CN117981494A - 在先进基板图案化中降低抗蚀刻性 - Google Patents

在先进基板图案化中降低抗蚀刻性 Download PDF

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Abstract

本文描述的实施方式涉及一种设备，所述设备包括：基板；像素限定层(PDL)结构，设置在所述基板上方并且限定所述设备的子像素；和多个悬伸结构。每个悬伸结构由横向延伸过主体结构的顶部结构限定。每个主体结构设置在每个PDL结构的上表面上方。悬伸结构限定包括第一子像素和第二子像素的多个子像素。每个子像素包括阳极、有机发光二极管(OLED)材料、阴极和封装层。OLED材料设置在第一阳极上方并且在所述悬伸结构下面延伸。所述阴极设置在所述OLED材料上方和所述悬伸结构下面。所述封装层设置在所述第一阴极上方。第一封装层具有第一厚度，并且第二封装层具有不同于所述第一厚度的第二厚度。

Description

在先进基板图案化中降低抗蚀刻性
背景
技术领域
本文描述的实施方式总体上涉及显示器。更具体地，本文描述的实施方式涉及子像素电路和形成可用于显示器(诸如有机发光二极管(OLED)显示器)的子像素电路的方法。
背景技术
包括显示设备的输入设备可以用于各种电子系统。有机发光二极管(OLED)是发光二极管(LED)，其中发射电致发光层是响应于电流而发射光的有机化合物的膜。如果发射的光穿过透明或半透明底部电极和基板(在所述基板上制造面板)，则OLED设备被分类为底部发射设备。基于从OLED设备发射的光是否通过在制造设备之后添加的盖而离开来对顶部发射设备进行分类。目前，OLED用于创造许多电子器件中的显示设备。电子器件制造商正在促使这些显示设备缩小尺寸，同时提供的分辨率比几年前更高。
OLED像素图案化基于限制面板尺寸、像素分辨率和基板尺寸的工艺。应该使用光刻术来使像素图案化，而不是利用精细金属掩模。目前，OLED像素图案化需要在图案化工艺之后剥离有机材料。当剥离有机材料时，有机材料留下破坏OLED性能的颗粒问题。相应地，本领域需要的是子像素电路和形成可用于显示器(诸如有机OLED显示器)的子像素电路的方法。
发明内容
在一个实施方式中，提供一种设备。所述设备包括：基板；像素限定层(PDL)结构，所述像素限定层结构设置在基板上方并且限定所述设备的子像素；和多个悬伸(overhang)结构。每个悬伸结构由横向延伸过主体结构的顶部结构的顶部延伸部分(extension)限定。每个主体结构设置在每个PDL结构的上表面上方。悬伸结构限定包括第一子像素和第二子像素的多个子像素。第一子像素包括第一阳极、第一有机发光二极管(OLED)材料、第一阴极和第一封装层。第一OLED材料设置在第一阳极上方并且与第一阳极接触，并且设置在相邻悬伸结构下面。第一阴极设置在第一OLED材料上方和相邻悬伸结构下面。第一封装层设置在第一阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与相邻悬伸结构的侧壁的一部分接触。第一封装层具有第一厚度。第二子像素包括第二阳极、第二OLED材料、第二阴极和第二封装层。第二有机发光二极管(OLED)材料设置在第二阳极上方并且与第二阳极接触，并且设置在悬伸结构下面。第二阴极设置在第二OLED材料上方和相邻悬伸结构下面。第二封装层设置在第二阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与相邻悬伸结构的侧壁的一部分接触。第二封装层具有不同于第一厚度的第二厚度。
在另一个实施方式中，提供一种设备。所述设备包括：基板；像素限定层(PDL)结构，所述像素限定层结构设置在基板上方并且限定所述设备的子像素；和多个悬伸结构。每个悬伸结构由横向延伸过主体结构的顶部结构的顶部延伸部分限定，以形成悬伸部(overhang)。每个主体结构设置在每个PDL结构的上表面上方。多个悬伸结构的相邻悬伸结构限定包括第一子像素和第二子像素的多个子像素。第一子像素包括第一阳极、第一有机发光二极管(OLED)材料、第一阴极和第一封装层。第一OLED材料设置在第一阳极上方并且与第一阳极接触，并且设置在相邻悬伸结构下面。第一阴极设置在第一OLED材料上方和相邻悬伸结构下面。第一封装层设置在第一阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与悬伸结构的侧壁的一部分接触。第一封装层在悬伸部的整个区域中并且具有第一厚度。第二子像素包括第二阳极、第二OLED材料、第二阴极和第二封装层。第二OLED材料设置在第二阳极上方并且与第二阳极接触，并且设置在相邻悬伸结构下面。第二阴极设置在第二OLED材料上方和相邻悬伸结构下面。第二封装层设置在第二阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与相邻悬伸结构的侧壁的一部分接触。第二封装层具有不同于第一厚度的第二厚度。
在又一个实施方式中，提供一种设备。所述设备包括：基板；像素限定层(PDL)结构，所述像素限定层结构设置在基板上方并且限定所述设备的子像素；和多个悬伸结构。每个悬伸结构由横向延伸过主体结构的顶部结构的顶部延伸部分限定，以形成悬伸部。每个主体结构设置在每个PDL结构的上表面上方。多个悬伸结构的相邻悬伸结构限定包括第一子像素、第二子像素和第三子像素的多个子像素。第一子像素包括第一阳极、第一有机发光二极管(OLED)、第一阴极和第一封装层。第一OLED材料设置在第一阳极上方并且与第一阳极接触，并且设置在相邻悬伸结构下面。第一阴极设置在第一OLED材料上方，第一阴极在相邻悬伸结构下面延伸，并且与悬伸结构的一部分接触。第一封装层设置在第一阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与悬伸结构的侧壁的一部分接触。封装层具有第一厚度。第二子像素第二阳极、第二OLED材料、第二阴极和第二封装层。第二OLED材料设置在第二阳极上方并且与第二阳极接触，并且设置在相邻悬伸结构下面。第二阴极设置在第二OLED材料上方，第二阴极在相邻悬伸结构下面延伸，并且与悬伸结构的一部分接触。第二封装层设置在第二阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与悬伸结构的侧壁的一部分接触。第二封装层具有不同于第一厚度的第二厚度。第三子像素包括第三阳极、第三OLED材料、第三阴极和第三封装层。第三OLED材料设置在第三阳极上方并且与第三阳极接触，并且设置在相邻悬伸结构下面。第三阴极设置在第三OLED材料上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与主体结构的一部分接触。第三封装层设置在第三阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与悬伸结构的侧壁的一部分接触。封装层具有不同于第一厚度和第二厚度的第三厚度。
在又一个实施方式中，提供一种设备。所述设备包括：基板；像素限定层(PDL)结构，所述像素限定层结构设置在基板上方并且限定所述设备的子像素；和多个悬伸结构。每个悬伸结构由横向延伸过主体结构的顶部结构的顶部延伸部分限定。每个主体结构设置在每个PDL结构的上表面上方。多个悬伸结构的相邻悬伸结构限定包括第一子像素和第二子像素的多个子像素。第一子像素包括第一阳极、第一有机发光二极管(OLED)材料、第一阴极和第一封装层。第一OLED材料设置在第一阳极上方并且与第一阳极接触，并且设置在相邻悬伸结构下面。第一阴极设置在第一OLED材料上方和相邻悬伸结构下面。第一封装层设置在第一阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与相邻悬伸结构的侧壁的一部分接触。第一封装层包含至少两层含硅材料。第二子像素包括第二阳极、第二OLED、第二阴极和第二封装层。第二OLED材料设置在第二阳极上方并且与第二阳极接触，并且设置在相邻悬伸结构下面。第二阴极设置在第二OLED材料上方和相邻悬伸结构下面。第二封装层设置在第二阴极上方，在相邻悬伸结构下面延伸，并且与相邻悬伸结构的侧壁的一部分接触。第二封装层包含具有与第一封装层不同的组成的含硅材料。
附图说明
为了能够详细地理解本公开内容上述特征的方式，可以通过参考实施方式对以上简要概述的本公开内容进行更具体的描述，其中一些实施方式在附图中图示。然而，应注意，附图仅图示示例性实施方式，并且因此不应被视为对实施方式的范围的限制，并且可以承认其他等效的实施方式。
图1A是根据实施方式的子像素电路的示意性截面图。
图1B是根据实施方式的子像素电路的示意性截面图。
图1C是根据实施方式的具有点型(dot-type)架构的子像素电路的示意性俯视截面图。
图1D是根据实施方式的具有线型(line-type)架构的子像素电路的示意性截面图。
图2A是根据实施方式的子像素电路的悬伸结构的示意性截面图。
图2B是根据实施方式的子像素电路的悬伸结构的示意性截面图。
图3是根据实施方式的用于形成子像素电路的按需(on-demand)方法的流程流程图。
图4A至图4K是根据实施方式的用于形成子像素电路的方法期间的基板的示意性截面图。
图5是根据实施方式的用于形成子像素电路的一步(one-step)方法的流程流程图。
图6A至图6H是根据本文描述的实施方式的用于形成子像素电路的方法期间的基板的示意性截面图。
为了便于理解，在可能的情况下，已经使用相同的参考数字来表示附图共有的相同的元件。可以设想，在一个实施方式中公开的元件可以有利地用于其他实施方式，而无需具体叙述。
具体实施方式
本文描述的实施方式总体上涉及显示器。更具体地，本文描述的实施方式涉及子像素电路和形成可用于显示器(诸如有机发光二极管(OLED)显示器)的子像素电路的方法。
本文描述的子像素电路的实施方式中的每一者包括多个子像素，其中由相邻悬伸结构限定子像素中的每一者，所述相邻悬伸结构对于子像素电路是永久的。虽然附图描绘三个子像素，其中由相邻悬伸结构限定每个子像素，但是本文描述的实施方式中的子像素电路包括多个子像素，例如三个或更多个子像素。每个子像素具有OLED材料，OLED材料被配置为在通电时发射白色、红色、绿色、蓝色或其他颜色的光。例如，第一子像素的OLED材料在通电时发射红光，第二子像素的OLED材料在通电时发射绿光，并且第三子像素的OLED材料在通电时发射蓝光。
悬伸结构对于子像素电路是永久的，并且至少包括设置在主体结构上方的顶部结构。限定显示器的子像素电路的每个子像素的相邻悬伸结构提供了使用蒸发沉积形成子像素电路，并且提供了在形成子像素电路之后保持在原位(in place)的悬伸结构。蒸发沉积用于沉积OLED材料(包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)和电子传输层(ETL))和阴极。在一个实施方式中，相比HTL层，HIL层具有更大的电导率。在另一个实施方式中，相比HTL层，HIL层具有更大的能级(energy level)。在一些情况下，可以通过蒸发沉积来设置封装层。在包括一个或多个覆盖层(capping layer)的实施方式中，覆盖层设置在阴极和封装层之间。悬伸结构和由蒸发源设定的蒸发角度限定沉积角度，即，悬伸结构在以由蒸发源设定的蒸发角度蒸发沉积期间提供遮蔽效应(shadowing effect)。为了以特定角度进行沉积，蒸发源被配置为相对于悬伸结构以特定角度发射沉积材料。相应子像素的封装层设置在阴极上方，其中封装层在相邻悬伸结构中的每一者的至少一部分下面延伸。每个子像素的封装层与相邻悬伸结构中的每一者的侧壁的至少一部分接触。根据在子像素上沉积的OLED材料，封装层可以通过厚度、组成和沉积方法而改变。
图1A是具有布置101A的子像素电路100的示意性截面图。图1A的截面图是沿图1C和图1D的截面线1"-1"截取的。图1B是具有布置101B的子像素电路100的示意性截面图。图1B的截面图是沿图1C和图1D的截面线1"-1"截取的。
子像素电路100包括基板102。可以在基板102上使含金属层104图案化，并且由设置在基板102上的相邻像素限定层(PDL)结构126限定含金属层104。在一个实施方式中，在基板102上使含金属层104预图案化。例如，基板102是预图案化的氧化铟锡(ITO)玻璃基板。含金属层104被配置为操作相应子像素的阳极。含金属层104包括但不限于铬、钛、金、银、铜、铝、ITO、以上项的组合或其他合适的导电材料。
PDL结构126设置在基板102上。PDL结构126包括有机材料、具有设置在有机材料上方的无机涂层的有机材料、或无机材料中的一者。PDL结构126的有机材料包括但不限于聚酰亚胺。PDL结构126的无机材料包括但不限于氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧氮化硅(Si2N2O)、氟化镁(MgF2)或以上项的组合。相邻PDL结构126限定相应的子像素，并且暴露子像素电路100的相应子像素的阳极(即，含金属层104)。
子像素电路100具有多个子像素106，多个子像素106至少包括第一子像素108a、第二子像素108b和第三子像素108c。虽然附图描绘第一子像素108a、第二子像素108b和第三子像素108c，但是本文描述的实施方式的子像素电路100可以包括三个或更多个子像素106，例如第四子像素和第五子像素。每个子像素106具有有机发光二极管(OLED)材料112，OLED材料被配置为在通电时发射白色、红色、绿色、蓝色或其他颜色的光。例如，第一子像素108a的OLED材料112在通电时发射红光，第二子像素108b的OLED材料在通电时发射绿光，第三子像素108c的OLED材料在通电时发射蓝光，并且第四子像素和第五子像素的OLED材料在通电时发射另一种颜色的光。
悬伸结构110设置在PDL结构126中的每一者的上表面103上。悬伸结构110对于子像素电路是永久的。悬伸结构110进一步限定子像素电路100的每个子像素106。悬伸结构110至少包括设置在主体结构110A上方的顶部结构110B。在一个实施方式中，顶部结构110B设置在主体结构110A上。主体结构110A设置在PDL结构126的上表面103上方。在一个实施方式中，主体结构110A设置在PDL结构126的上表面103上。每个悬伸结构110包括相邻悬伸部109。相邻悬伸部109由顶部结构110B的顶部延伸部分109A限定，顶部延伸部分109A横向延伸过主体结构110A的侧壁111。
顶部结构110B包括非导电材料、无机材料或含金属材料中的一者。主体结构110A包括无机材料或含金属材料。非导电材料包括但不限于无机含硅材料。例如，含硅材料包括硅的氧化物或氮化物，或者以上项的组合。含金属材料包括金属或金属合金中的至少一者，例如钛(Ti)、铝(Al)、铝钕(AlNd)、钼(Mo)、钼钨(MoW)、铜(Cu)或以上项的组合。主体结构110A和顶部结构110B的无机材料包括钛(Ti)、氮化硅(Si3N4)、氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(Si2N2O)或以上项的组合。悬伸结构110能够保持在原位，即是永久的。由此，将不会留下从悬伸结构剥离而破坏OLED性能的有机材料。消除对剥离过程的需要也提高了处理量。
在一个示例中，顶部结构110B包括非导电无机材料，并且主体结构110A包括导电无机材料或含金属材料。在另一示例中，顶部结构110B包括导电无机材料或含金属材料，并且主体结构110A包括导电无机材料或含金属材料。辅助阴极202(示出于图2B中)可以设置在主体结构110A下面。
由顶部结构110B的顶部延伸部分109A限定相邻悬伸部109。至少顶部结构110B的底表面107比主体结构110A的顶表面105宽，以形成悬伸部109的顶部延伸部分109A(如图1B中所示)。顶部结构110B设置在主体结构110A的顶表面105上方。顶部结构110B的顶部延伸部分109A形成悬伸部109，并且允许顶部结构110B遮蔽主体结构110A。悬伸部109的遮蔽提供OLED材料112和阴极114中的每一者的蒸发沉积。OLED材料112设置在悬伸部109下面。阴极114设置在OLED材料112上方，并且在悬伸部109下面延伸。在一个实施方式中，如图2A和图2B中所示，阴极114与主体结构110A的侧壁111的第一部分220接触。
悬伸结构110和由蒸发源设定的蒸发角度限定沉积角度，即，悬伸结构110在以由蒸发源设定的蒸发角度蒸发沉积期间提供遮蔽效应。悬伸部109和蒸发源限定OLED材料112的OLED角度θOLED和阴极114的阴极角度θ阴极(示出于图2A和图2B中)。通过悬伸结构110和由蒸发源设定的蒸发角度来产生OLED材料112的OLED角度θOLED和阴极114的阴极角度θ阴极，即，悬伸结构110在以由蒸发源设定的蒸发角度对OLED材料112和阴极114进行蒸发沉积期间提供遮蔽效应。在一个实施方式中，OLED材料112和阴极114接触悬伸结构110的主体结构110A的侧壁111。在另一个实施方式中，如图1A中所示，阴极114接触悬伸结构110的主体结构110A的侧壁111。在一个实施方式中，如图1A中所示，封装层116设置在主体结构110A的侧壁111和顶部结构110B的底表面107上方。在示出于图2B中的另一个实施方式中，主体结构110A设置在辅助阴极202上方。辅助阴极202设置在PDL结构126的上表面103的一部分上方。阴极114至少与辅助阴极202接触。在另一个实施方式中，阴极114与在子像素电路100的活动区域(active area)外部的汇流条(未示出)接触。阴极114和辅助阴极202包括导电材料，例如金属或金属合金。例如：阴极114和/或辅助阴极202包括但不限于铬、钛、铝、ITO或以上项的组合。在一些实施方式中，阴极114的材料不同于主体结构110A和顶部结构110B的材料。
每个子像素106包括封装层116，例如，第一子像素108a具有第一封装层116A，第二子像素108b具有第二封装层116B，并且第三子像素108c具有第三封装层116C。封装层116可以是或者可以对应于局部钝化层。相应子像素的封装层116设置在阴极114(和OLED材料112)上方，其中封装层116在悬伸结构110的至少一部分下面和相邻悬伸结构110中的每一者的侧壁的至少一部分上方延伸。在一个实施方式中，如图1A的子像素108b和108c中所示，第二封装层116B和第三封装层116C设置在阴极114上方，并且在相邻悬伸部109下面延伸以与主体结构110A的侧壁111的第二部分(未示出)接触。在另一个实施方式中，如图1A的子像素108a中所示，第一封装层116A设置在主体结构110A的侧壁111和顶部结构110B的底表面107上方。在另一个实施方式中，如图1B的子像素108a中所示，第一封装层116A设置在以下项的上方：主体结构110A的侧壁111、顶部结构110B的底表面107、顶部结构110B的侧壁113、和悬伸结构110的顶部结构110B的顶表面115的一部分。封装层116进一步包括顶表面119，顶表面119限定在主体结构110A的侧壁111之间的封装层116的最上边缘。
在包括一个或多个覆盖层的实施方式中，覆盖层设置在阴极114和封装层116之间。例如，第一覆盖层和第二覆盖层设置在阴极114和封装层116之间。本文描述的实施方式中的每一者可以包括设置在阴极114和封装层116之间的一个或多个覆盖层。第一覆盖层可以包括有机材料。第二覆盖层可以包括无机材料，例如氟化锂。可以通过蒸发沉积来沉积第一覆盖层和第二覆盖层。在另一个实施方式中，子像素电路100进一步包括设置在悬伸结构110和封装层116上方的至少一个整体(global)钝化层120。在又一个实施方式中，子像素包括设置在子像素106中的每一者的悬伸结构110上方并且设置在封装层116和整体钝化层120之间的中间钝化层。
子像素电路100的布置101A和布置101B进一步包括设置在悬伸结构110和封装层116上方的至少整体钝化层120。在一个实施方式中，中间层118可以设置在整体钝化层120与悬伸结构110和封装层116之间。中间层118可以包括喷墨材料(inkjet material)，例如丙烯酸材料。
图1C是具有点型架构101C的子像素电路100的示意性俯视截面图。图1D是具有线型架构101D的子像素电路100的示意性截面图。图1C和图1D的俯视截面图中的每一者是沿图1A和图1B的截面线1'-1'截取的。点型架构101C包括来自相邻PDL结构126的多个像素开口124A。如图1A中所示，像素开口124A中的每一者被悬伸结构110包围，悬伸结构110限定点型架构101C的子像素106中的每一者。线型架构101D包括来自相邻PDL结构126的多个像素开口124B。如图1A中所示，像素开口124B中的每一者与悬伸结构110邻接，悬伸结构110限定线型架构101D的子像素106中的每一者。
图2A是子像素电路100的悬伸结构110的示意性截面图。图2B是子像素电路100的悬伸结构110的示意性截面图。在一个实施方式中，悬伸结构110包括非导电无机材料的顶部结构110B和导电无机材料的主体结构110A。在另一个实施方式中，悬伸结构110包括导电无机材料的顶部结构110B和导电无机材料的主体结构110A。在一个实施方式中，阴极114与悬伸结构110的主体结构110A接触。在另一个实施方式中，如图2B中所示，主体结构110A设置在辅助阴极202上方。阴极114至少与辅助阴极202接触。在另一个实施方式中，阴极114与在子像素电路100的活动区域外部的汇流条(未示出)接触。
顶部结构110B包括下侧边缘206和悬伸部矢量208。下侧边缘206延伸过主体结构110A的侧壁111。悬伸部矢量208由下侧边缘206和PDL结构126限定。OLED材料112设置在含金属层104上方、PDL结构126的侧壁127上方和PDL结构126的上表面103的第一部分210上方，在悬伸部109下面延伸到OLED端点218。OLED材料112在OLED矢量212和悬伸部矢量208之间形成OLED角度θOLED。OLED矢量212由在顶部结构110B下面延伸的OLED端点218和顶部结构110B的下侧边缘206限定。在一个实施方式中，OLED材料112可以包括HIL、HTL、EML和ETL中的一者或多者。
在每个子像素106中，阴极114设置在OLED材料112上方、PDL结构126的第一部分210上方和PDL结构126的上表面103的第二部分211上方。在可以与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式中，阴极114设置在主体结构110A的侧壁111的第一部分220上。在可以与本文描述的其他实施方式组合的其他实施方式中，如图2B中所示，阴极114与辅助阴极202的一部分222接触。在阴极114与辅助阴极202的一部分222接触的实施方式中，阴极114也可以与主体结构110A的侧壁111的第一部分220接触。阴极114在阴极矢量224和悬伸部矢量208之间形成阴极角度θ阴极。阴极矢量224由在顶部结构110B下面延伸的阴极端点226和顶部结构110B的下侧边缘206限定。
封装层116设置在阴极114(和OLED材料112)上方，其中封装层116至少在悬伸结构110的顶部结构110B下面和在悬伸结构110的侧壁的至少一部分上方延伸。在一个实施方式中，如图1A和图1B的子像素108b和108c中所示，第二封装层116B和116C设置在阴极114上方，并且在相邻悬伸部109下面延伸以与主体结构110A的侧壁111的第二部分(未示出)接触。在另一个实施方式中，如图2A中所示，第一封装层116A设置在主体结构110A的侧壁111和顶部结构110B的底表面107上方。在另一个实施方式中，如图2B中所示，第一封装层116A与以下项接触：主体结构110A的侧壁111、顶部结构110B的底表面107、顶部结构110B的侧壁113、和悬伸结构110的顶部结构110B的顶表面115的一部分。封装层116进一步包括顶表面119，顶表面119限定在主体结构110A的侧壁111之间的封装层116的最上边缘。
可以使用沉积厚度来改变封装层116。每个封装层116具有某个厚度。厚度是从封装层的底表面到封装层116的顶表面的距离。第一封装层116A具有第一厚度t1，第二封装层116B具有第二厚度t2，并且第三封装层116C具有第三厚度t3。在另一个实施方式中，第二厚度t2不同于第一厚度t1，并且第三厚度t3不同于第一厚度t1和第二厚度t2。在一个实施方式中，如图1A中所示，厚度t1大于厚度t2和t3，并且厚度t2大于厚度t3。在另一个实施方式中，如图1B中所示，厚度t1小于厚度t2和t3，并且厚度t2小于厚度t3。在另一个实施方式中，厚度t2大于厚度t1和t3，并且厚度t1大于厚度t3。在另一个实施方式中，厚度t2大于厚度t1和t3，并且厚度t3大于厚度t1。
在另一个实施方式中，封装层116的厚度随着发射光的波长的增加而增加，例如，在具有红色OLED材料112的子像素108a处第一封装层116A的厚度t1最厚(约580nm)，在具有绿色OLED材料112的第二子像素108b处第二封装层116B的厚度t2较薄(约540nm)，并且在具有蓝色OLED材料112的子像素108c处第三封装层116C的厚度t3最薄(约440nm)。在另一个实施方式中，封装层116的厚度随着发射光的波长的增加而减小，例如，在具有红色OLED材料112的子像素108a处第一封装层116A的厚度t1最薄(约580nm)，在具有绿色OLED材料112的第二子像素108b处第二封装层116B的厚度t2较厚(约540nm)，并且在具有蓝色OLED材料112的子像素108c处第三封装层116C的厚度t3最厚(约440nm)。在另一个实施方式中，封装层116的厚度可以独立于在子像素108a、108b和108c处使用的OLED光的类型而改变。每个子像素中的封装层在厚度方面是变化的，以便在后续封装层的蚀刻期间保护所沉积的层。厚度t1、t2和t3可以在约0.5μm和约2.0μm之间的范围内，例如约0.8μm至约1.2μm。
封装层116包括非导电无机材料，例如含硅材料。含硅材料可以包括氮化硅(例如Si3N4)材料、氮氧化硅材料(例如Si2N2O)、氧化硅材料(例如SiO2)或以上项的组合。在一个实施方式中，第一封装层116A包括氮化硅材料，第二封装层116B包括氮氧化硅材料，并且第三封装层116C包括氧化硅。封装层116的厚度可以取决于封装层116的材料的蚀刻选择性。可以进一步改变含硅材料以改变封装层116的光学特性。例如，可以调谐含硅材料以增加或降低折射率。折射率的差异也可以影响封装层116的蚀刻速率。这允许对封装层116进行附加的蚀刻选择性控制。在一个实施方式中，第一封装层116A具有第一折射率，第二封装层116B具有第二折射率，并且第三封装层116C具有第三折射率。在此实施方式中，第一折射率、第二折射率和第三折射率彼此不同。
第一封装层116A、第二封装层116B和第三封装层116C中的至少一者可以包括至少两层含硅材料。第一封装层116A、第二封装层116B和第三封装层116C中的至少一者包括与其他封装层116的组成不同的用于含硅材料层中的至少一者的组成。在第一示例中，第一封装层116A包括在氮化硅材料上方的氮氧化硅材料。第二封装层116B包括在氮化硅层上方的氧化硅层。第三封装层116C包括在氧化硅层上方的氮化硅层。在第二示例中，第一封装层116A包括在氮氧化硅层上方的氧化硅层。第二封装层116B包括在氮氧化硅层上方的氮化硅层。第三封装层116C具有在氧化硅层上方的氮氧化硅层。氮化硅材料所具有的厚度为约0.8μm至约1.2μm。氮氧化硅层所具有的厚度为约0.2μm至约0.4μm。氧化硅层所具有的厚度为约0.2μm至约0.4μm。
可以使用不同的沉积模式来进一步改变封装层116，例如原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)。在一个示例中，第一子像素108a包括使用CVD沉积的氮化硅和使用ALD沉积的氧化硅。第二子像素108b包括使用CVD沉积的氮化硅和使用CVD沉积的氮氧化硅。第三子像素108c包括使用CVD沉积的氮化硅。可以在使用用于沉积工艺的电感耦合等离子体(IDP)或导电耦合等离子体(CCP)之间进一步改变封装层116。
通过改变封装层116的组成、沉积方法和厚度，每个子像素中的封装层在后续的层的沉积期间保护所沉积的层，并且提高工艺良率和效率。如图1和图2中的子像素108b和108c中所示，封装层116厚度的变化进一步控制下侧边缘206与封装层116的顶表面之间的距离，和封装层116的封装边缘230与封装层116的顶表面119之间的距离。这些距离控制在悬伸结构110下面发生的蚀刻和沉积的量，造成在后续的沉积和蚀刻期间OLED材料112保护的增加。
封装层116在悬伸结构110下面延伸以与主体结构110A的第二部分接触。在封装边缘230和封装层116的顶表面119之间限定距离。在一个实施方式中，第一封装层116A在悬伸部109的整个区域中。在此实施方式中，封装的厚度t1从顶部结构110B的底表面107到第一封装层116A的底表面。例如，在封装边缘230和封装层116的顶表面119之间没有距离。在另一个实施方式中，如图1B和图2B中的子像素108a处所示，第一封装层116A在悬伸结构110下面延伸以与主体结构110A、顶部结构110B的底表面107、顶部结构110B的侧壁113和顶部结构110B的顶表面115的一部分117接触。第一封装层116A具有厚度t1以填充悬伸部109下面的区域的一部分。在顶部结构110B的底表面107上的第一封装层116A和阴极114上方的第一封装层116A之间限定间隙。厚度t1确定在封装边缘230和第一封装层116A的顶表面119之间的间隙的距离D1。在另一个实施方式中，如图1A和图1B中的第二子像素108b处所示，第二封装层116B在悬伸结构110下面延伸以与主体结构110A的一部分接触。第二封装层116B在第二子像素处具有第二厚度t2以填充悬伸部109下面的区域的一部分。在顶部结构110B的下侧边缘206和阴极114上方的第二封装层116B之间限定间隙。第二厚度t2确定在下侧边缘206和第二封装层116B的顶表面119之间的间隙的距离D2。在另一个实施方式中，如图1A和图1B中的子像素108c处所示，第三封装层116C在悬伸结构110下面延伸以与主体结构110A的一部分接触。第三封装层116C在第三子像素108c处具有第三厚度t3以填充悬伸部109下面的区域的一部分。在顶部结构110B的下侧边缘206和阴极114上方的第三封装层116C之间限定间隙。第三厚度t3确定在下侧边缘206和第三封装层116C的顶表面119之间的间隙的距离D3。在又一个实施方式中，第一封装层116A具有第一厚度t1，第二封装层116B具有第二厚度t2，并且第三封装层116C具有第三厚度t3。第二厚度t2不同于第一厚度t1。第三厚度t3不同于第一厚度t1和第二厚度t2。虽然图1A描绘在悬伸部的整个区域中具有第一子像素108a的第一封装层116A的实施方式，并且图1B描绘第一子像素108a的第一封装层116A包含顶部结构110B的顶表面115的一部分的实施方式，但是第一子像素108a的第一封装层116A、第二子像素108b的第二封装层116B和第三封装层116C第三子像素108c可以包括本文描述的实施方式的任何组合。
在OLED材料112的蒸发沉积期间，顶部结构110B的下侧边缘206限定OLED端点218的位置。例如，以对应于OLED矢量212的OLED最大角度蒸发OLED材料112，并且下侧边缘206确保OLED材料112不沉积超过OLED端点218。在阴极114的蒸发沉积期间，顶部结构110B的下侧边缘206限定阴极端点226的位置。例如，以对应于阴极矢量224的阴极最大角度蒸发阴极114，并且下侧边缘206确保阴极114不沉积超过阴极端点226。OLED角度θOLED小于阴极角度θ阴极。
图3是根据实施方式的用于形成子像素电路100的方法300的流程图。图4A至图4K是根据本文描述的实施方式的用于形成子像素电路100的方法300期间的基板102的示意性截面图。本文描述的方法300提供制造具有点型架构101C的子像素电路100和具有线型架构101D的子像素电路100二者的能力。
在操作301处，如图4A中所示，在基板102上方沉积主体结构层402A和顶部结构层402B。主体结构层402A设置在PDL结构126和含金属层104上方。顶部结构层402B设置在主体结构层402A上方。主体结构层402A对应于主体结构110A，并且顶部结构层402B对应于悬伸结构110的顶部结构110B。在悬伸结构110的一些实施方式中，辅助阴极层(未示出)设置在主体结构层402A与PDL结构126和含金属层104之间。
在操作302处，如图4B中所示，设置抗蚀剂406，并且使抗蚀剂406图案化。抗蚀剂406设置在顶部结构层402B上方。抗蚀剂406是正性抗蚀剂或负性抗蚀剂。正性抗蚀剂包括抗蚀剂的部分，当曝光于电磁辐射时，在使用电磁辐射将图案写入抗蚀剂中之后，这些部分分别能溶于施加到抗蚀剂的抗蚀剂显影剂。负性抗蚀剂包括抗蚀剂的部分，当曝光于辐射时，在使用电磁辐射将图案写入抗蚀剂中之后，这些部分将分别不溶于施加到抗蚀剂的抗蚀剂显影剂。抗蚀剂406的化学组成确定抗蚀剂是正性抗蚀剂还是负性抗蚀剂。使抗蚀剂406图案化以形成第一子像素108a的点型架构101C的像素开口124A或线型架构101D的像素开口124B中的一者。图案化是光刻术、数字平版印刷术工艺或激光烧蚀工艺中的一者。
在操作303处，如图4C中所示，去除由像素开口124A、124B暴露的顶部结构层402B和主体结构层402A的部分。可以通过干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺去除通过像素开口124A、124B暴露的顶部结构层402B。可以通过干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺去除通过像素开口124A、124B暴露的主体结构层402A。在包括辅助阴极层的实施方式中，可以通过干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺去除辅助阴极层的一部分，以形成设置在主体结构110A下面的辅助阴极202。操作303形成第一子像素108a的悬伸结构110。对应于顶部结构110B的顶部结构层402B和对应于主体结构110A的主体结构层402A的材料之间的蚀刻选择性，和去除顶部结构层402B和主体结构层402A的暴露部分的蚀刻工艺使得顶部结构110B的底表面107比主体结构110A的顶表面105宽，以形成限定悬伸部109的顶部延伸部分109A(如图1A、图1B、图2A和图2B中所示)。悬伸部109的遮蔽提供OLED材料112和阴极114的蒸发沉积。
在操作304处，如图4D中所示，沉积第一子像素108a的OLED材料112、阴极114和封装层116。悬伸部109的遮蔽提供OLED材料112和阴极114中的每一者的蒸发沉积。如在图2的对应描述中进一步讨论的，悬伸结构110的遮蔽效应限定OLED材料112的OLED角度θOLED(如图1A和图2A中所示)和阴极114的阴极角度θ阴极(如图1A和图2A中所示)。由OLED材料112和阴极114的蒸发沉积产生OLED材料112的OLED角度θOLED和阴极114的阴极角度θ阴极。在一个实施方式中，阴极114与悬伸结构110的主体结构110A接触。在另一个实施方式中，阴极114至少与辅助阴极202接触。封装层116以厚度t1沉积在阴极114上方。在包括覆盖层的实施方式中，覆盖层在阴极114和封装层116之间沉积。可以通过蒸发沉积来沉积覆盖层。
在操作305处，如图4E中所示，在第一子像素108a的阱(well)410中形成抗蚀剂408。在一个实施方式中，抗蚀剂408的厚度不同于抗蚀剂406的厚度。在操作306处，如图4F中所示，去除由抗蚀剂408暴露的封装层116、阴极114和OLED材料112。可以通过湿法蚀刻工艺去除由抗蚀剂408暴露的封装层116、阴极114和OLED材料112。从阱去除抗蚀剂408，留下悬伸结构110。在操作307处，如图4G中所示，设置抗蚀剂412，并且使抗蚀剂412图案化。在一个实施方式中，抗蚀剂412的厚度不同于抗蚀剂406和抗蚀剂408的厚度。抗蚀剂412设置在第一子像素108a的顶部结构层402B和顶部结构110B上方。使抗蚀剂412图案化以形成第二子像素108b的点型架构101C的像素开口124A或线型架构101D的像素开口124B中的一者。
在操作308处，如图4H中所示，去除由第二子像素108b的像素开口124A、124B暴露的顶部结构层402B和主体结构层402A的部分。可以通过干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺去除通过像素开口124A、124B暴露的顶部结构层402B。可以通过干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺去除通过像素开口124A、124B暴露的主体结构层402A。在包括辅助阴极层的实施方式中，可以通过干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺去除辅助阴极层的一部分，以形成设置在主体结构110A下面的辅助阴极202。操作308形成第二子像素108b的悬伸结构110。对应于顶部结构110B的顶部结构层402B和对应于主体结构110A的主体结构层402A的材料的蚀刻选择性，和去除顶部结构层402B和主体结构层402A的暴露部分的蚀刻工艺使得顶部结构110B的底表面107比主体结构110A的顶表面105宽，以形成限定悬伸部109的顶部延伸部分109A(如图1A中所示)。悬伸部109的遮蔽提供OLED材料112和阴极114的蒸发沉积。
在操作309处，如图4I中所示，沉积第二子像素108b的OLED材料112、阴极114和封装层116。在包括覆盖层的实施方式中，覆盖层在阴极114和封装层116之间沉积。可以通过蒸发沉积来沉积覆盖层。悬伸部109的遮蔽提供OLED材料112和阴极114的蒸发沉积。悬伸结构110的遮蔽效应限定OLED材料112的OLED角度θOLED和阴极114的阴极角度θ阴极。由OLED材料112和阴极114的蒸发沉积产生OLED材料112的OLED角度θOLED和阴极114的阴极角度θ阴极。在一个实施方式中，阴极114与悬伸结构110的主体结构110A接触。在另一个实施方式中，阴极114至少与辅助阴极202接触。封装层116以厚度t2沉积在阴极114上方。在一个实施方式中，厚度t2小于厚度t1。在另一个实施方式中，厚度t2大于厚度t1。
在操作310处，如图4J中所示，在第二子像素108b的阱中形成抗蚀剂416。在一个实施方式中，抗蚀剂416的厚度不同于抗蚀剂406、抗蚀剂408和抗蚀剂412的厚度。在操作311处，如图4K中所示，去除由抗蚀剂416暴露的封装层116、阴极114和OLED材料112。可以通过湿法蚀刻工艺去除由抗蚀剂416暴露的封装层116、阴极114和OLED材料112。从阱去除抗蚀剂416，留下悬伸结构110。本文描述的操作301至311形成包括两个子像素106的子像素电路100。对于每个附加子像素，例如对于第三子像素和/或第四子像素，可以重复操作306至310。如图1A和图1B中所示，用于第三子像素108c的封装层116具有厚度t3。任何附加的像素108n具有厚度为tn的封装层116。在一个实施方式中，子像素108c中的封装层116的厚度t3小于厚度t1和t2。在另一个实施方式中，子像素108c中的封装层116的厚度t3大于厚度t1和t2。在另一个实施方式中，子像素108c中的封装层116的厚度t3小于厚度t1且大于厚度t2。在另一个实施方式中，子像素108c中的封装层116的厚度t3大于厚度t1且小于厚度t2。在另一个实施方式中，封装层116的厚度随着发射光的波长增加而增加。在另一个实施方式中，封装层116的厚度随着发射光的波长增加而减小。
如上所述，可以改变封装层116的厚度、组成和沉积方法。通过改变封装层116的组成和沉积方法以产生厚度的变化，封装层116保护所沉积的OLED材料112免于在成层(layering)期间受到损坏，并且提高工艺良率和效率。如图1和图2中的子像素108b和108c中所示，封装层116厚度的变化进一步控制在下侧边缘206与封装层116的顶表面之间的距离，和在封装层116的封装边缘230与封装层116的顶表面119之间的距离。这些距离控制在悬伸结构110下面发生的蚀刻和沉积的量，从而带来在后续沉积和蚀刻期间增加的OLED材料112保护。
图5是用于形成子像素电路100的方法500的流程流程图。图6A至图6H是根据本文描述的实施方式的用于形成子像素电路100的方法500期间的基板102的示意性截面图。
在操作501处，如图6A中所示，在基板102上方沉积主体结构层402A和顶部结构层402B。主体结构层402A设置在PDL结构126和含金属层104上方。顶部结构层402B设置在主体结构层402A上方。主体结构层402A对应于主体结构110A，并且顶部结构层402B对应于悬伸结构110的顶部结构110B。在悬伸结构110的一些实施方式中，辅助阴极层404设置在主体结构层402A与PDL结构126和含金属层104之间。辅助阴极层404对应于辅助阴极202。在顶部结构层402B上方设置抗蚀剂406，并且使抗蚀剂406图案化，以暴露像素开口124A、124B。在操作502处，如图6B中所示，去除由像素开口124A、124B暴露的顶部结构层402B和主体结构层402A的悬伸结构部分。可以通过干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺去除通过像素开口124A、124B暴露的顶部结构层402B。可以通过干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺去除通过像素开口124A、124B暴露的主体结构层402A。
在操作503处，如图6C中所示，沉积第一子像素108a的OLED材料112、阴极114和封装层116。在包括覆盖层的实施方式中，覆盖层在阴极114和封装层116之间沉积。可以通过蒸发沉积来沉积覆盖层。如在图2B的对应描述中进一步讨论的，悬伸结构110的遮蔽效应限定OLED材料112的OLED角度θOLED(图2B中所示)和阴极114的阴极角度θ阴极(图2B所示)。由OLED材料112和阴极114的蒸发沉积产生OLED材料112的OLED角度θOLED和阴极114的阴极角度θ阴极。在一个实施方式中，阴极114与悬伸结构110的主体结构110A接触。在另一个实施方式中，阴极114至少与辅助阴极202接触。封装层116以厚度t1沉积在阴极114上方。
在操作504处，如图6D中所示，在第一子像素108a的阱中形成抗蚀剂602。在一个实施方式中，抗蚀剂602所具有的厚度不同于抗蚀剂406的厚度。在操作505处，如图6E中所示，去除由抗蚀剂602暴露的封装层116、阴极114和OLED材料112。可以通过湿法蚀刻工艺去除由抗蚀剂602暴露的封装层116、阴极114和OLED材料112。去除抗蚀剂602。
在操作506处，如图6F中所示，沉积第二子像素108b的OLED材料112、阴极114和封装层116。在第一子像素108a的阱中形成抗蚀剂604，并且在抗蚀剂604上方沉积OLED材料112、阴极114和封装层116。在一个实施方式中，抗蚀剂604所具有的厚度不同于抗蚀剂602和抗蚀剂406的厚度。在包括覆盖层的实施方式中，覆盖层在阴极114和封装层116之间沉积。可以通过蒸发沉积来沉积覆盖层。悬伸部109的遮蔽提供OLED材料112和阴极114中的每一者的蒸发沉积。悬伸结构110的遮蔽效应限定OLED材料112的OLED角度θOLED和阴极114的阴极角度θ阴极。由OLED材料112和阴极114的蒸发沉积产生OLED材料112的OLED角度θOLED和阴极114的阴极角度θ阴极。在一个实施方式中，阴极114与悬伸结构110的主体结构110A接触。阴极114中至少与辅助阴极202接触。封装层116以厚度t2沉积在阴极114上方。在一个实施方式中，厚度t2小于厚度t1。在另一个实施方式中，厚度t2大于厚度t1。
在操作507处，如图6G中所示，在第二子像素108b的阱中形成抗蚀剂606。在一个实施方式中，抗蚀剂606所具有的厚度不同于抗蚀剂406、抗蚀剂602和抗蚀剂604的厚度。在操作508处，如图6H中所示，去除由抗蚀剂416暴露的封装层116、阴极114和OLED材料112。可以通过湿法蚀刻工艺去除由抗蚀剂606暴露的封装层116、阴极114和OLED材料112。去除抗蚀剂606。
本文描述的操作501至508形成包括两个或更多个子像素106的子像素电路100。对于每个附加子像素，例如对于第三子像素和/或第四子像素，可以重复操作505至508。如图1A和图1B中所示，用于第三子像素108c的封装层116具有厚度t3。任何附加的像素108n具有厚度为tn的封装层116。在一个实施方式中，子像素108c中的封装层116的厚度t3小于厚度t1和t2。在另一个实施方式中，子像素108c中的封装层116的厚度t3大于厚度t1和t2。在另一个实施方式中，子像素108c中的封装层116的厚度t3小于厚度t1且大于厚度t2。在另一个实施方式中，子像素108c中的封装层116的厚度t3大于厚度t1且小于厚度t2。在另一个实施方式中，封装层116的厚度随着发射光的波长增加而增加。在另一个实施方式中，封装层116的厚度随着发射光的波长增加而减小。
如上所述，可以改变封装层116的厚度、组成和沉积方法。通过改变封装层116的组成和沉积方法以产生厚度的变化，封装层116保护所沉积的OLED材料112免于在成层期间受到损坏，并且提高工艺良率和效率。封装层116厚度的变化进一步控制下侧边缘206和封装层116的顶表面之间的距离(如图1和图2中的子像素108b和108c中所示)，和封装层116的封装边缘230与封装层116的顶表面119之间的距离。这些距离控制在悬伸结构110下面发生的蚀刻和沉积的量，造成在后续的沉积和蚀刻期间OLED材料112保护增加。
总之，本文描述的设备涉及子像素电路和形成可用于显示器(诸如有机发光二极管(OLED)显示器)的子像素电路的方法。限定显示器的子像素电路的每个子像素的相邻悬伸结构提供了使用蒸发沉积形成子像素电路，并且提供了在形成子像素电路之后保持在原位的悬伸结构(例如，利用第五示例性实施方式、第六示例性实施方式或第七示例性实施方式的方法)。蒸发沉积可以用于沉积OLED材料和阴极。悬伸结构对于OLED材料和阴极中的每一者限定沉积角度，即在蒸发沉积期间提供遮蔽效应，使得OLED材料不与主体结构(和根据实施方式的辅助阴极)接触，并且根据一些实施方式，阴极与主体结构接触。相应子像素的封装层设置在阴极上方，其中封装层在相邻悬伸结构中的每一者的至少一部分下面和相邻悬伸结构中的每一者的侧壁上方延伸。每个子像素中的封装层的厚度是变化的，以便在后续封装层的蚀刻期间保护所沉积的层。厚度的变化可以是下降的、上升的或取决于沉积的OLED材料(例如，OLED的颜色)。
虽然前述内容针对本公开内容实施方式，但可以在不脱离本公开内容基本范围的情况下设计本公开内容其他和另外的实施方式，并且由所附权利要求书确定本公开内容的范围。

Claims (30)

1.一种设备，包括：
基板；
像素限定层(PDL)结构，所述像素限定层(PDL)结构设置在所述基板上方并且限定所述设备的子像素；和
多个悬伸结构，每个悬伸结构由横向延伸过主体结构的顶部结构的顶部延伸部分限定，每个主体结构设置在每个PDL结构的上表面上方，所述多个悬伸结构的相邻悬伸结构限定多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素；
所述第一子像素包括：
第一阳极；
第一有机发光二极管(OLED)材料，所述第一有机发光二极管(OLED)材料设置在所述第一阳极上方并且与所述第一阳极接触，并且设置在所述相邻悬伸结构下面；
第一阴极，所述第一阴极设置在所述第一OLED材料上方和所述相邻悬伸结构下面；和
第一封装层，所述第一封装层设置在所述第一阴极上方，在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述相邻悬伸结构的侧壁的一部分接触，所述第一封装层具有第一厚度；并且
所述第二子像素包括：
第二阳极；
第二有机发光二极管(OLED)材料，所述第二有机发光二极管(OLED)材料设置在所述第二阳极上方并且与所述第二阳极接触，并且设置在所述相邻悬伸结构下面；
第二阴极，所述第二阴极设置在所述第二OLED材料上方和所述相邻悬伸结构下面；和
第二封装层，所述第二封装层设置在所述第二阴极上方，在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述相邻悬伸结构的侧壁的一部分接触，所述第二封装层具有不同于所述第一厚度的第二厚度。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述第二子像素的所述第二封装层在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述主体结构的侧壁的一部分和所述顶部结构的底表面接触。
3.如权利要求1所述的设备，进一步包括第三子像素，所述第三子像素包括：
第三阳极；
第三有机发光二极管(OLED)材料，所述第三有机发光二极管(OLED)材料设置在所述第三阳极上方并且与所述第三阳极接触，并且设置在所述相邻悬伸结构下面；
第三阴极，所述第三阴极设置在所述第三OLED材料上方和所述相邻悬伸结构下面；和
第三封装层，所述第三封装层设置在所述第三阴极上方，在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述悬伸结构的侧壁的一部分接触，所述第三封装层具有不同于所述第一厚度和所述第二厚度的第三厚度。
4.如权利要求3所述的设备，其中所述第三像素的所述第三封装层在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述主体结构的侧壁的一部分、所述顶部结构的底表面、所述顶部结构的侧壁和所述顶部结构的顶表面接触。
5.如权利要求3所述的设备，其中所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层包含氮化硅材料、氮氧化硅材料、氧化硅材料或以上项目的组合。
6.如权利要求3所述的设备，其中所述第一封装层包含与所述第二封装层或所述第三封装层中的至少一者不同的材料。
7.如权利要求1所述的设备，其中所述主体结构包含无机材料或含金属材料。
8.如权利要求3所述的设备，其中所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层包含至少两层含硅材料，所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层中的至少一者的所述至少两层所述含硅材料彼此不同。
9.如权利要求1所述的设备，其中所述第一OLED材料设置在所述第一阳极上方并且与所述第一阳极接触，并且设置在所述悬伸结构下面，使得所述第一OLED材料与所述PDL结构接触；并且所述第二OLED材料设置在所述第二阳极上方并且与所述第二阳极接触，并且设置在所述悬伸结构下面，使得所述第二OLED材料与所述PDL结构接触。
10.一种设备，包括：
基板；
像素限定层(PDL)结构，所述像素限定层(PDL)结构设置在所述基板上方并且限定所述设备的子像素；和
多个悬伸结构，每个悬伸结构由横向延伸过主体结构的顶部结构的顶部延伸部分限定，以形成悬伸部，每个主体结构设置在每个PDL结构的上表面上方，所述多个悬伸结构的相邻悬伸结构限定多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素；
所述第一子像素包括：
第一阳极；
第一有机发光二极管(OLED)材料，所述第一有机发光二极管(OLED)材料设置在所述第一阳极上方并且与所述第一阳极接触，并且设置在所述相邻悬伸结构下面；
第一阴极，所述第一阴极设置在所述第一OLED材料上方和所述相邻悬伸结构下面；和
第一封装层，所述第一封装层设置在所述第一阴极上方，在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述悬伸结构的侧壁的一部分接触，其中所述第一封装层在所述悬伸部的整个区域中，所述第一封装层具有第一厚度；并且所述第二子像素包括：
第二阳极；
第二有机发光二极管(OLED)材料，所述第二有机发光二极管(OLED)材料设置在所述第二阳极上方并且与所述第二阳极接触，并且设置在所述相邻悬伸结构下面；
第二阴极，所述第二阴极设置在所述第二OLED材料上方和所述相邻悬伸结构下面；和
第二封装层，所述第二封装层设置在所述第二阴极上方，在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述相邻悬伸结构的侧壁的一部分接触，所述第二封装层具有不同于所述第一厚度的第二厚度。
11.如权利要求10所述的设备，其中在所述悬伸部中：
在所述顶部结构的底表面上的第二封装层与所述悬伸部中的所述第二阴极上方的所述第二封装层之间存在间隙；或
在所述顶部结构的下侧边缘与所述悬伸部中的所述第二阴极上方的所述第二封装层之间存在所述间隙。
12.如权利要求11所述的设备，进一步包括第三子像素，所述第三子像素包括：
第三阳极；
第三有机发光二极管(OLED)材料，所述第三有机发光二极管(OLED)材料设置在所述第三阳极上方并且与所述第三阳极接触，并且设置在所述相邻悬伸结构下面；
第三阴极，所述第三阴极设置在所述第三OLED材料上方和所述相邻悬伸结构下面，并且与所述悬伸结构的一部分接触；和
第三封装层，所述第三封装层设置在所述第三阴极上方，在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述悬伸结构的侧壁的一部分接触，所述第三封装层具有不同于所述第一厚度和所述第二厚度的第三厚度。
13.如权利要求12所述的设备，其中所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层包含氮化硅材料、氮氧化硅材料、氧化硅材料或以上项目的组合。
14.如权利要求10所述的设备，其中所述主体结构包含无机材料或含金属材料。
15.如权利要求10所述的设备，其中所述顶部结构包含非导电材料、无机材料或含金属材料。
16.如权利要求10所述的设备，其中所述第一阴极延伸过所述第一OLED材料的端点以与所述PDL结构接触，并且所述第二阴极延伸过所述第二OLED材料的端点以与所述PDL结构接触。
17.如权利要求10所述的设备，其中所述第一OLED材料设置在所述第一阳极上方并且与所述第一阳极接触，并且设置在所述悬伸结构下面，使得所述第一OLED材料与所述PDL结构接触；并且所述第二OLED材料设置在所述第二阳极上方并且与所述第二阳极接触，并且设置在所述悬伸结构下面，使得所述第二OLED材料与所述PDL结构接触。
18.一种设备，包括：
基板；
像素限定层(PDL)结构，设置在所述基板上方并限定所述设备的子像素；和
多个悬伸结构，每个悬伸结构由横向延伸过主体结构的顶部结构的顶部延伸部分限定，以形成悬伸部，每个主体结构设置在每个PDL结构的上表面上方，所述多个悬伸结构的相邻悬伸结构限定多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；
所述第一子像素包括：
第一阳极；
第一有机发光二极管(OLED)材料，所述第一有机发光二极管(OLED)材料设置在所述第一阳极上方并且与所述第一阳极接触，并且设置在所述相邻悬伸结构下面；
第一阴极，所述第一阴极设置在所述第一OLED材料上方，所述第一阴极在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述悬伸结构的一部分接触；和
第一封装层，所述第一封装层设置在所述第一阴极上方，在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述悬伸结构的侧壁的一部分接触，所述封装层具有第一厚度；并且所述第二子像素包括：
第二阳极；
第二有机发光二极管(OLED)材料，所述第二有机发光二极管(OLED)材料设置在所述第二阳极上方并且与所述第二阳极接触，并且设置在所述相邻悬伸结构下面；
第二阴极，所述第二阴极设置在所述第二OLED材料上方，所述第二阴极在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述悬伸结构的一部分接触；和
第二封装层，所述第二封装层设置在所述第二阴极上方，在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述悬伸结构的侧壁的一部分接触，所述第二封装层具有不同于所述第一厚度的第二厚度；并且
所述第三子像素包括：
第三阳极；
第三有机发光二极管(OLED)材料，所述第三有机发光二极管(OLED)材料设置在所述第三阳极上方并且与所述第三阳极接触，并且设置在所述相邻悬伸结构下面；
第三阴极，所述第三阴极设置在所述第三OLED材料上方，所述第三阴极在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与主体结构的一部分接触；和
第三封装层，所述第三封装层设置在所述第三阴极上方，在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述悬伸结构的所述侧壁的一部分接触，所述封装层具有不同于所述第一厚度和所述第二厚度的第三厚度。
19.如权利要求18所述的设备，其中所述第一封装层的所述第一厚度大于所述第二封装层的所述第二厚度和所述第三封装层的所述第三厚度，并且其中所述第二封装层的所述第二厚度大于所述第三封装层的所述第三厚度。
20.如权利要求18所述的设备，其中所述第一封装层的所述第一厚度小于所述第二封装层的所述第二厚度和所述第三封装层的所述第三厚度，并且其中所述第二封装层的所述第二厚度小于所述第三封装层的所述第三厚度。
21.如权利要求18所述的设备，其中所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层包含氮化硅材料、氮氧化硅材料、氧化硅材料或以上项目的组合。
22.如权利要求18所述的设备，其中所述第一封装层具有第一折射率，所述第二封装层具有不同于所述第一折射率的第二折射率，并且所述第三封装层具有不同于所述第一折射率和所述第二折射率的第三折射率。
23.如权利要求18所述的设备，其中所述主体结构包含无机材料或含金属材料。
24.如权利要求18所述的设备，其中所述第一阴极延伸过所述第一OLED材料的端点以与所述PDL结构接触，并且所述第二阴极延伸过所述第二OLED材料的端点以与所述PDL结构接触。
25.如权利要求18所述的设备，其中所述第一OLED材料设置在所述第一阳极上方并且与所述第一阳极接触，并且设置在所述相邻悬伸结构下面，使得所述第一OLED材料与所述PDL结构接触；并且所述第二OLED材料设置在所述第二阳极上方并且与所述第二阳极接触，并且设置在所述悬伸结构下面，使得所述第二OLED材料与所述PDL结构接触。
26.一种设备，包括：
基板；
像素限定层(PDL)结构，所述像素限定层(PDL)结构设置在所述基板上方并且限定所述设备的子像素；和
多个悬伸结构，每个悬伸结构由横向延伸过主体结构的顶部结构的顶部延伸部分限定，每个主体结构设置在每个PDL结构的上表面上方，所述多个悬伸结构的相邻悬伸结构限定多个子像素，所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素；
所述第一子像素包括：
第一阳极；
第一有机发光二极管(OLED)材料，所述第一有机发光二极管(OLED)材料设置在所述第一阳极上方并且与所述第一阳极接触，并且设置在所述相邻悬伸结构下面；
第一阴极，所述第一阴极设置在所述第一OLED材料上方和所述相邻悬伸结构下面；和
第一封装层，所述第一封装层设置在所述第一阴极上方，在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述相邻悬伸结构的侧壁的一部分接触，所述第一封装层包含至少两层含硅材料；并且
所述第二子像素包括：
第二阳极；
第二有机发光二极管(OLED)材料，所述第二有机发光二极管(OLED)材料设置在所述第二阳极上方并且与所述第二阳极接触，并且设置在所述相邻悬伸结构下面；
第二阴极，所述第二阴极设置在所述第二OLED材料上方和所述相邻悬伸结构下面；和
第二封装层，所述第二封装层设置在所述第二阴极上方，在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述相邻悬伸结构的侧壁的一部分接触，所述第二封装层包含具有不同于所述第一封装层的组成的所述含硅材料。
27.如权利要求26所述的设备，进一步包括第三子像素，所述第三子像素包括：
第三阳极；
第三有机发光二极管(OLED)材料，所述第三有机发光二极管(OLED)材料设置在所述第三阳极上方并且与所述第三阳极接触，并且设置在所述相邻悬伸结构下面；
第三阴极，所述第三阴极设置在所述第三OLED材料上方和所述相邻悬伸结构下面，所述第三阴极延伸以与所述悬伸结构的一部分接触；和
第三封装层，所述第三封装层设置在所述第三阴极上方，在所述相邻悬伸结构下面延伸，并且与所述悬伸结构的侧壁的一部分接触，所述第三封装层具有不同于所述第一厚度和所述第二厚度的第三厚度。
28.如权利要求27所述的设备，其中所述第一封装层的所述厚度大于所述第二封装层的第二厚度和所述第三封装层的第三厚度，并且其中所述第二封装层的所述第二厚度大于所述第三封装层的所述第三厚度。
29.如权利要求28所述的设备，其中所述第一封装层的所述第一厚度小于所述第二封装层的所述第二厚度和所述第三封装层的所述第三厚度，并且其中所述第二封装层的所述第二厚度小于所述第三封装层的所述第三厚度。
30.如权利要求26所述的设备，其中所述第一封装层在由横向延伸过主体结构的顶部结构的顶部延伸部分限定的悬伸部的整个区域中。
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