CN117981045A - 电感耦合等离子体质量分析装置 - Google Patents

电感耦合等离子体质量分析装置 Download PDF

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CN117981045A CN202280063189.1A CN202280063189A CN117981045A CN 117981045 A CN117981045 A CN 117981045A CN 202280063189 A CN202280063189 A CN 202280063189A CN 117981045 A CN117981045 A CN 117981045A
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藤田辽
谷口纯一
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Abstract

本发明的电感耦合等离子体质量分析装置包括:离子源(5)通过电感耦合等离子体离子化法使试样成分离子化;真空室(3)导入有所生成的离子;池(10)配置于真空室的内部且使离子与规定的气体接触;质量分析部(16)配置于真空室的后级且对通过池的离子或来源于池的离子进行质量分析;第一气体导入部(23)向池的内部导入规定的气体;第二气体导入部(24)在真空室的内部且向池的外侧导入规定的气体;控制部(20、22)在池内使气体与离子接触并进行分析时,通过第一气体导入部导入气体,在池内不使气体与离子接触而进行分析时,通过第二气体导入部导入气体的方式对气体导入进行控制。可减轻在碰撞测定模式与非碰撞测定模式的切换时的信号的漂移。

Description

电感耦合等离子体质量分析装置
技术领域
本发明涉及一种电感耦合等离子体质量分析装置。
背景技术
使用电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,以下称为“ICP”)离子源作为离子源的电感耦合等离子体质量分析装置(inductively coupled plasma-massspectrometry)(以下称为“ICP-MS”)常常用于一齐分析试样中所含的多种微量金属的用途中。
对于ICP-MS,已知有如下装置:为了减轻ICP离子源中等离子体的生成中使用的氩或等离子体中产生的碳等所引起的干扰离子的影响而利用了碰撞池(collision cell)。例如,在专利文献1中所记载的ICP-MS中,在通过采样锥(sampling cone)导入有离子的中间真空室内设置有碰撞池,在分析时,向碰撞池内导入He气体。
入射至碰撞池内的各种离子与He气体反复接触,离子所具有的动能减少。一般而言,干扰离子为多原子离子,与具有相同程度的质量的作为观测目标的元素离子相比,碰撞剖面积大。因此,干扰离子与作为观测目标的元素离子相比,与He气体的接触次数多,动能容易变得更小。因此,通过在碰撞池的出口预先形成仅使动能为规定值以上的离子通过,另一方面,阻断动能小于规定值的离子的势垒,可将干扰离子与作为观测目标的元素离子分离而予以去除。
以下,将此种包括碰撞池的ICP-MS简称为ICP-MS。
[现有技术文献]
[专利文献]
专利文献1:日本专利特开2020-91988号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
在作为分析对象的元素例如为锂或铍等轻元素的情况下,由于在碰撞池内仅通过与He气体接触少数次,动能便会大幅减少,因此检测灵敏度大幅下降,实质上无法进行测定。另一方面,由于此种轻元素几乎不受到来源于氩或碳等的干扰离子的妨碍,因此原本就不需要除去干扰离子。因此,在按顺序连续地对包含广泛原子量的各种元素的多个试样进行分析那样的情况下,经常一边交替地切换向碰撞池导入He气体的碰撞测定模式与不向碰撞池导入He气体的非碰撞测定模式一边进行分析。
然而,本发明人在进行用于改善ICP-MS的性能的各种实验的过程中发现:在将测定模式刚刚从碰撞测定模式切换至非碰撞测定模式之后的适当的时间的期间,观测到检测强度比较大地漂移的现象。由于所述现象,有时难以进行在碰撞测定模式下获取的数据与在非碰撞测定模式下获取的数据的准确的比较。另外,也存在如下问题:在切换了测定模式之后,需要等待数据获取直至检测信号的漂移稳定一定程度为止,从而浪费分析时间。
本发明是为了解决所述问题而完成,其目的在于提供一种ICP-MS,可减轻在切换碰撞测定模式与非碰撞测定模式时产生的检测信号的漂移。
[解决问题的技术手段]
本发明的ICP-MS的一形态包括:
离子源,通过电感耦合等离子体离子化法使试样成分离子化;
真空室,导入有由所述离子源生成的离子;
池,配置于所述真空室的内部且用于使由所述离子源生成的离子与气体接触;
质量分析部,配置于所述真空室的后级且对通过了所述池的离子或来源于所述离子的其他离子进行质量分析;
第一气体导入部,向所述池的内部导入规定的气体;
第二气体导入部,在所述真空室的内部且向所述池的外侧导入规定的气体;以及
控制部,以如下方式、即在所述池内使气体与离子接触并进行分析时,通过所述第一气体导入部导入规定的气体,另一方面,在所述池内不使气体与离子接触而进行分析时,通过所述第二气体导入部导入规定的气体的方式对由所述第一气体导入部及所述第二气体导入部进行的气体导入进行控制。
[发明的效果]
在本发明的ICP-MS的所述形态中,不仅在池内使规定的气体与离子接触并进行分析时(例如碰撞测定模式),而且在池内不使规定的气体与离子接触而进行分析时(例如非碰撞测定模式),规定的气体也以适当的浓度存在于真空室内。真空室内所存在的规定的气体可妨碍来源于试样成分的离子以及来源于从离子源大量导入至真空室内的等离子体气体等的不需要的离子、或自由基、分子等粒子通过。
由此,根据本发明的ICP-MS的所述形态,即便在碰撞测定模式、非碰撞测定模式的任一情况下,均可减轻来源于等离子体气体等的离子或自由基等粒子向配置于真空室的后级的质量分析部的碰撞。由此,可减轻构成质量分析部的离子光学元件的过度充电(chargeup)的产生,可抑制因其影响引起的检测信号的漂移。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的ICP-MS的概略框结构图。
图2是本实施方式的ICP-MS中的碰撞测定模式时的He气体的行为的说明图。
图3是本实施方式的ICP-MS中的非碰撞测定模式时的He气体的行为的说明图。
具体实施方式
[测定模式切换时的漂移的因素]
首先,对在现有的ICP-MS中切换碰撞测定模式与非碰撞测定模式时产生的检测信号的漂移的状况以及所推定的漂移的产生因素进行说明。
本发明人通过实验性确认到:在现有的ICP-MS中,当从碰撞测定模式下的连续分析切换至非碰撞测定模式下的连续分析时,在刚刚进行了所述切换之后的一段期间,各种元素的检测信号产生比较大的漂移。判明了所述漂移依赖于元素的种类,总体而言为原子量越小的元素,漂移越大。
本发明人通过基于实机的实验性的研究及基于模拟的研究,发现所述漂移的原因主要是构成配置于碰撞池的后级的质量分析部的离子光学元件(具体而言,为构成四极滤质器的预过滤器)的表面电位状态。所谓此处所提及的表面电位状态,是指因通过作为测定对象的目标元素以外的、不需要的离子或自由基等与电极发生碰撞而可能产生的过度充电引起的表面电位的变化。
在ICP-MS中的碰撞测定模式下,供给至碰撞池内的He气体充满碰撞池内,并从所述碰撞池流出至其外侧的真空室内。因此,在碰撞池的离子出口与四极滤质器之间的空间中存在比较多的He气体,从碰撞池出来的不需要的离子或自由基与所述He气体发生碰撞,从而不易到达后级的预过滤器。其结果,不易产生所述预过滤器的过度充电。另一方面,在现有的ICP-MS中的非碰撞测定模式下,由于在碰撞池的离子出口与四极滤质器之间的空间中不存在He气体,因此大量的不需要的离子或自由基与预过滤器发生碰撞。其结果,在非碰撞测定模式下,所述预过滤器容易产生过度充电,若产生过度充电,则来源于目标元素的离子的轨道变得不稳定,因此检测信号容易发生变动。
关于如上所述那样的预过滤器的过度充电现象,可对刚刚从碰撞测定模式切换至非碰撞测定模式之后的信号的漂移的产生适当地进行说明。因此,为了减轻所述漂移,即便在非碰撞测定模式下,只要和碰撞测定模式相同程度地使不需要的离子或自由基等不易与包含预过滤器的四极滤质器发生碰撞即可。本发明的ICP-MS是基于此种见解而完成。
[一实施方式的ICP-MS的结构]
以下,参照随附图式对作为本发明的一实施方式的ICP-MS进行说明。
图1是本实施方式的ICP-MS的概略框结构图。为了便于说明,如图1中所示那样,在空间内定义相互正交的X、Y、Z此三个轴。
所述ICP-MS包括为大致大气压环境且电性接地的离子化室1、以及从所述离子化室1侧起真空度依序变高的第一真空室2、第二真空室3及第三真空室4此三个真空室。虽未图示,但第一真空室2内通过旋转泵进行真空排气,第二真空室3以及第三真空室4内通过将旋转泵以及涡轮分子泵组合而成的真空泵进行真空排气。
在离子化室1的内部配设有ICP离子源5。ICP离子源5包含等离子体炬(plasmatorch)51,所述等离子体炬51具有供通过雾化气体而雾化的液体试样流通的试样管、形成于所述试样管的外周的等离子体气体管、以及形成于所述等离子体气体管的外周的冷却气体管。在等离子体炬51的试样管的入口端,设置有将液体试样导入至等离子体炬51的自动采样器52。虽未图示,但在试样管连接有供给雾化气体的雾化气体供给源,在等离子体气体管连接有供给作为Ar气体等的等离子体气体的等离子体气体供给源,在冷却气体管连接有供给冷却气体的冷却气体供给源。
第一真空室2形成在为大致圆锥形状的采样锥6与同样为大致圆锥形状的分离锥(skimmer)7之间。采样锥6以及分离锥7均在其顶部具有离子通过口。第一真空室2作为如下所述的接口(interface)发挥功能,即,用于将从ICP离子源5供给的离子送往后级并且排出溶剂气体等的接口。
在第二真空室3内,从分离锥7侧即从离子入射的一侧起依序配置有引入电极8、用于使离子会聚的离子透镜(ion lens)9、碰撞池10以及能垒(energy barrier)形成用电极14。引入电极8、构成离子透镜9的多个电极、构成能垒形成用电极14的多个电极均为形成有用于使离子通过的呈大致圆形形状开口的圆盘状的电极。此外,在所述ICP-MS中,采用在碰撞池10的出口沿Z轴方向延伸的离子光轴C1与在下一级的四极滤质器16的入口沿Z轴方向延伸的离子光轴C2在X轴方向上偏离的偏轴光学系统的结构。能垒形成用电极14也兼备如下功能:形成能垒电场,并且如图1中所示那样,形成使离子光轴屈曲的用于偏轴的偏转电场。
在碰撞池10的入口侧配置有形成了离子通过开口11a的入口电极11,在碰撞池10的出口侧同样地配置有形成了离子通过开口12a的出口电极12。在碰撞池10的内部,配设有包含与Z轴(离子光轴C1)平行地配置的多根杆电极的多极(例如八级)型的离子导向器13。
在通过离子通过开口15而与第二真空室3连通的第三真空室4内,配置有包含预过滤器16A与主过滤器16B的四极滤质器16、以及离子检测器17。
气体供给部22通过第一气体供给管23而与碰撞池10连接,通过第二气体供给管24而与第二真空室3内(碰撞池10的外侧)连通。气体供给部22根据控制部20的控制,能够在碰撞池10的内部或第二真空室3的内部向碰撞池10的外侧的任一者选择性地供给规定流量的碰撞气体。碰撞气体一般而言为He气体,但也可为其他惰性气体。另外,碰撞池也能够作为反应池(reaction cell)来使用,在此种情况下,气体供给部22供给氢、氨等反应性气体来作为反应气体。
电压产生部21在控制部20的控制下,产生对各部施加的规定的电压。控制部20通过统一控制电压产生部21或气体供给部22等各部来执行分析,且也具有经由输入部26或显示部27等的用户接口的功能。数据处理部25包含将由离子检测器17获得的检测信号加以数字化的模数(Analog to Digital,AD)转换器,且执行对所收集到的数据进行处理而生成质谱等处理。
此外,控制部20以及数据处理部25的实体是包含中央处理器(CentralProcessing Unit,CPU)、随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)、外部存储装置等的个人计算机(Personal Computer,PC),且可设为如下结构:通过在PC中执行预先安装于所述PC的规定的计算机程序,来实现各自的功能。
[一实施方式的ICP-MS的具体动作]
参照图2及图3来对本实施方式的ICP-MS中的特征性的分析动作进行说明。所述ICP-MS在基于控制部20的控制下,能够选择性地实施为了除去干扰离子而在碰撞池10内使离子与碰撞气体接触的碰撞测定模式、或者不进行此种干扰离子的除去的非碰撞测定模式。
图2是碰撞测定模式下的碰撞气体的行为的说明图。图3是非碰撞测定模式下的碰撞气体的行为的说明图。
在执行碰撞测定模式时,根据控制部20的控制,气体供给部22通过第一气体供给管23而向碰撞池10内连续或间歇地供给He气体。电压产生部21对包含引入电极8、离子透镜9、离子导向器13、能垒形成用电极14在内的各电极(离子光学元件)分别施加规定的电压。
从自动采样器52将液体试样喷雾至在ICP离子源5的等离子体炬51中所形成的等离子体中时,所述液体试样中所含的元素被离子化。在ICP离子源5中生成的来源于试样成分的离子与来源于等离子体气体等的非期望的离子一同经过采样锥6以及分离锥7的离子通过口而导入至第二真空室3。这些离子经离子透镜9会聚而被导入至充满碰撞气体的碰撞池10内。
这些离子在碰撞池10中与碰撞气体反复碰撞,离子所具有的动能衰减。碰撞剖面积越大的离子,与碰撞气体发生碰撞的机会越多,动能的衰减越大。通常,来源于等离子体气体等的离子的碰撞剖面积比来源于试样成分的离子的碰撞剖面积大,因此来源于等离子体气体等的不需要的离子比起来源于试样成分的离子,动能大幅减少。因此,来源于试样成分的离子容易越过在碰撞池10的出口外侧所形成的势垒,与此相对,不需要的离子不易越过势垒。通过此种动能辨别法可除去不需要的离子,使主要来源于试样成分的离子通过离子通过开口15而导入至第三真空室4。另外,来源于等离子体气体等的自由基或分子等不具有电荷的粒子也可通过碰撞池10,但由于此种粒子不受电场的影响,因此直线前进,并通过偏轴的作用而被排除。
但是,实际上,来源于等离子体气体等的不需要的离子、自由基、或分子等粒子(以下将这些统称为“不需要的粒子”)的量与来源于试样成分的离子相比特别多。因此,即便通过如上所述那样的动能辨别法或偏轴光学系统等也并非可完全除去不需要的粒子,大多不需要的粒子在通过了碰撞池10之后朝向离子通过开口15行进。另一方面,由于碰撞池10大致被密闭,因此供给至碰撞池10内的He气体如图2中箭头所示那样,经由离子通过开口11a、离子通过开口12a而向碰撞池10的外侧流出。所述He气体大多会被真空泵排出,但由于第三真空室4的真空度比第二真空室3高,因此一部分He气体朝向离子通过开口15。因此,如图2所示那样,在碰撞池10的出口与离子通过开口15之间形成有存在比较多的He气体的气体存在区域A。
如上所述,朝向离子通过开口15行进的不需要的粒子通过气体存在区域A,因此容易与He气体发生碰撞。通过气体存在区域A的不需要的粒子的动能与导入至碰撞池10之前相比相当低,因此即便与质量小的He气体接触也容易改变轨道,并通过真空排气而排出。如此,通过在碰撞池10的出口与离子通过开口15之间存在气体存在区域A,不需要的粒子不易进入第三真空室4,与预过滤器16A发生碰撞的机会也减少。
构成预过滤器16A的电极是不锈钢等金属制,但由于在其表面形成有薄的氧化膜,因此当具有电荷的粒子发生碰撞时,会产生过度充电。当预过滤器16A发生过度充电时,四极滤质器16的入口附近的电场会发生紊乱,要入射至其中的来源于试样成分的离子的轨道变得不稳定。与此相对,如上所述,通过减少不需要的粒子与预过滤器16A发生碰撞的机会,可减轻预过滤器16A的过度充电,避免来源于试样成分的离子不易入射至四极滤质器16。
在现有的ICP-MS中,在执行不进行基于动能辨别法的干扰离子的除去的非碰撞测定模式时,完全停止碰撞气体的供给。与此相对,在本实施方式的ICP-MS中,在非碰撞测定模式时,根据控制部20的控制,气体供给部22通过第二气体供给管24而向第二真空室3内连续或间歇地供给He气体。此时的He气体的供给量理想的是根据第二真空室3的内容积、真空泵的排气能力、配置于第二真空室3内的离子光学元件的形状等来适当设定,例如可设为与碰撞测定模式时为相同程度。作为一例,将气体流量设为3sccm~10sccm。电压产生部21与碰撞测定模式完全同样地,对包含引入电极8、离子透镜9、离子导向器13、能垒形成用电极14在内的各电极分别施加规定的电压。
在ICP离子源5中,与碰撞测定模式时同样地,生成来源于试样成分的离子,且与来源于等离子体气体等的不期望的离子一起,经由第一真空室2而导入至第二真空室3。此时,虽然在碰撞池10内不存在碰撞气体,但在各种离子被由离子导向器13所形成的电场捕获时使其动能减少,并通过碰撞池10。
另一方面,如图3所示,He气体被供给至第二真空室3的内部,所述He气体大多随着基于真空泵的真空排气而被排出,但如上所述,由于第三真空室4的真空度比第二真空室3高,因此一部分He气体朝向离子通过开口15。因此,与碰撞测定模式时同样地,在碰撞池10的出口与离子通过开口15之间,形成有存在比较多的He气体的气体存在区域A。
通过了碰撞池10之后朝向离子通过开口15行进的不需要的粒子通过气体存在区域A,因此容易与He气体发生碰撞。在此种情况下,由于到达气体存在区域A的不需要的粒子的动能也与导入至碰撞池10之前相比低,因此即便与质量小的He气体接触也改变轨道,并通过真空排气而排出。如此,在本实施方式的ICP-MS中,在碰撞测定模式与非碰撞测定模式的任一测定模式下,在碰撞池10的出口与四极滤质器16之间均形成有存在较多的He气体的气体存在区域A,因此不需要的粒子不易与预过滤器16A发生碰撞。由此,在任一测定模式下,均可减轻预过滤器16A的过度充电,避免来源于试样成分的离子不易入射至四极滤质器16。
在现有的ICP-MS中,虽然在碰撞测定模式下形成有气体存在区域A,但由于在非碰撞测定模式下未形成气体存在区域A,因此不需要的粒子容易与预过滤器16A发生碰撞,容易产生预过滤器16A的过度充电。与此相对,在本实施方式的ICP-MS中,在碰撞测定模式与非碰撞测定模式的任一测定模式下均形成有气体存在区域A,因此可减轻预过滤器16A的过度充电。另外,可减小基于测定模式的预过滤器16A的过度充电状态的差别。由此,可减轻在刚刚切换了测定模式之后产生的检测信号的漂移,并且也可减轻因所述测定模式的不同而引起的检测信号的时间变动的差别。
此外,通过在非碰撞测定模式下形成气体存在区域A,来源于作为测定对象的元素(特别是轻元素)的离子的通过效率也有下降的可能性,但根据本发明人的实验,只要是所述程度的气体流量,则来源于目标元素的离子的灵敏度下降能够抑制在数%左右以下。为了减小所述灵敏度下降的影响,也理想的是在非碰撞测定模式下适当设定向第二真空室3内供给的气体流量。
所述实施方式的ICP-MS是所谓的单型四极型质量分析装置,但质量分析部的结构能够适当变更。本发明的ICP-MS例如可设为包括ICP离子源的三重四极型质量分析装置、包括ICP离子源的四极-飞行时间(quadrupole-time of flight)型(Q-TOF型)质量分析装置等。
另外,所述实施方式的ICP-MS中的各构成部件也当然能够适当地置换为已知的其他形态的具有相同功能的构成部件。
另外,在所述实施方式的ICP-MS中,在碰撞池10的后级使用偏轴光学系统,但这并非必须。但是,通常,在进行偏轴的情况下,由于在偏轴光学系统或在此之前的离子光学系统中使离子等粒子的动能(速度)下降,因此在偏轴光学系统中具有如下优点:容易获得通过气体存在区域A阻止不需要的粒子通过的效果。
另外,当明确的是,所述实施方式或其变形例均为本发明的一例,除了所述记载的内容以外,即便在本发明的主旨的范围内进行适当修正、变更、追加,也包含在本申请的权利要求书中。
[各种形态]
本领域技术人员当理解,所述例示性的实施方式为以下形态的具体例。
(第一项)本发明的ICP-MS的一形态包括:
离子源,通过电感耦合等离子体离子化法使试样成分离子化;
真空室,导入有由所述离子源生成的离子;
池,配置于所述真空室的内部且用于使由所述离子源生成的离子与气体接触;
质量分析部,配置于所述真空室的后级且对通过了所述池的离子或来源于所述离子的离子进行质量分析;
第一气体导入部,向所述池的内部导入规定的气体;
第二气体导入部,在所述真空室的内部且向所述池的外侧导入规定的气体;以及
控制部,以如下方式、即在所述池内使气体与离子接触并进行分析时,通过所述第一气体导入部导入规定的气体,另一方面,在所述池内不使气体与离子接触而进行分析时,通过所述第二气体导入部导入规定的气体的方式对由所述第一气体导入部及所述第二气体导入部进行的气体导入进行控制。
在第一项所述的ICP-MS中,不仅在池内使规定的气体与离子接触并进行分析时(例如碰撞测定模式),而且在池内不使规定的气体与离子接触而进行分析时(例如非碰撞测定模式),规定的气体也以适当的浓度存在于真空室内。真空室内所存在的规定的气体可妨碍来源于试样成分的离子以及来源于从离子源大量导入至真空室内的氩等的离子或自由基等不需要的粒子通过。
由此,通过第一项所述的ICP-MS,在碰撞测定模式、非碰撞测定模式的任一情况下,均可减轻来源于等离子体气体等的离子或自由基等不需要的粒子向配置于真空室的后级的质量分析部的碰撞。由此,可减轻构成质量分析部的离子光学元件的过度充电的产生,可抑制因其影响引起的检测信号的漂移。另外,可减轻进行基于动能辨别法的干扰离子的除去的情况与不进行干扰离子的除去的情况下的检测信号的时间变动的差异。另外,也具有如下效果:在切换了测定模式之后,不需要等待数据获取直至使检测信号的漂移稳定一定程度为止,有助于缩短分析时间。
(第二项)第一项所述的ICP-MS可设为,进而在所述池与所述质量分析部之间包括偏轴离子光学系统。
在偏轴离子光学系统中,为了通过静电场等使离子良好地偏转,大多在所述光学系统自身或其前级的光学系统中使离子的动能减少。因此,通过第二项所述的ICP-MS,在来源于等离子体气体等的不需要的离子与规定的气体接触时容易改变轨道,可提高除去不需要的离子的效果。
(第三项)根据第一项或第二项所述的ICP-MS,其中,可设为所述质量分析部是四极滤质器。
在四极滤质器中,当位于预过滤器等的入口侧的电极过度充电时,作为目标的离子的轨道容易变得不稳定,容易产生检测信号的漂移。与此相对,通过第三项所述的ICP-MS,可减轻位于四级滤质器的入口侧的电极的过度充电,因此可充分获得减轻检测信号的漂移的效果。
[符号的说明]
1:离子化室
2:第一真空室
3:第二真空室
4:第三真空室
5:ICP离子源
51:等离子体炬
52:自动采样器
6:采样锥
7:分离锥
8:引入电极
9:离子透镜
10:碰撞池
11:入口电极
12:出口电极
11a、12a:离子通过开口
13:离子导向器
14:能垒形成用电极
15:离子通过开口
16:四极滤质器
16A:预过滤器
16B:主过滤器
17:离子检测器
20:控制部
21:电压产生部
22:气体供给部
23:第一气体供给管
24:第二气体供给管
25:数据处理部
26:输入部
27:显示部。

Claims (4)

1.一种电感耦合等离子体质量分析装置,包括:
离子源,通过电感耦合等离子体离子化法使试样成分离子化;
真空室,导入有由所述离子源生成的离子;
池,配置于所述真空室的内部且用于使由所述离子源生成的离子与气体接触;
质量分析部,配置于所述真空室的后级且对通过了所述池的离子或来源于所述离子的其他离子进行质量分析;
第一气体导入部,向所述池的内部导入规定的气体;
第二气体导入部,在所述真空室的内部且向所述池的外侧导入规定的气体;以及
控制部,以如下方式、即在所述池内使气体与离子接触并进行分析时,通过所述第一气体导入部导入规定的气体,另一方面,在所述池内不使气体与离子接触而进行分析时,通过所述第二气体导入部导入规定的气体的方式对由所述第一气体导入部及所述第二气体导入部进行的气体导入进行控制。
2.根据权利要求1所述的电感耦合等离子体质量分析装置,其中进而在所述池与所述质量分析部之间包括偏轴离子光学系统。
3.根据权利要求1所述的电感耦合等离子体质量分析装置,其中,所述质量分析部是四极滤质器。
4.根据权利要求2所述的电感耦合等离子体质量分析装置,其中,所述质量分析部是四极滤质器。
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