CN117987624A - 热处理装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种热处理装置。该热处理装置包括等离子体电源和可容纳目标工件的真空室，该等离子电源的正极与该真空室的外壁连接，该等离子体电源的负极与该目标工件连接；该等离子体电源，用于输出直流脉冲电压，以在该真空室内产生复合式放电，以对该目标工件进行热处理，该复合式放电为辉光放电与弧光放电的交替式放电。采用本申请提供的热处理装置，不仅可以避免现有技术不适用于非铁磁性材料的热处理的问题，还可以有效的提高热处理的效率。

Description

热处理装置

技术领域

本申请涉及热处理技术领域，特别是涉及一种热处理装置。

背景技术

金属材料热处理是改善其性能的重要手段，相比于离线热处理方式，在线热处理方式无需对工件进行二次转运，具有占地面积小、生产效率高的优点。

现有技术中，通常是采用中频加热的在线热处理方式对待处理的工件进行热处理。

然而，这种方法不仅适用性较差，且热处理效率也较低。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种热处理装置，不仅适用性较好，且热处理效率也较高。

第一方面，本申请提供了一种热处理装置，该热处理装置包括：

等离子体电源和可容纳目标工件的真空室，该等离子电源的正极与该真空室的外壁连接，该等离子体电源的负极与该目标工件连接；

该等离子体电源，用于输出直流脉冲电压，以在该真空室内产生复合式放电，以对该目标工件进行热处理，该复合式放电为辉光放电与弧光放电的交替式放电。

在其中一个实施例中，该等离子体电源包括控制电路、处理电路和熄弧电路，该控制电路分别与该处理电路和该熄弧电路连接，该处理电路和该熄弧电路连接；该处理电路，用于将三相电源输入的交流电压转换为直流脉冲电压，并输出该直流脉冲电压；该控制电路，用于实时获取该处理电路输出的直流脉冲电压，并在根据该直流脉冲电压确定该处理电路为第一起弧状态的情况下，向该熄弧电路发送启动信号；该熄弧电路，用于在接收到该启动信号的情况下，导通绝缘栅双极晶体管，以熄灭该弧光放电。

在其中一个实施例中，该控制电路，还用于在等待预设时间后，向该熄弧电路发送关闭信号；该熄弧电路，该用于在接收到该关闭信号的情况下，关断该绝缘栅双极晶体管。

在其中一个实施例中，该处理电路包括整流滤波电路、逆变电路、高频变压电路、快恢复整流电路，该逆变电路分别与该整流滤波电路和该高频变压电路连接，该高频变压电路和该快恢复整流电路；该整流滤波电路，用于将三相电源发送的交流电压转换为直流恒压电压，并将该直流恒压发送给该逆变电路；该逆变电路，用于将该直流恒压转换为高频交流脉冲电压，并将该高频交流脉冲电压发送给该高频变压电路；该高频变压电路，用于将该高频交流脉冲电压转换为高频高压交流脉冲电压，并将该高频高压交流脉冲电压发送给该快恢复整流电路；该快恢复整流电路，用于对该高频高压交流脉冲电压进行整流处理，以得到直流脉冲电压，并输出该直流脉冲电压。

在其中一个实施例中，该控制电路与该逆变电路连接；该控制电路，还用于根据该直流脉冲电压向该逆变电路发送脉冲宽度调制信号，并在根据该直流脉冲电压确定该处理电路为第一起弧状态的情况下，停止向该逆变电路发送该脉冲宽度调制信号。

在其中一个实施例中，该控制电路，还用于在该等待预设时间后，继续执行根据该直流脉冲电压向该逆变电路发送该脉冲宽度调制信号的步骤。

在其中一个实施例中，该热处理装置还包括第一微正压腔和第二微正压腔，该第一微正压腔包括第一子通孔和第二子通孔，该第二微正压腔包括第三子通孔和第四子通孔，该真空室还包括设置于两端的第一通孔和第二通孔，该第一微正压腔设置于该真空室的第一通孔端，该第二微正压腔设置于该真空室的第二通孔端；该第一子通孔、该第一通孔、该第二通孔和该第三子通孔，用于放置该目标工件；该第一微正压腔和该第二微正压腔，用于在通入保护气体的情况下，维持微正压环境，该保护气体通过该第二子通孔和第四子通孔分别通入至该第一微正压腔和该第二微正压腔中。

在其中一个实施例中，该真空室还包括第三通孔；该第三通孔，用于在真空泵的作用下，排出该真空室内的气体。

在其中一个实施例中，该热处理装置还包括保护罩；其中，该真空室设置在该保护罩内，该真空室的外壁与该保护罩之间设置有冷却介质。

在其中一个实施例中，该热处理装置还包括用于固定该目标工件的压紧轮；其中，该等离子体电源的负极通过该压紧轮与该目标工件连接。

上述热处理装置，该热处理装置包括包括等离子体电源和可容纳目标工件的真空室，该等离子电源的正极与该真空室的外壁连接，该等离子体电源的负极与该目标工件连接；该等离子体电源，用于输出直流脉冲电压，以在该真空室内产生复合式放电，以对该目标工件进行热处理，该复合式放电为辉光放电与弧光放电的交替式放电。本申请提供的热处理装置，基于等离子体电源在该真空室内产生稳定的辉光放电和弧光放电，以实现对目标工件的热处理，不仅可以避免现有技术不适用于非铁磁性材料的热处理的问题，还可以有效的提高热处理的效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一个实施例中热处理装置的结构示意图；

图2为一个实施例中理想状态下等离子体电源放电的电压和电流的波形图；

图3为一个实施例中等离子体电源的结构框图；

图4为一个实施例中处理电路的结构图；

图5为一个实施例中处理电路的电路示意图；

图6为一个实施例中处理电路中各点的信号波形图；

图7为一个实施例中控制电路的原理示意图；

图8为一个实施例中控制电路和逆变电路的结构框图；

图9为一个实施例中实际测量的等离子体电源放电的电压和电流的波形图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如，两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。此外，需要指出的是，本申请实施方式中的方法和装置的范围不限按示出或讨论的顺序来执行功能，还可包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序来执行功能，例如，可以按不同于所描述的次序来执行所描述的方法，并且还可以添加、省去、或组合各种步骤。另外，参照某些示例所描述的特征可在其他示例中被组合。

金属材料热处理是改善其性能的重要手段，相比于离线热处理方式，在线热处理方式无需对工件进行二次转运，具有占地面积小、生产效率高的优点。

现有技术中，通常是采用中频加热的在线热处理方式对待处理的工件进行热处理。

然而，对于铁磁性材料而言，中频加热还具有较高的能量耦合系数以及加热效率，但是，对于铜、铝或奥氏体不锈钢等非铁磁性材料，中频加热的电磁耦合系数明显较低，进而还导致加热效率较低，尤其是采用中频加热对导电性较好的铜材料工件进行热处理时，中频线圈消耗的能量甚至高于被加热的工件的能量，使得针对铜材料热处理效率极低。

有鉴于此，本申请提供了一种适用性较高，且热处理效率较高的热处理装置。

在一个示例性的实施例中，如图1所示，该热处理装置100包括等离子体电源101和可容纳目标工件的真空室102，该等离子电源101的正极与该真空室102的外壁连接，该等离子体电源101的负极与该目标工件103连接。

其中，该等离子体电源101，用于输出直流脉冲电压，以在该真空室102内产生复合式放电，以对该目标工件103进行热处理，该复合式放电为辉光放电与弧光放电的交替式放电。

可选的，该等离子体电源101指的是一种用于产生等离子体的装置，可以通过提供高频率、高幅值的脉冲电压来激发出稳定的等离子体。

可选的，该复合式放电指的是该辉光放电和该弧光放电按照预设策略进行的交替式放电。

可选的，该复合式放电的放电区域为真空室102内壁与目标工件103的间隙。

在一种可能实现的方式中，虽然辉光放电产生的电压较高，但由于辉光放电的电流密度较小，导致其单位面积上的功率较低，无法满足大功率在线热处理的需求，若提高电压或者电流，则会使辉光放电过度到弧光放电，导致目标工件的表面出现弧坑损伤，因此，该复合式放电指的是在每个电压脉冲期间只产生一次弧光放电，不仅可以有效的保证在线热处理所需的功率，还可以避免连续的弧光放电损伤目标工件，具体的，该等离子体电源放电的电压和电流的波形图可如图2所示。

可选的，该真空室102可以是低真空室，可以用于提供低真空的环境。

在一种可能实现的方式中，该低真空室为圆柱状的，且沿轴向可将该低真空室切割为大小相同的两个部分，分别为第一真空室和第二真空室，该第一真空室和该第二真空室的一侧为活动连接，可通过该第一真空室和该第二真空室的另一侧将目标工件放入至该低真空室中。

在另一种可能实现的方式中，该低真空室的可以是圆柱状的，并在轴向方向上设置有通孔，可通过该通孔将该目标工件插入至该低真空室中。

可选的，该目标工件103可以是金属材料的管形工件或棒形工件。

在一种可能实现的方式中，在将该目标工件103放入至该真空室中后，可以先将该等离子电源101的正极与该真空室102的外壁连接，并将该等离子体电源101的负极与该目标工件103连接，在连接后，启动该等离子体电源101，使其进入工作状态，以输出直流脉冲电压，并在该真空室102内产生复合式放电，以实现对该目标工件103的热处理。

上述热处理装置，该热处理装置包括等离子体电源和可容纳目标工件的真空室，该等离子电源的正极与该真空室的外壁连接，该等离子体电源的负极与该目标工件连接；该等离子体电源，用于输出直流脉冲电压，以在该真空室内产生复合式放电，以对该目标工件进行热处理，该复合式放电为辉光放电与弧光放电的交替式放电。本申请提供的热处理装置，基于等离子体电源在该真空室内产生稳定的辉光放电和弧光放电，以实现对目标工件的热处理，不仅可以避免现有技术不适用于非铁磁性材料的热处理的问题，还可以有效的提高热处理的效率。

在一个示例性的实施例中，如图3所示，该等离子体电源包括控制电路201、处理电路202和熄弧电路203，该控制电路201分别与该处理电路202和该熄弧电路203连接，该处理电路202和该熄弧电路203连接。

其中，该处理电路202，用于将三相电源输入的交流电压转换为直流脉冲电压，并输出该直流脉冲电压；该控制电路201，用于实时获取该处理电路输出的直流脉冲电压，并在根据该直流脉冲电压确定该处理电路为第一起弧状态的情况下，向该熄弧电路发送启动信号；该熄弧电路203，用于在接收到该启动信号的情况下，导通绝缘栅双极晶体管，以熄灭该弧光放电。

在本申请一个可选的实施例中，如图4所示，该处理电路包括整流滤波电路301、逆变电路302、高频变压电路303、快恢复整流电路304，该逆变电路302分别与该整流滤波电路301和该高频变压电路303连接，该高频变压电路303和该快恢复整流电路304连接。

其中，该整流滤波电路301，用于将三相电源发送的交流电压转换为直流恒压电压，并将该直流恒压发送给该逆变电路302；该逆变电路302，用于将该直流恒压转换为高频交流脉冲电压，并将该高频交流脉冲电压发送给该高频变压电路303；该高频变压电路303，用于将该高频交流脉冲电压转换为高频高压交流脉冲电压，并将该高频高压交流脉冲电压发送给该快恢复整流电路304；该快恢复整流电路304，用于对该高频高压交流脉冲电压进行整流处理，以得到直流脉冲电压，并输出该直流脉冲电压。

在一种可能实现的方式中，图4中的三相指的是三相电源，整流滤波指的是整流滤波电路301，逆变器指的是逆变电路302，高频变压电路指的是高频变压电路303，快恢复整流指的是快恢复整流电路304，该处理电路的电路图可如图5所示，图5中逆变电路302采用全桥逆变电路，包括有第一桥臂和第二桥臂，第一桥臂包括第一上桥臂开关管和第一下桥臂开关管，第二桥臂包括第二上桥臂开关管和第二下桥臂开关管，第一桥臂中点与第二桥臂中点为该全桥逆变电路的输出端，该输出端输出高频交流脉冲电压，图5中的高频变压器也即是该高频变压电路，该高频变压电路输入端与逆变电路302的输出端相连，将逆变电路302输出的高频交流脉冲电压隔离、调压后输出高频高压交流脉冲电压，并将该高频高压交流脉冲电压输入至快恢复整流电路304，该快恢复整流电路304的第一输出端为等离子体电源的输出端，对高频高压交流脉冲电压进行整流，以输出直流脉冲电压Uo，该快恢复整流电路304由四个快恢复二极管组成全桥整流电路，快恢复管的反向回复时间应小于120ns，图5中Uf指的是该等离子体电源的输出电压，该If指的是该等离子体电源的输出电流，处理电路中各点的信号波形图可如图6所示。

可选的，该控制电路指的是设置有控制器的电路。

在本申请一个可选的实施例中，该控制电路包括有恒压控制电路401。

在一种可能实现的方式中，如图7所示，以该控制电路中的控制器为SG3525为例，该恒压控制电路401的输入端连接快恢复整流电路的采样输出端，以获取该快恢复整流电路输出的直流脉冲电压对应的电压反馈信号，并将该电压反馈信号Uf和预设电压信号(图7中的电压设定)进行比较后，经过PID的调节，输出至SG3525控制器的补偿输入引脚，以用于根据目标设定值控制直流脉冲电压的幅值，达到恒压控制的目的，该目标设定值可以由技术人员根据实际需求进行设置。

在本申请一个可选的实施例中，该控制电路还包括有熄弧控制电路402。

在一种可能实现的方式中，如图7所示，以该控制电路中的控制器为SG3525为例，该熄弧控制电路402的输入端连接快恢复整流电路的采样输出端，以通过该快恢复整流电路输出的直流脉冲电压和电流来判断是否为第一电弧状态，并在确定为第一起弧状态的情况下，通过定时器记录第一起弧状态的时间，当第一起弧状态的时间大于预设时间后，触发单稳态电路输出高电平，该预设时间可以由技术人员根据实际需求进行设置，例如，该预设时间可以是1个PWM周期，该熄弧控制电路输出的高电平相当于上述启动信号，用于启动熄弧电路(图7中的熄弧装置)，以熄灭电弧。

如上文所述，可以通过快恢复整流电路输出的直流脉冲电压和电流来判断是否为第一电弧状态。

在一种可能实现的方式中，可以先根据该快恢复整流电路输出的直流脉冲电压和电流来确定该等离子体电源的输出电压和输出电流，当等离子体电源的输出电压低于正常辉光放电电压的1/3，而且输出电流大于辉光放电电流正常值的2倍，则可以确定为该第一起弧状态，并在确定为第一起弧状态的情况下，通过定时器记录第一起弧状态的时间，当第一起弧状态的时间大于预设时间后，触发单稳态电路输出高电平。

在本申请一个可选的实施例中，如图5所示，该熄弧电路203并联在该处理电路的输出端，也即是快恢复整流电路304的输出端，该熄弧电路203包括一个抗电流冲击能力较强的高速IGBT，在确定该处理电路为第一起弧状态的情况下，则控制该IGBT导通从而卸载电弧能量，以熄灭电弧，该IGBT也即是上文所述的绝缘栅双极晶体管。

在本申请一个可选的实施例中，如图8所示，该控制电路201与该逆变电路302连接。

其中，该控制电路201，还用于根据该直流脉冲电压向该逆变电路302发送脉冲宽度调制信号，并在根据该直流脉冲电压确定该处理电路为第一起弧状态的情况下，停止向该逆变电路302发送该脉冲宽度调制信号。

在本申请一个可选的实施例中，该控制电路还包括有逆变控制电路403。

在一种可能实现的方式中，如图7所示，该逆变控制电路403由SG3525控制器、触发器及逻辑电路组成，用于控制逆变电路403交流脉冲电压信号的占空比，占空比受控于9脚的电压，该逆变控制电路403的输出端连接至逆变电路的第二输入端，用于控制逆变电路各开关器件的开通与关闭，从而实现对电源输出电压的控制。

在本申请一个可选的实施例中，该控制电路，还用于在等待预设时间后，向该熄弧电路发送关闭信号；该熄弧电路，该用于在接收到该关闭信号的情况下，关断该绝缘栅双极晶体管。

在一种可能实现的方式中，该预设时间可以是200-300us之间，还可以由技术人员根据实际需求进行设置，在等待预设时间后，向该熄弧电路发送关闭信号，以关断熄弧电路中的绝缘栅双极晶体管。

在本申请一个可选的实施例中，该控制电路，还用于在等待该预设时间后，继续执行根据该直流脉冲电压向该逆变电路发送该脉冲宽度调制信号的步骤。

在一种可能实现的方式中，该预设时间可以是200-300us之间，还可以由技术人员根据实际需求进行设置，在等待该预设时间后，继续执行根据该直流脉冲电压向该逆变电路发送该脉冲宽度调制信号的步骤，以继续产生辉光放电。

在本申请一个可选的实施例中，该等离子体电源还设置有过流保护电路和过热保护电路，该过流保护电路输入端连接整流滤波电路之后的干路上的取样电阻，用于监测电路主干路上的电流，过热保护输入端接热敏电阻，用于监测电源工作时的温度，输出连接至逆变控制电路，若出现过流过热情况会关断逆变电路。

在一个示例性的实施例中，如图1所示，该热处理装置100还包括第一微正压腔104和第二微正压腔105，该第一微正压腔104包括第一子通孔1041和第二子通孔1042，该第二微正压腔105包括第三子通孔1051和第四子通孔1052，该真空室102还包括设置于两端的第一通孔1021和第二通孔1022，该第一微正压腔104设置于该真空室102的第一通孔1021端，该第二微正压腔104设置于该真空室102的第二通孔1022端。

其中，该第一子通孔1041、该第一通孔1021、该第二通孔1022和该第三子通孔1051，用于放置该目标工件103；该第一微正压腔104和该第二微正压腔105，用于在通入保护气体的情况下，维持微正压环境，该保护气体通过该第二子通孔1042和第四子通孔1052分别通入至该第一微正压腔104和该第二微正压腔105中。

在一种可能实现的方式中，保护气体可以通过该第二子通孔1042和第四子通孔1052分别通入至该第一微正压腔104和该第二微正压腔105中，以维持微正压环境，防止目标工件氧化。

在一个示例性的实施例中，如图1所示，该真空室102还包括第三通孔1023。

其中，该第三通孔1023，用于在真空泵的作用下，排出该真空室102内的气体。

在一种可能实现的方式中，该第三通孔1023可以在真空泵的作用下，排出该真空室102内的气体，以防止目标工件103在在线热处理的过程中氧化。

在一个示例性的实施例中，如图1所示，该热处理装置100还包括保护罩106。

其中，该真空室102设置在该保护罩106内，该真空室102的外壁与该保护罩106之间设置有冷却介质。

在本申请一个可选的实施例中，阳极设置于该保护罩内，该目标工件为阴极，阳极和保护罩之间充满冷却油，既实现了对阳极的冷却，又实现了电气的隔离保护。

在一个示例性的实施例中，如图1所示，该热处理装置100还包括用于固定该目标工件103的压紧轮107。

其中，该等离子体电源101的负极通过该压紧轮107与该目标工件连接。

在一种可能实现的方式中，等离子体电源101的负极通过压紧轮107与目标工件103相连，并与保护地线连接以实现电气安全。

需要说明的是，本申请发明人对本申请中的热处理装置中的等离子体电源输出的电压和电流进行了实际测量，具体测量结果可如图9所示，可以验证本申请中的等离子体电源在真空室中的复合式放电可以实现在每个电压脉冲期间只产生一次弧光放电，以保证在线热处理所需的功率，还避免连续的弧光放电损伤目标工件，图9中的上半部分为电压信号，下半部分为电流信号，输出电压、电流均为直流脉冲信号，其中第2个脉冲的后半部分出现了电弧放电。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种热处理装置，其特征在于，所述热处理装置包括等离子体电源和可容纳目标工件的真空室，所述等离子电源的正极与所述真空室的外壁连接，所述等离子体电源的负极与所述目标工件连接；

所述等离子体电源，用于输出直流脉冲电压，以在所述真空室内产生复合式放电，以对所述目标工件进行热处理，所述复合式放电为辉光放电与弧光放电的交替式放电。

2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述等离子体电源包括控制电路、处理电路和熄弧电路，所述控制电路分别与所述处理电路和所述熄弧电路连接，所述处理电路和所述熄弧电路连接；

所述处理电路，用于将三相电源输入的交流电压转换为直流脉冲电压，并输出所述直流脉冲电压；

所述控制电路，用于实时获取所述处理电路输出的直流脉冲电压，并在根据所述直流脉冲电压确定所述处理电路为第一起弧状态的情况下，向所述熄弧电路发送启动信号；

所述熄弧电路，用于在接收到所述启动信号的情况下，导通绝缘栅双极晶体管，以熄灭所述弧光放电。

3.根据权利要求2所述的热处理装置，其特征在于，所述控制电路，还用于在等待预设时间后，向所述熄弧电路发送关闭信号；

所述熄弧电路，该用于在接收到所述关闭信号的情况下，关断所述绝缘栅双极晶体管。

4.根据权利要求2所述的热处理装置，其特征在于，所述处理电路包括整流滤波电路、逆变电路、高频变压电路、快恢复整流电路，所述逆变电路分别与所述整流滤波电路和所述高频变压电路连接，所述高频变压电路和所述快恢复整流电路连接；

所述整流滤波电路，用于将三相电源发送的交流电压转换为直流恒压电压，并将所述直流恒压发送给所述逆变电路；

所述逆变电路，用于将所述直流恒压转换为高频交流脉冲电压，并将所述高频交流脉冲电压发送给所述高频变压电路；

所述高频变压电路，用于将所述高频交流脉冲电压转换为高频高压交流脉冲电压，并将所述高频高压交流脉冲电压发送给所述快恢复整流电路；

所述快恢复整流电路，用于对所述高频高压交流脉冲电压进行整流处理，以得到直流脉冲电压，并输出所述直流脉冲电压。

5.根据权利要求2至4任一所述的热处理装置，其特征在于，所述控制电路与所述逆变电路连接；

所述控制电路，还用于根据所述直流脉冲电压向所述逆变电路发送脉冲宽度调制信号，并在根据所述直流脉冲电压确定所述处理电路为第一起弧状态的情况下，停止向所述逆变电路发送所述脉冲宽度调制信号。

6.根据权利要求5所述的热处理装置，其特征在于，所述控制电路，还用于在所述等待预设时间后，继续执行根据所述直流脉冲电压向所述逆变电路发送所述脉冲宽度调制信号的步骤。

7.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述热处理装置还包括第一微正压腔和第二微正压腔，所述第一微正压腔包括第一子通孔和第二子通孔，所述第二微正压腔包括第三子通孔和第四子通孔，所述真空室还包括设置于两端的第一通孔和第二通孔，所述第一微正压腔设置于所述真空室的第一通孔端，所述第二微正压腔设置于所述真空室的第二通孔端；

所述第一子通孔、所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三子通孔，用于放置所述目标工件；

所述第一微正压腔和所述第二微正压腔，用于在通入保护气体的情况下，维持微正压环境，所述保护气体通过所述第二子通孔和第四子通孔分别通入至所述第一微正压腔和所述第二微正压腔中。

8.根据权利要求7所述的热处理装置，其特征在于，所述真空室还包括第三通孔；

所述第三通孔，用于在真空泵的作用下，排出所述真空室内的气体。

9.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述热处理装置还包括保护罩；

其中，所述真空室设置在所述保护罩内，所述真空室的外壁与所述保护罩之间设置有冷却介质。

10.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述热处理装置还包括用于固定所述目标工件的压紧轮；

其中，所述等离子体电源的负极通过所述压紧轮与所述目标工件连接。