CN117976745A - 日光控制膜 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种日光控制膜。本发明提供一种复合膜，所述复合膜可包括第一透明基板、电介质层和至少两个红外线反射叠堆。所述电介质层可位于所述至少两个红外线反射叠堆之间，并且所述红外线反射叠堆中的每一个可包括两个钛阻挡层和一个功能层。每个红外线反射叠堆中的所述功能层可包含银，并且可位于所述两个阻挡层之间。

Description

日光控制膜
本申请是申请日为2018年06月27日、申请号为201880039727.7、发明名称为“日光控制膜”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的实施例涉及可再生能源领域，具体而言，涉及制造太阳能电池的发射极区域的方法。
背景技术
复合膜可以用作建筑物或车辆窗户上的覆盖物，用于通过透射、反射和吸收控制日光照射的通过。对于某些复合膜，可见光透射率和反射率必须为低，并且太阳能总隔绝率必须为高。特征的这种组合对于特定系统非常重要。因此，需要具有达到期望水平的优异的相结合的可见光透射率、可见光反射率和太阳能总隔绝率的复合膜。
发明内容
根据第一方面，一种复合膜可包括第一透明基板、电介质层和至少两个红外线反射叠堆。所述电介质层可位于至少两个红外线反射叠堆之间，并且红外线反射叠堆中的每一个可包括两个钛阻挡层和一个功能层。每个红外线反射叠堆中的功能层可包含银并且可位于两个阻挡层之间。
根据再一方面，一种复合膜可包括：第一透明基板；第一电介质层，所述第一电介质层邻近第一透明基板层定位；第一钛金属阻挡层，所述第一钛金属阻挡层可邻近第一电介质层定位；第一功能层，所述第一功能层可包含银并且可邻近第一钛阻挡层定位；第二钛阻挡层，所述第二钛阻挡层邻近第一功能层定位；第二电介质层，所述第二电介质层可邻近第二钛阻挡层定位；第三钛阻挡层，所述第三钛阻挡层邻近第二电介质层定位；第二功能层，所述第二功能层可包含银并且可邻近第三钛阻挡层定位；第四钛阻挡层，所述第四钛阻挡层邻近第二功能层定位；第三电介质层，所述第三电介质层可邻近第四钛阻挡层定位；以及第二透明基板，所述第二透明基板覆盖第三电介质层。
根据再一方面，一种形成复合膜的方法可包括：提供第一透明基板；形成邻近第一电介质层定位的第一钛阻挡层；形成可包含银并且可邻近第一钛阻挡层定位的第一功能层；形成邻近第一功能层定位的第二钛阻挡层；形成可邻近第二钛阻挡层定位的第二电介质层；形成邻近第二电介质层定位的第三钛阻挡层；形成可包含银并且可邻近第三钛阻挡层定位的第二功能层；形成邻近第二功能层定位的第四钛阻挡层；形成可邻近第四钛金属阻挡层定位的第三电介质层；以及形成覆盖第三电介质层的第二透明基板。
根据又一个方面，一种被构造用于应用在天窗内的复合膜可包括第一透明基板、电介质层和至少两个红外线反射叠堆。所述电介质层可位于至少两个红外线反射叠堆之间，并且红外线反射叠堆中的每一个可包括两个钛阻挡层和一个功能层。每个红外线反射叠堆中的钛阻挡层可各自具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。每个红外线反射叠堆中的功能层可包含银并且可定位于两个钛阻挡层之间。
根据再一方面，一种被构造用于应用在天窗内的复合膜可包括：第一透明基板；第一电介质层，所述第一电介质层邻近第一透明基板层定位；第一钛阻挡层，所述第一钛阻挡层邻近第一电介质层定位；第一功能层，所述第一功能层可包含银并且可邻近第一钛阻挡层定位；第二钛阻挡层，所述第二钛阻挡层邻近第一功能层定位；第二电介质层，所述第二电介质层可邻近第二钛阻挡层定位；第三钛阻挡层，所述第三钛阻挡层邻近第二电介质层定位；第二功能层，所述第二功能层可包含银并且可邻近第三钛阻挡层定位；第四钛阻挡层，所述第四钛金属阻挡层邻近第二功能层定位；第三电介质层，所述第三电介质层可邻近第四钛阻挡层定位；以及第二透明基板，所述第二透明基板覆盖第三电介质层。钛阻挡层可各自具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。
根据再一方面，一种形成被构造用于应用在天窗内的复合膜的方法可包括：提供第一透明基板；形成邻近第一电介质层定位的第一钛阻挡层；形成可包含银并且可邻近第一钛阻挡层定位的第一功能层；形成邻近第一功能层定位的第二钛阻挡层；形成可邻近第二钛阻挡层定位的第二电介质层；形成邻近第二电介质层定位的第三钛阻挡层；形成可包含银并且可邻近第三钛阻挡层定位的第二功能层；形成邻近第二功能层定位的第四钛阻挡层；形成可邻近第四钛阻挡层定位的第三电介质层；以及形成覆盖第三电介质层的第二透明基板。钛阻挡层可各自具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。
附图简要说明
实施例以举例的方式示出，并且不受附图的限制。
图1包括根据本文所述的某些实施例的示例复合膜的图示；
图2a包括根据本文所述的某些实施例的另一个示例复合膜的图示；
图2b包括根据本文所述的某些实施例的另一个示例复合膜的图示；
图2c包括根据本文所述的某些实施例的另一个示例复合膜的图示；
图2d包括根据本文所述的某些实施例的另一个示例复合膜的图示；
图3包括根据本文所述的某些实施例的另一个示例复合膜的图示；
图4包括根据本文所述的某些实施例的另一个示例复合膜的图示；
图5a包括根据本文所述的某些实施例的另一个示例复合膜的图示；
图5b包括根据本文所述的某些实施例的另一个示例复合膜的图示；
图5c包括根据本文所述的某些实施例的另一个示例复合膜的图示；
图5d包括根据本文所述的某些实施例的另一个示例复合膜的图示；
图6包括根据本文所述的某些实施例的另一个示例复合膜的图示。
本领域的技术人员应当认识到，为简单和清楚起见，图中示出的各元件并不一定按比例绘制。例如，图中一些元件的尺寸可相对于其他元件进行放大，以帮助增进对本发明实施例的理解。另外，不同附图中使用的相同参考符号指示相似或相同的项目。
具体实施方式
提供结合附图的以下描述以帮助理解本文所公开的教导内容。以下论述将集中于本教导内容的具体实施方式和实施例。提供该重点是为了帮助描述教导内容，并且不应该被解释为是对本教导内容的范围或适用性的限制。然而，其他实施例可基于本专利申请中所公开的教导内容而使用。
如本文所用，术语“可见光透射率”或“VLT”是指透射通过复合叠堆/透明基板系统的人眼可见(即，波长在380nm与780纳米之间)的全部的光的比率，可以使用2°角的A光源(即，VLT A 2°)来计算。
术语“太阳能总隔绝率”或“TSER”是指未通过复合叠堆/透明基板系统传递的总太阳能(热量)，可以根据方程TSER＝1-g来计算，其中g等于ISO 9050定义的太阳能总透射率。
术语“太阳能总透射率”或“TTS”是指通过复合叠堆/透明基板系统传递的总透射太阳能(热量)，可以根据ISO 13837来计算。
术语“包括/包含”、“具有”或其任何其他变型都旨在涵盖非排他性的包括。例如，包括特征列表的方法、制品或装置不一定仅限于那些特征，而是可以包括未明确列出的或这种方法、制品或装置固有的其他特征。此外，除非有明确的相反的说明，否则“或”是指包括性或而非排他性或。例如，以下任何一项均可满足条件A或B：A为真(或存在的)而B为假(或不存在的)、A为假(或不存在的)而B为真(或存在的)，以及A和B两者都为真(或存在的)。
而且，使用“一个”或“一种”来描述本文所述的元件和部件。这么做只是为了方便起见和提供对本发明范围的一般认识。除非很明显地另指他意，否则这种描述应被理解为包括一个、至少一个，或单数也包括复数，或反之亦然。例如，当在本文描述单个项时，可使用多于一个项来代替单个项。类似地，在本文描述了多于一个项的情况下，单个项可以取代多于一个项。
除非另有定义，否则本文使用的所有技术术语和科技术语都与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。材料、方法和实例仅是示例性的而非限制性的。关于本文未述的方面，有关特定材料和加工行为的许多详细信息是常规的，并且可见于日光控制领域的教科书及其他来源。
本文描述的实施例大体涉及复合膜，所述复合膜包括多层结构，所述多层结构具有至少一个第一透明基板、电介质层和至少两个红外线反射叠堆。所述电介质层可位于至少两个红外线反射叠堆之间。每个红外线反射叠堆可包括两个钛阻挡层和可位于两个钛阻挡层之间的功能层。所述功能层可包含银。根据本文描述的实施例形成的复合膜可具有特定的性能特性，诸如低TTS、低VLR、高TSER、或它们的组合。
鉴于下文所述的实施例，将更好地理解这些概念，这些实施例示出并且不限制本公开的范围。
图1包括示例复合膜100的一部分的剖视图的图示。如图1所示，复合膜100可包括第一透明基板110、第一红外线反射叠堆130、第二红外线反射叠堆170和位于该第一红外线反射叠堆130与第二红外线反射叠堆170之间的第一电介质层150。第一红外线反射叠堆130可包括第一钛阻挡层132、第二钛阻挡层136和第一功能层134。第一功能层134可包含银。第二红外线反射叠堆170可包括第三钛阻挡层172、第四钛阻挡层176和第二功能层174。第二功能层174可包含银。
根据特定实施例，第一透明基板110可包含聚合物材料。根据另一个特定实施例，第一透明基板110可由聚合物材料组成。根据另一些实施例，第一透明基板110可为聚合物基板层。根据特定实施例，聚合物基板层可包含任何期望的聚合物材料。
根据另一些实施例，第一透明基板110可包含聚对苯二甲酸乙二酯(PET)材料。根据另一个特定实施例，第一透明基板110可由PET材料组成。根据另一些实施例，第一透明基板110可为PET基板层。根据特定实施例，PET基板层可包含任何期望的聚合物材料。
根据又一个实施例，第一透明基板110可包含玻璃材料。根据又一个实施例，第一透明基板110可由玻璃材料组成。根据再一个实施例，第一透明基板110可为玻璃基板层。根据另一些实施例，玻璃材料可包含任何期望的玻璃材料。根据另一些实施例，玻璃基板可具有至少约85％，诸如至少约86％、至少约87％或甚至至少约88％的VLT。
根据另一些实施例，当第一透明基板110为聚合物基板层时，其可具有特定的厚度。例如，第一透明基板110可具有至少约10微米，诸如至少约15微米、至少约20微米、至少约25微米、至少约30微米、至少约35微米、至少约40微米、至少约45微米、至少约50微米、至少约75微米、至少约100微米或甚至至少约125微米的厚度。根据再一个实施例，第一透明基板110可具有不大于约250微米，诸如不大于约245微米、不大于约240微米、不大于约235微米、不大于约230微米、不大于约225微米、不大于约220微米、不大于约215微米、不大于约210微米、不大于约205微米、不大于约200微米、不大于约175微米、或甚至不大于约150微米的厚度。应当理解，第一透明基板110可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第一透明基板110可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
应当进一步理解，当第一透明基板110为玻璃基板层时，其可具有任何期望的厚度。
根据特定实施例，第一功能层134可包含银。根据又一个实施例，第一功能层134可基本上由银组成。根据再一个实施例，第一功能层134可为银层。
根据另一些实施例，第一功能层134可具有特定厚度。例如，第一功能层134可具有至少约5纳米，诸如至少约6纳米、至少约7纳米、至少约8纳米、至少约9纳米、至少约10纳米、至少约12纳米、至少约14纳米、至少约16纳米、至少约18纳米、至少约20纳米、至少约25纳米、至少约30纳米或甚至至少约35纳米的厚度。根据另一些实施例，第一功能层134可具有不大于约40纳米，诸如不大于约39纳米、不大于约38纳米、不大于约37纳米、不大于约36纳米、不大于约35纳米、不大于约34纳米、不大于约33纳米、不大于约32纳米或甚至不大于约31纳米的厚度。应当理解，第一功能层134可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第一功能层134可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
根据另一个实施例，第一钛阻挡层132可包含钛。根据再一个实施例，第一钛阻挡层132可基本上由钛组成。根据又一个实施例，第一钛阻挡层132可称为钛层。
根据再一个实施例，第一钛阻挡层132可具有特定厚度。例如，第一钛阻挡层132可具有不大于约10纳米，诸如不大于约9纳米、不大于约8纳米、不大于约7纳米、不大于约6纳米、不大于约5纳米、不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米、或甚至不大于约0.2纳米的厚度。根据又一个实施例，第一钛阻挡层132可具有至少约0.1纳米，诸如至少约0.2纳米、至少约0.3纳米、至少约0.4纳米的厚度。应当理解，第一钛阻挡层132可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第一钛阻挡层132可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
根据另一个实施例，第二钛阻挡层136可包含钛。根据再一个实施例，第二钛阻挡层136可基本上由钛组成。根据又一个实施例，第二钛阻挡层136可称为钛层。
根据再一个实施例，第二钛阻挡层136可具有特定厚度。例如，第二钛阻挡层136可具有不大于约10纳米，诸如不大于约9纳米、不大于约8纳米、不大于约7纳米、不大于约6纳米、不大于约5纳米、不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米、或甚至不大于约0.2纳米的厚度。根据又一个实施例，第二钛阻挡层136可具有至少约0.1纳米，诸如至少约0.2纳米、至少约0.3纳米、至少约0.4纳米的厚度。应当理解，第二钛阻挡层136可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第二钛阻挡层136可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
根据特定实施例，第二功能层174可包含银。根据又一个实施例，第二功能层174可基本上由银组成。根据再一个实施例，第二功能层174可为银层。
根据另一些实施例，第二功能层174可具有特定厚度。例如，第二功能层174可具有至少约5纳米，诸如至少约6纳米、至少约7纳米、至少约8纳米、至少约9纳米、至少约10纳米、至少约12纳米、至少约14纳米、至少约16纳米、至少约18纳米、至少约20纳米、至少约25纳米、至少约30纳米或甚至至少约35纳米的厚度。根据另一些实施例，第二功能层174可具有不大于约40纳米，诸如不大于约39纳米、不大于约38纳米、不大于约37纳米、不大于约36纳米、不大于约35纳米、不大于约34纳米、不大于约33纳米、不大于约32纳米或甚至不大于约31纳米的厚度。应当理解，第二功能层174可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第二功能层174可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
根据另一个实施例，第三钛阻挡层172可包含钛。根据再一个实施例，第三钛阻挡层172可基本上由钛组成。根据又一个实施例，第三钛阻挡层172可称为钛层。
根据再一个实施例，第三钛阻挡层172可具有特定厚度。例如，第三钛阻挡层172可具有不大于约10纳米，诸如不大于约9纳米、不大于约8纳米、不大于约7纳米、不大于约6纳米、不大于约5纳米、不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米、或甚至不大于约0.2纳米的厚度。根据又一个实施例，第三钛阻挡层172可具有至少约0.1纳米，诸如至少约0.2纳米、至少约0.3纳米、至少约0.4纳米的厚度。应当理解，第三钛阻挡层172可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第三钛阻挡层172可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
根据另一个实施例，第四钛阻挡层176可包含钛。根据再一个实施例，第四钛阻挡层176可基本上由钛组成。根据又一个实施例，第四钛阻挡层176可称为钛层。
根据再一个实施例，第四钛阻挡层176可具有特定厚度。例如，第四钛阻挡层176可具有不大于约10纳米，诸如不大于约9纳米、不大于约8纳米、不大于约7纳米、不大于约6纳米、不大于约5纳米、不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米、或甚至不大于约0.2纳米的厚度。根据又一个实施例，第四钛阻挡层176可具有至少约0.1纳米，诸如至少约0.2纳米、至少约0.3纳米、至少约0.4纳米的厚度。应当理解，第四钛阻挡层176可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第四钛阻挡层176可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
根据某些实施例，第一电介质层150可包含电介质材料。根据另一些实施例，第一电介质层150可基本上由电介质材料组成。第一电介质层150的电介质材料可为任何已知的透明电介质材料，诸如ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种。根据某些实施例，第一电介质层150可包含ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种。根据另一些实施例，第一电介质层150可基本上由ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种组成。
根据又一个实施例，第一电介质层150可具有特定厚度。例如，第一电介质层150可具有不大于约200纳米，诸如不大于约190纳米、不大于约180纳米、不大于约170纳米、不大于约160纳米、不大于约150纳米、不大于约140纳米、不大于约130纳米、不大于约120纳米、不大于约110纳米、不大于约100纳米、不大于约95纳米、不大于约90纳米、不大于约85纳米、不大于约80纳米、不大于约75纳米、不大于约70纳米、不大于约65纳米、不大于约60纳米、不大于约55纳米、不大于约50纳米、不大于约45纳米、不大于约40纳米、不大于约35纳米、不大于约30纳米、不大于约30纳米、不大于约25纳米、不大于约20纳米、或甚至不大于约15纳米的厚度。根据再一个实施例，第一电介质层150可具有至少约3纳米，诸如至少约5纳米、至少约8纳米、至少约10纳米、至少约20纳米、至少约25纳米或甚至至少约30纳米的厚度。应当理解，第一电介质层150可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第一电介质层150可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
应当理解，第一电介质层150可包括多个电介质层。应当进一步理解，构成第一电介质层150的任何电介质层可具有本文参考第一电介质层150所描述的任何特性。
根据又一个实施例，复合膜100可具有特定的厚度比THBL1/THFL1，其中THBL1为第一钛阻挡层132的厚度并且THFL1为第一功能层134的厚度。例如，复合膜100可具有不大于约0.5，诸如不大于约0.45、不大于约0.4、不大于约0.35、不大于约0.3、不大于约0.25、不大于约0.2、不大于约0.15、不大于约0.1、或甚至不大于约0.05的比率THBL1/THFL1。根据再一实施例，复合膜100可具有至少约0.01，诸如至少约0.02、至少约0.03、至少约0.04、至少约0.05、至少约0.06、至少约0.07、至少约0.08、至少约0.09、或甚至至少约0.1的比率THBL1/THFL1。应当理解，复合膜100可具有介于上述任何最小值和最大值之间的范围内的任一值的比率THBL1/THFL1。还应当理解，复合膜100可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的比率THBL1/THFL1。
根据又一个实施例，复合膜100可具有特定的厚度比THBL2/THFL1，其中THBL2为第二钛阻挡层136的厚度并且THFL1为第一功能层134的厚度。例如，复合膜100可具有不大于约0.5，诸如不大于约0.45、不大于约0.4、不大于约0.35、不大于约0.3、不大于约0.25、不大于约0.2、不大于约0.15、不大于约0.1、或甚至不大于约0.05的比率THBL2/THFL1。根据再一实施例，复合膜100可具有至少约0.01，诸如至少约0.02、至少约0.03、至少约0.04、至少约0.05、至少约0.06、至少约0.07、至少约0.08、至少约0.09、或甚至至少约0.1的比率THBL2/THFL1。应当理解，复合膜100可具有介于上述任何最小值和最大值之间的范围内的任一值的比率THBL2/THFL1。还应当理解，复合膜100可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的比率THBL2/THFL1。
根据又一个实施例，复合膜100可具有特定的厚度比THBL3/THFL2，其中THBL3为第三钛阻挡层172的厚度并且THFL2为第二功能层174的厚度。例如，复合膜100可具有不大于约0.5，诸如不大于约0.45、不大于约0.4、不大于约0.35、不大于约0.3、不大于约0.25、不大于约0.2、不大于约0.15、不大于约0.1、或甚至不大于约0.05的比率THBL3/THFL2。根据再一实施例，复合膜100可具有至少约0.01，诸如至少约0.02、至少约0.03、至少约0.04、至少约0.05、至少约0.06、至少约0.07、至少约0.08、至少约0.09、或甚至至少约0.1的比率THBL3/THFL2。应当理解，复合膜100可具有介于上述任何最小值和最大值之间的范围内的任一值的比率THBL3/THFL2。还应当理解，复合膜100可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的比率THBL3/THFL2。
根据又一个实施例，复合膜100可具有特定的厚度比THBL4/THFL2，其中THBL4为第四钛阻挡层176的厚度并且THFL2为第二功能层174的厚度。例如，复合膜100可具有不大于约0.5，诸如不大于约0.45、不大于约0.4、不大于约0.35、不大于约0.3、不大于约0.25、不大于约0.2、不大于约0.15、不大于约0.1、或甚至不大于约0.05的比率THBL4/THFL2。根据再一实施例，复合膜100可具有至少约0.01，诸如至少约0.02、至少约0.03、至少约0.04、至少约0.05、至少约0.06、至少约0.07、至少约0.08、至少约0.09、或甚至至少约0.1的比率THBL4/THFL2。应当理解，复合膜100可具有介于上述任何最小值和最大值之间的范围内的任一值的比率THBL4/THFL2。还应当理解，复合膜100可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的比率THBL4/THFL2。
根据又一些实施例，复合膜100可具有特定VLT。例如，复合叠堆100可具有至少约10％、至少约15％、至少约20％、至少约25％、至少约30％、至少约35％、至少约40％、至少约45％、至少约50％、至少约55％、至少约60％、至少约65％、至少约70％、至少约75％、至少约80％、至少约85％、至少约85％、或甚至至少约90％的VLT。根据再一个实施例，复合膜100可具有不大于约99％的VLT。应当理解，复合膜100可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的VLT。应当进一步理解，复合膜100可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的VLT。
根据再一个实施例，复合膜100可具有特定TSER。例如，复合膜100可具有至少约60％，诸如至少约62％、至少约65％、至少约67％、至少约70％、至少约72％或甚至至少约75％的TSER。根据另一些实施例，复合膜100可具有不大于约95％，诸如不大于约93％、不大于约90％或甚至不大于约88％的TSER。应当理解，复合膜100可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的TSER。应当进一步理解，复合膜100可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的TSER。
根据又一些实施例，复合膜100可具有特定的日光控制比VLT/(100％-TSER)。例如，复合膜100可具有至少约0.45，诸如至少约0.5、至少约0.6、至少约0.7、至少约0.8、至少约0.9、至少约1.0、至少约1.1、至少约1.2、至少约1.3、至少约1.4、或甚至至少约1.5的日光控制比。根据另一些实施例，复合膜100可具有不大于约2.0，诸如不大于约1.9、不大于约1.8、不大于约1.7、或甚至不大于约1.6的日光控制比。应当理解，复合膜100可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的日光控制比。应当进一步理解，复合膜100可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的日光控制比。
根据再一个实施例，复合膜100可具有特定TTS。例如，复合膜100可具有不大于约50％，诸如不大于约45％、不大于约40％、不大于约35％、不大于约30％、不大于约29％、不大于约28％、不大于约27％、或甚至不大于约26％的TTS。根据另一些实施例，复合膜100可具有至少约5％，诸如至少约10％、或甚至至少约15％的TTS。应当理解，复合膜100可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的TTS。应当进一步理解，复合膜100可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的TTS。
图2a包括另一个示例复合膜200的一部分的剖视图的图示。如图2a所示，复合膜200可包括第一透明基板210、第一红外线反射叠堆230、第二红外线反射叠堆270、位于该第一红外线反射叠堆230与第二红外线反射叠堆270之间的第一电介质层250以及位于所述膜内的第二透明基板290，使得第一红外线反射叠堆230、第二红外线反射叠堆270和第一电介质层250都位于第一透明基板210与第二透明基板290之间。第一红外线反射叠堆230可包括第一钛阻挡层232、第二钛阻挡层236和第一功能层234。第一功能层234可包含银。第二红外线反射叠堆270可包括第三钛阻挡层272、第四钛阻挡层276和第二功能层274。第二功能层274可包含银。
应当理解，复合膜200和参考复合膜200所描述的所有层可具有本文参考图1中的对应层所描述的任何特性。
根据特定实施例，第二透明基板290可包含聚合物材料。根据另一个特定实施例，第二透明基板290可由聚合物材料组成。根据另一些实施例，第二透明基板290可为聚合物基板层。根据特定实施例，聚合物基板层可包含任何期望的聚合物材料。
根据另一些实施例，第二透明基板290可包含聚对苯二甲酸乙二酯(PET)材料。根据另一个特定实施例，第二透明基板290可由PET材料组成。根据另一些实施例，第二透明基板290可为PET基板层。根据特定实施例，PET基板层可包含任何期望的聚合物材料。
根据又一个实施例，第二透明基板290可包含玻璃材料。根据又一个实施例，第二透明基板290可由玻璃材料组成。根据再一个实施例，第二透明基板290可为玻璃基板层。根据另一些实施例，玻璃材料可包含任何期望的玻璃材料。根据另一些实施例，玻璃基板可具有至少约85％，诸如至少约86％、至少约87％或甚至至少约88％的VLT。
根据另一些实施例，当第二透明基板290为聚合物基板层时，其可具有特定的厚度。例如，第二透明基板290可具有至少约10微米，诸如至少约15微米、至少约20微米、至少约25微米、至少约30微米、至少约35微米、至少约40微米、至少约45微米、至少约50微米、至少约75微米、至少约100微米或甚至至少约125微米的厚度。根据再一个实施例，第二透明基板290可具有不大于约250微米，诸如不大于约245微米、不大于约240微米、不大于约235微米、不大于约230微米、不大于约225微米、不大于约220微米、不大于约215微米、不大于约210微米、不大于约205微米、不大于约200微米、不大于约175微米、或甚至不大于约150微米的厚度。应当理解，第二透明基板290可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第二透明基板290可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
图2b包括另一个示例复合膜201的一部分的剖视图的图示。如图2b所示，复合膜201可包括第一透明基板210、第一红外线反射叠堆230、第二红外线反射叠堆270、位于该第一红外线反射叠堆230与第二红外线反射叠堆270之间的第一电介质层250以及位于所述膜内的第一聚乙烯醇缩丁醛(PVB)基板291，使得第一红外线反射叠堆230、第二红外线反射叠堆270和第一电介质层250都位于第一透明基板210与第一PVB基板291之间。第一红外线反射叠堆230可包括第一钛阻挡层232、第二钛阻挡层236和第一功能层234。第一功能层234可包含银。第二红外线反射叠堆270可包括第三钛阻挡层272、第四钛阻挡层276和第二功能层274。第二功能层274可包含银。
应当理解，复合膜201和参考复合膜201所描述的所有层可具有本文参考图1和图2a中的对应层所描述的任何特性。
根据特定实施例，第一PVB基板291可包含透光PVB材料。为了本文描述的实施例的目的，可将透光PVB材料定义为不染色或不使材料变暗的PVB材料。根据另一些实施例，第一PVB基板291可由透光PVB材料组成。根据另一些实施例，第一PVB基板291可为第一透光PVB基板291。根据另一些实施例，第一PVB基板291可具有至少约85％，诸如至少约86％、至少约87％或甚至至少约88％的VLT。
图2c包括另一个示例复合膜202的一部分的剖视图的图示。如图2c所示，复合膜202可包括第一透明基板210、第一红外线反射叠堆230、第二红外线反射叠堆270、位于该第一红外线反射叠堆230与第二红外线反射叠堆270之间的第一电介质层250、位于所述膜内的第一聚乙烯醇缩丁醛(PVB)基板291和第二PVB基板292，使得第一红外线反射叠堆230、第二红外线反射叠堆270、第一电介质层250和第一透明基板210都位于第一PVB基板291与第二PVB基板292之间。第一红外线反射叠堆230可包括第一钛阻挡层232、第二钛阻挡层236和第一功能层234。第一功能层234可包含银。第二红外线反射叠堆270可包括第三钛阻挡层272、第四钛阻挡层276和第二功能层274。第二功能层274可包含银。
应当理解，复合膜202和参考复合膜202所描述的所有层可具有本文参考图1、图2a和图2b中的对应层所描述的任何特性。
根据特定实施例，第二PVB基板292可包含透光PVB材料。为了本文描述的实施例的目的，可将透光PVB材料定义为不染色或不使材料变暗的PVB材料。根据另一些实施例，第二PVB基板292可由透光PVB材料组成。根据另一些实施例，第二PVB基板292可为第二透光PVB基板292。根据另一些实施例，第二PVB基板292可具有至少约85％，诸如至少约86％、至少约87％或甚至至少约88％的VLT。
图2d包括另一个示例复合膜203的一部分的剖视图的图示。如图2d所示，复合膜202可包括第一透明基板210、第一红外线反射叠堆230、第二红外线反射叠堆270、位于该第一红外线反射叠堆230与第二红外线反射叠堆270之间的第一电介质层250、位于所述膜内的第一聚乙烯醇缩丁醛(PVB)基板291、第二PVB基板295和第一玻璃基板295，使得第一红外线反射叠堆230、第二红外线反射叠堆270、第一电介质层250、第一透明基板210和第二PVB基板292都位于第一PVB基板291与第一玻璃基板295之间。第一红外线反射叠堆230可包括第一钛阻挡层232、第二钛阻挡层236和第一功能层234。第一功能层234可包含银。第二红外线反射叠堆270可包括第三钛阻挡层272、第四钛阻挡层276和第二功能层274。第二功能层274可包含银。
应当理解，复合膜203和参考复合膜203所描述的所有层可具有本文参考图1、图2a、图2b和图2c中的对应层所描述的任何特性。
根据特定实施例，第一玻璃基板295可包含深色玻璃材料。根据另一些实施例，第一玻璃基板295可由深色玻璃材料组成。根据另一些实施例，第一玻璃基板295可为第一深色玻璃基板295。
根据再一个实施例，第一玻璃基板295为第一深色玻璃基板，第一玻璃基板295可具有至少约10％，诸如至少约15％、至少约20％或甚至至少约30％的VLT。根据再一个实施例，第一玻璃基板295可具有不大于约50％，诸如不大于约45％、不大于约40％或甚至不大于约35％的VLT。应当理解，第一玻璃基板295可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的VLT。应当进一步理解，第一玻璃基板295可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的VLT。
图3包括另一个示例复合膜300的一部分的剖视图的图示。
如图3所示，复合膜300可包括第一透明基板310、第一红外线反射叠堆330、第二红外线反射叠堆370、位于该第一红外线反射叠堆330与第二红外线反射叠堆370之间的第一电介质层350、定位成使得第一红外线反射叠堆330位于第一电介质层350与第二电介质层320之间的第二电介质层320、定位成使得第二红外线反射叠堆370位于第一电介质层350与第三电介质层380之间的第三电介质层380、以及位于复合膜300内的第二透明基板390，使得第一红外线反射叠堆330、第二红外线反射叠堆370、第一电介质层350、第二电介质层320和第三电介质层380都位于第一透明基板310与第二透明基板390之间。第一红外线反射叠堆330可包括第一钛阻挡层332、第二钛阻挡层336和第一功能层334。第一功能层334可包含银。第二红外线反射叠堆370可包括第三钛阻挡层372、第四钛阻挡层376和第二功能层374。第二功能层374可包含银。
应当理解，复合膜300和参考复合膜300所描述的所有层可具有本文参考图1、图2a、图2b、图2c和图2d中的对应层所描述的任何特性。
根据某些实施例，第二电介质层320可包含电介质材料。根据另一些实施例，第二电介质层320可基本上由电介质材料组成。第二电介质层320的电介质材料可为任何已知的透明电介质材料，诸如ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种。根据某些实施例，第二电介质层320可包含ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种。根据另一些实施例，第二电介质层320可基本上由ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种组成。
根据又一个实施例，第二电介质层320可具有特定厚度。例如，第二电介质层320可具有不大于约200纳米，诸如不大于约190纳米、不大于约180纳米、不大于约170纳米、不大于约160纳米、不大于约150纳米、不大于约140纳米、不大于约130纳米、不大于约120纳米、不大于约110纳米、不大于约100纳米、不大于约95纳米、不大于约90纳米、不大于约85纳米、不大于约80纳米、不大于约75纳米、不大于约70纳米、不大于约65纳米、不大于约60纳米、不大于约55纳米、不大于约50纳米、不大于约45纳米、不大于约40纳米、不大于约35纳米、不大于约30纳米、不大于约30纳米、不大于约25纳米、不大于约20纳米、或甚至不大于约15纳米的厚度。根据再一个实施例，第二电介质层320可具有至少约3纳米，诸如至少约5纳米、至少约8纳米、至少约10纳米、至少约20纳米、至少约25纳米或甚至至少约30纳米的厚度。应当理解，第二电介质层320可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第二电介质层320可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
应当理解，第二电介质层320可包括多个电介质层。应当进一步理解，构成第二电介质层320的任何电介质层可具有本文参考第二电介质层320所描述的任何特性。
根据某些实施例，第三电介质层380可包含电介质材料。根据另一些实施例，第三电介质层380可基本上由电介质材料组成。第三电介质层380的电介质材料可为任何已知的透明电介质材料，诸如ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种。根据某些实施例，第三电介质层380可包含ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种。根据另一些实施例，第三电介质层380可基本上由ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种组成。
根据又一个实施例，第三电介质层380可具有特定厚度。例如，第三电介质层380可具有不大于约200纳米，诸如不大于约190纳米、不大于约180纳米、不大于约170纳米、不大于约160纳米、不大于约150纳米、不大于约140纳米、不大于约130纳米、不大于约120纳米、不大于约110纳米、不大于约100纳米、不大于约95纳米、不大于约90纳米、不大于约85纳米、不大于约80纳米、不大于约75纳米、不大于约70纳米、不大于约65纳米、不大于约60纳米、不大于约55纳米、不大于约50纳米、不大于约45纳米、不大于约40纳米、不大于约35纳米、不大于约30纳米、不大于约30纳米、不大于约25纳米、不大于约20纳米、或甚至不大于约15纳米的厚度。根据再一个实施例，第三电介质层380可具有至少约3纳米，诸如至少约5纳米、至少约8纳米、至少约10纳米、至少约20纳米、至少约25纳米或甚至至少约30纳米的厚度。应当理解，第三电介质层380可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第三电介质层380可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
应当理解，第三电介质层380可包括多个电介质层。应当进一步理解，构成第三电介质层380的任何电介质层可具有本文参考第三电介质层380所描述的任何特性。
图4包括示例复合膜400的一部分的剖视图的图示。如图4所示，复合膜400可包括第一透明基板410、第一红外线反射叠堆430、第二红外线反射叠堆470和位于该第一红外线反射叠堆430与第二红外线反射叠堆470之间的第一电介质层450。第一红外线反射叠堆430可包括第一钛阻挡层432、第二钛阻挡层436和第一功能层434。第一钛阻挡层432可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第二钛阻挡层436可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第一功能层434可包含银。第二红外线反射叠堆470可包括第三钛阻挡层472、第四钛阻挡层476和第二功能层474。第三钛阻挡层472可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第四钛阻挡层476可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第二功能层474可包含银。
根据特定实施例，第一透明基板410可包含聚合物材料。根据另一个特定实施例，第一透明基板410可由聚合物材料组成。根据另一些实施例，第一透明基板410可为聚合物基板层。根据特定实施例，聚合物基板层可包含任何期望的聚合物材料。
根据另一些实施例，第一透明基板410可包含聚对苯二甲酸乙二酯(PET)材料。根据另一个特定实施例，第一透明基板410可由PET材料组成。根据另一些实施例，第一透明基板410可为PET基板层。根据特定实施例，PET基板层可包含任何期望的聚合物材料。
根据又一个实施例，第一透明基板410可包含玻璃材料。根据又一个实施例，第一透明基板410可由玻璃材料组成。根据再一个实施例，第一透明基板410可为玻璃基板层。根据另一些实施例，玻璃材料可包含任何期望的玻璃材料。根据另一些实施例，玻璃基板可具有至少约85％，诸如至少约86％、至少约87％或甚至至少约88％的VLT。
根据另一些实施例，当第一透明基板410为聚合物基板层时，其可具有特定的厚度。例如，第一透明基板410可具有至少约10微米，诸如至少约15微米、至少约20微米、至少约25微米、至少约30微米、至少约35微米、至少约40微米、至少约45微米、至少约50微米、至少约75微米、至少约100微米或甚至至少约125微米的厚度。根据再一个实施例，第一透明基板410可具有不大于约250微米，诸如不大于约245微米、不大于约240微米、不大于约235微米、不大于约230微米、不大于约225微米、不大于约220微米、不大于约215微米、不大于约210微米、不大于约205微米、不大于约200微米、不大于约175微米、或甚至不大于约150微米的厚度。应当理解，第一透明基板410可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第一透明基板410可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
应当进一步理解，当第一透明基板410为玻璃基板层时，其可具有任何期望的厚度。
根据特定实施例，第一功能层434可包含银。根据又一个实施例，第一功能层434可基本上由银组成。根据再一个实施例，第一功能层434可为银层。
根据另一些实施例，第一功能层434可具有特定厚度。例如，第一功能层434可具有至少约5纳米，诸如至少约6纳米、至少约7纳米、至少约8纳米、至少约9纳米、至少约10纳米、至少约12纳米、至少约14纳米、至少约16纳米、至少约18纳米、至少约20纳米、至少约25纳米、至少约30纳米或甚至至少约35纳米的厚度。根据另一些实施例，第一功能层434可具有不大于约40纳米，诸如不大于约39纳米、不大于约38纳米、不大于约37纳米、不大于约36纳米、不大于约35纳米、不大于约34纳米、不大于约33纳米、不大于约32纳米或甚至不大于约31纳米的厚度。应当理解，第一功能层434可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第一功能层434可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
根据另一个实施例，第一钛阻挡层432可包含钛。根据再一个实施例，第一钛阻挡层432可基本上由钛组成。根据又一个实施例，第一钛阻挡层432可称为钛层。
根据再一个实施例，第一钛阻挡层432可具有特定厚度。例如，第一钛阻挡层432可具有不大于约5纳米，诸如不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米、或甚至不大于约0.2纳米的厚度。根据又一个实施例，第一钛阻挡层132可具有至少约0.1纳米，诸如至少约0.2纳米、至少约0.3纳米、至少约0.4纳米的厚度。应当理解，第一钛阻挡层432可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第一钛阻挡层432可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
根据另一个实施例，第二钛阻挡层436可包含钛。根据再一个实施例，第二钛阻挡层436可基本上由钛组成。根据又一个实施例，第二钛阻挡层436可称为钛层。
根据再一个实施例，第二钛阻挡层436可具有特定厚度。例如，第二钛阻挡层436可具有不大于约5纳米，诸如不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米、或甚至不大于约0.2纳米的厚度。根据又一个实施例，第二钛阻挡层436可具有至少约0.1纳米，诸如至少约0.2纳米、至少约0.3纳米、至少约0.4纳米的厚度。应当理解，第二钛阻挡层436可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第二钛阻挡层436可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
根据特定实施例，第二功能层474可包含银。根据又一个实施例，第二功能层474可基本上由银组成。根据再一个实施例，第二功能层474可为银层。
根据另一些实施例，第二功能层474可具有特定厚度。例如，第二功能层474可具有至少约5纳米，诸如至少约6纳米、至少约7纳米、至少约8纳米、至少约9纳米、至少约10纳米、至少约12纳米、至少约14纳米、至少约16纳米、至少约18纳米、至少约20纳米、至少约25纳米、至少约30纳米或甚至至少约35纳米的厚度。根据另一些实施例，第二功能层474可具有不大于约40纳米，诸如不大于约39纳米、不大于约38纳米、不大于约37纳米、不大于约36纳米、不大于约35纳米、不大于约34纳米、不大于约33纳米、不大于约32纳米或甚至不大于约31纳米的厚度。应当理解，第二功能层474可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第二功能层474可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
根据另一个实施例，第三钛阻挡层472可包含钛。根据再一个实施例，第三钛阻挡层472可基本上由钛组成。根据又一个实施例，第三钛阻挡层472可称为钛层。
根据再一个实施例，第三钛阻挡层472可具有特定厚度。例如，第三钛阻挡层472可具有不大于约5纳米，诸如不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米、或甚至不大于约0.2纳米的厚度。根据又一个实施例，第三钛阻挡层472可具有至少约0.1纳米，诸如至少约0.2纳米、至少约0.3纳米、至少约0.4纳米的厚度。应当理解，第三钛阻挡层472可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第三钛阻挡层472可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
根据另一个实施例，第四钛阻挡层476可包含钛。根据再一个实施例，第四钛阻挡层476可基本上由钛组成。根据又一个实施例，第四钛阻挡层476可称为钛层。
根据再一个实施例，第四钛阻挡层476可具有特定厚度。例如，第四钛阻挡层476可具有不大于约5纳米，诸如不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米、或甚至不大于约0.2纳米的厚度。根据又一个实施例，第四钛阻挡层476可具有至少约0.1纳米，诸如至少约0.2纳米、至少约0.3纳米、至少约0.4纳米的厚度。应当理解，第四钛阻挡层476可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第四钛阻挡层476可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
根据某些实施例，第一电介质层450可包含电介质材料。根据另一些实施例，第一电介质层450可基本上由电介质材料组成。第一电介质层450的电介质材料可为任何已知的透明电介质材料，诸如ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种。根据某些实施例，第一电介质层450可包含ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种。根据另一些实施例，第一电介质层450可基本上由ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种组成。
根据又一个实施例，第一电介质层450可具有特定厚度。例如，第一电介质层450可具有不大于约200纳米，诸如不大于约190纳米、不大于约180纳米、不大于约170纳米、不大于约160纳米、不大于约150纳米、不大于约140纳米、不大于约130纳米、不大于约120纳米、不大于约110纳米、不大于约100纳米、不大于约95纳米、不大于约90纳米、不大于约85纳米、不大于约80纳米、不大于约75纳米、不大于约70纳米、不大于约65纳米、不大于约60纳米、不大于约55纳米、不大于约50纳米、不大于约45纳米、不大于约40纳米、不大于约35纳米、不大于约30纳米、不大于约30纳米、不大于约25纳米、不大于约20纳米、或甚至不大于约15纳米的厚度。根据再一个实施例，第一电介质层450可具有至少约3纳米，诸如至少约5纳米、至少约8纳米、至少约10纳米、至少约20纳米、至少约25纳米或甚至至少约30纳米的厚度。应当理解，第一电介质层450可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第一电介质层450可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
应当理解，第一电介质层450可包括多个电介质层。应当进一步理解，构成第一电介质层450的任何电介质层可具有本文参考第一电介质层450所描述的任何特性。
根据又一个实施例，复合膜400可具有特定的厚度比THBL1/THFL1，其中THBL1为第一钛阻挡层432的厚度并且THFL1为第一功能层434的厚度。例如，复合膜400可具有不大于约0.5，诸如不大于约0.45、不大于约0.4、不大于约0.35、不大于约0.3、不大于约0.25、不大于约0.2、不大于约0.15、不大于约0.1、或甚至不大于约0.05的比率THBL1/THFL1。根据再一实施例，复合膜100可具有至少约0.01，诸如至少约0.02、至少约0.03、至少约0.04、至少约0.05、至少约0.06、至少约0.07、至少约0.08、至少约0.09、或甚至至少约0.1的比率THBL1/THFL1。应当理解，复合膜400可具有介于上述任何最小值和最大值之间的范围内的任一值的比率THBL1/THFL1。还应当理解，复合膜400可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的比率THBL1/THFL1。
根据又一个实施例，复合膜400可具有特定的厚度比THBL2/THFL1，其中THBL2为第二钛阻挡层436的厚度并且THFL1为第一功能层434的厚度。例如，复合膜400可具有不大于约0.5，诸如不大于约0.45、不大于约0.4、不大于约0.35、不大于约0.3、不大于约0.25、不大于约0.2、不大于约0.15、不大于约0.1、或甚至不大于约0.05的比率THBL2/THFL1。根据再一实施例，复合膜100可具有至少约0.01，诸如至少约0.02、至少约0.03、至少约0.04、至少约0.05、至少约0.06、至少约0.07、至少约0.08、至少约0.09、或甚至至少约0.1的比率THBL2/THFL1。应当理解，复合膜400可具有介于上述任何最小值和最大值之间的范围内的任一值的比率THBL2/THFL1。还应当理解，复合膜400可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的比率THBL2/THFL1。
根据又一个实施例，复合膜400可具有特定的厚度比THBL3/THFL2，其中THBL3为第三钛阻挡层472的厚度并且THFL2为第二功能层474的厚度。例如，复合膜400可具有不大于约0.5，诸如不大于约0.45、不大于约0.4、不大于约0.35、不大于约0.3、不大于约0.25、不大于约0.2、不大于约0.15、不大于约0.1、或甚至不大于约0.05的比率THBL3/THFL2。根据再一实施例，复合膜400可具有至少约0.01，诸如至少约0.02、至少约0.03、至少约0.04、至少约0.05、至少约0.06、至少约0.07、至少约0.08、至少约0.09、或甚至至少约0.1的比率THBL3/THFL2。应当理解，复合膜400可具有介于上述任何最小值和最大值之间的范围内的任一值的比率THBL3/THFL2。还应当理解，复合膜400可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的比率THBL3/THFL2。
根据又一个实施例，复合膜400可具有特定的厚度比THBL4/THFL2，其中THBL4为第四钛阻挡层476的厚度并且THFL2为第二功能层474的厚度。例如，复合膜400可具有不大于约0.5，诸如不大于约0.45、不大于约0.4、不大于约0.35、不大于约0.3、不大于约0.25、不大于约0.2、不大于约0.15、不大于约0.1、或甚至不大于约0.05的比率THBL4/THFL2。根据再一实施例，复合膜400可具有至少约0.01，诸如至少约0.02、至少约0.03、至少约0.04、至少约0.05、至少约0.06、至少约0.07、至少约0.08、至少约0.09、或甚至至少约0.1的比率THBL4/THFL2。应当理解，复合膜400可具有介于上述任何最小值和最大值之间的范围内的任一值的比率THBL4/THFL2。还应当理解，复合膜400可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的比率THBL4/THFL2。
根据又一些实施例，复合膜400可具有特定VLT。例如，复合膜400可具有至少约10％、至少约15％、至少约20％、至少约25％、至少约30％、至少约35％、至少约40％、至少约45％、至少约50％、至少约55％、至少约60％、至少约65％、至少约70％、至少约75％、至少约80％、至少约85％、至少约85％、或甚至至少约90％的VLT。根据再一个实施例，复合膜400可具有不大于约99％的VLT。应当理解，复合膜400可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的VLT。应当进一步理解，复合膜400可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的VLT。
根据再一个实施例，复合膜400可具有特定TSER。例如，复合膜400可具有至少约60％，诸如至少约62％、至少约65％、至少约67％、至少约70％、至少约72％或甚至至少约75％的TSER。根据另一些实施例，复合膜400可具有不大于约95％，诸如不大于约93％、不大于约90％或甚至不大于约88％的TSER。应当理解，复合膜400可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的TSER。应当进一步理解，复合膜400可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的TSER。
根据又一些实施例，复合膜400可具有特定的日光控制比VLT/(100％-TSER)。例如，复合膜400可具有至少约0.45，诸如至少约0.5、至少约0.6、至少约0.7、至少约0.8、至少约0.9、至少约1.0、至少约1.1、至少约1.2、至少约1.3、至少约1.4、或甚至至少约1.5的日光控制比。根据另一些实施例，复合膜400可具有不大于约2.0，诸如不大于约1.9、不大于约1.8、不大于约1.7、或甚至不大于约1.6的日光控制比。应当理解，复合膜400可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的日光控制比。应当进一步理解，复合膜400可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的日光控制比。
根据再一个实施例，复合膜400可具有特定TTS。例如，复合膜400可具有不大于约50％，诸如不大于约45％、不大于约40％、不大于约35％、不大于约30％、不大于约29％、不大于约28％、不大于约27％、或甚至不大于约26％的TTS。根据另一些实施例，复合膜400可具有至少约5％，诸如至少约10％、或甚至至少约15％的TTS。应当理解，复合膜400可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的TTS。应当进一步理解，复合膜400可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的TTS。
图5a包括另一个示例复合膜500的一部分的剖视图的图示。如图5a所示，复合膜500可包括第一透明基板510、第一红外线反射叠堆530、第二红外线反射叠堆570、位于该第一红外线反射叠堆530与第二红外线反射叠堆570之间的第一电介质层550以及位于所述膜内的第二透明基板590，使得第一红外线反射叠堆530、第二红外线反射叠堆570和第一电介质层550都位于第一透明基板510与第二透明基板590之间。第一红外线反射叠堆530可包括第一钛阻挡层532、第二钛阻挡层536和第一功能层534。第一钛阻挡层532可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第二钛阻挡层536可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第一功能层534可包含银。第二红外线反射叠堆570可包括第三钛阻挡层572、第四钛阻挡层576和第二功能层574。第三钛阻挡层572可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第二钛阻挡层576可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第二功能层574可包含银。
应当理解，复合膜500和参考复合膜500所描述的所有层可具有本文参考图4中的对应层所描述的任何特性。
根据特定实施例，第二透明基板590可包含聚合物材料。根据另一个特定实施例，第二透明基板590可由聚合物材料组成。根据另一些实施例，第二透明基板590可为聚合物基板层。根据特定实施例，聚合物基板层可包含任何期望的聚合物材料。
根据另一些实施例，第二透明基板590可包含聚对苯二甲酸乙二酯(PET)材料。根据另一个特定实施例，第二透明基板590可由PET材料组成。根据另一些实施例，第二透明基板590可为PET基板层。根据特定实施例，PET基板层可包含任何期望的聚合物材料。
根据又一个实施例，第二透明基板590可包含玻璃材料。根据又一个实施例，第二透明基板590可由玻璃材料组成。根据再一个实施例，第二透明基板590可为玻璃基板层。根据另一些实施例，玻璃材料可包含任何期望的玻璃材料。根据另一些实施例，玻璃基板可具有至少约85％，诸如至少约86％、至少约87％或甚至至少约88％的VLT。
根据另一些实施例，当第二透明基板590为聚合物基板层时，其可具有特定的厚度。例如，第二透明基板590可具有至少约10微米，诸如至少约15微米、至少约20微米、至少约25微米、至少约30微米、至少约35微米、至少约40微米、至少约45微米、至少约50微米、至少约75微米、至少约100微米或甚至至少约125微米的厚度。根据再一个实施例，第二透明基板590可具有不大于约250微米，诸如不大于约245微米、不大于约240微米、不大于约235微米、不大于约230微米、不大于约225微米、不大于约220微米、不大于约215微米、不大于约210微米、不大于约205微米、不大于约200微米、不大于约175微米、或甚至不大于约150微米的厚度。应当理解，第二透明基板590可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第二透明基板590可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
图5b包括另一个示例复合膜501的一部分的剖视图的图示。如图5b所示，复合膜501可包括第一透明基板510、第一红外线反射叠堆530、第二红外线反射叠堆570、位于该第一红外线反射叠堆530与第二红外线反射叠堆570之间的第一电介质层550以及位于所述膜内的第一聚乙烯醇缩丁醛(PVB)基板591，使得第一红外线反射叠堆530、第二红外线反射叠堆570和第一电介质层550都位于第一透明基板510与第一PVB基板591之间。第一红外线反射叠堆530可包括第一钛阻挡层532、第二钛阻挡层536和第一功能层534。第一钛阻挡层532可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第二钛阻挡层536可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第一功能层534可包含银。第二红外线反射叠堆570可包括第三钛阻挡层572、第四钛阻挡层576和第二功能层574。第二功能层574可包含银。
应当理解，复合膜501和参考复合膜501所描述的所有层可具有本文参考图4和图5a中的对应层所描述的任何特性。
根据特定实施例，第一PVB基板591可包含透光PVB材料。为了本文描述的实施例的目的，可将透光PVB材料定义为不染色或不使材料变暗的PVB材料。根据另一些实施例，第一PVB基板591可由透光PVB材料组成。根据另一些实施例，第一PVB基板591可为第一透光PVB基板591。根据另一些实施例，第一PVB基板591可具有至少约85％，诸如至少约86％、至少约87％或甚至至少约88％的VLT。
图5c包括另一个示例复合膜502的一部分的剖视图的图示。如图5c所示，复合膜502可包括第一透明基板510、第一红外线反射叠堆530、第二红外线反射叠堆570、位于该第一红外线反射叠堆530与第二红外线反射叠堆570之间的第一电介质层550、位于所述膜内的第一聚乙烯醇缩丁醛(PVB)基板591和第二PVB基板592，使得第一红外线反射叠堆530、第二红外线反射叠堆570、第一电介质层550和第一透明基板510都位于第一PVB基板591与第二PVB基板592之间。第一红外线反射叠堆530可包括第一钛阻挡层532、第二钛阻挡层536和第一功能层534。第一钛阻挡层532可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第二钛阻挡层536可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第一功能层534可包含银。第二红外线反射叠堆570可包括第三钛阻挡层572、第四钛阻挡层576和第二功能层574。第二功能层574可包含银。
应当理解，复合膜502和参考复合膜502所描述的所有层可具有本文参考图4、图5a和图5b中的对应层所描述的任何特性。
根据特定实施例，第二PVB基板592可包含透光PVB材料。为了本文描述的实施例的目的，可将透光PVB材料定义为不染色或不使材料变暗的PVB材料。根据另一些实施例，第二PVB基板592可由透光PVB材料组成。根据另一些实施例，第二PVB基板592可为第二透光PVB基板592。根据另一些实施例，第二PVB基板592可具有至少约85％，诸如至少约86％、至少约87％或甚至至少约88％的VLT。
图5d包括另一个示例复合膜503的一部分的剖视图的图示。如图5d所示，复合膜502可包括第一透明基板510、第一红外线反射叠堆530、第二红外线反射叠堆570、位于该第一红外线反射叠堆530与第二红外线反射叠堆570之间的第一电介质层550、位于所述膜内的第一聚乙烯醇缩丁醛(PVB)基板591、第二PVB基板595和第一玻璃基板595，使得第一红外线反射叠堆530、第二红外线反射叠堆570、第一电介质层550、第一透明基板510和第二PVB基板592都位于第一PVB基板591与第一玻璃基板595之间。第一红外线反射叠堆530可包括第一钛阻挡层532、第二钛阻挡层536和第一功能层534。第一钛阻挡层532可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第二钛阻挡层536可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第一功能层534可包含银。第二红外线反射叠堆570可包括第三钛阻挡层572、第四钛阻挡层576和第二功能层574。第二功能层574可包含银。
应当理解，复合膜503和参考复合膜503所描述的所有层可具有本文参考图4、图5a、图5b和图5c中的对应层所描述的任何特性。
根据特定实施例，第一玻璃基板595可包含深色玻璃材料。根据另一些实施例，第一玻璃基板595可由深色玻璃材料组成。根据另一些实施例，第一玻璃基板595可为第一深色玻璃基板595。
根据再一个实施例，第一玻璃基板595为第一深色玻璃基板，第一玻璃基板595可具有至少约10％，诸如至少约15％、至少约20％或甚至至少约30％的VLT。根据再一个实施例，第一玻璃基板595可具有不大于约50％，诸如不大于约45％、不大于约40％或甚至不大于约35％的VLT。应当理解，第一玻璃基板595可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的VLT。应当进一步理解，第一玻璃基板595可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的VLT。
图6包括另一个示例复合膜600的一部分的剖视图的图示。如图6所示，复合膜600可包括第一透明基板610、第一红外线反射叠堆630、第二红外线反射叠堆670、位于该第一红外线反射叠堆630与第二红外线反射叠堆670之间的第一电介质层650、定位成使得第一红外线反射叠堆630位于第一电介质层650与第二电介质层620之间的第二电介质层620、定位成使得第二红外线反射叠堆670位于第一电介质层650与第三电介质层680之间的第三电介质层680、以及位于复合膜600内的第二透明基板690，使得第一红外线反射叠堆630、第二红外线反射叠堆670、第一电介质层650、第二电介质层620和第三电介质层680都位于第一透明基板610与第二透明基板690之间。第一红外线反射叠堆630可包括第一钛阻挡层632、第二钛阻挡层636和第一功能层634。第一钛阻挡层632可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第二钛阻挡层636可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第一功能层634可包含银。第二红外线反射叠堆670可包括第三钛阻挡层672、第四钛阻挡层676和第二功能层674。第三钛阻挡层672可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第二钛阻挡层676可具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。第二功能层674可包含银。
应当理解，复合膜600和参考复合膜600所描述的所有层可具有本文参考图4和图5中的对应层所描述的任何特性。
根据某些实施例，第二电介质层620可包含电介质材料。根据另一些实施例，第二电介质层620可基本上由电介质材料组成。第二电介质层620的电介质材料可为任何已知的透明电介质材料，诸如ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种。根据某些实施例，第二电介质层620可包含ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种。根据另一些实施例，第二电介质层620可基本上由ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种组成。
根据又一个实施例，第二电介质层620可具有特定厚度。例如，第二电介质层620可具有不大于约200纳米，诸如不大于约190纳米、不大于约180纳米、不大于约170纳米、不大于约160纳米、不大于约150纳米、不大于约140纳米、不大于约130纳米、不大于约120纳米、不大于约110纳米、不大于约100纳米、不大于约95纳米、不大于约90纳米、不大于约85纳米、不大于约80纳米、不大于约75纳米、不大于约70纳米、不大于约65纳米、不大于约60纳米、不大于约55纳米、不大于约50纳米、不大于约45纳米、不大于约40纳米、不大于约35纳米、不大于约30纳米、不大于约30纳米、不大于约25纳米、不大于约20纳米、或甚至不大于约15纳米的厚度。根据再一个实施例，第二电介质层620可具有至少约3纳米，诸如至少约5纳米、至少约8纳米、至少约10纳米、至少约20纳米、至少约25纳米或甚至至少约30纳米的厚度。应当理解，第二电介质层620可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第二电介质层620可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
应当理解，第二电介质层620可包括多个电介质层。应当进一步理解，构成第二电介质层620的任何电介质层可具有本文参考第二电介质层620所描述的任何特性。
根据某些实施例，第三电介质层680可包含电介质材料。根据另一些实施例，第三电介质层680可基本上由电介质材料组成。第三电介质层380的电介质材料可为任何已知的透明电介质材料，诸如ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种。根据某些实施例，第三电介质层680可包含ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种。根据另一些实施例，第三电介质层680可基本上由ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO中的任一种组成。
根据又一个实施例，第三电介质层680可具有特定厚度。例如，第三电介质层680可具有不大于约200纳米，诸如不大于约190纳米、不大于约180纳米、不大于约170纳米、不大于约160纳米、不大于约150纳米、不大于约140纳米、不大于约130纳米、不大于约120纳米、不大于约110纳米、不大于约100纳米、不大于约95纳米、不大于约90纳米、不大于约85纳米、不大于约80纳米、不大于约75纳米、不大于约70纳米、不大于约65纳米、不大于约60纳米、不大于约55纳米、不大于约50纳米、不大于约45纳米、不大于约40纳米、不大于约35纳米、不大于约30纳米、不大于约30纳米、不大于约25纳米、不大于约20纳米、或甚至不大于约15纳米的厚度。根据再一个实施例，第三电介质层680可具有至少约3纳米，诸如至少约5纳米、至少约8纳米、至少约10纳米、至少约20纳米、至少约25纳米或甚至至少约30纳米的厚度。应当理解，第三电介质层680可具有在上述任何最小值和最大值之间的范围内的厚度。应当进一步理解，第三电介质层680可具有介于上述任何最小值和最大值之间的任一值的厚度。
应当理解，第三电介质层680可包括多个电介质层。应当进一步理解，构成第三电介质层680的任何电介质层可具有本文参考第三电介质层680所描述的任何特性。
许多不同的方面和实施例都是可能的。本文描述了这些方面和实施例中的一些。在阅读本说明书之后，本领域的技术人员会理解，那些方面和实施例仅是说明性的，并不限制本发明的范围。各实施例可以根据下面列出的任何一个或多个实施例。
实施例1一种复合膜，包括：第一透明基板叠堆；电介质层；以及至少两个红外线反射叠堆，其中电介质层设置在至少两个红外线反射叠堆之间；并且其中每个红外线反射叠堆包括：两个钛金属阻挡层；以及功能层，所述功能层包含银，所述功能层在两个钛金属层之间。
实施例2一种复合膜，包括：第一透明基板叠堆；第一电介质层，所述第一电介质层邻近第一透明基板叠堆；第一钛金属阻挡层，所述第一钛金属阻挡层邻近第一电介质层；第一功能层，所述第一功能层包含银，所述第一功能层邻近第一钛阻挡层；第二钛金属阻挡层，所述第二钛金属阻挡层邻近第一功能层；第二电介质层，所述第二电介质层邻近第二钛阻挡层；第三钛金属阻挡层，所述第三钛金属阻挡层邻近第二电介质层；第二功能层，所述第二功能层包含银，所述第二功能层邻近第三钛阻挡层；第四钛金属阻挡层，所述第四钛金属阻挡层邻近第二功能层；第三电介质层，所述第三电介质层邻近第四钛阻挡层；以及第二透明基板叠堆，所述第二透明基板叠堆覆盖第三电介质层。
实施例3一种形成复合膜的方法，其中所述方法包括：提供第一透明基板叠堆；形成邻近所述第一透明基板叠堆的第一电介质层；形成邻近所述第一电介质层的第一钛金属阻挡层；形成邻近所述第一钛阻挡层的第一功能层，所述第一功能层包含银；形成邻近所述第一功能层的第二钛金属阻挡层；形成邻近所述第二钛阻挡层的第二电介质层；形成邻近所述第二电介质层的第三钛金属阻挡层；形成邻近所述第三钛阻挡层的第二功能层，所述第二功能层包含银；形成邻近所述第二功能层的第四钛金属阻挡层；形成邻近所述第四钛阻挡层的第三电介质层；以及提供覆盖所述第三电介质层的第二透明基板叠堆。
实施例4根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜和方法，其中所述第一透明基板叠堆包括第一聚合物基板层，其中所述第一透明基板叠堆包括第一玻璃基板层，其中所述第一透明基板叠堆包括第一聚合物基板层和第一玻璃基板层；其中所述第一透明基板叠堆由第一聚合物基板层和第一玻璃基板层组成。
实施例5根据实施例4所述的复合膜和方法，所述第一聚合物基板层包含PET，其中所述第一透明基板由PET组成，其中所述第一聚合物基板层包含PVB，其中所述第一透明基板由PVB组成。
实施例6根据实施例4所述的复合膜或方法，其中所述第一玻璃基板层包括深色玻璃，其中所述深色玻璃具有至少约10％的VLT。
实施例7根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜和方法，其中所述第二透明基板叠堆包括第二聚合物基板层，其中所述第二透明基板叠堆包括第二玻璃基板层，其中所述第二透明基板叠堆包括第二聚合物基板层和第二玻璃基板层；其中所述第二透明基板叠堆由第二聚合物基板层和第二玻璃基板层组成。
实施例8根据实施例4所述的复合膜和方法，所述第二聚合物基板层包含PET，其中所述第二透明基板由PET组成，其中所述第二聚合物基板层包含PVB，其中所述第二透明基板由PVB组成。
实施例9根据实施例4所述的复合膜或方法，其中所述第二玻璃基板层包括透光玻璃，其中所述透光玻璃具有至少约85％的VLT。
实施例10根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述复合膜包含至少约5％的VLT。
实施例11根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述复合膜包含不大于约95％的VLT。
实施例12根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述复合膜包含至少约65％的TSER。
实施例13根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述复合膜包含不大于约95％的TSER。
实施例14根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述功能层基本上由银组成。
实施例15根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述阻挡层基本上由钛金属组成。
实施例16根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述第一功能层具有至少约5纳米、至少约6纳米、至少约7纳米、至少约8纳米、至少约9纳米、至少约10纳米、至少约12纳米、至少约14纳米、至少约16纳米、至少约18纳米、且至少约20纳米的厚度。
实施例17根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述第一功能层具有不大于约25纳米、不大于约24纳米、不大于约23纳米、不大于约22纳米、不大于约21纳米、不大于约20纳米、不大于约19纳米、不大于约18纳米、不大于约17纳米、不大于约16纳米、且不大于约15纳米的厚度。
实施例18根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述第二功能层具有至少约5纳米、至少约6纳米、至少约7纳米、至少约8纳米、至少约9纳米、至少约10纳米、至少约12纳米、至少约14纳米、至少约16纳米、至少约18纳米、且至少约20纳米的厚度。
实施例19根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述第二功能层具有不大于约25纳米、不大于约24纳米、不大于约23纳米、不大于约22纳米、不大于约21纳米、不大于约20纳米、不大于约19纳米、不大于约18纳米、不大于约17纳米、不大于约16纳米、且不大于约15纳米的厚度。
实施例20根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述阻挡层中的每一个具有不大于约5纳米、不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米且不大于约0.2纳米的厚度。
实施例21根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述阻挡层中的每一个具有至少约0.1纳米、至少约0.2纳米、至少约0.3纳米、至少约0.4纳米的厚度。
实施例22根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述电介质层包含ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO。
实施例23根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述电介质层基本上ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO组成。
实施例24根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述复合膜包含至少约0.45的日光控制比VLT/(100％-TSER)。
实施例25根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述复合膜还包含不大于约0.5、不大于约0.45、不大于约0.4、不大于约0.35、不大于约0.3、不大于约0.25、不大于约0.2、不大于约0.15、不大于约0.1且不大于约0.05的厚度比THBL1/THFL，其中THBL1为所述复合膜中的所述阻挡层的平均厚度并且THFL为所述复合膜中的所述功能层的平均厚度。
实施例26根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述复合膜还包含至少约0.01、至少约0.02、至少约0.03、至少约0.04、至少约0.05、至少约0.06、至少约0.07、至少约0.08、至少约0.09且至少约0.1的厚度比THBL1/THFL，其中THBL1为所述复合膜中的所述阻挡层的平均厚度并且THFL为所述复合膜中的所述功能层的平均厚度。
实施例27一种复合膜，包括：第一透明基板叠堆；电介质层；以及至少两个红外线反射叠堆，其中电介质层设置在至少两个红外线反射叠堆之间；并且其中每个红外线反射叠堆包括：两个钛金属阻挡层；以及功能层，所述功能层包含银，所述功能层在两个钛金属层之间，并且其中所述阻挡层各自具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。
实施例28一种复合膜，包括：第一透明基板叠堆；第一电介质层，所述第一电介质层邻近第一透明基板叠堆；第一钛金属阻挡层，所述第一钛金属阻挡层邻近第一电介质层；第一功能层，所述第一功能层包含银，所述第一功能层邻近第一钛阻挡层；第二钛金属阻挡层，所述第二钛金属阻挡层邻近第一功能层；第二电介质层，所述第二电介质层邻近第二钛阻挡层；第三钛金属阻挡层，所述第三钛金属阻挡层邻近第二电介质层；第二功能层，所述第二功能层包含银，所述第二功能层邻近第三钛阻挡层；第四钛金属阻挡层，所述第四钛金属阻挡层邻近第二功能层；第三电介质层，所述第三电介质层邻近第四钛阻挡层；以及第二透明基板叠堆，所述第二透明基板叠堆覆盖第三电介质层，其中所述阻挡层各自具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。
实施例29一种形成复合膜的方法，其中所述方法包括：提供第一透明基板叠堆；形成邻近所述第一透明基板叠堆的第一电介质层；形成邻近所述第一电介质层的第一钛金属阻挡层；形成邻近所述第一钛阻挡层的第一功能层，所述第一功能层包含银；形成邻近所述第一功能层的第二钛金属阻挡层；形成邻近所述第二钛阻挡层的第二电介质层；形成邻近所述第二电介质层的第三钛金属阻挡层；形成邻近所述第三钛阻挡层的第二功能层，所述第二功能层包含银；形成邻近所述第二功能层的第四钛金属阻挡层；形成邻近所述第四钛阻挡层的第三电介质层；以及提供覆盖所述第三电介质层的第二透明基板叠堆，其中所述阻挡层各自具有至少约0.2nm且不大于约5nm的厚度。
实施例30根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜和方法，其中所述第一透明基板叠堆包括第一聚合物基板层，其中所述第一透明基板叠堆包括第一玻璃基板层，其中所述第一透明基板叠堆包括第一聚合物基板层和第一玻璃基板层；其中所述第一透明基板叠堆由第一聚合物基板层和第一玻璃基板层组成。
实施例31根据实施例30所述的复合膜和方法，所述第一聚合物基板层包含PET，其中所述第一透明基板由PET组成，其中所述第一聚合物基板层包含PVB，其中所述第一透明基板由PVB组成。
实施例32根据实施例30所述的复合膜或方法，其中所述第一玻璃基板层包括深色玻璃，其中所述深色玻璃具有至少约10％(至少约30％)的VLT。
实施例33根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜和方法，其中所述第二透明基板叠堆包括第二聚合物基板层，其中所述第二透明基板叠堆包括第二玻璃基板层，其中所述第二透明基板叠堆包括第二聚合物基板层和第二玻璃基板层；其中所述第二透明基板叠堆由第二聚合物基板层和第二玻璃基板层组成。
实施例34根据实施例30所述的复合膜和方法，所述第二聚合物基板层包含PET，其中所述第二透明基板由PET组成，其中所述第二聚合物基板层包含PVB，其中所述第二透明基板由PVB组成。
实施例35根据实施例30所述的复合膜或方法，其中所述第二玻璃基板层包括透光玻璃，其中所述透光玻璃具有至少约85％的VLT。
实施例36根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜或方法，其中所述复合膜包含至少约5％的VLT。
实施例37根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜或方法，其中所述复合膜包含不大于约95％的VLT。
实施例38根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜或方法，其中所述复合膜包含至少约65％的TSER。
实施例39根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜或方法，其中所述复合膜包含不大于约95％的TSER。
实施例40根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜或方法，其中所述功能层基本上由银组成。
实施例41根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜或方法，其中所述阻挡层基本上由钛金属组成。
实施例42根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜或方法，其中所述第一功能层具有至少约5纳米、至少约6纳米、至少约7纳米、至少约8纳米、至少约9纳米、至少约10纳米、至少约12纳米、至少约14纳米、至少约16纳米、至少约18纳米、且至少约20纳米的厚度。
实施例43根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜或方法，其中所述第一功能层具有不大于约25纳米、不大于约24纳米、不大于约23纳米、不大于约22纳米、不大于约21纳米、不大于约20纳米、不大于约19纳米、不大于约18纳米、不大于约17纳米、不大于约16纳米、且不大于约15纳米的厚度。
实施例44根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜或方法，其中所述第二功能层具有至少约5纳米、至少约6纳米、至少约7纳米、至少约8纳米、至少约9纳米、至少约10纳米、至少约12纳米、至少约14纳米、至少约16纳米、至少约18纳米、且至少约20纳米的厚度。
实施例45根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜或方法，其中所述第二功能层具有不大于约25纳米、不大于约24纳米、不大于约23纳米、不大于约22纳米、不大于约21纳米、不大于约20纳米、不大于约19纳米、不大于约18纳米、不大于约17纳米、不大于约16纳米、且不大于约15纳米的厚度。
实施例46根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜或方法，其中所述阻挡层中的每一个具有不大于约5纳米、不大于约4.5纳米、不大于约4纳米、不大于约3.5纳米、不大于约3纳米、不大于约2.8纳米、不大于约2.6纳米、不大于约2.4纳米、不大于约2.2纳米、不大于约2.0纳米、不大于约1.8纳米、不大于约1.6纳米、不大于约1.4纳米、不大于约1.2纳米、不大于约1.0纳米、不大于约0.8纳米、不大于约0.6纳米、不大于约0.5纳米、不大于约0.4纳米、不大于约0.3纳米且不大于约0.2纳米的厚度。
实施例47根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜或方法，其中所述阻挡层中的每一个具有至少约0.1纳米、至少约0.2纳米、至少约0.3纳米、至少约0.4纳米的厚度。
实施例48根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述电介质层包含ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO。
实施例49根据实施例1、2和3中任一项所述的复合膜或方法，其中所述电介质层基本上ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx、或AZO组成。
实施例50根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜或方法，其中所述复合膜包含至少约0.5的日光控制比VLT/(100％-TSER)。
实施例51根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜或方法，其中所述复合膜还包含不大于约0.5、不大于约0.45、不大于约0.4、不大于约0.35、不大于约0.3、不大于约0.25、不大于约0.2、不大于约0.15、不大于约0.1且不大于约0.05的厚度比THBL1/THFL，其中THBL1为所述复合膜中的所述阻挡层的平均厚度并且THFL为所述复合膜中的所述功能层的平均厚度。
实施例52根据实施例27、28和29中任一项所述的复合膜或方法，其中所述复合膜还包含至少约0.01、至少约0.02、至少约0.03、至少约0.04、至少约0.05、至少约0.06、至少约0.07、至少约0.08、至少约0.09且至少约0.1的厚度比THBL1/THFL，其中THBL1为所述复合膜中的所述阻挡层的平均厚度并且THFL为所述复合膜中的所述功能层的平均厚度。
实例
本文描述的概念将在以下实例中进一步描述，这些实例不限制权利要求所述的本发明的范围。
实例1
根据本文所述的某些实施例配置和形成两个样本复合膜S1和S2。样本复合膜S1和S2都包括第一深色玻璃基板(即，底部)、第一透光PVB基板、第二透光PVB基板、第一透明PET基板(即，底部)、在两个钛阻挡层之间具有银功能层的第一红外线反射叠堆、在两个钛阻挡层之间具有银功能层的第二红外线反射叠堆以及三个TiOx电介质层。下表1汇总了样本复合膜中各层的构造，包括一般的层组成、布置和厚度。应当理解，表1中列出的层的顺序指示复合窗膜中各层的顺序，其中表中的底行对应于复合窗膜中的底层。
表1-样本复合窗膜示例构造
下表2汇总了每个样本复合窗膜的光学性质。汇总的光学性质包括：使用PerkinElmer Lambda 900分光光度计(1＝透光玻璃面，2＝深色玻璃面)，根据ISO13837惯例“A”AM15计算的VLT、VLR、TTS，根据ISO 9050测量的透射率和反射率。此外，积分值(L*,a*,b*)基于“D6510°”光源。
表2-样本复合膜光学性质测量值
OPT.PROP. S1 S2
VLT A 2°(％) 13.4 8.6
VLR1 A 2°(％) 9.5 10.5
VLR2 A 2°(％) 5.2 5.9
TTS(％) 24.2 23.1
L*T 44.0 36.0
a*T -4.1 -3.4
b*T -3.7 -4.8
L*R1 37.6 39.3
a*R1 -3.2 -4.0
b*R1 -2.4 -2.4
L*R2 27.3 29.1
a*R2 -0.3 -0.2
b*R2 1.6 0.9
分析对比样本复合膜CS1以与样本复合膜S1和S2进行比较。对比样品复合膜是从伊士曼化学公司(Eastman Chemical Company)购得的名为XI R75 Blue的商业膜(http://www.eastman.com/Brands/XIR/Automotive/Pages/Aut o_Overview.aspx)。对比样品复合膜CS1包括双层叠堆。下表3汇总了双层叠堆的构造，包括一般的层组成、布置和厚度。应当理解，表3中列出的层的顺序指示双层叠堆中各层的顺序，其中表中的底行对应于复合窗膜中的底层。
表3–对比样本复合膜的双层叠堆构造
CS1
InOx(In2O3)(nm) 17
Ag(nm) 9.1
InOx(In2O3)(nm) 57
Ag(nm) 5.5
InOx(In2O3)(nm) 18.7
基板(聚合物) -
双层叠堆层压为其中在顶部具有1个透光PVB基板和1个透光玻璃基板，并且在底部具有1个深色玻璃基板和1个深色PVB基板。深色PVB称为RB17，厚380μm。
下表4汇总了对比样本复合窗膜CS1的光学性质。汇总的光学性质包括：使用Perkin Elmer Lambda 900分光光度计，根据ISO 9050测量的VLT、VLR、TTS、透射率和反射率。
表4-对比样本复合窗膜光学性质测量值
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需注意，并非所有上述一般说明或实例中的行为都是必需的，可能不一定需要具体行为的一部分，并且除描述的那些行为外，还可执行一个或多个进一步的行为。此外，所列活动的次序不一定是执行它们的次序。
上面已经参考具体实施例描述了益处、其他优点及问题的解决方案。然而，益处、优点、问题的解决方案及可使任何益处、优点或解决方案被想到或变得更加显著的任何特征都不被认为是任何或所有权利要求的关键、所需或必要的特征。
本文所述的实施例的说明书和图示旨在提供对各种实施例的结构的一般理解。说明书和图示并不旨在用作对使用了本文所述的结构或方法的装置和系统的所有元件和特征的详尽和全面的描述。单独的实施例也可在单个实施例中以组合的方式来提供，并且相反地，为简明起见而在单个实施例的上下文中描述的各种特征也可单独地提供，或以任何子组合的方式来提供。此外，对以范围表示的值的引用包括该范围内的每个值和所有各值。只有在阅读本说明书之后，许多其他实施例对于技术人员才是显而易见的。通过本公开内容可以利用和得到其他实施例，使得可在不脱离本公开的范围的情况下进行结构替换、逻辑替换或其他改变。因此，本公开应被视为例示性的而非限制性的。

Claims (15)

1.一种复合膜，包括：
第一透明基板叠堆；
第一电介质层，所述第一电介质层邻近所述第一透明基板叠堆；
第一钛金属阻挡层，所述第一钛金属阻挡层邻近所述第一电介质层；
第一功能层，所述第一功能层包含银，所述第一功能层邻近所述第一钛金属阻挡层；
第二钛金属阻挡层，所述第二钛金属阻挡层邻近所述第一功能层；
第二电介质层，所述第二电介质层邻近所述第二钛金属阻挡层；
第三钛金属阻挡层，所述第三钛金属阻挡层邻近所述第二电介质层；
第二功能层，所述第二功能层包含银，所述第二功能层邻近所述第三钛金属阻挡层；
第四钛金属阻挡层，所述第四钛金属阻挡层邻近所述第二功能层；
第三电介质层，所述第三电介质层邻近所述第四钛金属阻挡层；以及
第二透明基板叠堆，所述第二透明基板叠堆覆盖所述第三电介质层，其中所述第一钛金属阻挡层、所述第二钛金属阻挡层、所述第三钛金属阻挡层和所述第四钛金属阻挡层中的每一者具有至少0.1纳米和不大于5纳米的厚度，
其中所述第一电介质层、所述第二电介质层和所述第三电介质层中的每一者具有至少15纳米和不大于200纳米的厚度，
其中所述第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层包含ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx或AZO，其中所述第一透明基板叠堆包括第一聚合物基板层和第一玻璃基板层，
其中所述第一玻璃基板层包含深色玻璃，其中所述深色玻璃具有至少10％和不大于50％的VLT，
其中所述第二透明基板叠堆包含玻璃材料，并且
其中所述第二透明基板叠堆具有至少85％的VLT。
2.根据权利要求1所述的复合膜，其中所述第一聚合物基板层包含PET或PVB。
3.根据权利要求1所述的复合膜，其中所述复合膜包含不大于95％的VLT。
4.根据权利要求1所述的复合膜，其中所述复合膜包含至少65％且不大于95％的TSER。
5.根据权利要求1所述的复合膜，其中所述第一功能层和所述第二功能层基本上由银组成。
6.根据权利要求1所述的复合膜，其中所述第一钛金属阻挡层、所述第二钛金属阻挡层、所述第三钛金属阻挡层和所述第四钛金属阻挡层基本上由钛金属组成。
7.根据权利要求1所述的复合膜，其中所述第一功能层具有至少5纳米且不大于25纳米的厚度。
8.根据权利要求1所述的复合膜，其中所述第二功能层具有至少5纳米且不大于25纳米的厚度。
9.根据权利要求1所述的复合膜，其中所述复合膜进一步包含至少0.01且不大于0.5的厚度比THBL1/THFL，其中THBL1为所述复合膜中的所述第一钛金属阻挡层、所述第二钛金属阻挡层、所述第三钛金属阻挡层和所述第四钛金属阻挡层的平均厚度，且THFL为所述复合膜中的所述第一功能层和所述第二功能的平均厚度。
10.一种形成复合膜的方法，其中所述方法包括：
提供第一透明基板叠堆；
形成邻近所述第一透明基板叠堆的第一电介质层；
形成邻近所述第一电介质层的第一钛金属阻挡层；
形成邻近所述第一钛金属阻挡层的第一功能层，所述第一功能层包含银；
形成邻近所述第一功能层的第二钛金属阻挡层；
形成邻近所述第二钛金属阻挡层的第二电介质层；
形成邻近所述第二电介质层的第三钛金属阻挡层；
形成邻近所述第三钛金属阻挡层的第二功能层，所述第二功能层包含银；
形成邻近所述第二功能层的第四钛金属阻挡层；
形成邻近所述第四钛金属阻挡层的第三电介质层；以及
提供覆盖所述第三电介质层的第二透明基板叠堆，
其中所述第一钛金属阻挡层、所述第二钛金属阻挡层、所述第三钛金属阻挡层和所述第四钛金属阻挡层中的每一者具有至少0.1纳米和不大于5纳米的厚度，
其中所述第一电介质层、所述第二电介质层和所述第三电介质层中的每一者具有至少15纳米和不大于200纳米的厚度，
其中所述第一电介质层、第二电介质层和第三电介质层包含ITO、SnZnOx、SiOx、Si3N4、Nb2Ox、TiOx、In2Ox、ZnOx或AZO，其中所述第一透明基板叠堆包括第一聚合物基板层和第一玻璃基板层，
所述第一玻璃基板层包含深色玻璃，其中所述深色玻璃具有至少10％和不大于50％的VLT，
其中所述第二透明基板叠堆包含玻璃材料，并且
其中所述第二透明基板叠堆具有至少85％的VLT。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一聚合物基板层包含PET或PVB。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述复合膜包含不大于95％的VLT。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述复合膜包含至少65％且不大于95％的TSER。
14.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一功能层和所述第二功能层基本上由银组成。
15.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一钛金属阻挡层、所述第二钛金属阻挡层、所述第三钛金属阻挡层和所述第四钛金属阻挡层基本上由钛金属组成。
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