CN116507156A - 显示设备 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示设备，所述显示设备包括：第一基底，包括显示区域和在显示区域周围的非显示区域；堤，设置在第一基底的显示区域上并且包括第一开口、第二开口、第三开口、第一虚设开口和第二虚设开口；第一量子点层，位于第一开口中；虚设层，位于第一虚设开口中；以及像素电极，位于第一基底与堤之间，其中，第一虚设开口不与像素电极叠置。
Description
本申请基于并要求于2022年1月27日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0012587号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示设备，更具体地，涉及一种具有在制造工艺中发生缺陷的低的可能性的显示设备。
背景技术
显示设备包括多个像素。对于全色显示设备，多个像素可以发射具有不同的颜色的光。为此目的，显示设备的至少一些像素具有颜色转换部。因此，从一些像素的发光部产生的具有第一颜色的光在穿过对应的颜色转换部的同时转换为具有第二颜色的光并发射到外部。
发明内容
然而，根据现有技术的显示设备具有在制造工艺中发生缺陷的高的可能性。
为了解决包括上面的问题的各种问题，一个或更多个实施例包括具有在制造工艺中发生缺陷的低的可能性的显示设备。然而，这样的技术目标是示例，并且公开不限于此。
另外的方面将部分地在以下的描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实践公开的所呈现的实施例而获知。
根据一个或更多个实施例，一种显示设备包括：第一基底，包括显示区域和在显示区域周围的非显示区域；堤，设置在第一基底的显示区域上并且包括第一开口、第二开口、第三开口、第一虚设开口和第二虚设开口；第一量子点层，位于第一开口中；虚设层，位于第一虚设开口中；以及像素电极，位于第一基底与堤之间，其中，第一虚设开口不与像素电极叠置。
显示设备还可以包括位于第二开口中的第二量子点层。
第一量子点层可以将具有第一波段的光转换成具有第二波段的光，并且第二量子点层将具有第一波段的光转换成具有第三波段的光。
显示设备还可以包括位于第三开口中并允许入射光穿过其的透光层。
虚设层可以包括与第一量子点层、第二量子点层和透光层中的至少一个的材料相同的材料。
显示设备还可以包括位于第一基底上方的第二基底，使得堤设置在第一基底与第二基底之间。
显示设备还可以包括：第一滤色器层，位于第一量子点层与第二基底之间；第二滤色器层，位于第二量子点层与第二基底之间；以及第三滤色器层，位于透光层与第二基底之间。
第一滤色器层中的一个、第二滤色器层中的一个和第三滤色器层中的一个可以位于虚设层中的每个与第二基底之间。
虚设层可以具有亲水性，并且堤可以具有疏水性。
第一虚设开口中的一个的面积可以大于第二虚设开口中的一个的面积。
第二虚设开口可以至少部分地围绕第一开口、第二开口、第三开口和第一虚设开口。
像素电极可以包括在第一基底上彼此间隔开的第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极。
第一像素电极可以与第一开口中的一个至少部分地叠置，第二像素电极可以与第二开口中的一个至少部分地叠置，并且第三像素电极可以与第三开口中的一个至少部分地叠置。
第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极可以不与第一虚设开口叠置。
第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极可以不与第二虚设开口叠置。
显示设备还可以包括：像素限定层，覆盖第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极中的每个的边缘，像素限定层具有暴露第一像素电极的至少一部分的开口、暴露第二像素电极的至少一部分的开口和暴露第三像素电极的至少一部分的开口；发射层，设置在第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极上并发射具有第一波段的光；以及对电极，设置在发射层上。
发射层和对电极可以与第一虚设开口叠置。
发射层和对电极可以与第二虚设开口叠置。
根据一个或更多个实施例，一种显示设备包括：发光面板，包括第一基底和发光元件，第一基底包括显示区域和在显示区域周围的非显示区域，发光元件包括像素电极并设置在第一基底上；以及彩色面板，面对发光面板并改变从发光面板发射的光的波长，彩色面板包括：第二基底；堤，设置在第一基底的显示区域上并且包括第一开口、第二开口、第三开口、第一虚设开口和第二虚设开口；第一量子点层，位于第一开口中；以及虚设层，位于第一虚设开口中，其中，第一虚设开口不与像素电极叠置。
彩色面板还可以包括位于第二开口中的第二量子点层。
发光面板可以发射具有第一波段的光。
第一量子点层可以将具有第一波段的光转换成具有第二波段的光，并且第二量子点层可以将具有第一波段的光转换成具有第三波段的光。
彩色面板还可以包括位于第三开口中的透光层，其中，透光层可以透射具有第一波段的入射光。
虚设层可以包括与第一量子点层、第二量子点层和透光层中的至少一个的材料相同的材料。
彩色面板还可以包括：第一滤色器层，位于第一量子点层与第二基底之间；第二滤色器层，位于第二量子点层与第二基底之间；以及第三滤色器层，位于透光层与第二基底之间。
第一滤色器层中的一个、第二滤色器层中的一个和第三滤色器层中的一个可以位于虚设层中的每个与第二基底之间。
第一滤色器层、第二滤色器层和第三滤色器层可以与第二虚设开口叠置。
虚设层可以具有亲水性，并且堤可以具有疏水性。
第二虚设开口可以至少部分地围绕第一开口、第二开口、第三开口和第一虚设开口。
彩色面板还可以包括位于第一基底与第二基底之间并与堤叠置的柱状间隔件。
通过实施例、附图和权利要求的描述，这些和/或其它方面将变得明显并且更容易理解。
附图说明
通过结合附图的以下描述，公开的某些实施例的上面和其它方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
图1是示出根据实施例的显示设备的示意性透视图；
图2A是示出根据实施例的显示设备的示意性剖视图；
图2B是示出根据实施例的发光元件的堆叠结构的图；
图2C、图2D、图2E、图2F、图2G、图2H和图2I是示出根据实施例的发光层和电荷产生层的图；
图3是示出图2A中的第一量子点层、第二量子点层和透光层的部分的示意性剖视图；
图4是示出根据实施例的显示设备的示意性平面图；
图5是示出根据实施例的显示设备的示意性平面图；
图6是示出根据实施例的显示设备的示意性平面图；
图7是示出根据实施例的显示设备的示意性剖视图；
图8是示出根据实施例的显示设备的示意性剖视图；
图9是示出根据实施例的显示设备的示意性剖视图；以及
图10是示出根据实施例的显示设备的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将详细参照实施例，其示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。在这方面，所呈现的实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于在此阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释本描述的方面。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开中，表达“a、b和c中的至少一个(种/者)”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
由于公开允许各种改变和许多实施例，因此将在附图中示出并在书面描述中详细描述具体实施例。根据下面参照附图详细描述的实施例，公开的效果和特征及其实现方法将变得明显。然而，公开可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的实施例。
将理解的是，尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些元件仅用于将一个元件与另一元件区分开。
在以下实施例中，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式包括复数形式。
还将理解的是，在此使用的术语“包含”和/或“包括”说明存在所陈述的特征或元件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或元件。
还将理解的是，当层、区域或元件被称为“在”另一层、区域或元件“上”时，该层、区域或元件可以直接地或间接地在所述另一层、区域或元件上。也就是说，例如，可以存在居间层、区域或元件。
另外，为了便于解释，可以夸大或减小附图中的元件的尺寸。此外，因为为了便于解释而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，所以公开不限于此。
在本说明书中，诸如“A和/或B”的表达指示A、B或A和B。另外，诸如“A和B中的至少一个(种/者)”的表达指示A、B或A和B。
在以下实施例中，表达“线在第一方向或第二方向上延伸”可以包括其中“线以直线形状延伸”的情况以及其中“线在第一方向或第二方向上以之字形形状或弯曲形状延伸”的情况。
在以下实施例中，当元件被称为“在平面上”时，理解的是，从顶部观看元件，并且当元件被称为“在剖面上”时，理解的是，元件被竖直切割并从侧面观看。在以下实施例中，当元件彼此“叠置”时，元件“在平面上”和“在剖面上”叠置。
在下文中，将参照附图详细描述公开的实施例，并且附图中的同样的附图标记表示同样的参照元件。
图1是示出根据实施例的显示设备的示意性透视图，图2A是示出根据实施例的显示设备的示意性剖视图，并且图3是示出图2A中的第一量子点层、第二量子点层和透光层的部分的示意性剖视图。图2A是示出沿着图1中的线I-I'截取的图1的显示设备1的剖视图。
参照图1、图2A和图3，显示设备1可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的非显示区域NDA。显示设备1可以通过使用在显示区域DA中二维地布置的多个像素PX的阵列来提供图像。多个像素PX可以包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。
显示设备1的像素PX中的每个可以包括其中可以发射预定颜色的光的区域，并且显示设备1可以通过使用从像素PX发射的光来提供图像。例如，像素PX中的每个可以发射红光、绿光或蓝光。
非显示区域NDA可以包括其中不提供图像的区域，并且可以完全围绕显示区域DA。用于向像素电路提供电信号或电力的驱动器或主电力线可以布置在非显示区域NDA中。电子元件或印刷电路板可以电连接到其的垫(“pad”，或被称为“焊盘”或“焊垫”)可以包括在非显示区域NDA中。
如图1中所示，显示区域DA可以具有包括四边形形状的多边形形状。例如，显示区域DA可以具有其长度大于宽度的矩形形状、其长度小于宽度的矩形形状或其长度等于宽度的正方形形状。可选择地，显示区域DA可以具有各种形状(诸如椭圆形形状或圆形形状)。
在实施例中，显示设备1可以包括在显示设备1的厚度方向(例如，z方向)上堆叠的发光面板10和彩色面板20。参照图2A，发光面板10可以包括设置在第一基底100上的发光元件OLED。例如，发光元件OLED可以包括第一发光元件OLED1、第二发光元件OLED2和第三发光元件OLED3。在这种情况下，第一发光元件OLED1、第二发光元件OLED2和第三发光元件OLED3可以是有机发光二极管。然而，公开不限于此。第一发光元件OLED1、第二发光元件OLED2和第三发光元件OLED3可以是无机发光二极管，并且可以进行各种修改。
在穿过彩色面板20的同时，由第一发光元件OLED1和第二发光元件OLED2发射的光(例如，蓝光Lb)可以分别转换成红光Lr和绿光Lg，并且由第三发光元件OLED3发射的光可以保持蓝光Lb。
在实施例中，限定第一发光元件OLED1、第二发光元件OLED2和第三发光元件OLED3的发射区域的像素限定层120可以布置在第一基底100上。换句话说，像素限定层120可以包括分别限定第一发光元件OLED1、第二发光元件OLED2和第三发光元件OLED3的发射区域的开口120OP。
在实施例中，像素限定层120可以包括有机绝缘材料。可选择地，像素限定层120可以包括无机绝缘材料(诸如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)或氧化硅(SiOx))。可选择地，像素限定层120可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。在实施例中，像素限定层120可以包括光阻挡材料，并且可以以黑色提供。光阻挡材料可以包括炭黑、碳纳米管、包括黑色染料的树脂或膏、金属颗粒(例如，镍、铝、钼和它们的任何合金)、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)、金属氮化物颗粒(例如，氮化铬)等。当像素限定层120包括光阻挡材料时，可以减少外部光被布置在像素限定层120下面的金属层反射。
在实施例中，填料400可以布置在第一基底100与第二基底600之间。填料400可以用作抵抗外部压力等的缓冲器。填料400可以包括有机材料(诸如(聚)甲基硅氧烷、(聚)苯基硅氧烷和聚酰亚胺)。然而，公开不限于此，并且填料400可以包括作为有机密封剂的氨基甲酸乙酯类树脂、环氧类树脂、丙烯酰类树脂和聚硅氧烷，或者作为无机密封剂的硅类材料。
在实施例中，堤500可以设置在填料400上。堤500可以包括能够吸收光的各种材料。堤500可以包括与像素限定层120的材料相同的材料，或者可以包括与像素限定层120的材料不同的材料。例如，堤500可以包括不透明无机绝缘材料(诸如氧化铬或氧化钼)，或可以包括不透明有机绝缘材料(诸如黑色树脂)。
在实施例中，堤500可以包括分别与第一发光元件OLED1、第二发光元件OLED2和第三发光元件OLED3的发射区域对应的开口OP1、OP2和OP3。例如，限定在堤500中的开口OP1、OP2和OP3可以分别设置在与限定在像素限定层120中的开口120OP对应的区域中。在实施例中，第一量子点层561、第二量子点层563和透光层565可以分别布置在堤500中限定的开口OP1、OP2和OP3中。
图2B是示出根据实施例的发光元件的堆叠结构的图。
参照图2B，第一发光元件OLED1可以包括顺序地堆叠的第一像素电极311、中间层320和对电极330，并且第二发光元件OLED2可以包括顺序地堆叠的第二像素电极313、中间层320和对电极330。第三发光元件OLED3可以包括顺序地堆叠的第三像素电极315、中间层320和对电极330。
在这种情况下，中间层320和对电极330可以针对第一发光元件OLED1至第三发光元件OLED3公共地设置。也就是说，中间层320和对电极330中的每个可以一体地设置为单个主体。另外，盖层340可以设置在对电极330上。
在实施例中，中间层320可以包括发光层(例如，第一发光层320-1、第二发光层320-3、第三发光层320-5和第四发光层320-7)以及电荷产生层(例如，第一电荷产生层320-2、第二电荷产生层320-4和第三电荷产生层320-6)。具体地，中间层320可以包括第一发光层320-1、第二发光层320-3、第三发光层320-5、第四发光层320-7、第一电荷产生层320-2、第二电荷产生层320-4和第三电荷产生层320-6。将参照图2C至图2I更详细地描述每个层。
图2C至图2I是示出根据实施例的发光层和电荷产生层的图。
参照图2C，第一发光层320-1可以包括空穴注入层321-1、第一空穴传输层321-2、第一发射辅助层321-3、第一发射层321-4、第一缓冲层321-5和第一电子传输层321-6。然而，公开不限于此。可以省略第一空穴传输层321-2、第一发射辅助层321-3、第一缓冲层321-5和第一电子传输层321-6中的至少一个。例如，可以省略第一发射辅助层321-3和第一缓冲层321-5中的至少一个。
在这种情况下，第一空穴注入层321-1可以朝向第一发射层321-4注入空穴。第一空穴传输层321-2可以将空穴从第一空穴注入层321-1转移到第一发射层321-4。第一发射辅助层321-3可以是被添加以匹配谐振距离的层。第一电子传输层321-6可以将电子转移到第一发射层321-4。第一缓冲层321-5可以控制(或调节)从第一电子传输层321-6转移到第一发射层321-4的电子。另外，第一发射层321-4可以是蓝色发射层。然而，公开不限于此。第一发射层321-4可以是红色发射层或绿色发射层。第一发射层321-4可以包括主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或它们的任何组合。
参照图2D，第一电荷产生层320-2可以包括第一n型电荷产生层322-1和第一p型电荷产生层322-2。第一n型电荷产生层322-1可以向图2C中的第一电子传输层321-6提供电子，并且第一p型电荷产生层322-2可以向图2E中的第二空穴传输层323-1提供空穴。
参照图2E，第二发光层320-3可以包括顺序地堆叠的第二空穴传输层323-1、第二发射辅助层323-2、第二发射层323-3、第二缓冲层323-4和第二电子传输层323-5。然而，公开不限于此。可以省略第二空穴传输层323-1、第二发射辅助层323-2、第二缓冲层323-4和第二电子传输层323-5中的至少一个。例如，可以省略第二发射辅助层323-2和/或第二缓冲层323-4。
第二发光层320-3的第二空穴传输层323-1、第二发射辅助层323-2、第二发射层323-3、第二缓冲层323-4和第二电子传输层323-5可以分别包括与第一发光层320-1的第一空穴传输层321-2、第一发射辅助层321-3、第一发射层321-4、第一缓冲层321-5和第一电子传输层321-6的材料相同的材料。然而，公开不限于此。
参照图2F，第二电荷产生层320-4可以包括第二n型电荷产生层324-1和第二p型电荷产生层324-2。第二n型电荷产生层324-1可以向图2E中的第二电子传输层323-5提供电子，并且第二p型电荷产生层324-2可以向图2G中的第三空穴传输层325-1提供空穴。
参照图2G，第三发光层320-5可以包括顺序地堆叠的第三空穴传输层325-1、第三发射辅助层325-2、第三发射层325-3、第三缓冲层325-4和第三电子传输层325-5。然而，公开不限于此。可以省略第三空穴传输层325-1、第三发射辅助层325-2、第三缓冲层325-4和第三电子传输层325-5中的至少一个。例如，可以省略第三发射辅助层325-2和/或第三缓冲层325-4。
在实施例中，第三发射层325-3可以是绿色发射层。然而，公开不限于此。例如，第三发射层325-3可以是红色发射层或蓝色发射层。
在实施例中，当第三发射层325-3是绿色发射层并且第一发射层321-4是蓝色发射层时，第三发射层325-3和第一发射层321-4可以包括不同的材料。此外，第三发光层320-5的第三空穴传输层325-1、第三发射辅助层325-2、第三缓冲层325-4和第三电子传输层325-5可以包括分别与第一发光层320-1的第一空穴传输层321-2、第一发射辅助层321-3、第一缓冲层321-5和第一电子传输层321-6的材料不同的材料。
可选择地，当第三发射层325-3和第一发射层321-4都是蓝色发射层时，第三发光层320-5的第三空穴传输层325-1、第三发射辅助层325-2、第三缓冲层325-4和第三电子传输层325-5可以分别包括与第一发光层320-1的第一空穴传输层321-2、第一发射辅助层321-3、第一缓冲层321-5和第一电子传输层321-6的材料相同的材料。
参照图2H，第三电荷产生层320-6可以包括第三n型电荷产生层326-1和第三p型电荷产生层326-2。第三n型电荷产生层326-1可以向图2G中的第三电子传输层325-5提供电子，并且第三p型电荷产生层326-2可以向图2I中的第四空穴传输层327-1提供空穴。
参照图2I，第四发光层320-7可以包括顺序地堆叠的第四空穴传输层327-1、第四发射辅助层327-2、第四发射层327-3、第四缓冲层327-4、第四电子传输层327-5和电子注入层327-6。然而，公开不限于此。可以省略第四空穴传输层327-1、第四发射辅助层327-2、第四缓冲层327-4和第四电子传输层327-5中的至少一个。例如，可以省略第四发射辅助层327-2和/或第四缓冲层327-4。
第四发光层320-7的第四空穴传输层327-1、第四发射辅助层327-2、第四发射层327-3、第四缓冲层327-4和第四电子传输层327-5可以分别包括与第一发光层320-1的第一空穴传输层321-2、第一发射辅助层321-3、第一发射层321-4、第一缓冲层321-5和第一电子传输层321-6的材料相同的材料。电子注入层327-6可以朝向第四发射层327-3注入电子。
在实施例中，图2B中的中间层320可以包括第一发射层321-4(见图2C)、第二发射层323-3(见图2E)、第三发射层325-3(见图2G)和第四发射层327-3(见图2I)。在这种情况下，第一发射层321-4(见图2C)、第二发射层323-3(见图2E)和第四发射层327-3(见图2I)可以均设置为蓝色发射层，并且第三发射层325-3(见图2G)可以设置为绿色发射层。然而，公开不限于此。例如，第一发射层321-4(见图2C)、第二发射层323-3(见图2E)和第三发射层325-3(见图2G)可以均设置为蓝色发射层，并且第四发射层327-3(见图2I)可以设置为绿色发射层。也就是说，中间层320可以包括至少一个绿色发射层。因为中间层320包括绿色发射层，所以可以提高中间层320以及包括中间层320的发光元件OLED1、OLED2和OLED3的效率和寿命。
在实施例中，第一量子点层561可以将穿过其的具有第一波段的光转换成具有第二波段的光。例如，第一量子点层561可以将穿过其的具有在约450nm至约495nm的范围内的波长的光转换成具有在约630nm至约780nm的范围内的波长的光。因此，在第一像素PX1中，具有在约630nm至约780nm的范围内的波长的光可以通过第二基底600发射到外部。也就是说，第一量子点层561可以将入射蓝光Lb转换成红光Lr。然而，公开不限于此，入射到第一量子点层561的光的波段和从第一量子点层561发射的光的波段可以被不同地修改。
在实施例中，第一量子点层561可以包括第一量子点1152、第一散射体1153和第一聚合物1151。第一量子点1152和第一散射体1153可以分散在第一聚合物1151中。
第一量子点1152可以被蓝光Lb激发以各向同性地发射具有比蓝光Lb的波长长的波长的红光Lr。第一聚合物1151可以是具有透光率的有机材料。第一散射体1153可以散射未被第一量子点1152吸收的蓝光Lb，以激发更多的第一量子点1152，从而增加颜色转换效率。
在实施例中，第一量子点层561可以包括量子点(例如，第一量子点1152)。量子点指半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射具有各种发射波长的光的任何材料。量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。
量子点可以通过湿化学工艺、有机金属化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或类似工艺来合成。湿化学工艺是在将有机溶剂与前体材料混合之后生长量子点颗粒晶体的方法。在湿化学工艺的情况下，当晶体生长时，有机溶剂用作自然配位在量子点晶体的表面上的分散剂并控制晶体的生长，因此，湿化学工艺比气相沉积(诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE))容易。此外，湿化学工艺可以控制量子点颗粒的生长，同时是低成本工艺。
量子点可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物或它们的任何组合。
II-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物(诸如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS)；三元化合物(诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS)；四元化合物(诸如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe)；以及它们的任何组合。
III-V族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物(诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb)；三元化合物(诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb)；四元化合物(诸如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb)；以及它们的任何组合。III-V族半导体化合物还可以包括II族元素。还包括II族元素的III-V族半导体化合物的示例可以包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。
III-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物(诸如GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、In2S3、InSe、In2Se3或InTe)；三元化合物(诸如InGaS3或InGaSe3)；以及它们的任何组合。
I-III-VI族半导体化合物的示例可以包括：三元化合物(诸如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2或AgAlO2)；以及它们的任何组合。
IV-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物(诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe)；三元化合物(诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe)；四元化合物(诸如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe)；以及它们的任何组合。
IV族元素或化合物的示例可以包括：单元素(诸如Si或Ge)；二元化合物(诸如SiC或SiGe)；以及它们的任何组合。
多元素化合物(诸如二元化合物、三元化合物或四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或非均匀的浓度在颗粒中。
量子点可以均具有其中量子点中的每种元素的浓度是均匀的单个结构或核-壳双结构。例如，核中的材料和壳中的材料可以彼此不同。量子点的壳可以用作用于通过防止核的化学嬗变(chemical transmutation)来保持半导体性质的保护层和/或用作用于赋予量子点电泳性质的充电层。壳可以是单层或多层的。核与壳之间的界面可以具有其中壳中的元素的浓度朝向其中心减小的浓度梯度。
量子点的壳的示例可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物和它们的组合。金属或非金属氧化物的示例可以包括：二元化合物(诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO)；三元化合物(诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4)；以及它们的任何组合。半导体化合物的示例可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物以及它们的任何组合。例如，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或它们的任何组合。
量子点可以具有约45nm或更小(具体地约40nm或更小，更具体地约30nm或更小)的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且可以提高该范围内的色纯度或颜色再现性。此外，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可以提高宽视角。
此外，量子点可以以具有球形、角锥形、多臂状或立方体形状的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米片颗粒的形式。
因为可以通过调节量子点的尺寸来控制能带隙，所以可以从量子点发射层获得各种波段内的光。因此，通过使用具有不同的尺寸的量子点，可以实现发射具有不同的波长的光的发光元件。具体地，可以选择量子点的尺寸，使得发射红光、绿光和/或蓝光。此外，量子点的尺寸可以被构造为通过组合各种颜色的光来发射白光。
第一量子点层561可以包括散射体(例如，第一散射体1153)。通过允许入射光被包括在第一量子点层561中的第一散射体1153散射，入射光可以被第一量子点层561中的量子点(例如，第一量子点1152)有效地转换成具有期望的波长的光。散射体没有具体地限制，只要散射体包括能够通过在散射体与透光树脂之间形成光学界面而部分地散射透射光的材料即可。例如，散射体可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。用于散射体的金属氧化物的示例可以包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)和氧化锡(SnO2)，并且用于散射体的有机材料的示例可以包括丙烯酸树脂和氨基甲酸乙酯树脂。散射体可以在多个方向上散射光而不管入射角如何，而基本上不转换入射光的波长。因此，散射体可以提高显示设备1的侧面可视性。此外，包括在第一量子点层561中的第一散射体1153可以通过增加入射在第一量子点层561上的入射光与第一量子点1152相遇的可能性来增加光转换效率。
第一量子点层561可以包括第一聚合物1151。在这种情况下，第一聚合物1151可以是树脂。可以使用包括在第一量子点层561中的任何树脂，只要树脂相对于散射体具有优异的分散性质并透射光即可。例如，聚合物树脂(诸如丙烯酸树脂、酰亚胺类树脂、环氧类树脂、苯并环丁烯(BCB)或六甲基二硅氧烷(HMDSO))可以用作用于形成第一量子点层561的材料。
在实施例中，第二量子点层563可以将穿过其的具有第一波段的光转换成具有第三波段的光。例如，第二量子点层563可以将穿过其的具有在约450nm至约495nm的范围内的波长的光转换成具有在约495nm至约570nm的范围内的波长的光。因此，在第二像素PX2中，具有在约495nm至约570nm的范围内的波长的光Lg可以通过第二基底600发射到外部。也就是说，第二量子点层563可以将入射蓝光Lb转换成绿光Lg。
在实施例中，第二量子点层563可以包括第二量子点1162、第二散射体1163和第二聚合物1161。第二量子点1162和第二散射体1163可以分散在第二聚合物1161中。
第二量子点1162可以被蓝光Lb激发以各向同性地发射具有比蓝光Lb的波长长的波长的绿光Lg。第二聚合物1161可以是具有透光率的有机材料。第二散射体1163可以散射未被第二量子点1162吸收的蓝光Lb，以激发更多的第二量子点1162，从而增加颜色转换效率。
第二量子点层563可以包括量子点(例如，第二量子点1162)。量子点指半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射具有各种发射波长的光的任何材料。量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。包括在第一量子点层561中的第一量子点1152的描述可以应用于包括在第二量子点层563中的第二量子点1162，因此，省略了包括在第二量子点层563中的第二量子点1162的描述。
第二量子点层563可以包括散射体(例如，第二散射体1163)。通过允许入射光被包括在第二量子点层563中的第二散射体1163散射，入射光可以被第二量子点层563中的量子点(例如，第二量子点1162)有效地转换。散射体没有具体地限制，只要散射体包括能够通过在散射体与透光树脂之间形成光学界面而部分地散射透射光的材料即可。例如，散射体可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。用于散射体的金属氧化物的示例和用于散射体的有机材料的示例与上面描述的用于散射体的金属氧化物的示例和用于散射体的有机材料的示例相同。散射体可以在多个方向上散射光而不管入射角如何，而基本上不改变入射光的波长。因此，散射体可以提高显示设备1的侧面可视性。此外，包括在第二量子点层563中的第二散射体1163可以通过增加入射在第二量子点层563上的入射光与第二量子点1162相遇的可能性来增加光转换效率。
第二量子点层563可以包括第二聚合物1161。在这种情况下，第二聚合物1161可以是树脂。可以使用包括在第二量子点层563中的任何树脂，只要树脂相对于散射体具有优异的分散性质并透射光即可。例如，聚合物树脂(诸如丙烯酸树脂、酰亚胺类树脂、环氧类树脂、BCB或HMDSO)可以用作用于形成第二量子点层563的材料。
在实施例中，透光层565可以透射具有属于第一波段的波长的光而没有波长转换。例如，透光层565可以透射具有在约450nm至约495nm的范围内的波长的光。因此，在第三像素PX3中，具有在约450nm至约495nm的范围内的波长的光Lb可以通过第二基底600发射到外部。也就是说，透光层565可以使入射蓝光Lb作为蓝光Lb通过。
在实施例中，透光层565可以包括第三散射体1173和第三聚合物1171。第三散射体1173可以分散在第三聚合物1171中。第三聚合物1171可以是例如具有透光率的有机材料(诸如硅树脂或环氧树脂)，并且可以是与上面描述的第一聚合物1151和第二聚合物1161的材料相同的材料。第三散射体1173可以散射并发射蓝光Lb，并且可以是与上面描述的第一散射体1153和第二散射体1163的材料相同的材料。
在实施例中，第一量子点层561、第二量子点层563和透光层565可以通过喷墨印刷分别形成在堤500的开口OP1、OP2和OP3中。
在实施例中，第二基底600可以设置在第一量子点层561、第二量子点层563和透光层565上。第一滤色器层581(见图7)可以设置在第一量子点层561与第二基底600之间，第二滤色器层583(见图8)可以设置在第二量子点层563与第二基底600之间，并且第三滤色器层585(见图9)可以设置在透光层565与第二基底600之间。这将在稍后参照图7、图8和图9进行描述。
第一基底100和第二基底600可以均包括玻璃、金属或聚合物树脂。当第一基底100和第二基底600是柔性的或可弯曲的时，第一基底100和第二基底600可以均包括聚合物树脂(诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素)。第一基底100和第二基底600中的每个可以被各种修改。例如，第一基底100和第二基底600中的每个可以具有多层结构，该多层结构包括包含聚合物树脂的两个层和在所述两个层之间的包括诸如SiNx、SiOxNy或SiOx的无机材料的阻挡层。
在实施例中，显示设备1可以通过以下工艺形成：在第一基底100上形成第一发光元件OLED1、第二发光元件OLED2和第三发光元件OLED3；在第二基底600上形成第一量子点层561和第二量子点层563以及透光层565；以及随后将其上形成有第一发光元件OLED1、第二发光元件OLED2和第三发光元件OLED3的第一基底100结合到其上形成有第一量子点层561和第二量子点层563以及透光层565的第二基底600。
图4是示出根据实施例的显示设备的示意性平面图。具体地，图4是示出图2A中的彩色面板20的一部分的示意性平面图。
参照图2A和图4，彩色面板20可以包括第二基底600(见图2A)和堤500。堤500可以设置在第二基底600上。
堤500可以包括多个开口。具体地，在堤500中，可以限定第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3、第一虚设开口DOP1和第二虚设开口DOP2。限定在堤500中的第一虚设开口DOP1和第二虚设开口DOP2可以位于限定在堤500中的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3周围。
限定在堤500中的第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3、第一虚设开口DOP1和第二虚设开口DOP2可以位于显示区域DA(见图1)中。然而，公开不限于此。例如，限定在堤500中的第一虚设开口DOP1和第二虚设开口DOP2可以位于非显示区域NDA(见图1)中。
当在垂直于第一基底100(见图2A)的方向(例如，z方向)上观看时，限定在堤500中的第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3和第一虚设开口DOP1可以均具有四边形形状。例如，当在垂直于第一基底100(见图2A)的方向(例如，z方向)上观看时，限定在堤500中的第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3和第一虚设开口DOP1可以均具有正方形形状或矩形形状。然而，公开不限于此。当在垂直于第一基底100(见图2A)的方向(例如，z方向)上观看时，限定在堤500中的第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3和第一虚设开口DOP1可以具有各种形状(诸如圆形形状、椭圆形形状和多边形形状(诸如三角形形状))。
此外，当在垂直于第一基底100(见图2A)的方向(例如，z方向)上观看时，限定在堤500中的第二虚设开口DOP2可以具有多边形形状。然而，公开不限于此。
在实施例中，当在垂直于第一基底100(见图2A)的方向(例如，z方向)上观看时，第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3、第一虚设开口DOP1和第二虚设开口DOP2中的每个的内角可以是钝角。然而，公开不限于此。
在实施例中，第一量子点层561可以位于堤500的第一开口OP1中。如上面描述的，第一量子点层561可以将穿过其的具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光转换成具有第二波段(例如，约630nm至约780nm)的光。
在实施例中，第二量子点层563可以位于堤500的第二开口OP2中。如上面描述的，第二量子点层563可以将穿过其的具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光转换成具有第三波段(例如，约495nm至约570nm)的光。
在实施例中，透光层565可以位于堤500的第三开口OP3中。如上面描述的，透光层565可以使具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光穿过至外部而没有波长转换。
在实施例中，虚设层567可以位于堤500的第一虚设开口DOP1中。在实施例中，虚设层567可以包括与第一量子点层561的材料相同的材料。例如，虚设层567可以包括用于形成第一量子点层561的材料。在这种情况下，用于形成第一量子点层561的材料可以包括第一量子点1152、第一散射体1153和第一聚合物1151。然而，公开不限于此。虚设层567可以包括与第二量子点层563的材料相同的材料。例如，虚设层567可以包括用于形成第二量子点层563的材料。在这种情况下，用于形成第二量子点层563的材料可以包括第二量子点1162、第二散射体1163和第二聚合物1161。可选择地，虚设层567可以包括与透光层565的材料相同的材料。例如，虚设层567可以包括用于形成透光层565的材料。在这种情况下，用于形成透光层565的材料可以包括第三散射体1173和第三聚合物1171。
在实施例中，虚设层567可以包括与第一量子点层561、第二量子点层563和透光层565中的至少一个的材料相同的材料。例如，虚设层567可以包括用于形成第一量子点层561的材料、用于形成第二量子点层563的材料和用于形成透光层565的材料中的至少一种。
如上面描述的，第一量子点层561、第二量子点层563和透光层565可以通过喷墨印刷方法形成。此外，虚设层567也可以通过喷墨印刷方法形成。
在这种情况下，在通过喷墨印刷方法注入用于形成第一量子点层561的材料的工艺中，可以不在第一开口OP1中注入用于形成第一量子点层561的材料。也就是说，用于形成第一量子点层561的材料可以注入在第一开口OP1的外部。在这种情况下，当用于形成第一量子点层561的材料注入到堤500上时，由于在堤500上的用于形成第一量子点层561的材料，在将第一基底100结合到第二基底600的工艺中会发生结合缺陷。
此外，在通过喷墨印刷方法注入用于形成第二量子点层563的材料的工艺中，可以不在第二开口OP2中注入用于形成第二量子点层563的材料。在这种情况下，当用于形成第二量子点层563的材料注入到堤500上时，由于在堤500上的用于形成第二量子点层563的材料，在将第一基底100结合到第二基底600的工艺中会发生结合缺陷。
此外，在通过喷墨印刷方法注入用于形成透光层565的材料的工艺中，用于形成透光层565的材料可以不注入第三开口OP3中。在这种情况下，由于在堤500上的用于形成透光层565的材料，在将第一基底100结合到第二基底600的工艺中会发生结合缺陷。
为了防止或减少由于在堤500上的用于形成第一量子点层561的材料、用于形成第二量子点层563的材料和/或用于形成透光层565的材料引起的结合缺陷，可以在根据实施例的显示设备1的堤500中限定第一虚设开口DOP1和第二虚设开口DOP2。
当第一虚设开口DOP1和第二虚设开口DOP2限定在堤500中时，注入在堤500上的用于形成第一量子点层561的材料、用于形成第二量子点层563的材料和/或用于形成透光层565的材料可以填充限定在堤500中的第一虚设开口DOP1和第二虚设开口DOP2。堤500中的第一虚设开口DOP1和第二虚设开口DOP2可以减小在堤500上的用于形成第一量子点层561的材料、用于形成第二量子点层563的材料和/或用于形成透光层565的材料的厚度，因此，可以防止或减少在将第一基底100结合到第二基底600的工艺中发生结合缺陷。
然而，即使当第一虚设开口DOP1和第二虚设开口DOP2限定在堤500中时，用于形成第一量子点层561的材料、用于形成第二量子点层563的材料和/或用于形成透光层565的材料中的一些仍可以设置在堤500上。
用于形成第一量子点层561的材料、用于形成第二量子点层563的材料和/或用于形成透光层565的材料可以具有亲水性，并且堤500可以具有疏水性(例如，拒液性)。因为用于形成第一量子点层561的材料、用于形成第二量子点层563的材料和/或用于形成透光层565的材料具有亲水性，所以第一量子点层561、第二量子点层563和透光层565也可以具有亲水性。
在实施例中，虚设层567可以设置在第一虚设开口DOP1中，并且虚设层567可以包括用于形成第一量子点层561的材料、用于形成第二量子点层563的材料和用于形成透光层565的材料中的至少一种。因此，虚设层567可以具有亲水性。
因为用于形成第一量子点层561的材料、用于形成第二量子点层563的材料和/或用于形成透光层565的材料以及虚设层567具有亲水性，并且具有亲水性的材料彼此吸引，所以位于第一虚设开口DOP1中的虚设层567可以吸引(或吸收)注入到具有拒液性的堤500上的用于形成第一量子点层561的材料、用于形成第二量子点层563的材料和/或用于形成透光层565的材料，并且减小设置在堤500上的材料的厚度，因此，可以防止或减少在将第一基底100结合到第二基底600的工艺中发生结合缺陷。在这种情况下，由于堤500的上表面的表面张力与用于形成第一量子点层561的材料、用于形成第二量子点层563的材料和/或用于形成透光层565的材料的表面张力之间的差异以及具有亲水性的材料的相互吸引，注入在堤500上的用于形成第一量子点层561的材料、用于形成第二量子点层563的材料和/或用于形成透光层565的材料可以移动到其中设置有虚设层567的第一虚设开口DOP1中。
在实施例中，限定在堤500中的第二虚设开口DOP2可以至少部分地围绕限定在堤500中的第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3和第一虚设开口DOP1。例如，限定在堤500中的第二虚设开口DOP2的数量可以大于限定在堤500中的第一虚设开口DOP1的数量。另外，第二虚设开口DOP2中的一个的面积可以小于第一虚设开口DOP1中的一个的面积。另外，第二虚设开口DOP2中的一个的面积可以小于第一开口OP1中的一个的面积。
堤500的一部分会在制造彩色面板20的工艺期间无意地损失。例如，第一开口OP1与第二虚设开口DOP2之间的堤500会损失，并且在这种情况下，第一开口OP1中的第一量子点层561会通过损失的堤500流出到第二虚设开口DOP2。当流出到第二虚设开口DOP2的第一量子点层561的量过大时，在第一开口OP1中不形成具有足够厚度的第一量子点层561，这导致对应的像素是坏像素。
在实施例中，第二虚设开口DOP2可以被划分成小面积并且布置为围绕第一开口OP1的至少一部分，并且因此，即使当第二虚设开口DOP2与第一开口OP1之间的堤500损失并且第一开口OP1中的第一量子点层561流出到第二虚设开口DOP2中时，也可以有效地防止或减少流入到第二虚设开口DOP2中的第一量子点层561的量。
对于其它开口也是如此。第二虚设开口DOP2可以被划分成小面积并且布置为围绕第二开口OP2的至少一部分，并且因此，即使当堤500的在第二开口OP2与第二虚设开口DOP2之间的一部分损失并且第二开口OP2中的第二量子点层563流出到第二虚设开口DOP2中时，也可以有效地防止或减少第二量子点层563流入到第二虚设开口DOP2中的量。
如上面描述的，透光层565可以位于第三开口OP3中。第二虚设开口DOP2可以被划分成小面积并且布置为围绕第三开口OP3的至少一部分，并且因此，即使当堤500的在第三开口OP3与第二虚设开口DOP2之间的一部分损失并且第三开口OP3中的透光层565流出到第二虚设开口DOP2中时，也可以有效地防止或减少流入到第二虚设开口DOP2中的透光层565的量。
图5是示出根据实施例的显示设备的示意性平面图。具体地，图5的实施例与图4的实施例的不同之处在于：第二虚设开口DOP2未限定在堤500中。在图5中，与图4的附图标记相同的附图标记指相同的构件，并且将省略其重复描述。
参照图5，彩色面板20可以包括第二基底600(见图2A)和堤500。堤500可以设置在第二基底600上。
堤500可以包括多个开口。具体地，第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3和第一虚设开口DOP1可以限定在堤500中。也就是说，上面参照图4描述的第二虚设开口DOP2可以不限定在堤500中。
在这种情况下，堤500的在第一开口OP1与第一虚设开口DOP1之间的宽度可以增加，因此，可以防止或减少第一开口OP1与第一虚设开口DOP1之间的堤500的损失。这也可以应用于其它开口。
图6是示出根据实施例的显示设备的示意性平面图。具体地，图6的实施例与图4和图5的实施例的不同之处在于：当在垂直于第一基底100(见图2A)的方向(例如，z方向)上观看时，限定在堤500中的第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3和第一虚设开口DOP1具有多边形形状。在图6中，与图4和图5的附图标记相同的附图标记指相同的构件，并且将省略其重复描述。
参照图6，彩色面板20可以包括第二基底600(见图2A)和堤500。堤500可以设置在第二基底600上。
堤500可以包括多个开口。详细地，第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3和第一虚设开口DOP1可以限定在堤500中。也就是说，上面参照图4描述的第二虚设开口DOP2可以不限定在堤500中。
当在垂直于第一基底100(见图2A)的方向(例如，z方向)上观看时，限定在堤500中的第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3和第一虚设开口DOP1可以均具有多边形形状。例如，当在垂直于第一基底100(见图2A)的方向(例如，z方向)上观看时，限定在堤500中的第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3和第一虚设开口DOP1可以具有六边形形状和/或八边形形状。然而，公开不限于此。当在垂直于第一基底100(见图2A)的方向(例如，z方向)上观看时，限定在堤500中的第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3和第一虚设开口DOP1可以具有各种形状(诸如五边形形状和十边形形状)。
图7是示出根据实施例的显示设备的示意性剖视图，图8是示出根据实施例的显示设备的示意性剖视图，并且图9是示出根据实施例的显示设备的示意性剖视图。具体地，图7至图9是均示出显示设备的彩色面板20的示意性剖视图，并且是分别沿着图4中的线II-II'、线III-III'和线IV-IV'截取的剖视图。
参照图7、图8和图9，图1的显示设备1可以包括彩色面板20，并且彩色面板20可以包括第二基底600、第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585、堤500、第一量子点层561和第二量子点层563、透光层565以及虚设层567。
在实施例中，堤500可以设置在第二基底600上。如上面描述的，第一开口OP1和第二虚设开口DOP2可以限定在堤500中。第一量子点层561可以设置在堤500中限定的第一开口OP1中。
第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585可以设置在堤500与第二基底600之间。第四开口OP4可以限定在第二滤色器层583中，并且第五开口OP5可以限定在第三滤色器层585中。第一滤色器层581可以位于限定在第三滤色器层585中的第五开口OP5中。
第一滤色器层581的至少一部分可以通过限定在第二滤色器层583中的第四开口OP4暴露。另外，第一滤色器层581的至少一部分可以设置在与限定在第三滤色器层585中的第五开口OP5对应的区域中。
限定在第二滤色器层583中的第四开口OP4和限定在第三滤色器层585中的第五开口OP5可以与限定在堤500中的第一开口OP1至少部分地叠置。由于限定在第二滤色器层583中的第四开口OP4和限定在第三滤色器层585中的第五开口OP5与限定在堤500中的第一开口OP1至少部分地叠置，因此被第一量子点层561转换的光可以入射在第一滤色器层581上，并且穿过第一滤色器层581的光可以朝向第二基底600发射。
在实施例中，其中第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585中的至少两个彼此叠置的区域可以用作光阻挡层。例如，因为第一滤色器层581可以仅透射具有第二波段(例如，约630nm至约780nm)的光，第二滤色器层583可以仅透射具有第三波段(例如，约495nm至约570nm)的光，并且第三滤色器层585可以仅透射具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光，所以光可以不穿过其中第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585中的至少两个彼此叠置的区域。
在实施例中，第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585可以位于限定在堤500中的第二虚设开口DOP2与第二基底600之间。因此，光可以不通过与限定在堤500中的第二虚设开口DOP2叠置的区域发射到第二基底600。
在实施例中，低折射率层591和第一层593可以设置在第一量子点层561与第一滤色器层581之间。低折射率层591可以是其中有机材料和无机材料混合的层，并且可以具有约1.2的折射率。第一层593可以是设置为使低折射率层591与第一量子点层561分离的层，并且可以具有约1.4至约1.6的折射率。第一层593可以包括选自于氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的至少一种无机材料。第一层593可以具有约4000埃的厚度。然而，公开不限于此。
尽管图7示出了其中低折射率层591和第一层593设置在第一量子点层561与第一滤色器层581之间的示例，但是公开不限于此。可以省略低折射率层591和第一层593中的至少一个。
在实施例中，第二层595可以设置在第一量子点层561上。第二层595可以是用于覆盖第一量子点层561的层，并且可以具有约1.4至约1.6的折射率。第二层595可以包括选自于氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的至少一种无机材料。第二层595可以具有约的厚度。然而，公开不限于此。
参照图8，如上面描述的，第二开口OP2可以限定在堤500中。第二量子点层563可以设置在堤500中限定的第二开口OP2中。
第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585可以设置在堤500与第二基底600之间。第六开口OP6可以限定在第一滤色器层581中，并且第七开口OP7可以限定在第三滤色器层585中。第二滤色器层583可以位于限定在第一滤色器层581中的第六开口OP6和限定在第三滤色器层585中的第七开口OP7中。
第二滤色器层583的至少一部分可以设置在与限定在第一滤色器层581中的第六开口OP6和限定在第三滤色器层585中的第七开口OP7对应的区域中。
限定在第一滤色器层581中的第六开口OP6和限定在第三滤色器层585中的第七开口OP7可以与限定在堤500中的第二开口OP2至少部分地叠置。由于限定在第一滤色器层581中的第六开口OP6和限定在第三滤色器层585中的第七开口OP7与限定在堤500中的第二开口OP2至少部分地叠置，因此被第二量子点层563转换的光可以入射在第二滤色器层583上。
在实施例中，低折射率层591和第一层593可以设置在第二量子点层563与第二滤色器层583之间。另外，在实施例中，第二层595可以设置在第二量子点层563上。然而，可以省略低折射率层591、第一层593和第二层595中的至少一个。
参照图9，如上面描述的，第三开口OP3、第一虚设开口DOP1和第二虚设开口DOP2可以限定在堤500中。透光层565可以设置在堤500中限定的第三开口OP3中，并且虚设层567可以设置在堤500中限定的第一虚设开口DOP1中。如上面描述的，虚设层567可以包括与透光层565的材料相同的材料。然而，公开不限于此。虚设层567可以包括与第一量子点层561、第二量子点层563和透光层565中的至少一个的材料相同的材料。
第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585可以设置在堤500与第二基底600之间。第八开口OP8可以限定在第一滤色器层581中，并且第九开口OP9可以限定在第二滤色器层583中。
第三滤色器层585的至少一部分可以通过限定在第一滤色器层581中的第八开口OP8和限定在第二滤色器层583中的第九开口OP9暴露。
限定在第一滤色器层581中的第八开口OP8和限定在第二滤色器层583中的第九开口OP9可以与限定在堤500中的第三开口OP3至少部分地叠置。由于限定在第一滤色器层581中的第八开口OP8和限定在第二滤色器层583中的第九开口OP9与限定在堤500中的第三开口OP3至少部分地叠置，因此穿过透光层565的光可以入射在第三滤色器层585上，并且穿过第三滤色器层585的光可以朝向第二基底600发射。
在实施例中，第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585可以位于限定在堤500中的第一虚设开口DOP1与第二基底600之间以及第二虚设开口DOP2与第二基底600之间。因此，光可以不通过与限定在堤500中的第一虚设开口DOP1和/或第二虚设开口DOP2叠置的区域发射到第二基底600。例如，即使当包括与第一量子点层561、第二量子点层563和透光层565中的至少一个的材料相同的材料的虚设层567设置在第一虚设开口DOP1中时，因为第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585设置在虚设层567与第二基底600之间，因此光也可以不通过与虚设层567叠置的区域发射到第二基底600。
在实施例中，低折射率层591和第一层593可以设置在透光层565与第三滤色器层585之间。另外，在实施例中，第二层595可以设置在透光层565上。然而，可以省略低折射率层591、第一层593和第二层595中的至少一个。
图10是示出根据实施例的显示设备的示意性剖视图。具体地，图10是以堆叠顺序示出显示设备1的剖视图。在图10中，与图4至图9的附图标记相同的附图标记指相同的构件，并且将省略其重复描述。
参照图10，显示设备1可以包括发光面板10和彩色面板20。发光面板10可以包括第一基底100、缓冲层110、第一绝缘层111、第二绝缘层113和第三绝缘层115、第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和第三薄膜晶体管TFT3、第一发光元件OLED1、第二发光元件OLED2和第三发光元件OLED3以及像素限定层120。彩色面板20可以包括第二基底600、第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585、第一量子点层561和第二量子点层563、透光层565、虚设层567和堤500。
缓冲层110可以设置在第一基底100上。如上面描述的，第一基底100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。缓冲层110可以包括无机材料(诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅)。缓冲层110可以设置在第一基底100上，并且增加第一基底100的上表面的平滑度或者防止或减少杂质从第一基底100的下部分渗透到第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和第三薄膜晶体管TFT3。
在实施例中，包括第一像素电极311的第一发光元件OLED1、包括第二像素电极313的第二发光元件OLED2和包括第三像素电极315的第三发光元件OLED3可以设置在第一基底100上。此外，第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和第三薄膜晶体管TFT3可以设置在第一基底100上。
第一薄膜晶体管TFT1可以电连接到第一发光元件OLED1，第二薄膜晶体管TFT2可以电连接到第二发光元件OLED2，并且第三薄膜晶体管TFT3可以电连接到第三发光元件OLED3。
在下文中，将主要描述第一薄膜晶体管TFT1和第一发光元件OLED1。第二薄膜晶体管TFT2和第三薄膜晶体管TFT3可以与第一薄膜晶体管TFT1类似，并且第二发光元件OLED2和第三发光元件OLED3可以与第一发光元件OLED1类似。
第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和第三薄膜晶体管TFT3可以设置在缓冲层110上。第一薄膜晶体管TFT1可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
半导体层Act可以包括多晶硅。可选择地，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。半导体层Act可以包括沟道区以及分别设置在沟道区的两侧上的漏区和源区。
第一绝缘层111可以设置在半导体层Act上。第一绝缘层111可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnOx)中的至少一种。在这种情况下，ZnOx可以包括氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。
栅电极GE可以设置在第一绝缘层111上。栅电极GE可以与沟道区叠置。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括包含导电材料的多层或单层。
第二绝缘层113可以设置在栅电极GE上。第二绝缘层113可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnOx中的至少一种。在这种情况下，ZnOx可以包括ZnO和/或ZnO2。
源电极SE和漏电极DE可以设置在第二绝缘层113上。源电极SE和漏电极DE可以均包括具有良好导电性的材料。源电极SE和漏电极DE可以均包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括包含导电材料的多层或单层。例如，源电极SE和漏电极DE可以均具有Ti/Al/Ti的多层结构。
第三绝缘层115可以设置在源电极SE和漏电极DE上。第三绝缘层115可以包括有机绝缘材料。例如，第三绝缘层115可以包括有机绝缘材料(诸如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯基醇类聚合物或它们的共混物)。
第一发光元件OLED1、第二发光元件OLED2和第三发光元件OLED3可以位于第一基底100的第三绝缘层115上。在图10中，作为有机发光元件的第一发光元件OLED1、第二发光元件OLED2和第三发光元件OLED3被示出为位于第三绝缘层115上。第一发光元件OLED1可以位于第一像素PX1中，第二发光元件OLED2可以位于第二像素PX2中，并且第三发光元件OLED3可以位于第三像素PX3中。
第一发光元件OLED1可以包括第一像素电极311、对电极330和设置在第一像素电极311与对电极330之间的中间层320。第二发光元件OLED2可以包括第二像素电极313、对电极330和设置在第二像素电极313与对电极330之间的中间层320。此外，第三发光元件OLED3可以包括第三像素电极315、对电极330和设置在第三像素电极315与对电极330之间的中间层320。在这种情况下，中间层320可以包括多个发射层。
像素限定层120可以设置在第三绝缘层115上。像素限定层120可以具有与每个像素PX1、PX2和PX3对应的开口120OP(也就是说，第一像素电极311的至少一部分通过其暴露的开口120OP)，因此可以限定像素PX1、PX2和PX3。例如，第一发光元件OLED1可以具有第一发射区域EA1，并且第一发光元件OLED1的第一发射区域EA1可以由像素限定层120的开口120OP限定。在这种情况下，第一发射区域EA1可以对应于第一发光元件OLED1的发射区域。
像素限定层120可以具有第二像素电极313的至少一部分通过其暴露的开口120OP，并且因此可以限定第二像素PX2。例如，第二发光元件OLED2可以具有第二发射区域EA2，并且第二发光元件OLED2的第二发射区域EA2可以由像素限定层120的开口120OP限定。在这种情况下，第二发射区域EA2可以对应于第二发光元件OLED2的发射区域。
像素限定层120可以具有第三像素电极315的至少一部分通过其暴露的开口120OP，并且因此可以限定第三像素PX3。例如，第三发光元件OLED3可以具有第三发射区域EA3，并且第三发光元件OLED3的第三发射区域EA3可以由像素限定层120的开口120OP限定。在这种情况下，第三发射区域EA3可以对应于第三发光元件OLED3的发射区域。
此外，像素限定层120可以增加第一像素电极311的边缘与对电极330之间的距离、第二像素电极313的边缘与对电极330之间的距离以及第三像素电极315的边缘与对电极330之间的距离，从而防止在第一像素电极311、第二像素电极313和第三像素电极315的边缘中发生电弧。
第一像素电极311可以通过限定在第三绝缘层115中的接触孔等电连接到第一薄膜晶体管TFT1，第二像素电极313可以通过限定在第三绝缘层115中的接触孔等电连接到第二薄膜晶体管TFT2，并且第三像素电极315可以通过限定在第三绝缘层115中的接触孔等电连接到第三薄膜晶体管TFT3。
第一像素电极311可以包括包含诸如ITO、In2O3或IZO的透光导电氧化物的透光导电层以及包括诸如Al或Ag的金属的反射层。例如，第一像素电极311可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。第二像素电极313和第三像素电极315可以包括与第一像素电极311的材料相同的材料。
中间层320可以设置在第一像素电极311、第二像素电极313和第三像素电极315上。如图10中所示，中间层320可以遍及第一像素电极311、第二像素电极313和第三像素电极315一体地形成为单个主体。然而，公开不限于此。中间层320可以被图案化以对应于第一像素电极311、第二像素电极313和第三像素电极315中的每个。中间层320可以具有上面参照图2B至图2I描述的结构。例如，中间层320的发射层321-4、323-3、325-3和327-3(见图2C、图2E、图2G和图2I)中的每个可以遍及第一像素电极311、第二像素电极313和第三像素电极315一体地形成为单个主体。然而，公开不限于此。中间层320的发射层321-4、323-3、325-3和327-3可以被图案化以对应于第一像素电极311、第二像素电极313和第三像素电极315中的每个。
对电极330可以设置在中间层320上。对电极330也可以遍及第一像素电极311、第二像素电极313和第三像素电极315一体地形成为单个主体。对电极330可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极330可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、镱(Yb)或它们的合金。例如，对电极330可以包括AgMg或AgYb。可选择地，对电极330还可以包括在包括上述材料的(半)透明层上的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
中间层320可以发射具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光。例如，具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光可以从中间层320的发射层321-4、323-3、325-3和327-3发射。然而，公开不限于此。具有第三波段(例如，约495nm至约570nm)的光可以从中间层320的发射层321-4、323-3、325-3和327-3中的一个发射，并且具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光可以从其余发射层发射。然而，即使在这种情况下，具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光也可以从中间层320发射。因此，具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光可以从第一发光元件OLED1、第二发光元件OLED2和第三发光元件OLED3发射。然而，公开不限于此。
像素电极310可以被图案化以对应于每个像素PX1、PX2和PX3，并且中间层320和对电极330中的每个可以遍及每个像素PX1、PX2和PX3一体地设置为单个主体。
因为有机发光元件会容易被外部湿气或氧损坏，所以如果需要，封装层370可以覆盖有机发光元件以保护有机发光元件。封装层370可以设置为包括至少一个无机层和至少一个有机层的薄膜封装层。在这种情况下，薄膜封装层可以包括顺序地堆叠的第一无机层、有机层和第二无机层。
第一无机层可以直接设置在对电极330上。第一无机层可以防止或减少外部湿气或氧渗透到第一发光元件OLED1、第二发光元件OLED2和第三发光元件OLED3中。
有机层可以直接设置在第一无机层上。有机层可以在第一无机层上提供平坦的表面。在第一无机层的上表面上形成的台阶或颗粒可以被有机层覆盖，以阻挡第一无机层的上表面的表面状态对形成在有机层上的组件的影响。
第二无机层可以直接设置在有机层上。第二无机层可以防止或减少从有机层散发的湿气释放到外部。在实施例中，第二无机层可以具有约1.6的折射率。
第一无机层和第二无机层可以均包括选自于氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的至少一种无机材料。第一无机层和第二无机层可以均包括包含上述材料的单层或多层。有机层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。在实施例中，有机层可以包括丙烯酸酯。
堤500可以设置在第一发光元件OLED1、第二发光元件OLED2和第三发光元件OLED3上。堤500可以包括能够吸收光的各种材料。堤500可以包括与像素限定层120的材料相同的材料。然而，公开不限于此。例如，堤500可以包括与像素限定层120的材料不同的材料。例如，堤500可以包括不透明无机绝缘材料(诸如氧化铬或氧化钼)或不透明有机绝缘材料(诸如黑色树脂)。
如上面描述的，在堤500中，可以限定第一开口OP1、第二开口OP2、第三开口OP3、第一虚设开口DOP1和第二虚设开口DOP2。限定在堤500中的第一开口OP1可以设置在与第一发光元件OLED1的第一发射区域EA1对应的区域中，限定在堤500中的第二开口OP2可以设置在与第二发光元件OLED2的第二发射区域EA2对应的区域中，并且限定在堤500中的第三开口OP3可以设置在与第三发光元件OLED3的第三发射区域EA3对应的区域中。也就是说，限定在堤500中的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可以设置在与限定在像素限定层120中的开口120OP对应的区域中。
在实施例中，限定在堤500中的第一开口OP1的面积可以大于像素限定层120的限定第一发射区域EA1的开口120OP的面积。然而，公开不限于此。限定在堤500中的第一开口OP1的面积可以等于或小于像素限定层120的限定第一发射区域EA1的开口120OP的面积。
在实施例中，第一量子点层561可以设置在堤500中限定的第一开口OP1中，第二量子点层563可以设置在堤500中限定的第二开口OP2中，并且透光层565可以设置在堤500中限定的第三开口OP3中。另外，虚设层567可以设置在堤500中限定的第一虚设开口DOP1中。
因为第一量子点层561设置在堤500中限定的第一开口OP1中，所以第一量子点层561可以与第一发光元件OLED1的第一像素电极311至少部分地叠置。因为第二量子点层563设置在堤500中限定的第二开口OP2中，所以第二量子点层563可以与第二发光元件OLED2的第二像素电极313至少部分地叠置。此外，因为透光层565设置在堤500中限定的第三开口OP3中，所以透光层565可以与第三发光元件OLED3的第三像素电极315至少部分地叠置。
然而，限定在堤500中的第一虚设开口DOP1可以不与限定在像素限定层120中的开口120OP叠置。也就是说，限定在像素限定层120中的开口120OP可以不位于第一虚设开口DOP1下面。
此外，像素限定层120、中间层320和对电极330可以设置在虚设层567下面。也就是说，像素电极310可以不设置在虚设层567下面。因此，因为像素电极310未设置在虚设层567下面，所以光可以不通过与虚设层567叠置的区域发射到第二基底600。在这种情况下，中间层320可以包括多个发射层。
第一滤色器层581可以设置在第一量子点层561上。在第一基底100的厚度方向(即，z方向)上，第一发光元件OLED1的第一像素电极311、第一量子点层561和第一滤色器层581可以彼此叠置。第一发光元件OLED1可以发射具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光，第一量子点层561可以将具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光转换成具有第二波段(例如，约630nm至约780nm)的光，并且第一滤色器层581可以选择性地透射具有第二波段(例如，约630nm至约780nm)的光。从第一发光元件OLED1发射的第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光可以通过第一量子点层561转换成具有第二波段(例如，约630nm至约780nm)的光，并且可以通过第一滤色器层581过滤。因此，具有第二波段(例如，约630nm至约780nm)的光可以从第一像素PX1发射。也就是说，可以从第一像素PX1发射红光。因为从第一发光元件OLED1发射的光穿过第一量子点层561和第一滤色器层581，所以可以提高通过第二基底600发射的光的色纯度。具体地，因为从第一发光元件OLED1发射但未被第一量子点层561转换的光被第一滤色器层581过滤，所以可以提高通过第二基底600发射的光的色纯度。此外，第一滤色器层581可以吸收外部光以减少外部光的反射。
第二滤色器层583可以设置在第二量子点层563上。在第一基底100的厚度方向(即，z方向)上，第二发光元件OLED2的第二像素电极313、第二量子点层563和第二滤色器层583可以彼此叠置。第二发光元件OLED2可以发射具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光，第二量子点层563可以将具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光转换成具有第三波段(例如，约495nm至约570nm)的光，并且第二滤色器层583可以选择性地透射具有第三波段(例如，约495nm至约570nm)的光。从第二发光元件OLED2发射的第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光可以通过第二量子点层563转换成具有第三波段(例如，约495nm至约570nm)的光，并且可以通过第二滤色器层583过滤。因此，具有属于第三波段(例如，约495nm至约570nm)的波长的光可以从第二像素PX2发射。也就是说，可以从第二像素PX2发射绿光。因为从第二发光元件OLED2发射的光穿过第二量子点层563和第二滤色器层583，所以可以提高通过第二基底600发射的光的色纯度。具体地，因为从第二发光元件OLED2发射但未被第二量子点层563转换的光被第二滤色器层583过滤，所以可以提高通过第二基底600发射的光的色纯度。此外，第二滤色器层583可以吸收外部光以减少外部光的反射。
第三滤色器层585可以设置在透光层565上。在第一基底100的厚度方向(即，z方向)上，第三发光元件OLED3的第三像素电极315、透光层565和第三滤色器层585可以彼此叠置。第三发光元件OLED3可以发射具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光，并且透光层565和第三滤色器层585可以透射具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光。从第三发光元件OLED3发射的第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光可以穿过透光层565并且可以通过第三滤色器层585过滤。因此，具有第一波段(例如，约450nm至约495nm)的光可以从第三像素PX3发射。也就是说，可以从第三像素PX3发射蓝光。因为从第三发光元件OLED3发射的光穿过透光层565和第三滤色器层585，所以可以提高通过第二基底600发射的光的色纯度。此外，第三滤色器层585可以吸收外部光以减少外部光的反射。
在实施例中，在平面图中，第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585可以设置在虚设层567上以与虚设层567叠置。也就是说，第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585中的全部可以设置在虚设层567上。因此，光可以不通过虚设层567发射到第二基底600。
此外，像素限定层120、中间层320和对电极330可以设置在堤500中限定的第二虚设开口DOP2下面，以与第二虚设开口DOP2叠置。也就是说，像素电极310可以不设置在堤500中限定的第二虚设开口DOP2下面。因此，光可以不发射到与限定在堤500中的第二虚设开口DOP2叠置的第二基底600。另外，第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585可以设置在堤500中限定的第二虚设开口DOP2上，以与第二虚设开口DOP2叠置。也就是说，第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585中的全部可以设置在堤500中限定的第二虚设开口DOP2上。因此，光可以不通过限定在堤500中的第二虚设开口DOP2发射到第二基底600。在这种情况下，中间层320可以包括多个发射层。
在实施例中，至少两个滤色器层可以在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之间彼此叠置。在图10中，示出了其中第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585设置在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之间的示例。如上面描述的，彼此叠置的滤色器层可以用作光阻挡层。
第二基底600可以设置在第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585上。另外，第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585可以在第二基底600与堤500之间布置为彼此叠置。由于第一滤色器层581、第二滤色器层583和第三滤色器层585在第二基底600与堤500之间布置为彼此叠置，因此可以恒定地保持第二基底600与堤500之间的台阶差。
在实施例中，填料400可以设置在发光面板10与彩色面板20之间。填料400可以是用于将发光面板10结合到彩色面板20的层。此外，填料400可以用作抵抗外部压力等的缓冲器。在实施例中，填料400可以具有约1.5至约1.7的折射率。例如，填料400可以具有约1.5至约1.6的折射率。可选择地，填料400可以具有约1.6至约1.7的折射率。当填料400具有约1.5至约1.7的折射率时，可以提高显示设备1的光提取效率。具体地，当填料400具有约1.6至约1.7的折射率时，可以提高显示设备1的光提取效率。
在实施例中，柱状间隔件450可以设置在第一基底100与第二基底600之间。由于柱状间隔件450设置在第一基底100与第二基底600之间，因此可以恒定地保持第一基底100与第二基底600之间的距离。柱状间隔件450可以与堤500和像素限定层120叠置。
在实施例中，柱状间隔件450可以包括与堤500的材料相同的材料。然而，公开不限于此。例如，柱状间隔件450可以包括与堤500的材料不同的材料。
根据如上面描述的公开的实施例，可以实现在制造工艺中具有减少的缺陷的显示设备。然而，公开的范围不受这些效果的限制。
应该理解的是，在此描述的实施例应该仅在描述性含义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。
Claims (30)
1.一种显示设备，所述显示设备包括：
第一基底，包括显示区域和在所述显示区域周围的非显示区域；
堤，设置在所述第一基底的所述显示区域上并且包括第一开口、第二开口、第三开口、第一虚设开口和第二虚设开口；
第一量子点层，位于所述第一开口中；
虚设层，位于所述第一虚设开口中；以及
像素电极，位于所述第一基底与所述堤之间，
其中，所述第一虚设开口不与所述像素电极叠置。
2.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括位于所述第二开口中的第二量子点层。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第一量子点层将具有第一波段的光转换成具有第二波段的光，并且所述第二量子点层将具有所述第一波段的光转换成具有第三波段的光。
4.根据权利要求2所述的显示设备，所述显示设备还包括位于所述第三开口中并允许入射光穿过其的透光层。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述虚设层包括与所述第一量子点层、所述第二量子点层和所述透光层中的至少一个的材料相同的材料。
6.根据权利要求4所述的显示设备，所述显示设备还包括位于所述第一基底上方的第二基底，使得所述堤设置在所述第一基底与所述第二基底之间。
7.根据权利要求6所述的显示设备，所述显示设备还包括：
第一滤色器层，位于所述第一量子点层与所述第二基底之间；
第二滤色器层，位于所述第二量子点层与所述第二基底之间；以及
第三滤色器层，位于所述透光层与所述第二基底之间。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第一滤色器层中的一个、所述第二滤色器层中的一个和所述第三滤色器层中的一个位于所述虚设层中的每个与所述第二基底之间。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述虚设层具有亲水性，并且所述堤具有疏水性。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一虚设开口中的一个的面积大于所述第二虚设开口中的一个的面积。
11.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二虚设开口至少部分地围绕所述第一开口、所述第二开口、所述第三开口和所述第一虚设开口。
12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素电极包括在所述第一基底上彼此间隔开的第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述第一像素电极与所述第一开口中的一个至少部分地叠置，所述第二像素电极与所述第二开口中的一个至少部分地叠置，并且所述第三像素电极与所述第三开口中的一个至少部分地叠置。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极不与所述第一虚设开口叠置。
15.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极不与所述第二虚设开口叠置。
16.根据权利要求12所述的显示设备，所述显示设备还包括：
像素限定层，覆盖所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极中的每个的边缘，所述像素限定层具有暴露所述第一像素电极的至少一部分的开口、暴露所述第二像素电极的至少一部分的开口和暴露所述第三像素电极的至少一部分的开口；
发射层，设置在所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极上并发射具有第一波段的光；以及
对电极，设置在所述发射层上。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述发射层和所述对电极与所述第一虚设开口叠置。
18.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述发射层和所述对电极与所述第二虚设开口叠置。
19.一种显示设备，所述显示设备包括：
发光面板，包括第一基底和发光元件，所述第一基底包括显示区域和在所述显示区域周围的非显示区域，所述发光元件包括像素电极并设置在所述第一基底上；以及
彩色面板，面对所述发光面板并改变从所述发光面板发射的光的波长，
其中，所述彩色面板包括：第二基底；堤，设置在所述第一基底的所述显示区域上并且包括第一开口、第二开口、第三开口、第一虚设开口和第二虚设开口；第一量子点层，位于所述第一开口中；以及虚设层，位于所述第一虚设开口中，并且
其中，所述第一虚设开口不与所述像素电极叠置。
20.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述彩色面板还包括位于所述第二开口中的第二量子点层。
21.根据权利要求20所述的显示设备，其中，所述发光面板发射具有第一波段的光。
22.根据权利要求21所述的显示设备，其中，所述第一量子点层将具有所述第一波段的光转换成具有第二波段的光，并且所述第二量子点层将具有所述第一波段的光转换成具有第三波段的光。
23.根据权利要求21所述的显示设备，其中，所述彩色面板还包括位于所述第三开口中的透光层，
其中，所述透光层透射具有所述第一波段的入射光。
24.根据权利要求23所述的显示设备，其中，所述虚设层包括与所述第一量子点层、所述第二量子点层和所述透光层中的至少一个的材料相同的材料。
25.根据权利要求23所述的显示设备，其中，所述彩色面板还包括：
第一滤色器层，位于所述第一量子点层与所述第二基底之间；
第二滤色器层，位于所述第二量子点层与所述第二基底之间；以及
第三滤色器层，位于所述透光层与所述第二基底之间。
26.根据权利要求25所述的显示设备，其中，所述第一滤色器层中的一个、所述第二滤色器层中的一个和所述第三滤色器层中的一个位于所述虚设层中的每个与所述第二基底之间。
27.根据权利要求25所述的显示设备，其中，所述第一滤色器层、所述第二滤色器层和所述第三滤色器层与所述第二虚设开口叠置。
28.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述虚设层具有亲水性，并且所述堤具有疏水性。
29.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述第二虚设开口至少部分地围绕所述第一开口、所述第二开口、所述第三开口和所述第一虚设开口。
30.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述彩色面板还包括位于所述第一基底与所述第二基底之间并与所述堤叠置的柱状间隔件。
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