CN118198050A - 显示器及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示器及其驱动方法。根据本发明一实施例的显示器包括：下部电极，包括在水平方向上以规定间隔隔开的多个电极；多个超薄型LED元件，FIN型作为长度大于厚度且第一导电半导体层、光活性层和第二导电半导体层沿厚度方向堆叠的元件，在所述下部电极上形成的多个子像素空间分别设置有至少两个超薄型LED元件；上部电极，以与所述多个超薄型LED元件的上部接触的方式配置；以及开关，在每个子像素空间中，针对所述下部电极中相邻的第一电极和第二电极，所述开关的一端连接到第一电极，另一端连接到第二电极。在所述开关接通的状态下，执行对所述多个超薄型LED元件的驱动功能。

Description

显示器及其驱动方法
技术领域
本发明涉及一种显示器的像素结构技术，更具体地，涉及一种具有超薄型LED元件的显示器中实现了使得对准电极与驱动电极之间能够进行转换的切换功能的像素结构技术。
背景技术
纳米-LED是采用纳米单位的发光二极管(LED)的发光元件，微米-LED是采用微米单位的LED的发光元件。这样的微米-LED和纳米-LED(以下，称为“微纳米型LED”)可以实现优异的色彩和高效率，并且是环保且寿命长的自发光元件。因此，微纳米型LED用作显示器的核心材料。其结果，仍在继续进行将配备微-纳米-FIN型发光二极管(Micro-Nano LED)的微米-LED显示器或纳米-LED显示器应用于智能手机和TV等各种显示器的上的研究开发。此外，为了实现微米-LED显示器或纳米-LED显示器的商业化，正在积极开展新结构或新图案制造工艺的研究。
最近，利用红、绿、蓝微米-LED的100英寸以上TV用大型显示器已经商业化。今后，通过蓝色子像素以及红色和绿色子像素实现全彩的TV将会商业化，所述蓝色子像素是利用蓝色的微米-LED或纳米-LED实现的，所述红色和绿色子像素是通过蓝色的LED发光量子点实现的。同时，红色、绿色、蓝色的纳米-LED显示器TV也将会商业化。
微米-LED显示器具有高性能特性且具有理论寿命极长、效率高等优点。然而，当将这样的微米-LED显示器开发成8K分辨率的显示器时，需要将红色微米-LED、绿色微米-LED和蓝色微米-LED一一对应于近1亿个子像素中的每一个。由此，目前用于制造微米-LED显示器的拾取和放置(pick place)技术存在单价高、工艺不良率高以及生产率低等问题，使得难以制造从智能手机到TV的真正含义上的高分辨率的商用显示器。特别是，利用如微米-LED的拾取和放置(pick and place)技术，将纳米-LED单独一一配置在子像素中更加困难。
为了克服这些难题，提出了韩国授权专利公报第10-1436123号。这样的现有技术公开了一种显示器，其向子像素投入混合有纳米棒LED的溶液后，通过在两个对准电极之间形成电场(electric field)来使纳米棒型LED元件在电极上磁对准，由此，实现子像素。然而，该显示器存在以下问题：向n型半导体层施加电流的电极与纳米棒型LED元件的p型半导体层在水平方向上隔开，因此在制作子像素时不容易排列用于寻址的水平和垂直电极。此外，用于该显示器的纳米棒型LED由于提取光的面积很小而效率不好，因此存在为了达到预期的效率而必须安装许多数量的LED的问题，且存在纳米棒LED本身的制造工艺过程中会发生不可避免的缺陷的问题。
下面将详细描述纳米棒型LED本身的不可避免的缺陷。已知纳米棒型LED元件通过将LED晶圆经过纳米图案工艺和混合干法蚀刻(dry etching)/湿法蚀刻(wet deching)以自上而下(top-down)方式制备，或者直接在基板上以自下而上(bottom-up)方式生长。这种纳米棒型LED中，LED长轴与堆叠方向一致，即，与p-GaN/InGaN多量子阱(MQW)/n-GaN堆叠结构中每层的堆叠方向一致。因此，在纳米棒型LED的情况下，存在如下问题：由于发光面积小，相对地，表面缺陷对效率下降有显著影响，难以优化电子-空穴的复合速度，导致发光效率明显低于晶圆原有效率。
为了解决纳米棒型LED的这种问题，提出了韩国授权专利公报第10-2345917号等的具有新超薄形态的微纳米型LED元件(以下称为“超薄元件”或“超薄型LED元件”)。在这种超薄元件的情况下，在制造子像素时可以更容易地实现用于寻址的电极配置，并且可以利用电场轻松地排列微米或纳米单位的超小型元件。不仅如此，超薄元件具有较大的发光面积，表面缺陷导致的效率下降被最小化，并且电子-空穴复合率可以被优化。
当利用这种超薄元件实现显示器的像素时，需要用于在对准像素中对准超薄元件的对准电极，并且需要用于使得已对准的超薄元件相应像素中工作的驱动电极。此时，对准电极位于下部，形成水平电场，并根据该水平电场对位于其上部的超薄元件进行对准。另外，驱动电极位于对准的超薄元件的下部和上部，以在垂直方向上施加超薄元件的发光所需的电流。
当利用这样的超薄元件的显示器的像素中，分别设置对准电极和驱动电极时，存在像素结构变得复杂并且制造成本增加的问题。为了解决这种问题，目前需要一种可同时用于超薄元件的对准和驱动的新电极结构。
然而，上述内容仅提供本发明的背景信息，并不相当于先前公开的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：KR10-1436123B
专利文献2：KR10-2345917B
发明内容
本发明要解决的技术问题
发明内容为了解决上述现有技术的问题，本发明的目的在于提供一种电极结构技术，其在利用超薄型LED元件的显示器的像素结构中，可同时用于相应LED元件的对准和驱动。
即，本发明旨在提供一种像素结构技术，其在利用超薄型LED元件的显示器的像素结构中，实现对准电极与驱动电极之间可进行功能转换的切换功能。
然而，本发明要解决的问题并不限于上述问题，本领域技术人员从下面的描述中可以清楚地理解未提及的其他问题
本发明是在以下国家研发事业的支持下进行研究的，国家研发事业的详细信息如下。
【课题固有编号】1415174040
【课题编号】20016290
【部门名称】产业通商资源部
【课题管理(专业)机构名称】韩国产业技术评价管理院
【研究事业名称】电子部件产业技术开发-超大型微LED模块化显示器
【研究课题名称】用于模块化显示器的亚微米蓝光光源技术开发
【课题执行机构名称】国民大学产学合作财团
【研究期间】2021-04-01～2024-12-31
【课题固有编号】1711130702
【课题编号】2021R1A2C2009521
【部门名称】科学技术信息通信部
【课题管理(专业)机构名称】韩国国家研究基金会
【研究事业名称】骨干研究员支持事业
【研究课题名称】Dot-LED材料及显示器原创/应用技术开发
【课题执行机构名称】国民大学产学合作团
【研究期间】2021.03.01～2026.02.28
技术方案
解决上述问题的根据本发明一实施例的显示器包括：下部电极，包括在水平方向上以规定间隔隔开的多个电极；多个超薄型LED元件，所述多个超薄型LED元件作为长度大于厚度且第一导电半导体层、光活性层和第二导电半导体层沿厚度方向堆叠的元件，在所述下部电极上形成的多个子像素空间(sub-pixel sites)分别设置有至少两个超薄型LED元件；上部电极，以与所述多个超薄型LED元件的上部接触的方式配置；以及开关，在每个子像素空间中，针对所述下部电极中相邻的第一电极和第二电极，所述开关的一端连接到第一电极，另一端连接到第二电极，在所述开关接通(on)的状态下，执行对所述多个超薄型LED元件的驱动功能。
根据所述开关的接通(on)/断开(off)，转换对所述多个超薄型LED元件的驱动功能和对准功能的转换，当执行所述对准功能时，所述开关断开。
在所述开关的断开(off)状态下，对所述多个超薄型LED元件执行对准功能，并且所述对准功能可以在制造过程中执行。
在所述驱动功能期间，可以将高电压施加到所述上部电极并且将低电压施加到所述下部电极。
在所述驱动功能期间，可以将低电压交替地施加到所述第一电极和所述第二电极。
所述下部电极呈板状且可以在其表面包括反射材料，所述反射材料用于将从每个子像素空间中的所述多个超薄型LED元件发射的光反射到作为前部面的上部。
所述下部电极可以包括屏蔽材料，所述屏蔽材料阻挡从配置在每个子像素空间下侧的晶体管和信号线感应到的电场。
所述下部电极呈板状且可以在其表面包括反射材料，同时所述下部电极包括屏蔽材料，所述反射材料用于将从每个子像素空间中的所述多个超薄型LED元件发射的光反射到作为前部面的上部，所述屏蔽材料阻挡从配置在下侧的晶体管和信号线感应到的电场。
所述第一电极和所述第二电极的水平方向上的各厚度可以大于所述第一电极和所述第二电极之间在水平方向上的隔开间隔。
位于第一子像素空间的所述第二电极以及位于第二子像素空间且邻近所述第二电极的第三电极之间在水平方向上的隔开间隔可以小于所述第一电极和所述第二电极的在水平方向上的各厚度。
根据本发明一实施例的驱动方法是包括上述结构的显示器的驱动方法，所述方法包括：驱动步骤，在所述开关接通(on)的状态下，执行所述驱动功能。
根据本发明一实施例的驱动方法还可以包括：根据所述开关的接通(on)/断开(off)，转换对所述多个超薄型LED元件的驱动功能和对准功能的步骤，当执行所述对准功能时，所述开关断开。
在所述对准功能期间，可以将高电压施加到所述第一电极且低电压施加到所述第二电极。
所述驱动步骤可以包括：将高电压施加到所述上部电极并且将低电压施加到所述下部电极的步骤。
所述驱动步骤可以包括：将低电压交替地施加到所述第一电极和所述第二电极的步骤。
有益效果
如上所述配置的本发明具有如下优点：可以提供一种电极结构技术，其在利用超薄型LED元件的显示器的像素结构中，可同时用于相应LED元件的对准和驱动。
即，本发明具有如下优点：随着实现在利用超薄型LED元件的显示器的像素结构中可进行对准电极与驱动电极之间的功能转换的切换功能，从而可有效执行对准和驱动功能。
此外，本发明具有如下优点：当执行驱动功能时，对于下部电极的相邻电极中第一电极和第二电极交替施加低电压，从而可以大大提高受该相邻电极电压影响的超薄型LED元件的寿命。
另外，本发明具有如下优点：通过下部电极以低成本实现反射功能和屏蔽功能，同时有助于提高图像质量。
从本发明可以获得的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员可以从下面的描述中清楚地理解未提及的其他效果。
附图说明
图1示出根据本发明一实施例的显示器1000的平面示意图。
图2示出沿图1中X-X'线截取的剖面示意图。
图3A-图3B示出根据本发明一实施例的显示器1000的某一像素中，用于微纳米型LED元件100的对准的开关700的动作的示意图。
图4A-图4B示出根据本发明一实施例的显示器1000的某一像素中，用于微纳米型LED元件100的驱动的开关700的动作的示意图。
图5示出包括在本发明一实施例的微纳米型LED元件100的示意图。
图6示出作为传统技术的水平排列棒型LED元件100’的示意图。
图7示出根据本发明一实施例的驱动方法的顺序图。
附图标记的说明
100：微纳米型LED元件
200：下部电极 300：上部电极
400：基板 500：通电用金属层
600：绝缘层 700：开关
1000：显示器
具体实施方式
通过下面结合附图的详细描述，本发明的目的、手段及其效果将变得更加清楚，由此本发明所属领域的技术人员将能够容易地实施本发明的技术思想。另外，在描述本发明时，如果判断与本发明相关的已知技术的详细描述可能不必要地模糊本发明的要旨，则将省略其详细描述。
本说明书中使用的术语是为了说明实施例，并不是要限制本发明。在本说明书中，除非在上下文中另外具体说明，否则单数形式根据情况包括复数形式。在本说明书中，诸如“包括”、“设有”、“提供”或“具有”等术语不排除除所提及的构成要素之外的一种或多种其他构成要素的存在或添加。
在本说明书中，“或”、“至少一个”等术语可以表示一起列出的词语之一，或者两个以上的组合。例如，“A或B”、“A和B中的至少一个”可以仅包括A或B，或者包括A和B两者。。
在本说明书中，“例如”等用语随后的描述可以与所呈现的信息(例如引用的特性、变量或值)不完全匹配，根据本发明的各种实施例的本发明的实施方式不应受到公差、测量误差、测量精度的极限和包括其他公知因素的变形等效果的限制。
在本说明书中，当某个构成要素被描述为“连接”或“结合”到另一构成要素时，应当理解可以直接连接或结合到另一构成要素，但存在其中间还可以存在其他构成要素。相反，当某个构成要素被提及为“直接连接”或“直接结合”到另一构成要素时，应该理解为其中间不存在其他构成要素。
在本说明书中，当某个构成要素被描述为在另一构成要素“上”或与另一构成要素“接触”时，应当理解为可以与另一构成要素直接接触或连接到另一构成要素，但其中间可以存在另一构成要素。相反，如果某个构成要素被描述为位于另一构成要素“正上方”或与另一构成要素“直接接触”，则可以理解为中间没有其他构成要素。描述构成要素之间的关系的其他表达时，例如“之间”和“直接～之间”，也可以类似地解释。
在本说明书中，诸如“第一”和“第二”等术语可以用于描述各种构成要素，但是该构成要素不应受到以上术语的限制。另外，上述术语不应被解释为限制每个构成要素的顺序，而是可以用于将一个构成要素与另一构成要素区分开的目的。例如，“第一构成要素”可以被命名为“第二构成要素”，类似地，“第二构成要素”也可以被命名为“第一构成要素”。
除非另外定义，本说明书中使用的所有术语可以以本发明所属领域的技术人员通常可以理解的含义来使用。此外，除非有明确定义，否则词典中定义的常用术语不会被理想地或过度地解释。
下面，将参照附图详细描述根据本发明的优选一实施例。
图1示出根据本发明一实施例的显示器1000的平面示意图，图2示出沿图1中X-X'线截取的剖面示意图。另外，图3A-图3B示出根据本发明一实施例的显示器1000的某一像素中，用于微纳米型LED元件100的对准的开关700的动作的示意图，图4A-图4B示出根据本发明一实施例的显示器1000的某一像素中，用于微纳米型LED元件100的驱动的开关700的动作的示意图。
根据本发明一实施例的显示器1000是被实现为在每个像素区域(sub-pixelsites)S1、S2中包括超薄的微纳米型LED元件的全彩LED显示装置。这些超薄的微纳米型LED元件也可称为“超薄元件”或“超薄型LED元件”。
参照图1至图4B，该显示器1000可以包括：下部电极200，包括在水平方向上以规定间隔隔开的多个电极211、212、213、214；多个微纳米型LED元件100，作为形成在下部电极200上的多个子像素空间S1、S2中的每一个子像素空间中包括至少两个元件并发光的超薄型LED元件；上部电极300，以与多个微纳米型LED元件100的上部接触的方式配置；以及开关700，所述开关700的一端和另一端分别与下部电极200中的相邻的电极211、212连接。这些下部电极200、多个微纳米型LED元件100和上部电极300可以提供在基板400上。
首先，对用于磁对准(magnetic alignment)微纳米型LED元件并使其发光的电极结构进行描述。
该显示器1000包括FIN型在上部和下部相对配置的上部电极300和下部电极200，并且在所述上部电极300和下部电极200之间具有微纳米型LED元件100。由于上部电极300和下部电极200不是沿水平方向排列的，因此相比于通过电场感应来实现元件磁对准(magneticalignment)的传统方式的显示器(以下称“传统显示器”)，电极设计非常简单且易于实现，可以解决传统显示器的问题。即，传统显示器存在如下问题：具有复杂的电极，其中，两种类型的电极在有限面积的平面内沿水平方向配置，使得超小型的厚度和宽度的电极以微米或纳米单位间隔隔开。另外，由于该显示器1000还易于排列TFT，因此不仅可以进行有源矩阵(active matrix)驱动，还可以进行作为x-y矩阵驱动的无源矩阵(passivematrix)驱动，从而具有更容易实现各种类型的显示器的优点。
下部电极200是用于对多个微纳米型LED元件100进行磁对准的组装电极，使得微纳米型LED元件100的厚度方向上的上部面或下部面接触。同时，下部电极200与稍后描述的上部电极300一起用作被配置为用于使微纳米型LED元件发光的驱动电极之一。当然，在传统显示器中，也有超小型LED安装在沿水平方向隔开的多个电极上。此时，传统显示器通过将相同的电极(即，沿水平方向隔开的电极)还作为驱动电极一起使用来使超小型LED元件发光，由此仅使用下部电极可用作组装电极和驱动电极。相反，在本发明中，下部电极200用作组装电极，但是仅用下部电极200无法使微纳米型LED元件发光，这与传统显示器不同。
下部电极200包括在水平方向上以规定间隔隔开的多个电极211、212、213、214。这样的下部电极200用作被配置为使微纳米型LED元件100发光的多个驱动电极之一。此时，由于微纳米型LED元件在厚度方向上的一个表面与下部电极200电连接，因此通过在水平方向上隔开设计，而几乎不需要多个数量的下部电极200。然而，为了用作将微纳米型LED元件磁对准(magneticalignment)到下部电极200上的组装电极，下部电极200考虑到微纳米型LED元件的长度而可以包括适当的设定数量和间隔的电极211、212、213、214。
另一方面，相邻的电极211与电极212之间间隔可以小于微纳米型LED元件100的长度。如果两个相邻电极之间间隔等于或大于微纳米型LED元件的长度，则微纳米型LED元件可以以夹在两个相邻电极之间的形式磁对准。在这种情况下，暴露于电极侧面和微纳米型LED元件侧面的光活性层之间的接触而发生电短路的可能性较大。
只要是沿水平方向隔开的配置，则包括在下部电极200中的多个电极211、212、213、214的配置没有限制。作为一例，多个电极211、212、213、214可以具有其在一个方向上以规定间隔隔开并排配置的结构，但不限于此。
上部电极300是被设计成与安装在下部电极200上的多个微纳米型LED元件100的上部电接触的电极，对其数量、配置和形状没有限制。然而，如图1所示，如果下部电极200在一个方向上并排排列，则上部电极300可以以垂直于一个方向的方式排列。这样的电极配置是过去已广泛应用于各种显示器的电极配置，从而具有能够直接使用各种传统显示领域中的电极配置和控制技术的优点。
另一方面，图1示出上部电极300仅覆盖部分元件，但是为了便于说明而省略了其他部分。即，与图1中所示的不同，还可以存在配置在微纳米型LED元件上部的未示出的上部电极300。
下部电极200和上部电极300可以具有常规显示器中使用的电极的材料、形状、宽度和厚度等，并且可以利用已知的方法来制造，本发明对此没有具体限制。作为一例，电极可以由铝、铬、金、银、铜、石墨烯、氧化铟锡(ITO)或它们合金等制成，并且可以具有2μm至50μm的宽度和0.1μm至100μm的厚度，但是可以考虑目标显示器的尺寸等适当更改。
尤其，利用下部电极200执行对准功能，使得微纳米型LED元件100配置在相邻电极211与电极212之间FIN型。即，可以执行相应的对准功能，使得微纳米型LED元件100的下部面的一端位于相邻电极211、212中的第一电极211上，微纳米型LED元件100的下部面的另一端位于第二电极212上。
具体地，参照图3A-图3B和图4A-图4B，可以执行对准功能，使得微纳米型LED元件100的一端位于彼此隔开的相邻电极211、212中的第一电极211，微纳米型LED元件100的另一端位于第二电极212。即，随着执行对准功能，可以实现后述的微纳米型LED元件100的第二导电半导体层4的一端位于第一电极211，后述的微纳米型LED元件100的第二导电半导体层4的另一端位于第二电极212的对准。在这种情况下，上部电极300配置在位于对准的微纳米型LED元件100中一侧(即，图3A-图3B中的上侧)的第一导电半导体层2的一侧(即，图3A-图3B中的上部)。
然而，本发明不限于此，还可以以后述的微纳米型LED元件100的第一导电半导体层2的一端位于相邻电极211、212中的第一电极211，后述的微纳米型LED元件100的第二导电半导体层2的另一端位于第二电极212的方式对准。在这种情况下，上部电极300配置在后述的微纳米型LED元件100的第一导电半导体层2的上部。在这种情况下，上部电极300配置在对准的微纳米型LED元件100中位于上侧的第二导电半导体层4的上部。
尤其，本发明还包括开关700，以实现可根据需要转换对准功能和驱动功能(或“发光驱动功能”)的切换功能。作为一例，开关700可以包括具有切换(switching)功能的元件，以根据来自驱动部(未示出)的驱动信号来接通(on)/断开(off)两端的电连接。作为一例，开关700可以包括MOSFET元件，但不限于此。
此时，对准功能是指通过施加到下部电极200中的相邻电极211、212的电压产生的电场，微纳米型LED元件100磁对准到相邻电极211、212的上部的功能。另外，驱动功能是指向通过施加到下部电极200和上部电极300的电压来对准配置到这些电极200、300之间的微纳米型LED元件100供给驱动电源，从而驱动微纳米型LED元件100发光的功能。
为了实现这种对准功能和驱动功能之间的切换功能，开关700的一端连接到下部电极200中的相邻电极211、212中的第一电极211，开关700的另一端连接到第二电极212。作为一例，开关700可以被提供为在每个像素空间中起作用，或者可以被提供为在分组像素空间中起作用，但不限于此。
当需要执行对准功能时，如图3A-图3B所示，开关700断开(off)导致下部电极200中的相邻电极211、212之间的连接断开。在这种状态下，微纳米型LED元件100的对准所需的高电压(例如，+电压)施加到第一电极211，并且低电压(例如，-电压)或接地(GND)连接到第二电极212。由此，根据下部电极200中的相邻电极211、212之间的电压差，在这些电极211、212之间产生电场，随之微纳米型LED元件100可以根据相应电场，在电极211、212上部以磁对准的方式配置。即，可以通过介电电泳对准微纳米型LED元件100。当然，在这种情况下，可以不向上部电极300施加任何电压。
相反，当需要执行驱动功能时，如图4A-图4B所示，开关700接通(on)并下部电极200中的相邻电极211、212之间电连接。由此，下部电极200中的相邻电极211、212可以具有相同的电势。在这种状态下，微纳米型LED元件100的驱动所需的高电压(例如，+电压)施加到上部电极300，低电压(例如，-电压)或接地(GND)连接到下部电极200中的相邻的电极211、212。由此，根据相应高电压和低电压的电源供应到配置在下部电极200和上部电极300之间的微纳米型LED元件100，随之可以驱动微纳米型LED元件100发光。
随着这种开关700的连接，本发明可以提供利用微纳米型LED元件100的显示器1000的像素结构中，同时用于对准和驱动相应LED元件100的电极结构。即，下部电极200可以用作在开关700的断开(off)状态下，为微纳米型LED元件100提供对准功能的电极。另外，下部电极200和上部电极300可以用作在开关700的接通(on)状态下，对对准的微纳米型LED元件100的驱动功能的电极。其结果，本发明具有能够更容易、快速、有效地执行对准功能和驱动功能以及这些功能之间的切换的优点。
另一方面，当执行驱动功能时，可以将低电压交替地施加到下部电极200中相邻的电极211、212中的第一电极211和第二电极212。作为一例，在第一时间期间，可以仅向第一电极211施加低电压，而不向第二电极212施加低电压，然后在第二时间期间，可以仅向第二电极212施加低电压，而不向第一电极211施加低电压，并且这些第一时间和第二时间可以重复。在这种情况下，由于低电压交替地施加到下部电极200的相邻的电极211、212，因此具有可以大大提高受相邻电极211、212的电压影响的微纳米型LED元件100的寿命的优点。
另外，虽然没有单独示出具有用于驱动开关700的电路的驱动部(未示出)，但是这种驱动部可以包括用于驱动开关元件的常规电路。即，当驱动部从该显示器1000的控制部(未示出)接收用于对准功能的第一控制信号时，可以根据相应的第一控制信号向开关700发送用于驱动开关700断开(off)的信号。另外，当驱动部从该显示器1000的控制部接收用于驱动功能的第二控制信号时，可以根据相应的第二控制信号向开关700发送用于驱动开关700断开(off)的信号。
然而，驱动功能的工作时间通常比对准功能的工作时间长。由此，开关700和驱动部也可以反映这一点，被实现为减少电力使用量。即，如果没有来自驱动部的单独的驱动信号提供到开关700或者施加较低的电压，则开关700默认地(default)接通(on)，而只有当从驱动部向开关700提供较高电压的特定驱动信号时，开关700才被实现为断开(off)。在这种情况下，当驱动部从控制部接收用于对准功能的第一控制信号时，可以根据相应的第一控制信号向开关700发送用于驱动开关700断开(off)的高电压信号。另外，当驱动部从该显示器1000的控制部接收用于驱动功能的第二控制信号时，不向开关700提供单独的驱动信号或向开关700发送低电压信号，从而开关700可以断开(off)。
作为一例，当开关700被实现为包括MOSFET元件时，上述开关700的一端可以是MOSEFET的源极或漏极中的任意一者，上述开关700的另一端可以是MOSEFET的源极或漏极中的另一者。在这种情况下，驱动部的驱动信号可以施加到MOSEFET的栅电极。
上述的对准功能可以在该显示器1000的制造工艺期间执行，但不限于此，还可以根据需要，在该显示器1000的制造工艺之后执行驱动功能期间额外执行。
另一方面，为了提高发光效率，需要反射功能来反射每个像素产生的光，使其发射到前部面。另外，由于像素空间的周围晶体管(TFT)和连接到该TFT的信号线等而产生电场。由于这些电场对发光效率有负面影响，因此为了减少这些电场的不利影响，需要屏蔽功能。
然而，当额外具有反射电极和屏蔽结构时，存在制造工艺变得复杂且制造成本增加的问题。为了解决此问题，该显示器1000中，下部电极200可以被实现为同时具有反射功能和屏蔽功能。
即，下部电极200呈板状且在其表面包括反射材料，以将从每个子像素空间S1、S2中的多个微纳米型LED元件100发射的光反射到上侧(前部面)。此时，反射材料可以包括具有反射光特性的任何材料。作为一例，反射材料可以包括Ag、Au、Al、Cr、Ni或它们的合金等，但不限于此。另外，下部电极200包括用于阻挡从配置在其下侧的多个晶体管(TFT)和连接到该TFT的信号线感应的电场的屏蔽材料。此时，屏蔽材料可以包括具有阻挡光的特性的任何材料。由此，本发明具有如下优点：通过下部电极200以低成本实现反射功能和屏蔽功能，同时有助于提高画质。
此时，为了提高反射功能和屏蔽功能的效率，需要扩大下部电极200在水平方向上的面积。为此，参照图1，某一像素空间S1中，优选地，下部电极200的相邻的电极211、212的水平方向上的各厚度d2大于相应电极211、212之间在水平方向上的隔开间隔d1。
另外，由于子像素空间S1、S2的之间对反射功能和屏蔽功能的效率影响不大，因此下部电极200中位于不同子像素空间S1、S2的相邻电极212，213之间在水平方向上的隔开间隔d3还可以大于d1。即，d3是位于第一子像素空间S1的第二电极212以及位于与第二电极212相邻的第二子像素空间S2的第三电极213之间在水平方向上的隔开间隔。
另外，为了最大限度地提高反射功能和屏蔽功能的效率，与图1所示不同，还可以优选d2大于d1和d3的。
此时，可需要一种技术(以下称为“防止技术”)，其防止微纳米型LED元件100配置在第二电极212与第三电极213之间。即，防止技术是一种防止微纳米型LED元件100的一侧位于第二电极212，而微纳米型LED元件100的另一侧位于第三电极213的技术。
为了实现这种防止技术，优选地，在执行上述对准功能时，将高电压和低电压中的相同电压施加到位于不同子像素空间S1、S2中彼此相邻的第二电极212和第三电极213。
作为一例，在执行上述对准功能时，在第一子像素空间S1中，可以将高电压施加到第一电极211，并将低电压施加到第二电极212。此时，在第二子像素空间S2中，可以将与第二电极212相同的低电压施加到与第二电极212相邻的第三电极211，并将高电压施加到第四电极214。
或者，执行上述对准功能时，在第一子像素空间S1中，可以将低电压施加到第一电极211，并将高电压施加到第二电极212。此时，在第二子像素空间S2中，可以将与第二电极212相同的高电压施加到与第二电极212相邻的第三电极211，并将低电压施加到第四电极214。
当然，当d2小于d1或d3时，也可以应用上述防止技术。
接下来，将描述配置在上述的下部电极200与上部电极300之间的微纳米型LED元件100。
图5示出包括在本发明一实施例的微纳米型LED元件100的示意图，图6示出作为传统技术的水平排列棒型LED元件100’的示意图。
即，图5示出第一导电半导体层2、光活性层3、第二导电半导体层4沿厚度方向堆叠的本发明的一实施例中包括的微纳米型LED元件100的示意图。相反，图6示出第一导电半导体层2、光活性层3、第二导电半导体层4沿长度方向堆叠的水平排列棒型LED元件100’的示意图。
作为超薄型LED元件的微纳米型LED元件100被配置为在下部电极200上的多个子像素S1、S2中至少包括两个，由此，即使每个子像素中配置的微纳米型LED元件中包括有不良的元件，所有子像素也可以发射规定的光，从而最小化或防止显示器发生不良像素。
另一方面，如图1和图2所示，微纳米型LED元件100在下部电极200的相邻的两个电极211、212上以接触的方式配置有堆叠有该微纳米型LED元件100中的每一个层的厚度方向上的一表面，即第一导电半导体层或第二导电半导体层的两端。另外，当第二导电半导体层4上还包括电极层(未示出)或极化感应层(polarization inducing layer)(未示出)时，微纳米型LED元件100的电极层可以以与下部电极200上部面接触的方式配置，或者第一导电半导体层2以与下部电极200的上部面接触的方式配置且电极层以与上部电极300接触的方式配置。另一方面，在还包括极化感应层(未示出)的微纳米型LED元件100的情况下，极化感应层可以配置在下部电极200上部面。
根据本发明的一实施例，如图2所示，为了减小在下部电极200上配置的多个微纳米型LED元件100之间的接触电阻，还可以包括与下部电极200接触的微纳米型LED元件100的导电半导体层以及连接下部电极200之间的通电用金属层500。这种通电用金属层500可以是银、铝或金等导电金属层，并且作为一例,可以形成为具有大约10nm的厚度。
另外，还可以包括在下部电极200上磁对准的微纳米型LED元件100以及与其上部电接触的上部电极300之间的空间中的绝缘层600。这种绝缘层600防止在垂直方向上相对的两个电极200、300之间的电接触，并且执行使上部电极300更容易实现的功能。
在该显示器1000中，每个子像素具有的多个微纳米型LED元件100能够发出基本相同的光色(以下称为“第一实现例”)。此时，基本相同的光色并不意味着发射的光的波长完全相同，而是一般指属于可以称为相同光色的波长范围内的光。作为一例，当光色为蓝色时，可以认为所有发出420nm～470nm波长范围内的光的微纳米型LED元件都发出基本相同的光色。作为一例，设置在根据本发明的第一实现例的显示器的微纳米型LED元件发出的光色为蓝色、白色或UV。
在这种第一实现例的情况下，在上部电极300上还可以包括单独的颜色转换层(未示出)。即，还可以在上部电极300上包括图案化的颜色转换层，使得多个子像素空间中的每一个成为独立地表现蓝色、绿色和红色中的任一种颜色的子像素空间。
作为一例，上部电极300可以包括蓝色转换层、绿色转换层和红色转换层图案化的颜色转换层，使得多个子像素空间中的每一个空间都成为独立表达蓝色、绿色和红色中的任一种颜色的子像素空间。此时，考虑到被设置的微纳米型LED元件100发出的光的波长，蓝色转换层、绿色转换层和红色转换层可以是已知的将穿过颜色转换层的光转换为蓝色、绿色和红色的颜色转换层，但本发明不特别限于此。另一方面，当微纳米型LED元件100为发出蓝光的元件时，不需要蓝色转换层，因此颜色转换层可以包括绿色转换层和红色转换层。
另外，还可以设置保护层(未示出)来保护上述颜色转换层。在这种情况下，保护层可以是在具有颜色转换的常规显示器中使用的保护层，但是本发明不特别限于此。
另一方面，该显示器1000中，每个子像素中设置的多个微纳米型LED元件100分别可以是独立地发出蓝色、绿色和红色光的元件(以下称为“第二实现例”)。作为一例，每个子像素空间S1、S2中分别可以独立地配置有至少两个能够发出蓝色、绿色和红色中的任一种颜色的任一颜色光的元件。另外，由于配置在子像素空间S1、S2中的元件本身发出期望的蓝色、绿色或红色光，因此不需要上部电极300上的单独的颜色转换层。另一方面，根据第二实现例的全彩LED显示器1000也还包括：下部电极200；用于减小微纳米型LED元件100之间的接触部分的电阻的通电用金属层500；以及绝缘层600，填充下部电极200与上部电极300之间。
另一方面，图1中，未示出常规显示器中设置的数据电极和栅电极等电极的配置，未示出的电极配置可以采用常规显示器中使用的电极配置。形成根据显示器的电极配置确定的子像素的空间(子像素位置(sub-pixel sites))可以形成在下部电极上。作为一例，图1示出子像素空间(S1、S2)形成在两个相邻的电极上的规定区域中，但本发明不限于此。
另外，子像素空间可以具有100μm×100μm以下的单位面积，作为另一例，可以具有30μm×30μm以下的单位面积，作为又一例，可以具有20μm×20μm以下的单位面积。由于如上所述尺寸的单位面积小于利用LED的显示器的单位子像素面积，因此可以在最小化LED占用的面积比例的同时实现大面积化。由此，这有利于实现高分辨率显示器。另一方面，每个子像素空间的单位面积可以不同。另外，可以对子像素空间的表面进行单独的表面处理，或者可以形成凹槽。
配置在这样的子像素空间的至少两个微纳米型LED元件100是元件长度大于厚度并且沿厚度方向堆叠有第一导电半导体层2、光活性层3和第二导电半导体层4的元件。更具体地，参照图5，在微纳米型LED元件100中，以相互垂直的X、Y、Z轴为基准，可以将X轴方向称为长度、将Y轴方向称为宽度、将Z轴方向称为厚度。此时，微纳米型LED元件100是在由长度和宽度组成的X-Y平面上具有规定形状的棒型元件。此时，垂直于平面的方向为厚度方向，元件的长度为长轴，厚度为短轴。
这种微纳米型LED元件100可以是其中第一导电半导体层2、光活性层3和第二导电半导体层4沿厚度方向依次堆叠的元件。这种结构的微纳米型LED元件100的优点如下：即使暴露于侧面部分的光活性层3的厚度变薄，由于由长度和宽度组成的平面，也能够确保更大的发光面积。因此，微纳米型LED元件100的发光面积可以具有超过微纳米型LED元件纵向截面面积的两倍的大发光面积。其中，纵向截面是与作为长度方向的X轴方向平行的截面，并且可以是在具有恒定宽度的元件的情况下的X-Y平面。
具体地，通过比较图5和图6进行说明。图5所示的微纳米型LED元件100和图6所示的水平排列棒型LED元件100’均具有其中第一导电半导体层2、光活性层3和第二导电半导体层4堆叠的结构。此时，微纳米型LED元件100和水平排列棒型LED元件100’可以是具有相同的长度(l)和厚度(m)以及相同的光活性层的厚度(h)的棒型的元件。然而，在微纳米型LED元件100中，第一导电半导体层2、光活性层3和第二导电半导体层4沿垂直方向，即沿厚度方向堆叠。相反，在水平排列棒型LED元件100’中，每个层沿水平方向，即沿长度方向堆叠，因此与微纳米型LED元件100在结构上具有差异。
尤其，两个元件100、100'的发光面积具有较大差异。作为一例，可以假设长度(l)为4500nm，厚度(m)为600nm，光活性层3的厚度(h)为100nm。在这种情况下，对应于发光面积的微纳米型LED元件100的光活性层3的表面积与水平排列的棒型元件100'的光活性层3表面积之比为6.42μm2:0.75μm2。由此，微纳米型LED元件100的发光面积为8.56倍。并且，微纳米型LED元件100中，整个光活性层的发光面积中暴露于外部的光活性层3的表面积的比例与水平排列的棒型元件100’中相似。然而，由于光活性层3的未暴露表面积的绝对值增大很多，因此暴露表面积对激子(exciton)的影响就会大大减小，微纳米型LED元件100的表面缺陷对激子的影响比水平排列的棒型元件100'小很多。结果，可以评价为微纳米型LED元件100在发光效率和亮度方面显著优于水平排列的棒型元件100'。
另外，在水平排列的棒型元件100'的情况下，通过在厚度方向上蚀刻导电半导体层和光活性层沿厚度方向堆叠的晶圆。由此，长元件的长度对应于晶圆的厚度，并且为了增加元件的长度，蚀刻的深度的增加是不可避免的。然而，随着蚀刻深度的增加，元件表面出现缺陷的可能性增大，因此最终即使水平排列的棒型元件100'的暴露的光活性层的面积小于微纳米型LED元件100，也会增加出现表面缺陷的可能性。由此，考虑到由于表面缺陷的可能性增加而导致的发光效率的降低，微纳米型LED元件100在发光效率和亮度方面会显著优于水平排列的棒型元件100'。
进一步地，在微纳米型LED元件100中，从第一导电半导体层2和第二导电半导体层4中的任一者注入的空穴与从另一个注入的电子的移动距离相比于水平排列棒型LED元件100’短。由此，微纳米型LED元件100在电子和/或空穴移动期间由于壁表面的缺陷而捕获电子和/或空穴的概率降低，从而可以最小化发光损失，并且有利于最小化由于电子-空穴速度不平衡导致的发光损失。另外，在水平排列棒型LED元件100’的情况下，由于圆棒型结构而发生强光路行为，因此由电子-空穴产生的光路在长度方向上谐振。由此，由于水平排列棒型LED元件100’从长度方向的两端发光，因此当元件平躺配置时，由于侧表面发光轮廓强，因此前部面发光效率差。相反，在微纳米型LED元件100的情况下，由于从上部面和下部面发射光，因此具有表现出优异的前部面发光效率并由此提高显示器的前部面亮度的优点。
在本发明一实施例中包括的微纳米型LED元件100中，平面在图5中被示出为矩形，但不限于此。即，微纳米型LED元件100可以形成各种形状，如菱形、平行四边形或梯形等一般的一般的四边形到圆形或椭圆形，但不限于此。
另外，根据本发明一实施例的微纳米型LED元件100具有微米或纳米单位的长度和宽度。作为一例，在微纳米型LED元件100的长度可以为1000nm～10000nm，宽度可以为100nm～3000nm，厚度可以为100nm～3000nm。长度和宽度的基准可根据平面的形状而变化。作为一例，如果平面是菱形或平行四边形，则两条对角线之一可以是长度，另一条可以是宽度。或者，在梯形的情况下，高、顶边和底边中的较长边可以是长度，并且垂直于较长边的短边可以是宽度。或者，当平面的形状是椭圆形时，椭圆形的长轴可以是长度，短轴可以是宽度。
微纳米型LED元件100的长度和厚度的比例是3:1以上，更优选地为6:1以上，长度更长。由此，具有能够更容易地通过电场与电极磁对准的优点。当微纳米型LED元件100的长度和厚度比例小于3:1，长度变小时，会难以通过电场使元件在电极上磁对准，并且由于元件没有固定在电极上，因此存在因工艺缺陷导致电接触短路的风险。然而，长度和厚度的比例可以是15:1以下，由此，可有利于实现优化通过电场引起磁对准的转向力等本发明的目的。
另外，在平面上长度和宽度的比例也优选为3:1以上，更优选为6:1以上，长度更长，由此，可以具有更容易通过电场与电极磁对准的优点。然而，长度和宽度的比例可以为15:1以下，由此，可以有利于在执行对准功能时优化通过电场的磁对准(magneticalignment)的转向力。此时，转向力可以指通过施加到多个电极211、212的电压产生的电场，使沿相反方向配置的微纳米型LED元件100产生运动(即，转向运动)，从而使微纳米型LED元件100再次沿正方向对准的力(例如，磁力)。
另外，微纳米型LED元件100的宽度可以大于或等于厚度。由此，具有如下优点：当该显示器1000的制造过程中利用电场将微纳米型LED元件100对准到下部电极200中的两个电极211、212上时，可以最小化或防止侧躺对准。当微纳米型LED元件侧躺对准时，即使实现一端与另一端分别与两个不同的电极接触的对准和安装，也由于暴露于元件的侧面的光活性层与电极接触时发生电短路，元件可能不会发光。结果，会降低显示器亮度或产生不良像素。
另外，微纳米型LED元件100可以是在长度方向上两端尺寸不同的元件。作为一例，可以是具有四边平面的棒型元件，该四边平面是作为长度的高度大于顶边和底边的等边梯形。另外，根据顶边和底边之间的长度差，最终导致积累在元件的长度方向上的两端的正电荷和负电荷之间的差。由此，具有通过电场可以更容易地进行磁对准的优点。
另外，与图5所示不同，在微纳米型LED元件100的第一导电半导体层2的下部面还可以沿元件的长度方向形成具有规定宽度和厚度的突出部(未示出)。作为一例，这种突出部可以通过沿厚度方向蚀刻晶圆后，为了从晶圆上去除蚀刻的LED部分，从蚀刻的LED部分的下端部两侧面向内侧沿水平方向蚀刻来生成。突出部可有助于对微纳米型LED元件100的前部面发光提取执行改善的功能。另外，当微纳米型LED元件100在下部电极200上磁对准时，突出部可有助于控制对准使得与形成有突出部的元件的一个表面相对的相对表面(例如，第二导电半导体层的暴露面)位于下部电极200上。另一方面，在将相对表面设置在下部电极200上之后，可以在形成有微纳米型LED元件100的突出部的上部面上形成上部电极300。在这种情况下，突出部增加了与形成的上部电极300的接触面积，由此可以提高上部电极300与微纳米型LED元件100之间的机械结合力。
突出部的宽度可以形成为微纳米型LED元件100宽度的50％以下，并且更优选地形成为30％以下。由此，可以更容易地分离在LED晶圆上蚀刻的微纳米型LED部分。如果突出部形成为超过微纳米型LED元件100宽度的50％，则微纳米型LED元件在LED晶圆上蚀刻的部分不容易分离，分离可能发生在作为非目标部分的部分而导致降低量产率，并且存在多个所生成的微纳米型LED元件的均匀性降低的风险。另一方面，突出部的宽度可以形成为微纳米型LED元件100宽度的10％以上。如果突出部的宽度形成为小于微纳米型LED元件100的宽度的10％，则能够容易实现LED晶圆上的分离。然而，在这种情况下，存在侧面蚀刻时，第一导电半导体不应蚀刻的部分由于过度蚀刻而被蚀刻的风险，会无法实现上述突出部所带来的效果。另外，存在被湿法蚀刻溶液分离的风险，并且会出现以下问题：分散在具有强碱性的高风险蚀刻溶液中的微纳米型LED元件必须从湿法蚀刻溶液中分离并进行清洗。
另外，突出部的厚度可以具有第一导电半导体层2的厚度的10％～30％的厚度。由此，可以以目标厚度和品质形成第一导电半导体层2，并且可以更有利于产生借助上述突出部的效果。其中，第一导电半导体层2的厚度是指基于没有形成突出部的第一导电半导体层2的下部面的厚度。作为一例，突出部的宽度可以为50nm～300nm，并且厚度可以为50nm～400nm。
接下来，将描述根据本发明一实施例的驱动方法。
图7示出根据本发明一实施例的驱动方法的顺序图。
根据本发明一实施例的驱动方法是该显示器1000的驱动方法，其可以包括：根据开关700的接通(on)/断开(off)，转换对多个微纳米型LED元件100的驱动功能和对准功能的步骤。
具体地，如图7所示，该驱动方法包括步骤S101和步骤S102。然而，该驱动方法可以仅执行步骤S102，或者执行步骤S101和步骤S102，在这种情况下，步骤S101和步骤S102不是按照该顺序执行的，还可以改变执行顺序。另外，步骤S101和步骤S102可以交替执行或者可以重复执行。
步骤S101是执行对准功能的步骤(即，对准步骤)，步骤S102是执行驱动功能的步骤(即，驱动步骤)。此时，步骤S101中开关700可以被断开(off)，在步骤S102中开关700可以被接通(on)。另外，在步骤S101中，可以将高电压施加到下部电极200的相邻的电极211、212中的第一电极211，并且将低电压施加到第二电极212。另外，步骤S101中，可以将低电压交替地施加到下部电极200的相邻的电极211、212。另外，在步骤S102中，可以将高电压施加到上部电极300，并且可以将低电压施加到向下部电极200。
步骤S101可以相当于该驱动方法中的可选步骤。作为一例，步骤S101可以在该显示器1000的制造工艺期间执行，但不限于此，根据该驱动方法，还可以在该显示器1000的制造工艺之后根据步骤S102执行驱动功能期间，必要时额外执行步骤S101。
然而，由于与步骤S101和步骤S102相关的对准功能和驱动功能与图3A-图3B和图4A-图4B所述的相同，因此下面将省略详细描述。
如上所述配置的本发明具有如下优点：可以提供一种电极结构技术，其在利用超薄型LED元件的显示器的像素结构中，可同时用于相应LED元件的对准和驱动。即，本发明具有如下优点：随着实现在利用超薄型LED元件的显示器的像素结构中利用对准电极与驱动电极可进行功能转换的切换功能，从而可有效执行对准功能和驱动功能。此外，本发明具有如下优点：当执行驱动功能时，对于下部电极的相邻电极中第一电极211和第二电极交替施加低电压，从而可以大大提高受该相邻电极电压影响的超薄型LED元件的寿命。另外，本发明具有如下优点：通过下部电极以低成本实现反射功能和屏蔽功能，同时有助于提高图像质量。
在本发明的详细描述中，已经描述了具体实施例，但是当然，可以在不脱离本发明的范围的情况下，进行各种修改。因此，本发明的范围不限于所描述的实施例，而是应当由权利要求书以及权利要求书的等同物来限定。

Claims (16)

1.一种显示器，包括：
下部电极，包括在水平方向上以规定间隔隔开的多个电极；
多个超薄型LED元件，所述多个超薄型LED元件作为长度大于厚度且第一导电半导体层、光活性层和第二导电半导体层沿厚度方向堆叠的元件，在所述下部电极上形成的多个子像素空间分别设置有至少两个超薄型LED元件；
上部电极，以与所述多个超薄型LED元件的上部接触的方式配置；以及
开关，在每个子像素空间中，针对所述下部电极中相邻的第一电极和第二电极，所述开关的一端连接到第一电极，另一端连接到第二电极，
在所述开关接通的状态下，执行对所述多个超薄型LED元件的驱动功能。
2.根据权利要求1所述的显示器，其中，
根据所述开关的接通/断开，转换对所述多个超薄型LED元件的驱动功能和对准功能，
当执行所述对准功能时，所述开关断开。
3.根据权利要求1所述的显示器，其中，
在所述开关断开的状态下，对所述多个超薄型LED元件执行对准功能，并且所述对准功能在制造过程中执行。
4.根据权利要求2所述的显示器，其中，
在所述对准功能期间，将高电压施加到所述第一电极且将低电压施加到所述第二电极。
5.根据权利要求1所述的显示器，其中，
在所述驱动功能期间，将高电压施加到所述上部电极且将低电压施加到所述下部电极。
6.根据权利要求1所述的显示器，其中，
在所述驱动功能期间，将低电压交替地施加到所述第一电极和所述第二电极。
7.根据权利要求1所述的显示器，其中，
所述下部电极呈板状且在其表面包括反射材料，所述反射材料用于将从每个子像素空间中的所述多个超薄型LED元件发射的光反射到作为前部面的上部。
8.根据权利要求1所述的显示器，其中，
所述下部电极包括屏蔽材料，所述屏蔽材料阻挡从配置在每个子像素空间下侧的晶体管和信号线感应到的电场。
9.根据权利要求1所述的显示器，其中，
所述下部电极呈板状且在其表面包括反射材料，同时所述下部电极包括屏蔽材料，所述反射材料用于将从每个子像素空间中的所述多个超薄型LED元件发射的光反射到作为前部面的上部，所述屏蔽材料阻挡从配置在下侧的晶体管和信号线感应到的电场。
10.根据权利要求7所述的显示器，其中，
所述第一电极和所述第二电极的水平方向上的各厚度大于所述第一电极和所述第二电极之间在水平方向上的隔开间隔。
11.根据权利要求7所述的显示器，其中，
位于第一子像素空间的所述第二电极以及位于第二子像素空间且邻近所述第二电极的第三电极之间在水平方向上的隔开间隔小于所述第一电极和所述第二电极的水平方向上的各厚度。
12.一种显示器的驱动方法，所述显示器包括：下部电极，包括在水平方向上以规定间隔隔开的多个电极；多个超薄型LED元件，所述多个超薄型LED元件作为长度大于厚度且第一导电半导体层、光活性层和第二导电半导体层沿厚度方向堆叠的元件，在所述下部电极上形成的多个子像素空间分别设置有至少两个超薄型LED元件，并且在制造工艺中执行对准功能；上部电极，以与所述多个超薄型LED元件的上部接触的方式配置；以及开关，在每个子像素空间中，针对所述下部电极中相邻的第一电极和第二电极，所述开关的一端连接到第一电极，另一端连接到第二电极，其中，
所述驱动方法包括：
驱动步骤，在所述开关接通的状态下，执行所述驱动功能。
13.根据权利要求12所述的显示器的驱动方法，其中，还包括：
根据所述开关的接通/断开，转换对所述多个超薄型LED元件的驱动功能和对准功能的步骤，
当执行所述对准功能时，所述开关断开。
14.根据权利要求12所述的显示器的驱动方法，其中，
在所述对准功能期间，将高电压施加到所述第一电极并且将低电压施加到所述第二电极。
15.根据权利要求12所述的显示器的驱动方法，其中，
所述驱动步骤包括：将高电压施加到所述上部电极并且将低电压施加到所述下部电极的步骤。
16.根据权利要求12所述的显示器的驱动方法，其中，
所述驱动步骤包括：将低电压交替地施加到所述第一电极和所述第二电极的步骤。
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