CN117957660A - 利用半导体发光器件的显示装置及其制造方法 - Google Patents

利用半导体发光器件的显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117957660A
CN117957660A CN202180102368.7A CN202180102368A CN117957660A CN 117957660 A CN117957660 A CN 117957660A CN 202180102368 A CN202180102368 A CN 202180102368A CN 117957660 A CN117957660 A CN 117957660A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
emitting device
substrate
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180102368.7A
Other languages
English (en)
Inventor
辛埈伍
权正晓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Electronics Inc
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc, LG Display Co Ltd filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN117957660A publication Critical patent/CN117957660A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明涉及能够适用于显示装置相关技术领域，例如，利用微型LED(Light Emitting Diode)的显示装置及其制造方法。这样的本发明可以包括：基板，包括像素区域和位于所述像素区域周边的焊盘区域；分隔壁层，位于所述基板上，在所述像素区域内定义复数个单位像素区域；应力分离线，位于所述分隔壁层上的所述单位像素区域之间；第一电极，位于所述单位像素区域；半导体发光器件，在所述单位像素区域内设置成使第一型电极与所述第一电极电连接；涂布层，形成在所述半导体发光器件和分隔壁层上；以及第二电极，在所述涂布层上与所述半导体发光器件的第二型电极电连接。

Description

利用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
技术领域
本发明可应用于显示装置相关技术领域，例如，涉及一种利用微型LED(LightEmitting Diode；发光二极管)的显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来，在显示器技术领域，正在开发具有薄型、柔性等优异特性的显示装置。与此相反，当前商用化的主要的显示器中，作为代表有LCD(Liquid Crystal Display；液晶显示器)和OLED(Organic Light Emitting Diodes；有机发光二极管)。
另一方面，发光二极管(Light Emitting Diode；LED)是将电流转换为光而所熟知的半导体发光器件，以1962年利用GaAsP(磷砷化镓)化合物半导体的红色LED被商品化为开始，与GaP:N系列的绿色LED一起被利用作以信息通信设备为首的电子装置的显示图像用光源。
近年来，这种发光二极管(LED)逐渐小型化而制作成微米尺寸的LED，并作为显示装置的像素来利用。
如上所述的微型LED技术相比于其他显示器件/面板，展现出低电力、高亮度、高可靠性的特性，可以适用于柔性器件。因此，近年来，研究机构和企业正在积极研究。
关于微型LED，近年来的热点是将LED转移(Transfer)到面板的技术。为了利用微型LED来制造一个显示装置，需要使用很多LED，但通过将其一一进行附着来进行制造是困难且耗时较大的作业。
另一方面，当组装微型LED时，可能会发生微型LED组装为从单位器件区域的位置偏离的情况。
供微型LED转移的组装孔的位置可以由分隔壁层来形成并定义。为此，可以在基板上形成分隔壁层并形成组装孔，然后进行分隔壁层的固化工序。这样的固化工序通常可以包括热固化或紫外线固化工序。由于上述的固化工序是高温工序，可能会使分隔壁层膨胀。由此，形成在供发光器件安装的位置上的安装空间(组装孔图案)可能会移动。
因此，根据显示装置的位置，可能会发生用于显示在分隔壁层形成的安装位置的图案和由实际电极来定义的单位像素区域彼此错开的现象。即，可能会发生由电极来定义的单位像素区域与在分隔壁层形成的像素区域的图案的不一致。
如上所述，在显示装置的面板工序中，在形成用于安装发光器件(转移芯片)的金属布线电极后，在形成分隔壁层时，可能会因基板弯曲而发生外廓位置中的布线和组装孔的图形化误差。
这样的图形化误差可能随着相对于显示装置的中央区域越向外廓远离，其误差的程度越大。
因上述的图形化误差而可能会发生微型LED的亮度偏差，或根据情况，也可能会发生微型LED不会被点亮的情况。
因此，需要一种解决这种在制造利用微型LED的显示器时发生的问题的方案。
发明内容
发明要解决的问题
本发明的所要解决的技术性课题在于，提供一种能够使在面板工序中可能会产生的对准公差最小化的利用半导体发光器件的显示装置及其制造方法。
另外，提供一种能够在面板工序中，防止基板与分隔壁层形成的结构产生弯曲或形成于单位像素区域的组装孔的位置发生变更的利用半导体发光器件的显示装置及其制造方法。
另外，提供一种能够在面板工序中，有效地阻断实际朝从基板的中心出发的放射方向作用的应力的利用半导体发光器件的显示装置及其制造方法。
另外，提供一种能够在面板工序中，有效地阻断在分隔壁层的热固化时或冷却时可能会产生的应力的利用半导体发光器件的显示装置及其制造方法。
另外，提供一种能够减少用于连接半导体发光器件与上部布线的工序的数量的利用半导体发光器件的显示装置及其制造方法。
另外，提供一种能够通过使面板后工序中的对准误差最小化来确保半导体发光器件芯片电极与第二电极(上部布线；照明电极)的最大接触面积的利用半导体发光器件的显示装置及其制造方法。
用于解决问题的手段
作为用于实现所述目的的第一观点，本发明可以包括：基板，包括像素区域和位于所述像素区域周边的焊盘区域；分隔壁层，位于所述基板上，在所述像素区域内定义复数个单位像素区域；应力分离线，位于所述分隔壁层上的所述单位像素区域之间；第一电极，位于所述单位像素区域；半导体发光器件，在所述单位像素区域内设置成使第一型电极与所述第一电极电连接；涂布层，形成在所述半导体发光器件和分隔壁层上；以及第二电极，在所述涂布层上与所述半导体发光器件的第二型电极电连接。
另外，所述基板可以具有由长边和短边来定义的矩形形状，所述应力分离线可以沿相对于所述短边方向平行的方向形成。
另外，所述应力分离线可以在所述短边方向上连续形成。
另外，所述应力分离线可以沿相对于所述短边方向平行的方向形成有复数个。
另外，复数个的所述应力分离线可以相对于横穿所述基板的中心的线对称形成。
另外，复数个的所述应力分离线可以相对于横穿所述基板的中心的线以设定的间隔隔开形成。
另外，所述应力分离线可以包括补偿线，所述补偿线在所述焊盘区域中相对于所述短边方向倾斜。
另外，所述焊盘区域可以包括第一区域和第二区域，连接所述像素区域与驱动芯片的连接布线位于所述第一区域，所述第二区域位于所述驱动芯片外侧。
另外，所述应力分离线可以包括补偿线，所述补偿线在所述第一区域中相对于所述短边方向倾斜。
另外，所述应力分离线可以包括延伸线，所述延伸线与所述补偿线连接并沿相对于所述短边方向平行的方向形成。
另外，所述应力分离线可以使因所述分隔壁层与所述基板的热膨胀系数差异而产生的应力和在所述分隔壁层热固化时产生的应力中的至少一个的传递分离。
作为用于实现所述目的的第二观点，本发明可以包括：基板，具有由长边和短边来定义的矩形形状，包括像素区域和位于所述像素区域周边的焊盘区域；分隔壁层，位于所述基板上，在所述像素区域内定义复数个单位像素区域；应力分离线，位于所述分隔壁层上的所述单位像素区域之间；以及半导体发光器件，设置在所述单位像素区域内；所述应力分离线可以在所述像素区域和所述焊盘区域中具有彼此不同的倾斜度。
发明效果
根据本发明的一实施例，具有如下效果。
首先，根据本发明一实施例，位于显示装置的单位像素区域(组装孔)之间的应力分离线能够防止在因分隔壁层与基板的热膨胀系数的差异而产生的应力的作用下发生的现象。
另外，根据本发明一实施例，能够防止基板与分隔壁层形成的结构发生弯曲或形成于单位像素区域的组装孔的位置发生变更。
另外，根据本发明一实施例，应力分离线所包括的补偿线能够有效地阻断实际朝从基板的中心出发的放射方向作用的应力。
另外，根据本发明一实施例，包括补偿线的应力分离线能够有效地阻断在分隔壁层的热固化时或冷却时可能会产生的应力。
进一步，根据本发明的另一实施例，本领域的技术人员能够通过说明书和附图的全部主旨，理解在此未提及的追加的技术效果。
附图说明
图1是示出本发明的利用半导体发光器件的显示装置的一例的概念图。
图2是图1的A部分的局部放大图。
图3a和图3b是沿图2中的线B-B和C-C切开的剖视图。
图4是示出图3中的倒装芯片类型半导体发光器件的概念图。
图5a至图5c是示出与倒装芯片类型半导体发光器件相关的实现颜色的各种形态的概念图。
图6是示出本发明的利用半导体发光器件的显示装置的制造方法的一例的剖视图。
图7是示出本发明的利用半导体发光器件的显示装置的另一例的立体图。
图8是沿图7中的线D-D切开的剖视图。
图9是示出图8中的垂直型半导体发光器件的概念图。
图10示出本发明一实施例的利用半导体发光器件的显示装置的俯视图。
图11是示出本发明一实施例的利用半导体发光器件的显示装置的应力分离线的概略俯视图。
图12是示出本发明一实施例的利用半导体发光器件的显示装置的应力分离线的一例的概略俯视图。
图13是示出本发明一实施例的利用半导体发光器件的显示装置的应力分离线的另一例的概略俯视图。
图14是示出本发明一实施例的利用半导体发光器件的显示装置的单位像素区域的剖视图。
图15是示出在能够应用于本发明的显示装置中被施加的应力的概略俯视图。
图16是示出在能够应用本发明的显示装置中应力的产生及其导致的现象的概略剖视图。
图17是示出在能够应用本发明的显示装置中根据固化工序的图案的移动方向的概略俯视图。
图18是示出根据图17的各个部分中产生的图案的移动的现象的照片。
图19是示出能够应用于本发明一实施例的作为分隔壁层的材料的有机膜的热膨胀系数变化的曲线图。
图20是示出一实施例的利用半导体发光器件的显示装置的形成分隔壁层的过程的概略剖视图。
图21是示出一实施例的利用半导体发光器件的显示装置的实际实现例的概略图。
图22是示出图21中的(1)区域的照片。
图23是示出图21中的(5)区域的照片。
图24是示出图21中的(9)区域的照片。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本说明书中公开的实施例，与图号无关地，对相同或相似的结构要素赋予了相同的附图标记，并省略了对其重复说明。在以下说明中使用的构成要素的后缀“模块”和“部”仅是为了便于撰写说明书而赋予或混用的，其自身并不具有相互区别的含义或作用。另外，在说明本说明书中公开的实施例的过程中，当判断为对相关公知技术的具体说明会混淆本说明书中公开的实施例的要旨的情况下，省略了对该公知技术的详细说明。另外，应当理解的是，附图是为了便于理解本说明书公开的实施例而提供的，本说明书公开的技术思想并不局限于附图。
进一步，虽然为了说明的便利对附图分别进行说明，但是，本领域技术人员通过结合至少两幅以上的附图来实现其他实施例也属于本发明的权利范围。
另外，应当理解的是，当说明层、区域或基板之类的要素在不同的构成要素“上(on)”时，其含义包括直接在其他要素之上，或者两者之间可以存在中间要素。
在本说明书中说明的显示装置是涵盖以单位像素或以单位像素的集合显示信息的所有显示装置的概念。因此，不限于成品，也可以适用于部件。例如，相当于数字TV的一部件的面板本身也相当于本说明书上的显示装置。作为成品，可以包括手机、智能手机(smartphone)、笔记本电脑(laptop computer)、数字广播用终端、PDA(personal digitalassistants；个人数字助理)、PMP(portable multimedia player；便携式多媒体播放器)、导航仪、平板个人电脑(Slate PC)、平板电脑(Tablet PC)、超极本(Ultra Book)、数字TV、台式电脑等。
但是，对本技术领域的技术人员而言显而易见的是，根据本说明书所记载的实施例的构成也能够应用于以后开发出的新的产品形态的可显示的装置。
另外，本说明书所涉及的半导体发光器件是包括LED、微型LED等概念，可以混用。
图1是示出本发明的利用半导体发光器件的显示装置的一实施例的概念图。
如图1所示，在显示装置100的控制部(未图示)中处理的信息可以利用柔性显示器(flexible display)来显示。
柔性显示器包括，例如通过外力可以弯曲、或可以弯折、或可以扭曲、或可以折叠、或可以卷起的显示器。
进一步，柔性显示器可以是例如在保持现有的平板显示器的显示特性的同时，在如同纸张一样弯曲、或弯折、或折叠、或卷起的又薄又柔软的基板上制造的显示器。
柔性显示器在没有弯曲的状态(例如，具有无限大的曲率半径的状态，以下称作第一状态)下，柔性显示器的显示区域成为平面。在这样的第一状态，由于外力而弯曲的状态(例如，具有有限的曲率半径的状态，以下称作第二状态)下，显示区域可以成为曲面。如图1所示，在第二状态下显示的信息可以是输出在曲面上的视觉信息。这种视觉信息通过独立控制以矩阵形状配置的单位像素(sub-pixel，子像素)的发光来实现。例如，这里的单位像素表示用于实现一个颜色的最小单位。
这种柔性显示器的单位像素可以通过半导体发光器件来实现。在本发明中，作为将电流转换为光的半导体发光器件的一种，例示了发光器件。作为发光器件的一例，可以是发光二极管(Light Emitting Diode：LED)。由于这种发光二极管形成为小尺寸，因此即使在所述第二状态下，也可以起到单位像素的作用。
参照以下附图，对如上所述的利用发光二极管来实现的柔性显示器进行详细说明。
图2是图1的A部分的局部放大图。
图3a和图3b是沿图2的线B-B和线C-C切开的剖视图。
如图2、图3a以及图3b所示，作为利用半导体发光器件的显示装置100，例示了利用无源矩阵(Passive Matrix，PM)方式的半导体发光器件的显示装置100。但是，以下说明的示例也可以适用于有源矩阵(Active Matrix，AM)方式的半导体发光器件。
如图2所示，显示装置100包括基板110、第一电极120、导电性粘合层130、第二电极140以及至少一个半导体发光器件150。
基板110可以是柔性基板。例如，为了实现柔性(flexible)显示装置，基板110可以包含玻璃或聚酰亚胺(PI，Polyimide)。除此之外，还可以使用任何具有绝缘性、柔性的材料，例如PEN(Polyethylene Naphthalate：聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET(PolyethyleneTerephthalate：聚对苯二甲酸乙二醇酯)等。另外，基板110可以是透明的材料或不透明的材料中的任一种。
基板110可以是配置有第一电极120的布线基板，因此第一电极120可以位于基板110上。
如图3a所示，绝缘层160可以配置在设置有第一电极120的基板110上，辅助电极170可以位于该绝缘层160。在此情况下，绝缘层160层叠在基板110的状态可以成为一个布线基板。更具体而言，绝缘层160可以作为具有绝缘性、柔性的材料，如聚酰亚胺(PI，Polyimide)、PET、PEN等，通过与基板110形成为一体来形成一个基板。
辅助电极170作为将第一电极120与半导体发光器件150电连接的电极，位于绝缘层160上，与第一电极120的位置对应地配置。例如，辅助电极170为圆点(dot)形状，可以通过贯通绝缘层160的电极孔171与第一电极120电连接。电极孔171可以通过在通路孔填充导电物质来形成。
如图2或图3a所示，虽然绝缘层160的一面形成有导电性粘合层130，但是本发明并不限定于此。例如，可以是在绝缘层160和导电性粘合层130之间形成执行特定功能的层，或者是在没有绝缘层160的情况下，导电性粘合层130配置在基板110上的结构。在导电性粘合层130配置在基板110上的结构中，导电性粘合层130可以起到绝缘层的作用。
导电性粘合层130可以是具有粘合性和导电性的层，为此，在导电性粘合层130中，可以混合具有导电性的物质和具有粘合性的物质。另外，由于导电性粘合层130具有延展性，因此能够在显示装置实现柔性功能。
作为这样的例，导电性粘合层130可以是各向异性导电膜(anistropy conductivefilm，ACF)、各向异性导电浆(paste)、含有导电粒子的溶液(solution)等。导电性粘合层130可以构成为，在贯通厚度的Z方向允许相互电连接，而在水平的X-Y方向具有电绝缘性的层。因此，导电性粘合层130可以命名为Z轴导电层(但是，以下称作“导电性粘合层”)。
各向异性导电膜是各向异性导电介质(anisotropic conductive medium)混合在绝缘性基础构件中的形态的膜，如果施加热和/或压力，则仅特定部分因各向异性导电介质而具有导电性。以下，虽然以在各向异性导电膜上施加热和/或压力的状态进行说明，但是为了使各向异性导电膜的局部具有导电性，也可以适用其他方法。例如，上述的其他方法可以是，仅施加热和压力中任一种或UV固化等。
另外，例如，各向异性导电介质可以是导电球或导电粒子。例如，各向异性导电膜作为导电球混合在绝缘性基础构件中的形态的膜，如果施加热和压力，则仅特定部分因导电球而具有导电性。各向异性导电膜可以成为含有复数个粒子的状态，所述粒子是导电性物质的芯被聚合物材质的绝缘膜包覆而成的，在此情况下，随着被施加热和/或压力的部分的绝缘膜破坏，由于芯而具有导电性。此时，芯的形态发生变形，可以构成在膜的厚度方向上相互接触的层。作为更具体的例子，对各向异性导电膜整体施加热和压力，由于通过各向异性导电膜来粘合的相对物的高度差而局部形成Z轴向的电连接。
作为另一例，各向异性导电膜可以成为含有复数个粒子的状态，所述粒子是绝缘芯被导电性物质包覆而成的。在此情况下，被施加热和压力的部分的导电性物质发生变形(按压粘连)，沿膜的厚度方向具有导电性。作为另一例，也可以是通过导电性物质沿Z轴向贯通绝缘性基础构件而沿膜的厚度方向具有导电性的形态。在此情况下，导电性物质可以具有尖尖的端部。
各向异性导电膜可以是以导电球插入绝缘性基础构件的一面的形态构成的固定排列各向异性导电膜(fixed array ACF)。更具体而言，绝缘性基础构件由具有粘合性的物质形成，导电球集中配置于绝缘性基础构件的底部，如果在基础构件中施加热或压力，则随着与导电球一起变形，在垂直方向具有导电性。
但是，本发明并不限定于此，各向异性导电膜可以是在绝缘性基础构件中随机混合导电球的形态，或者构成为复数个层并且某一层配置导电球的形态(double-ACF)等。
各向异性导电浆作为浆和导电球的结合形态，可以是在绝缘性和粘合性的基础物质中混合导电球的浆。另外，含有导电粒子的溶液可以是含有导电性微粒或纳米粒子的形态的溶液。
再次参照图3a，第二电极140以与辅助电极170隔开的状态位于绝缘层160。即，导电性粘合层130配置在辅助电极170和第二电极140所处的绝缘层160上。
在辅助电极170和第二电极140位于绝缘层160的状态下，形成导电性粘合层130后，如果通过施加热和压力，使半导体发光器件150以倒装芯片的形态来接触，则半导体发光器件150与第一电极120和第二电极140电连接。
图4是示出图3的倒装芯片型半导体发光器件的概念图。
参照图4，半导体发光器件可以是倒装芯片型(flip chip type)的发光器件。
例如，半导体发光器件包括：p型电极156、供p型电极156形成的p型半导体层155、在p型半导体层155上形成的活性层154、在活性层154上形成的n型半导体层153以及在n型半导体层153上与p型电极156沿水平方向隔开配置的n型电极152。在此情况下，p型电极156可以通过图3a和图3b所示的辅助电极170与导电性粘合层130电连接，n型电极152可以与第二电极140电连接。
再次参照图2、图3a以及图3b，辅助电极170沿一个方向长长地形成，从而一个辅助电极可以与复数个半导体发光器件150电连接。例如，以辅助电极为中心的左右的半导体发光器件的p型电极可以与一个辅助电极电连接。
更具体而言，由于热和压力，半导体发光器件150压入到导电性粘合层130的内部，由此，仅使半导体发光器件150的p型电极156与辅助电极170之间的部分，和半导体发光器件150的n型电极152与第二电极140之间的部分具有导电性，而在其他部分，由于没有压入半导体发光器件，因此不具有导电性。与此相同，导电性粘合层130不仅使半导体发光器件150与辅助电极170之间和半导体发光器件150与第二电极140之间相互结合，还形成了电连接。
另外，复数个半导体发光器件150构成发光器件阵列(array)，在发光器件阵列上形成有荧光体层180。
发光器件阵列可以包括复数个自身亮度值不同的半导体发光器件。每个半导体发光器件150构成单位像素，与第一电极120电连接。例如，第一电极120可以是复数个，例如复数个半导体发光器件可以配置为复数个列，各列的半导体发光器件可以与复数个第一电极中任一个电连接。
另外，由于复数个半导体发光器件以倒装芯片形态来连接，可以利用在透明电介质基板上生长的复数个半导体发光器件。另外，复数个半导体发光器件例如可以是氮化物半导体发光器件。由于半导体发光器件150具有优异的亮度，所以即使是小尺寸也可以构成单个单位像素。
如图3a和图3b所示，半导体发光器件150之间可以设置有分隔壁190。在此情况下，分隔壁190可以起到将单个单位像素相互分离的作用，可以与导电性粘合层130形成为一体。例如，可以通过半导体发光器件150插入到各向异性导电膜，各向异性导电膜的基础构件形成分隔壁。
另外，如果各向异性导电膜的基础构件是黑色，则即使没有额外的黑色绝缘体，分隔壁190也可以具有反射特性的同时，增加对比度(contrast)。
作为另一例，作为分隔壁190可以额外地设置反射性分隔壁。在此情况下，根据显示装置的目的，分隔壁190可以包括黑色(Black)或白色(White)绝缘体。在利用白色绝缘体的分隔壁的情况下，可以具有提高反射性的效果，在利用黑色绝缘体的分隔壁的情况下，可以具有反射特性的同时增加对比度(contrast)。
荧光体层180可以位于半导体发光器件150的外表面。例如，半导体发光器件150为发出蓝色B光的蓝色半导体发光器件，荧光体层180执行将所述蓝色B光转换为单位像素的色相的功能。荧光体层180可以是构成单个像素的红色荧光体181或绿色荧光体182。
即，在构成红色的单位像素的位置，可以在蓝色半导体发光器件上层叠能够将蓝色光转换为红色R光的红色荧光体181，在构成绿色的单位像素的位置，可以在蓝色半导体发光器件上层叠能够蓝色光转换为绿色G光的绿色荧光体182。另外，在构成蓝色的单位像素的部分上，可以仅单独利用蓝色半导体发光器件。在此情况下，红色R、绿色G以及蓝色B的单位像素可以构成一个像素。更具体而言，可以沿第一电极120的各个线层叠一个色相的荧光体。因此，在第一电极120中，一个线可以是控制一个色相的电极。即，沿第二电极140，可以依次配置红色R、绿色G以及蓝色B，以此可以实现单位像素。
但是，本发明并不限定于此，替代荧光体可以通过组合半导体发光器件150和量子点(QD)来实现红色R、绿色G以及蓝色B的单位像素。
另外，为了提高对比度(contrast)，各个荧光体层之间可以配置有黑色矩阵191。即，这种黑色矩阵191可以提高明暗的对比。
但是，本发明并不限定于此，也可以使用用于实现蓝色、红色、绿色的其他结构。
图5a至图5c是示出与倒装芯片型半导体发光器件相关的实现颜色的多种形态的概念图。
参照图5a，各个半导体发光器件150可以通过以氮化镓(GaN)为主材料一同添加铟(In)和/或铝(Al)，来实现发出包括蓝色在内的各种各样的光的高输出的发光器件。
在此情况下，为了构成单位像素(sub-pixel)，半导体发光器件150分别可以是红色R、绿色G以及蓝色B半导体发光器件。例如，红色R、绿色G和蓝色B半导体发光器件交替配置，基于红色、绿色和蓝色半导体发光器件的红色(Red)、绿色(Green)和蓝色(Blue)的单位像素形成一个像素(pixel)，由此可以实现全彩色显示器。
参照图5b，半导体发光器件150a可以设置有每个器件均具有黄色荧光体层的白色发光器件W。在此情况下，为了构成单位像素，可以在白色发光器件W上设置有红色荧光体层181、绿色荧光体层182和蓝色荧光体层183。另外，在这样的白色发光器件W上，可以利用重复红色、绿色以及蓝色的彩色滤光片来构成单位像素。
参照图5c，半导体发光器件150b也可以是在紫外线发光器件UV上设置有红色荧光体层184、绿色荧光体层185和蓝色荧光体层186的结构。如上所述，半导体发光器件可以在从可视光线到紫外线UV的全域中使用，从而可以扩展为能够将紫外线UV作为上部荧光体的激发源(excitation source)来使用的半导体发光器件的形态。
再次参照本示例，半导体发光器件位于导电性粘合层上，从而在显示装置中构成单位像素。由于半导体发光器件具有优异的亮度，所以即使是小尺寸也可以构成单个单位像素。
例如，此类的单个半导体发光器件150、150a、150b的尺寸可以是一边长度为80μm以下，可以是矩形或正四边形器件。如果是矩形，可以是20×80μm以下的尺寸。
另外，即使将单边长度为10μm的正四边形的半导体发光器件150、150a、150b用作单位像素，也能显示出用于构成显示装置的充分的亮度。
因此，以单位像素的尺寸为一边是600μm、剩余的一边是300μm的矩形像素的情况为例，半导体发光器件150、150a、150b的间距相对地足够大。
因此，在这样的情况下，能够实现具有HD画质以上的高画质的柔性显示装置。
上述说明的利用半导体发光器件的显示装置可以通过新型的制造方法来制造。以下，参照图6，对制造方法进行说明。
图6是示出本发明的利用半导体发光器件的显示装置的制造方法的一例的剖视图。
如图6所示，首先，在辅助电极170和第二电极140所处的绝缘层160上形成导电性粘合层130。通过在第一基板110上层叠绝缘层160来形成一个基板(或布线基板)，在布线基板上配置有第一电极120、辅助电极170以及第二电极140。在此情况下，第一电极120和第二电极140可以沿相互正交的方向配置。另外，为了实现柔性(flexible)显示装置，第一基板110和绝缘层160可以分别包含玻璃或聚酰亚胺(PI)。
例如，导电性粘合层130可以由各向异性导电膜来实现，为此，可以在绝缘层160所处的基板上涂布各向异性导电膜。
然后，与辅助电极170和第二电极140的位置对应且构成单个像素的复数个半导体发光器件150所处的第二基板112配置成半导体发光器件150面向辅助电极170和第二电极140。
在此情况下，第二基板112作为使半导体发光器件150生长的生长基板，可以是蓝宝石(spire)基板或硅(silicon)基板。
在半导体发光器件形成为晶片(wafer)单位时，使其具有能够形成显示装置的间隔和尺寸，由此能够有效地利用在显示装置。
然后，对布线基板和第二基板112进行热压接合。例如，可以通过使用ACF压头对布线基板和第二基板112进行热压接合。通过热压接合，布线基板和第二基板112被接合(bonding)。通过热压接合，因具有导电性的各向异性导电膜的特性，仅半导体发光器件150与辅助电极170之间和半导体发光器件150与第二电极140之间部分具有导电性，由此，电极和半导体发光器件150可以电连接。此时，半导体发光器件150插入到各向异性导电膜的内部，由此在半导体发光器件150之间形成分隔壁。
然后，去除第二基板112。例如，可以利用激光剥离法(Laser Lift-off，LLO)或化学剥离法(Chemical Lift-off，CLO)去除第二基板112。
最后，通过去除所述第二基板112使半导体发光器件150暴露在外。根据需要，可以在结合有半导体发光器件150的布线基板上涂布氧化硅(SiOx)等，来形成透明绝缘层(未图示)。
另外，还可以包括在半导体发光器件150的一面形成荧光体层的步骤。例如，半导体发光器件150为发出蓝色B光的蓝色半导体发光器件，用于将这种蓝色B光转换为单位像素的色相的红色荧光体或绿色荧光体可以在蓝色半导体发光器件的一面形成层。
上述说明的利用半导体发光器件的显示装置的制造方法或结构可以改变为各种方式。例如，在上述说明的显示装置中，也可以适用垂直型半导体发光器件。
另外，在以下说明的变形例或实施例中，对与前述的实施例相同或相似的构成赋予了相同或相似的附图标记，对于相同或者相似的构成的说明沿用前述说明。
图7是示出本发明的利用半导体发光器件的显示装置的另一实施例的立体图，图8是沿图7的线D-D切开的剖视图，图9是示出图8的垂直型半导体发光器件的概念图。
参照本附图，显示装置可以是利用无源矩阵(Passive Matrix，PM)方式的垂直型半导体发光器件的显示装置。
这样的显示装置包括基板210、第一电极220、导电性粘合层230、第二电极240以及至少一个半导体发光器件250。
基板210作为配置有第一电极220的布线基板，为了实现柔性(flexible)显示装置可以包含聚酰亚胺(PI)。除此之外，可以使用任一种具有绝缘性和柔性的材质。
第一电极220位于基板210上，可以形成为沿一个方向长的棒(bar)形的电极。第一电极220可以构成为起到数据电极的作用。
导电性粘合层230形成在第一电极220所处的基板210上。与使用倒装芯片型(flipchip type)的发光器件的显示装置相同，导电性粘合层230可以是各向异性导电膜(Anisotropy Conductive Film，ACF)、各向异性导电浆(paste)、含有导电粒子的溶液(solution)等。但是，在本实施例中，也例示了由各向异性导电膜实现导电性粘合层230的情况。
在第一电极220位于基板210上的状态下，设置各向异性导电膜后，通过施加热和压力使半导体发光器件250连接，半导体发光器件250与第一电极220电连接。此时，半导体发光器件250优选配置成位于第一电极220上。
如上所述，产生这种电连接是因为，如果对各向异性导电膜施加热和压力，则在厚度方向上局部具有导电性。因此，各向异性导电膜在厚度方向上划分为具有导电性的部分和不具有导电性的部分。
另外，由于各向异性导电膜含有粘合成分，因此导电性粘合层230不仅实现了半导体发光器件250与第一电极220之间的电连接，还实现了机械性结合。
如上所述，半导体发光器件250位于导电性粘合层230上，从而在显示装置中构成单个像素。由于半导体发光器件250的亮度优异，因此即使是小尺寸也可以构成单个单位像素。例如，这种单个半导体发光器件250的尺寸可以是一边的长度为80μm以下，可以是矩形或正四边形器件。在矩形的情况下，例如，可以是20×80μm以下的尺寸。
这种半导体发光元件250可以构成垂直型结构。
垂直型半导体发光器件之间设置有复数个第二电极240，其在与第一电极220的长度方向交叉的方向上配置，并且与垂直型半导体发光器件250电连接。
参照图9，这样的垂直型半导体发光器件包括：p型电极256、形成在p型电极256上的p型半导体层255、形成在p型半导体层255上的活性层254、形成在活性层254上的n型半导体层253以及形成在n型半导体层253上的n型电极252。在此情况下，位于下部的p型电极256可以通过导电性粘合层230与第一电极220电连接，位于上部的n型电极252可以与后述的第二电极240电连接。这样的垂直型半导体发光器件250可以将电极配置在上/下，因此具有缩小芯片尺寸的大优点。
再次参照图8，在半导体发光器件250的一面可以形成有荧光体层280。例如，半导体发光器件250是发出蓝色B光的蓝色半导体发光器件251，可以设置有用于将这样的蓝色B光转换为单位像素的色相的荧光体层280。在此情况下，荧光体层280可以是构成单个像素的红色荧光体281和绿色荧光体282。
即，在构成红色的单位像素的位置，可以在蓝色半导体发光器件上层叠有能够将蓝色光转换为红色R光的红色荧光体281，在构成绿色的单位像素的位置，可以在蓝色半导体发光器件上层叠有能够将蓝色光转换为绿色G光的绿色荧光体282。另外，在构成蓝色的单位像素的部分，可以单独利用蓝色半导体发光器件。在此情况下，红色R、绿色G以及蓝色B的单位像素可以形成一个像素。
但是，本发明并不限定于此，如上所述，在使用倒装芯片型(flip chip type)的发光器件的显示装置中，可以使用用于实现蓝色、红色、绿色的其他结构。
再参照本实施例，第二电极240位于半导体发光器件250之间，与半导体发光器件250电连接。例如，半导体发光器件250可以配置为复数个列，第二电极240位于半导体发光器件250的列之间。
由于构成单个像素的半导体发光器件250之间的距离足够大，因此第二电极240可以位于半导体发光器件250之间。
第二电极240可以形成为沿一个方向长的长棒(bar)形的电极，可以在与第一电极相互垂直的方向上配置。
另外，第二电极240和半导体发光器件250可以通过从第二电极240凸出的连接电极来电连接。更具体而言，连接电极可以是半导体发光器件250的n型电极。例如，n型电极形成为用于欧姆(ohmic)接触的欧姆电极，第二电极240通过印刷或蒸镀来覆盖欧姆电极的至少一部分。由此，第二电极240和半导体发光器件250的n型电极可以电连接。
再次参照图8，第二电极240可以位于导电性粘合层230上。根据情况，在形成有半导体发光器件250的基板210上可以形成包含氧化硅(SiOx)等的透明绝缘层(未图示)。在形成透明绝缘层后要设置第二电极240的情况下，第二电极240可以位于透明绝缘层上。另外，第二电极240也可以与导电性粘合层230或透明绝缘层隔开而形成。
如果为了将第二电极240设置在半导体发光器件250上而使用ITO(Indium TinOxide)之类的透明电极，则存在ITO物质与n型半导体层的粘合性不良的问题。因此，在本发明中，将第二电极240设置在半导体发光器件250之间，从而具有可以不使用ITO之类的透明电极的好处。因此，不受选择透明的材料的限制，能够将与n型半导体层具有良好的粘合性的导电性物质作为水平电极来使用，从而提高光取出效率。
再次参照图8，分隔壁290可以位于半导体发光器件250之间。即，为了隔开构成单个像素的半导体发光器件250，垂直型半导体发光器件250之间可以配置有分隔壁290。在此情况下，分隔壁290可以起到使单个单位像素相互分隔的作用，可以与导电性粘合层230形成为一体。例如，可以通过半导体发光器件250插入到各向异性导电膜，各向异性导电膜的基础构件形成为分隔壁290。
另外，如果各向异性导电膜的基础构件为黑色，则即使没有额外的黑色绝缘体，所述分隔壁290也可以在具有反射特性的同时，增加对比度(contrast)。
作为另一例，作为分隔壁290，可以设置有额外的反射性分隔壁。根据显示装置的目的，分隔壁290可以包括黑色(Black)或白色(White)绝缘体。
如果，在第二电极240恰好位于半导体发光器件250之间的导电性粘合层230上的情况下，分隔壁290可以位于垂直型半导体发光器件250和第二电极240之间。因此，可以利用半导体发光器件250以小的尺寸构成单个单位像素，由于半导体发光器件250的间距相对地足够宽，从而可以将第二电极240位于半导体发光器件250之间，具有能够实现具有HD画质的柔性显示装置的效果。
另外，如图8所示，为了提高对比度(contrast)，各个荧光体之间可以配置有黑色矩阵291。即，这种黑色矩阵291可以提高明暗的对比。
在上述说明的本发明的利用半导体发光器件的显示装置中，半导体发光器件以倒装芯片型配置在布线基板上，从而用作单个像素。
图10是示出本发明一实施例的利用半导体发光器件的显示装置的俯视图。图11是示出本发明一实施例的利用半导体发光器件的显示装置的应力分离线的概略俯视图。
参照图10和图11，显示装置300可以包括像素区域301和该像素区域周边的焊盘区域。这样的像素区域301和焊盘区域可以设定在基板310上。
作为一例，图10和图11中所示的显示装置300可以是整个显示装置的一部分。例如，图10和图11中所示的显示装置300可以是复数个模块结合而构成整个显示装置的显示装置的一个模块。
在像素区域301内可以设置有复数个单位像素区域。在位于这样的像素区域301的周边的焊盘区域可以设置有焊盘410、驱动芯片400以及连接布线420，焊盘410位于像素区域301的边框侧，连接布线420连接焊盘410与驱动芯片400。
基板310可以具有由长边和短边来被定义的矩形形状。参照图10，长边H可以是高度方向，短边W可以是宽度方向。此时，驱动芯片400可以沿长边H方向设置为与像素区域301的边框侧隔开预设定的距离。即，驱动芯片400可以沿长边H方向平行设置。
驱动芯片400的长度可以小于像素区域301的长度(长边；H)。因此，连接焊盘410和驱动芯片400的连接布线420可以设置成相对于短边W倾斜。
在这样的基板310上可以设置有在像素区域301内定义复数个单位像素区域的分隔壁层360(参照图13和图14)。即，分隔壁层360可以定义复数个单位像素区域(组装孔；形成在组装半导体发光器件的位置上)，这样的单位像素区域可以位于像素区域301内。
单位像素区域(组装孔)可以隔开设定的间隔设置在像素区域301(参照图13和图14)。因此，位于像素区域301内的复数个单位像素区域可以在基板310上沿长边H方向形成复数个线。另外，这样的复数个单位像素区域也可以沿短边W方向构成复数个线。此时，沿各个线形成的复数个单位像素区域可以设置成隔开设定的间隔。
在这样的分隔壁层360上可以形成有位于单位像素区域之间的应力分离线390。这样的应力分离线390可以位于每一个像素与像素之间。另外，也可以在复数个线的像素线以设定的间隔隔开设置。例如，在每个两个像素线设置有一个应力分离线390。但是本发明并不局限于此。如上所述，应力分离线390可以沿横穿像素线的方向形成。下面，参照附图，对这样的应力分离线390与像素之间的关系进行说明。
以下，对应力分离线390进行详细说明。
如上所述，基板310具有由长边H和短边W来定义的矩形形状，应力分离线390可以沿相对于短边方向W平行的方向形成。
另外，应力分离线390可以相对于短边方向W连续形成。即，应力分离线390可以横穿基板310整个宽度W而形成。
应力分离线390可以相对于短边方向W平行的方向形成复数个。参照图10和图11，示出了应力分离线390以横穿基板的中心线C为中心，在上侧形成两个，在下侧形成两个的实施例。
这样的复数个的应力分离线390可以相对于横穿基板310的中心的线(中心线；C)对称形成。参照图10和图11，可以知晓以横穿基板的中心线C为中心，在上侧形成有两个，在下侧形成有两个的应力分离线390可以相对于中心线C彼此对称。
另外，这样的复数个的应力分离线390可以形成为相对于横穿基板310的中心的中心线C隔开设定的间隔。作为一例，以横穿基板的中心线C为中心，在上侧形成有两个，在下侧形成有两个的应力分离线390中的上侧的两个应力分离线390和下侧的两个应力分离线390可以形成为隔开设定的间隔。
参照图10和图11，应力分离线390可以包括在焊盘区域中相对于短边方向W倾斜的补偿线392。
焊盘区域可以包括第一区域c和第二区域a，在第一区域c设置有与像素区域301和驱动芯片400连接的连接布线420，第二区域a位于驱动芯片400外侧。在图11中，像素区域301相对于短边W方向标记为“b”。
上述的补偿线392可以位于设置有连接布线420的第一区域c。
这样的补偿线392的倾斜度可以设定为补偿线392相对于从基板310的中心出发的放射方向交叉。
作为一例，补偿线392的倾斜度可以设定为与从基板310的中心出发的放射方向垂直。
因此，包括这样的补偿线392的应力分离线390能够有效地阻断当分隔壁层360的热固化时或冷却时可能产生的应力。
应力分离线390可以包括位于像素区域301的第一线391。另外，应力分离线390可以包括与补偿线392连接并沿相对于短边W方向的平行方向形成的延伸线393。
如上所述的应力分离线390可以使分隔壁层360与基板310的热膨胀系数差异导致的应力的传递分离。参照附图，下面对此进行详细说明。
图12是示出本发明一实施例的利用半导体发光器件的显示装置的应力分离线的一例的概略俯视图。图13是示出本发明一实施例的利用半导体发光器件的显示装置的应力分离线的另一例的概略俯视图。
如上所述，在分隔壁层360上可以形成有位于单位像素区域之间的应力分离线390。这样的应力分离线390可以设置在每一个像素与像素之间。
参照图12，被一对的第一电极320定义的单位像素区域可以以设定的间隔隔开设置，在这些单位像素区域之间可以形成有应力分离线390。
这样的应力分离线390可以位于相邻的单位像素区域的中央。即，应力分离线390可以设置在相邻的一对第一电极320的中心部。
参照图12，应力分离线390可以形成为分隔壁层360被切开的形态。换言之，应力分离线390可以形成为位于分隔壁层360上并使分隔壁层360彼此完全分离的槽的形态。
当分隔壁层360形成在基板310上时，在因分隔壁层360与基板310的热膨胀系数的差异而产生的应力的作用下，形成基板310与分隔壁层360的结构可能会发生弯曲，或形成于单位像素区域的组装孔的位置可能会变更。
但是，设置在由这样的一对的第一电极320来定义的单位像素区域之间的应力分离线390能够防止在因这样的分隔壁层360与基板310的热膨胀系数的差异而产生的应力的作用下发生的现象。作为一例，应力分离线390能够防止基板310和分隔壁层360形成的结构发生弯曲，或形成于单位像素区域的组装孔的位置发生变更。
此时，应力分离线390所包括的补偿线392实际上能够有效地阻断朝从基板310的中心出发的放射方向作用的应力。
如上所述，包括这样的补偿线392的应力分离线390能够有效地阻断在分隔壁层360的热固化时或冷却时可能会产生的应力。
参照图13，应力分离线390可以形成为分隔壁层360被部分切开的形态。换言之，应力分离线390可以形成为位于分隔壁层360上并使分隔壁层360彼此局部分离的槽的形态。即，应力分离线390可以是以分隔壁层360的厚度中的一部分厚度形成槽的形态。
虽然在图12和图13中示出了每一个相邻单位像素区域之间设置有应力分离线390的实施例，但本发明并不局限于这样的实施例。即，应力分离线390可以隔开设定的间隔形成在相邻单位像素区域之间。
图14是示出本发明一实施例的利用半导体发光器件的显示装置的单位像素区域的剖视图。
参照图14，在单位像素区域可以设置有第一电极320，在这样的第一电极320可以安装有半导体发光器件350，所述半导体发光器件350以电连接的方式设置有第一型电极(作为一例，n-型电极)。这样的第一电极320也可以形成为与组装电极340构成一对。第一电极320与组装电极340中的至少一个可以被被覆层330覆盖。
在这样的半导体发光器件350和分隔壁层360上可以设置有涂布层370，在涂布层370上可以设置有与半导体发光器件350的第二型电极(作为一例，p-型电极)电连接的第二电极380。
另一方面，在上面，虽然对应力分离线390形成于分隔壁层360的例进行了说明，只要设置于基板310上，且具有彼此不同的热膨胀系数的任一层都可以形成有应力分离线390。即，例如，应力分离线390可以形成在形成于基板310上的被覆层330、分隔壁层360、涂布层370中的至少一个层。
图15是示出在能够应用本发明的显示装置中施加的应力的概略俯视图。图16是示出在能够应用本发明的显示装置中应力的产生及其导致的现象的概略剖视图。
参照图15，显示装置可以根据位置朝箭头表示的方向产生应力(stress)。如上所述，这样的应力可以因分隔壁层与基板的热膨胀系数的差异而产生。作为一例，在基板上形成分隔壁层时，发生热膨胀，然后当冷却时，该热膨胀收缩并在基板与分隔壁层之间产生应力。作为另一例，由有机膜来形成分隔壁层后，在热固化的过程中，可能会产生应力。
通常，与由玻璃等制成的基板310相比，分隔壁层360的热膨胀更大，从而在基板310与分隔壁层360之间可能会产生应力。这样的应力的方向在单个模块中具有与如粗箭头所示的方向相同的方向，整体而言，具有朝显示装置的中心的如细箭头所示的方向。
参照图16中的(A)，在基板31上形成有电极32和分隔壁层36的状态设置在夹具或下部盖50上，在这种状态下，可以在供发光器件安装的位置通过狭缝40并利用曝光工艺来形成安装空间(图案)。
然后，参照图16中的(B)，可以构成分隔壁层36的固化工序。这样的固化工序通常可以包括热固化或紫外线固化工序。由于如上所述的过程工序是高温工序，因此分隔壁层36可能会膨胀。由此，在供发光器件安装的位置上形成的安装空间(图案)可能会移动。
因此，可能会发生根据显示装置的位置表示形成在分隔壁层36的安装位置的图案(组装孔图案)与实际由电极32来定义的单位像素区域相悖的现象。即，可能会发生由电极32来定义的单位像素区域与形成在分隔壁层36的像素区域的图案的不一致。
如上所述，在显示装置的面板工序中，在形成用于安装发光器件(芯片转移)的金属布线电极后，形成分隔壁层时，因基板弯曲而可能在外廓位置发生布线(第一电极)与组装孔的图形化误差。
随着从显示装置的中央区域向外廓越来越远，这样的图形化误差的程度可能会增加。即，从基板的中心朝放射方向的误差的程度可能会变大。换言之，从基板的中心朝放射方向的应力的作用可能会变大。
图17是示出在能够应用本发明的显示装置中根据固化工序的图案的移动方向的概略俯视图。图18是示出图17中的各个部分中产生的根据图案的移动的现象的照片。
显示装置可以区分为复数个区域(组，Group)。这样的复数个区域也可以相当于如上所述的模块型显示器的一个模块。
图17示出了总共划分为25个区域的显示装置。此时，在位于中央的组13区域①的位置中，图案的位置可能不会变更。即，由电极32来定义的单位像素区域和形成于分隔壁层36的像素区域的图案的不一致可能不会发生。
但是，从该中央侧越远离，图案移动的程度可能会变大。例如，在显示装置上的组1较近的②的位置、与组5较近的③的位置、与组21较近的④的位置以及与组25较近的⑤的位置中，图案移动的程度可能会加重。
图18示出了发生这样的图案的移动的照片。图18中的(A)示出了②的位置中的照片，(B)示出了①的位置中的照片，(C)示出了③的位置在的照片，(D)示出了④的位置中的照片，以及(E)示出了⑤的位置中的照片。
参照图18，可以知晓，在作为①的位置中的照片的(B)中，图案与单位像素区域一致。但是，可以知晓在(A)、(C)、(D)以及(E)中，图案与单位像素区域彼此并不一致。这样的不一致现象可以是因如上所述的根据固化工序的分隔壁层36的图案移动现象而导致的现象。即，可以是因基板31与分隔壁层36的热膨胀系数的差异而产生的现象。
对于这样的图案与单位像素区域的不一致，在显示装置的制造工序中通过所构成的各种对准工序可能会利用各种掩膜(Mask)，由此，图案不一致的程度可能会更加重。即，可能会累积各个工序的对准(alignment)公差导致的误差。因此，在制造显示装置时，防止这样的图案移动现象是有利的。
图19是示出能够应用于本发明一实施例的作为分隔壁层的材料的有机膜的热膨胀系数变化的曲线图。
以分隔壁层360为首的显示装置300的涂布层可以利用有机膜来形成。这样的有机膜首先在基板310上形成后，经过图案工序后，可以通过热或紫外线来固化。
参照图19，示出了根据有机膜的温度的膨胀的程度。另外，可以知晓，有机膜的热膨胀系数(CTE)会在被玻璃化(glass transition)的温度(玻璃化转变温度；(Tg))发生变化。
即，可以知晓，如果加热有机膜，则在玻璃化转变温度(Tg)以上，有机膜如玻璃膜一样被固化。此时，在玻璃化转变温度(Tg)中的热膨胀系数会发生变化。
因此，在利用有机膜来形成分隔壁层360后，在单位像素区域的供发光器件安装的位置上形成图案。然后，经过热固化过程，随着热膨胀系数发生变化，产生应力，并如上所述的图案可能会移动。
但是，如上所述的应力分离线390能够阻断这样的热膨胀系数的变化或因与基板310的热膨胀系数的差异导致的应力。因此，在安装发光器件的位置上形成的图案可以不在热固化过程或冷却过程中移动而形成在准确的位置上。
图20是示出一实施例的利用半导体发光器件的显示装置的分隔壁层形成过程的概略剖视图。
首先，参照图20中的(A)，可以在基板310利用有机膜来形成分隔壁层360。
然后，参照图20中的(B)，可以在形成于基板310的分隔壁层360形成应力分离线390。
此时，虽然并未另外图示，但在分隔壁层360可以形成用于安装发光器件的图案。这样的图案和应力分离线390也可以同时形成。在此过程中，基板310和分隔壁层360可以整体上被弯曲。
然后，参照图20中的(C)，使分隔壁层360固化后，可以使基板310和分隔壁层360恢复成平坦的状态。在此过程中，在应力分离线390的作用下，能够在固化分隔壁层360的过程中分离或分散应力。因此，能够使应力不会作用在用于安装发光器件的图案的位置。
另外，如上所述，面板工序时产生的应力的方向在单个模块中具有与如粗箭头所示的方向相同的方向，整体而言，具有朝显示装置的中心的如细箭头所示的方向。
因此，实际上，包括补偿线392的应力分离线390能够有效地阻断从基板310的中心朝放射方向作用的应力。
如上所述，包括这样的补偿线392的应力分离线390能够有效地阻断分隔壁层360的热固化时或冷却时可能会产生的应力。
图21是示出一实施例的利用半导体发光器件的显示装置的实际实现例的概略图。图22是示出图21中的(1)区域的照片。图23是示出图21中的(5)区域的照片。图24是示出图21中的(9)区域的照片。
参照图21，像素区域显示为1号至9号。除此之外的区域示出了上述的焊盘区域的至少一部分。
这样的显示装置的实现例示出了显示装置的像素区域划分为九个区域的情况。这样的九个区域也可以由九个单位模块构成。
虽然并未在图21中示出，但在图22至图24中示出了上述的形成应力分离线390的情况的各个区域的状态。
参照图22至图24，可以知晓，与上述的图18的情况不同地，包括①区域、⑤区域以及⑨区域的所有区域中，各个单位像素区域并未偏向一侧而形成在准确的位置上。
如上所述，位于显示装置的单位像素区域(组装孔)之间的应力分离线390能够防止在因这样的分隔壁层360与基板310的热膨胀系数的差异而产生应力的作用下发生的现象。
作为一例，应力分离线390能够防止基板310和分隔壁层360形成的结构发生弯曲或形成于单位像素区域的组装孔的位置发生变更。
此时，应力分离线390所包括的补偿线392可以实际上有效地阻断朝从基板310的中心出发的放射方向作用的应力。
如上所述，包括这样的补偿线392的应力分离线390能够有效地阻断在分隔壁层360的热固化时或冷却时可能会产生的应力。
以上说明只是为了例示说明本发明的技术思想，本发明所属领域的普通技术人员可以在不脱离本发明的本质性的特性的范围内进行各种修改和变形。
因此，本发明公开的实施例并非旨在限制本发明的技术思想，而是用于解释该技术思想，并且本发明的技术思想的范围不受这些实施例的限制。
本发明的保护范围应由所附的权利要求书来解释，并且与之等同的范围内的所有技术思想都应被解释为包括在本发明的权利范围内。
工业实用性
根据本发明，可以提供利用如微型LED的半导体发光器件的显示装置及其制造方法。

Claims (20)

1.一种利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，包括：
基板，包括像素区域和位于所述像素区域周边的焊盘区域；
分隔壁层，位于所述基板上，在所述像素区域内定义复数个单位像素区域；
应力分离线，位于所述分隔壁层上的所述单位像素区域之间；
第一电极，位于所述单位像素区域；
半导体发光器件，在所述单位像素区域内设置成使第一型电极与所述第一电极电连接；
涂布层，形成在所述半导体发光器件和分隔壁层上；以及
第二电极，在所述涂布层上与所述半导体发光器件的第二型电极电连接。
2.根据权利要求1所述的利用发光器件的显示装置，其特征在于，
所述基板具有由长边和短边来定义的矩形形状，所述应力分离线沿相对于所述短边方向平行的方向形成。
3.根据权利要求2所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
所述应力分离线在所述短边方向上连续形成。
4.根据权利要求2所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
所述应力分离线沿相对于所述短边方向平行的方向形成有复数个。
5.根据权利要求4所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
复数个的所述应力分离线相对于横穿所述基板的中心的线对称形成。
6.根据权利要求4所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
复数个的所述应力分离线相对于横穿所述基板的中心的线以设定的间隔隔开形成。
7.根据权利要求2所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
所述应力分离线包括补偿线，所述补偿线在所述焊盘区域中相对于所述短边方向倾斜。
8.根据权利要求1所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
所述焊盘区域包括第一区域和第二区域，连接所述像素区域与驱动芯片的连接布线位于所述第一区域，所述第二区域位于所述驱动芯片外侧。
9.根据权利要求8所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
所述应力分离线包括补偿线，所述补偿线在所述第一区域中相对于所述短边方向倾斜。
10.根据权利要求9所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
所述应力分离线包括延伸线，所述延伸线与所述补偿线连接并沿相对于所述短边方向平行的方向形成。
11.根据权利要求1所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
所述应力分离线使因所述分隔壁层与所述基板的热膨胀系数差异而产生的应力和在所述分隔壁层热固化时产生的应力中的至少一个的传递分离。
12.一种利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，包括：
基板，具有由长边和短边来定义的矩形形状，包括像素区域和位于所述像素区域周边的焊盘区域；
分隔壁层，位于所述基板上，在所述像素区域内定义复数个单位像素区域；
应力分离线，位于所述分隔壁层上的所述单位像素区域之间；以及
半导体发光器件，设置在所述单位像素区域内；
所述应力分离线在所述像素区域和所述焊盘区域中具有彼此不同的倾斜度。
13.根据权利要求12所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
所述应力分离线在所述短边方向上连续形成。
14.根据权利要求12所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
所述应力分离线沿相对于所述短边方向平行的方向形成有复数个。
15.根据权利要求14所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
复数个的所述应力分离线相对于横穿所述基板的中心的线对称形成。
16.根据权利要求14所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
复数个的所述应力分离线相对于横穿所述基板的中心的线以设定的间隔隔开形成。
17.根据权利要求12所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
所述焊盘区域包括第一区域和第二区域，连接所述像素区域与驱动芯片的连接布线位于所述第一区域，所述第二区域位于所述驱动芯片外侧。
18.根据权利要求17所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
所述应力分离线包括补偿线，所述补偿线在所述第一区域中相对于所述短边方向倾斜。
19.根据权利要求18所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
所述应力分离线包括延伸线，所述延伸线与所述补偿线连接并沿相对于所述短边方向平行的方向形成。
20.根据权利要求12所述的利用半导体发光器件的显示装置，其特征在于，
所述应力分离线使因所述分隔壁层与所述基板的热膨胀系数差异而产生的应力和在所述分隔壁层热固化时产生的应力中的至少一个的传递分离。
CN202180102368.7A 2021-09-14 2021-09-14 利用半导体发光器件的显示装置及其制造方法 Pending CN117957660A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/KR2021/012459 WO2023042924A1 (ko) 2021-09-14 2021-09-14 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117957660A true CN117957660A (zh) 2024-04-30

Family

ID=85603000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180102368.7A Pending CN117957660A (zh) 2021-09-14 2021-09-14 利用半导体发光器件的显示装置及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20240058074A (zh)
CN (1) CN117957660A (zh)
WO (1) WO2023042924A1 (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101788317B1 (ko) * 2010-10-28 2017-11-15 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치 제조방법
JP2013109907A (ja) * 2011-11-18 2013-06-06 Sharp Corp 蛍光体基板および表示装置
US11251399B2 (en) * 2018-10-10 2022-02-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, display apparatus, method of fabricating display substrate
KR20200026770A (ko) * 2019-11-25 2020-03-11 엘지전자 주식회사 마이크로 엘이디를 이용한 디스플레이 장치
KR102446338B1 (ko) * 2020-02-28 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치 및 가요성 표시 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023042924A1 (ko) 2023-03-23
KR20240058074A (ko) 2024-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9206967B2 (en) Display device using semiconductor light emitting device
US10720086B2 (en) Display device using semiconductor light-emitting diode
KR20190097946A (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
CN107210292B (zh) 使用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
KR102206782B1 (ko) 디스플레이 장치
KR102205693B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20200002733A (ko) 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20190117413A (ko) 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR102347927B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR102115189B1 (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20190092330A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20200105843A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 및 디스플레이 장치
KR20200026677A (ko) 마이크로 엘이디를 이용한 디스플레이 장치
CN112655091B (zh) 使用半导体发光元件的显示装置及其制造方法
KR102193700B1 (ko) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20200019501A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR20160092398A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
US20230017298A1 (en) Display apparatus using semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
KR20180135335A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
CN117957660A (zh) 利用半导体发光器件的显示装置及其制造方法
KR20230002650A (ko) 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20230002836A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20200026773A (ko) 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
US20230290918A1 (en) Display device
US20230275181A1 (en) Transfer substrate used for manufacturing display device, display device, and method for manufacturing display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination