CN118057941A - 复合材料、包含其的发光器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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CN118057941A CN202211447264.2A CN202211447264A CN118057941A CN 118057941 A CN118057941 A CN 118057941A CN 202211447264 A CN202211447264 A CN 202211447264A CN 118057941 A CN118057941 A CN 118057941A
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Abstract

本发明提供复合材料、发光器件及其制备方法、显示装置，涉及光电领域。本发明提供复合材料，复合材料包括空穴传输材料以及电压稳定剂；其中，电压稳定剂包括取代的芳香酮，芳香酮的至少一个取代基为供电子基团。本发明提供的复合材料的电子亲和能力较高，且该复合材料的电荷传输效率高。

Description

复合材料、包含其的发光器件及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及光电技术领域，具体涉及一种复合材料、包含其的发光器件、所述发光器件的制备方法和显示装置。
背景技术
发光器件主要依靠电子空穴对的相向运动相互作用而工作，因此电子空穴对的传输平衡对于发光器件而言非常重要，若空穴传输层的材料不能保证足够的空穴注入，则器件中电子会大量聚集从而向空穴传输层泄漏，电子聚集过多导致器件电场分布不均匀，对空穴传输层造成难以逆转的损害，导致器件不稳定或者失效，效率和寿命也会随之降低。
现有技术常通过限制电子注入的方式来实现发光器件电子空穴对的传输平衡，避免多余的电子对空穴传输层造成破坏，但是限制电子注入会导致器件效率的降低。
发明内容
本申请的至少一实施例提供了一种复合材料，所述复合材料包括空穴传输材料以及电压稳定剂；
其中，所述电压稳定剂包括取代的芳香酮，所述芳香酮的至少一个取代基为供电子基团。
可选的，所述供电子基团包括羟基、烷氧基、苯氧基、苄氧基、酰氧基中的一种或多种。
可选的，所述电压稳定剂包括取代的具有2～5个苯环结构的芳香酮，所述具有2～5个苯环结构的芳香酮包括4-丙烯氧基-2-羟基二苯甲酮、2-羟基-4-(甲基丙烯酰氧基)二苯甲酮、4'-苯氧基苯乙酮、4'-苄氧基-2'-羟基苯乙酮、5,5'-亚甲基双(2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮)、4-羟基-4'-苯氧基二苯甲酮中的一种或多种。
可选的，所述电压稳定剂与所述空穴传输材料的质量比为1：2～20。
可选的，所述空穴传输材料包括TFB、CuPc、PVK、Poly-TPD、DNTPD、TCATA、TCCA、CBP、TPD、NPB、NPD、PEDOT:PSS、TAPC、MCC、F4-TCNQ、HATCN、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、过渡金属氧化物、过渡金属硫化物、过渡金属锡化物、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的至少一种。
相应的，本发明还提供一种发光器件，所述发光器件包括阴极、阳极、发光层、空穴传输层，所述空穴传输层的材料上述复合材料。
可选的，所述阳极和所述阴极的材料分别独立包括金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Yb以及Mg中的一种或多种；所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种；和/或
所述发光层的材料包括有机发光材料和量子点发光材料中的一种或多种，所述有机发光材料包括4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱(III)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPX荧光材料、TBRb荧光材料及DBP荧光材料中的至少一种；所述量子点发光材料包括单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种；所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核材料及核壳结构量子点的壳层材料分别包括II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；所述II-VI族化合物包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种；所述IV-VI族化合物包括SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe中的至少一种；所述III-V族化合物包括GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs及InAlPSb中的至少一种；所述I-III-VI族化合物包括CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述钙钛矿型半导体材料包括掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，包括Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的至少一种，X为卤素阴离子，包括Cl-、Br-、I-中的至少一种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括CH3(CH2)n-2NH3+或[NH3(CH2)nNH3]2+，其中n≥2，M为二价金属阳离子，包括Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的至少一种，X为卤素阴离子，包括Cl-、Br-、I-中的至少一种。
可选的，所述发光器件还包括位于所述阳极与所述空穴传输层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括TFB、CuPc、PVK、Poly-TPD、DNTPD、TCATA、TCCA、CBP、TPD、NPB、NPD、PEDOT:PSS、TAPC、MCC、F4-TCNQ、HATCN、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、过渡金属氧化物、过渡金属硫化物、过渡金属锡化物、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的至少一种；和/或
所述发光器件还包括位于所述阴极和所述发光层之间的电子传输层和/或电子注入层，所述电子传输层和/或所述电子注入层的材料包括无机材料和/或有机材料；所述无机材料包括掺杂或非掺杂的氧化锌、氧化钡、氧化铝、氧化镍、氧化钛、氧化锡、氧化钽、氧化锆、氧化镍、氧化钛锂、氧化锌铝、氧化锌锰、氧化锌锡、氧化锌锂、氧化铟锡、硫化镉、硫化锌、硫化钼、硫化钨、硫化铜、锡化锌、磷化铟、磷化镓、硫化铜铟、硫化铜镓、钛酸钡中的一种或多种，掺杂的元素包括铝、镁、锂、锰、钇、镧、铜、镍、锆、铈、钆中的一种或多种；所述有机材料包括喹喔啉化合物、咪唑类化合物、三嗪类化合物，含芴类化合物、羟基喹啉化合物中的一种或多种。
相应的，本发明还提供一种发光器件的制备方法，包括：
提供发光器件预制件和上述复合材料；以及
将所述复合材料沉积在所述发光器件预制件上，以形成空穴传输层。
可选的，在所述发光器件预制件上沉积所述成膜溶液之后，在形成所述空穴传输层之前，还包括：对所述成膜溶液所形成的膜层紫外光照射2～10min。
可选的，将所述复合材料沉积在所述发光器件预制件上包括：
提供溶剂和复合材料，混合，得到成膜溶液；以及
将所述成膜溶液通过溶液法沉积在所述发光器件预制件上，形成空穴传输层。
可选的，所述成膜溶液中，所述复合材料的浓度为4～10mg/mL；和/或
所述溶剂包括非极性有机溶剂，所述非极性有机溶剂包括烷烃类溶剂、烯烃类溶剂和芳烃类溶剂中的一种或多种，其中，所述烷烃类溶剂包括正己烷、正庚烷、正辛烷、环己烷、环庚烷、氯仿、十四烷和环辛烷中的一种或多种，所述烯烃类溶剂包括1-十烯、1-十二烯、1-十四烯和1-十六烯中的一种或多种，所述芳烃类溶剂包括苯、甲苯、氯苯和二甲苯中的一种或多种。
相应的，本发明还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述发光器件。
相对于现有技术，本发明包括以下有益效果：
本发明提供的复合材料中电压稳定剂为取代的芳香酮，其具有较好的共轭特征与电子离域性，因此本发明的复合材料具有较好的电子亲和能力。另外，本发明中复合材料的分子间具有较好的π-π堆叠作用，因此，本发明中的复合材料还具有良好的电荷传输性能。当本发明提供的复合材料应用于发光器件的空穴传输层中时，基于复合材料中电压稳定剂分子较强的共轭效应和电子离域性，电压稳定剂能够通过激发或电离的方式来吸收电子的能量，尤其能够吸收由于电子聚集而诱导形成的高能电子的能量，并大幅度削弱高能电子的动能并减少高能电子的数量，从而减少电子对空穴传输层的材料的破坏，提高空穴传输层材料抵御电子破坏的能力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是单电子器件的工作电压曲线；
图2是单电子器件的J-V曲线；
图3是单空穴器件的工作电压曲线；
图4是单空穴器件的J-V曲线；
图5是量子点发光二极管的EL光谱图；
图6是本发明实施例2提供的量子点发光二极管的空穴传输层的AFM测试图；
图7是本发明对比例提供的量子点发光二极管的空穴传输层的AFM测试图；
图8是本发明实施例2提供的量子点发光二极管的量子点发光层的AFM测试图；
图9是本发明对比例提供的量子点发光二极管的量子点发光层的AFM测试图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明中，“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况。其中A，B可以是单数或者复数。
在本发明中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“至少一种”、“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，“a,b,或c中的至少一项(个)”，或，“a,b,和c中的至少一项(个)”，均可以表示：a,b,c,a-b(即a和b),a-c,b-c,或a-b-c，其中a,b,c分别可以是单个，也可以是多个。
本发明提供的技术方案将在以下内容进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本发明的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本发明的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。
本发明解决技术问题是采用以下技术方案来实现的：
本发明提供复合材料，复合材料包括空穴传输材料以及电压稳定剂；
其中，电压稳定剂包括取代的芳香酮，芳香酮的至少一个取代基为供电子基团。
电压稳定剂的分子结构同时赋予了电压稳定剂较强的共轭效应和较强的电子离域性能，因此，本发明的复合材料具有较好的电子亲和能力。并且本发明的复合材料分子间存在较好的π-π堆叠作用，因此，本发明中的复合材料还具有良好的电荷传输性能(空穴传输性能)。
在一些实施例中，供电子基团可以包括羟基、烷氧基、苯氧基、苄氧基、酰氧基中的一种或多种。
在一些实施例中，电压稳定剂可以包括取代的具有2～5个苯环结构的芳香酮。所述取代的具有2～5个苯环结构的芳香酮包括4-丙烯氧基-2-羟基二苯甲酮、2-羟基-4-(甲基丙烯酰氧基)二苯甲酮、4'-苯氧基苯乙酮、4'-苄氧基-2'-羟基苯乙酮、5,5'-亚甲基双(2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮)、4-羟基-4'-苯氧基二苯甲酮中的一种或多种。当电压稳定剂包括上述物质时，电压稳定剂分子结构中的共轭结构能够大幅度提高电压稳定剂分子的电子亲和性，从而提高电压稳定剂的电子亲和效率。基于复合材料中电压稳定剂分子较强的共轭效应和电子离域性，电压稳定剂能够通过激发或电离的方式来吸收电子的能量，尤其能够吸收由于电子聚集而诱导形成的高能电子的能量，并大幅度削弱高能电子的动能并减少高能电子的数量，从而减少电子对空穴传输层的材料的破坏，提高空穴传输层材料抵御电子破坏的能力。
在至少一优选的实施例中，电压稳定剂可以为4-丙烯氧基-2-羟基二苯甲酮。
在一些实施例中，电压稳定剂与空穴传输材料的质量比可以为1：2～20。具体地，电压稳定剂与空穴传输材料的质量比可以为1：2、1：3、1：4、1：5、1：6、1：7、1：8、1：9、1：10、1：11、1：12、1：13、1：14、1：15、1：16、1：17、1：18、1：19、1：20等。在所述比例范围内，可以使所述复合材料具有较高的电子亲和能力，且可以使所述复合材料分子间存在较好的π-π堆叠作用，从而使复合材料具有良好的空穴传输性能。
在一些实施例中，空穴传输材料可以包括TFB、CuPc、PVK、Poly-TPD、DNTPD、TCATA、TCCA、CBP、TPD、NPB、NPD、PEDOT:PSS、TAPC、MCC、F4-TCNQ、HATCN、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、过渡金属氧化物、过渡金属硫化物、过渡金属锡化物、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的至少一种。
另外，本发明还提供一种复合材料的制备方法，包括如下步骤：
提供空穴传输材料和电压稳定剂，混合，得到复合材料。
其中，空穴传输材料、电压稳定剂、以及两者的比例参上文所述，在此不再赘述。
在一些实施例中，所述得到所述复合材料的方法为：提供空穴传输材料和电压稳定剂，将所述空穴传输材料和电压稳定剂加入至有机溶剂中，在40-60℃下搅拌2-4h，干燥，得到所述复合材料。如此，在40-60℃下搅拌2-4h可以使空穴传输材料和电压稳定剂快速均匀的分散混合。
在一些实施例中，所述有机溶剂为非极性有机溶剂。所述非极性有机溶剂包括烷烃类溶剂、烯烃类溶剂和芳烃类溶剂中的一种或多种。所述烷烃类溶剂包括正己烷、正庚烷、正辛烷、环己烷、环庚烷、氯仿、十四烷和环辛烷中的一种或多种。所述烯烃类溶剂包括1-十烯、1-十二烯、1-十四烯和1-十六烯中的一种或多种。所述芳烃类溶剂包括苯、甲苯、氯苯和二甲苯中的一种或多种。所述非极性有机溶剂可以使所述复合材料充分均匀分散。
另外，本发明提供一种发光器件，所述发光器件包括空穴传输层，空穴传输层的材料包括上述复合材料。
本发明中的发光器件的空穴传输层的材料包括本发明提供的复合材料，基于本发明的复合材料具有较高的电子亲和能力，且可以使所述复合材料分子间存在较好的π-π堆叠作用，从而使空穴传输层具有良好的空穴传输性能。此外，基于本发明中复合材料较强的抵御电子破坏的能力，本发明中的发光器件的空穴传输层具有较强的抵御电子破坏的能力。
在一些实施例中，发光器件可以为发光二极管、太阳能电池、光电探测器中的一种。
在一些实施例中，发光器件可以为发光二极管，发光二极管可以为有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED)、微米发光二极管(Micro-LED)中的一种。进一步地，本发明中的发光二极管可以为正置结构的发光二极管或倒置结构的发光二极管，本发明中的发光二极管可以为顶发射结构的发光二极管、底发射结构的发光二极管、双面发射结构的发光二极管中的任意一种。
优选地，本发明中的发光二极管可以为量子点发光二极管。
本发明中量子点发光二极管的空穴传输层的材料为本发明提供的复合材料，基于电压稳定剂分子较强的共轭效应和电子离域性，电压稳定剂能够通过激发或电离的方式来吸收电子尤其是高能电子的能量，大幅度削弱高能电子的动能并减少高能电子的数量，从而减少电子对空穴传输层的材料的破坏，提高量子点发光二极管器件的稳定性。此外，所述复合材料具有较高的电子亲和能力，且可以使所述复合材料分子间存在较好的π-π堆叠作用，从而使空穴传输层具有良好的空穴传输性能。
另外，空穴传输层的材料(复合材料)中电压稳定剂(例如4-丙烯氧基-2-羟基二苯甲酮)的非线性电导特性可以使得量子点发光二极管器件的电场畸变程度降低，减少甚至避免过剩的电子在空穴传输层和发光层之间累积，从而降低了电场畸变对量子点发光二极管器件中材料的破坏，进一步提高量子点发光二极管器件的稳定性；同时，电子在空穴传输层和发光层之间累积的减少也减少了量子点发光二极管器件中的非辐射复合(如俄歇复合)，从而提高量子点发光二极管器件的效率。
在一些实施例中，除空穴传输层外，量子点发光二极管还可以包括层叠设置的阳极、空穴注入层、量子点发光层、电子传输层和阴极。在一些实施例中，量子点发光二极管还可以包括电子注入层等其他常见的功能层。
在一些实施例中，空穴注入层的材料可以选自于聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT：PSS)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌(F4-TCNQ)、铜酞菁(CuPc)、1,4,5,8,9,11-六氮杂苯甲腈(HATCN)、NiOx、MoOx、WOx、CrOx、CuO、MoSx、MoSex、WSx、WSex、CuS中的一种或多种，所述x的取值范围为1～3。在一些实施例中，空穴传输层还可以为其他金属硫系化合物。
在一些实施例中，所述发光层的材料包括有机发光材料和量子点发光材料中的一种或多种，所述有机发光材料包括4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱(III)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPX荧光材料、TBRb荧光材料及DBP荧光材料中的至少一种；所述量子点发光材料包括单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种；所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核材料及核壳结构量子点的壳层材料分别包括II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；所述II-VI族化合物包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种；所述IV-VI族化合物包括SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe中的至少一种；所述III-V族化合物包括GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs及InAlPSb中的至少一种；所述I-III-VI族化合物包括CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述钙钛矿型半导体材料包括掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，包括Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的至少一种，X为卤素阴离子，包括Cl-、Br-、I-中的至少一种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括CH3(CH2)n-2NH3+或[NH3(CH2)nNH3]2+，其中n≥2，M为二价金属阳离子，包括Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的至少一种，X为卤素阴离子，包括Cl-、Br-、I-中的至少一种。
在一些实施例中，电子传输层的材料包括无机材料和/或有机材料；所述无机材料包括掺杂或非掺杂的氧化锌、氧化钡、氧化铝、氧化镍、氧化钛、氧化锡、氧化钽、氧化锆、氧化镍、氧化钛锂、氧化锌铝、氧化锌锰、氧化锌锡、氧化锌锂、氧化铟锡、硫化镉、硫化锌、硫化钼、硫化钨、硫化铜、锡化锌、磷化铟、磷化镓、硫化铜铟、硫化铜镓、钛酸钡中的一种或多种，掺杂的元素包括铝、镁、锂、锰、钇、镧、铜、镍、锆、铈、钆中的一种或多种；所述有机材料包括喹喔啉化合物、咪唑类化合物、三嗪类化合物，含芴类化合物、羟基喹啉化合物中的一种或多种。
在一些实施例中，所述阳极和所述阴极的材料分别独立包括金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Yb以及Mg中的一种或多种；所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
在一些实施例中，所述发光器件还包括位于所述阴极和所述发光层之间的电子注入层，所述电子注入层的材料包括无机材料和/或有机材料；所述无机材料包括掺杂或非掺杂的氧化锌、氧化钡、氧化铝、氧化镍、氧化钛、氧化锡、氧化钽、氧化锆、氧化镍、氧化钛锂、氧化锌铝、氧化锌锰、氧化锌锡、氧化锌锂、氧化铟锡、硫化镉、硫化锌、硫化钼、硫化钨、硫化铜、锡化锌、磷化铟、磷化镓、硫化铜铟、硫化铜镓、钛酸钡中的一种或多种，掺杂的元素包括铝、镁、锂、锰、钇、镧、铜、镍、锆、铈、钆中的一种或多种；所述有机材料包括喹喔啉化合物、咪唑类化合物、三嗪类化合物，含芴类化合物、羟基喹啉化合物中的一种或多种。
另外，本发明还提供一种发光器件的制备方法，包括：
提供发光器件预制件和复合材料；以及
将所述复合材料沉积在在发光器件预制件上，以形成空穴传输层。
发光器件预制件是指待沉积空穴传输层的发光器件半成品，根据器件类型的不同，发光器件预制件可以包括不同的层结构。在一些实施例中，发光器件可以为正置结构的发光二极管，此时，发光器件预制件可以包括依次层叠设置的阳极以及空穴注入层；在一些实施例中，发光器件可以为倒置结构的发光二极管，此时，发光器件可以为正置结构的发光二极管可以包括依次层叠设置的阴极、电子传输层以及发光层。
将所述复合材料沉积在发光器件预制件上的方法可以为方法可采用化学法或物理法。其中，化学法包括化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法。物理法包括物理镀膜法和溶液法，其中，物理镀膜法包括：热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法等；溶液法可以为旋涂法、印刷法、喷墨打印法、刮涂法、打印法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法及条状涂布法等。
在至少一实施例中，将所述复合材料设置在发光器件预制件上的方法为溶液法。此时，所述将所述复合材料沉积在发光器件预制件上包括：
提供溶剂和复合材料，混合，得到成膜溶液；以及
将所述成膜溶液通过溶液法设置在发光器件预制件上，形成空穴传输层。
在一些实施例中，将溶剂和复合材料混合的方法为：在40-60℃下搅拌2-4h，如此可以使复合材料快速均匀的分散在溶剂中。
在一些实施例中，所述溶剂可以为非极性有机溶剂。所述非极性有机溶剂包括烷烃类溶剂、烯烃类溶剂和芳烃类溶剂中的一种或多种。所述烷烃类溶剂包括正己烷、正庚烷、正辛烷、环己烷、环庚烷、氯仿、十四烷和环辛烷中的一种或多种。所述烯烃类溶剂包括1-十烯、1-十二烯、1-十四烯和1-十六烯中的一种或多种。所述芳烃类溶剂包括苯、甲苯、氯苯和二甲苯中的一种或多种。所述非极性有机溶剂可以使所述复合材料充分均匀分散，提升复合材料的成膜均匀性，且所述非极性溶剂不会溶解破坏发光器件预制件的其他膜层。
在至少一优选的实施中，所述溶剂可以为氯苯，复合材料中的空穴传输材料可以为TFB，复合材料中的电压稳定剂可以为4-丙烯氧基-2-羟基二苯甲酮(AOHBP)。如此，可以制备得到空穴传输性能较为优异的空穴传输层和发光器件。
在一些实施例中，所述成膜溶液中，所述复合材料的浓度为4～10mg/mL，在所述浓度范围内，成膜溶液的成膜性较好，制备得到的空穴传输层具有较好的导电性、空穴注入性能和稳定性，从而使得制备得到的发光器件具有较高的发光效率和寿命。
所述成膜溶液还可以通过以下方法制备得到：提供溶剂；向所述溶剂中添加空穴传输材料和电压稳定剂，得到成膜溶液。可以理解，空穴传输材料和电压稳定剂的加入顺序没有限制，可以先添加空穴传输材料再添加电压稳定剂，也可以先添加电压稳定剂再添加空穴传输材料，还可以同时将空穴传输材料和电压稳定剂添加至溶剂中。
在至少一具体的实施例中，成膜溶液的制备可以包括：将160mg TFB材料分散在20ml氯苯中，60℃加热6小时，配置成8mg/ml的TFB氯苯溶液；取不同量的AOHBP加入到1ml上述8mg/ml的TFB氯苯溶液中，配置得到AOHBP与TFB的质量比分别为1:15、1:10以及1:5的三份成膜溶液。
在一些实施例中，为了形成空穴传输层，发光器件的制备方法还可以包括高温退火等工艺步骤。
在一些实施例中，在将所述复合材料沉积在在发光器件预制件上之后，以及在形成空穴传输层之前，还包括：对成膜溶液所形成的膜层进行紫外光照射。
在紫外(UV)照射下，例如4-丙烯氧基-2-羟基二苯甲酮的电压稳定剂分子能够与有机物上的C-H键等氢原子供体发生吸氢反应(自由基反应机理)，因此，例如4-丙烯氧基-2-羟基二苯甲酮的电压稳定剂分子能够在光引发下交联空穴传输材料分子，如此，形成的空穴传输层具有良好的膜层均匀性，空穴传输层表面具有更加光滑的形态以及更低的粗糙度。
在一些实施例中，所述紫外光照射的时间为2～10min。在所述范围内，可以有效地促进空穴传输材料与电压稳定剂分子之间的吸氢反应，有利于制备得到膜层均匀性好、表面更加光滑的形态以及粗糙度更低的空穴传输层。
空穴传输材料可以优选TFB等具有苄基氢和叔氢(存在于TFB的侧链上)的聚合物，电压稳定剂分子能够与前述聚合物中的苄基氢以及叔氢反应形成相对稳定的自由基，如此，有利于自由基反应效率的提升。
在一些实施例中，发光器件为正置结构的量子点发光二极管，此时，基于空穴传输层良好的膜层均匀性，量子点发光层能够在空穴传输层上铺展的更加均匀，同等工艺条件下量子点发光层的厚度也可以有所降低，因此，空穴传输层膜层均匀性的改善能够有效提升量子点发光层的成膜均匀性并降低量子点发光层的厚度。一方面，量子点发光层成膜均匀性的提升保证了量子点发光二极管具有较高的电致发光(EL)效率；另一方面，量子点发光层厚度的降低能够赋予量子点发光二极管较高的器件性能。
实施例1
本实施例提供一种复合材料，包括空穴传输材料以及电压稳定剂，其中空穴传输材料为TFB，电压稳定剂为AOHBP，AOHBP与TFB的质量比为1:15。
本实施例中，所述复合材料的制备方法为：提供质量比为1:15的电压稳定剂AOHBP和空穴传输材料TFB，混合均匀，得到复合材料。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极。
其中，阳极的厚度为100nm，阳极的材料为ITO；空穴注入层的厚度为25nm，空穴注入层的材料为PEDOT:PSS；空穴传输层的厚度为25nm，空穴传输层的材料为本实施例提供的复合材料；量子点发光层的厚度为25nm，量子点发光层的材料为CdZnSe/ZnSe/Cd0.6ZnS2/ZnSe；电子传输层的厚度为30nm，电子传输层的材料为ZnMgO；阴极的厚度为100nm，阴极的材料为Ag。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括：
步骤S101：提供制备有ITO阳极的玻璃基板，将前述玻璃基板放入装有乙醇溶剂的玻璃皿中，依次将玻璃皿中的溶剂更换为丙酮、去离子水、乙醇，并分别对前述玻璃基板超声20分钟，然后用氮气枪将前述玻璃基板吹干，然后将前述玻璃基板放置在氧气离子体的环境中继续清洗10分钟，并采用紫外-臭氧处理前述玻璃基板表面15分钟；
步骤S102：在ITO阳极的表面旋涂PEDOT:PSS溶液，旋涂转速为3500r/min，旋涂时间为30秒；旋涂完成后，将旋涂有PEDOT:PSS溶液的玻璃基板放置在空气中退火，退火温度150℃，退火时间30分钟，制得厚度为25nm的空穴注入层，退火完成后快速将形成有空穴注入层的玻璃基板转移至氮气氛围的手套箱中；
步骤3：在空穴传输层的表面旋涂空穴传输层的成膜溶液，成膜溶液的溶剂为氯苯，成膜溶液的溶质为本实施例提供的复合材料，旋涂转速为3000r/min，旋涂时间为30秒；旋涂完成后，利用紫外灯(360nm)下照射成膜溶液形成的膜层5min，然后进行退火，退火温度为180℃，退火时间为30分钟，制得厚度为25nm的空穴传输层；
步骤4：在空穴传输层上旋涂CdZnSe/ZnSe/Cd0.6ZnS2/ZnSe量子点溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为30秒；旋涂完成后对旋涂有CdZnSe/ZnSe/Cd0.6ZnS2/ZnSe量子点溶液的玻璃基板在手套箱中退火，退火温度为60℃，退火时间为5分钟，制得厚度为25nm的量子点发光层；
步骤5：在量子点发光层上旋涂浓度为30mg/mL的ZnMgO乙醇溶液，旋涂转速为3000r/min，旋涂时间为30秒，制得厚度为30nm的电子传输层；
步骤6：将制备有电子传输层的玻璃基板放入真空腔体，在电子传输层上蒸镀银，得到厚度为100nm的阴极，封装得到量子点发光二极管。
为了进行测试，本实施例还提供对应上述量子点发光二极管的单电子器件(EOD)以及单空穴器件(HOD)。
单电子器件包括依次层叠设置的阳极、量子点发光层、电子传输层以及阴极。
其中，阳极的厚度为100nm，阳极的材料为ITO；量子点发光层的厚度为25nm，量子点发光层的材料为CdZnSe/ZnSe/Cd0.6ZnS2/ZnSe；电子传输层的厚度为30nm，电子传输层的材料为ZnMgO；阴极的厚度为100nm，阴极的材料为Ag。
单空穴器件包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层以及阴极。
其中，阳极的厚度为100nm，阳极的材料为ITO；空穴注入层的厚度为25nm，空穴注入层的材料为PEDOT:PSS；空穴传输层的厚度为25nm，空穴传输层的材料为本实施例提供的复合材料；量子点发光层的材料为CdZnSe/ZnSe/Cd0.6ZnS2/ZnSe；阴极的厚度为100nm，阴极的材料为Ag。
对应地，本实施例还提供上述单电子器件以及单空穴器件的制备方法。
其中，单电子器件的制备方法包括：
步骤S201：提供制备有ITO阳极的玻璃基板，将前述玻璃基板放入装有乙醇溶剂的玻璃皿中，依次将玻璃皿中的溶剂更换为丙酮、去离子水、乙醇，并分别对前述玻璃基板超声20分钟，然后用氮气枪将前述玻璃基板吹干，然后将前述玻璃基板放置在氧气离子体的环境中继续清洗10分钟，并采用紫外-臭氧处理前述玻璃基板表面15分钟；
步骤S202：在ITO阳极上旋涂CdZnSe/ZnSe/Cd0.6ZnS2/ZnSe量子点溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为30秒；旋涂完成后对旋涂有CdZnSe/ZnSe/Cd0.6ZnS2/ZnSe量子点溶液的玻璃基板在手套箱中退火，退火温度为60℃，退火时间为5分钟，制得厚度为25nm的量子点发光层；
步骤3：在量子点发光层上旋涂浓度为30mg/mL的ZnMgO乙醇溶液，旋涂转速为3000r/min，旋涂时间为30秒，制得厚度为30nm的电子传输层；
步骤4：将制备有电子传输层的玻璃基板放入真空腔体，在电子传输层上蒸镀银，得到厚度为100nm的阴极，得到单电子器件。
单空穴器件的制备方法包括：
步骤S301：提供制备有ITO阳极的玻璃基板，将前述玻璃基板放入装有乙醇溶剂的玻璃皿中，依次将玻璃皿中的溶剂更换为丙酮、去离子水、乙醇，并分别对前述玻璃基板超声20分钟，然后用氮气枪将前述玻璃基板吹干，然后将前述玻璃基板放置在氧气离子体的环境中继续清洗10分钟，并采用紫外-臭氧处理前述玻璃基板表面15分钟；
步骤2：在ITO阳极的表面旋涂PEDOT:PSS溶液，旋涂转速为3500r/min，旋涂时间为30秒；旋涂完成后，将旋涂有PEDOT:PSS溶液的玻璃基板放置在空气中退火，退火温度150℃，退火时间30分钟，制得厚度为25nm的空穴注入层，退火完成后快速将形成有空穴注入层的玻璃基板转移至氮气氛围的手套箱中；
步骤3：在空穴传输层的表面旋涂空穴传输层的成膜溶液，成膜溶液的溶剂为氯苯，成膜溶液的溶质为本实施例提供的复合材料，旋涂转速为3000r/min，旋涂时间为30秒；旋涂完成后，利用紫外灯(360nm)下照射成膜溶液形成的膜层5min，然后进行退火，退火温度为180℃，退火时间为30分钟，制得厚度为25nm的空穴传输层；
步骤4：在空穴传输层上旋涂CdZnSe/ZnSe/Cd0.6ZnS2/ZnSe量子点溶液，旋涂转速为2000r/min，旋涂时间为30秒；旋涂完成后对旋涂有CdZnSe/ZnSe/Cd0.6ZnS2/ZnSe量子点溶液的玻璃基板在手套箱中退火，退火温度为60℃，退火时间为5分钟，制得厚度为25nm的量子点发光层。
步骤5：将制备有量子点发光层的玻璃基板放入真空腔体，在量子点发光层上蒸镀银，得到厚度为100nm的阴极，得到单电子器件。
实施例2
本实施例提供一种复合材料，包括空穴传输材料以及电压稳定剂，其中空穴传输材料为TFB，电压稳定剂为AOHBP，AOHBP与TFB的质量比为1:10。
本实施例中，所述复合材料的制备方法为：提供质量比为1:10的电压稳定剂AOHBP和空穴传输材料TFB，混合均匀，得到复合材料。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管，该量子点发光二极管仅将实施例1提供的量子点发光二极管空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的量子点发光二极管相同。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，该制备方法仅将实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法的步骤相同。
为了进行测试，本实施例还提供对应上述量子点发光二极管的单空穴器件(HOD)。
单空穴器件仅将实施例1提供的单空穴器件空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的单空穴器件相同。
由于对应本实施例中量子点发光二极管的单电子器件与实施例1提供的单电子器件相同，因此本实施例不额外提供单电子器件。
对应地，本实施例还提供上述单空穴器件的制备方法。
单空穴器件的制备方法仅将实施例1提供的单空穴器件的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的单空穴器件的制备方法的步骤相同。
实施例3
本实施例提供一种复合材料，包括空穴传输材料以及电压稳定剂，其中空穴传输材料为TFB，电压稳定剂为AOHBP，AOHBP与TFB的质量比为1:5。
本实施例中，所述复合材料的制备方法为：提供质量比为1:5的电压稳定剂AOHBP和空穴传输材料TFB，混合均匀，得到复合材料。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管，该量子点发光二极管仅将实施例1提供的量子点发光二极管空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的量子点发光二极管相同。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，该制备方法仅将实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法的步骤相同。
为了进行测试，本实施例还提供对应上述量子点发光二极管的单空穴器件(HOD)。
单空穴器件仅将实施例1提供的单空穴器件空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的单空穴器件相同。
由于对应本实施例中量子点发光二极管的单电子器件与实施例1提供的单电子器件相同，因此本实施例不额外提供单电子器件。
对应地，本实施例还提供上述单空穴器件的制备方法。
单空穴器件的制备方法仅将实施例1提供的单空穴器件的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的单空穴器件的制备方法的步骤相同。
实施例4
本实施例提供一种复合材料，包括空穴传输材料以及电压稳定剂，其中空穴传输材料为TFB，电压稳定剂为5,5'-亚甲基双(2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮)，5,5'-亚甲基双(2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮)与TFB的质量比为1:10。
本实施例中，所述复合材料的制备方法为：提供质量比为1:10的电压稳定剂5,5'-亚甲基双(2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮)和空穴传输材料TFB，混合均匀，得到复合材料。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管，该量子点发光二极管仅将实施例1提供的量子点发光二极管空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的量子点发光二极管相同。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，该制备方法仅将实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法的步骤相同。
为了进行测试，本实施例还提供对应上述量子点发光二极管的单空穴器件(HOD)。
单空穴器件仅将实施例1提供的单空穴器件空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的单空穴器件相同。
由于对应本实施例中量子点发光二极管的单电子器件与实施例1提供的单电子器件相同，因此本实施例不额外提供单电子器件。
对应地，本实施例还提供上述单空穴器件的制备方法。
单空穴器件的制备方法仅将实施例1提供的单空穴器件的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的单空穴器件的制备方法的步骤相同。
实施例5
本实施例提供一种复合材料，包括空穴传输材料以及电压稳定剂，其中空穴传输材料为TFB，电压稳定剂为5,5'-亚甲基双(2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮)，5,5'-亚甲基双(2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮)与TFB的质量比为1:10。
本实施例中，所述复合材料的制备方法为：提供质量比为1:10的电压稳定剂5,5'-亚甲基双(2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮)和空穴传输材料TFB，混合均匀，得到复合材料。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管，该量子点发光二极管仅将实施例1提供的量子点发光二极管空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的量子点发光二极管相同。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，该制备方法仅将实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法的步骤相同。
为了进行测试，本实施例还提供对应上述量子点发光二极管的单空穴器件(HOD)。
单空穴器件仅将实施例1提供的单空穴器件空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的单空穴器件相同。
由于对应本实施例中量子点发光二极管的单电子器件与实施例1提供的单电子器件相同，因此本实施例不额外提供单电子器件。
对应地，本实施例还提供上述单空穴器件的制备方法。
单空穴器件的制备方法仅将实施例1提供的单空穴器件的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的单空穴器件的制备方法的步骤相同。
实施例6
本实施例提供一种复合材料，包括空穴传输材料以及电压稳定剂，其中空穴传输材料为TFB，电压稳定剂为2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮，2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮与TFB的质量比为1:10。
本实施例中，所述复合材料的制备方法为：提供质量比为1:10的电压稳定剂2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮和空穴传输材料TFB，混合均匀，得到复合材料。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管，该量子点发光二极管仅将实施例1提供的量子点发光二极管空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的量子点发光二极管相同。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，该制备方法仅将实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法的步骤相同。
为了进行测试，本实施例还提供对应上述量子点发光二极管的单空穴器件(HOD)。
单空穴器件仅将实施例1提供的单空穴器件空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的单空穴器件相同。
由于对应本实施例中量子点发光二极管的单电子器件与实施例1提供的单电子器件相同，因此本实施例不额外提供单电子器件。
对应地，本实施例还提供上述单空穴器件的制备方法。
单空穴器件的制备方法仅将实施例1提供的单空穴器件的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的单空穴器件的制备方法的步骤相同。
实施例7
本实施例提供一种复合材料，包括空穴传输材料以及电压稳定剂，其中空穴传输材料为TFB，电压稳定剂为4'-苯氧基苯乙酮，4'-苯氧基苯乙酮与TFB的质量比为1:10。
本实施例中，所述复合材料的制备方法为：提供质量比为1:10的电压稳定剂4'-苯氧基苯乙酮和空穴传输材料TFB，混合均匀，得到复合材料。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管，该量子点发光二极管仅将实施例1提供的量子点发光二极管空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的量子点发光二极管相同。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，该制备方法仅将实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法的步骤相同。
为了进行测试，本实施例还提供对应上述量子点发光二极管的单空穴器件(HOD)。
单空穴器件仅将实施例1提供的单空穴器件空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的单空穴器件相同。
由于对应本实施例中量子点发光二极管的单电子器件与实施例1提供的单电子器件相同，因此本实施例不额外提供单电子器件。
对应地，本实施例还提供上述单空穴器件的制备方法。
单空穴器件的制备方法仅将实施例1提供的单空穴器件的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的单空穴器件的制备方法的步骤相同。
实施例8
本实施例提供一种复合材料，包括空穴传输材料以及电压稳定剂，其中空穴传输材料为TFB，电压稳定剂为4'-苄氧基-2'-羟基苯乙酮，4'-苄氧基-2'-羟基苯乙酮与TFB的质量比为1:10。
本实施例中，所述复合材料的制备方法为：提供质量比为1:10的电压稳定剂4'-苄氧基-2'-羟基苯乙酮和空穴传输材料TFB，混合均匀，得到复合材料。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管，该量子点发光二极管仅将实施例1提供的量子点发光二极管空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的量子点发光二极管相同。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，该制备方法仅将实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法的步骤相同。
为了进行测试，本实施例还提供对应上述量子点发光二极管的单空穴器件(HOD)。
单空穴器件仅将实施例1提供的单空穴器件空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的单空穴器件相同。
由于对应本实施例中量子点发光二极管的单电子器件与实施例1提供的单电子器件相同，因此本实施例不额外提供单电子器件。
对应地，本实施例还提供上述单空穴器件的制备方法。
单空穴器件的制备方法仅将实施例1提供的单空穴器件的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的单空穴器件的制备方法的步骤相同。
实施例9
本实施例提供一种复合材料，包括空穴传输材料以及电压稳定剂，其中空穴传输材料为TFB，电压稳定剂包括AOHBP和5,5'-亚甲基双(2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮)，AOHBP、5,5'-亚甲基双(2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮)以及TFB之间的质量比为0.5:0.5:10。
本实施例中，所述复合材料的制备方法为：提供质量比为0.5:0.5:10的电压稳定剂AOHBP、电压稳定剂5,5'-亚甲基双(2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮)和空穴传输材料TFB，混合均匀，得到复合材料。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管，该量子点发光二极管仅将实施例1提供的量子点发光二极管空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的量子点发光二极管相同。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，该制备方法仅将实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法的步骤相同。
为了进行测试，本实施例还提供对应上述量子点发光二极管的单空穴器件(HOD)。
单空穴器件仅将实施例1提供的单空穴器件空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的单空穴器件相同。
由于对应本实施例中量子点发光二极管的单电子器件与实施例1提供的单电子器件相同，因此本实施例不额外提供单电子器件。
对应地，本实施例还提供上述单空穴器件的制备方法。
单空穴器件的制备方法仅将实施例1提供的单空穴器件的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的单空穴器件的制备方法的步骤相同。
实施例10
本实施例提供一种复合材料，包括空穴传输材料以及电压稳定剂，其中空穴传输材料为TFB，电压稳定剂包括AOHBP和2-羟基-4-(甲基丙烯酰氧基)二苯甲酮，AOHBP、2-羟基-4-(甲基丙烯酰氧基)二苯甲酮以及TFB之间的质量比为0.5:0.5:10。
本实施例中，所述复合材料的制备方法为：提供质量比为0.5:0.5:10的电压稳定剂AOHBP、电压稳定剂2-羟基-4-(甲基丙烯酰氧基)二苯甲酮和空穴传输材料TFB，混合均匀，得到复合材料。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管，该量子点发光二极管仅将实施例1提供的量子点发光二极管空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的量子点发光二极管相同。
另外，本实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，该制备方法仅将实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的量子点发光二极管的制备方法的步骤相同。
为了进行测试，本实施例还提供对应上述量子点发光二极管的单空穴器件(HOD)。
单空穴器件仅将实施例1提供的单空穴器件空穴传输层中的材料替换为本实施例提供的复合材料，其余部分与实施例1提供的单空穴器件相同。
由于对应本实施例中量子点发光二极管的单电子器件与实施例1提供的单电子器件相同，因此本实施例不额外提供单电子器件。
对应地，本实施例还提供上述单空穴器件的制备方法。
单空穴器件的制备方法仅将实施例1提供的单空穴器件的制备方法步骤3中成膜溶液的溶质替换为本实施例提供的复合材料，其余步骤与实施例1提供的单空穴器件的制备方法的步骤相同。
实施例11
本实施例提供一种复合材料，包括空穴传输材料以及电压稳定剂，其中空穴传输材料为PVK，电压稳定剂为AOHBP，AOHBP与PVK的质量比为1:20。
本实施例中，所述复合材料的制备方法为：提供质量比为1:20的电压稳定剂AOHBP和空穴传输材料PVK，混合均匀，得到复合材料。
另外，本实施例还提供一种有机发光二极管，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及阴极。
其中，阳极的厚度为100nm，阳极的材料为FTO；空穴注入层的厚度为25nm，空穴注入层的材料为CuPc；空穴传输层的厚度为25nm，空穴传输层的材料为本实施例提供的复合材料；量子点发光层的厚度为25nm，有机发光层的材料为Alq3；电子传输层的厚度为30nm，电子传输层的材料为ZnO；阴极的厚度为100nm，阴极的材料为Ag。
另外，本实施例还提供一种有机发光二极管的制备方法，包括：
步骤1：提供制备有FTO阳极的玻璃基板；
步骤2：在FTO阳极的表面喷墨打印CuPc溶液，制得厚度为25nm的空穴注入层；
步骤3：在空穴传输层的表面喷墨打印空穴传输层的成膜溶液，成膜溶液的溶剂为氯苯，成膜溶液的溶质为本实施例提供的复合材料，制得厚度为25nm的空穴传输层；
步骤4：在空穴传输层上蒸镀Alq3，制得厚度为25nm的有机发光层；
步骤5：在有机发光层上喷墨打印ZnO溶液，制得厚度为30nm的电子传输层；
步骤6：将制备有电子传输层的玻璃基板放入真空腔体，在电子传输层上蒸镀银，得到厚度为100nm的阴极，封装得到有机发光二极管。
实施例12
本实施例提供一种复合材料，包括空穴传输材料以及电压稳定剂，其中空穴传输材料为TPD，电压稳定剂为AOHBP，AOHBP与TPD的质量比为1:2。
本实施例中，所述复合材料的制备方法为：提供质量比为1:2的电压稳定剂AOHBP和空穴传输材料TPD，混合均匀，得到复合材料。
另外，本实施例还提供一种有机发光二极管，包括依次层叠设置的阴极、电子传输层、有机发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极。
其中，阳极的厚度为100nm，阳极的材料为IZO；空穴注入层的厚度为25nm，空穴注入层的材料为TCNQ；空穴传输层的厚度为25nm，空穴传输层的材料为本实施例提供的复合材料；量子点发光层的厚度为25nm，有机发光层的材料为Alq3；电子传输层的厚度为30nm，电子传输层的材料为TiO2；阴极的厚度为100nm，阴极的材料为Al。
另外，本实施例还提供一种有机发光二极管的制备方法，包括：
步骤1：提供制备有Al阴极的玻璃基板；
步骤2：在Al银极的表面喷墨打印TiO2溶液，制得厚度为30nm的电子传输层；
步骤3：在电子传输层的表面蒸镀Alq3，制得厚度为25nm的有机发光层；
步骤4：有机发光层的表面喷墨打印空穴传输层的成膜溶液，成膜溶液的溶剂为氯苯，成膜溶液的溶质为本实施例提供的复合材料，制得厚度为25nm的空穴传输层；
步骤5：在空穴传输层上喷墨打印TCNQ溶液，制得厚度为25nm的空穴注入层；
步骤6：在空穴注入层上沉积厚度为100nm的IZO阳极，封装得到有机发光二极管。
对比例
本对比例提供一种量子点发光二极管，该量子点发光二极管仅将实施例1提供的量子点发光二极管空穴传输层中的材料替换为TFB，其余部分与实施例1提供的量子点发光二极管相同。
为了进行测试，本实施例还提供对应上述量子点发光二极管的单空穴器件(HOD)。
单电子器件与实施例1提供的单电子器件相同，因此本对比例不额外提供单电子器件。
单空穴器件仅将实施例1提供的单空穴器件空穴传输层中的材料替换为TFB，其余部分与实施例1提供的单空穴器件相同。
对实施例1～10以及对比例提供的量子点发光二极管以及单空穴器件进行测试，测试结果参见表1。
表1
其中，寿命是指在恒定电流密度(2mA/cm2)下量子点发光二极管亮度降至其最高亮度的95％所用的时间。
从表中数据可以看出，相对于现有技术(对比例)，本发明提供的量子点发光二极管的外量子效率与寿命均显著提升。因此，相对现有技术本发明提供的量子点发光二极管空穴传输层对电子破坏的抵御能力强，器件稳定性好，且本发明提供的量子点发光二极管的载流子传输平衡。
对实施例1提供的单电子器件的工作电压进行测试，测试结果参见图1，对单电子器件的J-V曲线进行测试，测试结果参见图2。对实施例1～10以及对比例提供的单空穴器件的工作电压进行测试，测试结果参见图3，对实施例1～10以及对比例提供的单空穴器件的J-V曲线进行测试，测试结果参见图4。通过工作电压的测试结果可知，相比于对比例，实施例1～10提供的单空穴器件的工作电压与单电子器件的工作电压(5.5V)更为接近，因此，相对于现有技术，本发明提供的量子点发光二极管的载流子传输更加平衡。通过J-V曲线的测试可知，相比现有技术，为了达到相同的电流密度，本发明提供的量子点发光二极管所需的电压更小，因此本发明提供的量子点发光二极管的效率更高。
实施例2以及对比例提供的量子点发光二极管的EL光谱图参见图5，可知对比例提供的量子点发光二极管在530nm左右存在一个小峰，其是由于电子注入过多，高能电子逃逸到空穴传输层中，导致的非辐射复合产生的峰。而实施例2提供的量子点发光二极管的EL光谱图十分对称，表明本发明提供的量子点发光二极管的空穴传输层抵御电子破坏的能力强，能够避免器件出现非辐射复合，从而提高了器件的稳定性和发光效率。
对实施例2提供的量子点发光二极管的空穴传输层以及对比例提供的量子点发光二极管的空穴传输层进行AFM测试，测试结果参见图6～7。测试结果显示，实施例2提供的量子点发光二极管的空穴传输层表面粗糙度Rq值为0.69nm，而对比例提供的量子点发光二极管的空穴传输层表面粗糙度Rq值为1.69nm，可见，相比现有技术，本发明提供的量子点发光二极管的空穴传输层的膜层均匀性显著提高。
对实施例2提供的量子点发光二极管的空穴传输层以及对比例提供的量子点发光二极管的量子点发光层进行AFM测试，测试结果参见图8～9。测试结果显示，实施例2提供的量子点发光二极管的量子点发光层表面粗糙度Rq值为0.98nm，而对比例提供的量子点发光二极管的量子点发光层表面粗糙度Rq值为2.14nm，可见，相比现有技术，本发明提供的量子点发光二极管的量子点发光层的膜层均匀性也显著提高。此外实施例2提供的量子点发光二极管的量子点发光层厚度为23.56nm，而对比例提供的量子点发光二极管的量子点发光层厚度为30.45nm，可见在相同的工艺条件下，相比对比例中的量子点发光二极管，实施例2提供的量子点发光二极管的量子点发光层的膜层厚度更薄(更薄的量子点发光层膜层厚度有利于提升器件寿命)，即空穴传输层膜层均匀性的提升有利于量子点发光层的膜层均匀性提升，进而在相同的工艺条件下降低量子点发光层的厚度。
本发明的发光器件的空穴传输层包括上文所述的复合材料，所述复合材料中电压稳定剂为取代的芳香酮，其具有较好的共轭特征与电子离域性，因此本发明的复合材料具有较好的电子亲和能力，且本发明中复合材料的分子间具有较好的π-π堆叠作用，因此，本发明中的复合材料还具有良好的电荷传输性能。如此，基于复合材料中电压稳定剂分子较强的共轭效应和电子离域性，电压稳定剂能够通过激发或电离的方式来吸收电子的能量，尤其能够吸收由于电子聚集而诱导形成的高能电子的能量，并大幅度削弱高能电子的动能并减少高能电子的数量，从而减少电子对空穴传输层的材料的破坏，提高空穴传输层材料抵御电子破坏的能力，进而提升发光器件的电流密度、空穴迁移率、外量子效率和寿命。
以上对本发明实施例所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (13)

1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括空穴传输材料以及电压稳定剂；
其中，所述电压稳定剂包括取代的芳香酮，所述芳香酮的至少一个取代基为供电子基团。
2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述供电子基团包括羟基、烷氧基、苯氧基、苄氧基、酰氧基中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述电压稳定剂包括取代的具有2～5个苯环结构的芳香酮，所述具有2～5个苯环结构的芳香酮包括4-丙烯氧基-2-羟基二苯甲酮、2-羟基-4-(甲基丙烯酰氧基)二苯甲酮、4'-苯氧基苯乙酮、4'-苄氧基-2'-羟基苯乙酮、5,5'-亚甲基双(2-羟基-4-甲氧基二苯甲酮)、4-羟基-4'-苯氧基二苯甲酮中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述电压稳定剂与所述空穴传输材料的质量比为1：2～20。
5.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述空穴传输材料包括TFB、CuPc、PVK、Poly-TPD、DNTPD、TCATA、TCCA、CBP、TPD、NPB、NPD、PEDOT:PSS、TAPC、MCC、F4-TCNQ、HATCN、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N苯基氨基)三苯胺、聚苯胺、过渡金属氧化物、过渡金属硫化物、过渡金属锡化物、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的至少一种。
6.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括阴极、阳极、发光层、空穴传输层，所述空穴传输层的材料包括权利要求1～5任一项所述的复合材料。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，
所述阳极和所述阴极的材料分别独立包括金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属包括Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca、Yb以及Mg中的一种或多种；所述碳材料包括石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极包括AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种；和/或
所述发光层的材料包括有机发光材料和量子点发光材料中的一种或多种，所述有机发光材料包括4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱(III)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺:三[2-(对甲苯基)吡啶-C2,N)合铱、二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物、芴衍生物、TBPe荧光材料、TTPX荧光材料、TBRb荧光材料及DBP荧光材料中的至少一种；所述量子点发光材料包括单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种；所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核材料及核壳结构量子点的壳层材料分别包括II-VI族化合物、IV-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；所述II-VI族化合物包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe及HgZnSTe中的至少一种；所述IV-VI族化合物包括SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe中的至少一种；所述III-V族化合物包括GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs及InAlPSb中的至少一种；所述I-III-VI族化合物包括CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述钙钛矿型半导体材料包括掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子，M为二价金属阳离子，包括Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的至少一种，X为卤素阴离子，包括Cl-、Br-、I-中的至少一种；所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括CH3(CH2)n-2NH3+或[NH3(CH2)nNH3]2+，其中n≥2，M为二价金属阳离子，包括Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+中的至少一种，X为卤素阴离子，包括Cl-、Br-、I-中的至少一种。
8.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，
所述发光器件还包括位于所述阳极与所述空穴传输层之间的空穴注入层，所述空穴注入层的材料包括聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌、铜酞菁、1,4,5,8,9,11-六氮杂苯甲腈、NiOx、MoOx、WOx、CrOx、CuO、MoSx、MoSex、WSx、WSex、CuS中的一种或多种，其中，所述x的取值范围为1～3；和/或
所述发光器件还包括位于所述阴极和所述发光层之间的电子传输层和/或电子注入层，所述电子传输层和/或所述电子注入层的材料包括无机材料和/或有机材料；所述无机材料包括掺杂或非掺杂的氧化锌、氧化钡、氧化铝、氧化镍、氧化钛、氧化锡、氧化钽、氧化锆、氧化镍、氧化钛锂、氧化锌铝、氧化锌锰、氧化锌锡、氧化锌锂、氧化铟锡、硫化镉、硫化锌、硫化钼、硫化钨、硫化铜、锡化锌、磷化铟、磷化镓、硫化铜铟、硫化铜镓、钛酸钡中的一种或多种，掺杂的元素包括铝、镁、锂、锰、钇、镧、铜、镍、锆、铈、钆中的一种或多种；所述有机材料包括喹喔啉化合物、咪唑类化合物、三嗪类化合物，含芴类化合物、羟基喹啉化合物中的一种或多种。
9.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供发光器件预制件和权利要求1～5任一项所述的复合材料；以及
将所述复合材料沉积在所述发光器件预制件上，以形成空穴传输层。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述发光器件预制件上沉积所述成膜溶液之后，在形成所述空穴传输层之前，还包括：对所述成膜溶液所形成的膜层紫外光照射2～10min。
11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，将所述复合材料沉积在所述发光器件预制件上包括：
提供溶剂和复合材料，混合，得到成膜溶液；以及
将所述成膜溶液沉积在所述发光器件预制件上，形成空穴传输层。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，
所述成膜溶液中，所述复合材料的浓度为4～10mg/mL；和/或
所述溶剂包括非极性有机溶剂，所述非极性有机溶剂包括烷烃类溶剂、烯烃类溶剂和芳烃类溶剂中的一种或多种，其中，所述烷烃类溶剂包括正己烷、正庚烷、正辛烷、环己烷、环庚烷、氯仿、十四烷和环辛烷中的一种或多种，所述烯烃类溶剂包括1-十烯、1-十二烯、1-十四烯和1-十六烯中的一种或多种，所述芳烃类溶剂包括苯、甲苯、氯苯和二甲苯中的一种或多种。
13.一种显示装置，其特征在于：所述显示装置包括权利要求6-8任意一项所述的发光器件，或者，所述显示装置包括由权利要求9-12任意一项所述的制备方法制得的发光器件。
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