CN118117027A - 发光装置、波长转换装置及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明为一种发光装置，主要通过沉积、微影及蚀刻工艺在一第一透光基板的表面形成多个第一凹槽及一金属遮光层。一波长转换单元设置在第一透光基板的第一凹槽内，其中金属遮光层位于第一凹槽及波长转换单元的周围。一第二透光基板连接第一透光基板，使得波长转换单元被密封在第一透光基板及第二透光基板之间，以隔绝外界的水气及空气。至少一发光二极体晶片用以将产生的光线投射至波长转换单元，其中未通过波长转换单元的光线会被金属遮光层遮挡或反射，并将光线引导至波长转换单元，以提高发光装置的发光效率。

Description

发光装置、波长转换装置及其制作方法

技术领域

本发明有关于一种发光装置及波长转换装置，可有效隔绝外界的水气及空气，并有利于提高发光效率。

背景技术

量子点(Quantum Dot)是半导体材料的纳米颗粒，其中量子点的尺寸通常介于2至50纳米。目前研究的半导体材料以II-VI材料为主，如ZnS、CdS、CdSe等，其中又以CdSe最受到瞩目。

量子点的光电特性会随着尺寸的变化而改变，其中尺寸较大的量子点，经短波长的光线照射后会发出波长较长的光，例如5到6纳米的量子点可能会发出橘光或红光，而尺寸较小的量子点，经短波长的光线照射后会发出波长较短的光，例如2到3纳米的量子点可能会发出蓝光或绿光，其中实际的光色仍取决于量子点的材料组成。

量子点LED相较于传统的LED或萤光灯，产生的光可以接近连续光谱，并具有高演色性的特性。目前人工光源只有高耗能的白炽灯、卤素灯能达到连续光谱的特性。因此，量子点LED可同时满足光线品质及低耗能的要求。此外，将量子点应用在显示器上，则可以达到更好的色彩显示特性，使得量子点成为新一代发光装置及显示器的发展重点。

量子点虽然具有上述的优点及特性，但量子点材料容易受到水气及氧气的破坏，进而缩短量子点的寿命。目前普遍会使用原子层沉积(ALD)在量子点表面形成一保护薄膜，以隔绝量子点与外界的水气及氧气，以延长量子点的生命周期。

发明内容

本发明提出一种新颖的发光装置、波长转换装置及其制作方法，主要通过沉积、微影及蚀刻工艺在一第一透光基板的表面形成多个凹槽及一金属遮光层，其中金属遮光层位于凹槽的周围。一波长转换单元设置在第一透光基板的凹槽内，并通过一第二透光基板连接及覆盖第一透光基板上的凹槽及波长转换单元，使得波长转换单元被密封在第一透光基板及第二透光基板之间，以隔绝波长转换单元与外界的水气及氧气。

波长转换装置的第一透光基板可用以连接一发光二极体，使得发光二极体与波长转换单元之间具有第一透光基板，其中发光二极体不会直接接触波长转换单元。如此一来，发光二极体产生的热量将不会直接传递至波长转换单元，以避免波长转换单元长时间处在高温的环境而变质。

本发明的金属遮光层设置在凹槽及波长转换单元的周围，并用以遮挡发光二极体产生的光线，使得发光二极体的光线不会直接穿透第一透光基板及第二透光基板，并传送到发光装置或波长转换装置的外部，而造成发光装置产生的光色不均匀。

金属遮光层可用以反射未通过波长转换装置的光线，其中被反射的光线在经过多次的反射或散射后，将会通过波长转换单元导出，有利于提高发光效率。此外，通过金属遮光层的设置，更有利于进行第一透光基板及第二透光基板的对位及连接，同时可进一步提高隔绝外界水气及空气的效果。

为了达到上述的目的，本发明提出一种发光装置，包括：一波长转换装置，包括：一第一透光基板，包括至少一第一凹槽，该第一凹槽位于第一透光基板的一第一表面；至少一波长转换单元，位于一透光基板的第一凹槽内；一金属遮光层，设置在第一透光基板的第一表面，并位于第一凹槽及波长转换单元的周围；一第二透光基板，连接第一透光基板或金属遮光层，并覆盖第一透光基板的第一凹槽、波长转换单元及金属遮光层；及至少一发光二极体晶片，与第一透光基板或第二透光基板相邻，并用以将产生的一光线投射至波长转换单元，其中金属遮光层用以遮挡或反射部分光线，使得光线被引导至波长转换单元。

本发明提出一种波长转换装置，包括：一第一透光基板，包括至少一第一凹槽位于第一透光基板的一第一表面；至少一波长转换单元，位于第一透光基板的第一凹槽内；一金属遮光层，设置在第一透光基板的第一表面，并位于第一凹槽的周围；及一第二透光基板，连接第一透光基板或金属遮光层，并覆盖第一透光基板的第一凹槽、波长转换单元及金属遮光层。

本发明提出一种波长转换装置的制作方法，包括：提供一第一透光基板，并在第一透光基板的一第一表面上形成一金属层；在金属层的表面形成一光阻层；对金属层表面的光阻层进行一微影工艺，以在金属层的表面形成一第一光阻图案层；对未被第一光阻图案层遮挡的金属层及第一透光基板进行一蚀刻工艺，以在第一透光基板的第一表面上形成一金属遮光层及至少一第一凹槽；去除第一光阻图案层；将一波长转换单元设置在第一透光基板的第一凹槽内；及连接第一透光基板及一第二透光基板，并使得第二透光基板覆盖第一透光基板上的第一凹槽、波长转换单元及金属遮光层。

在本发明发光装置及波长转换装置至少一实施例中，其中第二透光基板包括至少一第二凹槽，第二凹槽面对第一透光基板的第一凹槽，并于第二透光基板的第二凹槽内设置波长转换单元。

在本发明发光装置及波长转换装置至少一实施例中，其中波长转换单元包括多个量子点或多个萤光粉。

在本发明发光装置及波长转换装置至少一实施例中，包括一遮蔽单元设置在第一透光基板及第二透光基板的周围，并位于第一透光基板及第二透光基板之间的金属遮光层的周围。

在本发明发光装置及波长转换装置至少一实施例中，其中遮蔽单元包括一底部、一挡墙及至少一设置空间，设置空间位于底部，并对准第一透光基板的第一凹槽，而发光二极体晶片则设置在遮蔽单元的设置空间内，挡墙则连接底部，并位于第一透光基板、金属遮光层及第二透光基板的周围。

在本发明波长转换装置的制作方法至少一实施例中，包括：在第二透光基板的一第二表面形成光阻层；对第二透光基板的第二表面上的光阻层进行微影工艺，以在第二透光基板的第二表面形成一第二光阻图案层；对未被第二光阻图案层遮蔽的第二透光基板进行蚀刻工艺，以在第二透光基板的第二表面上形成至少一第二凹槽；去除第二光阻图案层；将波长转换单元设置在第二透光基板的第二凹槽内；及将第二透光基板的第二凹槽对准第一透光基板的第一凹槽，并连接第一透光基板及第二透光基板。

通过本发明所述的发光装置及波长转换装置，可有效提高发光装置的发光效率及发光品质，并可延长发光装置及波长转换装置的使用寿命。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

图1至图7为本发明波长转换装置的制作方法一实施例的工艺步骤示意图；

图8为本发明波长转换装置一实施例的剖面示意图；

图9为本发明波长转换装置的第二透光基板的制作方法一实施例的工艺步骤示意图；

图10为本发明波长转换装置又一实施例的剖面示意图；

图11为本发明波长转换装置的第二透光基板一实施例的剖面示意图；

图12为本发明发光装置一实施例的剖面示意图；

图13为本发明发光装置一实施例的俯视图；

图14为本发明发光装置又一实施例的剖面示意图；

图15为本发明发光装置又一实施例的剖面示意图；

图16为本发明发光装置又一实施例的剖面示意图。

附图标记说明

10、波长转换装置；

100、发光装置；

11、第一透光基板；

111、第一凹槽；

112、第一表面；

12、波长转换单元；

121、量子点；

123、胶体；

13、金属层；

131、金属遮光层；

15、光阻层；

151、第一光阻图案层；

153、第二光阻图案层；

17、第二透光基板；

171、第二凹槽；

172、第二表面；

20、发光二极体阵列；

21、发光二极体晶片；

23、遮蔽单元；

231、设置空间；

233、挡墙；

235、底部；

25、电路板；

L、光线；

L1、第一光线；

L2、第二光线；

L3、第三光线。

具体实施方式

图1至图7为本发明波长转换装置的制作方法的一实施例的工艺步骤示意图。如图1所示，提供一第一透光基板11，并于第一透光基板11的一第一表面112上形成一金属层13。在本发明的一实施例中，第一透光基板11为具有透光及防水特性的材质，例如第一透光基板11可以是玻璃基板或蓝宝石基板，其中第一透光基板11的厚度可介于50um至1mm之间。

此外，金属层13可包括稀土元素、化学性质较不活泼的金属或其合金，例如钼(Mo)、金 (Au)、钕 (Nd)、铌(Nb)、钇 (Y)或钼铌(MoNb)等。金属层13可通过沉积工艺设置在第一透光基板11的第一表面112上，例如溅镀或蒸镀，其中金属层13的厚度可介于10微米至500微米之间。上述第一透光基板11及金属层13的材质及厚度仅为本发明的一实施例，并非本发明权利范围的限制。

如图2所示，在金属层13上涂布光阻，以在金属层13的表面形成一光阻层15。

如图3所示，对金属层13表面的光阻层15进行一微影工艺，以在金属层13的部分表面上定义并形成第一光阻图案层151，其中部分的金属层13未被第一光阻图案层151所遮挡。微影工艺包括曝光、显影、烘烤加热等工艺。

如图4所示，对未被第一光阻图案层151遮挡的金属层13及第一透光基板11进行蚀刻工艺，并在第一透光基板11的第一表面112上形成一金属遮光层131及至少一第一凹槽111。

上述的蚀刻工艺可包括干式蚀刻及湿式蚀刻，两者都可以在第一透光基板11上形成金属遮光层131及第一凹槽111。一般而言，湿式蚀刻是等向性蚀刻，通过湿式蚀刻形成的第一凹槽111的侧壁通常会具有弧度。相较之下，干式蚀刻则是非等向性蚀刻，通过干式蚀刻形成的第一凹槽111的侧壁通常会与底表面垂直，较类似图4中的第一凹槽111的剖面形状。图4中的第一凹槽111的剖面形状为方形仅为本发明的一说明实施例，并非本发明权利范围的限制。在不同实施例中，第一凹槽111的侧壁可以具有弧度。

如图5所示，将金属遮光层131表面的第一光阻图案层151去除。例如可通过有机或无机溶剂去除第一光阻图案层151，或者是通过电浆去除第一光阻图案层151。

如图6所示，将一波长转换单元12设置在第一透光基板11的第一凹槽111内，其中波长转换单元12可包括多个量子点(Quantum Dot)121及胶体123的混合，或者是多个萤光粉与胶体123的混合。胶体123可以是具有透光特性的材质，例如聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)、乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚苯乙烯(PS)、聚乙烯(PP)、环氧树脂(epoxy)以及硅胶(silicone)等。量子点121可以是由半导体材料形成的纳米颗粒，目前研究的半导体材料为II-VI材料，例如ZnS、CdS、CdSe等。

具体而言，量子点121照光后产生的光线的波长会与其尺寸相关，而萤光粉转换的光线的波长则会与其材料相关。在本发明的一实施例中，第一透光基板11可具有多个第一凹槽111，其中各个第一凹槽111内的波长转换单元12可设置具有不同尺寸的量子点121或者是不同材质的萤光粉。

量子点121具有较高的表面活性，并容易与空气及水气发生反应。在混合量子点121及胶体123时，量子点121可能会产生团聚效应，进而降低了量子点121的光学性能。另外，外界的水气或空气可能会穿过胶体123，并与量子点121的表面接触，进而导致量子点121氧化。因此，一般会通过原子层沉积，在量子点121的表面形成保护薄膜，以隔绝量子点121与外界的水气或氧气。

在实际应用时，波长转换单元12的厚度可能会影响转换的光线的波长分布，其中波长转换单元12的厚度又与第一凹槽111的深度相关。因此第一凹槽111的深度可能需要有一定的规范，例如第一凹槽111的深度可介于10微米至500微米之间。

在本发明的一实施例中，如图7及图8所示，将一第二透光基板17连接第一透光基板11或金属遮光层131，其中第二透光基板17会覆盖第一透光基板11上的第一凹槽111及波长转换单元12，使得波长转换单元12被密封在第一透光基板11及第二透光基板17之间，以进一步隔绝波长转换单元12与外界的水气或空气接触的机会。例如第一透光基板11及第二透光基板17可具有相同的尺寸及材料，并可通过一连接胶体连接第一透光基板11及第二透光基板17。

而后使得第一透光基板11的第一凹槽111内的波长转换单元12硬化成形，例如可通过烘烤加热或照光的方式使得波长转换单元12的胶体123硬化。在本发明的一实施例中，可于第一透光基板11连接第二透光基板17后，再硬化波长转换单元12的胶体123。在本发明的另一实施例中，可先硬化波长转换单元12的胶体123，之后再连接第一透光基板11及第二透光基板17。

第一透光基板11与第二透光基板17相连接后，金属遮光层131会位于第一透光基板11与第二透光基板17之间。通过金属遮光层131的设置，将有利于第一透光基板11及第二透光基板17之间的对位及连接，并可进一步提高隔离外界的水气或氧气的效果。此外，金属遮光层131更可用以反射及遮蔽发光二极体晶片21产生的部分光线L，以提高光转换利用率，并防止发光二极体晶片21产生的光线L未经过波长转换单元12，便直接传送至波长转换装置10的外部，而导致通过波长转换装置10的光色不均的情况。

在实际应用时，波长转换装置10可直接应用在发光装置100上，如图12所示的实施例。在不同实施例中，也可沿着图8的虚线切割波长转换装置10，之后再使用经过切割的波长转换装置10。

在本发明的另一实施例中，如图9所示，第二透光基板17的一第二表面172用以连接第一透光基板11的第一表面112，并于第二透光基板17的第二表面172上形成至少一第二凹槽171。

具体而言，可在第二透光基板17的第二表面172上涂布光阻层15，并对光阻层15进行微影工艺，以在第二透光基板17的第二表面172形成一第二光阻图案层153。而后对未被第二光阻图案层153遮蔽的第二透光基板17进行蚀刻工艺，以在第二透光基板17的第二表面172上形成至少一第二凹槽171，其中第一透光基板11上的第一凹槽111的数量及/或位置会与第二透光基板17上的第二凹槽171相同。

如图10所示，将波长转换单元12设置在第二凹槽171内。而后将第二透光基板17的第二表面172朝向第一透光基板11的第一表面112，使得第二透光基板17的第二凹槽171对准第一透光基板11的第一凹槽111，并连接第一透光基板11及第二透光基板17。第一透光基板11上的第一凹槽111会与第二透光基板17上的第二凹槽171相连接，并形成一密闭的容置空间，其中波长转换单元12会被密封在第一凹槽111及第二凹槽171形成的容置空间内。而后可依据后续的需求，沿着图10的虚线切割波长转换装置10。

当第二透光基板17具有第二凹槽171及波长转换单元12时，可调整第一透光基板11的第一凹槽111的深度，使得第一透光基板11及第二透光基板17上整体的波长转换单元12的厚度符合预设的厚度。例如当第二透光基板17具有第二凹槽171时，可缩小第一透光基板11的第一凹槽111的深度，使得第一凹槽111及第二凹槽171的深度总和介于10微米至500微米之间。

在本发明的另一实施例中，如图11所示，可先对第二透光基板17的第二表面172形成金属层13，而后在金属层13表面形成第二光阻图案层153。之后对未被第二光阻图案层153遮挡的金属层13及第二透光基板17的第二表面172进行蚀刻工艺，以在第二透光基板17的第二表面172上形成金属遮光层131及至少一第二凹槽171。

具体而言，图11的第二透光基板17的构造会与图5的第一透光基板11的构造相近，其中第一透光基板11的第一表面112及第二透光基板17的第二表面172皆具有金属遮光层131。在连接第一透光基板11及第二透光基板17时，第一透光基板11的金属遮光层131可通过连接胶体连接第二透光基板17的金属遮光层131，并有利于进行第一透光基板11及第二透光基板17的对位及连接。

图8为本发明波长转换装置一实施例的剖面示意图。波长转换装置10主要包括一第一透光基板11、一金属遮光层131、至少一波长转换单元12及一第二透光基板17，其中第一透光基板11的第一表面112具有至少一第一凹槽111，而波长转换单元12则位于第一凹槽111内。

金属遮光层131设置在第一透光基板11的第一表面112上，并位于第一凹槽111及波长转换单元12的周围，例如第一透光基板11未形成第一凹槽111的第一表面112上皆可设置金属遮光层131。

第二透光基板17连接第一透光基板11或金属遮光层131，并覆盖第一透光基板11上的第一凹槽111、波长转换单元12及/或金属遮光层131，以将波长转换单元12封装在第一透光基板11及第二透光基板17之间。具体而言，第二透光基板17与第一透光基板11的金属遮光层131之间，可能会具有一连接胶体。

在本发明的另一实施例中，如图10所示，第二透光基板17可包括至少一第二凹槽171，其中第二凹槽171内具有波长转换单元12。第一透光基板11的第一凹槽111面对第二透光基板17的第二凹槽171，使得第一透光基板11的第一凹槽111与第二透光基板17的第二凹槽171相连接，其中第一凹槽111及第二凹槽171的周围皆设置金属遮光层131。

图12为本发明发光装置一实施例的剖面示意图。发光装置100包括一波长转换装置10、至少一发光二极体晶片21及一遮蔽单元23，其中波长转换装置10的构造如图8或图10所示。在本发明的另一实施例中，发光装置100也可为一显示器。

发光二极体晶片21与波长转换装置10的第一透光基板11或第二透光基板17相邻，其中发光二极体晶片21用以产生一光线L，并将光线L投射至第一透光基板11与第二透光基板17之间的波长转换单元12。波长转换单元12会吸收光线L的能量，并转换及产生第一光线L1，其中光线L的波长会小于第一光线L1的波长。

在本发明的一实施例中，发光二极体晶片21及波长转换单元12的数量可为多个，并形成一发光二极体阵列20。各个发光二极体晶片21分别朝向各个波长转换单元12，并分别将产生的光线L投射至各个波长转换单元12。

发光二极体晶片21可通过覆晶(Flip Chip)的方式设置在一电路板25上，例如将晶片级封装(Chip Scale Package，CSP)的发光二极体晶片21以覆晶的方式设置在电路板25上。发光二极体晶片21为覆晶式设置仅为本发明的一实施例，并非本发明权利范围的限制，在不同实施例中发光二极体晶片21可以是垂直式(Vertical Chip)或平面式(Face-up)。

波长转换单元12可分别设置具有不同尺寸的量子点121或者是不同材质的萤光粉，并分别将发光二极体晶片21产生的光线L转换为第一光线L1、第二光线L2及第三光线L3，其中光线L的波长会小于第一光线L1、第二光线L2及第三光线L3，例如光线L可以是紫外光或蓝光，第一光线L1、第二光线L2及第三光线L3分别为红光、绿光及蓝光。

在实际应用时，发光二极体晶片21产生的光线L大部分会穿透第一透光基板11，并投射至波长转换单元12。然而有部分的光线L则可能会穿透第一凹槽111周围的第一透光基板11及第二透光基板17，而未经过波长转换单元12便传送至发光装置100的外部。如此一来将会在第一光线L1、第二光线L2及/或第三光线L3的周围形成不同光色的光线L，并造成波长转换装置10产生的光色不均。

为此，本发明在第一凹槽111及波长转换单元12的周围形成金属遮光层131，如图13所示，其中金属遮光层131可用以遮挡未通过或投射至波长转换单元12的光线L，以避免在第一光线L1、第二光线L2及/或第三光线L3周围产生漏光。此外，金属遮光层131还可用以反射部分光线L，例如未通过波长转换单元12的光线L，其中光线L经过多次的反射或散射后将会被引导至波长转换单元12，有利于提高经过波长转换单元12转换而产生的第一光线L1、第二光线L2及/或第三光线L3的亮度。

遮蔽单元23设置在第一透光基板11及第二透光基板17的周围，并覆盖第一透光基板11及第二透光基板17之间的金属遮光层131。在本发明的一实施例中，遮蔽单元23可包括至少一设置空间231、一挡墙233及/或一底部235，其中设置空间231对准第一透光基板11的第一凹槽111，而发光二极体晶片21则位于遮蔽单元23的设置空间231内。例如设置空间231可以是设置在遮蔽单元23的底部235上的穿孔，而挡墙233则连接底部235，并环绕在设置空间231及/或底部235的周围。遮蔽单元23可包括胶体及不透光粉末的混合，例如胶体可以是硅胶或环氧树脂，而不透光的粉末可以是二氧化钛。

具体而言，当波长转换装置10连接发光二极体阵列20时，遮蔽单元23的挡墙233会位于第一透光基板11及第二透光基板17的周围。挡墙233会完整的覆盖第一透光基板11的侧表面及第二透光基板17的部分侧表面，并覆盖位于第一透光基板11及第二透光基板17之间的金属遮光层131的周围，使得光线L不会由波长转换装置10的侧表面传送至外部，例如遮蔽单元23的挡墙233的设置高度会高于金属遮光层131。

在实际应用时，遮蔽单元23只要能遮挡第一透光基板11的侧表面及金属遮光层131，便可达到遮光的效果。因此，上述的底部235及设置空间231并非遮蔽单元23的必要构件，也非本发明权利范围的限制。在本发明的一实施例中，发光二极体晶片21可通过粘胶固定在第一透光基板11的下表面，并与电路板25电性连接，使得遮蔽单元23不需要设置附图中的设置空间231及底部235。

在本发明的另一实施例中，如图14所示，第二透光基板17可包括至少一第二凹槽171，其中第二透光基板17连接第一透光基板11时，第二凹槽171会对准第一凹槽111，并形成一封闭空间，而波长转换单元12则位于第一凹槽111及第二凹槽171内。此外，金属遮光层131则位于第一凹槽111、第二凹槽171及波长转换单元12的周围。

在本发明的另一实施例中，如图15及图16所示，可将图8及图10中沿着虚线切割的波长转换装置10连接遮蔽单元23及发光二极体晶片21。

以上所述，仅为本发明的一较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，即凡依本发明专利申请范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的专利申请范围内。

Claims (10)

1.一种发光装置，其特征在于，包括：

一波长转换装置，包括：

一第一透光基板，包括至少一第一凹槽，该第一凹槽位于该第一透光基板的一第一表面；

至少一波长转换单元，位于该第一透光基板的该第一凹槽内；

一金属遮光层，设置在该第一透光基板的该第一表面，并位于该第一凹槽及该波长转换单元的周围；

一第二透光基板，连接该第一透光基板或该金属遮光层，并覆盖该第一透光基板的该第一凹槽、该波长转换单元及该金属遮光层；及

至少一发光二极体晶片，与该第一透光基板或该第二透光基板相邻，并用以将产生的一光线投射至该波长转换单元，其中该金属遮光层用以遮挡或反射部分该光线，使得该光线被引导至该波长转换单元。

2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该第二透光基板包括至少一第二凹槽，该第二凹槽面对该第一透光基板的该第一凹槽，并于该第二透光基板的该第二凹槽内设置该波长转换单元。

3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该波长转换单元包括多个量子点或多个萤光粉。

4.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，包括一遮蔽单元设置在该第一透光基板及该第二透光基板的周围，并位于该第一透光基板及该第二透光基板之间的该金属遮光层的周围。

5.如权利要求4所述的发光装置，其特征在于，该遮蔽单元包括一底部、一挡墙及至少一设置空间，该设置空间位于该底部，并对准该第一透光基板的该第一凹槽，而该发光二极体晶片则设置在该遮蔽单元的该设置空间内，该挡墙则连接该底部，并位于该第一透光基板、该金属遮光层及该第二透光基板的周围。

6.一种波长转换装置，其特征在于，包括：

一第一透光基板，包括至少一第一凹槽，该第一凹槽位于该第一透光基板的一第一表面；

至少一波长转换单元，位于该第一透光基板的该第一凹槽内；

一金属遮光层，设置在该第一透光基板的该第一表面，并位于该第一凹槽的周围；及

一第二透光基板，连接该第一透光基板或该金属遮光层，并覆盖该第一透光基板的该第一凹槽、该波长转换单元及该金属遮光层。

7.如权利要求6所述的波长转换装置，其特征在于，该第二透光基板包括至少一第二凹槽，该第二凹槽面对该第一透光基板的该第一凹槽，并于该第二透光基板的该第二凹槽内设置该波长转换单元。

8.如权利要求6所述的波长转换装置，其特征在于，该波长转换单元包括多个量子点或多个萤光粉。

9.一种波长转换装置的制作方法，其特征在于，包括：

提供一第一透光基板，并在该第一透光基板的一第一表面上形成一金属层；

在该金属层的表面形成一光阻层；

对该金属层表面的该光阻层进行一微影工艺，以在该金属层的表面形成一第一光阻图案层；

对未被该第一光阻图案层遮挡的该金属层及该第一透光基板进行一蚀刻工艺，以在该第一透光基板的该第一表面上形成一金属遮光层及至少一第一凹槽；

去除该第一光阻图案层；

将一波长转换单元设置在该第一透光基板的该第一凹槽内；及

连接该第一透光基板及一第二透光基板，并使得该第二透光基板覆盖该第一透光基板上的该第一凹槽、该波长转换单元及该金属遮光层。

10.如权利要求9所述的波长转换装置的制作方法，其特征在于，包括：

在该第二透光基板的一第二表面形成该光阻层；

对该第二透光基板的该第二表面上的该光阻层进行微影工艺，以在该第二透光基板的该第二表面形成一第二光阻图案层；

对未被该第二光阻图案层遮蔽的该第二透光基板进行蚀刻工艺，以在该第二透光基板的该第二表面上形成至少一第二凹槽；

去除该第二光阻图案层；

将该波长转换单元设置在该第二透光基板的该第二凹槽内；及

将该第二透光基板的该第二凹槽对准该第一透光基板的该第一凹槽，并连接该第一透光基板及该第二透光基板。