CN118158895A - Pcb组件及pcb组件加工方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种PCB组件及PCB组件加工方法，PCB组件，包括第一PCB板、第二PCB板和功率芯片；第一PCB板包括有机基板和设置在有机基板上的第一线路，第一PCB板上设有第一通槽；第二PCB板设置在第一通槽内，第二PCB板包括陶瓷基板和设置在陶瓷基板的第一表面上的第一铜层，第一铜层与第一线路电连接；功率芯片设置在第一铜层上。本技术方案过将第二PCB板设置在第一通槽内，并将陶瓷基板的第一表面上的第一铜层，与第一线路电连接，以保证PCB组件能够正常控制功率芯片工作，同时将功率芯片设置在第一铜层上，能够利用陶瓷基板良好的散热性能和绝缘性能。

Description

PCB组件及PCB组件加工方法

技术领域

本发明涉及PCB技术领域，尤其涉及一种PCB组件及PCB组件加工方法。

背景技术

目前，在PCB(Printed Circuit Boar，印制电路板，简称PCB)技术领域中，设置在PCB上各种类型的功率器件的功率越来越大，其对PCB的散热需求也越来约高。

目前最广泛使用的PCB散热的方式是在PCB中埋入铜块对功率模块进行散热。由于铜块的热导率约400W/mK，因此对PCB上的功率模块具有良好的散热效果。但是，随着PCB的精细线路要求越来越高，铜块的尺寸也越来越小，铜块的尺寸精度制作难度越来越难，这也限制了铜块在PCB中的使用。同时，铜块由于其导体特性，在处理高电压、大电流芯片(如IGBT、SiC器件)时存在绝缘性挑战，而增加铜块表面的绝缘树脂层又会严重降低铜基的散热性能。因此，如何同时保证对PCB中功率器件的散热性能和绝缘性能成为目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种PCB组件及PCB组件加工方法，以解决无法同时保证对PCB中功率器件的散热性能和绝缘性能的问题。

一种PCB组件，包括第一PCB板、第二PCB板和功率芯片；

所述第一PCB板包括有机基板和设置在所述有机基板上的第一线路，所述第一PCB板上设有第一通槽；

所述第二PCB板设置在所述第一通槽内，所述第二PCB板包括陶瓷基板和设置在所述陶瓷基板的第一表面上的第一铜层，所述第一铜层与所述第一线路电连接；

所述功率芯片设置在所述第一铜层上。

进一步地，所述第一表面与所述第一线路的表面间隔预设距离。

进一步地，所述第一表面与所述第一线路的表面平齐。

进一步地，所述第二PCB板还包括设置在所述陶瓷基板的第二表面上的第二铜层；

所述PCB组件还包括散热器，所述散热器与所述第二铜层相连。

进一步地，所述PCB组件还包括目标绝缘层，填充在所述第一PCB板和第二PCB板之间的间隙内，并包裹所述第二铜层的外围；

所述目标绝缘层上设有连通所述第二铜层和所述散热器的第一盲孔。

进一步地，所述第一PCB板包括至少三层有机基板；至少三层有机基板包括外层有机基板和内层有机基板；所述第一线路设置在所述外层有机基板上；所述内层有机基板设有第二线路；

所述第二线路，与所述第一线路之间通过金属互连结构相连。

一种PCB组件加工方法，包括：

在第一PCB板上开设第一通槽，所述第一PCB板包括有机基板和设置在所述有机基板上的第一线路；

将第二PCB板贴装在所述第一通槽内，所述第二PCB板包括陶瓷基板和设置在所述陶瓷基板的第一表面上的第一铜层；

电连接所述第一线路和所述第一铜层；

在所述第一铜层上贴装功率芯片，获取PCB组件。

进一步地，所述将第二PCB板贴装在所述第一通槽内，包括：

在所述第一PCB板上铺设辅助层，所述辅助层覆盖所述第一通槽；

将所述第二PCB板放置在所述第一通槽内，所述第二PCB板的第一铜层与所述辅助层相连，所述第二PCB板与所述第一PCB板形成间隙；

在所述间隙内填充目标绝缘层，并移除所述辅助层，以将所述第二PCB板贴装在所述第一通槽内。

进一步地，所述辅助层采用高温胶带。

进一步地，所述电连接所述第一线路和所述第一铜层，包括：

在所述第一PCB板加工第一PCB孔，在所述目标绝缘层加工第二PCB孔；

在所述第一PCB板和所述第二PCB板上进行图形转移，形成第一光阻图形；

对所述第一PCB板和所述第二PCB板进行电镀，形成第一金属层；

基于所述第一光阻图形，对所述第一金属层进行蚀刻，形成所述目标电路；

其中，所述第一PCB孔用于连接所述第一线路和所述第一PCB板中的金属互连结构；所述第二PCB孔用于连接所述第二PCB板的第二铜层和功率散热器；所述目标电路电连接所述第一线路和所述第一铜层。

上述PCB组件及PCB组件加工方法，PCB组件包括第一PCB板、第二PCB板和功率芯片；第一PCB板包括有机基板和设置在有机基板上的第一线路，第一PCB板上设有第一通槽；第二PCB板设置在第一通槽内，第二PCB板包括陶瓷基板和设置在陶瓷基板的第一表面上的第一铜层，第一铜层与第一线路电连接；功率芯片设置在第一铜层上，由于陶瓷基板具有高导热性能和高绝缘性能，因此，通过将第二PCB板设置在第一通槽内，并将陶瓷基板的第一表面上的第一铜层，与第一线路电连接，以保证PCB组件能够正常控制功率芯片工作，同时将功率芯片设置在第一铜层上，能够利用陶瓷基板良好的散热性能和绝缘性能，在对功率芯片进行散热的同时保证高绝缘性，并且通过埋入第二PCB板至第一PCB板的方式保证功率芯片散热性和绝缘性，还能提高PCB组件的集成度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一实施例中PCB组件的一电路示意图；

图2是本发明一实施例中PCB组件加工方法的一流程图；

图3是本发明一实施例中PCB组件加工方法的另一流程图；

图4是本发明一实施例中PCB组件加工方法的另一流程图；

图5是本发明一实施例中PCB组件加工方法的一示意图。

图中：1、第一PCB板；11、有机基板；12、第一线路；13、第一通槽；14、第二线路；15、金属互连结构；2、第二PCB板；21、陶瓷基板；22、第一铜层；23、第二铜层；3、功率芯片；4、散热器；5、目标绝缘层；51、第一盲孔；6、辅助层；71、第一PCB孔；72、第二PCB孔；8、芯片外壳。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

本实施例提供一种PCB组件，包括第一PCB板1、第二PCB板2和功率芯片3；第一PCB板1包括有机基板11和设置在有机基板11上的第一线路12，第一PCB板1上设有第一通槽13；第二PCB板2设置在第一通槽13内，第二PCB板2包括陶瓷基板21和设置在陶瓷基板21的第一表面上的第一铜层22，第一铜层22与第一线路12电连接；功率芯片3设置在第一铜层22上。

在一具体实施例中，有机基板11由有机材料制成。示例性地，有机基板11材料是玻璃纤维布增强的环氧树脂(FR-4)、BT树脂或味之素积层薄膜(ABF)。该有机基板11可以包括一层有机基板11，也可以包括多层有机基板11。作为优选地，该有机基板11包括多层有机基板11。该第一线路12为多层有机基板11中的外层有机基板11表面设置的外向线路。作为一示例，多层有机基板11通过层压的方式分别积层。示例性地，相邻的有机基板11之间积层绝缘介质层和铜箔层。该铜箔层用于设置多层有机基板11中的内层有机基板11表面设置的内层线路。第一线路12或内层线路可以根据实际需求设计，在此不做限制。第一线路12和内层线路之间通过金属互连结构15电连接。该金属互连结构15可以是PCB通孔，也可以是PCB盲孔，或者两者同时存在。可选地，该铜箔层的厚度大于或等于3微米，作为优选地，该铜箔层的厚度为12微米。示例性地，该绝缘介质层包括半固化片(PP)、味之素积层胶膜(Ajinomotobuild film，简称ABF)或环氧塑封料(Epoxy Molding Compound，简称EMC)。作为优选地，该绝缘介质层采用半固化片，例如FR4或BT材料。

在一具体实施例中，第一PCB板1上设有第一通槽13。该第一通槽13在第一PCB板1上的位置，以及第一通槽13的尺寸大小，可以根据实际需求设计，在此不做限制。可选地，该第一通槽13的形状可以是矩形，例如长方形或正方形，也可以是圆形。

在一具体实施例中，陶瓷基板21由陶瓷材料制成。可选地，该陶瓷材料包括氮化硅、氮化铝陶瓷、氧化铝、氧化锆增韧氧化铝、碳化硅陶瓷或金刚石。作为一示例，该陶瓷基板21双面覆铜。该陶瓷基板21包括第一表面用于设置功率芯片3。示例性地，该第一表面的第一铜层22设有目标线路，该目标线路，用于与第一线路12和功率芯片3电连接，用于与第一线路12配置控制功率芯片3工作。可以理解地，该目标线路的线路图形可以根据实际需求设计，在此不做限制。陶瓷基板21的第二表面设有第二铜层23，该第二铜层23为大铜面，用于散热。该第二铜层23上可以设计图形，也可以不设计图形。作为优选地，该第二铜层23可以设计用于缓冲应力的图形，具体的图形可以根据实际经验设计。

在一具体实施例中，第二PCB板2设置在第一通槽13内，第二PCB板2包括陶瓷基板21和设置在陶瓷基板21的第一表面上的第一铜层22，第一铜层22与第一线路12电连接；功率芯片3设置在第一铜层22上。在本实施例中，由于陶瓷基板21具有高导热性能和高绝缘性能，因此，通过将第二PCB板2设置在第一通槽13内，并将陶瓷基板21的第一表面上的第一铜层22，与第一线路12电连接，以保证PCB组件能够正常控制功率芯片3工作，同时将功率芯片3设置在第一铜层22上，能够利用陶瓷基板21良好的散热性能和绝缘性能，在对功率芯片3进行散热的同时保证高绝缘性。

可以理解地，通过将第二PCB板2设置在第一通槽13内，并将陶瓷基板21的第一表面上的第一铜层22，与第一线路12电连接，同时将功率芯片3设置在第一铜层22上，即通过将第二PCB板2埋入第一PCB板1的方式保证功率芯片3散热性和绝缘性的同时，还能提高PCB组件的集成度。

可选地，PCB组件中第二PCB板2的数量和第一通槽13的数量可以是一个，也可以是多个，可以根据实际需求进行选择。

在本实施例中，PCB组件包括第一PCB板1、第二PCB板2和功率芯片3；第一PCB板1包括有机基板11和设置在有机基板11上的第一线路12，第一PCB板1上设有第一通槽13；第二PCB板2设置在第一通槽13内，第二PCB板2包括陶瓷基板21和设置在陶瓷基板21的第一表面上的第一铜层22，第一铜层22与第一线路12电连接；功率芯片3设置在第一铜层22上，由于陶瓷基板21具有高导热性能和高绝缘性能，因此，通过将第二PCB板2设置在第一通槽13内，并将陶瓷基板21的第一表面上的第一铜层22，与第一线路12电连接，以保证PCB组件能够正常控制功率芯片3工作，同时将功率芯片3设置在第一铜层22上，能够利用陶瓷基板21良好的散热性能和绝缘性能，在对功率芯片3进行散热的同时保证高绝缘性，并且通过埋入第二PCB板2至第一PCB板1的方式保证功率芯片3散热性和绝缘性，还能提高PCB组件的集成度。

在一实施例中，第一表面与第一线路12的表面间隔预设距离。

在本实施例中，若第一表面与第一线路12的表面之间间隔的距离太大，则不利于陶瓷基板21的第一表面上的第一铜层22，与第一线路12电连接，因此，保证第一表面与第一线路12的表面间隔预设距离，以便于陶瓷基板21的第一表面上的第一铜层22，与第一线路12的电连接。

在一实施例中，第一表面与第一线路12的表面平齐。在本实施例中，第一表面与第一线路12的表面平齐，使得陶瓷基板21的第一表面上的第一铜层22，与第一线路12之间具有更好的电连接效果。

在一实施例中，第二PCB板2还包括设置在陶瓷基板21的第二表面上的第二铜层23；PCB组件还包括散热器4，散热器4与第二铜层23相连。在本实施例中，散热器4与第二铜层23相连，以通过陶瓷基板21、第二铜层23和散热器4直接形成良好的散热通路，提高功率芯片3的散热效果。

在一实施例中，PCB组件还包括目标绝缘层5，填充在第一PCB板1和第二PCB板2之间的间隙内，并包裹第二铜层23的外围；目标绝缘层5上设有连通第二铜层23和散热器4的第一盲孔51。

在一具体实施例中，该目标绝缘层5的材质为树脂材料。在本实施例中，通过目标绝缘层5，填充在第一PCB板1和第二PCB板2之间的间隙内，并包裹第二铜层23的外围，以达到绝缘和固定第二PCB板2的目的。

在一具体实施例中，目标绝缘层5上设有连通第二铜层23和散热器4的第一盲孔51。该第一盲孔51包括多个阵列分布的密集盲孔，以通过该盲孔连通第二铜层23和散热器4，提高功率芯片3的散热效果。

在本实施例中，PCB组件还包括目标绝缘层5，填充在第一PCB板1和第二PCB板2之间的间隙内，并包裹第二铜层23的外围，以达到绝缘和固定第二PCB板2的目的；目标绝缘层5上设有连通第二铜层23和散热器4的第一盲孔51，以通过该盲孔连通第二铜层23和散热器4，提高功率芯片3的散热效果。

在一实施例中，第一PCB板1包括至少三层有机基板11；至少三层有机基板11包括外层有机基板11和内层有机基板11；第一线路12设置在外层有机基板11上；内层有机基板11设有第二线路14；第二线路14，与第一线路12之间通过金属互连结构15相连。

在一具体实施例中，外层基板为内层有机基板11表面设置的内层线路，可以根据实际需求设计，在此不做限制。该金属互连结构15可以是PCB通孔，也可以是PCB盲孔，或者两者同时存在。在本实施例中，第一线路12设置在外层有机基板11上；内层有机基板11设有第二线路14；第二线路14，与第一线路12之间通过金属互连结构15相连，以建立第一PCB板1的电气连接环境。

本实施例提供一种PCB组件加工方法，用于加工上述实施例中的PCB组件，如图2所示和图5所示，包括：

S201：在第一PCB板1上开设第一通槽13，第一PCB板1包括有机基板11和设置在有机基板11上的第一线路12。

S202：将第二PCB板2贴装在第一通槽13内，第二PCB板2包括陶瓷基板21和设置在陶瓷基板21的第一表面上的第一铜层22。

S203：电连接第一线路12和第一铜层22。

S204：在第一铜层22上贴装功率芯片3，获取PCB组件。

作为一示例，在步骤S201中，在第一PCB板1上开设第一通槽13。示例性地，确定第一通槽13的形状、大小、数量以及在第一PCB板1上的位置，在第一PCB板1上开设第一通槽13。

作为一示例，在步骤S201之前，提供多层有机基板11，该多层有机基板11包括外层有机基板11和内层有机基板11。分别在外层有机基板11上制作第一线路12，在内层有机基板11上制作第二线路14，在外层有机基板11和内层有机基板11之间放置绝缘介质层，并进行压合，得到包括多层有机基板11的第一PCB板1。

作为一示例，在步骤S202中，将第二PCB板2贴装在第一通槽13内，第二PCB板2包括陶瓷基板21和设置在陶瓷基板21的第一表面上的第一铜层22。在本实施例中，将第二PCB板2贴装在第一通槽13内，以提高PCB组件的集成度。

作为一示例，在步骤S203中，电连接第一线路12和第一铜层22，以保证PCB组件能够正常控制功率芯片3工作。

作为一示例，在步骤S204中，在第一铜层22上贴装功率芯片3，获取PCB组件。在本实施例中，通过在第一铜层22上贴装功率芯片3，获取PCB组件，由于陶瓷基板21具有高导热性能和高绝缘性能，因此，通过将第二PCB板2设置在第一通槽13内，并将陶瓷基板21的第一表面上的第一铜层22，与第一线路12电连接，以保证PCB组件能够正常控制功率芯片3工作，同时将功率芯片3设置在第一铜层22上，能够利用陶瓷基板21良好的散热性能和绝缘性能，在对功率芯片3进行散热的同时保证高绝缘性，并且通过埋入第二PCB板2至第一PCB板1的方式保证功率芯片3散热性和绝缘性，还能提高PCB组件的集成度。

进一步地，在步骤S204中，陶瓷基板21的第一表面的第一铜层22设有目标线路，该目标线路，用于与第一线路12和功率芯片3电连接，用于与第一线路12配置控制功率芯片3工作。在第一铜层22上贴装功率芯片3后，功率芯片3与第一铜层22的目标线路通过引线键合的方式互连。可选地，引线材质可以是金、铝或铜。可选地，该功率芯片3包括Si IGBT(Insulate Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管，简称Si IGBT)芯片和SiCMOSFET(Field Effect Transistor，场效应晶体管，简称SiC MOSFET)芯片。其中，对于SiIGBT芯片优选铝引线，SiC MOSFET芯片优选铜引线。

进一步地，步骤S204中，在第一铜层22上贴装功率芯片3，获取PCB组件，还包括：在功率芯片3上封装芯片外壳8，以对功率芯片3进行保护。该芯片外壳8如图1所示。可选地，可在芯片外壳8与功率芯片3直接填充散热材料用于导热，保证良好的散热性。作为优选地，该散热材料为有机硅凝胶。

在本实施例中，通过在第一PCB板1上开设第一通槽13，第一PCB板1包括有机基板11和设置在有机基板11上的第一线路12，并将第二PCB板2贴装在第一通槽13内，第二PCB板2包括陶瓷基板21和设置在陶瓷基板21的第一表面上的第一铜层22，并电连接第一线路12和第一铜层22，最后在第一铜层22上贴装功率芯片3，获取PCB组件，由于陶瓷基板21具有高导热性能和高绝缘性能，因此，通过将第二PCB板2设置在第一通槽13内，并将陶瓷基板21的第一表面上的第一铜层22，与第一线路12电连接，以保证PCB组件能够正常控制功率芯片3工作，同时将功率芯片3设置在第一铜层22上，能够利用陶瓷基板21良好的散热性能和绝缘性能，在对功率芯片3进行散热的同时保证高绝缘性，并且通过埋入第二PCB板2至第一PCB板1的方式保证功率芯片3散热性和绝缘性，还能提高PCB组件的集成度。

在一实施例中，将第二PCB板2贴装在第一通槽13内，如图3所示，包括：

S301：在第一PCB板1上铺设辅助层6，辅助层6覆盖第一通槽13。

S302：将第二PCB板2放置在第一通槽13内，第二PCB板2的第一铜层22与辅助层6相连，第二PCB板2与第一PCB板1形成间隙。

S303：在间隙内填充目标绝缘层5，并移除辅助层6，以将第二PCB板2贴装在第一通槽13内。

作为一示例，在步骤S301中，在第一PCB板1上铺设辅助层6，辅助层6覆盖第一通槽13，以便后续步骤中利用辅助层6将第二PCB板2放置在第一通槽13内。

作为一示例，在步骤S302中，将第二PCB板2放置在第一通槽13内，第二PCB板2的第一铜层22与辅助层6相连，第二PCB板2与第一PCB板1形成间隙，以通过辅助层6初步固定第二PCB板2在第一通槽13内的位置。

作为一示例，在步骤S303中，在间隙内填充目标绝缘层5，并移除辅助层6，以将第二PCB板2贴装在第一通槽13内。在本实施例中，通过目标绝缘层5将第二PCB板2固定在第一通槽13内后，便可以移除辅助层6，从而通过目标绝缘层5达到绝缘和固定第二PCB板2的目的。

在本实施例中，在第一PCB板1上铺设辅助层6，辅助层6覆盖第一通槽13。将第二PCB板2放置在第一通槽13内，第二PCB板2的第一铜层22与辅助层6相连，第二PCB板2与第一PCB板1形成间隙。在间隙内填充目标绝缘层5，并移除辅助层6，便能够实现将第二PCB板2贴装在第一通槽13内。

在一实施例中，辅助层6采用高温胶带。

在一实施例中，电连接第一线路12和第一铜层22，如图4所示，包括：

S401：在第一PCB板1加工第一PCB孔71，在目标绝缘层5加工第二PCB孔72。

S402：在第一PCB板1和第二PCB板2上进行图形转移，形成第一光阻图形。

S403：对第一PCB板1和第二PCB板2进行电镀，形成第一金属层。

S404：基于第一光阻图形，对第一金属层进行蚀刻，形成目标电路。

其中，第一PCB孔71用于连接第一线路12和第一PCB板1中的金属互连结构15；第二PCB孔72用于连接第二PCB板2的第二铜层23和功率散热器4；目标电路电连接第一线路12和第一铜层22。

作为一示例，在步骤S401中，第一PCB孔71和第二PCB孔72均可以是通孔，也可以是盲孔。在本实施例中，在第一PCB板1加工第一PCB孔71，在目标绝缘层5加工第二PCB孔72，以通过第一PCB孔71连接第一线路12和第一PCB板1中的金属互连结构15，建立第一PCB板1中的电气连接环境。通过第二PCB孔72用于连接第二PCB板2的第二铜层23和功率散热器4，对功率器件进行散热。

作为一示例，在步骤S204之后，在PCB组件上安装散热器4，散热器4通过第二PCB孔72连接第二PCB板2的第二铜层23。可选地，散热器4的尺寸可以根据实际需求进行选择。散热器4可以是风冷、水冷或其他类型。作为优选地，该散热器4为水冷散热器4。

作为一示例，在步骤S402中，在第一PCB孔71的内壁、第二PCB孔72的内壁、第一PCB板1的表面和第二PCB板2的表面通过溅射、化学镀、导电有机物吸附、碳颗粒吸附等方式制作导电种子层(图中未示出)；然后通过贴干膜、曝光和显影处理，在第一PCB板1和第二PCB板2上进行图形转移，形成第一光阻图形。可选地，该干膜可以替换为光刻胶。

作为一示例，在步骤S403中，对第一PCB板1和第二PCB板2进行电镀，形成第一金属层。可以理解地，该第一金属层形成在第一PCB孔71的内壁、第二PCB孔72的内壁、第一PCB板1的表面和第二PCB板2的表面上。该第一金属层同时实现第一PCB板1的第一线路12与第二PCB板2的第一铜层22的电连接。

作为一示例，在步骤S404中，移除第一光阻图形，蚀刻第一光阻图形下方的第一金属层，形成目标电路。

作为一示例，在步骤S404之后，在步骤S204之前，在第一PCB板1和第二PCB板2的表面进行阻焊和表面处理(图示未画出)。可选地，表面处理包括有机抗氧化膜(OrganicSolderability Preservatives，简称OSP)、化学镀镍金和化学镀银中的任意一种。

在本实施例中，在第一PCB板1加工第一PCB孔71，在目标绝缘层5加工第二PCB孔72，在第一PCB板1和第二PCB板2上进行图形转移，形成第一光阻图形，对第一PCB板1和第二PCB板2进行电镀，形成第一金属层，基于第一光阻图形，对第一金属层进行蚀刻，便能够形成目标电路。

以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种PCB组件，其特征在于，包括第一PCB板、第二PCB板和功率芯片；

所述第一PCB板包括有机基板和设置在所述有机基板上的第一线路，所述第一PCB板上设有第一通槽；

所述第二PCB板设置在所述第一通槽内，所述第二PCB板包括陶瓷基板和设置在所述陶瓷基板的第一表面上的第一铜层，所述第一铜层与所述第一线路电连接；

所述功率芯片设置在所述第一铜层上。

2.如权利要求1所述的PCB组件，其特征在于，所述第一表面与所述第一线路的表面间隔预设距离。

3.如权利要求1所述的PCB组件，其特征在于，所述第一表面与所述第一线路的表面平齐。

4.如权利要求1所述的PCB组件，其特征在于，所述第二PCB板还包括设置在所述陶瓷基板的第二表面上的第二铜层；

所述PCB组件还包括散热器，所述散热器与所述第二铜层相连。

5.如权利要求4所述的PCB组件，其特征在于，所述PCB组件还包括目标绝缘层，填充在所述第一PCB板和第二PCB板之间的间隙内，并包裹所述第二铜层的外围；

所述目标绝缘层上设有连通所述第二铜层和所述散热器的第一盲孔。

6.如权利要求1所述的PCB组件，其特征在于，所述第一PCB板包括至少三层有机基板；至少三层有机基板包括外层有机基板和内层有机基板；所述第一线路设置在所述外层有机基板上；所述内层有机基板设有第二线路；

所述第二线路，与所述第一线路之间通过金属互连结构相连。

7.一种PCB组件加工方法，其特征在于，包括：

在第一PCB板上开设第一通槽，所述第一PCB板包括有机基板和设置在所述有机基板上的第一线路；

将第二PCB板贴装在所述第一通槽内，所述第二PCB板包括陶瓷基板和设置在所述陶瓷基板的第一表面上的第一铜层；

电连接所述第一线路和所述第一铜层；

在所述第一铜层上贴装功率芯片，获取PCB组件。

8.如权利要求7所述的PCB组件加工方法，其特征在于，所述将第二PCB板贴装在所述第一通槽内，包括：

在所述第一PCB板上铺设辅助层，所述辅助层覆盖所述第一通槽；

将所述第二PCB板放置在所述第一通槽内，所述第二PCB板的第一铜层与所述辅助层相连，所述第二PCB板与所述第一PCB板形成间隙；

在所述间隙内填充目标绝缘层，并移除所述辅助层，以将所述第二PCB板贴装在所述第一通槽内。

9.如权利要求8所述的PCB组件加工方法，其特征在于，所述辅助层采用高温胶带。

10.如权利要求8所述的PCB组件加工方法，其特征在于，所述电连接所述第一线路和所述第一铜层，包括：

在所述第一PCB板加工第一PCB孔，在所述目标绝缘层加工第二PCB孔；

在所述第一PCB板和所述第二PCB板上进行图形转移，形成第一光阻图形；

对所述第一PCB板和所述第二PCB板进行电镀，形成第一金属层；

基于所述第一光阻图形，对所述第一金属层进行蚀刻，形成所述目标电路；

其中，所述第一PCB孔用于连接所述第一线路和所述第一PCB板中的金属互连结构；所述第二PCB孔用于连接所述第二PCB板的第二铜层和功率散热器；所述目标电路电连接所述第一线路和所述第一铜层。