CN118056238A - 存储器阵列中的升压辅助存储器单元选择 - Google Patents

Abstract

与选择存储器装置的存储器阵列中的存储器单元相关的系统、方法及设备。在一种方法中，偏置电路系统在用于选择存储器单元的存取线上产生电压以用于编程。在编程期间，控制器通过控制开关将升压电容器连接到所述存取线。连接所述升压电容器使所述存取线的放电速率(例如，字线到负电压的放电)增加。在编程之后，所述控制器将所述升压电容器与所述存取线断开连接，且所述升压电容器被预充电以准备下一编程操作(例如，在同一或不同存储器单元上)。

Description

存储器阵列中的升压辅助存储器单元选择

相关申请案

本申请案主张2021年10月7日申请的且标题为“存储器阵列中的升压辅助存储器单元选择(BOOST-ASSISTED MEMORY CELL SELECTION IN A MEMORY ARRAY)”的序列号为17/496,667的美国专利申请案的优先权，所述申请案的全部公开内容特此以引用的方式并入本文中。

技术领域

本文公开的至少一些实施例大体上涉及存储器装置，且更特定来说(但不限于)，在存储器阵列中使用存储器单元的升压辅助选择的存储器装置。

背景技术

存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、照相机、数字显示器及类似者)中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程为各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可被编程为两个支持的状态中的一者，通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持两个以上状态，可存储其中的任一者。为了存取存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一种存储状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选择存储器、硫族化物存储器技术及其它。存储器单元可为易失性或非易失性的。即使不存在外部电源，非易失性存储器装置(例如，FeRAM)也可长时间维持其存储的逻辑状态。易失性存储器装置(例如，DRAM)在与外部电源断开时可能丢失其存储状态。

存储器装置包含非易失性存储器装置，例如(举例来说)NAND快闪存储器装置。NAND快闪是使用NAND逻辑门构造的一种类型的快闪存储器。替代地，NOR快闪是使用NOR逻辑门构造的一种类型的快闪存储器。目前，NAND快闪存储器的使用主导快闪存储器市场。

典型存储装置具有控制器，其从主机计算机接收数据存取请求且执行经编程计算任务以按特定于存储装置中配置的媒体及结构的方式来实施请求。在一个实例中，快闪存储器控制器管理存储在快闪存储器中的数据且与主机计算装置通信。在一些情况下，快闪存储器控制器用于固态驱动器(例如，用于移动装置)。

固件可用于操作特定存储装置的快闪存储器控制器。在一个实例中，当主机计算机从快闪存储器装置读取数据或将数据写入到快闪存储器装置时，其与快闪存储器控制器通信。

附图说明

在附图的图式中通过实例而非限制的方式说明实施例，其中相似参考指示类似元件。

图1展示根据一些实施例的升高在执行写入操作时被施加到存储器阵列中的存储器单元的写入电压的存储器装置。

图2展示根据一些实施例的驱动施加到存储器单元的电压分布的电压驱动器。

图3展示根据一些实施例的经配置有驱动器以驱动存取线上的电压以选择存储器阵列中的存储器单元的存储器装置。

图4展示根据一些实施例的具有经配置以在存取线上产生电压的位线驱动器及字线驱动器的存储器单元。

图5展示根据一些实施例的用于在选择存储器阵列中的存储器单元时升高存取线上的电压的一或多个升压电容器。

图6展示根据一些实施例的包含由控制器控制且用于升高存取线上的电压的升压电路系统的系统。

图7展示根据一些实施例的用于在对存储器单元进行编程时升高存取线上的电压的方法。

图8展示根据一些实施例的图6的系统的示范性电压波形。

图9展示根据一些实施例的在存取线上产生的电压的示范性波形。

具体实施方式

下文公开描述在存储器阵列中使用存储器单元的升压辅助选择的存储器装置的各种实施例。本文中的至少一些实施例涉及使用交叉点架构实施存储器阵列的非易失性存储器装置。存储器装置可例如存储由主机装置(例如，自主交通工具的计算装置，或用于各种工业或消费型装备的控制系统的计算装置)使用的数据。在一个实例中，存储器装置是安装在电动交通工具中的固态驱动器。

一些交叉点存储器装置使用需要施加高电压来选择存储器阵列中的特定存储器单元的存储器单元。例如，使用硫属化物作为存储元件的存储器单元需要跨越其两个电极的高电压以便跳变所述单元，这将存储器单元从断开状态改变为接通状态。然而，当单元跳变时，高电流可流动通过单元。这可能损坏单元及/或使其可靠性降级。

为了避免此高电流，有时在用于选择单元的存取线的电路路径中使用电流镜。尽管电流镜可在单元跳变时限制电流以便避免此损坏或降级，但电流镜也会限制用于对存取线放电以便选择单元的电流。电流的此限制导致在对存取线进行放电以选择单元时出现显著延迟的技术问题。此延迟由与用于选择存储器单元及/或存取线自身的选择电路系统中的一或两者相关联的大寄生电容引起。此有限放电电流仅能够缓慢地对寄生电容进行放电。选择电路系统包含可促成寄生电容的各种组件，例如解码器。存取线包含众多未选择存储器单元及也促成寄生电容的其它存储器阵列组件。

由于使用上文的电流镜而导致的对存取线进行放电的延迟需要更长时间段来跳变存储器单元。此增加的存取时间减慢了存储器装置的性能。例如，放电中的此延迟使得位线或字线斜变显著变慢，使得较迟跳变(选择)存储器单元。例如，在典型设计中，需要花费30纳秒以上的时间来斜变阵列中最难跳变(例如，由于具有更高阈值电压等)的那些单元。

在上文技术问题的一个实例中，用于交叉点存储器装置中的电流镜提供用于对字线进行放电的恒定电流(例如，10到50微安)。由于对存储器装置的各种担忧(例如，过多能量消耗、存储器单元上的应力等)，电流的值是固定的。由于这些担忧，电流不能显著增加。因此，这导致如上文论述的由于存取延迟而引起的缓慢性能的技术问题。

本公开的各种实施例通过提供用于在选择存储器单元时升高存取线上的电压的升压电容器来提供上述技术问题的技术解决方案。在一个实施例中，通过使用电流镜，存储器阵列中的每一存取线通常在存取操作(例如，读取或写入)期间被放电。升压电容器在受控时间(例如，由控制器基于正被编程的特定存储器单元来确定是否使用升压及/或升压的特定时序特性的决定)通过开关电连接到用于选择存储器单元的存取线，使得电压被升高(例如，负或正电压升高)。在一个实例中，当对单元进行编程时，升高电压。在一个实例中，当读取单元时，升高电压。在一个实例中，升高电压使得存取线的放电速率显著大于仅通过电流镜可实现的放电速率。

在一个实施例中，交叉点存储器装置包含偏置电路系统，其经配置以在用于存取存储器阵列的存储器单元的存取线上产生电压。至少一个电容器经配置以在存取存储器单元时升高存取线上的电压。至少一个开关经配置以将电容器电连接到偏置电路系统。当电容器升高电压时，开关处于接通状态。预充电电路系统经配置以在执行升压操作之后对电容器进行预充电。当电容器正在被预充电以准备升高电压时(例如，响应于由控制器接收的后续读取或写入命令)，开关处于断开状态。

在一个实例中，偏置电路系统在写入操作期间在字线上产生电压。所产生的电压为负电压。电压例如相对于存储器装置的接地电压(例如，零伏)或其它参考电压是负的。在一个实例中，在写入操作开始时，字线的电压最初由电流镜放电。在写入操作开始之后(例如，至少2到10纳秒后)，开关将升压电容器连接到偏置电路系统。升压电容器通过与通过电流镜发生的放电并行地从字线中拉出电荷来显著增加字线的放电速率。在选择存储器单元(例如，硫属化物单元跳变)之后，开关断开连接电容器，且预充电电路系统对电容器进行预充电以准备下一存取操作。

在一个实例中，时序控制逻辑用于确定开关将升压电容器连接到存取线的时间。在一个实例中，使用向开关提供升压信号的控制器来实施时序控制逻辑。在一个实例中，当使用升压时，写入操作所需的单元选择时间减少至少30％到50％。在一个实例中，存储器阵列及控制器在同一半导体裸片上。在一个实例中，电压与在不使用升压电容器的情况下实现的升高(通过使用相同持续时间)相比多升高至少200毫伏。

在一个实例中，为了准备在字线上产生负电压，将升压电容器预充电到如跨越电容器的端子测量的至少负2到4伏。这允许升压电容器迅速地对存储器单元选择电路路径上的寄生电容进行放电。

由本文描述的实施例提供升压选择的各种优点。在一个优点中，典型30纳秒选择时间可减少到10到15纳秒，这可提供写入完成时间的显著的10％或更多的改进。在一个优点中，通过使用上述升压选择，低阈值电压单元及高阈值电压单元两者在类似时间更一致地跳变(例如，所有单元在较短时间段内或在较窄时间窗口内跳变)，使得其编程脉冲形状彼此更类似。这例如有助于支持在每一单元(例如，TLC、QLC)中使用多个电平的数据存储的存储器单元的可靠操作，这是因为每一存储器单元的行为更类似。

图1展示根据一些实施例的升高在执行写入操作时被施加到存储器阵列102中的存储器单元110、112的写入电压的存储器装置101。存储器装置101包含存储器控制器120，其控制感测电路系统122及偏置电路系统124。存储器控制器120包含处理装置116及存储器118。在一个实例中，存储器118存储在处理装置116上执行以对存储器装置101执行各种操作的固件。在一个实例中，操作包含读取及写入存储器阵列102的存储器单元110、112。在一个实例中，存储器单元110位于存储器阵列的左半片块中，且存储器单元112位于存储器阵列的右半片块中。

存储器阵列102的存取线130用于存取存储器单元110、112。在一个实例中，存取线130是字线及/或位线。在一个实例中，每一存取线130在中央区(例如，存取线的中间)中分裂以具有存取存储器单元110的左部分及存取存储器单元112的右部分。

偏置电路系统124用于在存取线130上产生电压。在一个实例中，通路用于将存取线130电连接到偏置电路系统124。在一个实例中，单个通路用于将每一存取线130的左部分及右部分电连接到偏置电路系统124的字或位线驱动器。

在一个实例中，在存取线130上产生电压以存取存储器单元110。在一个实例中，作为响应于从主机装置126接收的命令而执行的读取或写入操作的部分来驱动电压。

当存取存储器单元110、112时，升压电路系统140用于升高存取线130中的一者上的电压。在一个实施例中，在存取操作期间，升压电路系统140将一或多个升压电容器连接到偏置电路系统124。在一个实施例中，升压电路系统140由存储器控制器120控制。在一个实施例中，升压电路系统140用于升高用于存取存储器单元的两根存取线(例如，字线及位线)上的电压。

在一个实施例中，升压电路系统140由偏置电路系统124控制。例如，由偏置电路系统140确定的条件或状态触发使用升压电路系统140。

感测电路系统122用于感测流动通过存储器单元110、112的电流。在一个实例中，感测电路系统122感测由于在读取操作期间将电压施加到存储器单元110而引起的电流。

在一个实施例中，存储器装置101选择用于在执行写入操作时施加到存储器单元110、112的写入电压。在一个实施例中，升压电路系统140的使用是基于所选择的写入电压(例如，如由存储器控制器120确定)。

在一个实施例中，偏置电路系统124由一或多个电压驱动器实施。偏置电路系统124可用于产生用于(例如，响应于来自主机装置126的读取命令)对存储器阵列102执行的读取操作的读取电压。

在一个实施例中，感测电路系统122用于感测存储器阵列102中每一存储器单元的状态。在一个实例中，感测电路系统122包含电流传感器(例如，感测放大器)，其用于检测将各种读取电压施加到存储器阵列102中的存储器单元而引起的电流。感测电路系统122感测由施加电压而引起的与存储器单元110中的每一者相关联的电流。

在一个实例中，如果感测电路系统122确定由于将读取电压施加到存储器单元而引起的相应电流大于相应固定阈值(例如，预定电平的电流或阈值电流)，那么存储器控制器120确定存储器单元已跳变。

在一个实施例中，存储器单元110、112可具有不同存储器类型(例如，单电平单元或三电平单元)。

在一个实施例中，存储器控制器120从主机装置126接收写入命令。所述写入命令伴随着待写入存储器阵列102的数据(例如，主机装置126的用户的用户数据)。响应于接收到写入命令，控制器120通过将电压施加到存储器单元110来启动编程操作。在一个实施例中，控制器120确定由于施加电压引起的相应电流。在一个实施例中，控制器120向开关提供时序信号，其用于使各种电路系统控制用于存储器单元的电流。在一个实例中，本地数据感测及/或处理电路系统用于确定个别存储器单元的单元电流及/或数据逻辑。

在一个实施例中，控制器120确定每一单元的现有编程状态(例如，逻辑状态零)与目标编程状态(如，逻辑状态零)是否相等。如果现有编程状态与目标编程态相等，那么不施加写入电压(例如，这是正常写入模式)。如果现有编程状态与目标编程状态不同，那么将写入电压施加到所述特定存储器单元。在一个实例中，通过将电压偏置施加到用于选择单元的字线及位线来跨越存储器单元施加3到8伏的写入电压。

在一个实例中，控制器120可在写入操作期间使用写入电压(例如，写入脉冲)来将逻辑状态写入到存储器单元，例如存储器单元110、112。可通过向位线提供第一电压(例如，正电压)且向字线提供第二电压(例如，负电压)来施加写入脉冲以选择存储器单元。电连接到存储器单元可电连接到其的存取线的电路可用于提供写入电压(例如，包含在解码器电路中的存取线驱动器)。电路可通过由控制逻辑(例如，控制器120)提供的内部控制信号来控制。施加到存储器单元的所得电压是第一电压与第二电压之间的差。

在一个实施例中，存储器单元具有被改变以对应于不同逻辑状态的一或多个物理性质。在一个实例中，所改变的物理性质与原子结构有关。在一些情况下，存储器单元(例如，PCM单元)包含改变其晶体构型(例如，在晶相与非晶相之间)的材料，晶体构型又确定存储器单元用以存储信息的阈值电压。在其它情况下，存储器单元包含保持在可展现可变阈值电压以存储信息的晶体构型(例如，非晶相)中的材料。

图2展示根据一些实施例的驱动施加到存储器单元201的电压的电压驱动器203。电压驱动器203经配置以向上或向下驱动在读取或写入操作期间施加在存取线上以选择存储器单元201的电压。在一个实施例中，电压驱动器203由多个电压驱动器实施。在一个实例中，电压驱动器的一部分是位线驱动器，且电压驱动器的另一部分是字线驱动器。在一个实例中，电压驱动器203包含在偏置电路系统124中。存储器单元201是存储器单元110、112的实例。

在一个实例中，当感测电压被施加到存储器单元201时，电流传感器207确定由于施加感测电压而引起的电流。在一个实例中，电压驱动器203通过将位线驱动到正电压以及将字线驱动到负电压来施加感测电压。电流传感器207是感测电路系统122的实例。

在一个实例中，在施加电压之后，当施加在存储器单元201上的电压高于经编程单元的阈值电压时，电流传感器207经配置以基于行进通过存储器单元201的电流来确定存储器单元201是否导电。如果电流传感器207检测到对应于经编程单元的电流量，那么存储器单元201被确定为已被编程为具有低电压阈值的SET单元(对应于与由具有高电压阈值的RESET单元所表示的数据不同的数据)。如果电流传感器207未检测到对应于经编程单元的电流量，那么存储器单元被确定为对应于通过具有高电压阈值来表示的预定数据的复位单元(例如，在复位或擦除操作之后尚未被编程的单元，或已经被编程为具有高电压阀值的单元)。

图3展示根据一些实施例的经配置有驱动器335、337以驱动存取线上的电压以选择存储器阵列333中的存储器单元的存储器装置。例如，图2中所说明的存储器单元201可用在存储器阵列333中。

图3的存储器装置包含控制器331，其操作位线驱动器337及字线驱动器335以存取存储器阵列333中的个别存储器单元(例如，单元201)。控制器331是存储器控制器120的实例。存储器阵列333是存储器阵列102的实例。

位线驱动器337及/或字线驱动器335可由如图2中所说明的电压驱动器203来实施。在一个实例中，阵列333中的每一存储器单元(例如201)可经由由一对位线驱动器及字线驱动器驱动的电压来存取，如在图4中所说明。

图4展示根据一些实施例的具有经配置以在存取线441、443上产生电压的位线驱动器447及字线驱动器445的存储器单元401。例如，位线驱动器447驱动施加到阵列333中的一行存储器单元的第一电压；且字线驱动器445驱动施加到阵列333中的一列存储器单元的第二电压。存储器单元阵列333的行及列中的存储器单元401经受由位线驱动器447驱动的第一电压与由字线驱动器445驱动的第二电压之间的电压差。当第一电压高于第二电压时，存储器单元401经受一个电压极性(例如，正极性)；且当第一电压低于第二电压时，存储器单元401经受相反电压极性(例如，负极性)。

例如，当存储器单元401经配置以用正电压极性来读取时，位线驱动器447可经配置以驱动正电压。例如，当存储器单元401经配置以用负电压极性来读取时，字线驱动器445可经配置以驱动正电压。

例如，在写入操作期间，位线驱动器447及字线驱动器445两者都可驱动不同量值的电压(例如，以执行读取及写入步骤)。例如，位线驱动器447可经配置以驱动具有不同量值的正电压；且字线驱动器445可经配置以驱动具有不同量值的负电压。由位线驱动器447驱动的电压与由字线驱动器455驱动的电压之间的差对应于施加在存储器单元401上的电压。

在一个实例中，位线驱动器337可用于驱动在一个方向上布置且安置在交叉点存储器的一个层中的存取线(例如，平行引线)(例如441)；且字线驱动器435可用于驱动在另一方向上布置且安置在交叉点存储器的另一层中的存取线(例如，平行引线)(例如443)。例如，连接到位线驱动器(例如447)的引线(例如441)及连接到字线驱动器(例如445)的引线(例如443)在正交方向上在两个层中延伸。存储器单元阵列333夹置在引线的两个层之间；且阵列333中的存储器单元(例如401)形成在交叉点存储器的集成电路裸片中的两根引线(例如441及443)的交叉点处。

图5展示根据一些实施例的用于在选择存储器阵列中的存储器单元504、506时升高存取线502上的电压的一或多个升压电容器522。在一个实例中，升压电容器522包含在图1的升压电路系统140中。在一个实例中，存储器单元504、506包含在存储器阵列102中。存取线502是存取线130的实例。

一或多个开关520将升压电容器522电连接到驱动器512。在一些实施例中，升压电容器522中的一或多者可额外及/或替代地直接电连接到存取线502而不穿过驱动器512。在一个实例中，每一存取线502(或每一组存取线502)由不同升压电容器522升压。

在一个实施例中，开关520在写入操作期间将升压电容器522连接到驱动器512。放电电路系统514用于在写入操作期间对存取线502进行放电。在一个实例中，放电电路系统514包含用于将存取线502的电压下拉到负电压的一或多个电流镜。在写入操作期间激活放电电路系统514。在放电电路系统514已被激活之后，开关520将升压电容器522连接到驱动器512。

预充电电路系统524被电连接到升压电容器522，且在升压电容器522已被用于对存取线502进行升压之后对升压电容器522进行预充电。在一个实例中，预充电电路系统524从升压电容器522移除电荷以准备其中存取线502(例如，字线)将被下拉到负电压(例如，-3伏)的下一写入操作。

在一个实施例中，开关520响应于由控制器(未展示)提供的控制信号而接通(接通状态)及断开(断开状态)。在一个实例中，控制器是存储器控制器120。在一个实例中，响应于控制器从主机装置接收到读取或写入命令而提供控制信号(例如，图6的升压信号)。

驱动器512在包含存取线502的各种存取线上产生电压。驱动器512通过解码器510连接到存取线。当存储器单元504、506将被选择用于读取或写入操作(及/或存储器装置的另一操作)时，解码器510用于选择存取线502。

与存储器单元506相比，存储器单元504在电上更接近驱动器512。存储器单元504在本文有时被称为近存储器单元，这是因为从存储器单元504到用于在存取线502上产生电压以用于选择存储器单元504的驱动器512的电距离小于从存储器单元506到驱动器512的电距离。

寄生电容508包含与从驱动器512到存储器单元504、506的电路路径相关联的各种寄生电容。寄生电容508可包含与存取线502及/或解码器510相关联的寄生电容。通常，寄生电容508显著增加仅通过放电电路系统514对存取线502放电所需的时间。使用升压电容器522显著减少此放电时间。

可使用各种物理结构来实施升压电容器522。例如，升压电容器522可为栅极氧化物电容器、金属到金属电容器或金属绝缘体金属(MIM)电容器。在一个实例中，升压电容522形成为在其上形成存储器阵列的半导体衬底中的CMOS电路系统的部分。

升压电容器522可定位在包含存取线502的存储器装置中的各个位置处。在一个实例中，升压电容器522形成为包含驱动器512的CMOS电路系统的部分。在一个实例中，升压电容器522位于半导体衬底中，在所述半导体衬底上形成上覆于所述衬底的交叉点存储器阵列。在一个实例中，预充电电路系统524形成为包含升压电容器522的CMOS电路系统的部分。

图6展示根据一些实施例的包含由控制器602控制且用于升高存取线612上的电压的升压电路系统的系统。在一个实例中，升压电路系统是图1的升压电路系统140。图6的升压电路系统包含升压电容器604及开关608。升压电路系统进一步包含具有开关606及负电压源616的预充电电路系统(例如，预充电电路系统524)。图6的升压电路系统由从控制器602提供的升压信号控制。升压信号由反相器614反相以提供(例如，通过导通开关606)控制升压电容器604的预充电的输出信号。当对存取线进行升压时，反相器614的输出也切换(例如，将节点620的电压切换为较低，例如在图8所说明)。

升压电容器604是升压电容器522的实例。开关608是开关520的实例。控制器602是存储器控制器120的实例。在一个实例中，开关608及/或开关606实施为MOS场效应晶体管(MOSFET)。

在一个实例中，升压电容器604具有10到150毫微微法拉(fF)的电容且用于单根位线或字线。在一个实例中，升压电容器604在5纳秒(ns)内为字线提供至少300mV的电压升压。在一个实例中，60fF升压电容器为字线提供650mV的电压升压。

偏置电路系统610在存取线612上产生电压。在一个实例中，在读取或写入操作期间产生电压。在读取或写入操作期间，开关608将升压电容器604电连接到偏置电路系统610以升高存取线612上的电压。偏置电路系统610是偏置电路系统124的实例。存取线612是存取线502的实例。

来自控制器602的升压信号提供在节点624处且用于导通及关断开关608。升压信号还向反相器614提供输入。反相器614的输出连接到节点620，且提供用以导通及关断开关606以用于控制升压电容器604的预充电的信号。

在一个实施例中，当对升压电容器604预充电时，导通开关606以将负电压源616电连接到节点618。负电压源606通过开关606对升压电容器604进行预充电。在一个实例中，负电压源616将节点618下拉到负电压(例如，-4伏)以准备即将到来的升压操作。

应注意，尽管图6的存取线612被描述为放电到负电压，但在其它实施例中，存取线612可被充电到正电压。在此情况下，升压电容器604用于将存取线612的电压升高到正电压。在此替代情况下，电压源616是在预充电期间将节点618上拉到正电压的正电压源。

在一个实施例中，在存储器装置的操作期间，控制器602从主机装置(例如，主机装置126)接收各种命令。这些命令包含读取及/或写入命令。在一个实例中，控制器602接收写入命令。响应于接收到写入命令，控制器使偏置电路系统610在存取线612上产生电压。例如，产生电压以对使用存取线612选择的存储器单元进行编程。

在偏置电路系统已开始在存取线612上产生电压之后，控制器602将升压信号的状态从不活动(升压接通)改变为活动(升压断开)。升压信号的活动状态使开关608将升压电容器604电连接到偏置电路系统610。这升高存取线612上的电压(例如，如上文针对图5所描述)。存取线612上的电压由升压电容器604放电到足以对所选择存储器单元进行编程的负电压。

在对存储器单元进行编程之后，升压电容器604被预充电。控制器602使升压信号从活动状态(升压接通)转变到不活动状态(升压断开)。在此升压断开状态下，升压信号由反相器614反相以在节点620处提供使开关606导通的信号，其将负电压源616电连接到节点618。这导致从节点618移除电荷，使得升压电容器604被预充电以准备在由控制器602接收到后续读取及/或写入命令时升高存取线612上的电压。

在一个实例中，在已对升压电容器604进行预充电之后，节点618上的电压小于-3伏(例如，-4V)，且节点620上的电压大于零伏(例如，1V)。

图7展示根据一些实施例的用于在对存储器单元进行编程时升高存取线上的电压的方法。例如，图7的方法可在图1的系统中实施。在一个实例中，存取线是存取线502或存取线612，且电压由升压电容器522或升压电容器604升压。

图7的方法可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，图7的方法至少部分由一或多个处理装置(例如，图1的处理装置116)执行。

尽管以特定序列或顺序展示，除非另有指定，否则可修改过程的顺序。因此，所说明实施例应仅被理解为实例，并且所说明过程可以不同顺序执行，并且一些过程可并行执行。另外，在各种实施例中可省略一或多个过程。因此，并非在每一个实施例中都需要所有过程。其它过程流程是可能的。

在框701处，从主机装置接收写入命令。在一个实例中，由存储器控制器120从主机装置126接收写入命令。

在框703处，响应于接收到写入命令，在存取线上产生电压以用于对存储器单元进行编程。在一个实例中，由偏置电路系统610在存取线612上产生电压。

在框705处，当对存储器单元进行编程时，使用电容器来升高存取线上的电压。在一个实例中，电容器是升压电容器604。

在一个实例中，当选择存储器单元时，字线被放电。在将升压电容器连接到存取线之前，放电电路系统514已将存取线放电到-2V的电压。然后，将升压电容器连接到存取线以提高存取线的放电速率。存取线被放电到足以对存储器单元进行编程的最终负电压(例如，-3V)。

在框707处，在对存储器单元进行编程之后，对电容器进行预充电。在一个实例中，使用负电压源616对升压电容器604进行预充电。

在一个实施例中，一种方法包括：由控制器(例如602)接收写入命令；响应于接收到写入命令，由控制器使偏置电路系统(例如610)在存取线(例如612)上产生电压，其中存取线经配置以对存储器阵列的存储器单元(例如110、112、504、506)进行编程；当对存储器单元进行编程时，使用电容器(例如522、604)升高存取线上的电压；以及在对存储器单元进行编程之后，对电容器进行预充电。

在一个实施例中，所述方法进一步包括：由控制器接收与写入命令相关联的地址；以及使用所述地址确定存储器单元的物理位置(例如，存储器单元在存储器阵列102中的物理位置)。基于所确定物理位置(例如，根据从主机装置接收的逻辑地址确定的物理地址)来执行升高存取线上的电压。

在一个实施例中，可基于存储器单元与用于选择存储器单元的驱动器的电距离来升高电压。在一个实例中，控制器在决定是否对存取线进行升压时读取将物理或逻辑地址映射到存储器单元的电距离的映射表。

在一个实施例中，可选择性地对一根及/或两根存取线进行升压。在一个实施例中，控制器决定是否对存取线中的一或两者进行升压。在一个实施例中，升压的决定至少部分基于由存储器装置的温度传感器确定的存储器装置的温度。

在一个实例中，控制器602基于物理或逻辑地址来确定存储器单元是近存储器单元(例如504)。因为存储器单元是近存储器单元(到驱动器512的电距离相对较短)，所以控制器602确定不升高存取线上的电压。

在一个实例中，控制器602基于物理或逻辑地址来确定存储器单元是远存储器单元(例如506)。因为存储器单元是远存储器单元(与从近存储器单元504到驱动器512的电距离相比，到驱动器512的电距离相对较长)，所以控制器602确定升高存取线上的电压。

在一个实例中，控制器602基于用户命令(例如，第二尝试)确定是否对存取线进行升压。在一个实例中，控制器602基于计数器(例如，周期计数，例如超过阈值计数值的读取及/或写入周期的数目)来确定是否对存取线进行升压。

在一个实施例中，开关(例如608)经配置以将电容器电连接到偏置电路系统；当电容器正在升高电压时，开关处于接通状态；当电容器被预充电时，开关处于断开状态；以及使电容器升高电压包括将开关从断开状态改变为接通状态。

在一个实施例中，电容器的第一端子(例如，连接到节点618的升压电容器604的端子)电连接到开关，且电容器的第二端子(例如，连接到节点620的升压电容器604的端子)耦合到由控制器(例如，控制器602通过反相器614)提供的控制信号(例如，如图6中所说明的升压信号)；以及在电容器被预充电之后，第一端子上的电压小于负三伏(例如，-4V)，且第二端子上的电压大于零伏(例如，1V)。

在一个实施例中，当对存取线进行升压上的电压时，电容器的第二端子上的电压小于负三伏(例如，-4V)。

图8展示根据一些实施例的图6的系统的示范性电压波形。更具体来说，图8展示说明图6的系统的各个节点上的电压与时间的图。这些节点是节点618、节点620及在节点624处提供的升压信号。

针对升压断开及升压接通阶段各自说明电压波形。在升压断开阶段中，升压电容器604被预充电。在升压接通阶段中，升压电容器604正在升高存取线612的电压。

如所说明，在升压断开阶段期间，升压信号处于不活动低(例如，零伏)。在升压接通阶段期间，升压信号处于活动高(例如，正电压，例如4V)。

在升压断开阶段期间，节点618与620之间的电压差对应于在预充电时跨越升压电容器604的端子的电压。当完全预充电时，节点618处于-4V的电压，且节点620处于1V的电压。这对应于完全预充电状态中跨越升压电容器604的5V电压降。

在时间T1处，控制器602使升压信号转变为高电平，这将导通开关608且开始升压电容器604的放电。节点620上的电压降低到-4V。开关606断开。

节点618上的电压最初降低到-5V。在电荷由于电荷共享而从存取线612被拉到升压电容器604时，节点618上的电压在时间T2处增加到-3V的最终电压。在时间T2处存取线612上的最终电压为-3V，其足够低以完成所选择存储器单元的编程。

在编程完成之后，在时间T2处，控制器602使升压信号转变为低，这关断开关608且导通开关606。这开始升压电容器604的预充电以准备后续升压操作。在时间T2处，节点620上的电压返回到1V的正电压。

在时间T2之后，在预充电期间(如图8中所说明的升压断开阶段)，节点618将从-3V被下拉到-4V的负电压。这在由升压电容器604在升压接通阶段期间积累的电荷由负电压源616去除时发生。

图9展示根据一些实施例的在存取线上产生的电压的示范性波形。在一个实例中，存取线是配置为被拉到足以对存储器单元进行编程的负电压的字线的存取线612。电压波形904对应于当不使用升压电容器来升高字线上的电压时出现的字线上的电压。电压波形902对应于当如上文描述那样使用升压电容器来升高电压时出现的同一字线上的电压。每一电压波形在电压与时间的图中展示。

在时间T1处，偏置电路系统开始对字线进行放电。这是升压断开阶段，且升压电容器未连接到字线。每一电压波形902、904在时间T1处以初始电压906开始。

在时间T2处，通过将升压电容器连接到字线来升高字线上的电压。这是升压接通阶段。在时间T2处字线上的电压是电压908。如所说明，当不升压时，电压波形902的字线上的电压的升压放电比电压波形904的字线上的电压显著更快地降低。在一个实例中，字线可在一些操作(例如，写入)上升压，但不在其它操作(例如，读取)上升压，如由控制器决定。

在一个实例中，在升压接通阶段期间，在时间段922期间，字线上的电压减少600mV。例如，时间段922小于五纳秒。

在时间段920期间，不使用升压电容器。字线的电压降低的速率最初很高，且接着放电的速率变得显著较低。因此，升压电容器通常在电压已下降到电压908之后经连接。然而，在其它实施例中，如果需要在更早时间推动放电，那么可在时间T1之后的更早时间连接升压电容器。

最终在时间T3处，在放电之后，升高电压波形902上的电压达到最终电压910，其足够低以完成编程操作。相比之下，非升高电压波形904上的电压直到比升压字线晚得多的时间才达到足够低以用于编程的最终电压912。

在时间T3处，升压电容器与字线断开连接。这开始其中升压电容器被预充电以准备下一存取操作的升压断开阶段。

在一个实施例中，控制器在字线上的电压在时间段920期间降低时监测所述电压。控制器确定字线上的电压何时已下降到阈值电平以下(例如，-2V的阈值电平，或电压相对于初始电压906的百分比或绝对减少)。响应于确定电压已下降到阈值电平以下，控制器使升压信号从不活动转变到活动(例如，如在图8中那样从低到高)，这将升压电容器连接到字线(例如，在时间T2处)。

现在描述使用升压电容器来升高存取线上的电压的各种额外实施例。在一个实施例中，偏置电路系统在第一时间(例如，图9的时间T1)开始在存取线上产生电压，且存取线上的电压在第二时间(例如，图9的时间T2)处开始升高，所述第二时间比所述第一时间晚某一时间段(例如，时间段920)。

在一个实施例中，确定与对存储器阵列的存储器单元进行编程相关联的至少一个性能特性(例如，存取时间、编程时间、存取线放电时间、读取的错误率、存储器阵列或存储器装置的温度、可靠性等)。由控制器基于所确定性能特性为每一升压操作选择时间段(例如，时间段920)。

在一个实施例中，在升压时间段(例如，时间段922)内执行升高存取线上的电压。确定与对存储器阵列的存储器单元进行编程相关联的至少一个性能特性(例如，存取时间、编程时间、存取线放电时间、读取的错误率、存储器阵列或存储器装置的温度、可靠性等)。由控制器基于所确定性能特性为每一升压操作选择升压时间段。

在一个实施例中，当升高存取线上的电压时，存取线上的电压在少于5纳秒的时间段(例如，时间段922)内降低至少300毫伏。

在一个实施例中，一种设备包括：偏置电路系统(例如，图6的610)，其经配置以在用于存取存储器阵列的存储器单元的存取线(例如612)上产生电压；至少一个电容器(例如604)，其经配置以在存取存储器单元时升高存取线上的电压；至少一个开关(例如608)，其经配置以将电容器电连接到偏置电路系统，其中当电容器正在升高电压时，开关处于接通状态；以及预充电电路系统(例如，开关606、负电压源616)，其经配置以对电容器进行预充电，其中当电容器正在被预充电以准备升高电压时，开关处于断开状态。

在一个实施例中，升高电压包括降低存取线上的电压；且开关将电容器电连接到偏置电路系统，使得电容器在升高存取线上的电压时提取电荷(例如，从正被放电到负电压以用于对存储器单元进行编程的字线拉出电荷)。

在一个实施例中，从至少偏置电路系统或存储器阵列的寄生电容(例如508)提取电荷。

在一个实施例中，所述设备进一步包括控制器(例如120、602)，其中所述控制器经配置以：确定正在执行写入操作；以及响应于确定正在执行写入操作，使开关从断开状态改变为接通状态。

在一个实施例中，偏置电路系统包括放电电路系统(例如514)，其经配置以在写入操作期间存取存储器单元时对存取线进行放电；且控制器进一步经配置以在使开关从断开状态改变为接通状态之前开始使用放电电路系统对存取线进行放电。

在一个实施例中，放电电路系统包括电流镜。

在一个实施例中，放电电路系统经配置以使用固定电流对存取线进行放电。

在一个实施例中，存储器阵列经配置成交叉点架构，且存取线是字线或位线。

在一个实施例中，存储器单元包括硫属化物。

在一个实施例中，偏置电路系统包括经配置以选择存取线的解码器(例如510)及用以在存取线上产生电压的驱动器(例如512)。

在一个实施例中，存取线是字线或位线，且驱动器包含电流镜，所述电流镜经配置以将字线或位线放电到负电压以用于对存储器单元执行写入操作。

在一个实施例中，一种设备包括：电容器(例如522、604)；及开关(例如520、608)，其经配置以将电容器电连接到用于在用于存取存储器阵列中的存储器单元的存取线(例如502)上产生电压的偏置电路系统。电容器经配置以在偏置电路系统开始产生电压之后升高存取线上的电压。当电容器正在升高电压时，开关处于接通状态，且当电容器正被预充电时，开关处于断开状态。所述设备进一步包括预充电电路系统(例如524)，其经配置以在电容器已升高存取线上的电压之后对电容器进行预充电。

在一个实施例中，所述设备进一步包括：控制器(例如602)，其经配置以提供控制信号(例如，图6的升压信号)，所述控制信号在执行写入操作以对存储器单元进行编程时使开关从断开状态改变为接通状态；及反相器(例如614)，其具有用以接收控制信号的输入，及电连接到电容器(例如604)的第一端子的输出(例如，在节点620处)。电容器的第二端子电连接到开关(例如608)的第一电流端子(例如，在节点618处)。

在一个实施例中，开关的第二电流端子电连接到偏置电路系统(例如610)。

在一个实施例中，开关是第一开关(例如608)；且预充电电路系统包括第二开关(例如606)，所述第二开关具有电连接到反相器的输出(例如，在节点620处)的控制端子、电连接(例如，在节点618处)到电容器的第二端子的第一电流端子及电连接到负电压源(例如616)的第二电流端子。

在一个实施例中，一种非暂时性计算机可读媒体存储指令，所述指令在由控制器(例如602)执行时使控制器：从主机装置(例如126)接收写入命令；响应于接收到写入命令，使偏置电路系统在用于对存储器阵列的存储器单元进行编程的存取线上产生电压；在偏置电路系统开始在存取线上产生电压之后，使电容器升高存取线上的电压；对存储器单元进行编程；以及在已对存储器单元进行编程之后，使预充电电路系统对电容器进行预充电。

在一个实施例中，开关经配置以将电容器电连接到偏置电路系统；当电容器正在升高电压时，开关处于接通状态；当电容器被预充电时，开关处于断开状态；以及使电容器升高电压包括将开关从断开状态改变为接通状态。

在一个实施例中，指令进一步使控制器确定存取线上的电压是否已降低到阈值电平。控制器响应于确定电压已降低到阈值电平而使电容器升高存取线上的电压。

本公开包含执行方法及实施上文描述的系统的各种装置，其包含执行这些方法的数据处理系统，以及含有指令的计算机可读媒体，所述指令当在数据处理系统上执行时使所述系统执行这些方法。

描述及图式是说明性的并且不应解释为限制性的。描述众多特定细节以提供透彻理解。然而，在某些情况下，为了避免使描述不清楚，未描述众所周知或常规细节。在本公开中对一个或一实施例的参考不一定是对同一实施例的参考；并且，此类参考意指至少一个。

如本文所使用，“电连接到”或“与…电连接”通常是指组件之间的连接，其可为间接通信连接(例如，具有中介组件)或直接通信连接(实例，不具有中介组件)。

在本说明书中对“一个实施例”或“一实施例”的参考意指结合所述实施例所描述的特定特征、结构或特性包含于本公开的至少一个实施例中。短语“在一个实施例中”在说明书中各种位置的出现不一定都指同一实施例，单独或替代实施例也不一定与其它实施例相互排斥。此外，描述可由一些实施例而非其它实施例展现的各种特征。类似地，描述可为一些实施例而不是其它实施例的要求的各种要求。

在此描述中，各种功能及/或操作可被描述为由软件码执行或由计算机指令引起以简化描述。然而，所属领域的技术人员将认识到此类表述的含义是功能及/或操作源自由一或多个处理装置(例如微处理器、专用集成电路(ASIC)、图形处理器及/或现场可编程门阵列(FPGA))执行代码。替代地，或组合地，可使用具有或不具有软件指令的专用电路系统(例如，逻辑电路系统)来实施功能及操作。可使用没有软件指令的硬接线电路或结合软件指令来实施实施例。因此，所述技术既不限于硬件电路系统与软件的任一特定组合，也不限于由计算装置执行的指令的任何特定来源。

尽管一些实施例可在功能齐全的计算机及计算机系统中实施，但是各种实施例能够以各种形式作为计算产品分配，且能够被应用而与用以实际上实现分配的特定类型的计算机可读媒体无关。

所公开的至少一些方面可至少部分地以软件体现。也就是说，所述技术可在计算装置或其它系统中响应于其处理装置(例如微处理器)执行包含在存储器(例如ROM、易失性RAM、非易失性存储器、高速缓存或远程存储装置)中的指令序列而实行。

为了实施实施例而执行的例程可作为操作系统、中间件、服务交付平台、SDK(软件开发工具包)组件、网页服务或其它特定应用程序、组件、程序、对象、模块或指令序列(有时称为计算机程序)的部分来实施。对这些例程的调用接口可作为API(应用程序编程接口)向软件开发社区开放。计算机程序通常包括在计算机中的各种存储器及存储装置中在不同时间设置的一或多个指令，并且所述指令当由计算机中的一或多个处理器读取及执行时使计算机执行执行涉及各种方面的元素所必需的操作。

计算机可读媒体可用以存储在由计算装置执行时使装置执行各种方法的软件及数据。可执行软件及数据可存储在各种位置中，其包含例如ROM、易失性RAM、非易失性存储器及/或高速缓存。此软件及/或数据的部分可存储在这些存储装置中的任一者中。此外，可从集中式服务器或对等网络获得数据及指令。数据及指令的不同部分可在不同时间及在不同通信会话中或在同一通信会话中从不同集中式服务器及/或对等网络获得。可在执行应用程序之前完全获取数据及指令。替代地，可在执行需要时及时地动态获得数据及指令的部分。因此，不要求数据及指令在特定时间例子处完全位于计算机可读媒体上。

计算机可读媒体的实例包含(但不限于)可记录及不可记录类型的媒体，例如易失性及非易失性存储器装置、只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、快闪存储器装置、固态驱动器存储媒体、可卸除磁盘、磁盘存储媒体、光学存储媒体(例如，光盘只读存储器(CD-ROM)、数字多功能盘(DVD)等)等。计算机可读媒体可存储指令。计算机可读媒体的其它实例包含(但不限于)使用NOR快闪或NAND快闪架构的非易失性嵌入式装置。在这些架构中使用的媒体可包含不受管理的NAND装置及/或受管理的NAND装置，例如包含eMMC、SD、CF、UFS及SSD。

一般来说，非暂时性计算机可读媒体包含以计算装置(例如，计算机、移动装置、网络装置、个人数字助理、具有控制器的制造工具、具有一组一或多个处理器的任何装置等)可存取的形式提供(例如，存储)信息的任何机制。如本文中使用的“计算机可读媒体”可包含单个媒体或多个媒体(例如，存储一或多组指令的媒体)。

在各种实施例中，可将硬连线电路系统与软件及固件指令结合使用以实施技术。因此，所述技术既不限于硬件电路系统与软件的任一特定组合，也不限于由计算装置执行的指令的任何特定源。

本文阐述的各种实施例可使用各种各样的不同类型的计算装置来实施。如本文中使用，“计算装置”的实例包含(但不限于)服务器、集中式计算平台、多个计算处理器及/或组件的系统、移动装置、用户终端、交通工具、个人通信装置、可穿戴数字装置、电子信息亭、通用计算机、电子文档阅读器、平板计算机、膝上型计算机、智能手机、数码相机、家用电器、电视或数字音乐播放器。计算装置的额外实例包含作为所谓“物联网”(IOT)的部分的装置。此类“物”可能会偶尔会与其所有者或管理员进行交互，所述所有者或管理员可监测所述物或修改这些物上的设置。在一些情况下，此类所有者或管理员扮演相对于“物”装置的用户的角色。在一些实例中，用户的主要移动装置(例如，苹果手机(Apple iPhone))可为相对于由用户佩戴的成对“物”装置(例如，苹果手表(Apple Watch))的管理员服务器。

在一些实施例中，计算装置可为计算机或主机系统，其被实施为例如台式计算机、膝上型计算机、网络服务器、移动装置或包含存储器及处理装置的其它计算装置。主机系统可包含或耦合到存储器子系统，使得主机系统可从存储器子系统读取数据或向存储器子系统写入数据。主机系统可经由物理主机接口耦合到存储器子系统。一般来说，主机系统可经由同一通信连接、多个单独通信连接及/或通信连接的组合来存取多个存储器子系统。

在一些实施例中，计算装置是包含一或多个处理装置的系统。处理装置的实例可包含微控制器、中央处理单元(CPU)、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等)、芯片上系统(SoC)或另一合适处理器。

在一个实例中，计算装置是存储器系统的控制器。所述控制器包含处理装置及存储器，所述存储器含有由所述处理装置执行以控制所述存储器系统的各种操作的指令。

尽管一些图式以特定顺序说明数个操作，但是不依赖顺序的操作可被重新排序并且其它操作可被组合或分解。尽管具体提及一些重新排序或其它分组，但是其它重新排序或分组对于所属领域的一般技术人员将是显而易见的，因此并未呈现详尽的替代列表。此外，应认识到，阶段可以硬件、固件、软件或其任一组合来实施。

在前述说明书中，已经参考本公开的特定示范性实施例描述本公开。显而易见的是，在不脱离所附权利要求书所阐述的更广泛精神及范围的情况下，可对其进行各种修改。因此，说明书及图式应被认为是说明意义而不是限制意义的。

Claims (15)

1.一种设备，其包括：

偏置电路系统，其经配置以在用于存取存储器阵列的存储器单元的存取线上产生电压；

至少一个电容器，其经配置以在存取所述存储器单元时升高所述存取线上的所述电压；

至少一个开关，其经配置以将所述电容器电连接到所述偏置电路系统，其中当所述电容器升高所述电压时，所述开关处于接通状态；及

预充电电路系统，其经配置以对所述电容器进行预充电，其中当所述电容器被预充电以准备升高所述电压时，所述开关处于断开状态。

2.根据权利要求1所述的设备，其中：

升高所述电压包括降低所述存取线上的所述电压；且

所述开关将所述电容器电连接到所述偏置电路系统，使得所述电容器在升高所述存取线上的所述电压时提取电荷；

其中从至少所述偏置电路系统或所述存储器阵列的寄生电容提取所述电荷。

3.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括控制器，其中所述控制器经配置以：

确定正在执行写入操作；以及

响应于确定正在执行所述写入操作，使所述开关从所述断开状态改变为所述接通状态；

所述偏置电路系统包括放电电路系统，所述放电电路系统经配置以在写入操作期间存取所述存储器单元时对所述存取线进行放电；且

所述控制器进一步经配置以在使所述开关从所述断开状态改变为所述接通状态之前开始使用所述放电电路系统对所述存取线进行放电。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述放电电路系统包括电流镜。

5.根据权利要求3所述的设备，其中所述放电电路系统经配置以使用固定电流对所述存取线进行放电。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器阵列经配置成交叉点架构，且所述存取线是字线或位线；且

其中所述存储器单元包括硫属化物；

其中所述偏置电路系统包括经配置以选择所述存取线的解码器及用以在所述存取线上产生电压的驱动器；且

其中所述存取线是字线或位线，且所述驱动器包含电流镜，所述电流镜经配置以将所述字线或位线放电到负电压以用于对所述存储器单元执行写入操作。

7.一种设备，其包括：

电容器；

开关，其经配置以将所述电容器电连接到用于在用于存取存储器阵列中的存储器单元的存取线上产生电压的偏置电路系统，其中：

所述电容器经配置以在所述偏置电路系统开始产生所述电压之后升高所述存取线上的所述电压；且

当所述电容器正在升高所述电压时，所述开关处于接通状态，且当所述电容器正被预充电时，所述开关处于断开状态；及

预充电电路系统，其经配置以在所述电容器已升高所述存取线上的所述电压之后对所述电容器进行预充电。

8.根据权利要求7所述的设备，其进一步包括：

控制器，其经配置以提供控制信号，所述控制信号在执行写入操作以对所述存储器单元进行编程时使所述开关从所述断开状态改变为所述接通状态；及

反相器，其具有用以接收所述控制信号的输入，及电连接到所述电容器的第一端子的输出；

其中所述电容器的第二端子电连接到所述开关的第一电流端子。

9.根据权利要求8所述的设备，其中所述开关的第二电流端子电连接到所述偏置电路系统；且

其中：

所述开关是第一开关；且

所述预充电电路系统包括第二开关，所述第二开关具有电连接到所述反相器的所述输出的控制端子、电连接到所述电容器的所述第二端子的第一电流端子及电连接到负电压源的第二电流端子。

10.一种方法，其包括：

由控制器接收写入命令；

响应于接收到所述写入命令，由所述控制器使偏置电路系统在存取线上产生电压，其中所述存取线经配置以对存储器阵列的存储器单元进行编程；

当对所述存储器单元进行编程时，使用电容器升高所述存取线上的所述电压；以及

在对所述存储器单元进行编程之后，对所述电容器进行预充电。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：

由所述控制器接收与所述写入命令相关联的地址；以及

使用所述地址确定所述存储器单元的物理位置；

其中基于所述所确定物理位置来执行升高所述存取线上的所述电压。

12.根据权利要求10所述的方法，其中：

开关经配置以将所述电容器电连接到所述偏置电路系统；

当所述电容器升高所述电压时，所述开关处于接通状态；

当所述电容器正被预充电时，所述开关处于断开状态；且

使所述电容器升高所述电压包括将所述开关从所述断开状态改变为所述接通状态；

其中：

所述电容器的第一端子电连接到所述开关，且所述电容器的第二端子耦合到由所述控制器提供的控制信号；且

在所述电容器被预充电之后，所述第一端子上的电压小于负三伏，且所述第二端子上的电压大于零伏；且

其中当升高所述存取线上的所述电压时，所述电容器的所述第二端子上的所述电压小于负三伏。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述偏置电路系统在第一时间开始在所述存取线上产生所述电压，且在比所述第一时间晚某一时间段的第二时间开始升高所述存取线上的所述电压，所述方法进一步包括：

确定与对所述存储器阵列的存储器单元进行编程相关联的至少一个性能特性；及

基于所述性能特性来确定所述时间段。

14.根据权利要求13所述的方法，其中当升高所述存取线上的所述电压时，所述存取线上的所述电压在少于5纳秒的时间段内降低至少300毫伏；且

其中升高所述存取线上的所述电压包括将所述存取线充电到正电压。

15.一种存储指令的非暂时性计算机可读媒体，所述指令在由控制器执行时使所述控制器执行根据权利要求10所述的方法；

其中所述指令进一步使所述控制器确定所述存取线上的所述电压是否已降低到阈值电平；

其中所述控制器响应于确定所述电压已降低到所述阈值电平而使所述电容器升高所述存取线上的所述电压。