CN117954555A - 微显示单元和显示装置 - Google Patents

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CN117954555A CN202410338765.XA CN202410338765A CN117954555A CN 117954555 A CN117954555 A CN 117954555A CN 202410338765 A CN202410338765 A CN 202410338765A CN 117954555 A CN117954555 A CN 117954555A
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谢海忠
孔玮
李军帅
杨军
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West Lake Yanshan Technology Hangzhou Co ltd
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West Lake Yanshan Technology Hangzhou Co ltd
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Abstract

本发明实施例公开了一种微显示单元和显示装置,微显示单元包括:隔离结构和至少两个发光单元,隔离结构包括本体部和开设于本体部的至少两个隔离开口;发光单元位于隔离开口内;发光单元包括发光结构,发光结构用于发出设定颜色光;至少一个发光单元还包括色转换层。通过发光结构结合色转换层的结构,使得微显示单元中各发光单元的亮度一致性和波长一致性高。色转换层覆盖发光结构的顶面和/或侧面,使得色转换层在发光结构的顶面和侧面进行充分的颜色转换,可以提高发光单元的发光效率。微显示单元还包括光反射层,光反射层设置于本体部的侧面和/或发光单元与基板之间,进一步提高发光单元的发光效率。

Description

微显示单元和显示装置
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种微显示单元和显示装置。
背景技术
微型LED在显示装置中应用广泛。
现有技术中,通常会在红光外延层上形成红色发光单元,在绿光外延层上形成绿色发光单元,在蓝光外延层上形成蓝光发光单元。然后通过调节红绿蓝三种基色的强度,合成各种颜色和灰度。然而,由于不同外延层上形成的不同颜色发光单元导致波长一致性或均匀性较差。为解决上述问题,现有技术中采用蓝光芯片加红色量子点产生红光、蓝色芯片加绿色量子点产生绿光的形式,最后组成RGB三色发光单元。
然而,通过量子点进行颜色转换的结构,会带来发光效率低的问题。
发明内容
本发明提供一种微显示单元和显示装置,以实现在保证亮度和波长一致性的基础上,提高微显示单元和显示装置的发光效率。
第一方面,本发明实施例提供了一种微显示单元,包括:
基板;
隔离结构,位于基板的一侧;隔离结构包括本体部和开设于本体部的隔离开口;
至少两个发光单元,发光单元位于隔离开口内;发光单元包括发光结构,发光结构用于发出设定颜色光;至少一个发光单元还包括色转换层,色转换层覆盖发光结构的顶面和/或侧面,色转换层用于将设定颜色光转换为其他颜色光;
光反射层,光反射层设置于本体部的侧面和/或发光单元与基板之间。
可选的,相邻发光单元之间的本体部的顶面面积小于底面面积;隔离开口的顶面开口面积大于底面开口面积。
可选的,微显示单元还包括光处理层,光处理层位于色转换层远离基板的一侧;光处理层用于反射设定颜色光,并透射色转换层转换得到的其他颜色光。
可选的,光处理层与色转换层之间存在间隙。
可选的,光处理层靠近色转换层的表面包括二氧化钛层。
可选的,微显示单元还包括透明盖板,透明盖板位于光处理层远离基板的一侧,光处理层设置于透明盖板上。
可选的,微显示单元还包括第一透明层和第二透明层,第一透明层和第二透明层位于色转换层和光处理层之间,第一透明层位于色转换层和第二透明层之间,第一透明层和第二透明层贴合。
可选的,第一透明层和第二透明层的材料相同。
可选的,第一透明层和第二透明层的材料的折射率在色转换层的折射率与光处理层的折射率之间。
可选的,本体部的顶面满足以下条件中的至少一个:
本体部的顶面与色转换层的顶面齐平;
本体部的顶面高于色转换层的顶面;
本体部的顶面与光处理层的顶面齐平;
本体部的顶面高于光处理层的顶面。
可选的,不同发光颜色的发光单元对应的光处理层的厚度之差小于或等于预设阈值。
可选的,微显示单元包括第一发光单元和第二发光单元,第一发光单元包括第一色转换层,第二发光单元包括第二色转换层,设定颜色光为蓝光;第一色转换层用于将蓝光转换为红光,第二色转换层用于将蓝光转换为绿光;
光处理层包括位于第一发光单元远离基板一侧的第一光处理层以及位于第二发光单元远离基板一侧的第二光处理层;第一光处理层的厚度大于第二光处理层的厚度。
可选的,微显示单元还包括第三发光单元,第三发光单元包括填充透光层,填充透光层位于隔离开口内,并覆盖第三发光单元中发光结构的顶面和侧面。
可选的,发光结构包括在基板上层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层,发光单元还包括第一电极和第二电极,第一电极与第一半导体层电连接,第二电极与第二半导体层电连接,第一电极和第二电极位于发光结构靠近基板的一侧,不同发光单元的第一电极相互电连接,第二电极相互独立,或者不同发光单元的第一电极相互独立,第二电极相互电连接。
可选的,微显示单元还包括第一电极焊盘和第二电极焊盘,第一电极焊盘和第二电极焊盘位于基板远离发光结构的一侧;第一电极焊盘与第一电极一一对应电连接,第二电极焊盘与各发光单元的第二电极电连接;
或者,第二电极焊盘与第二电极一一对应电连接,第一电极焊盘与各发光单元的第一电极电连接。
可选的,本体部的材料为非透光材料;和/或,每个隔离开口内设置一个发光单元。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括第一方面的微显示单元。
本发明实施例的微显示单元和显示装置,包括:隔离结构和至少两个发光单元,隔离结构包括本体部和开设于本体部的至少两个隔离开口;发光单元位于隔离开口内;发光单元包括发光结构,发光结构用于发出设定颜色光;至少一个发光单元还包括色转换层,色转换层用于将设定颜色光转换为其他颜色光。通过发光结构结合色转换层的结构,可以使得微显示单元中的各发光结构均发出同种颜色光,然后至少部分发光单元通过色转换层进行光线颜色转换即可使得发光单元发出不同于设定颜色光的其他颜色光,使得微显示单元中各发光单元的亮度一致性和波长一致性高。色转换层覆盖发光结构的顶面和/或侧面,使得色转换层在发光结构的顶面和侧面进行充分的颜色转换,进而可以提高发光单元的发光效率。微显示单元还包括光反射层,光反射层设置于本体部的侧面和/或发光单元与基板之间,可以使得发光结构的底面所射出的光线和/或到达发光单元与基板之间的光线可以被反射到色转换层进行颜色转换,进一步提高发光单元的发光效率。并且,通过在隔离结构的本体部侧面设置光反射层,可以使得一个发光单元所发出的光线难以达到另一发光单元所在位置,减少不同发光单元之间的光串扰。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种微显示单元的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的另一种微显示单元的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的另一种微显示单元的结构示意图;
图4是本发明实施例提供的另一种微显示单元的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的另一种微显示单元的结构示意图;
图6是本发明实施例提供的另一种微显示单元的结构示意图;
图7是本发明实施例提供的微显示单元的俯视图;
图8是光处理层对于蓝光的反射率和对于红光的透射率的曲线图;
图9是光处理层位于蓝光的反射率和对于红光的透射率的曲线图;
图10是本发明实施例提供的微显示单元的仰视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
图1是本发明实施例提供的一种微显示单元的结构示意图,参考图1,该微显示单元包括:基板110;隔离结构,位于基板110的一侧;隔离结构包括本体部121和开设于本体部121的至少两个隔离开口122;至少两个发光单元130,发光单元130位于隔离开口122内;发光单元130包括发光结构13,发光结构13用于发出设定颜色光;至少一个发光单元130还包括色转换层134,色转换层134覆盖发光结构13的顶面和/或侧面,色转换层134用于将设定颜色光转换为其他颜色光;光反射层140,光反射层140设置于本体部121的侧面和/或发光单元130与基板110之间。
其中,基板110可以是柔性基板,也可以是硬质基板,本实施例在此不做具体限定。隔离结构位于基板110的一侧,隔离结构的材料可包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。隔离结构包括本体部121和开设于本体部121的至少两个隔离开口122,在本发明部分可选实施例中,本体部121围绕隔离开口122。其中,相邻发光单元130之间,本体部121的截面可以是图1所示的矩形,此种情况下,相邻发光单元130之间的本体部121的顶面面积等于本体部121的底面面积,相应的,在相邻发光单元130之间,本体部121的形状可以是长方体或者圆柱状。其中本体部121的顶面1211为本体部121远离基板110的表面,本体部121的底面1212为本体部121靠近基板110的表面。在本发明其他可选实施例中,本体部121可以具有其他形状。
本实施例中,微显示单元还包括至少两个发光单元130,发光单元130位于隔离开口122内,在本发明部分可选实施例中,每个隔离开口122内设置一个发光单元130。在本发明其他可选实施例中,每个隔离开口122内可以设置至少两个发光单元130,本实施例在此不做具体限定。其中,发光单元130包括发光结构13,发光结构13可以发出设定颜色光。可选的,发光结构13包括在基板110上层叠设置的第一半导体层131、发光层132和第二半导体层133。其中,第一半导体层131为N型半导体层,第二半导体层133为P型半导体层;或者第一半导体层131为P型半导体层,第二半导体层133为N型半导体层。N型半导体层可以包括n-GaN,P型半导体层可以包括p-GaN。发光层132可以是量子阱层,可选为多量子阱层,例如为InGaN/GaN的多量子阱层。
可选的,本实施例中,发光结构13所发出的设定颜色光为单色光,例如为红光、绿光和蓝光中的一种。至少一个发光单元130还包括色转换层134,色转换层134覆盖发光结构13的顶面和/或侧面,使得发光结构13的顶面和/或侧面所射出的光线可以到达色转换层134,使得色转换层134在发光结构13的顶面和/或侧面进行充分的颜色转换,进而可以提高发光单元130的发光效率。并且,通过发光结构13结合色转换层134的结构,可以使得微显示单元中的各发光结构13可以均发出同种颜色光,然后至少部分发光单元130通过色转换层134进行光线颜色转换即可使得发光单元130发出不同于设定颜色光的其他颜色光,使得微显示单元中各发光单元130的亮度一致性和波长一致性高。
其中,发光结构13的顶面为发光结构13远离基板110的表面,发光结构13的底面为发光结构13靠基板110的表面,发光结构13的侧面为连接发光结构13的顶面和底面的表面。可选的,色转换层134的材料可以是量子点材料,发光结构13发出的光线到达色转换层134后,可以激发量子点发光,进行颜色转换。因蓝光LED芯片的技术成熟,在本发明部分可选实施例中,发光结构13发出的设定颜色光为蓝光,并设置至少一个发光单元130包括将蓝光转换为红光的色转换层134(例如红光量子点)和/或至少一个发光单元130包括将蓝光转换为绿光的色转换层134(例如绿光量子点),使得各发光单元130的发光结构13可以具有较好的亮度和波长一致性。
本实施例中,微显示单元还包括光反射层140,光反射层140位于隔离结构中本体部121的侧面和/或发光单元130和基板110之间。其中,本体部121的侧面设置光反射层140,可以使得射入到光反射层140的侧面的光线可以被反射到色转换层134进行颜色转换。发光单元130和基板110之间设置光反射层140,可以使得发光结构13的底面所射出的光线或者射入到发光单元130和基板110之间的光反射层140的光线可以被反射到色转换层134进行颜色转换,进一步提高发光单元130的发光效率。发光单元130和基板110之间设置光反射层140的情况下,光反射层140可以是平铺于基板110上的整层结构。并且,通过在隔离结构的本体部121侧面设置光反射层140,可以使得发光单元130所发出的光线到达本体部121的侧面后会被反射到发光单元130所在隔离开口122内或者发光单元130所在隔离开口122在微显示单元厚度方向上所对应的位置,进而一个发光单元130所发出的光线难以达到另一发光单元130所在位置,减少不同发光单元130之间的光串扰。可选的,光反射层140可以是金属层或分布式布拉格反射层,金属层可以是具有高反射率的金属如Al、Ag或Au形成,分布式布拉格反射层又称分布式布拉格反射镜(Distributed Bragg Reflector,DBR),是由两种折射率不同的材料交替层叠排列组成的周期结构。可选地,在水平方向x上(垂直于微显示单元的厚度方向y上)发光结构13的底面与光反射层140之间的距离大于0,使得射入到发光单元130和基板110之间的光反射层140的光线可以被反射到色转换层134。
本实施例的微显示单元,包括:隔离结构和至少两个发光单元,隔离结构包括本体部和开设于本体部的至少两个隔离开口;发光单元位于隔离开口内;发光单元包括发光结构,发光结构用于发出设定颜色光;至少一个发光单元还包括色转换层,色转换层用于将设定颜色光转换为其他颜色光。通过发光结构结合色转换层的结构,可以使得微显示单元中的各发光结构均发出同种颜色光,然后至少部分发光单元通过色转换层进行光线颜色转换即可使得发光单元发出不同于设定颜色光的其他颜色光,使得微显示单元中各发光单元的亮度一致性和波长一致性高。色转换层覆盖发光结构的顶面和/或侧面,使得色转换层在发光结构的顶面和/或侧面进行充分的颜色转换,进而可以提高发光单元的发光效率。微显示单元还包括光反射层,光反射层设置于本体部的侧面和/或发光单元与基板之间,可以使得发光结构的底面所射出的光线和/或到达发光单元与基板之间的光线可以被反射到色转换层进行颜色转换,进一步提高发光单元的发光效率。并且,通过在隔离结构的本体部侧面设置光反射层,可以使得一个发光单元所发出的光线难以达到另一发光单元所在位置,减少不同发光单元之间的光串扰。
在上述技术方案的基础上,可选的,本体部121的材料为非透光材料,例如本体部121的材料为黑胶,例如黑色环氧树脂,可以使得隔离结构可以良好地隔离不同发光单元130,进一步防止光串扰。
图2是本发明实施例提供的另一种微显示单元的结构示意图,参考图2,在本发明部分可选实施例中,相邻发光单元130之间的本体部121的顶面面积小于底面面积;隔离开口122的顶面开口面积大于底面开口面积。其中隔离开口122的顶面开口为远离基板110一侧的开口,隔离开口122的底面开口为靠近基板110一侧的开口。如此设置,可以使得相邻发光单元130之间,本体部121为上窄下宽的结构,隔离开口122为上宽下窄的结构,也即本体部121的截面形状为梯形,隔离开口122的截面为倒梯形,本体部121的侧面为倾斜的表面,使得发光单元130的光更多地被提取出来,使得发光单元130的出光效果更佳。其中本体部121的顶面和底面可以是圆形,也可以是多边形。
图3是本发明实施例提供的另一种微显示单元的结构示意图,参考图3,可选的,微显示单元还包括光处理层150,光处理层150位于色转换层134远离基板110的一侧;光处理层150用于反射设定颜色光,并透射色转换层134转换得到的其他颜色光。
可选的,光处理层150可以包括DBR。通过设置微显示单元包括光处理层150,可以使得经过色转换层134出射的光线中所混杂的设定颜色光可以被光处理层150反射到微显示单元的内部,而不会从微显示单元出射,并且光处理层150可以允许色转换层134转换得到的其他颜色光透过,进而可以提升发光单元130所发出光线的颜色纯度。示例性的,发光结构13所发出的光线为蓝光,色转换层134为红光量子点,发光结构13发出的蓝光激发红色量子点使得色转换层134出射红光,但是色转换层134出射的光线也有可能会混杂蓝光。通过设置光处理层150,将混杂的蓝光反射到微显示单元的内部,并且光处理层150可以透射红光,使得发光单元130的出射的红光纯度提高。对于色转换层134为绿光量子点的情况同理,在此不再赘述。
继续参考图3,在上述技术方案的基础上,可选的,光处理层150与色转换层134之间存在间隙160。
具体的,发光结构13发光时会产生热量,热量传导至色转换层134会影响色转换层134的材料性能,降低色转换效率。例如色转换层134包括量子点材料时,发光结构13发光所产生的热量会影响量子点性能,降低发光效率。本实施例中,通过设置光处理层150与色转换层134之间存在间隙160,也即在色转换层134的上表面与光处理层150的下表面之间设置一间隙160,使得到达色转换层134的热量可以至少部分散发到间隙160中,使得色转换层134的温度降低,有利于改善色转换层134的材料性能(例如量子点的性能),提高发光效率。
可选的,光处理层150可以是二氧化硅层和二氧化钛层的多层交替结构。在本发明部分可选实施例中,光处理层150靠近色转换层134的表面包括二氧化钛层。也即,二氧化钛层朝向间隙160设置,有利于发光单元130的散热,进而改善色转换层134的材料性能。另外,设置光处理层150靠近色转换层134的表面包括二氧化钛层,可以更好地隔绝水氧,保护色转换层134的材料。
继续参考图1-图3,可选的,微显示单元还包括透明盖板170,透明盖板170位于光处理层150远离基板110的一侧,光处理层150设置于透明盖板170上。
如上所述的,色转换层134通常采用量子点,量子点在高温下会发生猝灭,影响发光效率。本实施例中,在形成微显示单元的过程中,可以将光处理层150先镀在透明盖板170(其中透明盖板170的材料可以是二氧化硅、环氧树脂等耐高温材料)上,再将该镀有光处理层150透明盖板170转移至色转换层134的上方,使得色转换层134不会承受高温,保证色转换层134的材料性能,进而保证发光单元130的发光效率。
图4是本发明实施例提供的另一种微显示单元的结构示意图,参考图4,可选的,微显示单元还包括第一透明层180和第二透明层190,第一透明层180和第二透明层190位于色转换层134和光处理层150之间,第一透明层180位于色转换层134和第二透明层190之间,第一透明层180和第二透明层190贴合。
具体的,在微显示单元的形成过程中,可以将光处理层150远离透明盖板170的表面形成第一透明层180,并在发光单元130的色转换层134远离基板110的一侧形成第二透明层190,通过第一透明层180和第二透明层190的贴合,将透明盖板170、光处理层150固定。在一种可选实施方式中,第一透明层180和第二透明层190本身为粘性材料,使得第一透明层180和第二透明层190二者自身可以贴合。在另一种可选实施方式中,第一透明层180和第二透明层190的贴合可以是通过键合的方式。
其中,第一透明层180和第二透明层190的材料可以是二氧化硅、环氧树脂等,在本发明部分可选实施例中,第一透明层180和第二透明层190的材料相同,使得第一透明层180和第二透明层190更易于贴合,并使得第一透明层180和第二透明层190的贴合紧密,使得微显示单元隔绝水氧的能力更强,且牢固性更佳,提升产品的可靠性。
在上述实施例的基础上,可选的,第一透明层180和第二透明层190的材料的折射率在色转换层134的折射率与光处理层150的折射率之间。可选的,第一透明层180和第二透明层190的材料的折射率大于色转换层134的折射率,光处理层150的折射率大于第一透明层180和第二透明层190的材料的折射率。如此设置,使得光线从发光单元130的出射路径中,介质的折射率向相同的方向渐变,使得发光单元130所发出的光线可以被更多地提取出来。其中,第一透明层180和第二透明层190的折射率可以相等,第一透明层180的折射率还可以大于第二透明层190的折射率。
在本发明另外的可选实施例中,在光处理层150与色转换层134之间存在间隙160的情况下,第一透明层180和第二透明层190的材料的折射率在间隙中空气的折射率与光处理层150的折射率之间,使得发光单元130所发出的光线可以被更多地提取出来。
继续参考图3和图4,在上述各实施例的基础上,在本发明一可选实施方式中,本体部121的顶面与色转换层134的顶面齐平;如此设置,可以使得隔离结构可以将各发光单元130较好地隔离开,减少不同发光单元130的光串扰。
图5是本发明实施例提供的另一种微显示单元的结构示意图,参考图5,可选的,本体部121的顶面高于色转换层134的顶面;如此设置,可以使得隔离结构的本体部121可以进一步阻挡发光单元130射向其他发光单元130的光线,进一步减小不同发光单元130之间的光串扰。继续参考图5,在本发明一种可选实施例方式中,本体部121的顶面与光处理层150的顶面齐平。
图6是本发明实施例提供的另一种微显示单元的结构示意图,参考图6,可选的,本体部121的顶面高于光处理层150的顶面。如此设置,可以使得发光单元130上的光处理层150的光线也可至少部分被本体部121阻挡而难以到达其他发光单元130所对应的区域,进一步防止光串扰。
在上述技术方案的基础上,可选的,不同发光颜色的发光单元130对应的光处理层150的厚度之差小于或等于预设阈值。
其中,发光单元130对应的光处理层150为,在基板110上的垂直投影覆盖发光单元130的垂直投影的光处理层150。可选的,不同发光单元130的发光结构13的厚度相同,不同发光单元130的色转换层134的厚度相同。相应的,在不同发光颜色发光单元130对应的光处理层150的厚度之差小于或等于预设阈值时,可以使得相邻的发光单元130的光处理层150的顶面基本位于同一水平面,在保证光处理层150的反射率(对设定颜色光的反射率)和透射率(对色转换层134进行颜色转换后所得到的其他颜色光的透射率)较佳的基础上,使得相邻发光单元130位置处透明盖板170的顶面或者底面基本位于同一水平面,在不同发光单元130的发光结构13的厚度相同,不同发光单元130的色转换层134的厚度相同时,第一透明层180、第二透明层190顶面或者底面基本也位于同一水平面,有利于统一并简化制备工艺,发光效果更为均匀。可选的,预设阈值小于或等于30nm。
继续参考图1-图6,可选的,微显示单元包括第一发光单元1301和第二发光单元1302,第一发光单元1301包括第一色转换层1341,第二发光单元1302包括第二色转换层1342,设定颜色光为蓝光;第一色转换层1341用于将蓝光转换为红光,第二色转换层1342用于将蓝光转换为绿光。可选的,微显示单元还包括第三发光单元1303,第三发光单元1303包括填充透光层210,填充透光层210位于隔离开口122内,并覆盖第三发光单元1303中发光结构13的顶面和侧面。其中,填充透光层210的材料可以是透明环氧树脂,第三发光单元1303中,发光单元130发出的蓝光通过填充透光层210后光线颜色不发生改变,仍为蓝色。图7是本发明实施例提供的微显示单元的俯视图。微显示单元的第一发光单元1301、第二发光单元1302和第三发光单元1303形成RGB三色显示单元。
可选的,光处理层150包括位于第一发光单元1301远离基板110一侧的第一光处理层151以及位于第二发光单元1302远离基板110一侧的第二光处理层152;第一光处理层151的厚度大于第二光处理层152的厚度。如此,第一光处理层151对红光的透射率与第二光处理层152对绿光的透射率接近。可选的,第一光处理层151的厚度为583.3纳米,第二光处理层152的厚度为556.5纳米。
图8是光处理层对于蓝光的反射率和对于红光的透射率的仿真曲线图,图9是光处理层位于蓝光的反射率和对于绿光的透射率的仿真曲线图。其中,图8可以对应第一光处理层151的厚度为583.3纳米的仿真结构,图9可以对应第二光处理层152的厚度为556.5纳米的仿真结果。第一光处理层151可以是红光DBR,红光DBR的作用是反射蓝光,透射红光。第二光处理层152可以是绿光DBR,绿光DBR的作用是反射蓝光,透射绿光。参考图8,根据蓝光反射率曲线1,在蓝光的波长在480nm以内时,蓝光反射率大于90%,;根据红光透射率曲线2,在红光的波长在580-620nm时,红光透射率≥90%。参考图9,蓝光反射率曲线3,在蓝光的波长在500nm以内时,蓝光反射率大于90%;根据绿光透射率曲线4,在绿光的波长在540-570nm时,绿光透射率≥90%。表1是第一光处理层151的膜层结构和膜层厚度的结构参数表;表2是第二光处理层152的膜层结构和膜层厚度的结构参数表。
表1
表2
继续参考图4-图6,如上所述的,发光结构13包括在基板110上层叠设置的第一半导体层131、发光层132和第二半导体层133。可选的,发光单元130还包括第一电极220和第二电极230,第一电极220与第一半导体层131电连接,第二电极230与第二半导体层133电连接,第一电极220和第二电极230位于发光结构13靠近基板110的一侧,不同发光单元130的第一电极220相互电连接,第二电极230相互独立,或者不同发光单元130的第一电极220相互独立,第二电极230相互电连接。
其中,图1-图6示意性示出了第一半导体层131为P型半导体层,第二半导体层133为N型半导体层的情况,并示意性示出的第一电极220相互电连接,第二电极230相互独立的情况。微发光单元130还可以包括P型半导体层靠近基板110一侧的欧姆接触层135(参见图4-图6),欧姆接触层135的材料可以是铟锡氧化物(ITO)。
继续参考图4-图6,微显示单元还包括第一电极焊盘240和第二电极焊盘250,第一电极焊盘240和第二电极焊盘250位于基板110远离发光结构13的一侧;第一电极焊盘240与第一电极220一一对应电连接,第二电极焊盘250与各发光单元130的第二电极230电连接;或者,第二电极焊盘250与第二电极230一一对应电连接,第一电极焊盘240与各发光单元130的第一电极220电连接。微显示单元形成倒装结构,第一电极220和第二电极230垂直向下分别通过穿过极板170的过孔与对应的电极焊盘电连接,可以增大发光单元的发光面积,进一步提高发光效率。
图10是本发明实施例提供的微显示单元的仰视图,结合图6-图10,其中第一电极焊盘240可以分别连接第一发光单元1301的第一电极、第二发光单元1302的第一电极和第三发光单元1303的第一电极。第二电极焊盘一251可以与第一发光单元1301的第二电极电连接,第二电极焊盘二252可以与第二发光单元1302的第二电极电连接,第二电极焊盘三253可以与第三发光单元1303的第二电极电连接。
本发明实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括本发明上述任意实施例的微显示单元,具备本发明上述任意实施例的微显示单元的有益效果,在此不再赘述。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (17)

1.一种微显示单元,其特征在于,包括:
基板;
隔离结构,位于所述基板的一侧;所述隔离结构包括本体部和开设于所述本体部的隔离开口;
至少两个发光单元,所述发光单元位于所述隔离开口内;所述发光单元包括发光结构,所述发光结构用于发出设定颜色光;至少一个所述发光单元还包括色转换层,所述色转换层覆盖所述发光结构的顶面和/或侧面,所述色转换层用于将所述设定颜色光转换为其他颜色光;
光反射层,所述光反射层设置于所述本体部的侧面和/或所述发光单元与所述基板之间。
2.根据权利要求1所述的微显示单元,其特征在于,相邻所述发光单元之间的所述本体部的顶面面积小于底面面积;所述隔离开口的顶面开口面积大于底面开口面积。
3.根据权利要求1所述的微显示单元,其特征在于,还包括光处理层,所述光处理层位于所述色转换层远离所述基板的一侧;所述光处理层用于反射所述设定颜色光,并透射色转换层转换得到的其他颜色光。
4.根据权利要求3所述的微显示单元,其特征在于,所述光处理层与所述色转换层之间存在间隙。
5.根据权利要求4所述的微显示单元,其特征在于,所述光处理层靠近所述色转换层的表面包括二氧化钛层。
6.根据权利要求3所述的微显示单元,其特征在于,还包括透明盖板,所述透明盖板位于所述光处理层远离所述基板的一侧,所述光处理层设置于所述透明盖板上。
7.根据权利要求6所述的微显示单元,其特征在于,还包括第一透明层和第二透明层,所述第一透明层和所述第二透明层位于所述色转换层和所述光处理层之间,所述第一透明层位于所述色转换层和所述第二透明层之间,所述第一透明层和所述第二透明层贴合。
8.根据权利要求7所述的微显示单元,其特征在于,所述第一透明层和所述第二透明层的材料相同。
9.根据权利要求7所述的微显示单元,其特征在于,所述第一透明层和所述第二透明层的材料的折射率在所述色转换层的折射率与所述光处理层的折射率之间。
10.根据权利要求3所述的微显示单元,其特征在于,所述本体部的顶面满足以下条件中的至少一个:
所述本体部的顶面与所述色转换层的顶面齐平;
所述本体部的顶面高于所述色转换层的顶面;
所述本体部的顶面与所述光处理层的顶面齐平;
所述本体部的顶面高于所述光处理层的顶面。
11.根据权利要求3所述的微显示单元,其特征在于,不同发光颜色的所述发光单元对应的所述光处理层的厚度之差小于或等于预设阈值。
12.根据权利要求11所述的微显示单元,其特征在于,包括第一发光单元和第二发光单元,所述第一发光单元包括第一色转换层,所述第二发光单元包括第二色转换层,所述设定颜色光为蓝光;所述第一色转换层用于将蓝光转换为红光,所述第二色转换层用于将蓝光转换为绿光;
所述光处理层包括位于所述第一发光单元远离所述基板一侧的第一光处理层以及位于所述第二发光单元远离所述基板一侧的第二光处理层;所述第一光处理层的厚度大于所述第二光处理层的厚度。
13.根据权利要求12所述的微显示单元,其特征在于,还包括第三发光单元,所述第三发光单元包括填充透光层,所述填充透光层位于所述隔离开口内,并覆盖所述第三发光单元中所述发光结构的顶面和侧面。
14.根据权利要求1所述的微显示单元,其特征在于,所述发光结构包括在所述基板上层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层,所述发光单元还包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第一半导体层电连接,所述第二电极与所述第二半导体层电连接,所述第一电极和所述第二电极位于所述发光结构靠近所述基板的一侧,不同所述发光单元的所述第一电极相互电连接,所述第二电极相互独立,或者不同所述发光单元的所述第一电极相互独立,所述第二电极相互电连接。
15.根据权利要求14所述的微显示单元,其特征在于,还包括第一电极焊盘和第二电极焊盘,所述第一电极焊盘和所述第二电极焊盘位于所述基板远离所述发光结构的一侧;所述第一电极焊盘与所述第一电极一一对应电连接,所述第二电极焊盘与各所述发光单元的第二电极电连接;
或者,所述第二电极焊盘与所述第二电极一一对应电连接,所述第一电极焊盘与各所述发光单元的第一电极电连接。
16.根据权利要求1所述的微显示单元,其特征在于,所述本体部的材料为非透光材料;和/或,每个所述隔离开口内设置一个所述发光单元。
17.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-16任一项所述的微显示单元。
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Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070159043A1 (en) * 2006-01-11 2007-07-12 Seiko Epson Corporation Emissive device and electronic apparatus
CN101933145A (zh) * 2008-01-31 2010-12-29 欧司朗光电半导体有限公司 光电子模块和带有光电子模块的投影装置
CN104737311A (zh) * 2012-09-26 2015-06-24 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发光半导体器件
KR20170064164A (ko) * 2015-11-30 2017-06-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
KR20190068413A (ko) * 2017-12-08 2019-06-18 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
CN114762122A (zh) * 2019-12-20 2022-07-15 乐金显示有限公司 Led显示装置
CN217280834U (zh) * 2022-05-09 2022-08-23 海信视像科技股份有限公司 一种显示装置
CN115483327A (zh) * 2022-11-09 2022-12-16 镭昱光电科技(苏州)有限公司 Micro LED微显示芯片及其制造方法
CN115706106A (zh) * 2021-08-03 2023-02-17 三星电子株式会社 显示设备
US20230134241A1 (en) * 2020-07-03 2023-05-04 Shenzhen Sitan Technology Co., Ltd. Display module manufacturing method and display screen
WO2023108633A1 (zh) * 2021-12-17 2023-06-22 厦门市芯颖显示科技有限公司 显示面板和显示面板的制作方法
CN116364740A (zh) * 2021-12-28 2023-06-30 厦门市芯颖显示科技有限公司 一种显示装置及其制作方法
WO2023122982A1 (zh) * 2021-12-28 2023-07-06 厦门市芯颖显示科技有限公司 一种显示装置及其制作方法
US20230240098A1 (en) * 2022-01-27 2023-07-27 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
CN117716521A (zh) * 2021-07-29 2024-03-15 松下知识产权经营株式会社 发光装置及电子设备

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101000922A (zh) * 2006-01-11 2007-07-18 精工爱普生株式会社 发光装置和电子机器
US20070159043A1 (en) * 2006-01-11 2007-07-12 Seiko Epson Corporation Emissive device and electronic apparatus
CN101933145A (zh) * 2008-01-31 2010-12-29 欧司朗光电半导体有限公司 光电子模块和带有光电子模块的投影装置
CN104737311A (zh) * 2012-09-26 2015-06-24 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发光半导体器件
KR20170064164A (ko) * 2015-11-30 2017-06-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
KR20190068413A (ko) * 2017-12-08 2019-06-18 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
CN114762122A (zh) * 2019-12-20 2022-07-15 乐金显示有限公司 Led显示装置
US20230134241A1 (en) * 2020-07-03 2023-05-04 Shenzhen Sitan Technology Co., Ltd. Display module manufacturing method and display screen
CN117716521A (zh) * 2021-07-29 2024-03-15 松下知识产权经营株式会社 发光装置及电子设备
CN115706106A (zh) * 2021-08-03 2023-02-17 三星电子株式会社 显示设备
WO2023108633A1 (zh) * 2021-12-17 2023-06-22 厦门市芯颖显示科技有限公司 显示面板和显示面板的制作方法
CN116364740A (zh) * 2021-12-28 2023-06-30 厦门市芯颖显示科技有限公司 一种显示装置及其制作方法
WO2023122982A1 (zh) * 2021-12-28 2023-07-06 厦门市芯颖显示科技有限公司 一种显示装置及其制作方法
US20230240098A1 (en) * 2022-01-27 2023-07-27 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
CN116507156A (zh) * 2022-01-27 2023-07-28 三星显示有限公司 显示设备
CN217280834U (zh) * 2022-05-09 2022-08-23 海信视像科技股份有限公司 一种显示装置
CN115483327A (zh) * 2022-11-09 2022-12-16 镭昱光电科技(苏州)有限公司 Micro LED微显示芯片及其制造方法

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