CN118202803A - 高频通信装置的电波吸收体 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种高频通信装置的电波吸收体，能够提高量产性，另外，能够降低成本，能够进一步实现轻量化。为此，例如，电波吸收体(10)具有：侧部(40)，其将固定于在高频通信装置(100)所设置的基座部(20)的半导体元件(110)的周围包围；以及顶部(50)，其封闭由侧部(40)包围的开放面。在顶部(50)的内表面设置有多个突起部(60)，该突起部朝向位于电波吸收体(10)内的半导体元件(110)突出，位于从半导体元件(110)分离的位置，且周期性地配置，突起部(60)朝向半导体元件(110)形成为尖细状，且由合成树脂一体成形。
Description
技术领域
本发明涉及高频通信装置的电波吸收体，能够提高量产性，另外，能够降低成本，能够进一步实现轻量化。
背景技术
以往，关于用于降低由微波、毫米波中的无用辐射电波引起的干扰的电波吸收体，已知一种在壳体内部设置凹凸的技术(参照专利文献1以及专利文献2)。
已知一种高频通信装置，设置例如从壳体的盖的顶部突出的金属制的突起物作为上述的现有的凹凸(参照专利文献1的第“0018”段以及图1及图4)。
另外，在上述专利文献1中，记载了也可以与金属制的盖分体地由非金属制作突起物，且通过镀敷等用金属覆膜将表面覆盖(参照专利文献1的第“0014”段)。
而且，上述的金属制的盖构成为通过壳体的侧壁而从底板分离，作为侧壁，例示了金属或玻璃、氧化铝等非金属(参照专利文献1的第“0014”段以及图1)。
另一方面，已知一种电波吸收体，在例如分散混入有铁氧体和羰基铁的电波吸收层的一面具有凸部和凹部作为现有的凹凸(参照专利文献2的第二页左上栏第1～11行、图3的(A))。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第3739230号公报
专利文献2：日本特开昭58-034602号公报
发明内容
发明所要解决的课题
上述现有的凹凸(参照专利文献1和专利文献2)需要金属或金属镀敷，存在在量产性、成本、轻量化方面具有改良的余地的第一问题。
另一方面，现有的高频通信装置(参照专利文献1)的壳体的侧壁和底板分离，因此需要进行侧壁与底板的安装、以及两者的螺纹固定等，还存在装置的安装作业性差的第二问题点。
本发明着眼于上述的第一问题点而作成，通过将突起部朝向半导体元件形成为尖细状，并且由合成树脂一体地成形，从而即使是树脂制的突起部，也能够与现有的金属制的突起物同等地得到无用辐射电波的吸收特性。
另外，本发明着眼于上述的第二问题点而作成，通过在侧部一体地形成安装基座部的卡合部，能够使用侧部的卡合部简便且迅速地安装基座部。
用于解决课题的方案
本发明的一方案的电波吸收体是吸收毫米波雷达等无用辐射电波，降低对高频通信装置内的半导体元件的电波干扰的高频通信装置的电波吸收体，上述电波吸收体包括：侧部，其将固定于在上述高频通信装置所设置的基座部的半导体元件的周围包围；以及顶部，其封闭由上述侧部包围的开放面，在上述顶部的内表面设置多个突起部，该突起部朝向位于上述电波吸收体内的上述半导体元件突出，位于从上述半导体元件分离的位置，且周期性地配置，上述突起部朝向上述半导体元件形成为尖细状，由合成树脂一体成形。
另外，本发明的一方案的电波吸收体也可以是，在上述电波吸收体中，上述突起部朝向上述半导体元件以正多棱锥形状或圆锥形状突出。
另外，本发明的一方案的电波吸收体也可以是，在上述电波吸收体中，上述顶部和上述突起部由合成树脂一体成形。
另外，本发明的一方案的电波吸收体也可以是，在上述电波吸收体中，上述顶部、上述突起部以及上述侧部由合成树脂一体成形。
另外，本发明的一方案的电波吸收体也可以是，在上述电波吸收体中，在上述侧部设置有用于安装于上述基座部的卡合部。
另外，本发明的一方案的电波吸收体也可以是，在上述电波吸收体中，上述突起部的从上述顶部的内表面到前端部的突出高度为0.1mm以上且2.0mm以下。
另外，本发明的一方案的电波吸收体也可以是，在上述电波吸收体中，其材料的相对介电常数为4以上且26以下。
发明效果
根据本发明的一方案，将突起部朝向半导体元件形成为尖细状，并且由合成树脂一体成形，从而树脂制的突起部也能够与现有的金属制的突起物同等地得到吸收无用辐射电波的特性。
另外，根据本发明的一方案，与现有的金属制的突起物相比，能够提高电波吸收体的量产性，另外，能够降低成本，能够进一步实现轻量化。
并且，根据本发明的一方案，通过将突起部设为树脂制，能够不受氧化的影响，减少电波吸收体的量产偏差、经时变化。
附图说明
图1涉及本发明的一个实施方式，是电波吸收体的剖视图。
图2与图1对应，是表示高频通信装置的一部分的剖视图。
图3涉及本发明的一个实施方式，是电波吸收体的立体图。
图4是从下侧观察图3的电波吸收体的立体图。
图5是将图4的电波吸收体的一部分放大的立体图。
图6是图4的电波吸收体的俯视图。
图7是将图6的电波吸收体的一部分放大的俯视图。
图8涉及本发明的一个实施方式，是关于突起部的形状用于说明反射系数与频率的关系的图表。
图9涉及本发明的一个实施方式，是关于突起部的高度用于说明反射系数与频率的关系的图表。
图10涉及本发明的一个实施方式，是关于突起部的高度用于说明透过系数与频率的关系的图表。
图11涉及本发明的一个实施方式，是关于突起部的相对介电常数用于说明反射系数与频率的关系的图表。
图12涉及本发明的一个实施方式，是关于突起部的相对介电常数用于说明透过系数与频率的关系的图表。
具体实施方式
(实施方式)
以下，主要参照图1对本发明的实施方式进行说明。
在此，附图是示意性的例子，厚度与平面尺寸的关系、各层的厚度的比率等与现实情况不同。另外，以下所示的实施方式例示了用于将本发明的技术思想具体化的结构，本发明的技术思想并不将构成部件的材质、形状、构造等限定于下述内容。本发明的技术思想在发明所要保护的范围内能够进行各种变更。
(电波吸收体10)
在图1以及图2中，10是电波吸收体，电波吸收体10用于高频通信装置100，用于在毫米波雷达的内部保护处理芯片的电波噪声应对部件。
在此，“毫米波”是包括毫米波、准毫米波或微波的概念。
电波吸收体10大致具备以下各部。
此外，对以下的(1)在后面叙述。
(1)电波吸收部件30
此外，电波吸收体10并不限定于上述的(1)，例如也可以一体地形成基座部20和电波吸收部件30。
另一方面，高频通信装置100除了电波吸收体10，如图2所示，大致具备以下的各部。
此外，对以下的(1)～(3)在后面叙述。
(1)半导体元件110
(2)天线120
(3)天线罩130
此外，高频通信装置100并不限定于上述的(1)～(3)，例如也可以包括将半导体元件110与天线120电连接的配线等。
(电波吸收部件30)
如图1～图6所示，电波吸收部件30大致具备以下各部。
另外，对以下的(1)～(4)在后面叙述。
(1)侧部40
(2)顶部50
(3)突起部60
(4)卡合部70
此外，电波吸收部件30并不限定于上述的(1)～(4)，例如也可以将顶部50和突起部60由合成树脂一体成形，或者将顶部50、突起部60以及侧部40由合成树脂一体成形。另外，除了卡合部70，也可以将侧部40及基座部20的一方插入另一方而固定。
(基座部20)
如图1以及图2所示，基座部20能够固定半导体元件110。基座部20为板状，其全部或一部分由合成树脂一体成形。
另外，材质不限定合成树脂，只要具有一定的刚性即可。
另外，基座部20也可以不是单层，而是例如将印刷基板层叠多层而成。
(电波吸收部件30)
如图1～图5所示，电波吸收部件30位于固定于基座部20的半导体元件110的上方，将半导体元件110包藏。
电波吸收部件30是中空的箱型，下表面朝向基座部20开放，且其全部或一部分由合成树脂一体成形。
另外，合成树脂并不对材质进行限定，只要具有作为电波吸收体10所需的刚性即可。
并且，虽未图示，但电波吸收部件30也可以固定于天线罩130。
(侧部40)
如图1～图5所示，侧部40构成电波吸收部件30的一部分，设置于基座部20，且将半导体元件110的周围包围。侧部40位于半导体元件110的四方，位于四方的各侧部40为板状，由合成树脂一体地成形，在半导体元件110与顶部50之间形成任意的间隔。
另外，合成树脂并不对材质进行限定，只要具有作为电波吸收体10所需的刚性即可。
此外，可以将位于四方的四张侧部40一体成形，也可以将四张逐张分别成形，并通过例如粘接剂等接合。
(顶部50)
如图1～图5所示，顶部50堵塞被侧部40包围的开放面，为板状，且由合成树脂一体成形。
另外，合成树脂并不对材质进行限定，只要具有作为电波吸收体10所需的刚性即可。
(突起部60)
如图1、图3、图4以及图5所示，突起部60朝向位于电波吸收体10内的半导体元件110突出，位于从半导体元件110分离的位置，且设置周期性地配置的多个突起部60。
突起部60朝向半导体元件110形成为尖细状，由合成树脂一体成形。
突起部60朝向半导体元件110以正多棱锥形状或圆锥形状突出。
作为正多棱锥形状，有正三棱锥、正四棱锥(所谓的金字塔型)、正五棱锥等，在本实施方式中，选择正四棱锥型。
(高频通信装置100)
虽然未图示，但图2所示的高频通信装置100用于例如汽车的前方雷达、后方雷达等。
(天线120)
如图2所示，天线120设置于基座部20的表面，虽未图示，但与半导体元件110电连接。此外，天线120的位置限定于基座部20的表面，也可以设置于基座部20的背侧。
另一方面，天线120位于电波吸收部件30的外侧。
与此相对，由于半导体元件110位于电波吸收部件30内，因此也可以在电波吸收部件30形成贯通内外的贯通孔。
(天线罩130)
如图2所示，天线罩130是透过电波的外壳，包围整个电波吸收部件30。电波吸收部件30和天线120位于天线罩130的内部。
天线罩130由例如“PBT树脂”形成，介电常数为例如“5”，厚度为例如“1mm”。此外，作为天线罩130的材质，例示了“PBT树脂”，作为介电常数，例示了“5”，但不限于此。
另外，突起部60的形状为例如“圆锥”，高度为“1.5mm”。并且，相邻的突起部60的间隔、即在该图的左右方向以及图面的厚度方向上相邻的突起部60的间隔为例如“1mm”。
此外，作为突起部60的形状，例示了“圆锥”，作为高度，例示了“1.5mm”，作为相邻的突起部60的间隔，例示了“1mm”，但并不限定于此。
(图1的各部分的尺寸)
对图1中各部分的尺寸a～d进行说明。
各部分的尺寸a～d如下。
(1)a是基座部20的厚度，例如是“1.5mm”。
(2)b是突起部60的厚度，例如是“1.0mm”。
突起部60的厚度优选为“0.1mm”以上且“2.0mm”以下。
这是因为，在突出高度小于0.1mm的情况下，在注射成型时难以向模具的凹形状100％填充树脂。另外，基座部20与顶部50的间隙的高度h优选为λ/2以下，在“λ＝76.5GHz”的情况下，λ为“4mm”，h为“2mm”。
因此，若突起部60的厚度超过“2.0mm”，则无法在间隙的高度h内配置突起部60。此外，突起部60的高度h优选为1.0mm以下。
进一步优选为0.1mm以上且1.0mm以下。
(3)c是半导体元件110的厚度，例如是1.0mm。
半导体元件110的厚度优选为0.1mm以上且1.0mm以下。
(4)d是基座部20与顶部50的间隙的高度，例如是2.0mm。
间隙的高度h优选为λ/2以下，在λ＝76.5GHz的情况下，λ为4mm，h为2mm。
此外，各部分的尺寸a～h并不限定于例示的距离、厚度。
(卡合部70)
如图1～图4所示，卡合部70由卡定爪71、卡合孔72构成。
如图1以及图2所示，卡定爪71从侧部40的左右外侧面分别突出。卡定爪71以截面为将斜面朝下的直角三角形的方式突出。另外，如图3以及图4所示，卡定爪71前后突出一对。
如图1以及图2所示，卡合孔72是各卡定爪71分别嵌入的孔。卡合孔72是从基座部20以板状朝向上方突出，在高度的中途沿厚度方向贯通而形成卡定爪71嵌入的孔。
当卡合孔72与卡定爪71配合而嵌入时，被卡定爪71按压，因树脂的弹性而向相互分离的方向挠曲。当卡合孔72的孔位于卡定爪71时，通过弹性复原力而与凸榫嵌合。结果，基座部20相对于侧部40一触式固定。
此外，在由刚性部件形成从基座部20突出的板状部分的情况下，也可以使由合成树脂形成的侧部40挠曲，通过弹性复原力而卡合。
另外，在固定状态下，利用弹性使卡合孔72与卡定爪71脱离卡合，从而也能够从侧部40卸下基座部20。另外，也可以将卡定爪71设于基座部20侧，将卡合孔72设于侧部40侧。
(侧部40与基座部20的其他固定方法)
作为侧部40与基座部20的其他固定方法，除了卡合部70，还有“夹入”、“热铆接”。
作为“夹入”，例如可以在侧部40设置朝向基座部20侧突出的突起，在基座部20侧设置突起单向地嵌入的孔。在将基座部20安装于侧部40时，将突起对准孔嵌入，从而能够将基座部20固定于侧部40。此外，在固定状态下，将突起从孔中强行拔出，从而也能够从侧部40卸下基座部20。另外，也可以将突起设置于基座部20侧，将孔设置于侧部40侧。
作为“热铆接”，例如可以在侧部40设置朝向基座部20侧突出的柱，在基座部20侧设置柱贯通的贯通孔。在将基座部20安装于侧部40时，使柱穿过贯通孔并突出，利用热将突出端熔化，铆接成直径比贯通孔大，从而能够将基座部20固定于侧部40。此外，也可以将柱设置于基座部20侧，将贯通孔设置于侧部40侧。
(图6以及图7的突起部60的配置)
使用图6以及图7对突起部60的配置进行说明。
如图6所示，突起部60在顶部50的顶面二维地以恒定的周期排列于大致整个面。
如图7所示，突起部60的宽度分别为W1、W2，具有横向间隙G1、纵向间隙G2，且以横向周期P1、纵向周期P2的周期二维地排列。
另外，“周期性”不限于全部突起部60，也包括以突起部60的一部分的组61为单位具有周期性的情况。
(电波吸收体10的制造方法)
关于电波吸收体10的制造方法，通过使用模具由合成树脂一体成形电波吸收部件30的方法来制造。
此外，也可以将电波吸收部件30和基座部20一体成形。此时，通过在将位于四方的侧部40的一面～三面开放的状态下进行成形，能够将电波吸收部件30和基座部20一体成形。
另外，也可以将电波吸收部件30的侧部40、顶部50、突起部60、卡合部全部、即四个部件一体成形，也可以单独成形，用粘接剂等固定。
另外，也可以将除了卡合部的三个部件一体成形，将卡合部这一个部件单独成形，并利用粘接剂等固定于侧部40。另外，也可以将除了侧部40和卡合部的顶部50和突起部60这两个部件一体成形，将剩余的侧部40和卡合部这两个部件单独成形，并利用粘接剂等固定于顶部50。此时，可以将剩余的侧部40和卡合部这两个部件一体成形，也可以独立成形并利用粘接剂等固定。
(合成树脂的种类)
作为合成树脂的种类，基本上与树脂的种类无关，作为绝缘材料，例如使用聚丙烯。为了使合成树脂具有吸收电波的特性，只要向绝缘材料中添加导电填料就能够得到目的的材料。
作为绝缘材料，除了聚丙烯，例如使用低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、i-聚丙烯、石油树脂、聚苯乙烯、s-聚苯乙烯、色满-茚树脂、萜烯树脂和苯乙烯-二乙烯基苯共聚物，ABS树脂、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯腈、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、聚氰基丙烯酸酯、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩甲醛，聚乙烯醇缩醛、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-乙烯共聚物、聚偏氟乙烯、偏氟乙烯-乙烯共聚物、偏氟乙烯-丙烯共聚物、1,4-反式聚丁二烯，聚甲醛、聚乙二醇、聚丙二醇、苯酚-甲醛树脂、甲酚-甲醛树脂、间苯二酚树脂、三聚氰胺树脂、二甲苯树脂、甲苯树脂、乙二醇树脂，改性乙二醛树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、不饱和聚酯树脂、烯丙基酯树脂、聚碳酸酯、6-尼龙、6,6-尼龙或6,10-尼龙等聚酰胺，聚苯并咪唑、聚酰胺酰亚胺、硅树脂、硅橡胶、硅树脂、呋喃树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、聚苯醚、聚二甲基苯并呋喃、聚苯醚或聚二甲基苯并呋喃与三烯丙基异氰脲酸酯混合物，(聚苯醚或聚二甲基苯并呋喃与三烯丙基异氰脲酸酯、过氧化物)混合物、聚二甲苯、聚苯硫醚(PPS)、聚砜(PSF)、聚醚砜(PES)、聚醚醚酮(PEEK)、聚酰亚胺(PPI、KAPTON)、液晶树脂、这些多种材料的混合物等。
(图8的涉及突起部60的形状的图表)
图8的图表涉及突起部60的形状，用于说明反射系数(dB)与频率(GHz)的关系。
作为突起部60的形状，使用了本实施方式的正四棱锥和现有的没有凸形状的平板。
比较的结果是，在没有凸形状的平板的情况下，反射系数在“-4dB”推移，与此相对，在本实施方式的正四棱锥的情况下，反射系数从“-11dB”逐渐提高。
因此，能够推测为，在突起部60的形状为正四棱锥的情况下，与没有凸形状的平板的情况相比，能够提高电波反射特性。
(图9的涉及突起部60的高度的图表)
图9的图表涉及突起部60的高度，用于说明反射系数(dB)与频率(GHz)的关系。
关于突起部60的高度，使用高度t＝0.7mm和高度t＝1.7mm。
结果，在高度t＝0.7mm时，反射系数为“-11dB”且大致恒定，与此相对，在高度t＝1.7mm的情况下，反射系数从“-22dB”朝向“-19dB”逐渐下降。
因此，能够推测为，在提高了突起部60的高度t的情况下，能够提高电波的反射特性。
(图10的涉及突起部60的高度的其他图表)
图10的图表涉及突起部60的高度，用于说明透过系数(dB)与频率(GHz)的关系。
关于突起部60的高度，使用了高度t＝0.7mm和高度t＝1.7mm。
比较的结果是，在高度t＝0.7mm的情况下，透过系数从“-40dB”朝向“-45dB”逐渐提高，与此相对，在高度t＝1.7mm的情况下，透过系数从“-42dB”朝向“-51dB”逐渐提高。
因此，能够推测为，在提高了突起部60的高度t的情况下，能够提高电波透过特性。
(图11的涉及突起部60的相对介电常数的其他图表)
图11的图表涉及突起部60的材质的相对介电常数(Er)，用于说明反射系数(dB)与频率(GHz)的关系。相对介电常数(Er)是介质的介电常数与真空的介电常数之比。
关于突起部60的材质的相对介电常数(Er)的数值，使用以下的数值。
(1)相对介电常数(Er)为12.0(以下，“Er＝12.0”)，且材质为“介电损耗材料”。
(2)相对介电常数(Er)为10.2(以下，“Er＝10.2”)，且材质为“介电损耗材料”。
(3)相对介电常数(Er)为7.1(以下，“Er＝7.1”)，且材质为“介电损耗材料”。
(4)相对介电常数(Er)为5.0(以下，“Er＝5.0”)，且材质为“介电损耗材料”。
在Er＝12.0的情况下，反射系数为“-11dB”且大致恒定。
在Er＝10.2的情况下，反射系数为“-10dB”且大致恒定。
在Er＝7.1的情况下，反射系数从“-13dB”朝向“-16dB”逐渐提高。
在Er＝5.0的情况下，反射系数从“-9B”朝向“-11B”逐渐提高。
因此，突起部60的相对介电常数(Er)越低，电波的反射系数整体就越高。
(图12的涉及突起部60的相对介电常数的其他图表)
图12的图表是在与图11相同的条件下，关于突起部60的材质的相对介电常数(Er)，用于说明透过系数(dB)与频率(GHz)的关系。
在Er＝12.0的情况下，反射系数为“-44dB”且大致恒定。
在Er＝10.2的情况下，反射系数从“-34dB”朝向“-40dB”逐渐提高。
在Er＝7.1的情况下，反射系数从“-13dB”朝向“-16dB”逐渐提高。
在Er＝5.0的情况下，反射系数为“-4dB”且大致恒定。
因此，突起部60的相对介电常数(Er)越高，电波透过系数就越高。
(实施方式的第一特征点)
实施方式的高频通信装置100的电波吸收体10的第一特征点在于，在吸收毫米波雷达等无用辐射电波降低对高频通信装置100内的半导体元件110的电波干扰的高频通信装置100的电波吸收体10中，电波吸收体10包括：侧部40，其包围固定于在高频通信装置100所设置的基座部20的半导体元件110的周围；以及顶部50，其封闭由侧部40包围的开放面，在顶部50的内表面设置有朝向位于电波吸收体10内的半导体元件110突出、位于从半导体元件110分离的位置且周期性地配置的多个突起部60，突起部60朝向半导体元件110形成为尖细状，且由合成树脂一体成形。
(第一特征点的效果)
根据第一特征点，将突起部60朝向半导体元件110形成为尖细状，并且由合成树脂一体成形，从而树脂制的突起部60也能够与现有的金属制的突起物(参照专利文献1的第“0018”段、图1以及图4)同等地得到吸收无用辐射电波的特性。
另外，根据本发明的一方案，与现有的金属制的突起物相比，能够提高电波吸收体10的量产性，另外，能够降低成本，能够进一步实现轻量化。
并且，根据本发明的一方案，将突起部设为树脂制，从而能够不受氧化的影响，降低电波吸收体10的量产偏差、经时变化。
(实施方式的第二特征点)
实施方式的电波吸收体10的第二特征点在于，突起部60朝向半导体元件110以正多棱锥形状、圆锥形状或半球形状突出。
(第二特征点的效果)
根据第二特征点，对突起部60采用正多棱锥形状、圆锥形状或半球形状，从而与现有的长方体的突起部(专利文献1的第“0019”段)相比，如图8所示，能够使反射系数为-10dB以下。
(实施方式的第三特征点)
实施方式的电波吸收体10的第三特征点在于，顶部50和突起部60由合成树脂一体成形。
(第三特征点的效果)
根据第三特征点，通过利用合成树脂一体地成形顶部50和突起部60，能够使电波吸收体10的制造简便。
(实施方式的第四特征点)
实施方式的电波吸收体10的第四特征点在于，顶部50、突起部60以及侧部40由合成树脂一体成形。
(第四特征点的效果)
根据第四特征点，通过利用合成树脂一体地成形顶部50、突起部60以及侧部40，能够使电波吸收体10的制造更加简便。
另外，对于根据规格而不同的半导体元件110的高度、突起部60的高度，通过改变侧部40的长度，也能够容易地设定或变更顶部50与半导体元件110的间隔。
(实施方式的第五特征点)
实施方式的电波吸收体10的第五特征点在于，在侧部40设置用于安装于基座部20的卡合部。
(第五特征点的效果)
根据第五特征点，能够通过侧部40的卡合部安装基座部20，因此能够简便且迅速地进行电波吸收体10的组装。为了向基座部20安装，不需要螺钉、粘接剂等安装机构，因此能够有助于部件数量的削减。
(实施方式的第六特征点)
实施方式的电波吸收体10的第六特征点在于，突起部60的从顶部50的内表面到前端部的突出高度为0.1mm以上且2.0mm以下。
(第六特征点的效果)
根据第六特征点，在突出高度小于0.1mm的情况下，在注射成型时难以向模具的凹形状100％填充树脂。另外，基座部20与顶部50的间隙的高度h优选为λ/2以下，在λ＝76.5GHz的情况下，λ为4mm，h为2mm。
因此，若超过2.0mm，则无法在间隙的高度h配置突起部60。此外，突起部60的高度h优选为1.0mm以下。
(实施方式的第七特征点)
实施方式的电波吸收体10的第七特征点在于，突起部60的材料的相对介电常数为4以上且26以下。
(第七特征点的效果)
根据第七特征点，若相对介电常数小于“4”，则如图12所示，电波透过特性接近“0dB”，电波透过特性过低。
即，通常当向树脂平板照射电波时，一部分电波在表面反射而返回，这成为问题。
因此，本实施方式的凸形状(突起部60)具有如下作用：通过在相邻的凸形状的斜面间反复多次反射，从而使电波一点一点地进入材料内部，防止反射。
另外，为了使进入的电波在材料内转换成热能而使电波不能透过，需要介电常数高的材料。
这是为了吸收目的(不透过而在材料内部消除电波)而选定介电常数高的材料的理由。
相反，在其他公司专利的使用介电常数低的材料的情况下，电波在材料内不变化成热能而是透过。该情况下，目的在于防止表面反射，提高透射率。是雷达罩所需的现象。
另外，若相对介电常数超过“26”，则突起部60的材质的选择变得困难。
符号说明
10—电波吸收体，20—基座部，30—电波吸收部件，40—侧部，50—顶部，60—突起部，61—组，70—卡合部，71—卡定爪，72—卡和孔，100—高频通信装置，110—半导体元件，120—天线，130—天线罩。
Claims (17)
1.一种高频通信装置的电波吸收体，其吸收毫米波雷达等无用辐射电波，降低对高频通信装置内的半导体元件的电波干扰，
其特征在于，
所述电波吸收体包括：
侧部，其将固定于在所述高频通信装置所设置的基座部的半导体元件的周围包围；以及
顶部，其封闭由所述侧部包围的开放面，
在所述顶部的内表面设置多个突起部，该突起部朝向位于所述电波吸收体内的所述半导体元件突出，位于从所述半导体元件分离的位置，且周期性地配置，
所述突起部朝向所述半导体元件形成为尖细状，由合成树脂一体成形。
2.根据权利要求1所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
所述突起部朝向所述半导体元件以正多棱锥形状或圆锥形状突出。
3.根据权利要求1或2所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
所述顶部和所述突起部由合成树脂一体成形。
4.根据权利要求1或2所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
所述顶部、所述突起部以及所述侧部由合成树脂一体成形。
5.根据权利要求3所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
所述顶部、所述突起部以及所述侧部由合成树脂一体成形。
6.根据权利要求1或2所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
在所述侧部设置有用于安装于所述基座部的卡合部。
7.根据权利要求3所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
在所述侧部设置有用于安装于所述基座部的卡合部。
8.根据权利要求4所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
在所述侧部设置有用于安装于所述基座部的卡合部。
9.根据权利要求1或2所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
所述突起部的从所述顶部的内表面到前端部的突出高度为0.1mm以上且2.0mm以下。
10.根据权利要求3所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
所述突起部的从所述顶部的内表面到前端部的突出高度为0.1mm以上且2.0mm以下。
11.根据权利要求4所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
所述突起部的从所述顶部的内表面到前端部的突出高度为0.1mm以上且2.0mm以下。
12.根据权利要求6所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
所述突起部的从所述顶部的内表面到前端部的突出高度为0.1mm以上且2.0mm以下。
13.根据权利要求1或2所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
所述突起部的材料的相对介电常数为4以上且26以下。
14.根据权利要求3所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
所述突起部的材料的相对介电常数为4以上且26以下。
15.根据权利要求4所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
所述突起部的材料的相对介电常数为4以上且26以下。
16.根据权利要求6所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
所述突起部的材料的相对介电常数为4以上且26以下。
17.根据权利要求9所述的高频通信装置的电波吸收体，其特征在于，
所述突起部的材料的相对介电常数为4以上且26以下。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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