)、多个第二叉指电极24还位于输出汇流区(或者输出汇流区和输入汇流区)的情况下，第一压电基底11可以是压电层101的第一压电层，第二压电基底12可以是压电层101的第二压电层。
在一些可能实现的方式中，本申请实施例不对第二压电基底12的厚度、多个第一叉指电极23的厚度和多个第二叉指电极24的厚度进行限定。如图9a所示，沿压电基底10的厚度方向，多个第一叉指电极23的厚度和多个第二叉指电极24的厚度可以大于第二压电基底12的厚度。或者，如图9b所示，沿压电基底10的厚度方向，多个第一叉指电极23的厚度和多个第二叉指电极24的厚度可以小于第二压电基底12的厚度。当然，沿压电基底10的厚度方向，多个第一叉指电极23的厚度和多个第二叉指电极24的厚度也可以等于第二压电基底12的厚度，只要多个第一叉指电极23与输入汇流条21不连续，多个第二叉指电极24与输出汇流条22不连续即可。
对于上述任一示例，压电基底10中位于输入汇流区的部分的厚度可以与位于输出汇流区的部分的厚度相同。这样一来，一方面，可以确保第一叉指电极23与第二叉指电极24的结构的一致性，从而使横向声波在第一叉指电极23与输入汇流条21不连续的部分、以及在第二叉指电极24与输出汇流条22不连续的部分同时进入活塞(piston)工作模式，也可以说，使横向声波在输入汇流区与换能区的台阶处、以及在输出汇流区与换能区的台阶处同时进入piston工作模式，从而更好地抑制横向声波；另一方面，在第一压电基底11包括第一凹槽和第二凹槽的情况下，可以采用同一道光刻工艺，同步刻蚀得到第一凹槽和第二凹槽，简化压电基底10的制备工艺。
此外，为了确保多个第一叉指电极23与多个第二叉指电极24之间相互绝缘，避免多个第一叉指电极23通过输出汇流条22与多个第二叉指电极24短路，避免多个第二叉指电极24通过输入汇流条21与多个第一叉指电极23短路。在一些实施例中，如图5-图9b、图11和图12所示，输入汇流区朝向输出汇流区的边沿，与输入汇流条21朝向输出汇流条22的边沿具有第一间距。由于多个第一叉指电极23与输入汇流条21电连接，因此，多个第一叉指电极23还位于第一间距处。输出汇流区朝向输入汇流区的边沿，与输出汇流条22朝向输入汇流条21的边沿具有第二间距。由于多个第二叉指电极24与输出汇流条22电连接，因此，多个第二叉指电极24还位于第二间距处。在另一些实施例中，如图13-图17b所示，多个第一叉指电极23朝向输出汇流条22的边沿，与输出汇流区朝向输入汇流区的边沿具有间距；多个第二叉指电极24朝向输入汇流条21的边沿，与输入汇流区朝向输出汇流区的边沿具有间距。
可选的，在输入汇流区与输入汇流条21具有第一间距、输出汇流区与输出汇流条22具有第二间距的情况下，如图5-图9b所示，多个第一叉指电极23朝向输出汇流条22的边沿，与输出汇流区朝向输入汇流区的边沿齐平；多个第二叉指电极24朝向所述输入汇流条21的边沿，与输入汇流区朝向输出汇流区的边沿齐平。相较于多个第一叉指电极23 朝向输出汇流条22的边沿与输出汇流区朝向输入汇流区的边沿具有间距，多个第二叉指电极24朝向输入汇流条21的边沿与输入汇流区朝向输出汇流区的边沿具有间距的方案，本申请实施例可以使多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24沿第二方向连续设置在换能区，从而避免声表面波在边缘额外反射。
可选的，在输入汇流区与输入汇流条21具有第一间距、输出汇流区与输出汇流条22具有第二间距的情况下，如图11和图12所示，在确保多个第一叉指电极23与多个第二叉指电极24之间相互绝缘的情况下，多个第一叉指电极23还可以从输入汇流区延伸至输出汇流区，多个第二叉指电极24还可以从输出汇流区延伸至输入汇流区，从而提高谐振器的设计自由度。
在一些可能实现的方式中，对于上述任意一种谐振器，沿第二方向，第一叉指电极23朝向输出汇流条22的边沿，到与该第一叉指电极23相邻的第二第二叉指电极朝向输入汇流条21的边沿之间的距离范围可以为10λ～40λ。也可以说，对于上述任意一种谐振器，其孔径尺寸的范围可以为10λ～40λ。在该孔径尺寸范围内，本申请的叉指换能器还可以是其他结构，本申请实施例对此不作限定。
在一些可能实现的方式中，本申请实施例不对第一间距和第二间距的尺寸进行限定，只要多个第一叉指电极23与多个第二叉指电极24之间相互绝缘即可。可选的，第一间距和第二间距的尺寸范围可以为0.1λ～5λ。例如，第一间距和第二间距的尺寸范围可以是0.1λ、λ、2.5λ、5λ等。并且，第一间距和第二间距的尺寸可以相同。
在一些可能实现的方式中，在多个第一叉指电极23还位于第一间距处，多个第二叉指电极24还位于第二间距处的情况下，压电基底10中位于第一间距和第二间距处的部分可以是压电层101。在多个第一叉指电极23还从输入汇流区延伸至输出汇流区，多个第二叉指电极24还从输出汇流区延伸至输入汇流区的情况下，压电基底10中与位于输出汇流区的多个第一叉指电极23重合的部分、以及与位于输入汇流区的多个第二叉指电极24重合的部分可以是压电层101。
在一些可能实现的方式中，在多个第一叉指电极23朝向输出汇流条22的边沿与输出汇流区朝向输入汇流区的边沿具有间距，多个第二叉指电极24朝向输入汇流条21的边沿与输入汇流区朝向输出汇流区的边沿具有间距的情况下，如图13-图17b所示，输入汇流区朝向输出汇流区的边沿，与输入汇流条21朝向输出汇流条22的边沿齐平；输出汇流区朝向输入汇流区的边沿，与输出汇流条22朝向输入汇流条21的边沿齐平。或者，输入汇流区朝向输出汇流区的边沿，与输入汇流条21朝向输出汇流条22的边沿具有第一间距；输出汇流区朝向输入汇流区的边沿，与输出汇流条22朝向输入汇流条21的边沿具有第二间距。
此外，如图18所示，在上述任一实施例的基础上，沿第一方向，第一叉指电极23中位于换能区与输入汇流区的台阶处的部分的宽度，还可以大于第一叉指电极23中其他部分的宽度；第二叉指电极24中位于换能区与输出汇流区的台阶处的部分的宽度，还可以大于第二叉指电极24中其他部分的宽度。由于第一叉指电极23和第二叉指电极24在台阶处的宽度更大，因此，第一叉指电极23和第二叉指电极24沿第二方向存在不连续，导致沿第二方向传播的横向声波在传播时不连续。通过使横向声波在第二方向上不连续 传播，可以降低横向声波沿第二方向的传播速度，从而可以有效抑制横向声波，提高谐振器的Q值，提高SAW滤波器的工作频率，降低SAW滤波器的插入损耗，同时改善横向声波影响SAW滤波器的带内纹波和通带性能的问题。
如图19所示，本申请实施例还提供一种谐振器的制备方法，包括：
S191，形成压电基底10。
具体的，可以通过以下四种方式形成压电基底10。
第一种方式：
如图20a所示，依次形成层叠的第一压电薄膜111和第一光刻胶31。
在一些可能实现的方式中，可以采用化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)、或者物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)、或者原子层沉积(atomic layer deposition，ALD)等工艺沉积第一压电薄膜111。可以采用旋涂工艺在第一压电薄膜111上涂覆第一光刻胶31。
如图20b所示，对第一光刻胶31进行曝光，显影后得到第一光刻胶图案311，第一光刻胶图案311露出输入汇流区和输出汇流区。
如图20c所示，在第一光刻胶图案311的保护下，对第一压电薄膜111进行刻蚀，得到第一压电基底11，第一压电基底11包括第一凹槽和第二凹槽。
之后，如图20c所示，还可以剥离第一光刻胶图案311。例如，可以采用机械剥离、或激光剥离等方式剥离第一光刻胶图案311。
第二种方式：
如图21a所示，依次形成层叠设置的第一压电薄膜111、第二压电薄膜121和第二光刻胶32。
在一些可能实现的方式中，可以采用CVD、或者PVD、或者ALD等工艺沉积第一压电薄膜111和第二压电薄膜121。可以采用旋涂工艺在第二压电薄膜121背离第一压电薄膜111一侧涂覆第二光刻胶32。
在一些可能实现的方式中，由于第一压电薄膜111和第一压电基底11均位于输入汇流区、换能区和输出汇流区，因此，第一压电薄膜111可以作为第一压电基底11。
如图21b所示，对第二光刻胶32进行曝光，显影后得到第二光刻胶图案321，第二光刻胶图案321露出输入汇流区和输出汇流区，或者，第二光刻胶图案321露出除换能区以外的区域。
如图21c所示，在第二光刻胶图案321的保护下，对第二压电薄膜121进行刻蚀，得到第二压电基底12，第二压电基底12位于换能区。
之后，如图21c所示，还可以剥离第二光刻胶图案321。例如，可以采用机械剥离、或激光剥离等方式剥离第二光刻胶图案321。
第三种方式：
如图22a所示，依次形成层叠的第一压电薄膜111和第三光刻胶33。在一些可能实现的方式中，可以采用CVD、或者PVD、或者ALD等工艺沉积第一压电薄膜111。可以采用旋涂工艺在第一压电薄膜111上涂覆第三光刻胶33。
如图22b所示，对第三光刻胶33进行曝光，显影后得到第三光刻胶图案331，第三 光刻胶图案331露出换能区。
如图22c所示，在第三光刻胶图案331的保护下，对第一压电薄膜111进行刻蚀，得到第一压电基底11，第一压电基底11包括第三凹槽。
之后，如图22c所示，还可以剥离第三光刻胶图案331。例如，可以采用机械剥离、或激光剥离等方式剥离第三光刻胶图案331。
第四种方式：
如图23a所示，依次形成层叠设置的第一压电薄膜111、第二压电薄膜121和第四光刻胶34。
在一些可能实现的方式中，可以采用CVD、或者PVD、或者ALD等工艺沉积第一压电薄膜111和第二压电薄膜121。可以采用旋涂工艺在第二压电薄膜121背离第一压电薄膜111一侧涂覆第四光刻胶34。
在一些可能实现的方式中，由于第一压电薄膜111和第一压电基底11均位于输入汇流区、换能区和输出汇流区，因此，第一压电薄膜111可以作为第一压电基底11。
如图23b所示，对第四光刻胶34进行曝光，显影后得到第四光刻胶图案341，第四光刻胶图案341露出换能区，或者，第四光刻胶图案341露出除输入汇流区和输出汇流区以外的区域。
如图23c所示，在第四光刻胶图案341的保护下，对第二压电薄膜121进行刻蚀，得到第二压电基底12，第二压电基底12位于输入汇流区和输出汇流区。
之后，如图23c所示，还可以剥离输入汇流区和输出汇流区。例如，可以采用机械剥离、或激光剥离等方式剥离输入汇流区和输出汇流区。
当然，除上述四种方式以外，还可以采用其他方式形成压电基底10，以使得压电基底10的上表面中，位于换能区的部分与位于输入汇流区和输出汇流区的部分不在同一平面，本申请实施例对此不作限定。
S192，在压电基底10上形成叉指换能器；叉指换能器包括输入汇流条21、输出汇流条22、与输入汇流条21电连接的多个第一叉指电极23、以及与输出汇流条22电连接的多个第二叉指电极24。输入汇流条21位于输入汇流区，输出汇流条22位于输出汇流区，多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24位于换能区。其中，压电基底10的上表面中，位于换能区的部分与位于输入汇流区和输出汇流区的部分不在同一平面。
具体的，如图24所示，在压电基底10上形成叉指换能器，可以包括如下步骤：
S1921，如图25a所示，在压电基底10上形成第五光刻胶35。
在一些可能实现的方式中，可以采用旋涂工艺在压电基底10上涂覆第五光刻胶35。
S1922，如图25b所示，对第五光刻胶35进行曝光，显影后得到第五光刻胶图案351，第五光刻胶图案351露出待形成的叉指换能器所在的区域。
此处需要说明的是，根据不同需求，叉指换能器所在的区域，可以是前述任意一种实施例提供的叉指换能器所在的区域，由此可以确定覆盖不同区域的第五光刻胶图案351，图25b仅以压电基底10包括第一压电基底11，第一压电基底11包括第一凹槽和第二凹槽的示例进行说明。
S1923，如图25c所示，在第五光刻胶图案351背离压电基底10一侧形成电极薄膜 20。
在一些可能实现的方式中，电极薄膜20的材料可以包括铝、金、银、铜、钼、钨中的任意一种。可以采用溅射方式在第五光刻胶图案351背离压电基底10一侧形成电极薄膜20。
S1924，如图25d所示，剥离第五光刻胶图案351，由电极薄膜20得到叉指换能器。
此处，在第五光刻胶图案351所在的区域，电极薄膜20形成在第五光刻胶图案351背离压电基底10一侧，因此，在剥离第五光刻胶图案351的同时，电极薄膜20中位于第五光刻胶图案351背离压电基底10一侧的部分也随之被剥离。而由于第五光刻胶图案351露出待形成的叉指换能器所在的区域，因此，在待形成的叉指换能器所在的区域，电极薄膜20与压电基底10直接接触，也可以说，电极薄膜20直接固定在压电基底10上，该部分电极薄膜20即为叉指换能器。叉指换能器包括输入汇流条21、输出汇流条22、多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24。
利用上述步骤S1921～S1924，可以仅通过一次半导体工艺即可形成材料相同输入汇流条21、输出汇流条22、多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24，简化制备谐振器的工艺步骤，节省mask，降低制备成本。
当然，还可以采用其他方式在前述压电基底10上形成叉指换能器的输入汇流条21、输出汇流条22、多个第一叉指电极23和多个第二叉指电极24，本申请实施例对此不作限定。
需要说明的是，在实际制备本申请的谐振器时，也可以预先购买已经做好的压电基底10，直接在已经做好的压电基底10上形成叉指换能器。即，本申请的谐振器的制备方法仅执行步骤S192。
此外，谐振器的制备方法的其他解释说明和有益效果，与前述实施例中谐振器的解释说明和有意效果相同，在此不再赘述。
上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。
Claims (21)
- 一种谐振器，其特征在于，包括压电基底、设置于所述压电基底上表面的叉指换能器；所述谐振器包括输入汇流区、换能区和输出汇流区；所述叉指换能器包括输入汇流条、输出汇流条、与所述输入汇流条电连接的多个第一叉指电极、以及与所述输出汇流条电连接的多个第二叉指电极；所述输入汇流条位于所述输入汇流区，所述输出汇流条位于输出汇流区，所述多个第一叉指电极和所述多个第二叉指电极位于所述换能区；其中，所述压电基底的上表面中，位于所述换能区的部分与位于所述输入汇流区和所述输出汇流区的部分不在同一平面。
- 根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述压电基底中位于所述换能区的部分的厚度，分别大于位于所述输入汇流区和所述输出汇流区的部分的厚度。
- 根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述压电基底包括第一压电基底；所述第一压电基底中位于所述输入汇流区的部分开设有第一凹槽，所述第一压电基底中位于所述输出汇流区的部分开设有第二凹槽。
- 根据权利要求3所述的谐振器，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度范围为0.001λ～1λ；其中，λ表示所述谐振器产生的纵向声波的波长，所述纵向声波沿第一叉指电极到第二叉指电极的垂直方向传播。
- 根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述压电基底包括第一压电基底和设置于所述第一压电基底与所述叉指换能器之间的第二压电基底；所述第一压电基底至少位于所述输入汇流区、所述换能区和所述输出汇流区；所述第二压电基底位于所述换能区。
- 据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述压电基底中位于所述换能区的部分的厚度，分别小于位于所述输入汇流区和所述输出汇流区的部分的厚度。
- 据权利要求6所述的谐振器，其特征在于，所述压电基底包括第一压电基底；所述第一压电基底中位于所述换能区的部分开设有第三凹槽。
- 根据权利要求6所述的谐振器，其特征在于，所述压电基底包括第一压电基底和设置于所述第一压电基底与所述叉指换能器之间的第二压电基底；所述第一压电基底至少位于所述输入汇流区、所述换能区和所述输出汇流区；所述第二压电基底位于所述输入汇流区和所述输出汇流区。
- 根据权利要求1-8任一项所述的谐振器，其特征在于，所述压电基底中位于所述输入汇流区的厚度，与所述压电基底中位于所述输出汇流区的厚度相同。
- 根据权利要求1-9任一项所述的谐振器，其特征在于，所述输入汇流区朝向所述输出汇流区的边沿，与所述输入汇流条朝向所述输出汇流条的边沿具有第一间距；所述输出汇流区朝向所述输入汇流区的边沿，与所述输出汇流条朝向所述输入汇流条的边沿具有第二间距。
- 根据权利要求10所述的谐振器，其特征在于，所述多个第一叉指电极朝向所述输出汇流条的边沿，与所述输出汇流区朝向所述输入汇流区的边沿齐平；所述多个第二叉指电极朝向所述输入汇流条的边沿，与所述输入汇流区朝向所述输出汇流区的边沿齐平。
- 根据权利要求10所述的谐振器，其特征在于，所述多个第一叉指电极从所述输入汇流区延伸至所述输出汇流区；所述多个第二叉指电极从所述输出汇流区延伸至所述输入汇流区。
- 根据权利要求10-12任一项所述的谐振器，其特征在于，所述第一间距和所述第二间距的尺寸范围为10％λ～5λ；其中，λ表示所述谐振器产生的纵向声波的波长，所述纵向声波沿第一叉指电极到第二叉指电极的垂直方向传播。
- 根据权利要求1-9任一项所述的谐振器，其特征在于，所述多个第一叉指电极朝向所述输出汇流条的边沿，与所述输出汇流区朝向所述输入汇流区的边沿具有间距；所述多个第二叉指电极朝向输入汇流条的边沿，与所述输入汇流区朝向所述输出汇流区的边沿具有间距。
- 一种滤波器，其特征在于，包括一个或多个如权利要求1-14任一项所述的谐振器。
- 一种谐振器的制备方法，其特征在于，所述谐振器划分为输入汇流条区、换能区和输出汇流条区；所述方法包括：形成压电基底；在所述压电基底的上表面形成叉指换能器；所述叉指换能器包括输入汇流条、输出汇流条、与所述输入汇流条电连接的多个第一叉指电极、以及与所述输出汇流条电连接的多个第二叉指电极；所述输入汇流条位于所述输入汇流区，所述输出汇流条位于输出汇流区，所述多个第一叉指电极和所述多个第二叉指电极位于所述换能区；其中，所述压电基底的上表面中，位于所述换能区的部分与位于所述输入汇流区和所述输出汇流区的部分不在同一平面。
- 根据权利要求16所述的谐振器的制备方法，其特征在于，所述形成压电基底，包括：形成第一压电薄膜；采用光刻工艺，对所述第一压电薄膜中位于所述输入汇流区和所述输出汇流区的部分进行刻蚀，形成第一压电基底；所述第一压电基底包括位于所述输入汇流区的第一凹槽和位于所述输出汇流区的第二凹槽。
- 根据权利要求16所述的谐振器的制备方法，其特征在于，所述形成压电基底，包括：依次形成层叠设置的第一压电基底和第二压电薄膜，所述第一压电基底至少位于所述输入汇流区、所述换能区和所述输出汇流区；采用光刻工艺，对所述第二压电薄膜中位于所述输入汇流区和所述输出汇流区的部分进行刻蚀，形成第二压电基底；所述第二压电基底位于所述换能区。
- 根据权利要求16所述的谐振器的制备方法，其特征在于，所述形成压电基底，包括：形成第一压电薄膜；采用光刻工艺，对所述第一压电薄膜中位于所述换能区的部分进行刻蚀，形成第一压电基底；所述第一压电基底包括位于所述换能区的第三凹槽。
- 根据权利要求16所述的谐振器的制备方法，其特征在于，所述形成压电基底，包括：依次形成层叠设置的第一基底和第二压电薄膜，所述第一压电基底至少位于所述输入汇流区、所述换能区和所述输出汇流区；采用光刻工艺，对所述第二压电薄膜中位于所述换能区的部分进行刻蚀，形成第二压电基底；所述第二压电基底位于所述输入汇流区和所述输出汇流区。
- 根据权利要求16-20任一项所述的谐振器的制备方法，其特征在于，所述在所述压电基底上形成叉指换能器，包括：在所述压电基底上形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光，显影后得到光刻胶图案；所述光刻胶图案露出待形成的叉指换能器所在的区域；在所述光刻胶图案背离所述压电基底一侧形成电极薄膜；剥离所述光刻胶图案，由所述电极薄膜得到所述叉指换能器。
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