CN118102594A - 一种适用于线路板的退膜方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及印制线路板的退膜过程领域，尤指一种适用于印制线路板退膜的工艺方法，包括有以下步骤：步骤一，采用无机退膜液进行分别进行两段式的退膜，该无机退膜液包含有3‑5wt％的氢氧化钠，其余为去离子水，温度在45‑55°之间，退膜时间为60‑90s之间；步骤二，采用有机退膜液作为第三段式的退膜，该有机退膜液包含有：有机碱乙醇胺0.8‑2.0wt％，有机溶剂乙二醇1.2‑2wt％，缓蚀剂苯并三氮挫0.01‑0.05wt％，加速剂聚乙二醇‑1000在0.5‑1wt％，其余为去离子水，温度控制在45‑55℃之间，退膜时间30‑50s之间。本发明的退膜方法主要是采用有机退膜液与无机退膜液的混搭使用，另外，无机退膜液是使用二次的，并且是分段式进行，在结合有机退膜液后，产出的膜渣更大，并且对锡的分解更小。
Description
技术领域
本发明涉及印制线路板的退膜过程领域，尤指一种适用于印制线路板退膜的工艺方法。
背景技术
印刷制板，是线路板在印刷前的工艺流程之一，在这个流程内，会涉及到退膜的步骤，是在铜箔表面形成电路图案的重要步骤之一。
线路板的结构是多样化的，在退膜中，针对不同结构的线路板，普遍的客户都是采用单一的退膜方式对光敏胶去除。
通常地，这种单一的退膜方式，包含有：有机退膜或者无机退膜两种。
有机退膜液工艺是不影响线路板上的锡面涂层，但对干膜产生的膜碎比较细，容易造成过滤系统的困扰，特别是容易堵塞喷嘴，影响退膜效果，对设备的投入和保养频率上有比较大的挑战。
而无机退膜液在产生膜碎的方面相对于有机退膜工序具有体积大的优势，在过滤方面，容易滤出，过滤更见容易，不易堵塞喷嘴，不会影响退膜效果，但会对锡面会造成腐蚀(锡面是在二次铜的表面涂上，防止铜被腐蚀)，导致后续的蚀刻比较麻烦。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供一种适用于线路板的退膜方法，能够减缓对锡面的腐蚀，同时又能满足提升膜碎的条件。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：一种适用于线路板的退膜方法，包括有以下步骤：
步骤一，采用无机退膜液进行分别进行两段式的退膜，该无机退膜液包含有3-5wt％的氢氧化钠，其余为去离子水，温度在45-55°之间，退膜时间为60-90s之间；
步骤二，采用有机退膜液作为第三段式的退膜，该有机退膜液包含有：有机碱乙醇胺0.8-2.0wt％，有机溶剂乙二醇1.2-2wt％，缓蚀剂苯并三氮挫0.01-0.05wt％，加速剂聚乙二醇-1000在0.5-1wt％，其余为去离子水，温度控制在45-55℃之间，退膜时间30-50s之间。
进一步地，氢氧化钠为3wt％，其余为去离子水，温度为45℃，退膜时间为68s；机碱乙醇胺0.8wt％，乙二醇1.2wt％，苯并三氮挫0.01wt％，聚乙二醇-1000在0.5wt％，其余为去离子水，温度控制为45℃，退膜时间为45s。
进一步地，氢氧化钠为4wt％，其余为去离子水，温度为50℃，退膜时间为68s；乙醇胺1.4wt％，乙二醇1.6wt％，苯并三氮挫0.03wt％聚乙二醇-1000在0.75wt％，其余为去离子水，温度控制为50℃，退膜时间为37s。
进一步地，氢氧化钠为5wt％，其余为去离子水，温度为55℃，退膜时间为68s；乙醇胺2wt％，乙二醇2wt％，苯并三氮挫0.05wt％，聚乙二醇-1000在1wt％，其余为去离子水，温度控制为55℃，退膜时间为37s。
本发明的有益效果：
本发明的退膜方法主要是采用有机退膜液与无机退膜液的混搭使用，另外，无机退膜液是使用二次的，并且是分段式进行，在结合有机退膜液后，产出的膜渣更大，并且对锡的分解更小。
具体实施方式
一种适用于线路板的退膜方法，这种退膜方法是应用在二铜的步骤后。
以下为现有技术中的单一有机退膜的参数表：
测试结果如下：
另一种现有的有机退膜参数，具体数值如下表所示：
测试结果如下表所示：
从结果可知，线路、铜箔锡厚下降20％作用，而MARK点、孔环的锡厚下降了30％以上；退膜完全，膜渣相对比较大。
在本实施例一中：
这种退膜方法，包括以下步骤：
步骤一，采用无机退膜液进行两段式的退膜，该无机退膜液包含有3wt％的氢氧化钠，其余为去离子水，温度在45°，退膜时间为68s；
步骤二，采用有机退膜液作为第三段式的退膜，该有机退膜液包含有：有机碱乙醇胺0.8wt％，有机溶剂乙二醇1.2wt％，缓蚀剂苯并三氮挫0.01wt％，加速剂聚乙二醇-1000为0.5wt％，其余为去离子水，温度为45℃，退膜时间为37s。
测试结果如下表所示：
综上所述，该退膜方法弱化了对锡的分解强度，线路、铜箔的厚度下降了约5％，退膜完全，膜渣相对比较大，能很好的过滤。
在本实施例二中：
这种退膜方法，包括以下步骤：
步骤一，采用无机退膜液进行两段式的退膜，该无机退膜液包含有4wt％的氢氧化钠，其余为去离子水，温度在50℃，退膜时间为68s。
步骤二，采用有机退膜液作为第三段式的退膜，该有机退膜液包含有：有机碱乙醇胺1.4wt％，有机溶剂乙二醇1.6wt％，缓蚀剂苯并三氮挫0.03wt％，加速剂聚乙二醇-1000为0.75wt％，其余为去离子水，温度为50℃，退膜时间为37s。
实施例二中的结果，膜渣的体积要比实施例一中的膜渣大，更利于膜渣的过滤，同时，对于锡的分解，也维持在5％的厚度。
在实施例三中：
这种退膜方法，包括以下步骤：
步骤一，采用无机退膜液进行分别进行两段式的退膜，该无机退膜液包含有5％的氢氧化钠，其余为去离子水，温度在55℃，退膜时间为68s。
步骤二，采用有机退膜液作为第三段式的退膜，该有机退膜液包含有：有机碱乙醇胺2.0wt％，有机溶剂乙二醇2wt％，缓蚀剂苯并三氮挫0.05wt％，加速剂聚乙二醇-1000为1wt％，其余为去离子水温度为55℃，退膜时间为37s。
测试结果如下表所示：
从测试效果来看，锡的厚度有7％的作用，退膜完全，另外，实施例三种的膜渣要比实施例二的膜渣更大，过滤效果更好。
实施例一、二、三的具体步骤如下：
S1，在工作槽中加入去离子水；
S2，在第一段退膜槽中加入3-5％的氢氧化钠，搅拌溶解完全；
S3，第二段退膜槽中加入3-5％的氢氧化钠，搅拌溶解完全；
S4，第三段退膜槽中加入包含上述配置好的有机退膜液并循环搅拌；
S5，开启升温装置升温到50℃；
S6，补加去离子水至所需液位；
S7，开启设备传送、过滤、循环等，设置线速放板退膜。
以上实施方式仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本发明设计精神的前提下，本领域普通工程技术人员对本发明的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本发明的权利要求书确定的保护范围内。
Claims (4)
1.一种适用于线路板的退膜方法，其特征在于，包括有以下步骤：
步骤一，采用无机退膜液进行分别进行两段式的退膜，该无机退膜液包含有3-5wt％的氢氧化钠，其余为去离子水，温度在45-55°之间，退膜时间为60-90s之间；
步骤二，采用有机退膜液作为第三段式的退膜，该有机退膜液包含有：有机碱乙醇胺0.8-2.0wt％，有机溶剂乙二醇1.2-2wt％，缓蚀剂苯并三氮挫0.01-0.05wt％，加速剂聚乙二醇-1000在0.5-1wt％，其余为去离子水，温度控制在45-55℃之间，退膜时间30-50s之间。
2.根据权利要求1所述的一种适用于线路板的退膜方法，其特征在于，氢氧化钠为3wt％，其余为去离子水，温度为45℃，退膜时间为68s；机碱乙醇胺0.8wt％，乙二醇1.2wt％，苯并三氮挫0.01wt％，聚乙二醇-1000在0.5wt％，其余为去离子水，温度控制为45℃，退膜时间为45s。
3.根据权利要求1所述的一种适用于线路板的退膜方法，其特征在于，，氢氧化钠为4wt％，其余为去离子水温度为50℃，退膜时间为68s；乙醇胺1.4wt％，乙二醇1.6wt％，苯并三氮挫0.03wt％，聚乙二醇-1000在0.75wt％，其余为去离子水，温度控制为50℃，退膜时间为37s。
4.根据权利要求1所述的一种适用于线路板的退膜方法，其特征在于，，氢氧化钠为5wt％，其余为去离子水温度为55℃，退膜时间为68s；乙醇胺2wt％，乙二醇2wt％，苯并三氮挫0.05wt％，聚乙二醇-1000在1wt％，其余为去离子水，温度控制为55℃，退膜时间为37s。
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