CN118092065A - 用于半色调掩膜版htm的缺陷标准样片及缺陷检测方法 - Google Patents

用于半色调掩膜版htm的缺陷标准样片及缺陷检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN118092065A
CN118092065A CN202410395720.6A CN202410395720A CN118092065A CN 118092065 A CN118092065 A CN 118092065A CN 202410395720 A CN202410395720 A CN 202410395720A CN 118092065 A CN118092065 A CN 118092065A
Authority
CN
China
Prior art keywords
defect
pattern
single particle
standard sample
defects
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202410395720.6A
Other languages
English (en)
Inventor
宋恺
熊启龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Qingyi Photoelectric Co ltd
Original Assignee
Hefei Qingyi Photoelectric Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Qingyi Photoelectric Co ltd filed Critical Hefei Qingyi Photoelectric Co ltd
Priority to CN202410395720.6A priority Critical patent/CN118092065A/zh
Publication of CN118092065A publication Critical patent/CN118092065A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

本发明涉及掩膜版缺陷检测,具体涉及用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片及缺陷检测方法,包括表征待检测图形区域的第一图形单粒,以及表征缺陷图形区域的第二图形单粒,第一图形单粒与第二图形单粒对称设置,且第一图形单粒与第二图形单粒包含的图形主体完全一致,第二图形单粒内的缺陷图形包含不同种类、不同规格的缺陷;本发明提供的技术方案能够有效克服现有技术所存在的无法设计出能够适配检查机检出精度,且能够同时进行Die to Die检查和Die to DB检查的用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片的缺陷。

Description

用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片及缺陷检测方法
技术领域
本发明涉及掩膜版缺陷检测,具体涉及用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片及缺陷检测方法。
背景技术
半色调掩膜版(Half-tone Mask,缩写为HTM)是利用具有一定光学透过率的膜来实现部分透光功能的掩膜版,其作为先进的掩膜版类型,主要应用于TFT面板的生产。传统掩膜版在使用时对于特定波长的光只呈现透光、不透光两种效果,而半色调掩膜版HTM则是在玻璃基板上经过多次溅射沉积形成半透膜、遮光膜两个膜层,然后通过两次光刻制程形成包含全透光、完全不透光和部分透光效果的图形结构,其图形精度的各项指标均高于传统掩膜版。
现有半色调掩膜版HTM中,PS图层(即Photo Spacer图层)已经实现了常规化的生产流程,制成能力充足,但如何确定PS图层光学检查机的检查能力成为亟待解决的问题。目前,行业内主流光学检查机均只有Binary产品检查金版,而针对半色调掩膜版HTM并未设计相应的“金版”来确定自动光学检查机AOI的检查能力。
考虑到掩膜版缺陷的复杂性与多样性,且能保证自动光学检查机AOI的检查能力,设计一种用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片显得尤为重要。这种缺陷标准样片一方面能够满足使用人员对机台检出精度的把控,可以按照客户要求的规格相应修正感度文件;另一方面可以有效避免由于自动光学检查机AOI对缺陷漏检导致客户端生产产品质量下降的情况,能够提升制成良率,保证产品品质。
目前,掩膜板生产行业中样片的种类以及设计方案较多,但考虑到机台的检出特性和检出精度,设计与实际设备相匹配的,且能够适配检出精度的用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片较少。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术所存在的上述缺点,本发明提供了用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片及缺陷检测方法,能够有效克服现有技术所存在的无法设计出能够适配检查机检出精度,且能够同时进行Die to Die检查和Die to DB检查的用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片的缺陷。
(二)技术方案
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:
用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片,包括表征待检测图形区域的第一图形单粒,以及表征缺陷图形区域的第二图形单粒,所述第一图形单粒与第二图形单粒对称设置,且所述第一图形单粒与第二图形单粒包含的图形主体完全一致,所述第二图形单粒内的缺陷图形包含不同种类、不同规格的缺陷。
优选地,所述第一图形单粒包含多个相同的待检测图形,所述第二图形单粒包含多个与待检测图形的图形主体完全一致,且具有不同种类、不同规格的缺陷的缺陷图形。
优选地,所述第二图形单粒内的缺陷图形具有线边缺陷Line Defect、针孔缺陷Pin Hole Defect、点状缺陷Pin Dot Defect、角缺陷Corner Defect四大类,共计32种缺陷;
每种缺陷的缺陷规格最小值为0.35μm、缺陷规格最大值为5μm,每种缺陷对应的多个缺陷图形按照缺陷规格0.35μm、0.4μm、0.45μm、0.5μm、0.55μm、0.6μm、0.65μm、0.7μm、0.75μm、1.0μm、1.5μm、1.75μm、2.0μm、3.0μm、4.0μm、5.0μm的顺序进行排列,且相邻缺陷图形之间的间距均为20μm。
优选地,所述缺陷标准样片的底部对称设置有用于自动光学检查机AOI确认缺陷标准样片水平的水平参考图形,所述缺陷标准样片的四个角上均设有用于自动光学检查机AOI进行位置标定的Mark点,所述缺陷标准样片的外围保留用于光源补偿的玻璃白区。
优选地,所述水平参考图形采用纯铬制成,所述水平参考图形的长度为10mm,宽度为2mm。
优选地,所述Mark点呈“十”字形,所述Mark点的尺寸为200*200μm。
优选地,所述缺陷标准样片采用6inch版材制成,且表面设置有用于提供保护的Pellicle薄膜。
用于半色调掩膜版HTM的缺陷检测方法,制作缺陷标准样片,并对缺陷标准样片同时进行Die to Die检查和Die to DB检查,实现对半色调掩膜版HTM的缺陷检测,同时获取每种检出缺陷对应的检出精度。
优选地,所述Die to Die检查为对两部分相同图形进行对比,通过机台演算后得到缺陷检测结果;
所述Die to DB检查为将待检测图形与GDS数据进行数据差分,并对缺陷进行演算后得到缺陷检测结果。
(三)有益效果
与现有技术相比,本发明所提供的用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片及缺陷检测方法,具有以下有益效果:
1)将缺陷标准样片设计成对称式结构,且第一图形单粒与第二图形单粒的设计尺寸完全一致,从而能够满足检查机镜头对两部分相同图形进行对比的检出逻辑,即能够适配Die to Die检查方式;
2)第一图形单粒与第二图形单粒包含的图形主体完全一致,能够满足将待检测图形与GDS数据进行数据差分的检出逻辑,即能够适配Die to DB检查方式,从而利用该缺陷标准样片能够同时进行Die to Die检查和Die to DB检查,有效缩短缺陷检测时间,提高缺陷检测效率;
3)利用第二图形单粒内的缺陷图形中不同种类、不同规格的缺陷设计,以及缺陷图形的排布,能够有效适配检查机的检出精度,同时也为检查机对于不同感度的检出能力提供了一个很好的评估标准,通过检查机得到的检出缺陷可以很直观地确定检查机的检出精度;
4)第二图形单粒内的相邻缺陷图形之间具有相同的间距,能够满足相同步距Pitch下的检出逻辑,对于设备的检出更具针对性,且相同步距Pitch的设计方案对于检出缺陷更具规律性,方便人员判定。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的结构示意图;
图2为本发明中第二图形单粒内缺陷图形的排布示意图;
图3为本发明中第二图形单粒内缺陷图形具有几种缺陷的示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片,如图1所示,包括表征待检测图形区域的第一图形单粒,以及表征缺陷图形区域的第二图形单粒,第一图形单粒与第二图形单粒对称设置,且第一图形单粒与第二图形单粒包含的图形主体完全一致,第二图形单粒内的缺陷图形包含不同种类、不同规格的缺陷。
第一图形单粒包含多个相同的待检测图形,第二图形单粒包含多个与待检测图形的图形主体完全一致,且具有不同种类、不同规格的缺陷的缺陷图形。
如图2和图3所示,第二图形单粒内的缺陷图形具有线边缺陷Line Defect、针孔缺陷Pin Hole Defect、点状缺陷Pin Dot Defect、角缺陷Corner Defect四大类,共计32种缺陷;
每种缺陷的缺陷规格最小值为0.35μm、缺陷规格最大值为5μm,每种缺陷对应的多个缺陷图形按照缺陷规格0.35μm、0.4μm、0.45μm、0.5μm、0.55μm、0.6μm、0.65μm、0.7μm、0.75μm、1.0μm、1.5μm、1.75μm、2.0μm、3.0μm、4.0μm、5.0μm(这种缺陷规格设计能够满足所有倍镜的检查需求)的顺序进行排列,且相邻缺陷图形之间的间距均为20μm。
本申请技术方案中,缺陷标准样片的底部对称设置有用于自动光学检查机AOI确认缺陷标准样片水平的水平参考图形,缺陷标准样片的四个角上均设有用于自动光学检查机AOI进行位置标定的Mark点,缺陷标准样片的外围保留用于光源补偿的玻璃白区。
水平参考图形采用纯铬制成,水平参考图形的长度为10mm,宽度为2mm。
Mark点呈“十”字形,Mark点的尺寸为200*200μm。
缺陷标准样片采用6inch版材制成,且表面设置有用于提供保护的Pellicle薄膜。考虑到使用及存放的便利性,采用6inch版材制作缺陷标准样片,同时Pellicle薄膜能够为缺陷标准样片提供一层保护,保证缺陷标准样片的洁净度,避免外来颗粒对缺陷检测造成干扰,并且无需在缺陷检测前进行二次清洗。
本申请技术方案中,还公开了用于半色调掩膜版HTM的缺陷检测方法,制作缺陷标准样片,并对缺陷标准样片同时进行Die to Die检查和Die to DB检查,实现对半色调掩膜版HTM的缺陷检测,同时获取每种检出缺陷对应的检出精度。
其中,Die to Die检查为对两部分相同图形进行对比,通过机台演算后得到缺陷检测结果;
Die to DB检查为将待检测图形与GDS数据进行数据差分,并对缺陷进行演算后得到缺陷检测结果。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不会使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (9)

1.用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片,其特征在于:包括表征待检测图形区域的第一图形单粒,以及表征缺陷图形区域的第二图形单粒,所述第一图形单粒与第二图形单粒对称设置,且所述第一图形单粒与第二图形单粒包含的图形主体完全一致,所述第二图形单粒内的缺陷图形包含不同种类、不同规格的缺陷。
2.根据权利要求1所述的用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片,其特征在于:所述第一图形单粒包含多个相同的待检测图形,所述第二图形单粒包含多个与待检测图形的图形主体完全一致,且具有不同种类、不同规格的缺陷的缺陷图形。
3.根据权利要求2所述的用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片,其特征在于:所述第二图形单粒内的缺陷图形具有线边缺陷Line Defect、针孔缺陷Pin Hole Defect、点状缺陷Pin Dot Defect、角缺陷Corner Defect四大类,共计32种缺陷;
每种缺陷的缺陷规格最小值为0.35μm、缺陷规格最大值为5μm,每种缺陷对应的多个缺陷图形按照缺陷规格0.35μm、0.4μm、0.45μm、0.5μm、0.55μm、0.6μm、0.65μm、0.7μm、0.75μm、1.0μm、1.5μm、1.75μm、2.0μm、3.0μm、4.0μm、5.0μm的顺序进行排列,且相邻缺陷图形之间的间距均为20μm。
4.根据权利要求2所述的用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片,其特征在于:所述缺陷标准样片的底部对称设置有用于自动光学检查机AOI确认缺陷标准样片水平的水平参考图形,所述缺陷标准样片的四个角上均设有用于自动光学检查机AOI进行位置标定的Mark点,所述缺陷标准样片的外围保留用于光源补偿的玻璃白区。
5.根据权利要求4所述的用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片,其特征在于:所述水平参考图形采用纯铬制成,所述水平参考图形的长度为10mm,宽度为2mm。
6.根据权利要求4所述的用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片,其特征在于:所述Mark点呈“十”字形,所述Mark点的尺寸为200*200μm。
7.根据权利要求4所述的用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片,其特征在于:所述缺陷标准样片采用6inch版材制成,且表面设置有用于提供保护的Pellicle薄膜。
8.用于半色调掩膜版HTM的缺陷检测方法,应用权利要求2或4所述的用于半色调掩膜版HTM的缺陷标准样片,其特征在于:制作缺陷标准样片,并对缺陷标准样片同时进行Dieto Die检查和Die to DB检查,实现对半色调掩膜版HTM的缺陷检测,同时获取每种检出缺陷对应的检出精度。
9.根据权利要求8所述的用于半色调掩膜版HTM的缺陷检测方法,其特征在于:所述Dieto Die检查为对两部分相同图形进行对比,通过机台演算后得到缺陷检测结果;
所述Die to DB检查为将待检测图形与GDS数据进行数据差分,并对缺陷进行演算后得到缺陷检测结果。
CN202410395720.6A 2024-04-02 2024-04-02 用于半色调掩膜版htm的缺陷标准样片及缺陷检测方法 Pending CN118092065A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202410395720.6A CN118092065A (zh) 2024-04-02 2024-04-02 用于半色调掩膜版htm的缺陷标准样片及缺陷检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202410395720.6A CN118092065A (zh) 2024-04-02 2024-04-02 用于半色调掩膜版htm的缺陷标准样片及缺陷检测方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN118092065A true CN118092065A (zh) 2024-05-28

Family

ID=91154972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202410395720.6A Pending CN118092065A (zh) 2024-04-02 2024-04-02 用于半色调掩膜版htm的缺陷标准样片及缺陷检测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN118092065A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4758094A (en) Process and apparatus for in-situ qualification of master patterns used in patterning systems
TWI639052B (zh) 光罩底板的缺陷檢查方法、篩選方法及製造方法
US4718767A (en) Method of inspecting the pattern on a photographic mask
KR101071454B1 (ko) 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법, 포토마스크 및데이터베이스
JP2006309143A (ja) マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、マスクブランクス用ガラス基板、及びマスクブランクス
CN101315518A (zh) 光掩模的检查方法、光掩模的制造方法、电子部件的制造方法、测试掩模及测试掩模组
JP5142231B2 (ja) マスクブランクスの製造方法
JP3237928B2 (ja) パターン検査方法及び装置
KR101846065B1 (ko) 포토마스크 블랭크 및 이것을 사용한 포토마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법
JP3377006B2 (ja) フォトマスクブランクの検査方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及びフォトマスクブランク用ガラス基板
CN118092065A (zh) 用于半色调掩膜版htm的缺陷标准样片及缺陷检测方法
US11137678B2 (en) Method of evaluating photomask blank-associated substrate
CN109463000B (zh) 掩模坯料用基板、掩模坯料、转印用掩模以及它们的制造方法、半导体器件的制造方法
JP3450848B2 (ja) フォトマスクブランク、フォトマスクブランク用ガラス基板及びフォトマスク
JP2002174602A (ja) グレートーンマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP4842696B2 (ja) フォトマスクブランクの製造方法およびフォトマスクブランク
JP2009264942A (ja) カラーフィルタの外観検査方法
JP4100514B2 (ja) 電子デバイス用ガラス基板の製造方法、フォトマスクブランクの製造法及びフォトマスクの製造方法
CN116661238A (zh) 一种掩膜版检查机精度校准样片
CN118190965A (zh) 用于任意角度缺陷检测的缺陷标准样片及缺陷检测方法
JPH11264798A (ja) 電子デバイス用ガラス基板並びにこれを用いたフォトマスクブランク及びフォトマスク
JP3841116B2 (ja) 位相シフトマスクの検査装置及び検査方法
JP2009063298A (ja) カラーフィルタの外観検査方法
TW201812433A (zh) 光罩之製造方法、描繪裝置、顯示裝置之製造方法、光罩基板之檢查方法、及光罩基板之檢查裝置
JP3527909B2 (ja) フォトマスクブランク、フォトマスクブランク用ガラス基板及びフォトマスク

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination