CN118041286A - 一种声表面波谐振器及滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种声表面波谐振器及滤波器，该声表面波谐振器包括衬底；多个叉指电极组，位于衬底一侧，叉指电极组包括第一电极和第二电极，第一电极以及第二电极沿第一方向排列，且均沿第一方向延伸；沿第一方向，第一电极与第二电极之间包括间隙；多个负载结构组，位于衬底一侧且位于间隙内，负载结构组包括沿第一方向排列的第一负载结构以及第二负载结构，第一负载结构与第一电极接触，第二负载结构与第二电极接触；第一负载结构以及第二负载结构均包括沿第一方向排列的至少两个子负载结构；且同一负载结构中两个子负载结构和与子负载结构接触的电极，任意两者的密度不同。采用上述手段，通过设置负载结构组能够抑制横向模，提高谐振器的Q值。

Description

一种声表面波谐振器及滤波器

技术领域

本发明涉及谐振器技术领域，尤其涉及一种声表面波谐振器及滤波器。

背景技术

随着通信技术的不断发展和应用，对射频元件的要求愈加严格，声表面波谐振器作为声表面波滤波器的重要组成部分，同样面临着严峻的挑战，声表面波滤波器需要具有快速滚降、低插入损耗和低衰减等特性以满足市场要求。

声表面波谐振器中存在的横向谐振模会对主模态产生干扰，导致通带内或带外存在毛刺，并且影响器件的Q值。目前，抑制横向谐振模的常规方法是将叉指换能器的末端加厚或者加宽形成锤子结构，如此对横向谐振模的抑制效果有限，目前还可以通过倾斜电极的方式抑制横向谐振模，但是如此会降低谐振器的Q值。

发明内容

本发明实施例提供了一种声表面波谐振器及滤波器，以实现抑制横向模，提高谐振器的Q值。

第一方面，本发明实施例提供了一种声表面波谐振器，包括：

衬底；

多个叉指电极组，位于所述衬底的一侧，所述叉指电极组包括第一电极和第二电极，所述第一电极以及所述第二电极沿第一方向排列，且均沿所述第一方向延伸，所述第一电极的延伸长度小于所述第二电极的延伸长度；沿所述第一方向，所述第一电极与所述第二电极之间包括间隙；所述第一方向与所述衬底所在平面平行；

多个负载结构组，位于所述衬底的一侧且位于所述间隙内，所述负载结构组包括沿所述第一方向排列的第一负载结构以及第二负载结构，所述第一负载结构与所述第一电极接触，所述第二负载结构与所述第二电极接触；所述第一负载结构以及所述第二负载结构均包括沿所述第一方向排列的至少两个子负载结构；且同一负载结构中两个所述子负载结构和与所述子负载结构接触的电极，任意两者的密度不相同。

可选的，所述第一负载结构包括第一子负载结构和第二子负载结构，所述第一子负载结构分别与所述第一电极以及所述第二子负载结构接触；所述第一子负载结构的密度小于所述第一电极的密度，所述第二子负载结构的密度大于所述第一电极的密度；

所述第二负载结构包括第三子负载结构和第四子负载结构，所述第三子负载结构分别与所述第二电极以及所述第四子负载结构接触；所述第三子负载结构的密度小于所述第二电极的密度，所述第四子负载结构的密度大于所述第二电极的密度。

可选的，所述第一负载结构包括i个子负载结构；i≥3，且i为整数；

第i个子负载结构的密度与第(i-1)个子负载结构的密度不相同；

所述第二负载结构包括第j个子负载结构；j≥3，且j为整数；

所述第j个子负载结构的密度与第(j-1)个子负载结构的密度不相同。

可选的，同一所述负载结构中的至少两个所述子负载结构在所述第一方向上的长度相同。

可选的，沿第二方向，任意相邻两个所述第一电极之间的尺寸与任意相邻两个所述第二电极之间的尺寸相同且均为λ；所述第二方向与所述第一方向相交且与所述衬底所在平面平行；

沿所述第一方向，所述子负载结构的长度为L；

其中，L＝(2n+1)*(λ/4)，n≥0，且n为整数。

可选的，所述第一负载结构中的任一子负载结构在第二方向上的宽度大于或者等于所述第一电极的宽度；

所述第二负载结构中的任一子负载结构在所述第二方向上的宽度大于或者等于所述第二电极的宽度；所述第二方向与所述第一方向相交且与所述衬底所在平面平行。

可选的，所述第一负载结构包括第一子负载结构和第二子负载结构，所述第一子负载结构分别与所述第一电极以及所述第二子负载结构接触；沿所述声表面波谐振器的厚度方向，所述第二子负载结构的厚度大于或者等于所述第一子负载结构的厚度；

所述第二负载结构包括第三子负载结构和第四子负载结构，所述第三子负载结构分别与所述第二电极以及所述第四子负载结构接触；沿所述声表面波谐振器的厚度方向，所述第四子负载结构的厚度大于或者等于所述第三子负载结构的厚度。

可选的，沿所述声表面波谐振器的厚度方向，所述第一子负载结构远离所述衬底一侧的表面与所述第二子负载结构远离所述衬底一侧的表面位于同一水平面；

所述第三子负载结构远离所述衬底一侧的表面与所述第四子负载结构远离所述衬底一侧的表面位于同一水平面。

可选的，所述第一电极与所述第二电极沿第二方向依次交替设置；所述第二方向与所述第一方向相交且与所述衬底所在平面平行。

第二方面，本发明实施例还提供了一种滤波器，包括第一方面任一项所述的声表面波谐振器。

本发明实施例的技术方案，通过设置多个负载结构组，负载结构组位于间隙，且负载结构组包括第一负载结构以及第二负载结构，第一负载结构与第一电极接触，第二负载结构与第二电极接触，也就是说，第一负载结构与第一电极的末端连接，第二负载结构与第二电极的末端连接。进一步的，第一负载结构以及第二负载结构均包括沿第一方向排列的至少两个子负载结构；且同一负载结构中两个子负载结构和与子负载结构接触的电极，任意两者的密度不相同，如此声表面波在沿第一方向传输时，存在声速差，能够将沿第一方向泄露的声表面波反射回有源区，进而提高谐振器的Q值。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种声表面波谐振器的俯视示意图；

图2为图1提供的一种声表面波谐振器沿剖面线A-A’的剖面结构示意图；

图3为传统的声表面波谐振器的导纳特性曲线示意图；

图4为本发明实施例提供的一种声表面波谐振器的导纳特性曲线示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种声表面波谐振器的俯视示意图；

图6为图1提供的另一种声表面波谐振器沿剖面线A-A’的剖面结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1为本发明实施例提供的一种声表面波谐振器的俯视示意图，图2为图1提供的一种声表面波谐振器沿剖面线A-A’的剖面结构示意图，如图1和图2所示，该声表面波谐振器包括：衬底10；多个叉指电极组20，位于衬底10的一侧，叉指电极组20包括第一电极201和第二电极201，第一电极201以及第二电极202沿第一方向(如图中所示的X方向)排列，且均沿第一方向X延伸，第一电极201的延伸长度小于第二电极202的延伸长度；沿第一方向X，第一电极201与第二电极202之间包括间隙30；第一方向X与衬底10所在平面平行；多个负载结构组40，位于衬底10的一侧且位于间隙30内，负载结构组40包括沿第一方向X排列的第一负载结构401以及第二负载结构402，第一负载结构401与第一电极201接触，第二负载结构402与第二电极202接触；第一负载结构401以及第二负载结构402均包括沿第一方向X排列的至少两个子负载结构41；且同一负载结构中两个子负载结构41和与子负载结构41接触的电极，任意两者的密度不相同。

具体的，衬底10可以是压电衬底。示例性的，衬底10的材料可以是铌酸锂、钽酸锂、氧化锌、氮化铝、氮化镓或钛酸钡等材料。

具体的，叉指电极组20包括第一电极201和第二电极202，第一电极201与第二电极202沿第一方向X排列且均沿第一方向X延伸，沿第一方向X，第一电极201的延伸长度小于第二电极202的延伸长度，即第一电极201可以是假指电极，也即短指电极，第二电极202可以是真指电极，也即长指电极。示例性的，第一电极201和第二电极202的材料均可以为铜、铝、钛、钨或者银等金属材料。具体的，第一电极201与第二电极202沿第二方向(如图中所示的Y方向)依次交替设置；第二方向Y与第一方向X相交且与衬底10所在平面平行。

进一步的，当将某一频率的交流信号施加在汇流条50上，可以在声表面波谐振器中产生声表面波。声表面波主要集中在有效孔径区，即有源区，且主要沿第二方向Y传播，但是也存在部分横向波会沿着第一方向X向汇流条50侧传播及泄露。有源区可以理解为第二电极202相互交叠的区域。

具体的，沿第一方向X，第一电极201与第二电极202之间包括间隙30，声表面波谐振器还包括多个负载结构组40，且多个负载结构组40位于衬底10的一侧且位于间隙30内。负载结构组40包括沿第一方向X排列的第一负载结构401以及第二负载结构402，第一负载结构401与第一电极201接触，第二负载结构402与第二电极202接触，也就是说，第一负载结构401与第一电极201的端部接触，第二负载结构402与第二电极202的端部接触。

进一步的，第一负载结构401以及第二负载结构402均包括沿第一方向X排列的至少两个子负载结构41；且同一负载结构中两个子负载结构41和与子负载结构41接触的电极，任意两者的密度不相同。换句话说，第一负载结构401中的两个子负载结构41与第一电极201中任意两者的密度不相同，第二负载结构402中的两个子负载结构41与第二电极202中任意两者的密度不相同。可以理解的是，由于子负载结构41的质量与其密度成正比，且子负载结构41对衬底10的作用力与子负载结构41的质量有关，即子负载结构41的质量越大，对衬底10产生的作用力越大，声表面波在该区域的传播速度慢，通过设置同一负载结构中两个子负载结构41和与子负载结构41接触的电极，任意两者的密度不相同，如此有利于保证声表面波在沿第一方向X传播时存在声速差，进而能够将声表面波反射回有源区，即实现对横向模的抑制。

示例性的，当第一负载结构401包括两个子负载结构41时，第一子负载结构411分别与第一电极201以及第二子负载结构412接触，该两个子负载结构41的密度与第一电极201的密度均不相同，如此声表面波在沿第一方向X传播时，由于存在声速差，会在第一电极201和第一子负载结构411的交界面发生反射，继续沿第一方向X传播时，会在第一子负载结构411和第二子负载结构412的交界面发生反射，从而将沿第一方向X传播的声表面波反射回有源区，抑制了声表面波在第一方向X上的泄露。

本发明实施例提供的声表面波谐振器，通过设置多个负载结构组，负载结构组位于间隙，且负载结构组包括第一负载结构以及第二负载结构，第一负载结构与第一电极接触，第二负载结构与第二电极接触，也就是说，第一负载结构与第一电极的末端连接，第二负载结构与第二电极的末端连接。进一步的，第一负载结构以及第二负载结构均包括沿第一方向排列的至少两个子负载结构；且同一负载结构中两个子负载结构和与子负载结构接触的电极，任意两者的密度不相同，如此声表面波在沿第一方向传输时，存在声速差，能够将沿第一方向泄露的声表面波反射回有源区，进而提高谐振器的Q值。

可选的，继续参考图1和图2，第一负载结构401包括第一子负载结构411和第二子负载结构412，第一子负载结构401分别与第一电极201以及第二子负载结构402接触；第一子负载结构401的密度小于第一电极201的密度，第二子负载结构412的密度大于第一电极201的密度；第二负载结构402包括第三子负载结构413和第四子负载结构414，第三子负载结构413分别与第二电极202以及第四子负载结构414接触；第三子负载结构413的密度小于第二电极202的密度，第四子负载结构414的密度大于第二电极202的密度。

具体的，第一子负载结构411分别与第一电极201以及第二子负载结构412接触，也就是说，第一子负载结构411位于第一电极201与第二子负载结构412之间，且第一电极201、第一子负载结构411以及第二子负载结构412接触连接。进一步的，第一子负载结构411的密度小于第一电极201的密度，第二子负载结构412的密度大于第一电极201的密度，即第一电极201所覆盖的压电衬底10区域的声速小于第一子负载结构411所覆盖的压电衬底10区域的声速，且大于第二子负载结构412所覆盖的压电衬底10区域的声速，如此声表面波在沿第一方向X传输时，会产生较为明显的声速差，进而可以抑制横向模，提高谐振器的Q值。

具体的，第三子负载结构413分别与第二电极202以及第三子负载结构413接触，也就是说，第三子负载结构413位于第二电极202与第三子负载结构413之间，且第二电极202、第三子负载结构413以及第四子负载结构414接触连接。进一步的，第三子负载结构413的密度小于第二电极202的密度，第四子负载结构414的密度大于第二电极202的密度，即第二电极202所覆盖的压电衬底10区域的声速小于第三子负载结构413所覆盖的压电衬底10区域的声速，且大于第四子负载结构414所覆盖的压电衬底10区域的声速，如此声表面波在沿第一方向X传输时，会产生较为明显的声速差，进而可以抑制横向模，提高谐振器的Q值。

需要说明的是，图1仅示出了第一子负载结构411的密度等于第三子负载结构413的密度，第二子负载结构412的密度等于第四子负载结构414的密度的技术方案，采用此种技术方案，通过有限元仿真可以根据获得的导纳特性曲线判断本发明实施例对横向模的抑制效果，具体的，图3为传统的声表面波谐振器的导纳特性曲线示意图，图4为本发明实施例提供的一种声表面波谐振器的导纳特性曲线示意图，如图3和图4所示，传统的声表面波谐振器可以理解理解为不具备负载结构的谐振器，参考图3中的曲线a’和曲线b’，曲线a’和曲线b’分别为传统声表面波谐振器的导纳特性曲线以及相位响应曲线，在谐振峰和反谐振峰之间，曲线a’和曲线b’的波动较为明显，然而，参考图4中的曲线a和曲线b，曲线a和曲线b分别为本发明实施例提供的声表面波谐振器的导纳特性曲线以及相位响应曲线，在谐振峰和反谐振峰之间，曲线a和曲线b较为光滑，波动小，由此可知，本发明实施例提供的技术方案能够有效抑制横向模，能够提高谐振器的性能。

可以理解的是，第一子负载结构411的密度、第二子负载结构412的密度、第三子负载结构413的密度以及第四子负载结构414的密度可以均不相同。

示例性的，第一子负载结构与第二子负载结构的金属组合可以是金和铝、铜和铝、镍和铝、铬和镍、银和铜、金和铜、铂和铝、钯和铝或者钛和铝等。

可选的，图5为本发明实施例提供的另一种声表面波谐振器的俯视示意图，如图5所示，第一负载结构401包括i个子负载结构41；i≥3，且i为整数；第i个子负载结构的密度与第(i-1)个子负载结构的密度不相同；第二负载结构402包括第j个子负载结构41；j≥3，且j为整数；第j个子负载结构的密度与第(j-1)个子负载结构的密度不相同。

具体的，第一负载结构401包括i个子负载结构41；i≥3，且i为整数，即第一负载结构401至少包括3个子负载结构41。第i个子负载结构的密度与第(i-1)个子负载结构的密度不相同，即相邻两个子负载结构41的密度不相同，如此声表面波在沿第一方向X传输时，存在声速差，即可以将沿第一方向X泄露的声表面波反射回有源区，进而可以提高谐振器的Q值。

示例性的，当i＝3时，第一负载结构401包括3个子负载结构，即第一子负载结构411、第二子负载结构412以及子负载结构415，子负载结构415可以理解是第一负载结构401中与第二子负载结构412相接触负载结构，子负载结构415的密度与第二子负载结构412的密度不相同，如此声表面波在沿第一方向X传输时会产生多次声速差，进而可以提高反射率，将更多沿第一方向X传输的声表面波反射回有源区，提高谐振器的Q值。

具体的，第二负载结构402包括j个子负载结构41；j≥3，且j为整数，即第二负载结构402至少包括3个子负载结构41。第j个子负载结构的密度以及第(j-1)个子负载结构的密度不相同，即相邻两个子负载结构41的密度不相同，如此声表面波在沿第一方向X传输时，存在声速差，即可以将沿第一方向X泄露的声表面波反射回有源区，进而可以提高谐振器的Q值。

示例性的，当i＝3时，第二负载结构402包括3个子负载结构41，即第三子负载结构413、第四子负载结构414以及子负载结构416，子负载结构416可以理解为与第四子负载结构414相接触的负载结构，子负载结构416的密度与第四子负载结构414的密度不相同，如此声表面波在沿第一方向X传输时会产生多次声速差，进而可以提高反射率，将更多沿第一方向X传输的声表面波反射回有源区，提高谐振器的Q值。

示例性的，第一负载结构401还可以包括4个子负载结构，第一负载结构401中子负载结构的排列方式可以是“第一子负载结构-第二子负载结构-第一子负载结构-第二子负载结构”，如此声表面波在沿第一方向X传输时会产生多次声速差，进而可以提高反射率，将更多沿第一方向X传输的声表面波反射回有源区，提高谐振器的Q值，此外，排列方式简单，无需采用多种密度不同的金属材料。

可选的，继续参考图1，同一负载结构中的至少两个子负载结构41在第一方向X上的长度相同。

示例性的，以第一负载结构401为例，当第一负载结构401包括第一子负载结构411以及第二子负载结构412时，沿第一方向X，第一子负载结构411的长度等于第二子负载结构412的长度。

进一步的，继续参考图1，沿第二方向Y，任意相邻两个第一电极201之间的尺寸与任意相邻两个第二电极202之间的尺寸相同且均为λ；第二方向Y与第一方向X相交且与衬底10所在平面平行；沿第一方向X，子负载结构41的长度为L；其中，L＝(2n+1)*(λ/4)，n≥0，且n为整数。

具体的，L＝(2n+1)*(λ/4)，即子负载结构41的长度L等于(λ/4)的奇数倍。由于声表面波的形状类似于正弦波，示例性的，当声表面波的一个周期为λ时，L＝λ/4或者L＝3*(λ/4)，反射声波与射入声波相位相差λ/2，即振动方向完全相反。因此反射声波与射入声波会形成波峰和波谷相互抵消，使声波减弱甚至消失，因此能量可以集中在有源区传播的声波，进一步抑制横向模，提高谐振器的Q值。

可选的，继续参考图1，第一负载结构401中的任一子负载结构41在第二方向Y上的宽度大于或者等于第一电极201的宽度；第二负载结构402中的任一子负载结构41在第二方向Y上的宽度大于或者等于第二电极202的宽度；第二方向Y与第一方向X相交且与衬底10所在平面平行。

具体的，以第一负载结构401为例，第一负载结构401中每个负载结构41在第二方向Y上的宽度可以相同也可以不相同，示例性的，第一负载结构401中每个负载结构41在第二方向Y上的宽度可以等于第一电极201的宽度，或者第一负载结构401中的任一子负载结构41在第二方向Y上的宽度还可以大于第一电极201的宽度，即第一电极201与第一负载结构401形成“锤子状”，如此一方面通过设置第一负载结构可以抑制横向模，另一方面可以实现对负载结构的多样化设置。

可选的，图6为图1提供的另一种声表面波谐振器沿剖面线A-A’的剖面结构示意图，继续参考图1图2和图4，第一负载结构401包括第一子负载结构411和第二子负载结构412，第一子负载结构411分别与第一电极201以及第二子负载结构412接触；沿声表面波谐振器的厚度方向(如图中所示的Z方向)，第二子负载结构402的厚度大于或者等于第一子负载结构401的厚度；第二负载结构402包括第三子负载结构413和第四子负载结构414，第三子负载结构413分别与第二电极202以及第四子负载结构414接触；沿声表面波谐振器的厚度方向Z，第四子负载结构414的厚度大于或者等于第三子负载结构413的厚度。

具体的，以第一负载结构401为例，当第一负载结构401包括第一子负载结构411以及第二子负载结构412时，作为一种可行的实施方式，第二子负载结构402的厚度可以等于第一子负载结构401的厚度，进一步的，沿声表面波谐振器的厚度方向Z，第一子负载结构411远离衬底10一侧的表面与第二子负载结构412远离衬底10一侧的表面位于同一水平面，如此可以保证第一子负载结构411和第二子负载结构412的上表面平齐，有利于保证谐振器表面的平整度。作为另一种可行的实施方式，第二子负载结构402的厚度可以大于第一子负载结构401的厚度，进一步的，沿声表面波谐振器的厚度方向Z，第一子负载结构411远离衬底10一侧的表面与第二子负载结构412远离衬底10一侧的表面位于同一水平面，也就是说，第二子负载结构412的厚度大于第一子负载结构411的厚度，且二者的上表面平齐，即可以选择性的刻蚀第二子负载结构412所对应的衬底10，以在刻蚀之后的区域内沉积第二子负载结构412，如此可以保证第二子负载结构412具有较大的厚度，进而进一步减低第二子负载结构412所对应区域的声速，保证第一子负载结构411所对应区域的声速与第二子负载结构412所对应区域具有较大的声速差，提高对横向模的抑制效果，此外，通过设置第一子负载结构411与第二子负载结构412的上表面平齐，有利于保证谐振器表面的平整度。

具体的，沿声表面波谐振器的厚度方向Z，第四子负载结构414的厚度大于或者等于第三子负载结构413的厚度。进一步的，第三子负载结构413远离衬底10一侧的表面与第四子负载结构414远离衬底10一侧的表面位于同一水平面。如此一方面能够进一步抑制横向模，另一方面有利于保证谐振器表面的平整度。

综上，本发明实施例提供的声表面波谐振器，通过设置多个负载结构组，负载结构组位于间隙，且负载结构组包括第一负载结构以及第二负载结构，第一负载结构与第一电极接触，第二负载结构与第二电极接触，也就是说，第一负载结构与第一电极的末端连接，第二负载结构与第二电极的末端连接。进一步的，第一负载结构以及第二负载结构均包括沿第一方向排列的至少两个子负载结构；且同一负载结构中两个子负载结构和与子负载结构接触的电极，任意两者的密度不相同，如此声表面波在沿第一方向传输时，存在声速差，能够将沿第一方向泄露的声表面波反射回有源区，进而提高谐振器的Q值。

基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种滤波器，包括上述实施例中的声表面波谐振器，因此，本发明实施例提供的滤波器也具备上述实施例所描述的有益效果，此处不再赘述。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括：

衬底；

多个叉指电极组，位于所述衬底的一侧，所述叉指电极组包括第一电极和第二电极，所述第一电极以及所述第二电极沿第一方向排列，且均沿所述第一方向延伸，所述第一电极的延伸长度小于所述第二电极的延伸长度；沿所述第一方向，所述第一电极与所述第二电极之间包括间隙；所述第一方向与所述衬底所在平面平行；

多个负载结构组，位于所述衬底的一侧且位于所述间隙内，所述负载结构组包括沿所述第一方向排列的第一负载结构以及第二负载结构，所述第一负载结构与所述第一电极接触，所述第二负载结构与所述第二电极接触；所述第一负载结构以及所述第二负载结构均包括沿所述第一方向排列的至少两个子负载结构；且同一负载结构中两个所述子负载结构和与所述子负载结构接触的电极，任意两者的密度不相同。

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一负载结构包括第一子负载结构和第二子负载结构，所述第一子负载结构分别与所述第一电极以及所述第二子负载结构接触；所述第一子负载结构的密度小于所述第一电极的密度，所述第二子负载结构的密度大于所述第一电极的密度；

所述第二负载结构包括第三子负载结构和第四子负载结构，所述第三子负载结构分别与所述第二电极以及所述第四子负载结构接触；所述第三子负载结构的密度小于所述第二电极的密度，所述第四子负载结构的密度大于所述第二电极的密度。

3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一负载结构包括i个子负载结构；i≥3，且i为整数；

第i个子负载结构的密度与第(i-1)个子负载结构的密度不相同；

所述第二负载结构包括第j个子负载结构；j≥3，且j为整数；

所述第j个子负载结构的密度与第(j-1)个子负载结构的密度不相同。

4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，同一所述负载结构中的至少两个所述子负载结构在所述第一方向上的长度相同。

5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，沿第二方向，任意相邻两个所述第一电极之间的尺寸与任意相邻两个所述第二电极之间的尺寸相同且均为λ；所述第二方向与所述第一方向相交且与所述衬底所在平面平行；

沿所述第一方向，所述子负载结构的长度为L；

其中，L＝(2n+1)*(λ/4)，n≥0，且n为整数。

6.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一负载结构中的任一子负载结构在第二方向上的宽度大于或者等于所述第一电极的宽度；

所述第二负载结构中的任一子负载结构在所述第二方向上的宽度大于或者等于所述第二电极的宽度；所述第二方向与所述第一方向相交且与所述衬底所在平面平行。

7.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一负载结构包括第一子负载结构和第二子负载结构，所述第一子负载结构分别与所述第一电极以及所述第二子负载结构接触；沿所述声表面波谐振器的厚度方向，所述第二子负载结构的厚度大于或者等于所述第一子负载结构的厚度；

所述第二负载结构包括第三子负载结构和第四子负载结构，所述第三子负载结构分别与所述第二电极以及所述第四子负载结构接触；沿所述声表面波谐振器的厚度方向，所述第四子负载结构的厚度大于或者等于所述第三子负载结构的厚度。

8.根据权利要求7所述的声表面波谐振器，其特征在于，沿所述声表面波谐振器的厚度方向，所述第一子负载结构远离所述衬底一侧的表面与所述第二子负载结构远离所述衬底一侧的表面位于同一水平面；

所述第三子负载结构远离所述衬底一侧的表面与所述第四子负载结构远离所述衬底一侧的表面位于同一水平面。

9.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极沿第二方向依次交替设置；所述第二方向与所述第一方向相交且与所述衬底所在平面平行。

10.一种滤波器，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述声表面波谐振器。