CN118019389A - 像素和显示装置 - Google Patents

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CN118019389A CN202311354129.8A CN202311354129A CN118019389A CN 118019389 A CN118019389 A CN 118019389A CN 202311354129 A CN202311354129 A CN 202311354129A CN 118019389 A CN118019389 A CN 118019389A
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权五正
金寿桢
李美禾
李泓燃
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Abstract

本公开涉及一种像素和一种显示装置。像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素、第二子像素和第三子像素各自包括发射区域和非发射区域。第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一者包括：像素电路层；第一电极，在像素电路层上；像素限定层，在非发射区域中，像素限定层包括设置在第一电极上的开口，以暴露第一电极的与发射区域对应的区域；发射层，在像素限定层上；第二电极，在发射层上；薄膜封装层，在第二电极上；滤色器，在薄膜封装层上；以及外覆层，在滤色器上。外覆层具有比滤色器的折射率大的折射率。在平面图中，第二子像素的滤色器在非发射区域中与第一子像素和第三子像素中的每一者的滤色器重叠。

Description

像素和显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年11月9日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0148923号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含在本文中。
技术领域
本公开总体上涉及一种像素和一种包括像素的显示装置。
背景技术
近来，随着对信息显示的兴趣增加，已经连续进行了显示装置的研究和开发。
将理解的是，本背景技术部分旨在部分地提供用于理解技术的有用的背景。然而，本背景技术部分还可以包括不作为在本文中公开的主题的相应有效申请日之前由相关领域的技术人员已知或领会的内容的一部分的思想、构思或认知。
发明内容
实施例提供了一种具有改善的光发射效率和改善的制造效率的像素。
实施例还提供了一种包括上述像素的显示装置。
将由本公开实现的技术目标不限于本文中描述的技术目标，并且本文中未提及的其它技术目标将由本领域技术人员根据本公开的描述清楚地理解。
根据本公开的一方面，提供了一种像素，所述像素可以包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素各自包括发射区域和非发射区域。所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一者可以包括：像素电路层，设置在基底上；第一电极，设置在所述像素电路层上；像素限定层，设置在所述非发射区域中，所述像素限定层包括设置在所述第一电极上的开口，以暴露所述第一电极的与所述发射区域对应的区域；发射层，设置在所述像素限定层上；第二电极，设置在所述发射层上；薄膜封装层，设置在所述第二电极上；滤色器，设置在所述薄膜封装层上；以及外覆层，设置在所述滤色器上。所述外覆层具有比所述滤色器的折射率大的折射率。在平面图中，所述第二子像素的滤色器在所述非发射区域中与所述第一子像素和所述第三子像素中的每一者的滤色器重叠。
所述滤色器可以包括含有氟的单体和二氧化硅。
所述滤色器可以具有在大约1.4至大约1.55的范围内的折射率，并且所述外覆层可以具有在大约1.55至大约1.7的范围内的折射率。
所述第二子像素的所述滤色器可以包括：第一端部部分，在所述非发射区域中设置在所述第一子像素的所述滤色器上；和第二端部部分，面对所述第一端部部分并且在所述非发射区域中设置在所述第三子像素的所述滤色器上。所述第一端部部分与所述第一子像素的所述滤色器的重叠区域和所述第二端部部分与所述第三子像素的所述滤色器的重叠区域中的每一者的宽度可以大约等于或大于通过从所述像素限定层的宽度减去大约0.6μm获得的值，并且可以大约等于或小于通过将大约0.2μm加到所述像素限定层的所述宽度获得的值。
所述第二子像素的所述滤色器的所述第一端部部分和所述第二端部部分中的每一者可以在相应的所述重叠区域中具有大约1μm或更高的高度。
所述第一端部部分和所述第二端部部分中的每一者可以具有在大约65度至大约90度的范围内的侧坡角。
所述基底可以包括硅晶圆基底。
所述像素电路层可以包括：栅极绝缘层；栅极电极，设置在所述栅极绝缘层上；以及源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区在所述基底中设置在所述栅极电极的两侧处。
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一者还可以包括：导电图案，设置在所述像素电路层上；通孔层，设置在所述导电图案与所述第一电极之间；以及通孔插塞，在贯穿所述通孔层的同时接触所述导电图案。所述通孔插塞可以电连接到所述第一电极。
所述第一子像素的所述滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器之中的一个滤色器。所述第二子像素的所述滤色器可以包括所述红色滤色器、所述绿色滤色器和所述蓝色滤色器之中的另一滤色器。所述第三子像素的所述滤色器可以包括所述红色滤色器、所述绿色滤色器和所述蓝色滤色器之中的又一滤色器。
所述基底可以包括透明绝缘材料。
所述第一子像素的发射层可以发射第一颜色的光。所述第二子像素的发射层可以发射与所述第一颜色的所述光不同的第二颜色的光。所述第三子像素的发射层可以发射与所述第二颜色的所述光不同的第三颜色的光。所述第一子像素的所述发射层、所述第二子像素的所述发射层和所述第三子像素的所述发射层可以彼此间隔开。
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一者还可以包括：堤，在所述非发射区域中设置在所述薄膜封装层上；以及颜色转换图案，在所述发射区域中设置在所述薄膜封装层上，所述颜色转换图案被所述堤围绕。
根据另一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置可以包括：基底，包括发射区域和非发射区域；像素电路层，设置在所述基底上；第1-1电极、第1-2电极和第1-3电极，所述第1-1电极、所述第1-2电极和所述第1-3电极设置在所述像素电路层上，所述第1-1电极、所述第1-2电极和所述第1-3电极彼此间隔开；像素限定层，设置在所述第1-1电极、所述第1-2电极和所述第1-3电极上，所述像素限定层包括暴露所述第1-1电极、所述第1-2电极和所述第1-3电极中的每一者的在所述发射区域中的区域的开口；发射层，设置在由所述开口暴露的所述第1-1电极、所述第1-2电极和所述第1-3电极、所述像素限定层的侧部以及所述像素限定层的顶部上；第二电极，设置在所述发射层上；薄膜封装层，设置在所述第二电极上；滤色器层，设置在所述薄膜封装层上，所述滤色器层包括：第一滤色器，对应于所述第1-1电极；第二滤色器，对应于所述第1-2电极；和第三滤色器，对应于所述第1-3电极；以及外覆层，设置在所述滤色器层上。所述外覆层具有比所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器中的每一者的折射率大的折射率。在平面图中，所述非发射区域中的邻近于彼此设置的两个滤色器彼此重叠。
所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器中的每一者可以包括含有氟的单体和二氧化硅。
所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器中的每一者可以具有在大约1.40至大约1.55的范围内的折射率，并且所述外覆层可以具有在大约1.55至大约1.7的范围内的折射率。
所述第二滤色器可以包括：第一端部部分，在所述非发射区域中设置在所述第一滤色器上；和第二端部部分，面对所述第一端部部分并且设置在所述第三滤色器上。所述第一端部部分与所述第一滤色器的重叠区域和所述第二端部部分与所述第三滤色器的重叠区域中的每一者的宽度可以大约等于或大于通过从所述像素限定层的宽度减去大约0.6μm获得的值，并且大约等于或小于通过将大约0.2μm加到所述像素限定层的所述宽度获得的值。
所述第二滤色器的所述第一端部部分和所述第二端部部分中的每一者可以在相应的所述重叠区域中具有大约1μm或更高的高度。
所述第一端部部分和所述第二端部部分中的每一者可以具有在大约65度至大约90度的范围内的侧坡角。
所述基底可以包括硅晶圆基底。
附图说明
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，所述示例实施例可以被以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达示例实施例的范围。
图1是示意性地示出根据实施例的显示装置的示意性平面图。
图2是示出根据实施例的显示装置中的像素和驱动器的实施例的示意性框图。
图3是示出根据实施例的显示面板的示意性截面图。
图4是示出根据实施例的显示面板的示意性分解透视图。
图5是示出根据实施例的像素的示意性平面图。
图6和图7是沿图5中示出的线I-I’截取的示意性截面图。
图8是示出图6中示出的部分EA的示意性放大图。
图9是沿图5中示出的线II-II’截取的示意性截面图。
图10示出了根据实施例的像素，并且是与图5中示出的线I-I’对应的示意性截面图。
图11示出了根据实施例的像素，并且是与图5中示出的线I-I’对应的示意性截面图。
具体实施方式
本公开可以应用各种变化和不同的形状，并且因此示出了示例。然而，示例不限于所公开的形状，而是适用于所有的变化和等同物。
同样的附图标记始终指代同样的元件。在附图中，为了清楚起见，某些线、层、组件、元件或特征的厚度可以被夸大。
除非上下文另外明确指出，否则如本文中所使用的，单数形式“一”“一个(种/者)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。
在说明书和权利要求书中，术语“和/或”出于其含义和解释的目的旨在包括术语“和”以及“或”的任意组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意味着“A、B、或者A和B”。术语“和”以及“或”可以在合取或析取的意义上使用并且可以被理解为等同于“和/或”。
在说明书和权利要求书中，短语“……中的至少一个(种/者)”出于其含义和解释的目的旨在包括“选自……的组中的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一者”可以被理解为意味着“A、B、或者A和B”。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的“第一”元件也可以被称为“第二”元件。
将进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises、comprising)”、“包含(includes和/或including)”、“具有(has、have和/或having)”和它们的变体说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
此外，元件(诸如层、区、基底或板)放置或设置“在”另一元件“上”或“上方”的表述不仅表示所述元件“直接”放置或设置“在”所述另一元件“上”或者放置或设置“在”所述另一元件“正上方”的情况，而且表示又一元件介于所述元件与所述另一元件之间的情况。相反，元件(诸如层、区、基底或板)放置或设置“在”另一元件“之下”或“下方”的表述不仅表示所述元件“直接”放置或设置“在”所述另一元件“之下”或者放置或设置“在”所述另一元件“正下方”的情况，而且表示又一元件介于所述元件与所述另一元件之间的情况。
术语“与……重叠”或“与……重叠的”意味着第一对象可以在第二对象上方或下方或者在第二对象的侧部，并且反之亦然。此外，术语“与……重叠”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、在……之上延伸、覆盖或部分地覆盖、或者如将由本领域普通技术人员领会和理解的任何其它合适的术语。
当元件被描述为“不与”另一元件“重叠”或“将不与”另一元件“重叠”时，这可以包括这些元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开或者如将由本领域普通技术人员领会和理解的任何其它合适的术语。
术语“面对”和“面向”意味着第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件介于第一元件与第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对，但是仍然彼此面对。
在本说明书中，将理解的是，当元件(例如，第一元件)与另一元件(例如，第二元件)“(可操作性地或通信地)耦接/(可操作性地或通信地)耦接到”另一元件(例如，第二元件)或者“连接到”另一元件(例如，第二元件)，所述元件可以与所述另一元件直接耦接/直接耦接到所述另一元件或者直接连接到所述另一元件，并且在所述元件与所述另一元件之间可以存在居间元件(例如，第三元件)。另外，在本说明书中，术语“连接”或“耦接”可以包含性地意味着连接或者物理耦接和/或电耦接。
在下文中，将参照附图详细描述本领域技术人员容易地理解本公开的内容所需的实施例。
考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文中所使用的“大约(约)”或“近似”包括所陈述的值，并且表示在如由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约(约)”可以表示在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、或±5％内。
除非在本文中另外定义或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的具有相同的含义。还将理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义相一致的含义，并且将不以理想化的或过于形式化的意义进行解释。
图1是示意性地示出根据实施例的显示装置DD的示意性平面图。
在图1中，为了描述的方便，基于其中显示图像的显示区域DA简要地示出了显示装置DD(特别地，提供在显示装置DD中的显示面板DP)的结构。
参考图1，根据实施例的显示装置DD可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的像素PXL、提供在基底SUB上并且驱动像素PXL的驱动器、以及将像素PXL和驱动器彼此连接的线部分。
基底SUB可以是使用半导体工艺形成的硅晶圆基底。基底SUB可以包括半导体材料(例如，IV族半导体、III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体)，但是本公开不限于此。在实施例中，基底SUB可以包括能够使光透射穿过基底SUB的透明绝缘材料。例如，基底SUB可以是刚性基底或柔性基底。
基底SUB中的一个区域或一区域可以被提供为显示区域DA，使得像素PXL设置在显示区域DA中，并且基底SUB中的另一个区域可以被提供为非显示区域NDA。例如，基底SUB可以包括显示区域DA和非显示区域NDA，显示区域DA包括其中设置各个像素PXL的像素区域，并且非显示区域NDA设置在显示区域DA的至少一个侧或至少一侧处(或者邻近于显示区域DA设置)。
显示区域DA可以具有各种形状。例如，显示区域DA可以被提供为各种形状，诸如包括线性边的封闭多边形、包括弯曲边的圆形或椭圆形等、以及包括线性边和弯曲边的半圆形或半椭圆形等。
非显示区域NDA可以提供在显示区域DA的至少一个侧或至少一侧处。例如，非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的周边。
像素PXL可以提供在基底SUB的显示区域DA中，并且电连接到线。
多个像素PXL中的每一个可以包括发射白光和/或有色光的发光元件以及用于驱动发光元件的像素电路。像素电路可以包括电连接到发光元件的至少一个晶体管。每个像素PXL可以发射红色、绿色和蓝色之中的任何一种颜色的光。然而，本公开不限于此，并且每个像素PXL可以发射青色、品红色、黄色和白色之中的一种颜色的光。
像素PXL可以沿着在第一方向DR1上延伸的行和在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸的列以矩阵形式布置(或设置)。然而，像素PXL的布置形式不被特别地限制，并且像素PXL可以以各种形式布置。
驱动器可以通过线部分将信号提供到每个像素PXL，并且因此，可以控制每个像素PXL的驱动。驱动器可以在顺序地扫描显示区域DA的像素PXL的同时将与图像数据信号对应的数据信号供应到像素PXL。显示装置DD可以显示与图像数据对应的图像。
图2是示出根据实施例的显示装置DD中的像素PXL和驱动器的实施例的示意性框图。
参考图1和图2，根据实施例的显示装置DD可以包括显示面板DP、驱动器和线部分。
显示面板DP可以显示与从图像处理器IPP和扫描驱动器SDV供应的数据信号DATA和扫描信号对应的图像。显示面板DP可以包括用于显示图像的像素PXL。
驱动器可以包括图像处理器IPP、时序控制器TC、数据驱动器DDV和扫描驱动器SDV。
图像处理器IPP可以输出数据使能信号DE等以及从外部供应的数据信号DATA。除了数据使能信号DE之外，图像处理器IPP还可以输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的至少一者。
时序控制器TC可以接收从图像处理器IPP供应的数据使能信号DE或包括垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号等的驱动信号、以及数据信号DATA。时序控制器TC可以基于驱动信号输出用于控制扫描驱动器SDV的操作时序的栅极控制信号GCS和用于控制数据驱动器DDV的操作时序的数据控制信号DCS。
数据驱动器DDV可以将从时序控制器TC供应的数据信号DATA转换成对应的数据电压，并且响应于从时序控制器TC供应的数据控制信号DCS输出数据电压。数据驱动器DDV可以将数据电压供应到数据线DL1至DLm(m是大于0的正整数)。供应到数据线DL1至DLm的数据电压可以被供应到由扫描信号选择的像素PXL。
扫描驱动器SDV可以响应于从时序控制器TC供应的栅极控制信号GCS将扫描信号施加到扫描线S1至Sn(n是大于0的正整数)。例如，在扫描驱动器SDV将扫描信号顺序地供应到扫描线S1至Sn的情况下，可以以水平线为单位顺序地选择像素PXL。
图3是示出根据实施例的显示面板DP的示意性截面图。图4是示出根据实施例的显示面板DP的示意性分解透视图。
关于图3和图4中示出的实施例，将描述与上述实施例的部分不同的部分以避免冗余。
参考图1至图4，显示面板DP可以包括基底SUB、像素PXL和外覆层OC。
多个像素PXL中的每一个可以包括子像素SPX1、SPX2和SPX3。例如，每个像素PXL可以包括邻近于彼此布置的第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3，但是本公开不限于此。在实施例中，每个像素PXL可以包括四个子像素或者包括两个子像素。
多个像素PXL中的每一个可以包括顺序地定位(或设置)在基底SUB上的像素电路层PCL、通孔层VIA、显示元件层DPL、薄膜封装层TFE和滤色器层CFL。
像素电路层PCL可以设置在基底SUB上，并且包括多个电路元件和定位在多个电路元件之间的至少一个绝缘层。电路元件可以包括晶体管和连接到晶体管的信号线。例如，晶体管可以是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，但是本公开不限于此。电路元件可以包括例如栅极电极、源极区或漏极区、以及沟道区。
通孔层VIA可以选择性地设置在像素电路层PCL上。通孔层VIA可以设置在像素电路层PCL上，以覆盖像素电路层PCL。通孔层VIA可以根据基底SUB的材料选择性地提供。例如，在基底SUB是硅晶圆基底的情况下，通孔层VIA可以具有谐振结构(resonantstructure)，以便改善从显示元件层DPL发射的光的提取效率。通孔层VIA可以被部分地打开以包括通孔，并且像素电路层PCL的电路元件和显示元件层DPL的第一电极EL1可以通过设置在通孔内部的通孔插塞彼此电连接。在实施例中，在基底SUB可以包括诸如玻璃或塑料的透明绝缘材料的情况下，通孔层VIA可以以包括在像素电路层PCL中的多个绝缘层中的一个的形式提供或者被省略。
显示元件层DPL可以设置在通孔层VIA上。显示元件层DPL可以包括发光元件LD和像素限定层PDL。发光元件LD可以定位在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者中。发光元件LD可以包括第一电极EL1、发射层EML和第二电极EL2。第一电极EL1可以是发光元件LD的阳极，并且第二电极EL2可以是发光元件LD的阴极。
在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者中，从第一电极EL1注入的空穴和从第二电极EL2注入的电子可以被传输到发射层EML中以形成激子。在激子从激发态改变为基态的情况下，可以以可见光线的形式产生光并且发射光。
第一电极EL1可以设置在通孔层VIA上。第一电极EL1可以包括能够使光透射穿过第一电极EL1的透明导电材料，但是本公开不限于此。在实施例中，第一电极EL1可以包括具有反射率的不透明导电材料，光可以被以所述反射率反射。
像素限定层PDL可以定位在第一电极EL1上。像素限定层PDL可以包括暴露第一电极EL1的一个区域或一区域的开口OP。
发射层EML可以定位在由像素限定层PDL的开口OP暴露的第一电极EL1上。另外，发射层EML可以定位在像素限定层PDL的侧部和顶部上。发射层EML可以是公共地提供在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的公共层，但是本公开不限于此。在本公开的精神和范围内，发射层EML可以包括发射光的光发生层、电子传输层和空穴传输层等。
第二电极EL2可以定位在发射层EML上，从而覆盖发射层EML。第二电极EL2可以是公共地提供在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的公共层。
薄膜封装层TFE可以定位在第二电极EL2上。薄膜封装层TFE可以覆盖第二电极EL2，从而防止氧气和/或湿气渗透到发光元件LD中。
滤色器层CFL可以定位在薄膜封装层TFE上。滤色器层CFL可以使从发光元件LD发射的光在显示装置DD的图像显示方向(或正面方向)上选择性地透射穿过滤色器层CFL。
外覆层OC可以设置在具有上述配置的像素PXL上。外覆层OC可以覆盖包括滤色器层CFL的下部构件。外覆层OC可以保护上述下部构件免受诸如灰尘的异物的影响。为了方便起见，在上述实施例中已经描述了外覆层OC不被包括在每个像素PXL中而是一个单独的组件的情况。然而，本公开不限于此。外覆层OC可以是包括在每个像素PXL中的部分组件。
图5是示出根据实施例的像素PXL的示意性平面图。
在图5中，像素PXL不仅可以包括包含在像素PXL中的组件，而且可以包括其中提供(或定位)组件的区域。
参考图1至图5，像素PXL可以定位在提供在显示区域DA中的像素区域PXA中。像素区域PXA可以包括发射区域EMA和非发射区域NEA。
像素PXL可以包括第一子像素SPX1(或第一像素)、第二子像素SPX2(或第二像素)和第三子像素SPX3(或第三像素)。
第一子像素SPX1可以包括第一发射区域EMA1和邻近于第一发射区域EMA1(或围绕第一发射区域EMA1的至少一个侧或至少一侧)的非发射区域NEA。第二子像素SPX2可以包括第二发射区域EMA2和邻近于第二发射区域EMA2(或围绕第二发射区域EMA2的至少一个侧或至少一侧)的非发射区域NEA。第三子像素SPX3可以包括第三发射区域EMA3和邻近于第三发射区域EMA3(或围绕第三发射区域EMA3的至少一个侧或至少一侧)的非发射区域NEA。第一发射区域EMA1、第二发射区域EMA2和第三发射区域EMA3可以构成像素PXL的发射区域EMA。
第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者可以包括发射光的发光元件(见图4中示出的“发光元件LD”)和用于驱动发光元件LD的电路元件。第一发射区域EMA1可以是其中从由第一子像素SPX1的电路元件驱动的发光元件LD发射光的区域(或其中穿过第一滤色器CF1的光被发射的区域)。第二发射区域EMA2可以是其中从由第二子像素SPX2的电路元件驱动的发光元件LD发射光的区域(或其中穿过第二滤色器CF2的光被发射的区域)。第三发射区域EMA3可以是其中从由第三子像素SPX3的电路元件驱动的发光元件LD发射光的区域(或其中穿过第三滤色器CF3的光被发射的区域)。
定位在第一子像素SPX1中的发光元件LD可以包括第1-1电极EL1_1、定位在第1-1电极EL1_1上的发射层(见图6中示出的“发射层EML”)以及定位在发射层EML上的第二电极(见图6中示出的“第二电极EL2”)。定位在第二子像素SPX2中的发光元件LD可以包括第1-2电极EL1_2、定位在第1-2电极EL1_2上的发射层EML以及定位在发射层EML上的第二电极EL2。定位在第三子像素SPX3中的发光元件LD可以包括第1-3电极EL1_3、定位在第1-3电极EL1_3上的发射层EML以及定位在发射层EML上的第二电极EL2。第1-1电极EL1_1、第1-2电极EL1_2和第1-3电极EL1_3可以构成像素PXL的第一电极EL1。
在第一子像素SPX1中，第一滤色器CF1可以设置在第1-1电极EL1_1上方。在第二子像素SPX2中，第二滤色器CF2可以设置在第1-2电极EL1_2上方。在第三子像素SPX3中，第三滤色器CF3可以设置在第1-3电极EL1_3上方。例如，在第一子像素SPX1是发射红光的红色子像素的情况下，第一滤色器CF1可以是红色滤色器。在第二子像素SPX2是发射绿光的绿色子像素的情况下，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器。在第三子像素SPX3是发射蓝光的蓝色子像素的情况下，第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器。
其中滤色器CF彼此重叠的重叠区域OVA可以定位在公共地提供在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3之中的相邻的子像素中的非发射区域NEA中。例如，其中第一滤色器CF1和第二滤色器CF2彼此重叠的第一重叠区域OVA1可以定位在公共地提供在第一子像素SPX1与第二子像素SPX2中的非发射区域NEA中。其中第二滤色器CF2和第三滤色器CF3彼此重叠的第二重叠区域OVA2可以定位在公共地提供在第二子像素SPX2与第三子像素SPX3中的非发射区域NEA中。
定位在第一重叠区域OVA1和第二重叠区域OVA2中的每一者中的滤色器CF可以在彼此重叠的同时被设置，以用作用于阻止相邻的子像素之间的光干涉的光阻挡构件。另外，滤色器CF可以与最终限定第一发射区域EMA1、第二发射区域EMA2和第三发射区域EMA3中的每一者的结构对应。
在实施例中，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者可以包括定位在非发射区域NEA中的第一端部部分和第二端部部分。例如，第一滤色器CF1可以包括第一端部部分EP1和第二端部部分EP2，第一端部部分EP1和第二端部部分EP2在第一方向DR1上彼此相反，第二滤色器CF2可以包括第一端部部分EP3和第二端部部分EP4，第一端部部分EP3和第二端部部分EP4在第一方向DR1上彼此面对，并且第三滤色器CF3可以包括第一端部部分EP5和第二端部部分EP6，第一端部部分EP5和第二端部部分EP6在第一方向DR1上彼此相反。第一滤色器CF1的第二端部部分EP2和第二滤色器CF2的第一端部部分EP3在彼此重叠的同时设置在公共地提供在第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的非发射区域NEA(或第一重叠区域OVA1)中，以用作用于阻止第一子像素SPX1和第二子像素SPX2之间的光干涉的光阻挡构件。第二滤色器CF2的第二端部部分EP4和第三滤色器CF3的第一端部部分EP5在彼此重叠的同时设置在公共地提供在第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的非发射区域NEA(或第二重叠区域OVA2)中，以用作用于阻止第二子像素SPX2和第三子像素SPX3之间的光干涉的光阻挡构件。
在下文中，根据上述实施例的像素PXL的堆叠结构(或截面结构)将参照图6至图9详细地描述。
图6和图7是沿图5中示出的线I-I’截取的示意性截面图。图8是示出图6中示出的部分EA的示意性放大图。图9是沿图5中示出的线II-II’截取的示意性截面图。
在本公开的精神和范围内，图7中示出的实施例示出了与第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3等的形成顺序有关的图6的修改示例。
在图6至图9中示出的实施例中，像素PXL的堆叠结构(或截面结构)被简化和示出(诸如每个电极被示出为具有信号层的电极，并且每个绝缘层被示出为作为单层提供的绝缘层)，但是本公开不限于此。
关于图6至图9中示出的实施例，将描述与上述实施例的部分不同的部分以避免冗余。
参考图1至图9，根据实施例的像素PXL可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。
第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者可以包括顺序地定位(或设置)在基底SUB上的像素电路层PCL、通孔层VIA、显示元件层DPL、薄膜封装层TFE、滤色器层CFL和外覆层OC。
基底SUB可以包括使用半导体工艺形成的硅晶圆基底。基底SUB可以包括半导体材料(例如，IV族半导体、III-V族化合物半导体或II-VI族化合物半导体)。例如，IV族半导体可以包括硅、锗或硅-锗。在本公开的精神和范围内，基底SUB可以被提供为块状晶圆、外延层、绝缘体上硅(SOI)层或绝缘体上半导体(SeOI)层等。
像素电路层PCL可以设置在基底SUB上。像素电路层PCL可以包括电路元件CIE、电路绝缘层PC_INS、接触插塞CTP和电路线SL。
电路元件CIE可以包括晶体管(例如，驱动晶体管)。电路元件CIE可以包括栅极绝缘层GI、栅极电极GE和栅极间隔件GS。第一区FA和第二区SA可以在基底SUB中设置在栅极电极GE的两侧处。第一区FA和第二区SA中的一者可以是源极区，并且第一区FA和第二区SA中的另一者可以是漏极区。
栅极绝缘层GI可以设置在基底SUB上。栅极绝缘层GI可以包括氧化物、氮化物或高介电常数(高-k)材料。高介电常数材料可以表示具有比氧化硅(SiOx)的介电常数高的介电常数的介电材料。例如，高介电常数材料可以是氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钇(Y2O3)、氧化锆(ZrO2)、氧化锆硅(ZrSixOy)、氧化铪(HfO2)、氧化铪硅(HfSixOy)、氧化镧(La2O3)、氧化镧铝(LaAlxOy)、氧化镧铪(LaHfxOy)、氧化铪铝(HfAlxOy)和氧化镨(Pr2O3)中的任何一种，但是本公开不限于此。
栅极电极GE可以设置在栅极绝缘层GI上。栅极电极GE可以包括导电材料。导电材料可以包括例如金属氮化物(诸如氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)或氮化钨(WN))和/或金属材料(诸如铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)或钼(Mo))、或半导体材料(诸如经掺杂的多晶硅)。栅极电极GE可以是单层或包括至少两层的多层。
栅极间隔件GS可以设置在栅极电极GE的两侧处，并且将第一区FA和第二区SA与栅极电极GE彼此绝缘。在实施例中，栅极间隔件GS可以以多层结构提供。栅极间隔件GS可以由氧化物、氮化物和氮氧化物制成。例如，栅极间隔件GS可以由低介电常数层形成。
第一区FA和第二区SA可以在基底SUB中设置在栅极电极GE的两侧处。第一区FA和第二区SA可以对应于包括硅(Si)的半导体层，并且包括不同种类和/或不同浓度的杂质。
沟道区CHA可以设置在栅极电极GE下面或下方。沟道区CHA可以连接到第一区FA和第二区SA。沟道区CHA可以由半导体材料制成，并且包括例如硅(Si)、硅锗(SiGe)和锗(Ge)中的至少一种。
接触插塞CTP可以在使第一区FA和第二区SA凹入的同时与第一区FA和第二区SA接触，并且设置为与第一区FA和第二区SA的顶部接触。然而，本公开不限于此。接触插塞CTP可以包括例如金属氮化物(诸如氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)或氮化钨(WN))和/或金属(诸如铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)或钼(Mo)材料)，但是本公开不限于此。
电路绝缘层PC_INS可以在基底SUB上设置在电路元件CIE上。接触插塞CTP可以在贯穿电路绝缘层PC_INS的同时电连接到第一区FA和第二区SA。尽管在附图中未直接示出，但是栅极电极GE和接触插塞CTP可以彼此电连接。电路线SL可以电连接到接触插塞CTP，并且以多层设置。
像素电路层PCL还可以包括扫描线和设置为与扫描线相交的数据线。扫描线可以通过扫描驱动器(见图2中示出的“扫描驱动器SDV”)被供应有扫描信号，并且数据线可以通过数据驱动器(见图2中示出的“数据驱动器DDV”)被供应有数据电压。
电路元件CIE构成的晶体管可以电连接到对应的子像素的第一电极。例如，第一子像素SPX1中的电路元件CIE构成的晶体管可以电连接到第1-1电极EL1_1，第二子像素SPX2中的电路元件CIE构成的晶体管可以电连接到第1-2电极EL1_2，并且第三子像素SPX3中的电路元件CIE构成的晶体管可以电连接到第1-3电极EL1_3。
第一导电图案CP1、第二导电图案CP2和第三导电图案CP3可以在像素电路层PCL上设置为彼此间隔开。第一导电图案CP1、第二导电图案CP2和第三导电图案CP3可以设置在同一平面上，并且在第三方向DR3上具有相同的厚度。第一导电图案CP1、第二导电图案CP2和第三导电图案CP3可以通过相同的工艺同时形成。
第一导电图案CP1可以在第一子像素SPX1中设置在电路绝缘层PC_INS上，并且电连接到晶体管。例如，第一导电图案CP1可以通过对应的电路线SL电连接到构成晶体管的电路元件CIE。
第二导电图案CP2可以在第二子像素SPX2中设置在电路绝缘层PC_INS上，并且电连接到晶体管。例如，第二导电图案CP2可以通过对应的电路线SL电连接到构成晶体管的电路元件CIE。
第三导电图案CP3可以在第三子像素SPX3中设置在电路绝缘层PC_INS上，并且电连接到晶体管。例如，第三导电图案CP3可以通过对应的电路线SL电连接到构成晶体管的电路元件CIE。
第一导电图案CP1、第二导电图案CP2和第三导电图案CP3可以用作反射构件以在向上方向(例如，第三方向DR3)上反射从发射层EML发射并朝向像素电路层PCL前进的光。第一导电图案CP1、第二导电图案CP2和第三导电图案CP3可以包括具有高反射率的金属材料。例如，第一导电图案CP1、第二导电图案CP2和第三导电图案CP3可以包括诸如铝(Al)或银(Ag)的材料，但是本公开不限于此。
在实施例中，缓冲金属层可以设置在第一导电图案CP1、第二导电图案CP2和第三导电图案CP3中的每一者上。缓冲金属层可以保护第一导电图案CP1、第二导电图案CP2和第三导电图案CP3中的每一者，增加金属之间的粘附力，并且降低金属之间的接触电阻。
通孔层VIA可以设置在第一导电图案CP1、第二导电图案CP2和第三导电图案CP3上。通孔层VIA可以覆盖第一导电图案CP1、第二导电图案CP2和第三导电图案CP3，并且覆盖相邻导电图案之间的电路绝缘层PC_INS。在实施例中，通孔层VIA可以用作平坦化层，所述平坦化层用于减小由设置在通孔层VIA下面的组件引起的台阶差，但是本公开不限于此。
在实施例中，通孔层VIA可以具有其中从发射层EML发射的光在设置为彼此竖直地间隔开的金属图案之间被反射和再反射的微腔结构。通孔层VIA可以包括具有高透射率的材料。例如，通孔层VIA可以是包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。无机绝缘层可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)和氧化铝(AlOx)中的至少一种。通孔层VIA可以被部分地打开，以暴露第一导电图案CP1、第二导电图案CP2和第三导电图案CP3中的每一者的一个区域或一区域。例如，通孔层VIA可以被部分地打开，以包括暴露第一导电图案CP1、第二导电图案CP2和第三导电图案CP3中的每一者的一个区域或一区域的通孔VIH。
通孔插塞VP可以设置在通孔VIH中。通孔插塞VP可以包括第一通孔插塞VP1、第二通孔插塞VP2和第三通孔插塞VP3。第一通孔插塞VP1、第二通孔插塞VP2和第三通孔插塞VP3中的每一者可以包括用于半导体工艺中的诸如钨或铜的导电材料，但是本公开不限于此。
第一通孔插塞VP1可以在第一子像素SPX1中在贯穿通孔层VIA的同时电连接到第一导电图案CP1。第一通孔插塞VP1可以通过与第一导电图案CP1接触的电路线SL电连接到电路元件CIE。另外，第一通孔插塞VP1可以电连接到显示元件层DPL的第1-1电极EL1_1。
第二通孔插塞VP2可以在第二子像素SPX2中在贯穿通孔层VIA的同时电连接到第二导电图案CP2。第二通孔插塞VP2可以通过与第二导电图案CP2接触的电路线SL电连接到电路元件CIE。另外，第二通孔插塞VP2可以电连接到显示元件层DPL的第1-2电极EL1_2。
第三通孔插塞VP3可以在第三子像素SPX3中在贯穿通孔层VIA的同时电连接到第三导电图案CP3。第三通孔插塞VP3可以通过与第三导电图案CP3接触的电路线SL电连接到电路元件CIE。另外，第三通孔插塞VP3可以电连接到显示元件层DPL的第1-3电极EL1_3。
在实施例中，通孔层VIA可以被省略。显示元件层DPL可以直接设置在像素电路层PCL上。第1-1电极EL1_1、第1-2电极EL1_2和第1-3电极EL1_3中的每一者可以在贯穿电路绝缘层PC_INS的同时直接连接到对应的电路线SL，以通过电路线SL电连接到对应的电路元件CIE。
显示元件层DPL可以设置在通孔层VIA上。显示元件层DPL可以包括发光元件LD和像素限定层PDL。发光元件LD可以包括定位在第一子像素SPX1中的第一发光元件LD1、定位在第二子像素SPX2中的第二发光元件LD2、以及定位在第三子像素SPX3中的第三发光元件LD3。
第一发光元件LD1可以包括第1-1电极EL1_1、发射层EML和第二电极EL2。第二发光元件LD2可以包括第1-2电极EL1_2、发射层EML和第二电极EL2。第三发光元件LD3可以包括第1-3电极EL1_3、发射层EML和第二电极EL2。
第1-1电极EL1_1、第1-2电极EL1_2和第1-3电极EL1_3中的每一者可以提供和/或形成在对应的子像素的通孔层VIA上。第1-1电极EL1_1、第1-2电极EL1_2和第1-3电极EL1_3可以在通孔层VIA上设置为彼此间隔开。第1-1电极EL1_1可以是第一发光元件LD1的阳极，第1-2电极EL1_2可以是第二发光元件LD2的阳极，并且第1-3电极EL1_3可以是第三发光元件LD3的阳极。
第1-1电极EL1_1、第1-2电极EL1_2和第1-3电极EL1_3可以包括能够使光透射穿过第1-1电极EL1_1、第1-2电极EL1_2和第1-3电极EL1_3的透明导电材料。例如，透明导电材料可以包括导电氧化物(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟镓锌(IGZO)或氧化铟锡锌(ITZO))和导电聚合物(诸如聚(3，4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)))等，但是本公开不限于此。在实施例中，第1-1电极EL1_1、第1-2电极EL1_2和第1-3电极EL1_3可以包括能够在向上方向上反射光的不透明导电材料。
像素限定层PDL可以设置在第1-1电极EL1_1、第1-2电极EL1_2、第1-3电极EL1_3和通孔层VIA上。
像素限定层PDL可以被部分地打开，以包括开口OP、另一开口OP以及又一开口OP，开口OP定位在非发射区域NEA中并且暴露第1-1电极EL1_1的至少在第一发射区域EMA1中的一个区域或一区域，另一开口OP定位在非发射区域NEA中并且暴露第1-2电极EL1_2的至少在第二发射区域EMA2中的一个区域或一区域，又一开口OP定位在非发射区域NEA中并且暴露第1-3电极EL1_3的至少在第三发射区域EMA3中的一个区域或一区域。
像素限定层PDL可以是包括有机材料的有机绝缘层。在本公开的精神和范围内，有机材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂等。在实施例中，像素限定层PDL可以包括光吸收材料或者具有涂覆在像素限定层PDL上的光吸收剂，以吸收从外部引入的光。例如，像素限定层PDL可以包括碳基黑色颜料。然而，本公开不限于此。
像素限定层PDL可以在第三方向DR3上从通孔层VIA的表面(或顶表面)突出。
发射层EML可以设置在由像素限定层PDL的开口OP暴露的第1-1电极EL1_1、由像素限定层PDL的另一开口OP暴露的第1-2电极EL1_2、以及由像素限定层PDL的又一开口OP暴露的第1-3电极EL1_3上。
发射层EML可以设置在由像素限定层PDL的开口OP、另一开口OP和又一开口OP暴露的第1-1电极EL1_1、第1-2电极EL1_2和第1-3电极EL1_3上。另外，发射层EML可以设置在像素限定层PDL的侧部和顶部上。发射层EML可以是公共地提供在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的公共层。
发射层EML可以具有包括用于产生光的光发生层的多层薄膜结构。例如，发射层EML可以包括用于注入空穴的空穴注入层、用于通过抑制在空穴的传输性方面优异且未在光发生层中结合的电子的移动来增加空穴复合机会的空穴传输层、用于通过注入的电子和空穴的复合来发射光的光发生层、用于抑制未在光发生层中结合的空穴的移动的空穴阻挡层、用于将电子顺利地传输到光发生层的电子传输层、以及用于注入电子的电子注入层。然而，本公开不限于此。
在实施例中，发射层EML可以发射基于白色的光。
第二电极EL2可以设置在发射层EML上。第二电极EL2可以是公共地提供在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的公共层。第二电极EL2可以遍及显示区域DA的整体以板形状提供。
第二电极EL2可以是薄金属层，所述薄金属层具有达到从第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者的发射层EML发射的光可以透射穿过所述薄金属层的程度的厚度。第二电极EL2可以由金属材料形成以具有相对薄的厚度，或者由透明导电材料形成。例如，第二电极EL2可以被配置有各种透明导电材料。第二电极EL2可以包括包含氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌、氧化铝锌、氧化镓锌、氧化锌锡和氧化镓锡的各种透明导电材料中的至少一种，并且形成为基本上透明的或半透明的，以满足可选择的透射率。因此，从定位在第二电极EL2的底部上的发射层EML发射的光可以在穿过第二电极EL2的同时从薄膜封装层TFE向上发射。
薄膜封装层TFE可以完全地提供和/或形成在第二电极EL2上。
薄膜封装层TFE可以包括顺序地定位在第二电极EL2上的第一封装层ENC1、第二封装层ENC2和第三封装层ENC3。第一封装层ENC1可以定位在显示元件层DPL(或第二电极EL2)上，从而遍及显示区域DA和非显示区域NDA的至少一部分定位。第二封装层ENC2可以定位在第一封装层ENC1上，从而遍及显示区域DA和非显示区域NDA的至少一部分定位。第三封装层ENC3可以定位在第二封装层ENC2上，从而遍及显示区域DA和非显示区域NDA的至少一部分定位。在实施例中，第三封装层ENC3可以遍及显示区域DA和非显示区域NDA的整体定位。
第一封装层ENC1和第三封装层ENC3中的每一者可以是包括无机材料的无机层，并且第二封装层ENC2可以是包括有机材料的有机层。在本公开的精神和范围内，无机层可以包括例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)等。有机层可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)树脂。
滤色器层CFL可以设置在薄膜封装层TFE上。滤色器层CFL可以包括滤色器CF。在示例中，滤色器层CFL可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
第一滤色器CF1可以设置在第一子像素SPX1中，第二滤色器CF2可以设置在第二子像素SPX2中，并且第三滤色器CF3可以设置在第三子像素SPX3中。第一滤色器CF1可以设置在薄膜封装层TFE上，以至少在第一发射区域EMA1中对应于第1-1电极EL1_1。第二滤色器CF2可以设置在薄膜封装层TFE上，以至少在第二发射区域EMA2中对应于第1-2电极EL1_2。第三滤色器CF3可以设置在薄膜封装层TFE上，以至少在第三发射区域EMA3中对应于第1-3电极EL1_3。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3之中的相邻的滤色器CF可以在彼此重叠的同时设置在非发射区域NEA中，以用作用于阻止相邻的子像素之间的光干涉的光阻挡构件。例如，第一滤色器CF1和第二滤色器CF2可以在公共地提供在第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的非发射区域NEA中设置为彼此重叠。第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以在公共地提供在第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的非发射区域NEA中设置为彼此重叠。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者可以包括吸收除对应的颜色波长以外的波长的着色剂(诸如染料或颜料)。例如，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的一者可以是使红光穿过其透射并且吸收除红光以外的波长范围的光的红色滤色器，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的另一者可以是使绿光穿过其透射并且吸收除绿光以外的波长范围的光的绿色滤色器，并且第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的又一者可以是使蓝光穿过其透射并且吸收除蓝光以外的波长范围的光的蓝色滤色器。例如，第一滤色器CF1可以是红色滤色器，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器，并且第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器。然而，本公开不限于此。
在实施例中，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的至少一者可以包括含有氟的单体，从而具有比定位在其顶部上的外覆层OC的折射率小的折射率。例如，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者可以包括含有氟的单体，从而具有比外覆层OC的折射率小的折射率。单体可以包括例如环氧基单体和(元)丙烯酸基单体。
在实施例中，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者可以包括树脂和分散在树脂内部的中空颗粒，从而具有比定位在其顶部上的外覆层OC的折射率小的折射率。中空颗粒可以是中空二氧化硅颗粒。中空二氧化硅颗粒是衍生自硅化合物或有机硅化合物的二氧化硅颗粒，并且可以表示处于在二氧化硅颗粒的表面上和/或内部存在空白空间的形式的颗粒。
上述第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者可以具有1.40至1.55的折射率，但是本公开不限于此。
外覆层OC可以设置在上述滤色器层CFL上。
外覆层OC可以设置在滤色器层CFL上，以覆盖包括滤色器层CFL的下部构件。外覆层OC可以防止湿气或氧气被引入到滤色器层CFL中。外覆层OC可以是包括有机材料的有机绝缘层。例如，外覆层OC可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。
在实施例中，外覆层OC可以具有比滤色器层CFL的折射率大的折射率。例如，外覆层OC可以具有1.55至1.7的折射率，但是本公开不限于此。
第一滤色器CF1和第二滤色器CF2可以在公共地提供在第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的非发射区域NEA中彼此重叠。非发射区域NEA可以包括其中第一滤色器CF1和第二滤色器CF2彼此重叠的第一重叠区域OVA1。第一滤色器CF1的第二端部部分EP2和第二滤色器CF2的第一端部部分EP3可以在第一重叠区域OVA1中彼此重叠。
第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以在公共地提供在第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的非发射区域NEA中彼此重叠。非发射区域NEA可以包括其中第二滤色器CF2和第三滤色器CF3彼此重叠的第二重叠区域OVA2。第二滤色器CF2的第二端部部分EP4和第三滤色器CF3的第一端部部分EP5可以在第二重叠区域OVA2中彼此重叠。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以通过不同的工艺形成。例如，第二滤色器CF2可以在形成第一滤色器CF1和第三滤色器CF3中的每一者之后形成。第二滤色器CF2的第一端部部分EP3可以在非发射区域NEA的第一重叠区域OVA1中定位在第一滤色器CF1的第二端部部分EP2上，并且第二滤色器CF2的第二端部部分EP4可以在非发射区域NEA的第二重叠区域OVA2中定位在第三滤色器CF3的第一端部部分EP5上。然而，本公开不限于此。在实施例中，如图7中所示，第一滤色器CF1和第三滤色器CF3中的每一者可以在形成第二滤色器CF2之后形成。第一滤色器CF1的第二端部部分EP2可以在非发射区域NEA的第一重叠区域OVA1中定位在第二滤色器CF2的第一端部部分EP3上，并且第三滤色器CF3的第一端部部分EP5可以在非发射区域NEA的第二重叠区域OVA2中定位在第二滤色器CF2的第二端部部分EP4上。
可以相对于像素限定层PDL的宽度W2设定第一重叠区域OVA1和第二重叠区域OVA2中的每一者的宽度W1。在实施例中，第一重叠区域OVA1和第二重叠区域OVA2中的每一者的宽度W1可以等于或大于通过从像素限定层PDL的宽度W2减去大约0.6μm获得的值，并且等于或小于通过将大约0.2μm加到像素限定层PDL的宽度W2获得的值。
第一重叠区域OVA1和第二重叠区域OVA2中的每一者中的定位在上侧处(或邻近于外覆层OC定位)的滤色器CF的高度H可以被测量为沿第三方向DR3从位于定位在上侧处的所述滤色器CF的底部上的滤色器CF的表面(或顶表面)起的最高点。例如，第一重叠区域OVA1中的第二滤色器CF2的第一端部部分EP3的高度H可以被测量为沿第三方向DR3从第一滤色器CF1的第二端部部分EP2的表面(或顶表面)起的最高点，并且第二重叠区域OVA2中的第二滤色器CF2的第二端部部分EP4的高度H可以被测量为沿第三方向DR3从第三滤色器CF3的第一端部部分EP5的表面(或顶表面)起的最高点。第二滤色器CF2的第一端部部分EP3和第二端部部分EP4中的每一者的高度H可以是大约1μm或更高。然而，本公开不限于此。在实施例中，对应的重叠区域OVA中的定位在上侧处的滤色器CF的高度H可以在大约1μm至大约2μm的范围内。
此外，第一重叠区域OVA1和第二重叠区域OVA2中的每一者中的定位在上侧处的滤色器CF的第一端部部分和第二端部部分中的每一者可以具有相对于位于定位在上侧处的所述滤色器CF的底部上的滤色器CF的表面倾斜的一侧。该侧的倾斜角θ(或锥度角或侧坡角)可以被设定为大约65度至大约90度的范围。例如，第一重叠区域OVA1中的第二滤色器CF2的第一端部部分EP3可以具有相对于第一滤色器CF1的第二端部部分EP2的表面(或顶表面)倾斜的一个侧或一侧，并且第二重叠区域OVA2中的第二滤色器CF2的第二端部部分EP4可以具有相对于第三滤色器CF3的第一端部部分EP5的表面(或顶表面)倾斜的另一个侧或另一侧。一个侧或一侧和另一个侧或另一侧中的每一者的倾斜角θ(或锥度角)可以在大约65度至大约90度的范围内。
在第一重叠区域OVA1和第二重叠区域OVA2中的每一者的宽度W1、对应的重叠区域OVA中的定位在上侧处的滤色器CF的高度H以及滤色器CF的多个侧中的每一个的倾斜角θ如上所述地设定，并且在滤色器CF的折射率小于定位在滤色器CF的顶部上的外覆层OC的折射率的情况下，可以进一步改善由于滤色器CF与外覆层OC之间的界面处的折射率差异而发生的全反射的效率。
穿过第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者的光可以大部分释放到对应的子像素的正面。穿过第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者的光的一部分可以入射到对应的子像素的非发射区域NEA(或重叠区域OVA)上。入射到非发射区域NEA上的光在第一重叠区域OVA1和第二重叠区域OVA2中的每一者中的定位在上侧处的滤色器CF与外覆层OC之间的界面处被完全地反射，并且朝向对应的子像素的正面集中，使得可以改善子像素的正面光发射效率。
由于第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者可以包括含有氟的单体，或者可以包括分散在树脂中的中空颗粒，从而具有比紧接地设置在对应的滤色器的上侧处的外覆层OC的折射率小的折射率，因此可以省略提供为通过全反射朝向正面提取每个子像素的侧光的单独的低折射图案。因此，省略了用于形成单独的低折射图案的工艺，并且因此可以改善像素PXL(或显示装置DD)的制造效率。
图10示出了根据实施例的像素PXL，并且是与图5中示出的线I-I’对应的示意性截面图。
在图10中示出的实施例中未特别地描述的部分遵循上述实施例的部分。相同的附图标记指代相同的组件，并且相似的附图标记指代相似的组件。
关于图10中示出的实施例，将描述与上述实施例的部分不同的部分以避免冗余。
参考图1、图5和图10，根据实施例的像素PXL可以包括邻近于彼此布置的第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者可以包括顺序地定位(或设置)在基底SUB上的像素电路层PCL、显示元件层DPL、薄膜封装层TFE、滤色器层CFL和外覆层OC。
基底SUB可以包括透明绝缘材料，以使光透射穿过基底SUB。基底SUB可以是刚性基底或柔性基底。
刚性基底可以是例如玻璃基底、石英基底、玻璃陶瓷基底和结晶玻璃基底中的一种。
柔性基底可以是包括聚合物有机材料的膜基底和塑料基底中的一种。例如，柔性基底可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素和醋酸丙酸纤维素中的至少一种。
电路元件(例如，晶体管T)和电连接到电路元件的可选择信号线可以设置在像素电路层PCL的每个像素区域PXA中。与第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者的电路元件电连接的发光元件LD可以设置在像素电路层PCL的每个像素区域PXA中。
除了电路元件和信号线之外，像素电路层PCL还可以包括至少一个绝缘层。例如，像素电路层PCL可以包括缓冲层BFL、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD和通孔层VIA，缓冲层BFL、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD和通孔层VIA可以沿第三方向DR3在基底SUB上彼此顺序地堆叠。
缓冲层BFL可以完全地设置在基底SUB上。缓冲层BFL可以防止杂质被扩散到电路元件中。缓冲层BFL可以是包括无机材料的无机绝缘层。缓冲层BFL可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种，或者包括多种金属氧化物中的至少一种(诸如氧化铝(AlOx))。缓冲层BFL可以被提供为单层，但是也可以被提供为包括至少两个层的多层。在缓冲层BFL被提供为多层的情况下，各层可以由相同的材料或相似的材料形成或者由不同的材料形成。在本公开的精神和范围内，缓冲层BFL可以根据基底SUB的材料和工艺条件等被省略。
栅极绝缘层GI可以完全地设置在缓冲层BFL上。栅极绝缘层GI可以与上述缓冲层BFL包括相同的材料或相似的材料，或者包括公开为构成缓冲层BFL的材料之中的适当的材料(或选择的材料)。例如，栅极绝缘层GI可以是包括无机材料的无机绝缘层。
层间绝缘层ILD可以完全地提供和/或形成在栅极绝缘层GI上。层间绝缘层ILD可以与缓冲层BFL包括相同的材料或相似的材料，或者包括公开为构成缓冲层BFL的材料之中的适当的材料(或选择的材料)。
通孔层VIA可以完全地提供和/或形成在层间绝缘层ILD上。通孔层VIA可以是包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。无机绝缘层可以包括例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)和氧化铝(AlOx)中的至少一种。有机绝缘层可以包括例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯树脂中的至少一种。在实施例中，通孔层VIA可以是包括有机材料的有机绝缘层。
通孔层VIA可以被部分地打开，以包括通孔VIH。通孔VIH可以是用于电连接第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者的晶体管T和发光元件LD的连接点。
设置在像素电路层PCL中的电路元件可以包括至少一个晶体管T。晶体管T可以是用于控制第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者的发光元件LD的驱动电流的驱动晶体管。
晶体管T可以包括半导体图案SCP、栅极电极GE、第一端子TE1和第二端子TE2。
栅极电极GE可以设置在栅极绝缘层GI上以被层间绝缘层ILD覆盖。在示例中，栅极电极GE可以是定位在栅极绝缘层GI与层间绝缘层ILD之间的栅极导电层。栅极电极GE可以与半导体图案SCP的一部分重叠。在示例中，栅极电极GE可以与半导体图案SCP的有源图案重叠。
半导体图案SCP可以被提供和/或形成在缓冲层BFL上。在示例中，半导体图案SCP可以定位在缓冲层BFL与栅极绝缘层GI之间。在本公开的精神和范围内，半导体图案SCP可以是由多晶硅、非晶硅或氧化物半导体等制成的半导体层。半导体图案SCP可以包括有源图案、第一接触区和第二接触区。有源图案、第一接触区和第二接触区可以是未掺杂有杂质的半导体层或掺杂有杂质的半导体层。在示例中，第一接触区和第二接触区可以是掺杂有杂质的半导体层，并且有源图案可以是未掺杂有杂质的半导体层。
半导体图案SCP的有源图案是与晶体管T的栅极电极GE重叠的区，并且可以是沟道区。半导体图案SCP的第一接触区可以与有源图案的一个端部或一端部接触。另外，第一接触区可以电连接到第一端子TE1。半导体图案SCP的第二接触区可以与有源图案的另一个端部或另一端部接触。另外，第二接触区可以电连接到第二端子TE2。
第一端子TE1可以提供和/或形成在层间绝缘层ILD上。例如，第一端子TE1可以是形成在层间绝缘层ILD与通孔层VIA之间的源极-漏极导电层。第一端子TE1可以通过贯穿栅极绝缘层GI和层间绝缘层ILD的接触孔与半导体图案SCP的第一接触区接触。
第二端子TE2可以提供和/或形成在层间绝缘层ILD上，并且设置为与第一端子TE1间隔开。第二端子TE2可以是形成在层间绝缘层ILD与通孔层VIA之间的源极-漏极导电层。第二端子TE2可以通过贯穿栅极绝缘层GI和层间绝缘层ILD的另一接触孔与半导体图案SCP的第二接触区接触。
底部金属图案BML可以设置在上述晶体管T下面或下方。
底部金属图案BML可以是定位在基底SUB与缓冲层BFL之间的第一导电层。底部金属图案BML可以电连接到晶体管T，以扩大供应到晶体管T的栅极电极GE的可选择电压的驱动范围。尽管在附图中未直接示出，但是底部金属图案BML电连接到晶体管T，以使晶体管T的沟道区稳定。由于底部金属图案BML电连接到晶体管T，因此可以防止底部金属图案BML的浮动。
通孔层VIA可以设置在晶体管T上。通孔层VIA可以通过通孔VIH暴露第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者的晶体管T的一个区域或一区域(例如，第二端子TE2)。在第一子像素SPX1中，通过通孔层VIA的通孔VIH暴露的晶体管T可以电连接到第1-1电极EL1_1。在第二子像素SPX2中，通过通孔层VIA的通孔VIH暴露的晶体管T可以电连接到第1-2电极EL1_2。在第三子像素SPX3中，通过通孔层VIA的通孔VIH暴露的晶体管T可以电连接到第1-3电极EL1_3。
显示元件层DPL可以定位在通孔层VIA上。
显示元件层DPL可以包括第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3、以及像素限定层PDL’。
第一发光元件LD1可以包括第1-1电极EL1_1、第一发射层EML1、和第二电极EL2。第二发光元件LD2可以包括第1-2电极EL1_2、第二发射层EML2和第二电极EL2。第三发光元件LD3可以包括第1-3电极EL1_3、第三发射层EML3和第二电极EL2。第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3中的每一者可以电连接到对应的子像素的晶体管T。
第1-1电极EL1_1、第1-2电极EL1_2和第1-3电极EL1_3中的每一者可以提供和/或形成在对应的子像素的通孔层VIA上。第1-1电极EL1_1、第1-2电极EL1_2和第1-3电极EL1_3可以在通孔层VIA上设置为彼此间隔开。第1-1电极EL1_1可以是第一发光元件LD1的阳极，第1-2电极EL1_2可以是第二发光元件LD2的阳极，并且第1-3电极EL1_3可以是第三发光元件LD3的阳极。
像素限定层PDL’可以设置在第1-1电极EL1_1、第1-2电极EL1_2、第1-3电极EL1_3和通孔层VIA上。
像素限定层PDL’可以定位在非发射区域NEA中，并且限定第一子像素SPX1的第一发射区域EMA1、第二子像素SPX2的第二发射区域EMA2、以及第三子像素SPX3的第三发射区域EMA3。像素限定层PDL’可以包括开口OP，开口OP暴露第1-1电极EL1_1的一个区域或一区域、第1-2电极EL1_2的一个区域或一区域、以及第1-3电极EL1_3的一个区域或一区域中的每一者。像素限定层PDL’的开口OP可以对应于第一发射区域EMA1、第二发射区域EMA2和第三发射区域EMA3中的每一者。
像素限定层PDL’可以是包括有机材料的有机绝缘层。在本公开的精神和范围内，有机材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂等。
像素限定层PDL’可以在第三方向DR3上沿第一发射区域EMA1、第二发射区域EMA2和第三发射区域EMA3中的每一者的周边从通孔层VIA突出。
第一发射层EML1可以设置在由像素限定层PDL’的开口OP暴露的第1-1电极EL1_1上，第二发射层EML2可以设置在由像素限定层PDL’的开口OP暴露的第1-2电极EL1_2上，并且第三发射层EML3可以设置在由像素限定层PDL’的开口OP暴露的第1-3电极EL1_3上。
第一发射层EML1可以仅定位在像素限定层PDL’的开口OP中的第1-1电极EL1_1上，第二发射层EML2可以仅定位在像素限定层PDL’的另一开口OP中的第1-2电极EL1_2上，并且第三发射层EML3可以仅定位在像素限定层PDL’的又一开口OP中的第1-3电极EL1_3上。第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的每一者可以通过使用喷墨印刷方法等供应到对应的子像素的所需区域(例如，供应在由像素限定层PDL’的开口OP暴露的第一电极EL1的一个区域或一区域的顶部上)，但是本公开不限于此。
第一发射层EML1、第二发射层EML2和第三发射层EML3中的每一者可以具有包括用于产生光的光发生层的多层薄膜结构。在实施例中，第一发射层EML1可以产生并发射红色的光，第二发射层EML2可以产生并发射绿色的光，并且第三发射层EML3可以产生并发射蓝色的光。然而，本公开不限于此。
第二电极EL2可以设置在第一发射层EML1、第二发射层EML2、第三发射层EML3和像素限定层PDL’上。
第二电极EL2可以是公共地提供在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的公共层。第二电极EL2可以遍及显示区域DA的整体以板形状提供。
薄膜封装层TFE可以完全地提供和/或形成在第二电极EL2上。
滤色器层CFL可以提供和/或形成在薄膜封装层TFE上。
滤色器层CFL可以包括对应于第一发射层EML1的第一滤色器CF1、对应于第二发射层EML2的第二滤色器CF2、以及对应于第三发射层EML3的第三滤色器CF3。第一滤色器CF1可以设置在第一子像素SPX1中，第二滤色器CF2可以设置在第二子像素SPX2中，并且第三滤色器CF3可以设置在第三子像素SPX3中。例如，第一滤色器CF1可以是红色滤色器，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器，并且第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器。然而，本公开不限于此。
在实施例中，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的至少一者可以包括含有氟的单体，从而具有比定位在其顶部上的外覆层OC的折射率小的折射率。例如，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者可以包括含有氟的单体，从而具有比外覆层OC的折射率小的折射率。
在实施例中，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者可以包括树脂和分散在树脂内部的中空颗粒，从而具有比定位在其顶部上的外覆层OC的折射率小的折射率。中空颗粒可以是中空二氧化硅颗粒。
第一滤色器CF1和第二滤色器CF2可以在公共地提供在第一子像素SPX1和第二子像素SPX2中的非发射区域NEA中彼此重叠。非发射区域NEA可以包括其中第一滤色器CF1和第二滤色器CF2彼此重叠的第一重叠区域OVA1。第一滤色器CF1的第二端部部分EP2和第二滤色器CF2的第一端部部分EP3可以在第一重叠区域OVA1中彼此重叠。例如，第二滤色器CF2的第一端部部分EP3可以在第一重叠区域OVA1中定位在第一滤色器CF1的第二端部部分EP2上。
第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以在公共地提供在第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的非发射区域NEA中彼此重叠。非发射区域NEA可以包括其中第二滤色器CF2和第三滤色器CF3彼此重叠的第二重叠区域OVA2。第二滤色器CF2的第二端部部分EP4和第三滤色器CF3的第一端部部分EP5可以在第二重叠区域OVA2中彼此重叠。例如，第二滤色器CF2的第二端部部分EP4可以在第二重叠区域OVA2中定位在第三滤色器CF3的第一端部部分EP5上。
外覆层OC可以设置在上述滤色器层CFL上。
外覆层OC可以设置在滤色器层CFL上，以覆盖包括滤色器层CFL的下部构件。外覆层OC可以防止湿气或氧气被引入到滤色器层CFL中。外覆层OC可以是包括有机材料的有机绝缘层。
对于实施例，外覆层OC可以具有比第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者的折射率大的折射率。
在第一重叠区域OVA1和第二重叠区域OVA2中的每一者中，由于在外覆层OC与具有比外覆层OC的折射率小的折射率并且设置为彼此重叠的相邻滤色器之间的界面处的折射率差异而可以发生全反射。因此，在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者中的朝向非发射区域NEA(或重叠区域OVA)前进的光的一部分集中在对应的子像素的正面方向上时，子像素的正面光发射效率可以被改善。
图11示出了根据实施例的像素PXL，并且是与图5中示出的线I-I’对应的示意性截面图。
关于图11中示出的实施例，将描述与上述实施例的部分不同的部分以避免冗余。
在图11中示出的实施例中未特别地描述的部分遵循上述实施例的部分。相同的附图标记指代相同的组件，并且相似的附图标记指代相似的组件。
参考图1、图5和图11，第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者可以包括顺序地定位(或设置)在基底SUB上的像素电路层PCL、显示元件层DPL、薄膜封装层TFE、颜色转换层CCL、滤色器层CFL和外覆层OC。
基底SUB可以包括透明绝缘材料，以使光透射穿过基底SUB。基底SUB可以是刚性基底或柔性基底。
像素电路层PCL可以提供和/或形成在基底SUB上。像素电路层PCL可以包括电路元件(例如，晶体管T)和信号线。另外，像素电路层PCL可以包括至少一个绝缘层(例如，缓冲层BFL、栅极绝缘层GI、层间绝缘层ILD和通孔层VIA)。
显示元件层DPL可以提供和/或形成在像素电路层PCL上。显示元件层DPL可以包括第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3以及像素限定层PDL。
第一发光元件LD1可以包括第1-1电极EL1_1、发射层EML和第二电极EL2。第二发光元件LD2可以包括第1-2电极EL1_2、发射层EML和第二电极EL2。第三发光元件LD3可以包括1-3电极EL1_3、发射层EML和第二电极EL2。
像素限定层PDL可以设置在第1-1电极EL1_1、第1-2电极EL1_2、第1-3电极EL1_3和通孔层VIA上。
像素限定层PDL可以定位在非发射区域NEA中，暴露第1-1电极EL1_1的在第一发射区域EMA1中的一个区域或一区域，暴露第1-2电极EL1_2的在第二发射区域EMA2中的一个区域或一区域，并且暴露第1-3电极EL1_3的在第三发射区域EMA3中的一个区域或一区域。
发射层EML可以提供和/或形成在第1-1电极EL1_1、第1-2电极EL1_2和第1-3电极EL1_3上。发射层EML甚至可以提供和/或形成在像素限定层PDL的侧部和顶部上。发射层EML可以是公共地提供在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的公共层。
发射层EML可以具有包括用于产生光的光发生层的多层薄膜结构。在实施例中，发射层EML可以发射基于蓝色的光。
第二电极EL2可以提供和/或形成在发射层EML上。
薄膜封装层TFE可以完全地提供和/或形成在第二电极EL2上。
颜色转换层CCL可以提供和/或形成在薄膜封装层TFE上。
颜色转换层CCL可以包括第一颜色转换图案CCP1、第二颜色转换图案CCP2、光散射图案LSP和堤BNK。
第一颜色转换图案CCP1可以定位在薄膜封装层TFE的一个表面或一表面上，以对应于第一子像素SPX1中的发射层EML，并且包括用于将从发射层EML发射的光(例如，基于蓝色的光)转换为基于红色的光(或特定颜色的光)的第一颜色转换颗粒QD1。
第二颜色转换图案CCP2可以定位在薄膜封装层TFE的一个表面或一表面上，以对应于第二子像素SPX2中的发射层EML，并且包括用于将从发射层EML发射的光(例如，基于蓝色的光)转换为基于绿色的光(或特定颜色的光)的第二颜色转换颗粒QD2。
光散射图案LSP可以定位在薄膜封装层TFE的一个表面或一表面上，以对应于第三子像素SPX3中的发射层EML，并且是用于使从发射层EML发射的光(例如，基于蓝色的光)按原样透射穿过光散射图案LSP的透明层(或透明窗)。光散射图案LSP可以包括用于将从发射层EML发射的基于蓝色的光在各个方向上散射的光散射颗粒SCT。
堤BNK可以设置在薄膜封装层TFE的一个表面或一表面上，以对应于像素限定层PDL。堤BNK可以是限定第一颜色转换图案CCP1的形成位置、第二颜色转换图案CCP2的形成位置以及光散射图案LSP的形成位置的结构。
堤BNK可以包括至少一种光阻挡材料和/或至少一种反射材料(或散射材料)。在实施例中，堤BNK可以包括透明材料(或物质)。透明材料可以包括例如聚酰亚胺树脂和聚酰胺树脂等，但是本公开不限于此。在其它实施例中，反射材料层可以单独地提供和/或形成在堤BNK上，以便进一步改善从第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者发射的光的效率。
封盖层CPL可以提供和/或形成在颜色转换层CCL上。封盖层CPL可以覆盖颜色转换层CCL，从而被用作用于保护颜色转换层CCL的保护层，但是本公开不限于此。封盖层CPL可以是包括无机材料的无机绝缘层或包括有机材料的有机绝缘层。
滤色器层CFL可以提供和/或形成在封盖层CPL上。
滤色器层CFL可以包括对应于第一颜色转换图案CCP1的第一滤色器CF1、对应于第二颜色转换图案CCP2的第二滤色器CF2、以及对应于光散射图案LSP的第三滤色器CF3。例如，第一滤色器CF1可以是红色滤色器，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器，并且第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器。然而，本公开不限于此。
在实施例中，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的至少一者可以包括含有氟的单体，从而具有比定位在其顶部上的外覆层OC的折射率小的折射率。例如，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者可以包括含有氟的单体，从而具有比外覆层OC的折射率小的折射率。
在实施例中，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每一者可以包括树脂和分散在树脂内部的中空颗粒，从而具有比定位在其顶部上的外覆层OC的折射率小的折射率。中空颗粒可以是中空二氧化硅颗粒。
非发射区域NEA可以包括其中第一滤色器CF1和第二滤色器CF2彼此重叠的第一重叠区域OVA1。第一滤色器CF1的第二端部部分EP2和第二滤色器CF2的第一端部部分EP3可以在第一重叠区域OVA1中彼此重叠。例如，第二滤色器CF2的第一端部部分EP3可以在第一重叠区域OVA1中定位在第一滤色器CF1的第二端部部分EP2上。
非发射区域NEA可以包括其中第二滤色器CF2和第三滤色器CF3彼此重叠的第二重叠区域OVA2。第二滤色器CF2的第二端部部分EP4和第三滤色器CF3的第一端部部分EP5可以在第二重叠区域OVA2中彼此重叠。例如，第二滤色器CF2的第二端部部分EP4可以在第二重叠区域OVA2中定位在第三滤色器CF3的第一端部部分EP5上。
外覆层OC可以设置在上述滤色器层CFL上。
外覆层OC可以设置在滤色器层CFL上以覆盖包括滤色器层CFL的下部构件。在实施例中，外覆层OC可以具有比滤色器层CFL的折射率大的折射率。
在第一重叠区域OVA1和第二重叠区域OVA2中的每一者中，由于在外覆层OC与具有比外覆层OC的折射率小的折射率并且设置为彼此重叠的相邻滤色器之间的界面处的折射率差异而可以发生全反射。因此，在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者中的朝向非发射区域NEA(或重叠区域OVA)前进的光的一部分集中在对应的子像素的正面方向上时，子像素的正面光发射效率可以被改善。
由于颜色转换层CCL和滤色器层CFL设置在薄膜封装层TFE的顶部上，因此从第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者的发射层EML发射的光被转换为具有优异颜色再现性的光，从而释放转换后的光，使得可以进一步改善第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每一者的光发射效率。
根据本公开，每个子像素的滤色器在非发射区域中与相邻的子像素的滤色器重叠，并且具有比滤色器的折射率大的折射率的外覆层设置在滤色器的顶部上，从而使用由于重叠的相邻滤色器与外覆层之间的界面处的折射率差异而发生的全反射将从每个像素的侧部释放的光朝向正面引导。因此，像素的正面光发射亮度可以增加。
根据本公开，在非发射区域中彼此重叠的滤色器被用作低折射图案，并且因此省略了单独的低折射图案。因此，可以改善像素和包括像素的显示装置的制造效率。
本文中已经公开了示例实施例，并且尽管采用了术语，但是它们仅在一般性和描述性的意义上被使用并且被解释，并且不是为了限制的目的。在某些情况下，如将对本领域普通技术人员明显的，除非另有说明，否则结合给定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离本公开的范围的情况下并且如在所附权利要求中所阐述的，可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种像素，其中，所述像素包括：
第一子像素、第二子像素和第三子像素，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素各自包括发射区域和非发射区域，其中，
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每一者包括：
像素电路层，设置在基底上；
第一电极，设置在所述像素电路层上；
像素限定层，设置在所述非发射区域中，所述像素限定层包括设置在所述第一电极上的开口，以暴露所述第一电极的与所述发射区域对应的区域；
发射层，设置在所述像素限定层上；
第二电极，设置在所述发射层上；
薄膜封装层，设置在所述第二电极上；
滤色器，设置在所述薄膜封装层上；以及
外覆层，设置在所述滤色器上，
所述外覆层具有比所述滤色器的折射率大的折射率，并且
在平面图中，所述第二子像素的滤色器在所述非发射区域中与所述第一子像素和所述第三子像素中的每一者的滤色器重叠。
2.根据权利要求1所述的像素，其中，所述滤色器包括含有氟的单体和二氧化硅。
3.根据权利要求2所述的像素，其中，
所述滤色器具有在1.40至1.55的范围内的折射率，并且
所述外覆层具有在1.55至1.7的范围内的折射率。
4.根据权利要求1所述的像素，其中，
所述第二子像素的所述滤色器包括：
第一端部部分，在所述非发射区域中设置在所述第一子像素的所述滤色器上；和
第二端部部分，面对所述第一端部部分并且在所述非发射区域中设置在所述第三子像素的所述滤色器上，并且
所述第一端部部分与所述第一子像素的所述滤色器的重叠区域和所述第二端部部分与所述第三子像素的所述滤色器的重叠区域中的每一者的宽度等于或大于通过从所述像素限定层的宽度减去0.6μm获得的值，并且等于或小于通过将0.2μm加到所述像素限定层的所述宽度获得的值。
5.根据权利要求4所述的像素，其中，所述第二子像素的所述滤色器的所述第一端部部分和所述第二端部部分中的每一者在相应的所述重叠区域中具有1μm或更高的高度。
6.根据权利要求5所述的像素，其中，所述第一端部部分和所述第二端部部分中的每一者具有在65度至90度的范围内的侧坡角。
7.根据权利要求1所述的像素，其中，所述基底包括硅晶圆基底。
8.根据权利要求1所述的像素，其中，
所述第一子像素的所述滤色器包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器之中的一个滤色器，
所述第二子像素的所述滤色器包括所述红色滤色器、所述绿色滤色器和所述蓝色滤色器之中的另一滤色器，并且
所述第三子像素的所述滤色器包括所述红色滤色器、所述绿色滤色器和所述蓝色滤色器之中的又一滤色器。
9.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基底，包括发射区域和非发射区域；
像素电路层，设置在所述基底上；
第1-1电极、第1-2电极和第1-3电极，所述第1-1电极、所述第1-2电极和所述第1-3电极设置在所述像素电路层上，所述第1-1电极、所述第1-2电极和所述第1-3电极彼此间隔开；
像素限定层，设置在所述第1-1电极、所述第1-2电极和所述第1-3电极上，所述像素限定层包括暴露所述第1-1电极、所述第1-2电极和所述第1-3电极中的每一者的在所述发射区域中的区域的开口；
发射层，设置在由所述开口暴露的所述第1-1电极、所述第1-2电极和所述第1-3电极、所述像素限定层的侧部以及所述像素限定层的顶部上；
第二电极，设置在所述发射层上；
薄膜封装层，设置在所述第二电极上；
滤色器层，设置在所述薄膜封装层上，所述滤色器层包括：
第一滤色器，对应于所述第1-1电极；
第二滤色器，对应于所述第1-2电极；和
第三滤色器，对应于所述第1-3电极；以及
外覆层，设置在所述滤色器层上，其中，
所述外覆层具有比所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器中的每一者的折射率大的折射率，并且
在平面图中，所述非发射区域中的邻近于彼此设置的两个滤色器彼此重叠。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器中的每一者包括含有氟的单体和二氧化硅，
所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器中的每一者具有在1.40至1.55的范围内的折射率，并且
所述外覆层具有在1.55至1.7的范围内的折射率。
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