CN118119879A - 光波导元件、使用光波导元件的光调制器件及光发送装置 - Google Patents

Abstract

本发明的目的在于提供一种抑制在光波导中传播的光的控制电极产生的吸收并防止将光波导覆盖的电介质层的剥离的光波导元件。本发明的光波导元件具有形成有光波导的基板(1)和在该基板上与该光波导接近地配置的控制电极(2)，其特征在于，该光波导是肋型光波导(10)，该控制电极(2)的与该肋型光波导(10)接近的端部位于形成该肋型光波导(10)的该基板的第一凹部(C1)，所述光波导元件具有电介质层(3)，该电介质层(3)将该肋型光波导(10)覆盖，在所述第一凹部(C1)的一部分且该肋型光波导(10)的山脚部分的附近具备第二凹部(C2)，该第二凹部(C2)比所述第一凹部(C1)的最浅的位置更加凹陷，该电介质层(3)配置于所述第二凹部(C1)的至少一部分。

Description

光波导元件、使用光波导元件的光调制器件及光发送装置

技术领域

本发明涉及光波导元件、使用光波导元件的光调制器件及光发送装置，特别是涉及具有形成有光波导的基板和在该基板上与该光波导接近地配置的控制电极的光波导元件、使用光波导元件的光调制器件及光发送装置。

背景技术

在光计测技术领域、光通信技术领域、特别是高速/大容量光纤通信系统中，通过具备形成有光波导的基板的光波导元件来构成光调制器，装入有该光调制器的光发送装置被广泛使用。其中，将具有电光效应的LiNbO₃(以下，称为LN)使用于基板的光波导元件与使用磷化铟(InP)、硅(Si)或砷化镓(GaAs)等半导体系材料的光波导元件相比，能实现光的损失少且宽带的光调制特性。因此，使用LN基板的光波导元件在高速/大容量光纤通信系统中被广泛使用。

另一方面，光纤通信系统中的调制方式受到近年来的传送容量的增大化的潮流的影响，DP-QPSK(Dual Polarization-Quadrature Phase Shift Keying，双极化四相相移键控)、DP-16QAM(Quadrature Amplitude Modulation，正交振幅调制)等在多级调制中采用了偏振复用的传送制式成为主流。

近年来的互联网服务的普及加速会招致通信信息量的进一步的增大，光波导元件的进一步的小型化、宽带化、省电力化的研讨目前也不断进展。

作为这样的光调制元件的小型化、宽带化、省电力化的对策之一，将在为了进一步增强基板中的信号电场与波导光的相互作用(即，为了提高电场效率)而薄膜化的LN基板(例如，厚度20μm以下)的表面形成有带状的凸部的肋型光波导(参照专利文献1)、使用通过Ti扩散而形成的扩散波导的光波导元件被实用化。

当前，为了进一步的高速化，为了进一步提高电场效率，更接近光波导的位置地设置控制电极的研讨也不断进展。另一方面，如果使电极接近，则在光波导中传播的光被电极吸收，光损失变大。

此外，通过将光波导利用电介质层(永久抗蚀剂、SiO₂层等)覆盖，存在光的散射防止效果，能够减少光损失(参照专利文献1)。此外，通过在电极间隔内配置电介质层，能够提高电场效率。

然而，如果由于环境温度变化、冲击而电介质层从光波导剥离，则在光波导的周围形成空气层，光波导的表面的粗糙度、光波导与空气层之间的折射率差变大，因此容易发生光的散射。此外，当处于光波导与电极之间的电介质层剥离时，成为电场效率下降，驱动电压上升的结果。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2022-56979号公报(JP2022-056979A)

发明内容

发明要解决的课题

本发明要解决的课题在于提供一种解决上述那样的问题，抑制在光波导中传播的光的由控制电极产生的吸收，并防止将光波导覆盖的电介质层的剥离的光波导元件。此外，在于提供一种使用该光波导元件的光调制器件和光发送装置。

用于解决课题的方案

为了解决上述课题，本发明的光波导元件、使用光波导元件的光调制器件及光发送装置具有以下的技术特征。

(1)一种光波导元件，具有形成有光波导的基板及在该基板上与该光波导接近地配置的控制电极，其特征在于，该光波导是肋型光波导，该控制电极的与该肋型光波导接近的端部位于形成该肋型光波导的该基板的第一凹部，所述光波导元件具有电介质层，该电介质层将该肋型光波导覆盖，所述光波导元件在所述第一凹部的一部分且该肋型光波导的山脚部分的附近具备第二凹部，该第二凹部比所述第一凹部的最浅的位置更加凹陷，该电介质层配置于所述第二凹部的至少一部分。

(2)根据上述(1)所述的光波导元件，其特征在于，该电介质层在该肋型光波导与该控制电极之间连续地形成。

(3)根据上述(1)所述的光波导元件，其特征在于，所述第二凹部具备从该肋型光波导向该控制电极的方向变浅的倾斜面，该倾斜面相对于与该基板的整个表面平行的平面所成的倾斜角度为20度以下。

(4)根据上述(1)所述的光波导元件，其特征在于，以所述第一凹部的最浅的位置为基准，所述第二凹部的最深的位置的深度为0.07μm以下。

(5)根据上述(1)所述的光波导元件，其特征在于，作为由所述第二凹部的与该肋型光波导延伸的方向垂直的截面形成的所述第二凹部的截面积的、比所述第一凹部的最浅的位置深的部分所占的该截面积为0.05μm²以下。

(6)根据上述(1)所述的光波导元件，其特征在于，在该控制电极的下侧配置的该基板具备凸部，该凸部由所述第一凹部形成且与该肋型光波导不同，在所述第一凹部的一部分且该凸部的山脚部分的附近具备第三凹部，该第三凹部比所述第一凹部的最浅的位置更加凹陷，该控制电极配置于所述第三凹部的至少一部分。

(7)根据上述(1)所述的光波导元件，其特征在于，该基板的最大厚度为20μm以下。

(8)一种光调制器件，其特征在于，将上述(1)至(7)的任一项所述的光波导元件收容在壳体内，所述光调制器件具备光纤，该光纤相对于该光波导输入或输出光波。

(9)根据上述(8)所述的光调制器件，其特征在于，该控制电极是用于对在该光波导中传播的光波进行调制的调制电极，在该壳体的内部具有电子电路，该电子电路将向该调制电极输入的调制信号放大。

(10)一种光发送装置，其特征在于，具有：上述(9)所述的光调制器件；光源，向该光调制器件输入光波；及电子电路，向该光调制器件输出调制信号。

发明效果

本发明具有形成有光波导的基板及在该基板上与该光波导接近地配置的控制电极，其中，该光波导是肋型光波导，该控制电极的与该肋型光波导接近的端部位于形成该肋型光波导的该基板的第一凹部，所述光波导元件具有电介质层，该电介质层将该肋型光波导覆盖，所述光波导元件在所述第一凹部的一部分且该肋型光波导的山脚部分的附近具备第二凹部，该第二凹部比所述第一凹部的最浅的位置更加凹陷，该电介质层配置于所述第二凹部的至少一部分，因此，通过形成于第一凹部的第二凹部，增强光的限制，通过控制电极来抑制光吸收，并通过所述第二凹部来提高电介质层与基板的接合强度，能够防止将光波导覆盖的电介质层的剥离。

此外，通过使用具备这样的优异的特性的光波导元件，也能够提供发挥同样的效果的光调制器件、光发送装置。

附图说明

图1是表示以往的光波导元件的一例的剖视图。

图2是表示以往的光波导元件的另一例的剖视图。

图3是表示本发明的光波导元件的第一实施例的剖视图。

图4是图3的肋型光波导及其附近的放大图。

图5是图3的肋型光波导及其附近的放大图。

图6是表示本发明的光波导元件的第二实施例的剖视图。

图7是表示本发明的光波导元件的第三实施例的剖视图。

图8是表示本发明的光波导元件的第四实施例的剖视图。

图9是表示第二凹部的构造(θ2、hr)的变更引起的电极吸收损失(Loss)的变化的坐标图。

图10是表示第二凹部的构造(θ2、hr)的变更引起的VπL的变化的坐标图。

图11是表示第二凹部的构造(θ2、hr)的变更引起的VπL与电极吸收损失(Loss)之间的关系的变化的坐标图。

图12是表示第二凹部的截面积S的变更引起的VπL的变化的坐标图。

图13是表示第二凹部的截面积S的变更引起的电极吸收损失(Loss)的变化的坐标图。

图14是表示本发明的光发送装置的一例的图。

具体实施方式

以下，关于本发明的光波导元件，使用优选例进行详细说明。

表示本发明的光波导元件的一例的剖视图如图3所示。而且，图4及图5是将图3的肋型光波导10及其附近放大的图。

本发明的光波导元件具有形成有光波导的基板1和在该基板上与该光波导接近地配置的控制电极2，其特征在于，该光波导是肋型光波导10，该控制电极2的与该肋型光波导10接近的端部位于形成该肋型光波导10的该基板的第一凹部C1，所述光波导元件具有电介质层3，该电介质层3将该肋型光波导10覆盖，所述光波导元件在所述第一凹部C1的一部分且在该肋型光波导10的山脚部分的附近具备第二凹部C2，该第二凹部C2比所述第一凹部C1的最浅的位置更加凹陷，该电介质层3配置于所述第二凹部C1的至少一部分。

作为本发明的光波导元件使用的基板1，可以利用具有电光效应的基板，具体而言，可以使用铌酸锂(LN)、钽酸锂(LT)、PLZT(锆钛酸铅镧)等的基板、在这些基板材料中掺杂了MgO等的基材。而且，也可以将这些材料利用溅射法、蒸镀法或CVD法等气相生长法进行膜形成。而且，也可以使用在将具有电光效应的基板接合于另一基板之后，对电气光学基板进行薄膜加工而得到的基板。此外，也可以利用半导体基板、EO聚合物等有机材料的基板等。

作为光波导10的形成方法，可以对光波导以外的基板1进行蚀刻而在光波导的两侧形成槽等，利用在基板上将与光波导对应的部分设为凸状而得到的肋型波导。此外，也可以对应于肋型的光波导，通过热扩散法、质子交换法等使Ti等向基板表面扩散，从而能够进一步提高折射率。作为肋型波导的尺寸，为了提高光的限制，成为1μm左右的宽度、高度的微细的肋型光波导。

如图3及图4所示，为了实现调制信号的微波与光波的速度匹配，形成有光波导10的基板(薄板)1的厚度H设定为20μm以下，优选为10μm以下，更优选为5μm以下，进一步优选为1μm以下或0.5μm以下。而且，肋型光波导10的高度(从基板的厚度H减去基板的第一凹部C1的最浅的部分的厚度h所得到的值)设定为基板H的高度的7成以下，更优选为6成以下，进一步优选为5成以下。

形成有光波导的基板1为了提高机械强度而在基板1的下侧接合有加强基板(未图示)。基板1与加强基板直接接合或者经由树脂等的粘接层来粘接固定。作为进行直接接合的加强基板，优选折射率比光波导、形成有光波导的基板低，但是没有限定于此。在加强基板的折射率比基板1的折射率高的情况下，在基板1与加强基板之间设置折射率比基板1低的层。而且，加强基板优选利用包含热膨胀率与基板1接近的材料，例如水晶、玻璃等氧化物层的基板。此外，也可以利用与基板1相同的LN基板、简称为SOI、LNOI的在硅基板上形成有氧化硅层的复合基板、在LN基板上形成有氧化硅层的复合基板。

与光波导10接近地将控制电极2形成在基板1上。控制电极2包括向光波导施加调制信号的调制电极、施加DC偏压的DC偏压电极。控制电极通过溅射法、蒸镀法等形成基底电极，然后通过镀敷法形成为具有厚度的电极。在本发明中，为了减少向控制电极，特别是向调制电极施加的驱动电压而将控制电极与肋型光波导接近地配置。因此，如图3所示，控制电极2的端部(控制电极的与肋型光波导接近的端部)配置在形成肋型光波导10的第一凹部C1之中。

另外，也如专利文献1记载那样，以覆盖光波导的方式配置电介质层3。在电介质层3中，光波导10的表面的粗糙度等为原因，在光波导中传播的光散射，光传播损失容易增加。为了将其抑制而设置由折射率比光波导低的材料构成的电介质层3。作为构成电介质层3的材料，可以利用永久抗蚀剂等的树脂、SiO₂等。

电介质层3以将肋型光波导10与控制电极2之间填充的方式连续地配置。这样，在肋型光波导10与控制电极2之间未设置空气层而配置电介质层，从而能够提高控制电极2向肋型光波导10施加的电场的电场效率。

本发明的光波导元件的特征在于，在肋型光波导10的山脚部分的附近设置第二凹部C2，该第二凹部C2比第一凹部C1的最浅的位置更加凹陷，在所述第二凹部C1的至少一部分配置电介质层3。第二凹部C2不仅有助于增强肋型光波导10产生的光的限制，而且也发挥防止电介质层3的剥离的锚定效应。

在应用本发明的光波导元件中，如上所述使用厚度薄的薄板。因此，被肋型光波导10限制的光具有沿横向扩展的倾向。特别是基板1的厚度越薄，该倾向越显著。因此，设置第二凹部C2，而且如后所需调整凹部C2的形状，从而能够提高光的限制效果，抑制控制电极2产生的光吸收损失。

作为第二凹部C2的形成方法，在通过蚀刻来形成第一凹部C1时进行过蚀刻。肋型光波导10的侧面通过因蚀刻而排出的沉积物的堆积来保护，但是沉积物难以堆积的底部的蚀刻进一步发展，能够形成第二凹部C2。而且，从图1所示的状态开始形成抗蚀剂图案，也可以选择性地仅蚀刻与第二凹部对应的位置。而且，并不局限于化学性的蚀刻，也可以通过电子射束照射将基板1的表面选择性地除去，形成第二凹部。

如图4所示，第二凹部C2由倾斜面S1及S2形成。在图4中，倾斜面S1在肋型光波导10的侧面的延长线上延伸显示，但是本发明没有限定于此，也包括如图3所示地从光波导10的侧面折弯地形成倾斜面的情况。在此，专门使用图4所示那样的倾斜面S1来说明。

肋型光波导的侧面的倾斜度(倾斜面S1的倾斜度θ1)为90度以下，优选为80度以下。但是，如果肋型光波导的侧面的倾斜度过度减小，则光的限制减弱，控制电极产生的光的吸收增大，或者波导弯曲引起的光损失容易产生，特别是采用了折回波导的情况下，光损失增加的可能性高。因此，肋型光波导的侧面的倾斜度是比15度大的倾斜度，更优选为比20度大的倾斜度。例如，形成为θ1＝20～80度的范围。

如图4所示，倾斜面(S1或S2)的倾斜角度(θ1或θ2)将与基板1的整个表面平行的平面A1设定为基准。该平面未考虑基板表面的细微的凹凸而假定遍及整个基板的平面(图的左右方向)。而且，该平面也是与背面平行的平面。

关于倾斜面S2，在深度hr为恒定值的情况下，倾斜角度θ2设定为20度以下，优选为7度以下，更优选为4度以下，进一步优选为2度以下能够减少光吸收损失。而且，从驱动电压的观点出发，随着倾斜角度减小，与驱动电压对应的VπL(V·cm)处于微增的倾向，但是例如θ2超过4度时，反之成为减少的倾向。特别是随着深度hr变深而该倾向变得显著。

该深度hr是从第一凹部C1的最浅的部分(点线A2)至第二凹部C2的最深的部分(点线A1)为止的深度。

另外，关于第二凹部C2的深度hr，较深的情况能减少光吸收损失，但是与驱动电压对应的VπL(V·cm)增加。因此，将深度hr设定为0.07μm以下，优选为0.05μm以下，更优选为0.03μm以下。

如图5所示，即使在第二凹部C2的截面的面积S(三角形的粗线包围的部分)变化的情况下，驱动电压、光吸收损失也会变化。随着面积S增大而与驱动电压对应的VπL(V·cm)增加，当面积S减小时，光吸收损失增加。

因此，面积S优选设定为0.05μm²以下。

但是，在面积S为0.05μm²以上的情况下，虽然与驱动电压对应的VπL(V·cm)增加，但是光吸收损失减少，因此采用何种可以根据光波导元件要求的特性而适当选择。

在图3至图5中，位于第一凹部的控制电极2的端部配置在第二凹部C2的外侧。然而，随着倾斜面S2的倾斜角度θ2减小，倾斜面S2的右端更接近控制电极2。通过将控制电极2以进入第二凹部C2的方式配置，能够提高控制电极2与基板1的接合强度，而且，能够将电场施加至肋型光波导的山脚部分附近，也有助于驱动电压的减少。

另外，如图7所示，在控制电极2的下侧配置的基板1通过第一凹部C1形成肋型光波导10和与该肋型光波导不同的另一个凸部11。在该凸部11的山脚部分的附近，与第二凹部C2同样，能够设置第三凹部C3，该第三凹部C3比第一凹部C1的最浅的位置更加凹陷。并且，通过将该控制电极2配置于第三凹部C3的至少一部分，能够提高控制电极2与基板1的接合强度，抑制电极剥离等的弊端。

需要说明的是，图7的两个肋型光波导10例如是构成马赫-曾德尔型光波导的2个分支波导。当然，图7的第三凹部C3的结构没有限定为马赫-曾德尔型光波导。

此外，如图8所示，也可以在控制电极2的下侧配置电介质层3。通过将电介质层3配置于第三凹部C3的至少一部分，也能够提高电介质层3与基板1的接合强度。

对于图3至图5所示的光波导元件，进行模拟，关于与驱动电压对应的VπL评价了与第二凹部的构造(θ2、hr、S)的变化相伴的光吸收损失。

作为模拟的条件，假定LN基板、Au的控制电极、永久抗蚀剂的电介质膜，设定了以下那样的数值。

(各种数值设定：截面形状)

·基板1的厚度H：600nm

·基板1的第一凹部的最浅的部分的厚度h：300nm

·肋型光波导的侧面的倾斜度(θ1)：65度

·夹着肋型光波导10的控制电极2的间隔(参照图3)：3.9μm

关于使构造变化的参数，设定为以下的数值。

·倾斜面S2的倾斜角度θ2：3.5度、4度、7度、10度、20度、40度

·第二凹部的深度hr：0～0.2μm

·第二凹部的截面积S：0～0.35μm²

图9至图13示出各种模拟结果。

图9是表示第二凹部的构造(θ2、hr)的变更引起的电极吸收损失(Loss，光吸收损失)的变化的坐标图。示出变更了倾斜角度θ2时的电极吸收损失(Loss)相对于第二凹部的深度hr的变化。

观察该情况时，容易可知倾斜角度θ2越小，则电极吸收损失越下降。如果θ2为20度以下，则随着第二凹部的深度hr增大而电极吸收损失减少。而且，可知如果θ2为4度以下，则即使深度hr为0.07μm左右，也能够减少电极吸收损失。

图10是表示第二凹部的构造(θ2、hr)的变更引起的VπL的变化的坐标图。

随着深度hr增大，则与驱动电压对应的VπL(V·cm)增大，但是倾斜角度θ2越小，则其倾向变得显著。而且，深度hr为0.07μm以下的话，几乎看不到倾斜角度θ2的变化产生的影响。

图11是表示第二凹部的构造(θ2、hr)的变更引起的VπL与电极吸收损失(Loss)之间的关系的变化的坐标图。

随着驱动电压增大，电极吸收损失减小。特别是L＝1cm且Vπ＝2V以下的情况下(VπL＝2.0[V·cm]以下的情况下)，θ2较小时，电极吸收损失的抑制效果较高。特别是θ2为4度以下的话，能够较大地抑制电极吸收损失。

图12是表示第二凹部的截面积S(Sa)的变更引起的VπL的变化的坐标图。

倾斜面S2的倾斜角度θ2的变化产生的影响比较少。可知在VπL＝2.0[V·cm]以下的情况下，截面积S优选设定为0.05μm²以下。

图13是表示第二凹部的截面积S(Sa)的变更引起的电极吸收损失(Loss)的变化的坐标图。

随着截面积S(Sa)减小，电极吸收损失增加。例如，可知倾斜角度θ2为4度以下的话，即使截面积S为0.05μm²的情况下，也能够将电极吸收损失设定为0.1[dB/cm]。

接下来，说明将本发明的光波导元件应用于光调制器件、光发送装置的例子。以下，使用高带宽相干驱动器调制器(HB-CDM：High Bandwidth-Coherent DriverModulator)的一例进行说明，但是本发明并不局限于此，也可以应用于光相位调制器、具备偏振波合成功能的光调制器、集成有更多或更少的马赫-曾德尔型光波导的光波导元件、与由硅等其他材料构成的光波导元件接合的接合器件、传感器用途的器件等。

如图14所示，光波导元件具有形成于光波导基板1的光波导10、调制在该光波导10中传播的光波的调制电极等控制电极(未图示)，收容于壳体CA内。此外，通过设置相对于光波导输入、输出光波的光纤(F)，能够构成光调制器件MD。在图13中，光纤F使用具备光学透镜的光学块、镜头镜筒、偏振波合波部6等与光波导元件内的光波导10进行光学耦合。并不局限于此，可以将光纤经由贯通壳体的侧壁的贯通孔向壳体内导入并与光学部件或基板、光纤直接接合，或者将在光纤端部具有透镜功能的光纤与光波导元件内的光波导进行光学耦合。而且，为了稳定地进行与光纤、光学块的接合，也可以沿着光波导基板1的端面重叠地配置加强构件(未图示)。

将输出使光调制器件MD进行调制动作的调制信号So的电子电路(数字信号处理器DSP)连接于光调制器件MD，从而能够构成光发送装置OTA。为了得到向光波导元件施加的调制信号S，需要将从数字信号处理器DSP输出的调制信号So放大。因此，在图13中，使用驱动电路DRV，将调制信号放大。驱动电路DRV、数字信号处理器DSP可以配置在壳体CA的外部，但是也可以配置在壳体CA内。特别是通过将驱动电路DRV配置在壳体内，能够进一步减少来自驱动电路的调制信号的传播损失。

向光调制器件MD的输入光L1可以从光发送装置OTA的外部供给，但是也可以如图13所示将半导体激光器(LD)设为光源。由光调制器件MD调制后的输出光L2通过光纤F向外部输出。

工业实用性

如以上说明所述，根据本发明，能够提供一种抑制在光波导中传播的光的被控制电极的吸收，并防止将光波导覆盖的电介质层的剥离的光波导元件。此外，能够提供一种使用该光波导元件的光调制器件和光发送装置。

标号说明

1形成光波导的基板(薄板、膜体)

2 控制电极

3 电介质层

10光波导(肋型光波导)

11 凸部

C1 第一凹部

C2 第二凹部

C3 第三凹部

S1、S2倾斜面

θ1、θ2倾斜角度

H基板1的厚度

h基板1的第一凹部的最浅的部分的厚度

hr 第二凹部的深度

F 光纤

LD 光源

CA 壳体

MD 光调制器件

DRV 驱动电路

DSP 数字信号处理器

OTA 光发送装置。

Claims (10)

1.一种光波导元件，具有形成有光波导的基板及在该基板上与该光波导接近地配置的控制电极，其特征在于，

该光波导是肋型光波导，

该控制电极的与该肋型光波导接近的端部位于形成该肋型光波导的该基板的第一凹部，

所述光波导元件具有电介质层，该电介质层将该肋型光波导覆盖，

所述光波导元件在所述第一凹部的一部分且该肋型光波导的山脚部分的附近具备第二凹部，该第二凹部比所述第一凹部的最浅的位置更加凹陷，

该电介质层配置于所述第二凹部的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的光波导元件，其特征在于，

该电介质层在该肋型光波导与该控制电极之间连续地形成。

3.根据权利要求1所述的光波导元件，其特征在于，

所述第二凹部具备从该肋型光波导向该控制电极的方向变浅的倾斜面，该倾斜面相对于与该基板的整个表面平行的平面所成的倾斜角度为20度以下。

4.根据权利要求1所述的光波导元件，其特征在于，

以所述第一凹部的最浅的位置为基准，所述第二凹部的最深的位置的深度为0.07μm以下。

5.根据权利要求1所述的光波导元件，其特征在于，

作为由所述第二凹部的与该肋型光波导延伸的方向垂直的截面形成的所述第二凹部的截面积的、比所述第一凹部的最浅的位置深的部分所占的该截面积为0.05μm²以下。

6.根据权利要求1所述的光波导元件，其特征在于，

在该控制电极的下侧配置的该基板具备凸部，该凸部由所述第一凹部形成且与该肋型光波导不同，在所述第一凹部的一部分且该凸部的山脚部分的附近具备第三凹部，该第三凹部比所述第一凹部的最浅的位置更加凹陷，该控制电极配置于所述第三凹部的至少一部分。

7.根据权利要求1所述的光波导元件，其特征在于，

该基板的最大厚度为20μm以下。

8.一种光调制器件，其特征在于，

将权利要求1～7中任一项所述的光波导元件收容在壳体内，

所述光调制器件具备光纤，该光纤相对于该光波导输入或输出光波。

9.根据权利要求8所述的光调制器件，其特征在于，

该控制电极是用于对在该光波导中传播的光波进行调制的调制电极，

在该壳体的内部具有电子电路，该电子电路将向该调制电极输入的调制信号放大。

10.一种光发送装置，其特征在于，

所述光发送装置具有：

权利要求9所述的光调制器件；

光源，向该光调制器件输入光波；及

电子电路，向该光调制器件输出调制信号。