CN118043941A - 使用刺激响应聚合物的用于牺牲性支撑、表面保护及等候时间管理的方法和制剂 - Google Patents

使用刺激响应聚合物的用于牺牲性支撑、表面保护及等候时间管理的方法和制剂 Download PDF

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Abstract

支撑高深宽比(HAR)结构的方法包括使用刺激响应聚合物(SRP)膜涂布HAR结构而后接着在高于SRP膜的玻璃转化温度(Tg)以及低于SRP的降解温度的温度下烘烤SRP膜。在一些实施方案中，SRP膜包括增塑剂。

Description

使用刺激响应聚合物的用于牺牲性支撑、表面保护及等候时 间管理的方法和制剂
通过引用并入
PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有优先权的权益的每个申请均通过引用其全文并入本文且用于所有目的。
背景技术
在半导体制造期间，许多表面对周围环境中的悬浮分子污染物(AMC)敏感。等候时间(queue time)可能导致暴露于AMC以及不期望的相互作用(例如氧化、腐蚀和卤化)。解决方案包括在氮气(N2)填充的贮存卡匣或室中贮存部分制造的半导体衬底，以及使用支持多个处理且没有破坏衬底上的真空的集成式工具。这些解决方案实施起来困难且昂贵，并造成安全性与可靠性的顾虑。
此外随着半导体设备持续缩小至较小的尺寸，使用较高的深宽比结构以获得所期望的设备性能。半导体设备的制造涉及多个重复的处理，例如材料沉积、平坦化、特征图案化、特征蚀刻和特征清洁。朝向较高的深宽比结构的驱动力对许多这些传统制造步骤带来了处理挑战。由于在干燥期间产生的毛细作用力，湿式处理(例如蚀刻与清洁，其可占整个处理流程的25％以上)对高深宽比(HAR)特征是特别有挑战性的。这些毛细作用力的强度取决于正进行干燥的蚀刻、清洁或冲洗液体的表面张力与接触角、以及特征间距与深宽比。如果在干燥期间产生的力过高，则高深宽比特征会塌陷在彼此上，且可能产生静摩擦。特征塌陷与静摩擦将严重降低设备的良率。
这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分中描述的范围内以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
发明内容
本公开内容的一个方面关于一种方法，该方法包括提供上方具有SRP膜的衬底，其中SRP膜包含刺激响应聚合物(SRP)，SRP的特征为上限温度(Tc)，上限温度(Tc)下SRP与其单体处于热平衡，Tc介于-80℃与400℃之间；以及在烘烤温度下烘烤SRP膜，其中烘烤温度高于SRP膜的玻璃转化温度且低于SRP的降解温度。
在一些实施方案中，SRP是非晶的。在一些实施方案中，SRP是半结晶及结晶且烘烤温度高于SRP膜的熔点。
在一些实施方案中，衬底具有高深宽比(HAR)结构而具有形成于特征之间的间隙且其中在间隙中提供SRP膜。在某些这样的实施方案中，烘烤SRP膜使HAR结构变直。
在一些实施方案中，提供具有SRP膜的衬底包含在衬底上旋转涂布SRP制剂。在某些这样的实施方案中，衬底具有高深宽比(HAR)结构，HAR结构包括形成于特征之间的间隙。在衬底上旋转涂布SRP制剂包含用SRP膜填充间隙并弯曲HAR结构的特征。在某些这样的实施方案中，烘烤SRP膜使HAR结构的特征变直。
在一些实施方案中，SRP膜包含增塑剂。在某些这样的实施方案中，(增塑剂的质量/SRP的质量)*100介于1和35之间。在一些实施方案中，(增塑剂的质量/SRP的质量)*100小于10。
在一些实施方案中，SRP包含作为均聚物或作为共聚物的组分聚合物之一的聚(苯二甲醛)或其衍生物。在某些这样的实施方案中，SRP膜包含邻苯二甲酸酯增塑剂。
在一些实施方案中，方法进一步包含去除SRP膜。在某些这样的实施方案中，去除SRP膜包含将SRP膜暴露于使SRP膜解聚的刺激。刺激的示例包括热、UV辐射、酸性蒸气、及惰性气体等离子体。
在一些实施方案中，SRP膜包含有机弱酸。在一些实施方案中，提供在上方具有SRP膜的衬底包括通过化学气相沉积来沉积SRP膜。在一些实施方案中，SRP不包含增塑剂。
本公开内容的另一方面关于一种装置，装置包括用于容纳上方具有SRP膜的衬底的室，其中SRP膜包含刺激响应聚合物(SRP)，所述SRP的特征为上限温度(Tc)，在所述上限温度(Tc)下所述SRP与其单体处于热平衡，Tc介于-80℃与400℃之间；以及包含用于在烘烤温度下烘烤SRP膜的指令的控制器，其中烘烤温度低于SRP的降解温度且高于SRP膜的玻璃转化温度。在一些实施方案中，指令进一步包括用于沉积SRP膜的指令。可在与其中烘烤SRP的相同或不同的室中沉积SRP膜。
以下参考附图进一步讨论本公开内容的这些及其他方面。
附图说明
图1A是示出使用刺激响应聚合物(SRP)支撑高深宽比(HAR)结构所述的方法的示例的流程图。
图1B是示出使用SRP于半导体处理期间保护敏感表面所述的方法的示例的流程图。
图2示出使用SRP支撑HAR结构所述的方法中操作的示意图示例。
图3A及3B是示出从结构中去除SRP所述的方法的示例的流程图。
图4是根据本公开内容的包括多衬底处理工具及储存缓冲器的衬底处理系统的示例的功能框图。
图5显示了在本文所述方法中操作后HAR结构中SRP溶液的图像。
具体实施方式
可在半导体制造过程中使用刺激响应聚合物(SRPs)以用于高深宽比(HAR)结构的牺牲性支撑以及等候时间延长。
参考图1A，显示用于使用SRP支撑HAR结构所述的方法的示例。首先在操作101，提供包括具有溶剂的HAR结构的衬底。HAR结构是具有例如至少8、10、20、30、40、或80之类的高深宽比(AR)的结构。例如，可在湿式蚀刻或清洁操作之后提供衬底并具有与先前操作相关的溶剂。在一些实施方案中，如果先前的溶剂与SRP溶液化学不兼容，则操作101中的溶剂可为过渡溶剂。
接着在操作103中，使用包括刺激响应聚合物(SRP)制剂的溶液替换该溶剂。然后在操作105中干燥衬底。SRP制剂从溶液中沉淀出来并以SRP膜填充HAR结构。操作103及105可涉及其中将包括在溶剂中的SRP的溶液浇铸至衬底上、接着旋转以散布溶液的旋转涂布处理，以及使用气流的溶剂的蒸发。
然后在操作107中，在高于SRP膜的玻璃转化温度(Tg)或熔点(Tm)且低于SRP的降解温度的温度下烘烤衬底。可在与先前操作相同或不同的室中执行烘烤。示例性的烘烤时间可在10秒至300秒的范围之间。烘烤缓和HAR结构上的应力和/或减少所填充结构中的孔隙。
然后在操作109中将衬底暴露于例如光、热、等离子体、或化学的刺激而降解SRP。在一些实施方案中，操作109涉及至化合物或至反应以形成化合物的两反应物的降解SRP的受控暴露。该刺激是断裂SRP的键结以将其降解的任何化合物。在一些实施方案中，该化合物是相对强的酸或碱。然后在操作111中可进一步从结构中去除残留在衬底上的来自降解后聚合物的单体或片段。在一些实施方案中，在操作109和/或111期间执行暴露至来自惰性气体等离子体的亚稳态物质。
也可在半导体制造过程中使用SRP以用于衬底的敏感表面的瞬时保护。此举顺带可延长可用的等候时间。图1B显示了用于衬底的敏感表面的保护的方法的示例。在操作121，提供包括环境敏感表面的衬底。表面可为平坦表面或包括包括HAR结构的一或更多柱、孔洞、以及沟槽。可能对环境等候时间效应敏感的衬底表面的示例包括例如鳍片和纳米线之类的硅、硅锗、以及锗结构，包括但不限于铜、钛、氮化钛、钴、钨或钼的金属表面，和/或其他结构与材料。
然后在操作123中使用包括SRP制剂的溶液涂布表面。然后在操作125中干燥衬底，而在敏感衬底上形成包括SRP的保护SRP膜。然后在操作127中，在高于SRP膜的玻璃转化温度(Tg)或熔点(Tm)且低于SRP的降解温度的温度下烘烤衬底。Tg或Tm的使用取决于SRP是否为非晶的。以Tg为特征的非晶SRPs的膜是在高于SRP膜的Tg下烘烤。非晶SRP的示例为苯二甲醛-乙醛嵌段共聚物。以Tg和Tm两者为特征的结晶或半结晶SRPs的膜是在高于SRP膜的Tm以及高于SRP膜的Tg下烘烤。半结晶SRP的示例为聚甲醛。可在与先前操作相同或不同的室中执行烘烤。烘烤可减少在被涂布膜中的孔隙。然后在操作129中可在周围环境条件下储存衬底。当准备进行进一步处理时，在操作131中将衬底暴露于例如光、热、或化学之类的降解SRP的刺激。然后在操作133中可从结构中去除来自降解后聚合物的挥发性单体或片段。
在替代的实施方案中，可使用SRP的化学气相沉积(CVD)取代图1A中的操作101至105以及更特别地取代图1B中的操作121至125。在通过引用并入本文的PCT/US2021/40009中描述SRPs的CVD沉积。可通过注入针对SRP的一种或更多前体气体至处理室而实施SRP的CVD沉积。在某些示例中，使用两种或更多不同的前体以制造共聚物膜。共聚物可为随机或嵌段共聚物。此外，也可供应引发剂和/或催化剂。使用执行CVD或iCVD的衬底处理系统，聚合物膜沉积至衬底上以保护衬底的暴露表面免受氧、水、卤素、或其他反应物质的改性以最小化关联于处理步骤之间等候周期的变异性。在下游处理之前去除聚合物膜。在某些示例中，通过于真空下加热衬底至大于或等于80℃且小于或等于600℃、或者小于等于400℃的温度而去除聚合物膜。在某些示例中，聚合物膜包括聚醛(有时称为聚缩醛)，其中聚合物主链包括交替碳氧键。这些聚合物膜具有低上限温度且当暴露于充分高温时将容易恢复至单体形式。这些形式的聚合物膜的示例包括可使用干式CVD或iCVD处理以及使用旋涂处理沉积的聚甲醛和聚乙醛。在某些示例中，用于聚合物膜的前体包括单体醛或具有交替碳氧环结构的前体，例如1,3,5-三氧环己烷或三聚乙醛。单体醛的示例包括甲醛、乙醛、丙醛、丁醛、戊醛、己醛、庚醛、辛醛、壬醛、或癸醛，以及这些分子的任何非线性(支链)形式。聚合物膜的其他示例包括聚丙醛、聚丁醛、聚戊醛、及聚庚醛，以及这些上述均聚物的共聚物，例如聚甲醛-r-聚乙醛。在一些实施方案中，前体在衬底上方结合。例如，使用诸如加热线丝或热表面的能源来活化一或更多的前体。在某些示例中，将衬底冷却至低于处理室中其他表面的温度以促进前体至衬底上的吸收、或聚合物膜的缩合。在其他示例中，将衬底加热至预定温度以促进聚合反应。特别是针对如图1B中显示所述的方法可实施使用CVD的沉积。
图1A和1B显示了在使用SRP的示例性半导体制造过程中的特定操作的流程图，然而本文所述的方法不限于特定应用而可与涉及在表面上涂布SRP膜的任何应用一起使用。
本文所述的方法可有利于支撑HAR结构。在溶剂去除之后，经涂布的SRP膜中的内应力可能导致HAR结构的弯曲。此示意性地显示于图2中。未填充结构201包括高深宽比特征203。如上所述，可通过旋转浇铸聚合物溶液至HAR结构的图案上，接着旋转衬底直到溶剂蒸发且聚合物沉淀至间隙上及间隙内而在高深宽比特征之间的间隙中沉积SRP。旋转涂布处理会在HAR结构上产生力。当溶剂从聚合物制剂中蒸发时有额外的力产生。对于低于其Tg的非晶聚合物而言，这些力可能导致偏转的结构。其也可能导致聚合物涂层内的孔隙。在旋转涂布之后，HAR结构是以SRP膜204填充，但如205处所示，特征不再为垂直的。如207处所示，烘烤经涂布的结构可去除应力并恢复HAR结构的结构完整性。其也可去除膜内的孔隙。
在无烘烤的情况下，HAR结构的特征如205处所描绘的仍为弯曲的。SRP的后续去除留下弯曲或塌陷的特征，这些特征不适用于集成至半导体设备中。如图2中所描绘的，烘烤可恢复结构。
针对HAR支撑及表面保护应用，烘烤可去除膜中的孔隙。孔隙如果留在膜中则可能降低SRP膜在支撑HAR结构或保护表面的效用。
然而，烘烤应在充分低于SRP降解温度下进行以避免SRP降解。如果SRP于烘烤操作期间降解，则HAR结构将仍弯曲和/或SRP的不受控去除可能导致特征的崩塌。敷层表面保护膜的过早降解可能使下方表面较少受保护或不被保护。
针对某些SRP，降解温度是高于或接近SRP的Tg或Tm。如以下进一步讨论的，SRP制剂可包括增塑剂以抑制Tg或Tm至充分低于降解温度的温度而可在没有任何SRP的降解的情况下实行烘烤。
在如图2使用SRP制剂填充结构之后，使用对于刺激的受控暴露来缓慢地去除SRP以防止结构的崩塌。图3A和3B显示了处理流程图，这些流程图显示至刺激的受控暴露以降解SRP所述的方法的示例。也可使用这些方法来去除敷层表面保护膜。
参考图3A，在操作301中提供具有SRP膜的衬底。操作302至306提供对多种形式的刺激的暴露，其中可单独或结合使用操作302至306。可将衬底提供至其中的装置的示例在下文参考图4描述。在一些实施方案中，操作301涉及提供衬底至处理室。在其他实施方案中，衬底是在先前处理操作的室中。可以以多种形式提供SRP膜，例如，在结构的特征之间的间隙中或者作为在全部或部分的衬底上的毯式(blanket)膜。如以上所指明的，SRP已经过热退火(也称为烘烤操作)。在一些实施方案中，在相当长的等候时间之后提供SRP。
在室内，在操作302中可将衬底暴露于热。可将保持恒温提供热。替代地，可将以斜坡式温度提供热，其中可在温度保持之间使用斜坡式升温或降温。如此热能可提供充足能量以通过提供高于Tc的温度下的热来解聚SRP。如此条件可包括针对具有低于400℃的Tc的SRP高达400℃的温度的暴露，其中SRP在低于Tc下进行动力学捕捉。在其他实施方案中，热暴露可包括从约50℃至约800℃的温度(例如，约50℃至150℃、50℃至300℃、50℃至500℃、150℃至300℃、150℃至400℃、150℃至500℃、200℃至400℃、200℃至500℃、200℃至600℃、250℃至500℃、250℃至600℃、300℃至500℃、300℃至550℃、300℃至600℃等)。在特定的实施方案中，热暴露包括从约300℃至约500℃(例如，用于去除包括纯SRP的膜)。在其他实施方案中，热暴露包括以快速升温速率及较短时间至升高温度(例如，高达800℃)的暴露。当使用添加剂(例如，光致产酸剂(PAG)或本文中任何添加剂)时，除了对可有益地活化添加剂的其他刺激的暴露(例如，UV暴露以活化PAG)以外，用于去除的温度可介于约50℃和约125℃之间。
针对表面保护膜的基本热去除(例如，在热板上提供衬底)，暴露时间可从约20秒至约400秒(例如，约30至300秒)。相较于较薄的膜，较厚的膜可使用较久的至热暴露以用于SRP去除。所需的膜厚将依应用而定。举例而言，某些去除热处理(例如，使用快速热处理器(RTP))可包括非常短时间(例如，针对RTP的一至两秒的暴露，以及针对闪光灯形式处理的毫秒暴露时间)的较高温度(例如，超过约400℃)。针对热预算敏感的应用，可采用RTP形式条件，而其他处理可采用在真空下的热板。
可替代地，在操作303中，可在有真空或者无真空的情况下，通过暴露于辐射(例如，UV辐射或IR辐射)而去除SRP。在某些情况下，处理条件包括在约2.5W/cm2 UV剂量率的真空下暴露于约400℃。在其他情况下，处理条件(例如，针对采用光致产酸剂的SRP)包括在约0.05mW/cm2 UV剂量率的真空下暴露于约110℃。在这些处理条件的任一者中，暴露可包括从约100秒至约400秒(例如，约300秒)。
针对表面保护膜(例如，纯SRP)的辐射去除，暴露时间可从约20秒至约400秒(例如，约30至300秒)。相较于较薄的膜，较厚的膜可使用较久的至辐射(例如，UV)暴露以用于SRP去除。所需的膜厚将依应用而定。针对具有产酸添加剂(例如，PAG)的膜，暴露时间可在从两分钟至十分钟的范围变化。暴露时间可取决于许多条件，包括添加剂的加载、晶片温度、UV剂量率、及膜厚。相反，这些条件将依应用而定(例如，取决于特征尺寸、深宽比、图案密度等)。
辐射剂量可为，例如，从约0.1mW/cm2至约15W/cm2的UV。针对其中可能期望降解的速率控制的支撑应用，可采用较低的剂量率，例如，从约0.01至约0.07mW/cm2。针对从敷层表面的纯SRP膜去除，可采用较高的剂量率，例如，约2.5W/cm2。一般而言，剂量率越高，去除越干净。当然，辐射暴露也可依应用而定，并可避免过度辐射以减轻衬底损坏。
在辐射暴露期间，可将衬底维持在升高温度(例如，从约300℃至约500℃，包括约400℃)下。当制剂包括产酸添加剂(例如，PAG)时，则可将较低温度与UV暴露结合以提供受控降解速率(例如，约50℃至约125℃或从约100℃至约110℃的温度范围)。
在另一操作304中采用亚稳态原子。可从惰性气体等离子体中产生亚稳态原子以自衬底去除残留物，惰性气体为一或更多的氦(He)、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、及氙(Xe)。在一些实施方案中，亚稳态物质没有化学反应性且不会明显地影响下方表面。来自惰性气体等离子体的亚稳态物质对于去除暴露于例如热的其他刺激后仍存在的残留物可为有效的。
在本文所述的方法中，去除SRP包括于升高温度下暴露于从惰性气体等离子体中产生的高能量亚稳态物质。亚稳态物质具有充足的能量和寿命以切断聚合物或其他残基上的键结。在高于上限温度的温度下，存在强热力学驱使力以便一旦发生键结断裂就恢复为挥发性单体。亚稳态物质不具化学反应性且不会明显地影响下方表面。亚稳态物质对于去除暴露于例如热的其他刺激后仍存在的残留物是有效的。此残留物可能为仍是通过椭圆偏光法可检测的聚合或交联和/或碳化碎片的某些SRP。尽管可通过上述刺激去除大部分的SRP，此残留物可能难以通过这些方法完全去除。在不受特定理论束缚的情况下，亚稳态物可通过重启可能由于副产物形成而过早停止的链切断、通过分解可能于解聚过程期间已形成的炭、以及通过协助单体脱附而去除残留物。
在一些实施方案中，在将衬底暴露于亚稳态原子之前去除大部分的SRP。在一些实施方案中，在去除大部分的SRP之前将衬底暴露于亚稳态原子。在一些实施方案中，等离子体压强介于约10毫托至10托之间。在一些实施方案中，等离子体压强介于约100毫托至1托之间。在一些实施方案中，在HAR结构之间提供SRP。在一些实施方案中，提供SRP作为衬底上的保护涂层。在一些实施方案中，等离子体是产自感应耦合等离子体(ICP)源。在某些这样的实施方案中，通过喷头或其他滤器将ICP源与衬底分隔。在一些实施方案中，等离子体是产自电容耦合等离子体(CCP)源。可使用任何其他形式的等离子体源。在一些实施方案中，在相同室中执行将衬底暴露于刺激以及将衬底暴露于亚稳态原子。
可将处理及等离子体源室压强用于控制基于等离子体的去除。压强对于控制亚稳态原子的密度而言是重要的。如果压强太低，亚稳态原子的密度可能不足以高至有效地清洁表面。如果压强太高，亚稳态物质可能在碰撞中丢失。示例性的压强范围可从10毫托至10托、100毫托至1托、100毫托至700毫托、200毫托至1托、或200毫托至2托。
也可使用衬底温度和等离子体功率来控制去除。温度高至足以使得温度高于聚合物的上限温度。较高温度有助于使用受设备的热预算或衬底上其他材料限制的最高温度的去除。示例性的温度范围可从150℃至1000℃或从150℃至400℃。等离子体功率是高至足以产生亚稳态原子。示例性的功率范围可从500W至5000W或从800W至5000W，例如，2500W用于300mm晶片，并与衬底面积成线性比例。示例性的暴露时间范围可从10秒至300秒或从10秒至180秒。
如在图3A中所见的，还有其他条件包括在操作305中暴露于酸性或碱性蒸气或者在操作306中暴露于等离子体。可通过例如酸(例如，具有小于7的pKa，且在一些实施方案中小于4、或小于2)或碱(例如，具有小于7的pKb，且在一些实施方案中小于4或小于2)的反应物提供如此蒸气。非限制性的反应物包括亚硫酸、硝酸、碳酸、或氢氧化铵。
催化剂可与酸、碱、或形成酸或碱的反应物一起使用。非限制性的催化剂包括溴化氢(HBr)、氯化氢(HCl)、氟化氢(HF)、碘化氢(HI)、硝酸(HNO3)、甲酸(CH2O2)、乙酸(CH3COOH)、甲腈(HCN)、亚硫酸(H2SO3)、碳酸(H2CO3)、亚硝酸(HNO2)、或氨(NH3)，并可使用甲胺或乙胺气体或蒸气。在某些示例中，当使用HBr蒸气时，衬底维持在从1毫托至5000毫托的范围内(例如，从5毫托至5000毫托)的压强下以及从0℃至200℃的范围内(例如，从0℃至100℃)的温度下。在某些示例中，衬底是维持在从750毫托至1500毫托的范围内的压强下以及从35℃至70℃的范围内的温度下。在某些示例中，衬底的温度是维持在1000毫托的压强及60℃的温度下。酸性蒸气或其他化合物的蒸气的量是受控以限制扩散。暴露时间可取决于酸或碱的强度，以及膜厚及暴露温度(例如，从约20℃至约125℃或从约100℃至约125℃)。非限制性的暴露时间可包括少于约60秒或以分钟计算。
去除可在单一步骤中或在多个步骤中发生。如在图3B中所见的，方法320可包括在操作321中提供具有SRP膜的衬底。然后，在操作323中在室中脉冲刺激而降解SRP。如此刺激可包括暴露于化合物(例如，酸、碱、形成酸或碱的化合物、等离子体、亚稳态化合物等)或反应条件(例如，UV辐射、IR辐射、热等)。在一些实施方案中，去除包括暴露于热和/或辐射，从而排除对于将会改性需被保护的敏感表面的等离子体和/或苛刻湿化学品的需求。
当使用化合物时，可控制蒸气的分压和/或脉冲时间以控制至蒸气的整体暴露及扩散深度。在操作325中可清扫室。清扫可涉及将室排气和/或流动待扫除通过室的惰性气体。如此气体例如可为包括操作323期间的持续流动或可自行脉冲进入室。在操作325期间，可将已挥发单体或SRP片段从室泵出或清扫出来。在操作327中重复操作323及325直到去除SRP。如以上所指明的，在一些实施方案中，在每一循环中序列地暴露SRP至反应物。这可提供对于处理的额外控制并可以多种方式加以实施。
在其他实施方案中，去除可包括暴露于反应以形成酸或碱的两反应物而可引发SRP的降解。暴露序列地发生以提供更精确的由上而下控制。在一些实施方案中，方法涉及仅扩散化合物、或反应以形成化合物的反应物至SRP的顶部。然后降解并去除顶部，留下剩余完好的SRP。可重复暴露和去除循环。可选地，清扫操作可后接于暴露操作以从室中去除化合物或反应物。
非限制性反应物(例如，用以形成酸或碱)可包括含有氨(NH3)或气态氧化物中的一者的水蒸气，反应物与水蒸气反应生成酸性或碱性物质。例如，NH3和水可反应以形成氢氧化铵(NH4OH)。气态氧化物的示例包括二氧化氮(NO2，其可与水反应以形成硝酸HNO3)、二氧化硫(SO2，其可与水反应以形成亚硫酸H2SO3)、及二氧化碳(CO2，其可与水反应以形成碳酸H2CO3)。其他氧化物可与水或另一反应物反应以形成酸或碱。
根据多种实施方案，反应可为受催化的或未受催化的。在一些实施方案中，可在SRP中提供催化剂(例如，热活化催化剂)而与反应物一起输送、或者以分开的脉冲导入。然而，在许多实施方案中，反应未受催化而使得SRP是无催化剂地被提供。这样可加速SRP去除。在一些实施方案中，反应是无副产物的。
SRP
如本文中所述的SRPs是与其组分单体在上限温度(Tc)下处于热平衡的聚合物。在对于适当刺激的暴露下，SRP解聚而具有易从衬底的表面去除的单体产物。上限温度是聚合物的本质特性。根据多种实施方案，SRP具有介于-80℃与400℃之间的上限温度。
在许多实施方案中，SRP是低上限温度(Tc)的聚合物。如本文中所使用的，术语低Tc是指Tc值在去除温度之下。在一些实施方案中，Tc是低于室温，使得聚合物在室温下是热力学不稳定的。作为替代，将低Tc聚合物进行动力学捕捉以允许延长在室温下的保存。在某些示例中，稳定保存期以数月或数年计。如果末端基或主链键断裂，则低Tc聚合物将会迅速地解聚为其单体组分。因此，聚合物响应于例如紫外(UV)光、热、热催化剂、光催化剂、惰性气体等离子体、或酸性/碱性催化剂的刺激而解聚。单体产物是具挥发性而从表面及室离开或可被轻易去除。
虽然在一些实施方案中，Tc是低于室温，但在半导体处理的脉络中，低Tc也可代表高于室温的上限温度。例如，可使用高达400℃的去除温度，意指上限温度低于400℃。在一些实施方案中，SRP是以具有低于200℃的Tc为特征的。在一些实施方案中，SRP是以具有介于-80℃与200℃之间、介于-80℃与150℃之间、或介于-80℃与100℃之间的Tc为特征的。在一些实施方案中，具有不超过约100℃的上限温度是有利于使得解聚成组分单体可在无需燃烧或炭化SRP的情况下发生。
针对低Tc聚合物系统，玻璃转化通常在较降解温度为更高的温度下发生。如以下进一步讨论的，添加增塑剂可将Tg压抑至低于非晶聚合物系统的降解温度以下。
以下提供SRP的示例。然而，本文所述的方法可与任何的SRP一起使用。在一些实施方案中，SRP是包括聚醛的共聚物或均聚物。SRP中均聚物或共聚物的组分聚合物的非限制性示例包括聚(苯二甲醛)、聚(醛)、聚(氨基甲酸苄酯)、聚(苄基醚)、聚(α-甲基苯乙烯)、聚(碳酸酯)、聚(降冰片烯)、聚(烯烃砜)、聚(乙醛酸酯)、聚乙醛酰胺、聚(酯)、或聚(甲基丙烯酸甲酯)，以及以上聚合物的衍生物。如同本文所定义的，如此衍生物可包括以任选经取代的杂亚烷基对氧(-O-)的取代，以及如同本文针对烷基所述的，以一或更多取代基的取代。
在一些实施方案中，SRP是均聚物。如此聚合物可具有任意有用数量n的单体，n例如从约2至约10000(例如，约2至50、2至100、2至200、2至300、2至400、2至500、2至1000、2至2000、2至5000、2至10000、2至20000、2至50000、2至100000、3至50、3至100、3至200、3至300、3至400、3至500、3至1000、3至2000、3至5000、3至10000、3至20000、3至50000、3至100000、4至50、4至100、4至200、4至300、4至400、4至500、4至1000、4至2000、4至5000、4至10000、4至20000、4至50000、4至100000、5至50、5至100、5至200、5至300、5至400、5至500、5至1000、5至2000、5至5000、5至10000、5至20000、5至50000、5至100000、10至50、10至100、10至200、10至300、10至400、10至500、10至1000、10至2000、10至5000、10至10000、10至20000、10至50000、10至100000、50至100、50至200、50至300、50至400、50至500、50至1000、50至2000、50至5000、50至10000、50至20000、50至50000、50至100000、100至200、100至300、100至400、100至500、100至1000、100至2000、100至5000、10至10000、100至20000、100至50000、及100至100000)。在其他实施方案中，聚合物是环状的，其中n是从约3至约100。在其他实施方案中，环状聚合物包括任意有用数量n1+2的单体，n1例如从约1至约100。
在特定实施方案中，SRP也可为任何合适的线性或环状共聚物，包括纯苯二甲醛均聚物、例如聚(4,5-二氯苯二甲醛)的聚(苯二甲醛)衍生物的均聚物、或聚(醛)衍生物的均聚物。
以下提供SRP的示例。然而，本文所述的方法可与任何的SRP一起使用。在一些实施方案中，SRP是包括聚(醛)的均聚物。SRP可为线性或环状形式的任何合适的均聚物。非限制性的SRP包括聚(苯二甲醛)、聚(醛)、聚(氨基甲酸苄酯)、聚(苄基醚)、聚(α-甲基苯乙烯)、聚(碳酸酯)、聚(降冰片烯)、聚(烯烃砜)、聚(乙醛酸酯)、聚(乙醛酰胺)、聚(酯)、或聚(甲基丙烯酸甲酯)，以及以上聚合物的衍生物。如同本文所定义的，如此衍生物可包括以任选经取代的杂亚烷基对氧(-O-)的取代，以及如同本文针对烷基所述的，以一或更多取代基的取代。
还有其他SRP可包括具有化学式(I)至(XV)、(Ia)、(Ib)、或(Ic)中的一者的结构的SRP。如此SRP可为线性聚合物或环状聚合物。如果为线性的，则聚合物可包括终止分子的任何有用末端基团。如此末端基团可取决于用于合成聚合物的单体上存在的反应末端基团。在特定实施方案中，末端基团可包括由于阴离子引发剂的使用(例如，像是例如存在于n-BuLi、s-BuLi等中的烷基阴离子的片段)、由于酰化或烷基化试剂的使用(例如，像是酰基或任选经取代的烷酰基的片段，任选经取代的烷酰基例如甲酰基、乙酰基、苯甲酰基、甲基、乙基等)、由于共轭亚烷基单体的使用(例如，像是醌甲基单体)、或由于醇终止剂的使用(例如，像是任选经取代的烷氧基的片段)而形成的这些片段。末端基团可包括任何有用的键结基或反应基(例如，包括任选经取代的三烷基甲硅烷氧基、任选经取代的烯基、任选经取代的芳基等的这些基团)。
SRP可包括聚(苯二甲醛)或其衍生物，而可为线性或环状的均聚物。在一实施方案中，SRP是化学式(I)的结构或包括化学式(I)的结构：
或者包括化学式(I)的盐类，其中
每一R1独立地为H、任选经取代的烷基、任选经取代的烷氧基、任选经取代的烯基、任选经取代的芳基、或卤素；
R2'和R2”中的每一者独立地为H、任选经取代的烷基、任选经取代的杂烷基、或任选经取代的芳基；
Z1和Z2中的每一者独立地为-O-、-S-、或任选经取代的杂亚烷基；
r1是从1至4的整数；
以及n是从约2至约100000。
在特定实施方案中(例如，化学式(I)的实施方案)，R2'和R2”中的每一者独立地为H或任选经取代的烷基。在一些实施方案中，Z1和Z2中的每一者为-O-。SRP可包括聚(醛)或其衍生物，而可为线性或环状的均聚物。在一实施方案中，SRP是化学式(II)的结构或包括化学式(II)的结构：
或者包括化学式(II)的盐类，其中：
R2和R3中的每一者独立地为H、任选经取代的烷基、任选经取代的杂烷基、或任选经取代的芳基；
Z1为-O-、-S-、或任选经取代的杂亚烷基；以及
n是从约2至约100000。
SRP可包括聚(氨基甲酸苄酯)或其衍生物，而可为线性或环状的均聚物。在一实施方案中，SRP是化学式(III)的结构或包括化学式(III)的结构：
或者包括化学式(III)的盐类，其中：
每一R1独立地为H、任选经取代的烷基、任选经取代的烷氧基、任选经取代的烯基、任选经取代的芳基、或卤素；
R2和R3中的每一者独立地为H、任选经取代的烷基、任选经取代的杂烷基、或任选经取代的芳基；
R4为H或任选经取代的烷基；
Z1为-O-、-S-、或任选经取代的杂亚烷基；
r1是从1至4的整数；以及
n是从约2至约100000。
在特定实施方案中(例如，化学式(III)的实施方案)，R1是任选经取代的烷氧基。在其他实施方案中，n是从约2至约100(例如，从约2至10、2至15、2至20、2至25、2至30、2至40、2至50、2至75、4至10、4至15、4至20、4至25、4至30、4至40、4至50、4至75、以及4至100)。
SRP可包括聚(苄基醚)或其衍生物，而可为线性或环状的均聚物。在一实施方案中，SRP是化学式(IV)的结构或包括化学式(IV)的结构：
或者包括化学式(IV)的盐类，其中：
每一R1独立地为H、任选经取代的烷基、任选经取代的烷氧基、任选经取代的烯基、任选经取代的芳基、或卤素；
R2为H、任选经取代的烷基、任选经取代的杂烷基、或任选经取代的芳基；
Ar为任选经取代的芳基、任选经取代的烷基、或任选经取代的芳烷基；
Z1为-O-、-S-、或任选经取代的杂亚烷基；
r1是从1至4的整数；以及
n是从约2至约100000。
在特定实施方案中(例如，化学式(IV)的实施方案)，R1是任选经取代的烷基。在其他实施方案中，Ar是任选经取代的苯基。在其他实施方案中，n是从约2至约5000。
SRP可包括聚(二氨基甲酸苄酯)或其衍生物，而可为线性或环状的均聚物。在一实施方案中，SRP是化学式(V)的结构或包括化学式(V)的结构：
或者包括化学式(V)的盐类，其中：
每一R1独立地为H、任选经取代的烷基、任选经取代的烷氧基、任选经取代的烯基、任选经取代的芳基、或卤素；
R2和R3中的每一者独立地为H、任选经取代的烷基、任选经取代的杂烷基、或任选经取代的芳基；
R4'和R4”中的每一者独立地为H或任选经取代的烷基；
L1为任选经取代的亚烷基、任选经取代的杂亚烷基、任选经取代的伸芳基、或任选经取代的环亚烷基；
Z1和Z2中的每一者独立地为-O-、-S-、或任选经取代的杂亚烷基；
r1是从1至4的整数；以及
n是从约2至约100000。
在特定实施方案中(例如，化学式(V)的实施方案)，R1是任选经取代的烷基。在其他实施方案中，Ar为任选经取代的苯基。在其他实施方案中，n是从约2至约5000。在其他实施方案中(例如，化学式(V)的实施方案)，R4'和R4”中的每一者独立地为任选经取代的烷基。在一些实施方案中，L1为任选经取代的亚烷基。在其他实施方案中，Z1和Z2为-O-。
SRP可包括聚(二氨基甲酸酯)或其衍生物，而可为线性或环状的均聚物。在一实施方案中，SRP是化学式(VI)的结构或或包括化学式(VI)的结构：
或者包括化学式(VI)的盐类，其中：
R4'和R4”中的每一者独立地为H或任选经取代的烷基；
L1和L2中的每一者独立地为任选经取代的亚烷基、任选经取代的杂亚烷基、任选经取代的伸芳基、或任选经取代的环亚烷基，其中L2可任选地为共价键；
Z1和Z2中的每一者独立地为-O-、-S-、或任选经取代的杂亚烷基；以及n是从约2至约100000。
在特定实施方案中(例如，化学式(VI)的实施方案)，R4'和R4”中的每一者独立地为任选经取代的烷基。在其他实施方案中，L1和L2中的每一者独立地为任选经取代的亚烷基。在其他实施方案中，Z1和Z2中的每一者独立地为-O-或-S-。SRP可包括聚(α-甲基苯乙烯)或其衍生物，而可为线性或环状的均聚物。在一实施方案中，SRP是化学式(VII)的结构或包括化学式(VII)的结构：
或者包括化学式(VII)的盐类，其中：
R2'、R2”、以及R3中的每一者独立地为H、任选经取代的烷基、任选经取代的杂烷基、或任选经取代的芳基；
Ar为任选经取代的芳基、任选经取代的烷基、或任选经取代的芳烷基；以及
n是从约2至约100000。
SRP可包括聚(碳酸酯)或其衍生物，而可为线性或环状的均聚物。在一实施方案中，SRP是化学式(VIII)的结构或包括化学式(VIII)的结构：
或者包括化学式(VIII)的盐类，其中：
L1为任选经取代的亚烷基、任选经取代的杂亚烷基、任选经取代的伸芳基、或任选经取代的环亚烷基；以及
n是从约2至约100000。
在特定实施方案中(例如，化学式(VIII)的实施方案)，L1为任选经取代的亚烷基、任选经取代的杂亚烷基、或任选经取代的环亚烷基。在一些实施方案中，任选经取代的杂亚烷基为-X-Ak-X-，其中X为氧基且Ak为任选经取代的亚烷基。非限制性的SRP可包括聚(碳酸乙烯酯)、聚(碳酸丙烯酯)(PPC)、聚(碳酸丁烯酯)(PBC)、聚(碳酸环己烯酯)(PCHC)、聚(碳酸降冰片烯酯)(PNC)、以及聚(碳酸环己烯丙烯酯)(PCPC)。
SRP可包括聚(降冰片烯)或其衍生物，而可为线性或环状的均聚物。在一实施方案中，SRP是化学式(IX)的结构或包括化学式(IX)的结构：
或者包括化学式(IX)的盐类，其中：
R3为H、任选经取代的烷基、任选经取代的杂烷基、或任选经取代的芳基；以及
n是从约2至约100000。
SRP可包括聚(烯烃砜)或其衍生物，而可为线性或环状的均聚物。在一实施方案中，SRP是化学式(X)的结构或包括化学式(X)的结构：
或者包括化学式(X)的盐类，其中：
R3为H、任选经取代的烷基、任选经取代的杂烷基、或任选经取代的芳基；以及
n是从约2至约100000。
在特定实施方案中(例如，化学式(X)的实施方案)，R3为任选经取代的杂烷基，像是例如-OC(O)-RO1、-NRN1-C(O)-RO1、-OC(O)NRN1RN2、-(Ak-O)h1RO1或-Ak-NRN1RN2，其中Ak为任选经取代的亚烷基，h1是从1至5，且RO1、RN1、以及RN2中的每一者独立地为H或任选经取代的烷基(例如，羟烷基、羧基烷基、氨基烷基、或叠氮基烷基)。
SRP可包括聚(乙醛酸酯)或其衍生物，而可为线性或环状的均聚物。在一实施方案中，该SRP是化学式(XI)的结构或包括化学式(XI)的结构：
或者包括化学式(XI)的盐类，其中：
R3为H、任选经取代的烷基、任选经取代的杂烷基、或任选经取代的芳
基；以及
n是从约2至约100000。
在特定实施方案中(例如，化学式(XI)的实施方案)，R3为任选经取代的杂烷基或任选经取代的杂烷基，像是例如-(Ak-O)h1RO1或-Ak-NRN1RN2，其中Ak为任选经取代的亚烷基，h1是从1至5，且RO1、RN1、以及RN2的每一者独立地为H或任选经取代的烷基。
SRP可包括聚(甲基丙烯酸甲酯)或其衍生物，而可为线性或环状的均聚物。在一实施方案中，SRP是化学式(XII)的结构或包括化学式(XII)的结构：
或者包括化学式(XII)的盐类，其中：
R2和R3的每一者独立地为H、任选经取代的烷基、任选经取代的杂烷基、或任选经取代的芳基；以及
n是从约2至约100000。
在特定实施方案中(例如，化学式(XII)的实施方案)，R2为任选经取代的烷基。在其他实施方案中(例如，化学式(XII)的实施方案)，R3为任选经取代的烷基或任选经取代的杂烷基，像是例如-(Ak-O)h1RO1或-Ak-NRN1RN2，其中Ak为任选经取代的亚烷基，h1是从1至5，且RO1、RN1、以及RN2的每一者独立地为H或任选经取代的烷基。
SRP可包括聚(乙醛酰胺)或其衍生物，而可为线性或环状的均聚物。在一实施方案中，SRP是化学式(XIII)的结构或包括化学式(XIII)的结构：
或者包括化学式(XIII)的盐类，其中：
R4'和R4”中的每一者独立地为H、任选经取代的烷基、任选经取代的氨基烷基、任选经取代的杂烷基，或者R4'和R4”共同与其各自附接的氮原子形成如本文中所定义的杂环基；以及
n是从约2至约为100000。
在特定实施方案中(例如，化学式(XIII)的实施方案)，R4'和/或R4”中的每一者为任选经取代的烷基、任选经取代的杂烷基或任选经取代的氨基烷基，像是例如-(Ak-O)h1RO1或-Ak-NRN1RN2，其中Ak为任选经取代的亚烷基，h1是从1至5，且RO1、RN1、以及RN2中的每一者独立地为H或任选经取代的烷基。在其他实施方案中，R4'为H或烷基，且R4”为任选经取代的烷基、任选经取代的杂烷基、或任选经取代的氨基烷基(例如，如同以上所述的)。在又一个其他实施方案中，R4'和R4”共同与其各自附接的氮原子形成如同本文所定义的杂环基。非限制性的杂环基包括吡咯啶基、哌啶基、吗啉基、噁唑基、异噁唑基、吡咯基、吡唑基、以及与其相似者。
如化学式(I)和(II)中可见，SRP可为聚(醛)，聚(醛)包括聚(苯二甲醛)或是具有由交替碳和氧所构成的主链的一般性聚(醛)，包括聚(甲醛)。这样的SRPs可为线性或环状的均聚物。SRP可为聚(苯二甲醛)或其衍生物，例如包括化学式(Ia)的结构的聚合物：
或者包括化学式(Ia)的盐类，其中关于R1、R2'、R2”、r1、以及n的任一者如本文所述。在某些案例中，n是从4至100000的整数。
在其他实施方案中，聚(苯二甲醛)为环状的。在某些案例中，聚合物具有化学式(Ib)或(Ic)的结构：
或者包括化学式(Ib)或(Ic)的盐类，其中关于R1、R5、R6、R2'、R2”、R3'、R3”、R4'、R4”、Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6、r1、r5、r6、以及n1的任一者如本文所述。在某些案例中，n1是从1至100的整数。
在本文所述的任何实施方案中(例如，化学式(I)至(VI)以及(Ib)中)，Z1至Z6、L1、以及L2(如果存在)中的每一者独立地为选自-CR2R3O-、-OCR2R3-、-OCR2R3O-、-(CR2R3S)h1CR2R3-、-S(CR2R3S)h1-、-CR2R3S-、-SCR2R3-、-SCR2R3S-、-(CR2R3S)h1CR2R3-、以及-S(CR2R3S)h1-的任选经取代的杂亚烷基，其中R2和R3中的每一者独立地为H、任选经取代的烷基、或任选经取代的芳基，且h1是从1至5的整数。在其他实施方案中，Z1至Z6、L1、以及L2(如果存在)中的每一者独立地为-O-或任选经取代的杂亚烷基。
在本文所述的任何实施方案中(例如，化学式(I)至(V)、(VII)、以及(XII)中)，R2、R2'、以及R2”(如果存在)中的每一者独立地为H或任选经取代的烷基(例如，C1-6烷基)。
在本文所述的任何实施方案中(例如，化学式(II)、(III)、(V)、(VII)、(IX)、(X)、(XI)、以及(XII)中)，R3为任选经取代的芳基。
在本文所述的任何实施方案中(例如，化学式(II)、(III)、(V)、(VII)、(IX)、(X)、(XI)、以及(XII)中)，R3为任选经取代的杂烷基，像是例如-OC(O)-RO1、-NRN1-C(O)-RO1、-OC(O)NRN1RN2、-(Ak-O)h1RO1或-Ak-NRN1RN2，其中Ak为任选经取代的亚烷基，h1是从1至5，且RO1、RN1、以及RN2中的每一者独立地为H或任选经取代的烷基(例如，羟烷基、羧基烷基、氨基烷基、或叠氮基烷基)。
在本文的任何实施方案中，聚合物为均聚物。如此聚合物可具有任意有用数量n的单体，例如n是从约2至约100000(例如，约2至50、2至100、2至200、2至300、2至400、2至500、2至1000、2至2000、2至5000、2至10000、2至20000、2至50000、2至100000、3至50、3至100、3至200、3至300、3至400、3至500、3至1000、3至2000、3至5000、3至10000、3至20000、3至50000、3至100000、4至50、4至100、4至200、4至300、4至400、4至500、4至1000、4至2000、4至5000、4至10000、4至20000、4至50000、4至100000、5至50、5至100、5至200、5至300、5至400、5至500、5至1000、5至2000、5至5000、5至10000、5至20000、5至50000、5至100000、10至50、10至100、10至200、10至300、10至400、10至500、10至1000、10至2000、10至5000、10至10000、10至20000、10至50000、10至100000、50至100、50至200、50至300、50至400、50至500、50至1000、50至2000、50至5000、50至10000、50至20000、50至50000、50至100000、100至200、100至300、100至400、100至500、100至1000、100至2000、100至5000、10至10000、100至20000、100至50000、100至100000)。在其他实施方案中，聚合物是环状的，其中n是从约3至约100。在其他实施方案中，环状聚合物包括任意有用数量n1+2的单体，n1例如是从约1至约100。
在特定实施方案中，SRP也可为任何合适的线性或环状共聚物而包括纯苯二甲醛均聚物、例如聚(4,5-二氯苯二甲醛)的聚(苯二甲醛)衍生物的均聚物、或是聚(醛)衍生物的均聚物。SRP可包括具有化学式(I)至(XIII)、(Ia)、(Ib)、(Ic)或其盐类中的一者的结构的共聚物，以及包括本文所述的任何共聚物(例如，化学式(XIV)或(XV)中的一者)。
以下提供SRP的进一步示例。在一些实施方案中，SRP是包括聚(醛)的共聚物。在特定实施方案中，这些共聚物可为在2018年6月7日所公开的美国专利公开No.2018/0155483中所描述的自消耗聚合物，且该专利的整体内容于此通过引用并入本文中。该文献中的共聚物的示例包括具有化学式(XIV)的这些共聚物：(XIV)
其中：
R为经取代或未经取代的C1-20烷基、C1-20烷氧基、C2-20烯基、C2-20炔基、C6-10杂芳基、C3-10环烷基、C3-10环烯基、C3-10杂环烷基、或C3-10杂环烯基；以及当经取代时，R是被C1-20烷基、C1-20烷氧基、C2-20烯基、C2-20炔基、C6-10芳基、C6-10杂芳基、甲醛基、氨基、磺酸、亚磺酸、氟酸、膦酸、醚、卤素、羟基、酮、氮基、氰基、叠氮基、硅基、磺酰基、亚磺酰基、或硫醇所取代。
在特定实施方案中，SRP是苯二甲醛单体与例如乙醛、丙醛、或丁醛的第二醛的环状共聚物。如此共聚物的示例在美国专利公开No.2018/0155483中被给定为化学式(XV)：
(XV)其中n是从1至100000的整数且R可为本文中所述的任何一者(例如，像化学式(XIV)的R)。
美国专利公开No.2018/0155483中的具体示例包括苯二甲醛与下列一或更多者的共聚物：乙醛、丙醛、丁醛、戊醛、己醛、庚醛、辛醛、壬醛、癸醛、十一醛、丙烯醛、丁烯醛、戊烯醛、己烯醛、庚烯醛、辛烯醛、壬烯醛、癸烯醛、十一烯醛、以及以上的任意组合。
SRP也可为包括纯苯二甲醛均聚物的任何合适的线性或环状共聚物。SRP也可为聚(苯二甲醛)衍生物的均聚物，例如聚(4,5-二氯苯二甲醛)。
在其他实施方案中，SRP是具有低MW的均聚物，从而提供用于填充间隙的低黏度聚合物。
在本文的任何实施方案中，SRP可包括单体，该单体是化学式(I)至(XV)、(Ia)或其盐类的其中任意者的结构或者具有化学式(I)至(XV)、(Ia)或其盐类的其中任意者的结构，其中n为1，而该单体接着通过链接剂的方式与另一单体链接。非限制性的链接剂包括任选经取代的亚烷基、任选经取代的杂亚烷基、任选经取代的伸(芳基)(烷基)、任选经取代的伸芳基、任选经取代的环亚烷基、氧基或硫基。在其他实施方案中，链接剂可为-Ak-、-Ak-X-、-X-Ak-、-(Ak-X)h1-Ak-、-X-(Ak-X)h1-、-Ak-Ar-、-Ak-Ar-Ak-、-Ar-Ak-、-(Ak-X)h1-Ar-、-(Ak-X)h1-Ar-(Ak-X)h1-、-Ar-(Ak-X)h1-、-X-(Ak-X)h1-Ar-、-X-(Ak-X)h1-Ar-X-(Ak-X)h1-、以及-Ar-X-(Ak-X)h1-，其中Ak为任选经取代的亚烷基，Ar为任选经取代的伸芳基，X是非碳杂原子或包括非碳杂原子(例如，-O-、-S-、或-NRN1-，其中RN1为H、任选烷基、或任选经取代的芳基)，且h1为从1至5的整数。
在本文的任何实施方案中，SRP可为保持可溶于溶剂的非晶聚合物。
可使用任何相应单体合成SRP。举例来说，单体可为或可具有化学式(I)至(XV)、(Ia)、或其盐类的任意者的结构，其中n为1。单体可具有配置在如此结构的任一端上的任何有用末端基团。在其他实施方案中，单体可具挥发性并具有于20℃或20℃以下的熔点。
在特定实施方案中，SRP是在没有不期望的副产物的情况下形成。以此方式，因为不需去除副产物而可达成无残留物的聚合物的汽化。对于去除来说，SRP内的一个(或些许)化学键的切断繁衍成聚合物的完整、迅速的解聚。由于所有的键均为相同的(无不经意的杂质)，因此预期为少量或无残留物。
SRP或其制剂可以以任何实用的方式沉积。举例而言，SRP是可经旋转涂布或气相沉积的。在美国专利No.9,466,511、No.9,666,427、No.10,008,396以及No.10,068,781中描述了SRP以及使用SRP所述的方法的额外示例，这些专利中的每一者通过引用而整体地并入本文中。
SRP制剂
在一些实施方案中，可使用具有低于其玻璃转化温度或熔点的降解温度的SRP。相似地，可使用具有高于但接近玻璃转化温度或熔点的降解温度的SRP。如以上所讨论的，在高于玻璃转化温度且如果合适的话高于熔点的温度下烘烤SRP可缓和SRP中的应力和/或去除孔隙。然而，烘烤应在充分低于SRP降解温度下进行以避免SRP降解。如果SRP于烘烤操作期间降解，结构将仍为弯曲的和/或SRP的不受控去除可能导致特征崩塌。而如果烘烤是在低于Tg(或针对非非晶SRP)低于Tm下进行，则可能无法实现缓和应力和/或孔隙去除的有利功效。
对于某些SRP而言，降解温度高于或接近SRP的Tg或Tm。如以下进一步讨论的，SRP制剂可包括增塑剂以将Tg或Tm抑制至充分低于降解温度的温度而可在没有任何SRP的降解的情况下实行烘烤。
为执行图1A和1B中所述的方法，可将SRP配制为具有增塑剂以抑制玻璃转化温度或熔点。以此方式，可加热SRP以在不过早降解SRP的情况下减少内应力和/或去除孔隙。
增塑剂的示例包括邻苯二甲酸酯，例如邻苯二甲酸二甲酯(DMP)、邻苯二甲酸二乙酯(DEP)、邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、邻苯二甲酸二异丁酯(DIBP)、邻苯二甲酸丁苄酯(BBP)、邻苯二甲酸二正己酯(DNHP)、邻苯二甲酸二异己酯(DIHxP)、邻苯二甲酸二异壬酯(DINP)、邻苯二甲酸二乙基己酯(DEHP)、二(2-丙基庚基)邻苯二甲酸酯(DPHP)、邻苯二甲酸二正辛酯(DOP)、邻苯二甲酸二异辛酯(DIOP)、邻苯二甲酸二异壬酯、以及邻苯二甲酸二异癸酯(DIDP)。在一些实施方案中，增塑剂是C3-C6邻苯二甲酸酯。也可使用更高分子量的邻苯二甲酸酯。
在一些实施方案中，可使用非邻苯二甲酸酯的增塑剂。示例包括脂族二元酸酯，脂族二元酸酯包括戊二酸酯(例如，乙二醇醚戊二酸酯)、己二酸酯(例如，己二酸二(2-乙基己)酯(DEHA)、己二酸单甲酯、己二酸二甲酯、己二酸二辛酯)、壬二酸酯、以及癸二酸酯；苯甲酸酯(例如，二苯甲酸乙二酯(DEGDB))；偏苯三酸酯(例如，偏苯三酸三甲酯、偏苯三酸三(2-乙基己)酯、偏苯三酸三(辛基、癸基)酯、偏苯三酸三(庚基、壬基)酯、以及偏苯三酸辛酯)；聚酯；柠檬酸酯；顺丁烯二酸酯(例如，顺丁烯二酸二丁酯)；乙二醇；聚醚；以及磷酸酯。
可相对少量地提供增塑剂。在一些实施方案中，提供1至35pphr(每百份树脂的份数)且可为10pphr或更少。如以下所讨论的，少量的增塑剂足以抑制玻璃转化温度。较大量的增塑剂可能导致相分离或是在SRP去除后留下残留物。增塑剂在用于旋转涂布SRP溶液的溶剂中应为可溶的。
低上限温度(Tc)聚合物可能具有接近或高于降解温度的玻璃转化温度(Tg’s)而受益于制剂中增塑剂的添加。可在没有增塑剂的添加的情况下退火含有聚乙醛酸酯、聚乙醛酰胺、以及聚砜的其他SRP。
在一些实施方案中，使用有机弱酸配制SRP。包含有机弱酸的SRP膜在室温下是稳定的但相较于未使用有机弱酸配制的净SRP表现出加速降解特性。有机弱酸是具有pKa≥1的有机酸而有包括酒石酸和草酸的示例。示例包括线性烷基羧酸、CXH2XO2，其中X为整数，以及相应的二羧酸变体。特定示例包括具有甲酸(X＝1)和乙酸(X＝2)。二羧酸的特定示例包括乙二酸和丙二酸。有机弱酸也可为这些示例中具有额外醇取代和/或不饱和键的任意者的变体。例如，可使用氧代乙酸、2-羟基乙酸、丙-2-烯酸、2-丙炔酸、2-羟基丙二酸、氧代丙二酸、2,2-二羟基丙二酸、2-氧代丙酸、2-羟基丙酸、3-羟基丙酸、2,3-二羟基丙酸等。
根据多种实施方案，SRP制剂可包括溶剂、SRP、增塑剂、以及可选地有机酸。示例性的溶剂包括二甘二甲醚、四氢呋喃、N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、碳酸丙烯酯、环戊酮、苯甲醚、二氯苯、丙二醇甲醚乙酸酯、以及2-乙氧基乙酸乙酯。在一些实施方案中，可将SRP和有机弱酸配置和储存为单独溶液而于晶片上沉积的时点、或于相对较早之前的某时点混合在一起。在一些实施方案中，可将SRP和增塑剂提供为在旋转涂布之前待被混合于溶剂中的粉末。
制剂及据以所得的膜可包括光致产酸剂(PAG)，其中SRP至电磁辐射的暴露产生酸。以此方式，高能光(例如，UV光、IR光或x射线)暴露产生酸以促进膜的原位降解。非限制性的光致产酸剂包括鎓盐，例如具有全氟化阴离子的碘鎓和锍盐(例如，二芳基碘鎓和三芳基锍盐)、双磺酰基重氮甲烷化合物、N-磺酰基氧基二羧基酰亚胺化合物、以及O-芳基磺酰基肟化合物。光致产酸剂可任选地包括光敏剂(例如，具有经改性聚芳碳氢化合物或稠合芳香环)。
可使用其他产酸剂，例如在暴露于热时释出酸性基团的热产酸剂。以此方式，SRP的解聚可包括热和酸性处理两者。非限制性的热产酸剂包括铵盐、磺酰基酯、以及酸增幅剂。且如以上所述，在一些实施方案中，制剂可包括增塑剂。
根据多种实施方案，在使用之前的某些时间点可用合适的酸预先配制SRP，接着将SRP旋转涂布至衬底上以用于牺牲性支撑或表面保护应用。可替代地，可在正要旋转涂布之前的使用时将SRP与酸混合。后者所述的方法在一些实施方案中可用于延长SRP的搁置寿命，因为虽然SRP在膜形式(固态)中是稳定的，但其一旦与酸接触后在溶液中就可能是不稳定的。
装置
上述处理可以在可以是衬底处理系统的一部分的室中实施。衬底处理系统可进一步包括用于处理衬底的一个或多个附加衬底处理工具，包括沉积SRP以及上游和下游处理。现在参考图4，衬底处理系统400包括一个或多个衬底处理工具(为了说明目的示出了衬底处理工具402a和402b)和衬底缓冲器430或其他衬底存储装置。衬底处理工具402a和402b中的每一个包括多个处理室404a、404b、404c等(统称为处理室404)。仅举例而言，处理室404中的每一个可配置成执行衬底处理。在一些示例中，衬底可被装载至处理室404中的一个中、进行处理、并接着被移动至处理室404中的其他一或更多个中和/或从衬底处理工具400中移除(例如，如果全部都执行相同处理的话)。
经由大气至真空(ATV)传送模块408的装载站的端口而将待处理的衬底装载至衬底处理工具402a和402b中。在一些示例中，ATV传送模块408包含设备前端模块(EFEM)。接着，将衬底传送至处理室404a–404c中的一或多个中。例如，传送机械手412被设置成将衬底从装载站416传送至装载锁420。真空传送模块428的真空传送机械手424被设置成将衬底从装载锁420传送至各个处理室404中。
在衬底处理工具402a和402b中的一或多者中进行处理之后，可将衬底输送至真空环境的外部。例如，可以将衬底移动至用于保存的位置(例如衬底缓冲器430)。在其他示例中，可将衬底从衬底处理工具直接移动至另一衬底处理工具以进行进一步处理、或从衬底缓冲器430直接移动至另一衬底处理工具以进行进一步处理。
使衬底暴露于环境条件可能导致缺陷或对下游处理造成不利影响。根据本公开内容的系统和方法用于在暴露于环境条件之前将牺牲保护层添加至衬底。在一些示例中，在将衬底传送至衬底缓冲器以进行保存、或传送至另一衬底处理工具之前，在该衬底处理工具中涂布牺牲保护层。在其他示例中，在另一衬底处理室(与该衬底处理工具无关)中涂布牺牲保护层。例如，可以在衬底处理工具402b中添加SRP和一个或多个盖层。
如本文所述的，在衬底上进行另一处理之前，将牺牲保护层移除。例如，在衬底缓冲器430中保存一段时间之后或在衬底处理工具402a中进行处理之后，衬底可被传送至衬底处理工具402b。可将在衬底处理工具402b中的处理室中的一个、另一处理室(与衬底处理工具802b无关)的牺牲保护层移除。在一些实施方案中，在加载锁420中移除牺牲保护层。
在一些示例中，在暴露于环境条件之前，通过(执行衬底处理的)相同衬底处理工具中的处理室来涂布牺牲保护层。由于衬底处理工具在真空下操作，因此可避免使衬底暴露于环境条件。在一些示例中，在湿式清洁处理之后沉积牺牲层。在该情况下，氧化物及残留物可通过湿式清洁处理移除，并且在使晶片干燥之前或者在使晶片干燥之后立即按顺序沉积牺牲层。在一些示例中，该处理并非在真空下进行，而是在干燥的原始表面完全没有暴露于周围环境的情况下进行。在其他示例中，将衬底从衬底处理工具输送至位于该衬底处理工具外部的另一处理室，该处理室添加牺牲保护层。使用该方法限制或减少了衬底暴露于环境条件的时段。暴露过程被限制于从衬底处理工具至涂布牺牲保护层的处理室的短暂输送时段。可进行较长时间的衬底保存，而不会额外地暴露于环境条件。随后，可以在进行进一步处理之前将牺牲保护层移除。在一些示例中，在相同衬底处理工具的处理室中进行衬底处理之前，在真空条件下于另一衬底处理工具中将牺牲保护层移除。在其他示例中，衬底被输送至将牺牲保护层移除的处理室，并接着被输送至衬底处理室以进行进一步处理。该方法还限制了暴露于处理室与衬底处理工具或其他环境之间的环境条件的状况。在一示例中，紧接在蚀刻、沉积、或其他处理之后，通过将衬底暴露于小分子蒸气且小分子蒸气凝结于表面上以形成膜，因而形成牺牲保护层。这可以直接在其中发生蚀刻或沉积的工具(例如衬底处理工具402a)的内部进行，且可以在其中发生蚀刻或沉积的相同的处理室内发生。接着将衬底带到下一个用于处理的工具(例如衬底处理工具402b)。一旦衬底不再暴露于环境条件(例如通过在真空下或用惰性气体清扫的大气中携带衬底)，则施加真空和化合物以及在某些情况下，如上所述的其他刺激物以诱导膜的降解并从衬底移除。这可以发生在如上所述的处理室(例如，处理室404a或衬底处理工具402b)内部。
在多种实施方案中，在处理期间(包含在SRP移除期间)，使用系统控制器来控制处理条件。该控制器一般将包含一或更多内存组件以及一或更多处理器。处理器可包含CPU或计算机、模拟和/或数字输入/输出连接部、步进式马达控制器板等等。
该控制器可控制移除装置的所有活动。该系统控制器执行系统控制软件，其包含用于控制特定处理的时序、气体混合物、室压力、室温度、晶片温度、晶片卡盘或基座定位、等离子体功率、以及其他参数的指令组。可以在一些实施方案中采用储存在与控制器相关联的存储器设备上的其他计算机程序。
一般而言，将存在与该控制器相关的用户接口。该用户接口可包含显示屏幕、该装置和/或处理条件的图形软件显像、以及用户输入设备(例如指向设备、键盘、触控屏幕、麦克风等等)。
可以任何合适的方式来建构系统控制逻辑。一般来说，该逻辑可以硬件和/或软件方式进行设计或建构。用于控制驱动电路的指令可被硬编码或被提供作为软件。这些指令可通过“程序化”来提供。此种程序化被理解为包含任何形式的逻辑，其包含在数字信号处理器、专用集成电路、以及具有实施为硬件的特定算法的其他设备中的硬编码逻辑。程序化还应被理解为包含软件或固件指令，其可在通用处理器上被执行。可以任何合适的计算机可读程序化语言来对系统控制软件进行编码。
用于控制反应物脉冲与清扫气体流以及处理顺序中的其他程序的计算机程序码可以下列任何常规计算机可读程序化语言加以编写：例如汇编语言、C、C++、Pascal、Fortran、或其他语言。通过处理器来执行经编译的目标代码或脚本(script)，以执行程序中所识别的工作。又如本文所述，程序代码可被硬编码。
控制器参数与处理条件有关，例如处理气体组成与流率、温度、压力、衬底温度、以及等离子体功率。这些参数以配方的形式提供给用户，并且可利用用户界面输入。
可通过该系统控制器的模拟和/或数字输入连接部来提供用于监视该处理的信号。在该系统的模拟与数字输出连接部上输出用于控制该处理的信号。
可以许多方式来设计或配置系统软件。
例如，可编写各种室部件子程序或控制对象，以控制实现根据所公开的实施方案的沉积处理所需的室部件的操作。用于该目的的程序或程序片段的示例包含衬底定位代码、处理气体控制代码、压力控制代码和加热器控制代码。
在一些实现方案中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何处理，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出与具体系统连接或通过接口连接的工具和其他转移工具和/或装载锁。
概括地说，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为专用集成电路(ASIC)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定处理的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。
在一些实现方案中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，以改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供处理配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。参数可以特定于要执行的处理的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的处理和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的处理。
示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、PVD室或模块、CVD室或模块、ALD室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。
如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。
控制器可以包括不同的程序。衬底定位程序可包括用于控制室部件的程序代码，所述室部件用于将衬底加载到基座或卡盘上并控制衬底和室的其他部件例如气体入口和/或靶之间的间隔。处理气体控制程序可包括用于控制气体组成、流率、脉冲时间以及任选地用于使气体流入室的代码。压力控制程序可包括用于通过调节例如室中的排气系统中的节流阀而控制室中的压力的代码。加热器控制程序可包括用于控制用于加热衬底的加热单元的电流的代码。替代地，所述加热器控制程序可控制传热气体例如氦气向晶片卡盘的输送。等离子体功率程序可以控制等离子体功率。
可在移除过程中被监控的室传感器的示例包括质量流量控制器、压力传感器例如压力计和位于基座或卡盘中的热电偶。经适当编程的反馈和控制算法可与来自这些传感器的数据一起用于维持所需的处理条件。
上述内容描述了在单室或多室半导体加工工具中实施的本发明的实施方案。本文描述的设备和处理可以与光刻图案化工具或处理结合使用，例如，用于制备或制造半导体器件、显示器、LED、光伏电池板等。通常，虽然不是必要地，这些工具/过程将在共同的制造设施中一起使用或操作。膜的光刻图案化通常包括以下步骤中的一些或所有，每个步骤启用多个可行的工具：(1)使用旋涂或喷涂工具在工件，即，衬底上涂覆光致抗蚀剂；(2)使用热板或加热炉或紫外线固化工具固化光致抗蚀剂；(3)使用例如晶片步进曝光机之类的工具使光致抗蚀剂暴露于可见光或紫外线或X射线；(4)使抗蚀剂显影以便选择性地移除抗蚀剂并且从而使用例如湿式清洗台之类的工具将其图案化；(5)通过使用干式或等离子体辅助蚀刻工具将抗蚀剂图案转印到下方的膜或工件上；并且(6)使用例如射频或微波等离子体抗蚀剂剥离器之类的工具移除抗蚀剂。
实施例
将二甲酸二乙酯(DEP)增塑剂添加至苯二甲醛-乙醛嵌段共聚物(PPHA-co-EA)SRP以制成SRP制剂。PPHA-co-EA具有约150℃的降解温度，低于其玻璃转化温度(Tg)。当经烘烤时，PPHA-co-EA在其到达其Tg之前降解。下方表格显示Tg为DEP浓度函数。pphr可由(增塑剂的质量/SRP的质量)*100计算。
玻璃转化温度与DEP浓度线性相关。在以上示例中，对于约110℃至112℃的Tg可使用7至9pphr的DEP，允许在远低于起始降解温度的115℃下的烘烤之后约105℃的酸降解处理温度。(在以上示例中，零DEP也导致受抑制的Tg，其可能为测量过程的人为因素或起因于膜内的残留溶剂)这些结果显示在增塑剂的添加下可精确地控制Tg。
图5显示于旋转涂布包括PPHA-co-EA和DEP的SRP制剂至高深宽比结构之后的图像(图像501)以及于115℃下烘烤之后的图像(图像503)。旋转涂布后的结构显示严重弯曲，通过在没有降解聚合物的情况下烘烤而消除该严重弯曲。
虽然为了清楚理解的目的，已经在一定程度上详细描述了上述实施方案，但显而易见的是，某些变化和修改可在所附权利要求的范围内实施。应当注意，有实现本发明的实施方案的处理、系统、和设备的许多替代方式。因此，本发明的实施方案应被认为是说明性的而不是限制性的，并且这些实施方案并不受限于这里给出的细节。

Claims (23)

1.一种方法，其包含：
提供上方具有SRP膜的衬底，其中所述SRP膜包含刺激响应聚合物(SRP)，所述SRP的特征为上限温度(Tc)，在所述上限温度(Tc)下，所述SRP与其单体处于热平衡，所述Tc介于-80℃与400℃之间；以及
在烘烤温度下烘烤所述SRP膜，其中所述烘烤温度低于所述SRP的降解温度且高于所述SRP膜的玻璃转化温度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述SRP是非晶的。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述SRP是半结晶或结晶，且所述烘烤温度高于所述SRP膜的熔点。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底具有高深宽比(HAR)结构，其具有形成于特征之间的间隙，且其中在所述间隙中提供所述SRP膜。
5.根据权利要求4所述的方法，其中烘烤所述SRP膜使所述HAR结构变直。
6.根据权利要求1所述的方法，其中提供具有所述SRP膜的所述衬底包含在所述衬底上旋转涂布SRP制剂。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述衬底具有高深宽比(HAR)结构，所述HAR结构包含特征之间的间隙，且其中在所述衬底上旋转涂布所述SRP制剂包含用所述SRP膜填充所述间隙并弯曲所述HAR结构的所述特征。
8.根据权利要求7所述的方法，其中烘烤所述SRP膜使所述HAR结构的所述特征变直。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述SRP膜包含增塑剂。
10.根据权利要求9所述的方法，其中(增塑剂的质量/SRP的质量)*100介于1和35之间。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述SRP包含聚(苯二甲醛)或其衍生物作为均聚物或作为共聚物的组分聚合物之一。
12.根据权利要求9所述的方法，其中所述SRP膜包含邻苯二甲酸酯增塑剂。
13.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含去除所述SRP膜。
14.根据权利要求13所述的方法，其中去除所述SRP膜包含将所述SRP膜暴露于使所述SRP解聚的刺激。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述刺激包含热。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述刺激包含UV辐射。
17.根据权利要求14所述的方法，其中所述刺激包含酸性蒸气。
18.根据权利要求14所述的方法，其中所述刺激包含惰性气体等离子体。
19.根据权利要求1所述的方法，其中所述SRP膜包含有机弱酸。
20.根据权利要求1所述的方法，其中提供上方具有SRP膜的衬底包含通过化学气相沉积来沉积所述SRP膜。
21.根据权利要求1所述的方法，其中所述SRP膜不包含增塑剂。
22.一种装置，其包含：
室，其用于容纳上方具有SRP膜的衬底，其中所述SRP膜包含刺激响应聚合物(SRP)，所述SRP的特征为上限温度(Tc)，在所述上限温度(Tc)下所述SRP与其单体处于热平衡，所述Tc介于-80℃与400℃之间；以及
控制器，其包含用于在烘烤温度下烘烤所述SRP膜的指令，其中所述烘烤温度低于所述SRP的降解温度且高于所述SRP膜的玻璃转化温度。
23.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制器进一步包含用于沉积所述SRP膜的指令。
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