CN1182279C - 高硅煤制备纳米级SiC/SiO2及其晶须/纤维 - Google Patents

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Abstract

一种高硅煤制备纳米级SiC/SiO2及其晶须/纤维的工艺,属于纳米材料制备方法。采用高硅煤配以碳化稻壳或稻壳灰,配方为SiO2∶C=57-62%∶43-38%,SiO2与C的比为重量百分比。高硅煤、碳化稻壳或稻壳灰粉碎、搅拌后制团,将团置于真空环境中加热反应2-10小时,即可制得纳米级SiC/SiO2及其晶须/纤维,而后进行分离分级、干燥、检验、包装入库。本发明使劣质难选高硅煤成了制备本发明纳米材料的优质原料,生产工艺简单,生产成本较低,技术工艺较易实施,宜于规模化生产,生产中产生的气体及其余物易于回收利用,具有显著的经济效益和社会效益。

Description

高硅煤制备纳米级SiC/SiO2及其晶须/纤维的工艺
                               技术领域
本发明涉及一种纳米材料制备方法,特别是一种高硅煤制备纳米级SiC/SiO2及其晶须/纤维的工艺。
                               背景技术
现有国内、外的纳米级SiC/SiO2及其晶须/纤维的制备,一般都是采用较纯净的含硅、含碳物质,通过固相的化合或者还原-化合法、气相热分解法、气相合成法、蒸发凝结法、气相-固相反应法、溶胶-凝胶法、等离子体加热气相化学反应法等制备。
国防科技大学出版社2001年1月出版,张长瑞等编著的《陶瓷基复合材料》P135介绍了还原-化合法SiO2+C在1500-1700℃生成SiC;P142介绍了利用固相先驱体聚碳硅烷在一定气氛下直接热解制备碳化硅(SiC)粉末;利用气相热分解法 P144-P174介绍了气相合成法 SiH4+CH4,(CH3)4Si反应生成SiC;CH3SiCl3+H2在1000-1400℃生成SiC;SiCl4和O21000℃反应制备非晶态纳米SiO2;P158介绍了用类金属硅和氧化硅——碳还原法制取SiC超微颗粒, 所用硅粉为5×10-6m左右,而SiO和SiO2一般为50×10-6m左右,碳黑21×10-9m左右,混合后装入石墨容器中,反应温度控制在1350-1600℃,反应完全后,取出SiC粉,用HF+HNO3或HF处理后可得到平均粒径0.6×10-6m、高纯度β-SiC;而SiC晶须通常采用气相生长法制取,P193介绍了从稻壳中制取SiC晶须和颗粒的新工艺,稻壳在700℃左右焦化,将其在N2或NH3中加热至1500-1600℃,保温1小时后生成SiC,反应结束后,再加热至800℃,去除自由碳,再湿处理使晶须与颗粒分离;P196还介绍了在20世纪80年代初,美Los Alamos国家实验室用气—液—固法(VLS法)制备SiC晶须,其工艺为:在固态基片上放置过渡族金属制成的固体催化剂球(如钢球φ30μ),通入CH4、H2和SiO蒸气, ,1400℃左右,Si和C形成晶核,使周围液体冷却,致使该部分熔球成为过饱和态,SiC晶核就从熔球/固体生长基质介面上脱溶析出,随着Si、C原子扩散、碰撞和团聚作用,SiC晶核上不断沉积析出SiC,造成SiC晶须顶着熔球不断生长。
中国发明专利《一种制备纳米级碳化硅晶须/纤维的方法》,公告日2000年6月28日,申请号99126280.8,该专利申请中是以SiO2和CH4为原料,使用纳米级金属粉Mg或Ca或Na或K的还原剂,以H2为助还原剂,再采用Co或Ni或它们的混合物为催化剂,反应压力为0.1-5MPa,反应温度600-900℃,制得纳米级SiC晶须/纤维。
综上所述,现有有关技术中,所采用的反应物原料都是较纯净的含Si含C物质或甚至于纳米级纯金属粉Mg等,有些是易燃易爆的气态,其制得、运输和贮存成本较高。反应温度一般较高,如 为此,反应系统、耐火材料的制备档次大为严酷,其热能的获得要求也相应提高,这给规模生产增加了难度,使其经济效益和社会效益受到限制。
                              发明内容
本发明的目的是要提供一种:原料价廉易得、反应温度较低的高硅煤制备纳米级SiC/SiO2及其晶须/纤维的工艺。
解决其技术问题的方案是:高硅煤、碳化稻壳或稻壳灰,再加入矿化剂和催化剂,其中矿化剂为氟化钙(CaF2),催化剂为硼酸(H3BO3),然后粉碎,粉碎完成后再加入粘结剂搅拌,粘结剂为聚乙烯醇,搅拌完成后制团,将团置于真空环境中加热反应2-10小时,反应温度为1000-1400℃,即可制得纳米级SiC/SiO2及其晶须/纤维,而后进行分离分级、干燥、检验、包装入库。
真空度为1-200Pa。
采用高硅煤配以碳化稻壳或稻壳灰,配方为SiO2∶C=57-62%∶43-38%,SiO2与C的比为重量百分比,另外加入的矿化剂、催化剂和粘结剂均为高硅煤、碳化稻壳或稻壳灰总量的百分数,即矿化剂为10%-15%;催化剂为2%-7%;粘结剂为5%。
有益效果:本发明与现有技术相比,所用的原料高硅煤和稻壳都为廉价易得的物质,运输、贮存、使用方便安全;采用了真空反应系统,因ΔG=ΔG°+RTlnP,使通常的反应温度由1450-1700℃降至1200℃左右,因而可做到燃料多样化,如煤、油、气、电都可用;由于工作温度的降低,而使相关的耐火材料,反应器等无需用特殊技术工艺制造;本发明生产过程反应方程式为 ,排出的有利用价值的气体易于回收利用,不污染环境。本发明由于上述优点,生产成本较低,技术工艺较易实施,宜于规模化生产,生产中产生的气体易于回收利用,具有显著的经济效益和社会效益。
                              附图说明
图1为本发明实施例的工艺流程图。
                              具体实施方式
实施例1:采用高硅煤配以碳化稻壳或稻壳灰,对高硅煤配以碳化稻壳或稻壳灰进行化验,配方为SiO2∶C=62%∶38%,SiO2与C的比为重量百分比。另外再加入高硅煤、碳化稻壳或稻壳灰总量的15%的矿化剂(CaF2);2%的催化剂(H3BO3)。将高硅煤、碳化稻壳或稻壳灰、矿化剂和催化剂按上述配方的配比准确称重,然后粉碎,粉碎时采用球磨机进行粉碎,粉碎的粒径在48×10-6m左右,加入适量粘结剂,即5%左右的聚乙烯醇,并充分搅拌均匀后制团,将球团加入反应器且同时启动真空系统,在真空度10Pa,反应温度1000℃下保持反应时间6小时,而后出炉,冷却后予以分离分级,分离出余碳,是优质微硫碳粉,此后,分离分级出纤维、晶须、纳米级产品,干燥后分级包装。反应过程中产生的可利用气体易于回收,可返回加热炉使用,亦可作民用燃气。产品分离后的残渣可回收利用于冶金工业。即可制得纳米级SiC/SiO2及其晶须/纤维,优质微硫碳粉粒度:(0.1-50)×10-6m;纤维:直径(10-20)×10-6m,长度≥100×10-6m;晶须:直径≥48nm,长度≥500nm;颗粒级:直径(0.1-10)×10-6m;纳米级:直径≤100nm。而后进行分离分级、干燥、检验、包装入库。
实施例2:采用硅质石煤或者煤矸石配以碳化稻壳或稻壳灰,对硅质石煤或者煤矸石和碳化稻壳或稻壳灰进行化验,配方为SiO2∶C=57%∶43%,SiO2与C的比为重量百分比。另外再加入硅质石煤或者煤矸石、稻壳或稻壳灰总量的10%的矿化剂(CaF2);7%的催化剂(H3BO3)。其它生产工艺过程与实施例1同,即可制得微米级碳化硅产品。
实施例3:将碳化稻壳配以稻壳灰,配方为SiO2∶C=60%∶40%,SiO2与C的比为重量百分比。另外再加入碳化稻壳和稻壳灰总量的10%的矿化剂(CaF2);7%的催化剂(H3BO3)。其它生产工艺过程与实施例1同,即可制得SiC晶须(SiCw)和微米级碳化硅产品。

Claims (3)

1、一种高硅煤制备纳米级SiC/SiO2及其晶须/纤维的工艺,其特征是:高硅煤、碳化稻壳或稻壳灰,再加入矿化剂和催化剂,其中矿化剂为氟化钙(CaF2),催化剂为硼酸(H3BO3),然后粉碎,粉碎完成后再加入粘结剂搅拌,粘结剂为聚乙烯醇,搅拌完成后制团,将团置于真空环境中加热反应2-10小时,反应温度为1000-1400℃,即可制得纳米级SiC/SiO2及其晶须/纤维。
2、根据权利要求1所述的高硅煤制备纳米级SiC/SiO2及其晶须/纤维的工艺,其特征是:真空度为1-200Pa。
3、根据权利要求1所述的高硅煤制备纳米级SiC/SiO2及其晶须/纤维的工艺,其特征是:采用高硅煤配以碳化稻壳或稻壳灰,配方为SiO2∶C=57-62%∶43-38%,SiO2与C的比为重量百分比,另外加入的矿化剂、催化剂和粘结剂均为高硅煤、碳化稻壳或稻壳灰总量的百分数,即矿化剂为10%-15%;催化剂为2%-7%;粘结剂为5%。
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