CN118075987A - 金属箔、线路板、覆铜层叠板、电池的负极材料和电池 - Google Patents

Abstract

本发明公开了金属箔、线路板、覆铜层叠板、电池的负极材料和电池，金属箔包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面的金属平均晶粒尺寸小于所述第二表面的金属平均晶粒尺寸。本发明实施例提供的金属箔、线路板、覆铜层叠板、电池的负极材料和电池，通过对金属箔的平均晶粒尺寸进行合理规划，使得金属箔具有良好的耐蚀性及抗侧蚀性，能够有效防止蚀刻药水过渡蚀刻使金属线路呈倒梯形，有效提升了金属箔的品质，保障了线路板的电气性能。

Description

金属箔、线路板、覆铜层叠板、电池的负极材料和电池

技术领域

本发明涉及电解铜箔技术领域，尤其是涉及金属箔、线路板、覆铜层叠板、电池的负极材料和电池。

背景技术

金属箔是电子工业中广泛应用的重要材料，是覆铜板以及印刷电路板等产品的重要材料之一，金属箔在印制电路板中主要起导通电路、互联元器件的重要作用，被称为电子产品信号与电能传输、沟通的“神经网络”。同时，金属箔也是芯片封装、新能源电池中重要的原材料。

随着电子信息技术的发展，多层复杂或高密度细线路PCB板在高精度小型化电子产品中用量日益增多，通常用高精度电子金属箔或双面粗化电解金属箔用于高密度细线路PCB板或多层复杂PCB板内层，然而，在使用过程中发现，传统金属箔在蚀刻线路时容易发生蚀刻药水过量咬蚀，使得线路呈倒梯形，这会导致如下问题：1)线路间距变宽，减少了线路与基板的接触面积，从而降低线路与基板的结合力，线路容易与线路基板脱层，导致电路故障或电路性能不稳定，降低产品良率；2)减少了原本线路的面积，从而降低了信号传输的效率。

发明内容

本发明提供金属箔、线路板、覆铜层叠板、电池的负极材料和电池，通过对金属的平均晶粒尺寸进行合理规划，使得金属箔具有良好的耐蚀性及抗侧蚀性，能够有效防止蚀刻药水过渡蚀刻使金属线路呈倒梯形，有效提升了金属箔的品质，保障了线路板的电气性能。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种金属箔，包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面的金属平均晶粒尺寸小于所述第二表面的金属平均晶粒尺寸。

作为其中一种优选方案，所述H1厚度的平均金属晶粒尺寸a1的范围为0.05≤a1＜0.2μm；所述H2厚度的平均金属晶粒尺寸a2的范围为0.2≤a2＜0.3μm；所述H3厚度的平均金属晶粒尺寸a3的范围为0.3≤a3≤2μm；

所述H1厚度为从所述第一表面至占整体金属箔厚度的15～25％处；所述H2厚度为从所述第一表面至占整体金属箔厚度的15～25％处开始到从所述第二表面至占整体金属箔厚度的20～40％处为止；所述H3厚度为从所述第二表面至占整体金属箔厚度的20～40％处。

作为其中一种优选方案，所述H1厚度为0.01～1μm；或/和，所述H2厚度为0.2～2μm；和/或，所述H3厚度为0.5～3μm。

作为其中一种优选方案，所述第二表面为非平整表面。

作为其中一种优选方案，所述非平整表面的粗糙度Rz为0.4～3μm。

作为其中一种优选方案，所述金属箔的整体厚度为1～15μm。

作为其中一种优选方案，所述金属箔包括抗氧化层，所述抗氧化层设于所述第一表面或/和第二表面。

作为其中一种优选方案，所述金属箔包括剥离层，所述剥离层设于所述第一表面。

作为其中一种优选方案，所述金属箔包括载体层，所述载体层设于所述剥离层远离所述第一表面的一侧。

作为其中一种优选方案，所述金属箔的金属材料为镍、钛、铜、银、金、铂、铁、钴、铬、钨、钼、铝、镁、钾、钠、钙、锶、钡、锗、锑、铅、铟和锌中的任意一种；或，

所述金属材料为镍、钛、铜、银、金、铂、铁、钴、铬、钨、钼、铝、镁、钾、钠、钙、锶、钡、锗、锑、铅、铟和锌中任意两种形成的合金。

作为其中一种优选方案，所述金属箔还包括介质层，所述介质层设于至少一所述金属箔的所述表面上。

作为其中一种优选方案，所述介质层材质选自聚酰亚胺、环氧树脂、改性环氧树脂、改性丙烯酸树脂、氰酸酯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯烯、聚氯乙烯、聚砜、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚苯醚、聚四氟乙烯、液晶聚合物、聚乙二酰脲、环氧玻璃布、BT树脂、金属、陶瓷中的至少一种。

作为其中一种优选方案，所述金属箔还包括粘接层，所述粘接层设于至少一所述金属箔的所述表面上。

作为其中一种优选方案，所述粘接层的材质选自聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯类、聚酯类、聚乙烯类、聚酰胺类、橡胶类或丙烯酸酯类热塑性树脂，酚醛类、环氧类、热塑性聚酰亚胺、氨基甲酸酯类、三聚氰胺类或醇酸类热固性树脂，BT树脂，ABF树脂中的至少一种。

本发明另一实施例提供了一种覆铜层叠板，包括如上所述的金属箔。

本发明另一实施例提供了一种线路板，所述线路板包括如上所述的金属箔或如上所述的覆铜层叠板。

本发明另一实施例提供了一种半导体材料，所述半导体材料由如上所述的金属箔制备而成。

本发明再一实施例提供了一种应用于电池的负极材料，所述负极材料包括如上所述的金属箔和涂覆在所述金属箔表面的电极活性材料。

本发明又一实施例提供了一种电池，所述电池包括如上所述的负极材料。

相比于现有技术，本发明实施例的有益效果在于以下所述中的至少一点：

(1)为了防止蚀刻药水过渡蚀刻线路使其呈倒梯形，本发明针对制备线路的金属箔进行了改进，对金属箔中的金属晶粒尺寸进行了调整，将不同平均晶粒尺寸的金属晶粒的分布设置在不同的位置，将第一表面的金属平均晶粒尺寸设置为小于第二表面的金属平均晶粒尺寸，由此控制蚀刻药水的蚀刻速度，防止金属箔被过度蚀刻使线路形成倒梯形结构，一方面，避免了线路与基板分离，提高了线路与基板的剥离强度，另一方面，保障了线路信号传输的稳定性；

(2)当从第一表面至占整体金属箔厚度的15～25％处(H1)的金属平均晶粒尺寸a1的范围为0.05≤a1＜0.2μm，从第一表面至占整体金属箔厚度的15～25％处开始到从第二表面至占整体金属箔厚度的20～40％处为止(H2)的金属平均晶粒尺寸a2的范围为0.2≤a2＜0.3μm，以及从第二表面至占整体金属箔厚度的20～40％处(H3)的金属平均晶粒尺寸a3的范围为0.3≤a3≤2μm时，可使本发明的金属箔具有良好的耐蚀性及抗侧蚀性；

(3)选用本发明提供的金属箔，在进行蚀刻工艺时，蚀刻药水会首先与第一表面接触，由于第一表面的晶粒尺寸限制，晶粒尺寸小容易被蚀刻，当药水到达金属箔中部位置时，由于晶粒尺寸较大，减缓了药水的蚀刻速度，同理，当蚀刻药水到达第二表面时，由于晶粒尺寸更大，进一步延缓了药水的蚀刻速度，由此，避免了金属箔在蚀刻工艺过程中发生侧蚀，进而有效提升了金属箔的品质，保障了线路板的电气性能。

附图说明

图1是本发明其中一种实施例中的金属箔示意图；

图2是本发明其中一种实施例中的金属箔示意图；

图3是本发明其中一种实施例中的金属箔示意图；

附图标记：

其中，1、金属箔；11、第二表面；111、金属晶粒；2、抗氧化层；3、剥离层；4载体层。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本申请描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”、“上”、“下”以及类似的表述只是为了说明的目的，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有定义，本发明所使用的所有的技术和科学术语与属于本的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本发明中说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明，对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

实施例一

请参见图1，图1概念性地示出本发明实施例提供的金属箔的结构示意图，所述金属箔包括相对的第一表面和第二表面11，以及金属晶粒111。

在本发明实施例中，为了防止蚀刻药水过渡蚀刻线路使其呈倒梯形，导致线路间距变宽，减少线路与基板的接触面积，降低线路与基板的结合力，容易出现与线路基板脱层，降低信号传输的效率，降低产品的良品率，本发明针对制备线路的金属箔进行了改进，具体的，将金属箔中的金属晶粒尺寸设置为第一表面的金属平均晶粒尺寸小于第二表面的金属平均晶粒尺寸，即越靠近所述第一表面其金属平均晶粒尺寸越小，越靠近所述第二表面的金属平均晶粒尺寸越大。

发明人经过大量试验分析，发现当从所述第一表面至占整体金属箔厚度的15～25％处(H1)中金属的平均晶粒尺寸a1的范围为0.05≤a1＜0.2μm，例如，金属的平均晶粒尺寸a1可以是0.05μm、0.06μm、0.08μm、0.09μm、0.1μm、0.19μm或前述任意数值之间形成的数值范围，以及从第一表面至占整体金属箔厚度的15％、18％、20％、22％、24％、25％或前述任意数值之间形成的数值范围；从所述第一表面至占整体金属箔厚度的15～25％处开始到从所述第二表面至占整体金属箔厚度的20～40％处(H2)为止，其金属的平均晶粒尺寸a2的范围为0.2≤a2＜0.3μm，例如，平均晶粒尺寸a2可以是0.2μm、0.25μm、0.26μm、0.28μm、0.29μm或前述任意数值之间形成的数值范围；从所述第二表面至占整体金属箔厚度的20～40％处(H3)中金属的平均晶粒尺寸a3的范围为0.3≤a3≤2μm，例如，平均晶粒尺寸a3可以是0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1.0μm、1.2μm、1.4μm、1.6μm、1.8μm、2μm或前述任意数值之间形成的数值范围，以及从第二表面至占整体金属箔厚度的20％、22％、24％、26％、28％、30％、32％、34％、35％、38％、40％或前述任意数值之间形成的数值范围时，能够使得金属箔具有良好的耐蚀性及抗侧蚀性，从而有效防止蚀刻药水过渡蚀刻使金属线路呈倒梯形，有效提升了金属箔的品质，保障了线路板的电气性能。

需要说明的是，上述金属箔的平均晶粒尺寸，可以通过EBSD(电子背散射衍射)进行平均分布统计测得，在厚度方向上的晶粒尺寸，可以通过EBSD(电子背散射衍射)测得，本发明所述晶粒尺寸a1、a2、a3为通过金属箔截面图测量获得的平均晶粒尺寸。所述H1、H2、H3厚度范围通过扫描电子显微镜(SEM)测得金属箔截面图上的整体厚度后根据前述H1、H2、H3所占整体厚度的比值计算获得；后续第二表面为非平整表面的粗糙度，可以通过粗糙仪测得。具体的，在进行蚀刻工艺时，蚀刻药水会首先与第一表面接触，由于第一表面的晶粒尺寸限制，晶粒尺寸小容易被蚀刻，当药水到达金属箔中部位置时，由于晶粒尺寸较第一表面的增大，减缓了药水的蚀刻速度，同理，当蚀刻药水到达第二表面位置时，由于更大的晶粒尺寸，进一步延缓了药水的蚀刻速度，由此，避免了金属箔在蚀刻工艺过程中发生侧蚀，进而有效提升了产品的良品率。

可以理解的，影响药水的蚀刻速度的因素不仅包括金属粒径大小，还包括金属箔的厚度，此外，所述金属箔的整体厚度会影响其在高精度小型或轻薄化电子产品中的使用，因此，不同晶粒尺寸大小的晶粒所分布的厚度就显得尤为重要。在一种可选的实施方式中，为了保证金属箔的使用效能，本实施例中的所述从所述第一表面至占整体金属箔厚度的15～25％处(H1)的厚度为0.01～1μm，例如可以为0.01微米、0.02微米、0.5微米、0.7微米、1微米等或前述任意数值之间形成的数值范围。本实施例中的从所述第一表面至占整体金属箔厚度的15～25％处至从所述第二表面至占整体金属箔厚度的20～40％处(H2)的厚度为0.2～2μm，例如可以为0.2微米、0.3微米、0.4微米、0.5微米、0.7微米、1微米、2微米等或前述任意数值之间形成的数值范围。本实施例中的从所述第二表面至占整体金属箔厚度的20～40％处(H3)的厚度为0.5～3μm，例如可以为0.5微米、1微米、2微米、3微米等前述任意数值之间形成的数值范围。经如上设置发现晶粒尺寸大小与其所在的厚度相互配合能较好的控制药水的蚀刻速度，能确保线路不被过度蚀刻，使其保持良好形状。

示例性地，在其中一个实施例中，本发明金属箔可通过下述方式获得：通过化学沉积的方式(例如：电镀)在钛辊上形成总厚度为0.1～10μm的金属箔，且使其从所述第一表面至占整体金属箔厚度的15～25％处(即所述H1厚度)的金属平均晶粒尺寸a1的范围为0.05≤a1＜0.2μm；从所述第一表面至占整体金属箔厚度的15～25％处开始到从所述第二表面至占整体金属箔厚度的20～40％处为止(即所述H2厚度)的金属平均晶粒尺寸a2的范围为0.2≤a2＜0.3μm；从所述第二表面至占整体金属箔厚度的20～40％处(即所述H3厚度)的金属平均晶粒尺寸a3的范围为0.3≤a3≤2μm。以A代表本发明实施例的金属箔产品，随机选取A1，A2，A3、A4共4个金属箔样品与对比例B进行对比。其中，各金属样品的参数如下表：

表1：各金属样品的参数

注：本实施例中金属箔H2厚度为各个样品中从第一表面至占整体金属箔厚度的百分比(％)处开始到从第二表面至占整体金属箔厚度的百分比(％)处为止。本实施例中通过以下方式获得的金属平均晶粒尺寸：在金属箔的截面图上取任意长度，通过EBSD或SEM分别测得H1、H2、H3厚度内的平均晶粒尺寸(area-weighted mean)，即H1、H2、H3厚度整体分布的金属平均晶粒尺寸。将金属箔样品A、B制备成50cm×60cm的线路板试板，采用改良型半加成法(mSAP)制作线宽线距25μm/25μm精细线路，线路高度25μm。通过金相切片观察制备的线路的形状是否出现倒梯形线路。检测结果如下表所示：

表2：各金属样品的线路蚀刻结果

样品	线路是否呈倒梯形
		A1	否
A2	否
		A3	否
A4	否
		B1	是
B2	是
		B3	是
B4	是

由上表可知，本发明通过调整金属箔中金属箔晶粒大小的分布以及厚度，使金属箔在制备精细线路时，防止药水过度蚀刻，不会使线路形成倒梯形，从而减少了线路与基板的接触面积，导致降低线路与基板的结合力，线路容易与线路基板脱层。在本发明实施例中，为了提高金属箔与基板之间的结合力，将所述第二表面为非平整表面，由此增加金属箔与基板之间的接触面积。

为了更为直观地理解非平整表面，优选地，在第二表面一侧上突出显示了若干不规则的凸起结构，所述凸起结构设有多个延伸部，所述延伸部相对所述凸起结构的外轮廓向外发散凸起设置，所述凸起结构和所述延伸部形成的非平整表面，增加了金属箔与基板之间的接触面积，从而实现后续的诸如刺穿的功能，进而保障线路板的电气性能，当然，上述凸起结构和延伸部形成的非平整表面只是一种结构示例，在将第二表面放大至若干倍数后，显示为非平整表面即可。

进一步地，在上述实施例中，所述非平整表面的粗糙度Rz为0.4～3μm。发明人经过大量的试验分析，发现当非平整表面的粗糙度Rz在0.4～3μm范围内时，金属箔与基板之间的结合力较佳。若非平整表面的粗糙度Rz小于0.4μm，粗糙度太低，接触面积小，金属箔与基板之间的结合力低，金属箔易于从基板上脱落；若非平整表面的粗糙度Rz大于3μm，粗糙度太高，增加线路的趋肤效应，造成电路信号传输损耗。因此，非平整表面的粗糙度Rz可以为0.4微米、0.5微米、2微米、3微米等，由实际的产品设计要求进行设置，在此不做更多的赘述。

优选地，发明实施例的金属箔适用于高频线路，所述金属箔的整体厚度会影响其在高精度小型或轻薄化电子产品中的使用，厚度不宜太厚。在一种可选的实施方式中，为了保证金属箔的使用效能，本实施例中的金属箔的整体厚度为1～8μm，例如可以为1微米、2微米、3微米、7微米、8微米等。当然，所述金属箔的整体厚度可以根据实际产品要求进行设置，在此不做更多的赘述。

在本发明实施例中，考虑到在应用过程时，所述金属箔的外侧表面容易受到空气中水分、微尘等物体的污染，进而发生氧化反应，例如，当金属箔在高温压合工艺中时，由于氧化反应使得压合过程中极薄金属箔表面形成凹坑和凸起，造成金属箔表面不平整的问题，在后续应用中可能导致较大的线路传输损耗，也会引起金属箔与线路基板等应用载体压合时粘合性较差，引起金属箔打斜、起泡和褶皱等问题的发生。此外，也可能发生压合过程中氧化点脱落而粘连于压机的压板表面，对压机造成污染，进而影响后续压合工艺。因此，在本发明实施例中，所述金属箔还包括抗氧化层，所述抗氧化层设于所述第一表面或/和第二表面。通过设计抗氧化层，所述金属箔的外侧表面不容易受到空气中水分、微尘等物体的污染，能够保持一个较干燥、清洁的表面状态，同时不容易被氧化，能够更好地起到对金属箔进行保护，还能简化了对金属箔的运输、储存等环境要求，减少了金属箔应用前的清洁工序。所述抗氧化层由镍、铜、锌等金属中的至少一种和/或他们中至少一种的合金制成。

在本发明实施例中，所述金属箔还包括剥离层，所述剥离层设于所述第一表面。剥离层的作用是为了通过剥离达到与金属箔的分离，有利于后续电路的制作。所述剥离层由金属材料或非金属材料制成。所述金属材料包括钼、钛和铌中的任意一种或多种；所述非金属材料包括硅、石墨、有机高分子材料等，当剥离层为非金属材料时，形式可以为离型层。所述离型层包括无硅离型剂离型层、硅油离型层或氮素离型层。其中，离型层可以由离型剂涂布干燥后形成，在一种实施例中，离型剂可以包括HDPE(高密度聚乙烯)和PMA(丙二醇甲醚醋酸酯)溶剂等。当采用上述的两种离型剂时，HDPE∶PMA的质量比优选为(1～5)∶7。在另一种实施例中，离型剂可以包括氟素离型剂和溶剂；其中，氟素离型剂∶溶剂的体积比优选为(5～30)∶1。可以理解地，以上溶剂的种类没有特殊限制，可选用本领域常规离型剂溶剂，如可以为丁酮，均不构成对本发明的限定。优选地，当所述剥离层的材料为金属材料时，所述剥离层的厚度为2～100nm；或，当所述剥离层的材料为非金属材料时，所述剥离层的厚度小于或等于1μm。所述剥离层的具体厚度可以根据实际使用要求进行设置，在此不做更多的赘述。采用发明实施例中剥离层的结构设置，能保证适当的粘黏强度，同时，也保留一定的粘黏能力，使金属箔在热压过程中不会分层。在本发明实施例中，所述金属箔还包括载体层，所述载体层设于所述剥离层远离所述金属箔第一表面的一侧，所述载体层主要起承载作用。所述载体层由金属材料制成，所述金属材料包括铜、铝、锌、镍、铬、铁、银、金等金属元素中的至少一种。

可以理解的，所述载体层的厚度会影响金属箔的整体厚度，为了保证金属箔的整体效能，同时防止金属箔的整体过厚，在本发明实施例中，所述载体层的厚度需要根据实际使用要求进行设置，在此不做更多的赘述。

在本发明实施例中，所述金属箔的金属材料为单金属材料，优选为镍、钛、铜、银、金、铂、铁、钴、铬、钨、钼、铝、镁、钾、钠、钙、锶、钡、锗、锑、铅、铟和锌中的任意一种；此外，所述金属箔的金属材料也可以为合金，例如为镍、钛、铜、银、金、铂、铁、钴、铬、钨、钼、铝、镁、钾、钠、钙、锶、钡、锗、锑、铅、铟和锌中任意两种形成的合金，由实际的产品设计要求进行设置，在此不做具体限定。

在本发明实施例中，所述金属箔还包括介质层，所述介质层设于至少一所述金属箔的所述表面上。

优选地，所述介质层材质选自聚酰亚胺、环氧树脂、改性环氧树脂、改性丙烯酸树脂、氰酸酯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯烯、聚氯乙烯、聚砜、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚苯醚、聚四氟乙烯、液晶聚合物、聚乙二酰脲、环氧玻璃布、BT树脂、金属、陶瓷中的至少一种。

在本发明实施例中，所述金属箔还包括粘接层，所述粘接层设于至少一所述金属箔的所述表面上。

优选地，所述粘接层的材质选自聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯类、聚酯类、聚乙烯类、聚酰胺类、橡胶类或丙烯酸酯类热塑性树脂，酚醛类、环氧类、热塑性聚酰亚胺、氨基甲酸酯类、三聚氰胺类或醇酸类热固性树脂，BT树脂，ABF树脂中的至少一种。

可以理解的是，当本发明金属箔含有抗氧化层时，所述介质层或粘结层可以设于抗氧化层上；当本发明金属箔含有剥离层或/和载体层时，所述介质层或粘结层设于金属箔远离剥离层或/和载体层的表面上。实施例二

本实施例提供了一种覆铜层叠板，所述覆铜层叠板包括如上所述的金属箔。

实施例三

本实施例提供了一种线路板，所述线路板包括如上所述的金属箔或覆铜层叠板。

实施例四

本实施例提供了一种半导体材料，所述半导体材料由如上所述的金属箔制备而成。

实施例五

本实施例提供了一种应用于电池的负极材料，所述负极材料包括如上所述的金属箔和涂覆在所述金属箔表面的电极活性材料。

实施例六

本实施例提供了一种电池，所述电池包括如上所述的负极材料。

本发明实施例提供的金属箔、线路板、覆铜层叠板、半导体材料、应用于电池的负极材料和电池，有益效果在于以下所述中的至少一点：

(1)为了防止蚀刻药水过渡蚀刻线路使其呈倒梯形，本发明针对制备线路的金属箔进行了改进，对金属箔中的金属晶粒尺寸进行了调整，将不同平均晶粒尺寸的金属晶粒的分布设置在不同的位置，将第一表面的金属平均晶粒尺寸设置为小于第二表面的金属平均晶粒尺寸，由此控制蚀刻药水的蚀刻速度，防止金属箔被过度蚀刻使线路形成倒梯形结构，一方面，避免线路与基板分离，从而提高了线路与基板的剥离强度，另一方面，保障了线路信号传输的稳定性；

(2)当H1厚度中金属的平均晶粒尺寸a1的范围为0.05≤a1＜0.2μm，H2厚度中金属的平均晶粒尺寸a2的范围为0.2≤a2＜0.3μm，以及H3厚度中金属的平均晶粒尺寸a3的范围为0.3≤a3≤2μm时，可使本发明的金属箔具有良好的耐蚀性及抗侧蚀性；

(3)选用本发明提供的金属箔，在进行蚀刻工艺时，蚀刻药水会首先与H1厚度接触，由于H1厚度的晶粒尺寸限制，H1厚度晶粒尺寸小容易被蚀刻，当药水到达H2厚度时，由于H2厚度的晶粒尺寸较H2厚度大，减缓了药水的蚀刻速度，同理，当蚀刻药水到达H3厚度时，由于H3厚度更大的晶粒尺寸，进一步延缓了药水的蚀刻速度，由此，避免了金属箔在蚀刻工艺过程中发生侧蚀，进而有效提升了金属箔的品质，保障了线路板的电气性能。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (18)

1.一种金属箔，其特征在于，包括相对的第一表面和第二表面，所述第一表面的金属平均晶粒尺寸小于所述第二表面的金属平均晶粒尺寸。

2.如权利要求1所述的金属箔，其特征在于，

所述H1厚度的平均金属晶粒尺寸a1的范围为0.05≤a1＜0.2μm；

所述H2厚度的平均金属晶粒尺寸a2的范围为0.2≤a2＜0.3μm；

所述H3厚度的平均金属晶粒尺寸a3的范围为0.3≤a3≤2μm；

所述H1厚度为从所述第一表面至占整体金属箔厚度的15～25％处；

所述H2厚度为从所述第一表面至占整体金属箔厚度的15～25％处开始到从所述第二表面至占整体金属箔厚度的20～40％处为止；

所述H3厚度为从所述第二表面至占整体金属箔厚度的20～40％处。

3.如权利要求2所述的金属箔，其特征在于，所述H1厚度为0.01～1μm；或/和，所述H2厚度为0.2～2μm；和/或，所述H3厚度为0.5～3μm。

4.如权利要求3所述的金属箔，其特征在于，所述第二表面为非平整表面。

5.如权利要求4所述的金属箔，其特征在于，所述非平整表面的粗糙度Rz为0.4～3μm。

6.如权利要求1的金属箔，其特征在于，所述金属箔包括抗氧化层，所述抗氧化层设于所述第一表面或/和第二表面。

7.如权利要求1所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔还包括剥离层，所述剥离层设于所述第一表面。

8.如权利要求7所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔还包括载体层，所述载体层设于所述剥离层远离所述第一表面的一侧。

9.如权利要求8所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔的金属材料为镍、钛、铜、银、金、铂、铁、钴、铬、钨、钼、铝、镁、钾、钠、钙、锶、钡、锗、锑、铅、铟和锌中的任意一种；或，

所述金属材料为镍、钛、铜、银、金、铂、铁、钴、铬、钨、钼、铝、镁、钾、钠、钙、锶、钡、锗、锑、铅、铟和锌中任意两种形成的合金。

10.根据权利要求1～9任一项所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔还包括介质层，所述介质层设于至少一所述金属箔的所述表面上。

11.根据权利要求10所述的金属箔，其特征在于，所述介质层材质选自聚酰亚胺、环氧树脂、改性环氧树脂、改性丙烯酸树脂、氰酸酯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯烯、聚氯乙烯、聚砜、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚苯醚、聚四氟乙烯、液晶聚合物、聚乙二酰脲、环氧玻璃布、BT树脂、金属、陶瓷中的至少一种。

12.根据权利要求1～9任一项所述的金属箔，其特征在于，所述金属箔还包括粘接层，所述粘接层设于至少一所述金属箔的所述表面上。

13.根据权利要求12所述的金属箔，其特征在于，所述粘接层的材质选自聚苯乙烯系、乙酸乙烯酯类、聚酯类、聚乙烯类、聚酰胺类、橡胶类或丙烯酸酯类热塑性树脂，酚醛类、环氧类、热塑性聚酰亚胺、氨基甲酸酯类、三聚氰胺类或醇酸类热固性树脂，BT树脂，ABF树脂中的至少一种。

14.一种覆铜层叠板，其特征在于，包括如权利要求113任一项所述的金属箔。

15.一种线路板，其特征在于，所述线路板包括如权利要求1～13任一项所述的金属箔或如权利要求14所述的覆铜层叠板。

16.一种半导体材料，其特征在于，所述半导体材料由权利要求1～13任一项所述的金属箔制备而成。

17.一种应用于电池的负极材料，其特征在于，所述负极材料包括1～13任一项所述的金属箔和涂覆在所述金属箔表面的电极活性材料。

18.一种电池，其特征在于，所述电池包括如权利要求17所述的负极材料。