CN117954457A - 一种探测基板及平板探测器 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种探测基板及平板探测器，由于偏压线的材料为透明导电材料，所以偏压线不会遮挡光电转换器件，故不会导致光电转换器件的有效面积减小，从而可以提高像素填充率，有利于噪声的降低以及灵敏度的提升；另外，由于偏压线在衬底基板上的正投影至少覆盖光电转换器件的边缘区域在衬底基板上的正投影，这样偏压线可以起到静电屏蔽的作用，减少探测基板在制程中产生的静电mura现象。

Description

一种探测基板及平板探测器
技术领域
本发明涉及光电检测技术领域，特别涉及一种探测基板及平板探测器。
背景技术
基于薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)技术制作的X射线平板探测器(Flat X-ray Panel Detector，FPXD)是数字影像技术中至关重要的元件，由于其具有成像速度快，良好的空间及密度分辨率、高信噪比、直接数字输出等优点，广泛应用于医学影像(如X光胸透)、工业检测(如金属探伤)、安保检测、航空运输等领域。
X射线平板探测器主要包括薄膜晶体管与光电转换器件。在X射线照射下，间接转换型X射线平板探测器的闪烁体层或荧光体层将X射线光子转换为可见光，然后在光电转换器件的作用下将可见光转换为电信号，最终通过薄膜晶体管读取电信号并将电信号输出得到显示图像。
发明内容
本发明实施例提供了一种探测基板及平板探测器，具体方案如下：
本发明实施例提供了一种探测基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个探测像素单元；每一所述探测像素单元包括：设置在所述衬底基板一侧的薄膜晶体管，设置在所述薄膜晶体管背离所述衬底基板一侧的光电转换器件，以及设置在所述光电转换器件背离所述衬底基板一侧的偏压线；其中，
所述光电转换器件划分为中心区域以及围绕所述中心区域设置的边缘区域；
所述偏压线在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述光电转换器件的边缘区域在所述衬底基板上的正投影，且所述偏压线的材料为透明导电材料。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，所述偏压线具有镂空结构，所述镂空结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述光电转换器件的中心区域在所述衬底基板上的正投影。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，所述偏压线在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述光电转换器件的中心区域在所述衬底基板上的正投影。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，所述光电转换器件在所述衬底基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，每一所述探测像素单元还包括位于所述偏压线背离所述衬底基板一侧且与所述偏压线直接接触电连接的辅助电极，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述光电转换器件在所述衬底基板上的正投影不交叠。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，所述偏压线在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述光电转换器件的外围区域在所述衬底基板上的正投影，所述外围区域为包围所述光电转换器件的边缘区域的区域，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述外围区域在所述衬底基板上的正投影相交叠。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，所述探测基板还包括与所述薄膜晶体管电连接的数据线，所述数据线与所述薄膜晶体管的源漏极同层设置；
每一所述光电转换器件对应设置两个所述辅助电极，每一所述光电转换器件对应的两个所述辅助电极沿所述数据线的延伸方向排列。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，所述探测基板还包括：位于所述薄膜晶体管和所述光电转换器件之间的第一钝化层，以及位于所述第一钝化层和所述光电转换器件之间的第一平坦层；
所述光电转换器件包括依次层叠设置在所述第一平坦层背离所述衬底基板一侧的第一电极、光电转换层和第二电极，所述第一电极通过贯穿所述第一平坦层和所述第一钝化层的第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不交叠。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，所述偏压线在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不交叠。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不交叠。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，所述探测基板具有包围所述多个探测像素单元设置的周边区域，所述周边区域具有绑定区，所述绑定区具有焊盘；
所述焊盘包括依次层叠设置在所述衬底基板的一侧且相互电连接的第一导电部、第二导电部和第三导电部，所述第一导电部与所述薄膜晶体管的栅极同层设置，所述第二导电部与所述第二电极同层设置，所述第三导电部与所述偏压线同层设置。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，所述探测基板还包括：位于所述第二电极和所述偏压线之间的第二平坦层，以及位于所述第二平坦层和所述偏压线之间的第二钝化层；所述偏压线通过贯穿所述第二钝化层和所述第二平坦层的第二过孔与所述第二电极电连接。
可选地，在本发明实施例提供的上述探测基板中，所述探测基板还包括：位于所述辅助电极背离所述衬底基板一侧的保护层，以及位于所述保护层背离所述衬底基板一侧的闪烁体层。
相应地，本发明实施例还提供了一种平板探测器，包括本发明实施例提供的上述任一项所述的探测基板。
本发明实施例的有益效果如下：
本发明实施例提供的一种探测基板及平板探测器，由于偏压线的材料为透明导电材料，所以偏压线不会遮挡光电转换器件，故不会导致光电转换器件的有效面积减小，从而可以提高像素填充率，有利于噪声的降低以及灵敏度的提升；另外，由于偏压线在衬底基板上的正投影至少覆盖光电转换器件的边缘区域在衬底基板上的正投影，这样偏压线可以起到静电屏蔽的作用，减少探测基板在制程中产生的静电mura现象。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种探测基板的平面示意图；
图2为图1中一个探测像素单元的一种截面结构示意图；
图3为图1中一个探测像素单元的又一种截面结构示意图；
图4为图2中部分膜层的平面结构示意图；
图5为图3中部分膜层的平面结构示意图；
图6为图1中沿CC’方向的截面示意图；
图7为本发明实施例提供的一种平板探测器的平面示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
相关技术中提供的平板探测器，在光电转换器件的顶电极上设置偏压线，偏压线通过贯穿位于顶电极和偏压线之间的绝缘层的过孔与顶电极电连接，偏压线会覆盖光电转换器件，且偏压线的材料为金属材料，这就导致光电转换器件的有效面积减小，从而造成光电转换器件的填充率降低，导致平板探测器的灵敏度较低。
为了提高平板探测器中光电转换器件的填充率，本发明实施例提供了一种探测基板，如图1-图3所示，图1为探测基板的平面示意图，图2为图1中一个探测像素单元的一种截面示意图，图3为图1中一个探测像素单元的又一种截面示意图，该平板探测器包括衬底基板1以及设置在衬底基板1上的多个探测像素单元P，多个探测像素单元P构成探测像素区域AA；每一探测像素单元P包括：设置在衬底基板1一侧的薄膜晶体管2，设置在薄膜晶体管2背离衬底基板1一侧的光电转换器件3，以及设置在光电转换器件3背离衬底基板1一侧的偏压线4；其中，
光电转换器件3划分为中心区域301以及围绕中心区域301设置的边缘区域302；
偏压线4在衬底基板1上的正投影至少覆盖光电转换器件3的边缘区域302在衬底基板1上的正投影，且偏压线4的材料为透明导电材料。
本发明实施例提供的上述探测基板，由于偏压线的材料为透明导电材料，所以偏压线不会遮挡光电转换器件，故不会导致光电转换器件的有效面积减小，从而可以提高像素填充率，有利于噪声的降低以及灵敏度的提升；另外，由于偏压线在衬底基板上的正投影至少覆盖光电转换器件的边缘区域在衬底基板上的正投影，这样偏压线可以起到静电屏蔽的作用，减少探测基板在制程中产生的静电mura现象。
可选地，透明导电材料可以为ITO。当然，在具体实施时，透明导电材料不限于ITO，也可以为其它透明导电材料。
可选地，衬底基板可以是柔性衬底基板，例如由聚乙烯醚邻苯二甲酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、多芳基化合物、聚醚酰亚胺、聚醚砜或聚酰亚胺等具有优良的耐热性和耐久性的塑料基板；还可以是刚性衬底基板，例如玻璃基板，在此不做限定。
在具体实施时，由于偏压线的材料为透明导电材料，透明导电材料与后续制作的膜层(例如保护层、闪烁体层)之间的结合力较差，导致后续制作的膜层发生脱落，为了提高后续制作的膜层与衬底基板之间的结合力，在本发明实施例提供的上述探测基板中，如图2和图4所示，图4为图2对应的平面示意图，偏压线4具有镂空结构401，镂空结构401在衬底基板1上的正投影覆盖光电转换器件3的中心区域301在衬底基板1上的正投影。这样后续制作的膜层可以通过镂空结构401与前膜层接触，能够增强后续制作的膜层(例如保护层、闪烁体层)与衬底基板之间的结合力，防止后续制作的膜层脱落。
在具体实施时，由于透明导电材料的方阻较大，不利于信号传输，为了降低偏压线的电阻，在本发明实施例提供的上述探测基板中，如图3和图5所示，图5为图3对应的平面示意图，偏压线4在衬底基板1上的正投影还覆盖光电转换器件3的中心区域301在衬底基板1上的正投影。这样透明的偏压线4不仅不会影响光电转换器件3的有效面积，而且偏压线4的电阻降低，可以适用于大尺寸平板探测器产品。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测基板中，如图2-图5所示，光电转换器件3在衬底基板1上的正投影覆盖薄膜晶体管2在衬底基板1上的正投影。这样光电转换器件3可以尽可能的填充探测像素单元P，进一步提高光电转换器件3的填充率，从而进一步提高光电转换器件3的灵敏度。
在具体实施时，为了进一步降低偏压线的电阻，在本发明实施例提供的上述探测基板中，如图2-图5所示，每一探测像素单元P还包括位于偏压线4背离衬底基板1一侧且与偏压线4直接接触电连接的辅助电极5，辅助电极5在衬底基板1上的正投影与光电转换器件3在衬底基板1上的正投影不交叠。具体地，辅助电极5不遮挡光电转换器件3，从而不会影响光电转换器件3的有效面积；并且辅助电极5与偏压线4相当于是并联，从而辅助电极5可以进一步降低偏压线4的电阻，提高光电转换器件3的光电转换性能。
具体地，辅助电极5的材料可以为金属材料。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测基板中，如图2-图5所示，偏压线4在衬底基板1上的正投影还覆盖光电转换器件3的外围区域CC在衬底基板1上的正投影，外围区域CC为包围光电转换器件3的边缘区域302的区域，辅助电极5在衬底基板1上的正投影与外围区域CC在衬底基板1上的正投影相交叠，这样可以保证辅助电极5不遮挡光电转换器件3。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测基板中，如图2-图5所示，薄膜晶体管2包括位于衬底基板1上依次层叠设置的栅极21、有源层22、源极23和漏极24；有源层22的材料可以是非晶硅、多晶硅、IGZO等半导体材料，源极23和漏极24用于传输数据线与像素极电信号；探测基板还包括位于栅极21和有源层22之间的栅绝缘层6。
本发明实施例是以薄膜晶体管为底栅型结构，当然也可以为顶栅型结构。并且，可由钼、铝、银、铜、钛、铂、钨、钽、氮化钽、其合金及其组合或其它合适的材料制作栅极、源极和漏极。另外，薄膜晶体管的源极和漏极，根据晶体管类型(P型或N型)以及输入信号的不同，其功能可以互换，在此不做具体区分。
可选地，上述薄膜晶体管可以采用非晶硅薄膜晶体管、氧化物薄膜晶体管、LTPS薄膜晶体管等。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测基板中，如图2-图5所示，探测基板还包括与薄膜晶体管2的源极23电连接的数据线D以及与薄膜晶体管2的栅极21电连接的栅线G，栅线G和数据线D交叉限定出多个探测像素单元P，数据线D与薄膜晶体管2的源漏极(23、24)同层设置，栅线G与薄膜晶体管2的栅极21同层设置；
每一光电转换器件3对应设置两个辅助电极5，每一光电转换器件3对应的两个辅助电极5可以沿数据线D的延伸方向排列。当然，辅助电极5的设置位置不限于本发明图4和图5中对应的位置，只要辅助电极5不遮挡光电转换器件3均属于本发明实施例保护的范围。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测基板中，如图2-图5所示，探测基板还包括：位于薄膜晶体管2和光电转换器件3之间的第一钝化层7，以及位于第一钝化层7和光电转换器件3之间的第一平坦层8；
光电转换器件3包括依次层叠设置在第一平坦层8背离衬底基板1一侧的第一电极31、光电转换层32和第二电极33，第一电极31通过贯穿第一平坦层8和第一钝化层7的第一过孔V1与薄膜晶体管2的漏极24电连接。
具体地，光电转换层32将光信号转化为电信号，第一电极31用于传导光电转换层32经光照后形成的电信号，第一电极31和第二电极33之间存在正对面积，两者之间形成存储电容，经过光电转换层32转换后的电信号存储在上述存储电容中。工作时，例如向第二电极33施加-5～-10V的电压，使光电转换层32工作在负偏压下，光电转换层32产生不同的电信号，该电信号存储在第一电极31内，第一电极31内存储的电信号通过薄膜晶体管2传输至外部IC，以保存图像数据。
可选地，光电转换层32可以为PN结构或PIN结构。具体的，PIN结构包括N型掺杂的N型半导体层、不掺杂的本征半导体层I和P型掺杂的P型半导体层。本征半导体层I的厚度可以大于P型半导体层和N型半导体层的厚度。
另外，第二电极33在衬底基板1上的正投影位于光电转换层32在衬底基板1上的正投影内，即第二电极33的面积稍小于光电转换层32的面积，这样可减小光电转换层32的侧壁由于刻蚀时损伤而造成的漏电流。
可选地，可由钼、铝、银、铜、钛、铂、钨、钽、氮化钽、其合金及其组合或其它合适的材料形成第一电极31；并可由铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)或其它合适的透明材料形成第二电极33，以提高光线透射效率。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测基板中，如图2-图5所示，光电转换层32在衬底基板1上的正投影与第一过孔V1在衬底基板1上的正投影不交叠。这样可以保证光电转换层32在平坦膜层的表面制作，提高光电转换层32的性能。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测基板中，如图4和图5所示，偏压线4在衬底基板1上的正投影与第一过孔V1在衬底基板1上的正投影不交叠。这样可以防止偏压线4在第一过孔V1处发生断线的风险。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测基板中，如图4和图5所示，辅助电极5在衬底基板1上的正投影与第一过孔V1在衬底基板1上的正投影不交叠。这样可以保证辅助电极5与偏压线4的有效电连接。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测基板中，如图2-图5所示，探测基板还包括：位于第二电极33和偏压线4之间的第二平坦层9，以及位于第二平坦层9和偏压线4之间的第二钝化层10；偏压线4通过贯穿第二钝化层10和第二平坦层9的第二过孔V2与第二电极33电连接。具体地，第二平坦层9用于保证后续制作的膜层在平坦的表面制作，第二钝化层10由于提高与后续膜层之间的结合力，防止后续膜层脱落。
可选地，第一钝化层和第二钝化层的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅其中之一或任意组合；第一平坦层和第二平坦层的材料可以为聚丙烯酸树脂、聚环氧丙烯酸树脂、感光性聚酰亚胺树脂、聚酯丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯树脂、酚醛环氧亚克力树脂等有机绝缘材料，在此不做限定。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测基板中，如图2和图3所示，探测基板还包括：位于辅助电极5背离衬底基板1一侧的保护层11，以及位于保护层11背离衬底基板1一侧的闪烁体层(未示出)。具体地，保护层11可以阻挡外界水汽以及保护偏压线4，保护层11可以由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其他合适的材料形成。
具体地，闪烁体层的材料为能够将X光转换为可见光的材料，其主要由闪烁体构成，闪烁体自身是一类吸收高能粒子或射线后能够发光的材料，通常在应用中将其加工成晶体，称为闪烁晶体；本发明实施例对于闪烁体层的闪烁晶体的具体材料不做限定，其可以为碘化铯(CsI)、钨酸镉、氟化钡、硫氧化钆(GOS)等。
本发明实施例提供的图2和图3所示的探测基板的工作过程为：闪烁体层在X射线的高能粒子的撞击下，将高能粒子的动能转变为光能而发出闪光(可见光信号)，通过光电转换器件3能够将该光信号转化为电信号，并通过薄膜晶体管2读出，以通过后续对信号的处理(包括放大、转换等)得到X射线影像。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述探测基板中，如图1和图6所示，图6为图1中沿CC’方向的截面示意图，探测基板具有包围多个探测像素单元P设置的周边区域BB，周边区域BB具有绑定区DD，绑定区DD具有焊盘9’；焊盘9’用于将外部驱动电路提供的信号传输至探测像素区域AA，例如向栅线G等传输信号；
焊盘9’包括依次层叠设置在衬底基板1的一侧且相互电连接的第一导电部91、第二导电部92和第三导电部93，第一导电部91可以与图2中薄膜晶体管2的栅极21同层设置，第二导电部92可以与图2中光电转换器件3的第二电极33同层设置，第三导电部93可以与图2中偏压线4同层设置，第一导电部91和第二导电部92之间通过贯穿第一钝化层7、第一平坦层8和栅绝缘层6(未示出)的过孔电连接，第二导电部92和第三导电部93之间通过贯穿第二钝化层10和第二平坦层9(未示出)的过孔电连接。这样采用多层导电层制作焊盘9’，不仅可以降低焊盘9’的电阻，提高信号传输性能，并且利用现有膜层制作焊盘9’，不用单独增加mask。
具体地，绑定区在形成第三导电部93之后，后面膜层全部去除，保证第三导电部93表面无其他膜层，便于后端工艺的正常进行。
需要说明的是，图2和图3中各膜层需要使用玻璃基Array制造工艺来进行制作，每一层分别包括薄膜沉积、涂覆光刻胶、曝光、显影、刻蚀等工艺流程，在此不多赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种平板探测器，包括本发明实施例提供的上述探测基板。由于该平板探测器解决问题的原理与前述一种探测基板相似，因此该平板探测器的实施可以参见前述探测基板的实施，重复之处不再赘述。
具体地，如图7所示，图7为平板探测器的平面示意图，栅线G和数据线D交叉限定出多个探测像素单元P，每一探测像素单元包括薄膜晶体管和光电转换器件，同一列薄膜晶体管的漏极与同一条数据线D电连接，同一行薄膜晶体管的栅极与同一条栅线G电连接。该平板探测器还包括FPGA(Field-Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)芯片；栅线G通过COF(Chip On Flex、Chip On Film、常称覆晶薄膜)与FPGA芯片连接；其中，该COF包括栅极驱动芯片(Gate Driver IC)。数据线D通过信号读取芯片(Readout IC，ROIC)与FPGA芯片连接。
本发明实施例提供了一种探测基板及平板探测器，由于偏压线的材料为透明导电材料，所以偏压线不会遮挡光电转换器件，故不会导致光电转换器件的有效面积减小，从而可以提高像素填充率，有利于噪声的降低以及灵敏度的提升；另外，由于偏压线在衬底基板上的正投影至少覆盖光电转换器件的边缘区域在衬底基板上的正投影，这样偏压线可以起到静电屏蔽的作用，减少探测基板在制程中产生的静电mura现象。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明实施例的精神和范围。这样，倘若本发明实施例的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (15)

1.一种探测基板，其特征在于，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多个探测像素单元；每一所述探测像素单元包括：设置在所述衬底基板一侧的薄膜晶体管，设置在所述薄膜晶体管背离所述衬底基板一侧的光电转换器件，以及设置在所述光电转换器件背离所述衬底基板一侧的偏压线；其中，
所述光电转换器件划分为中心区域以及围绕所述中心区域设置的边缘区域；
所述偏压线在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述光电转换器件的边缘区域在所述衬底基板上的正投影，且所述偏压线的材料为透明导电材料。
2.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述偏压线具有镂空结构，所述镂空结构在所述衬底基板上的正投影覆盖所述光电转换器件的中心区域在所述衬底基板上的正投影。
3.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述偏压线在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述光电转换器件的中心区域在所述衬底基板上的正投影。
4.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述光电转换器件在所述衬底基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管在所述衬底基板上的正投影。
5.如权利要求1-4任一项所述的探测基板，其特征在于，每一所述探测像素单元还包括位于所述偏压线背离所述衬底基板一侧且与所述偏压线直接接触电连接的辅助电极，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述光电转换器件在所述衬底基板上的正投影不交叠。
6.如权利要求5所述的探测基板，其特征在于，所述偏压线在所述衬底基板上的正投影还覆盖所述光电转换器件的外围区域在所述衬底基板上的正投影，所述外围区域为包围所述光电转换器件的边缘区域的区域，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述外围区域在所述衬底基板上的正投影相交叠。
7.如权利要求6所述的探测基板，其特征在于，所述探测基板还包括与所述薄膜晶体管电连接的数据线，所述数据线与所述薄膜晶体管的源漏极同层设置；
每一所述光电转换器件对应设置两个所述辅助电极，每一所述光电转换器件对应的两个所述辅助电极沿所述数据线的延伸方向排列。
8.如权利要求7所述的探测基板，其特征在于，所述探测基板还包括：位于所述薄膜晶体管和所述光电转换器件之间的第一钝化层，以及位于所述第一钝化层和所述光电转换器件之间的第一平坦层；
所述光电转换器件包括依次层叠设置在所述第一平坦层背离所述衬底基板一侧的第一电极、光电转换层和第二电极，所述第一电极通过贯穿所述第一平坦层和所述第一钝化层的第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。
9.如权利要求8所述的探测基板，其特征在于，所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不交叠。
10.如权利要求8所述的探测基板，其特征在于，所述偏压线在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不交叠。
11.如权利要求8所述的探测基板，其特征在于，所述辅助电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影不交叠。
12.如权利要求8-11任一项所述的探测基板，其特征在于，所述探测基板具有包围所述多个探测像素单元设置的周边区域，所述周边区域具有绑定区，所述绑定区具有焊盘；
所述焊盘包括依次层叠设置在所述衬底基板的一侧且相互电连接的第一导电部、第二导电部和第三导电部，所述第一导电部与所述薄膜晶体管的栅极同层设置，所述第二导电部与所述第二电极同层设置，所述第三导电部与所述偏压线同层设置。
13.如权利要求8-11任一项所述的探测基板，其特征在于，所述探测基板还包括：位于所述第二电极和所述偏压线之间的第二平坦层，以及位于所述第二平坦层和所述偏压线之间的第二钝化层；所述偏压线通过贯穿所述第二钝化层和所述第二平坦层的第二过孔与所述第二电极电连接。
14.如权利要求13所述的探测基板，其特征在于，所述探测基板还包括：位于所述辅助电极背离所述衬底基板一侧的保护层，以及位于所述保护层背离所述衬底基板一侧的闪烁体层。
15.一种平板探测器，其特征在于，包括如权利要求1-14任一项所述的探测基板。
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