CN110010630B - 数字x射线检测器面板及包括其的x射线系统 - Google Patents

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Abstract

公开了一种数字X射线检测器面板及包括其的X射线系统，其包括栅极驱动器元件嵌入在面板中的面板内栅极(GIP)结构，降低了生产成本，并且容易应用于窄边框和柔性面板。包含具有X射线屏蔽特性的钨或铜的遮光层设置在栅极驱动器元件安装区域中，从而使X射线对嵌入在面板中的栅极驱动器元件的损坏最小化。为了不仅防止垂直入射到面板上的X射线造成的损坏，而且还防止以小于90°的入射角入射到面板上的X射线造成的损坏，遮光层延伸成与栅极驱动器元件安装区域的至少一部分交叠。

Description

数字X射线检测器面板及包括其的X射线系统
技术领域
本公开内容涉及数字X射线检测器面板，以及包括数字X射线检测器面板和X射线发生器的X射线系统，该X射线发生器设置有用于向面板发射X射线的光源。
背景技术
数字X射线检测器(DXD)是指能够检测穿过对象的X射线的透射量(例如，透射率)并且在显示器上显示该对象的内部图像的设备。随着数字技术的快速发展，最近已经开发了基于薄膜晶体管(TFT)的数字X射线检测器，并且该数字X射线检测器已经迅速进入医疗应用。
图1示出了数字X射线检测器模块1，其包括数字X射线检测器面板10、栅极驱动器集成电路(IC)20和读出集成电路(IC)30。如果通过闪烁体将X射线转换成可见光，则数字X射线检测器面板10允许可见光通过PIN二极管转换成电信号，使得电信号通过一系列信号处理步骤。栅极驱动器IC 20和读出IC 30可以连接至面板10的一侧。
数字X射线检测器面板10包括光敏像素。每个光敏像素包括被配置成感测X射线并且将感测的X射线作为信号输出的PIN二极管以及被配置成传输响应于栅极信号从PIN二极管输出的检测信号的薄膜晶体管(TFT)。
栅极驱动器IC 20可以将栅极信号施加到面板10，并且读出IC 30可以读出来自面板20的检测信号。在这种情况下，栅极驱动器IC 20被实现为膜型IC，与面板10分开制造，并且通过附加的模块化制造附接至数字X射线检测器面板10，使得栅极驱动器IC 20被驱动。
然而，栅极驱动器IC 20在其开发和制造中不可避免地消耗高成本(即，金钱和时间)，并且由于被配置成互连栅极驱动器IC 20和数字X射线检测器面板10的连接部分的结构特性而限制了减小数字X射线检测器面板10的边框的尺寸。
另外，由于被配置成与面板10分开的栅极驱动器IC 20的附接，难以实现柔性数字X射线检测器面板。
发明内容
因此，鉴于上述问题提出了本公开，并且本公开的目的是提供一种数字X射线检测器面板，以降低由要与栅极驱动器IC的制造分开执行的附加模块化制造所引起的成本。
本公开的另一个目的是提供一种用于实现窄边框的数字X射线检测器面板。
本公开的另一个目的是提供一种以便于实现柔性面板的数字X射线检测器面板。
本公开的另一个目的是提供一种使受X射线影响的栅极驱动器元件的损坏最小化的数字X射线检测器面板以及包括该数字X射线检测器面板的X射线系统。
本公开内容的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员可以从以下描述中领会其他目的和优点。此外，将容易理解，本公开内容的目的和优点可以通过所附权利要求中所述的手段及其组合来实践。
本公开的各种实施方式涉及提供一种基本消除了由于现有技术的限制和缺点引起的一个或更多个问题的数字X射线检测器面板和包括该数字X射线检测器面板的X射线系统。
根据本公开的一个方面，数字X射线检测器面板包括：基础基板，其形成为包括具有多个像素区域的有源区域、线区域和栅极驱动器元件安装区域；PIN二极管，其设置在有源区域中；薄膜晶体管，其设置在有源区域中并且连接至PIN二极管；栅极驱动器元件，其设置在栅极驱动器元件安装区域中并且被配置成将栅极信号施加至薄膜晶体管；栅极信号线，其设置在线区域中并且被配置成将栅极驱动器元件连接至薄膜晶体管；钝化层，其形成为覆盖有源区域、线区域和栅极驱动器元件安装区域；以及遮光层，其设置在对应于栅极驱动器元件安装区域的钝化层上方。栅极驱动器元件安装区域可以设置在有源区域的一侧或两侧。线区域可以设置在栅极驱动器元件安装区域与有源区域之间。
本公开的实施方式可以使用栅极驱动器元件嵌入在面板中的面板内栅极(GIP)结构，可以降低生产成本，并且可以容易地应用于窄边框和柔性面板。包含具有优异X射线屏蔽特性的钨或铜的遮光层设置在栅极驱动器元件安装区域中，使得X射线对嵌入在面板中的栅极驱动器元件的损坏最小化。
为了不仅防止垂直入射到面板上的X射线造成的损坏，而且还防止以小于90°的入射角入射到面板上的X射线造成的损坏，遮光层延伸成不仅覆盖栅极驱动器元件安装区域而且也覆盖线区域的至少一部分。在这种情况下，使用以下X射线系统，可以利用X射线系统来确定延伸到线区域的遮光层的长度。
根据本公开的另一方面，包括数字X射线检测器面板和设置有用于向数字X射线检测器面板发射X射线的光源的X射线发生器的X射线系统包括遮光层，所述遮光层形成为在从栅极驱动器元件安装区域到线区域的方向上延伸。遮光层从栅极驱动器元件安装区域与线区域之间的边界区域延伸的最小延伸长度(x)由以下式1确定：
x＝d·tan(90°-θ)
式1
其中，d是钝化层的厚度，并且θ满足其中L是从由X射线发生器的光源发射的X射线垂直入射的特定点到栅极驱动器元件安装区域的距离，并且Sdd是从X射线发生器的光源到面板的距离。
如上所述，X射线系统可以不仅考虑X射线入射角而且考虑X射线发生器与数字X射线检测器面板之间的各种关系来布置遮光层，使得可以更有效地使X射线对栅极驱动器元件的损坏最小化。
附图说明
图1是示出根据相关技术的传统数字X射线检测器模块的示意性平面图。
图2是示出数字X射线检测器的示意性框图。
图3是示出根据本公开的实施方式的数字X射线检测器模块的示意性平面图。
图4是示出根据本公开的实施方式的数字X射线检测器面板的示意性截面图。
图5是示出根据本公开的另一实施方式的数字X射线检测器面板的示意性截面图。
图6示出了根据本公开的实施方式的数字X射线检测器面板的一些区域的平面图和截面图。
图7是示出根据本公开的实施方式的包括数字X射线检测器面板和X射线发生器的X射线系统的示意图。
图8是示出根据本公开的实施方式的用于数字X射线检测器面板中的X射线入射的一些区域的示意性截面图。
具体实施方式
根据参照附图的详细描述，上述目的、特征和优点将变得明显。足够详细地描述实施方式以使得本领域技术人员能够容易地实践本公开内容的技术思想。可以省略对公知功能或配置的详细描述以免不必要地模糊本公开的要点。在下文中，将参照附图详细描述本公开的实施方式。贯穿附图，相似的附图标记指代相似的元件。
在下文中，将参考附图描述本公开的实施方式。
在以下描述中，假设在相应构成元件上(上方)或下(下方)形成某个对象，这意味着两个构成元件彼此直接接触或者在两个构成元件之间设置有和形成有一个或更多个构成元件。另外，假设在相应构成元件上方或下方形成某个对象，这意味着也可以基于一个构成元件的位置沿向上或向下方向布置对象。
将理解的是，当一个元件被称为“连接至”另一元件、“耦接至”另一元件或由另一元件“接入”时，尽管一个元件可以直接连接至另一元件或由另一元件直接接入，但是一个元件也可以经由其他元件“连接至”另一元件、“耦接至”另一元件或由另一元件“接入”。
图2是示出数字X射线检测器的示意性平面图。参照图2，数字X射线检测器可以包括薄膜晶体管(TFT)阵列110、栅极驱动器130、偏置供应器140、电源电压供应器150、读出电路160和定时控制器170。
TFT阵列110可以感测从能量源发射的X射线，可以执行对感测信号的光电转换，因而可以输出电检测信号。在TFT阵列110中，每个单元区域不仅可以由沿水平方向布置的多条栅极线(GL)限定，而且还可以由沿垂直于水平方向的竖直方向布置的多条数据线(DL)限定。TFT阵列110的每个单元区域可以包括以矩阵布置的多个光敏像素(P)。
每个光敏像素(P)可以包括被配置成感测从X射线转换的光并且将感测到的光作为信号输出的PIN二极管以及被配置成传输响应于栅极信号从PIN二极管输出的检测信号的薄膜晶体管(TFT)。PIN二极管的一侧可以连接至薄膜晶体管(TFT)，并且其另一侧可以连接至偏置线(BL)。
薄膜晶体管(TFT)的栅电极可以连接至栅极线(GL)，扫描信号通过该栅极线(GL)传输，源电极可以连接至PIN二极管，并且漏电极可以连接至数据线(DL)，检测信号通过该数据线(DL)传输。偏置线BL可以与数据线(DL)平行布置。
栅极驱动器130可以通过栅极线(GL)顺序地施加多个栅极信号，所述多个栅极信号中的每一个具有栅极导通电压电平。栅极驱动器130还可以通过多条复位线(RL)施加多个复位信号，所述多个复位信号中的每一个具有栅极导通电压电平。此处，栅极导通电压电平可以指光敏像素的薄膜晶体管可以被导通的电压电平。光敏像素的薄膜晶体管可以响应于栅极信号或复位信号而导通。
栅极驱动器130可以是集成电路(IC)，使得栅极驱动器130可以组装于连接至TFT阵列110的外部基板上或者可以通过面板内栅极(GIP)处理形成在TFT阵列110上方。
栅极驱动器130可以通过面板内栅极(GIP)处理形成在TFT阵列110上方。
偏置供应器140可以通过偏置线(BL)施加驱动电压。偏置供应器140可以将预定电压施加至PIN二极管。在这种情况下，偏置供应器140可以选择性地将反向偏置或正向偏置施加至PIN二极管。
电源电压供应器150可以通过电源电压线(VL)将电源电压供应至光敏像素。
读出电路160可以读出从薄膜晶体管(TFT)生成的检测信号，该薄膜晶体管(TFT)响应于栅极信号而导通。因此，从PIN二极管生成的检测信号可以通过数据线(DL)被输入至读出电路160。
读出电路160可以包括信号检测器、多路复用器等。信号检测器可以包括与数据线(DL)一一对应的多个放大电路，并且每个放大电路可以包括放大器、电容器、复位元件等。
为了控制栅极驱动器130，定时控制器170可以生成启动信号(STV)、时钟信号(CPV)等，并且可以将启动信号(STV)、时钟信号(CPV)等传输至栅极驱动器130。为了控制读出电路160，定时控制器170可以生成读出控制信号(ROC)、读出时钟信号(CLK)等，并且可以将读出控制信号(ROC)、读出时钟信号(CLK)等传输至读出电路160。
在下文中将参照图3至图6描述根据本公开的数字X射线检测器面板。
根据本公开的数字X射线检测器面板200可以包括基础基板211。基础基板211包括有源区域AA、至少一个线区域WA和至少一个栅极驱动器元件安装区域GA。
有源区域AA可以包括设置在每个像素区域中的PIN二极管240，以及连接至PIN二极管240的薄膜晶体管220。栅极驱动器元件安装区域GA可以包括栅极驱动器元件270，用于将栅极信号施加到有源区域AA的薄膜晶体管220。线区域WA可以包括用于将栅极驱动器元件270和薄膜晶体管220电互连的栅极信号线281，并且还可以包括伪图案283。
以下将详细描述有源区域AA。在基础基板210上可以设置有多条栅极线GL和垂直于多条栅极线GL的多条数据线DL。像素区域(PA)可以由沿一个方向布置的栅极线GL和沿垂直于栅极线GL的另一个方向布置的数据线DL的交叉区域来限定。在这种情况下，基础基板211可以由硅、玻璃等形成。基础基板211也可以由诸如聚酰亚胺的柔性基板形成，但不限于此。
沿一个方向布置的栅极线GL和沿垂直于栅极线GL的另一个方向布置的数据线DL的交叉区域可以包括以矩阵布置的多个像素区域(PA)。下文中将描述包括在单个像素区域(PA)中的器件的布置关系，并且除非另外特别声明，否则该布置关系也可以同等地应用于其他像素区域(PA)。
可以为每个像素区域(PA)形成单独的薄膜晶体管220，以对应于单个像素区域(PA)。因此，多个薄膜晶体管220可以设置在由多个像素区域PA限定的基础基板211上方。在这种情况下，尽管在基础基板211与薄膜晶体管220之间可以设置有缓冲层，该缓冲层由硅氧化物(SiOx)膜或硅氮化物(SiNx)膜形成的单层或多层结构形成，但是必要时根据在基础基板211上方形成的材料，也可以省略缓冲层。
更详细地，薄膜晶体管220可以形成为包括栅电极221、有源层223、源电极224a和漏电极224b。
为了防止PIN二极管240的填充因子的减小，连接至栅极线GL和数据线DL的薄膜晶体管220可以设置成靠近栅极线GL和数据线DL的交叉点。
填充因子是指X射线检测器的光接收区域与一个像素区域的比率。更详细地，填充因子由PIN二极管240的区域与一个像素区域的比率限定。因此，如果填充因子减小，则尽管对应于减小的填充因子的可见光被发射至PIN二极管240，但是要被转换的电信号的数目也由于光接收区域的减少而减少，使得X射线检测器的性能或吞吐量也劣化。
因此，根据一个实施方式，响应于多个像素区域(PA)连接至PIN二极管240的各个薄膜晶体管220可以设置成靠近栅极线GL和数据线DL的交叉点。
更详细地，薄膜晶体管220可以设置在像素区域PA中，并且仅薄膜晶体管220的一些部分可以设置在像素区域PA中。另外，薄膜晶体管220可以沿着与像素区域PA的边界部分对应的栅极线GL或数据线DL设置，使得可以使PIN二极管240的填充因子的减小最小化。
由导电材料形成的栅电极221可以设置在对应于像素区域PA的基础基板211上方。栅电极221可以由选自钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、和铜(Cu)的任意一种材料形成，或者可以由其合金形成。栅电极221可以由单层或多层结构形成。
在栅电极221上方可以设置有覆盖整个基础基板211的栅极绝缘层222。栅极绝缘层222可以是由硅氧化物(SiOx)膜或硅氮化物(SiNx)膜形成的单层或多层结构。
在对应于栅电极221的栅极绝缘层222上方可以设置有有源层223。源电极224a和漏电极224b可以分别接触有源层223的两端，并且可以分别连接至有源层223的两端。在这种情况下，有源层223可以由氧化物半导体材料诸如铟镓锌氧化物(IGZO)形成，或者也可以由低温多晶硅(LTPS)材料或非晶硅(a-Si)形成。
在源电极224a和漏电极224b上方可以设置有覆盖基础基板211的整个表面的第一保护层230。在第一保护层230中，可以形成有对应于源电极224a的第一接触孔231。PIN二极管240的下电极241可以通过分配给每个像素区域(PA)的第一接触孔231设置在第一保护层230上方，使得下电极241可以通过第一接触孔231连接至薄膜晶体管220的源电极224a。
PIN二极管240可以设置在像素区域(PA)上方。通过第一接触孔231连接至薄膜晶体管220的PIN二极管240的下电极241可以形成在第一保护层230上方。根据PIN二极管240的特性，下电极241可以由诸如钼(Mo)的非透明金属或诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或锌氧化物(ZnO)的透明氧化物材料形成。
在PIN二极管240的下电极241上方可以设置有PIN层243。更详细地，可以形成其中顺序地堆叠具有N型杂质的N型(负)半导体层、不具有杂质的本征(I型)半导体层和包括P型杂质的P型(正)半导体层的PIN层243。
与N型半导体层和P型半导体层相比，本征(I型)半导体层可以形成为具有更大的厚度。PIN层243可以包括能够将从X射线通过闪烁体层299和299'转换的可见光转换成电信号的材料。例如，PIN层233可以包括非晶硒(a-Se)、碘化汞(HgI2)、碲化镉(CdTe)、氧化铅(PbO)、碘化铅(PbI2)、三碘化铋(BiI3)、砷化镓(GaAs)、锗(Ge)等。
在PIN层243上方可以设置有对应于PIN层243的上电极245。上电极245可以由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或锌氧化物(ZnO)的透明导电材料形成以提高闪烁体层(290、299')的光透射效率，闪烁体层(290、299')接收X射线并且执行X射线的波长的转换。
在上电极245上方可以设置有覆盖上电极245的第二保护层250。在这种情况下，对应于上电极245的第二保护层250可以设置有第二接触孔251，并且在第二保护层250上方可以设置有偏置电极260，使得偏置电极260可以通过第二接触孔251连接至PIN二极管240的上电极245。第三保护层265覆盖偏置电极260并与偏置电极260接触。它还覆盖其下方的结构，包括与第二保护层250接触的结构。
在栅极驱动器元件安装区域GA中，可以使用面板内栅极(GIP)方案来设置用于将栅极信号施加至薄膜晶体管220的栅极驱动器元件270。
在这种情况下，栅极驱动器安装区域GA可以设置在有源区域AA的一侧或两侧。因此，根据本公开的GIP方案可以使用交织(interlacing)方案和双向馈送方案中的任何一种来实现，在交织方案中以奇偶顺序交替地施加信号，在双向馈送方案中双向地施加栅极信号。如果需要，诸如DAC或SLC的各种GIP电路也可以应用于本公开，但是本公开的范围和精神不限于此。
线区域WA可以设置在栅极驱动器安装区域GA与有源区域AA之间，并且可以包括用于将栅极驱动器元件270连接至薄膜晶体管220的栅极信号线281。线区域WA不仅可以包括栅极信号线281，还可以包括诸如接地线(GND)或偏置线的各种线282，并且可以根据各种设计以各种方式改变。
另外，线区域(WA)还可以包括伪图案283。伪图案283可以减少可能在相邻有源区域AA的每个像素中发生的静电，并且可能经受对设置在有源区域AA的最外部的一个或更多个像素的制造损坏。也就是说，伪图案283基本上不被驱动，并且可以保护有源区域AA。在这种情况下，尽管伪图案283可以以与像素的PIN二极管240或薄膜晶体管220类似的方式实现，但是本公开的范围和精神不限于此。
根据本公开的数字X射线检测器面板200的基础基板211被限定为包括有源区域AA、线区域WA和栅极驱动器安装区域GA。在基础基板211的有源区域AA、线区域WA和栅极驱动器元件安装区域GA上方可以设置有钝化层290。钝化层290可以使面板200平坦化，并且可以由无机材料形成。
在对应于栅极驱动器元件安装区域GA的钝化层290上方可以设置有遮光层295。根据本公开的栅极驱动器元件270被实现为嵌入在数字X射线检测器面板200中的GIP结构，使得存在栅极驱动器元件270直接暴露于X射线的高可能性。因此，通过在栅极驱动器元件安装区域GA中布置具有优异X射线屏蔽特性的遮光层295，可以使X射线对嵌入在面板200中的栅极驱动器元件270的损坏最小化。
遮光层295可以实现为膜状X射线屏蔽膜，并且可以附接至面板的钝化层290。遮光层295可以由具有优异X射线屏蔽特性的钨(W)或铜(Cu)形成。
为了不仅防止垂直入射到面板上的X射线造成的损坏，而且还防止以小于90°的入射角入射到面板上的X射线造成的损坏，遮光层295可以延伸成不仅覆盖栅极驱动器元件安装区域GA而且也覆盖线区域WA的至少一部分。也就是说，遮光层295可以在从栅极驱动器元件安装区域GA到线区域WA的方向上延伸，使得遮光层295可以设置为覆盖线区域WA的至少一部分。然而，当遮光层295覆盖有源区域AA时，可能减小PIN二极管的填充因子。优选地，遮光层295最大可以延伸到线区域WA与有源区域AA之间的边界区域。
对应于有源区域AA、线区域(WA)和栅极驱动器元件安装区域(GA)的闪烁体层299可以在遮光层295上方形成为膜形状，如图4所示。在钝化层290和遮光层295之间可以设置有有机层297，如图5所示。另外，还可以设置有闪烁体层299'，其通过在遮光层295暴露的有机层297或对应于有源区域AA的有机层297上方沉积多个闪烁体而形成。闪烁体层299和299'可以由碘化铯(CsI)形成。
上述数字X射线检测器面板200可以如下进行操作。
被发射至数字X射线检测器面板200的X射线可以通过闪烁体层299和299'被转换成可见光。可见光可以通过PIN二极管240的PIN层243被转换成电子信号。
更详细地，当可见光被发射至PIN层243时，本征(I型)半导体层被P型半导体层和N型半导体层耗尽，并且因此在其中产生电场。由光产生的电子和空穴可以通过电场进行漂移，并且然后分别在P型半导体层和N型半导体层中被收集。
PIN二极管240可以将可见光转换为电子信号，并且可以将电子信号递送至薄膜晶体管220。经递送的电子信号可以在通过连接至薄膜晶体管220的数据线之后显示为图像信号。
如上所述，根据本公开的数字X射线检测器面板200可以包括其中栅极驱动器元件270嵌入在面板200中的GIP结构，可以容易地实现窄边框和柔性面板，并且可以使用具有优异的X射线屏蔽特性的遮光层295保护栅极驱动器元件270，使得可以使X射线损坏最小化。
为了不仅防止垂直入射到面板200上的X射线造成的损坏，而且还防止由以小于90°的入射角入射到面板200上的X射线引起的损坏，遮光层295可以延伸到不仅覆盖栅极驱动器元件安装区域GA而且覆盖线区域WA的至少一部分，使得可以获得更有效的X射线屏蔽效果。
在这种情况下，可以使用以下X射线系统300来确定遮光层295的延伸长度，该遮光层295从栅极驱动器元件安装区域GA延伸到线区域WA并且因此设置在线区域WA中。
根据本公开的X射线系统300可以包括数字X射线检测器面板200和X射线发生器310，X射线发生器310设置有用于向面板200发射X射线的光源320。
在这种情况下，遮光层295可以从栅极驱动器元件安装区域GA延伸到线区域WA，并且遮光层295从栅极驱动器元件安装区域GA与线区域WA之间的边界区域延伸的最小延伸长度(x)可以由以下式1确定。
x＝d·tan(90°-θ)
式1
在式1中，d是钝化层290的厚度，并且θ满足
另外，L是从由X射线发生器310的光源320发射的X射线垂直入射的特定点到栅极驱动器元件安装区域GA的距离，并且Sdd是从X射线发生器310的光源320到面板200的距离。
通常，从X射线光源320发射的X射线可以垂直入射在数字X射线检测器面板200的中心部分上。随着入射在面板200上的X射线的位置逐渐移动靠近面板200的外表面，X射线入射角移动成低于90°。因此，为了有效地屏蔽以较低的入射角入射在面板200上的X射线，遮光层295可以延伸到线区域WA的一些区域。
具体地，本公开可以使用式1来确定遮光层295的最佳最小延伸长度，使得可以最大化X射线屏蔽效果。
根据需要，X射线发生器310的光源320可以基于面板200的侧面形成垂直轴。即使在这种情况下，也可以使用式1预先确定遮光层295的最小延伸长度。
例如，当首先测量从由X射线发生器310的光源320发射的X射线垂直入射的特定点到栅极驱动器元件安装区域GA的长度L并且然后测量从光源320到面板200的距离Sdd时，可以使用该式计算入射在栅极驱动器元件安装区域GA上的X射线的入射角θ。
随后，测量钝化层290的厚度(d)和入射角θ，使得可以使用式1“x＝d·tan(90°-θ)”计算要分配给线区域WA的遮光层295的最小延伸长度(x)。
根据本公开的X射线系统300可以不仅考虑X射线入射角而且考虑X射线发生器310与数字X射线检测器面板200之间的各种关系来布置遮光层295，使得可以更有效地使X射线对栅极驱动器元件270的损坏最小化。
从以上描述明显的是，本公开的实施方式可以允许栅极驱动器元件GIP嵌入在数字X射线检测器面板中，从而便于实现窄边框和柔性面板。
本公开的实施方式可以允许栅极驱动器元件GIP嵌入在数字X射线检测器面板中，使得不需要制造和模块化单独的栅极驱动器IC，从而降低了生产成本。
本公开的实施方式可以使用由具有优异X射线屏蔽特性的材料形成的遮光层来保护栅极驱动器元件，并且可以使X射线对嵌入在面板中的栅极驱动器元件的损坏最小化。
本公开的实施方式可以使用X射线系统调整设置在线区域中的遮光层的长度，其中不仅考虑了X射线入射角，而且考虑了X射线发生器与数字X射线检测器面板之间的各种关系，使得可以更有效地使X射线对栅极驱动器元件的损坏最小化。
在不偏离本公开的范围和精神的情况下，本公开所属领域的技术人员可以对上述本公开进行各种替换、改变和修改。因此，本公开不限于上述示例性实施方式和附图。
可以对上述各种实施方式进行组合以提供另外的实施方式。
可以根据以上详细描述对本实施方式进行这些或者其他改变。通常，在所附权利要求中，所使用的术语不应被解释为将权利要求限于说明书和权利要求书中公开的具体实施方式，而应被解释为包括所有可能的实施方式以及这样的权利要求的等同内容的全部范围。因此，权利要求不受公开内容的限制。

Claims (8)

1.一种数字X射线检测器面板，包括：
基础基板，其包括具有多个像素区域的有源区域、线区域和栅极驱动器元件安装区域；
PIN二极管，其设置在所述有源区域中；
薄膜晶体管，其设置在所述有源区域中并且连接至所述PIN二极管；
栅极驱动器元件，其设置在所述栅极驱动器元件安装区域中并且被配置成生成栅极信号；
栅极信号线，其设置在所述线区域中并且被配置成将所述栅极驱动器元件连接至所述薄膜晶体管；
钝化层，其形成为覆盖所述有源区域、所述线区域和所述栅极驱动器元件安装区域；以及
遮光层，其设置在所述钝化层上方并且与所述栅极驱动器元件安装区域的至少一部分交叠，
其中，所述遮光层延伸成与所述线区域的至少一部分交叠并且最大延伸到所述线区域与所述有源区域之间的边界区域。
2.根据权利要求1所述的数字X射线检测器面板，其中：
所述栅极驱动器元件安装区域设置在所述有源区域的至少一侧，并且
所述线区域设置在所述栅极驱动器元件安装区域与所述有源区域之间。
3.根据权利要求1所述的数字X射线检测器面板，其中，所述遮光层包含钨或铜。
4.根据权利要求1所述的数字X射线检测器面板，其中，所述线区域包括伪图案。
5.根据权利要求1所述的数字X射线检测器面板，还包括：
设置在所述遮光层上方的闪烁体层，
其中，所述闪烁体层在所述有源区域、所述线区域和所述栅极驱动器元件安装区域上方延伸。
6.根据权利要求1所述的数字X射线检测器面板，还包括：
设置在所述钝化层与所述遮光层之间的有机层；以及
设置在所述有机层上方的闪烁体层，所述闪烁体层在所述有源区域上方延伸。
7.一种X射线系统，包括：
根据权利要求1至6中任一项所述的数字X射线检测器面板；以及
X射线发生器，其设置有用于向所述数字X射线检测器面板发射X射线的光源。
8.根据权利要求7所述的X射线系统，其中：
所述遮光层从所述栅极驱动器元件安装区域与所述线区域之间的边界区域延伸的最小延伸长度满足以下关系：
x＝d·tan(90°-θ)
其中x是所述最小延伸长度，d是所述钝化层的厚度，并且θ等于L是从由所述X射线发生器的所述光源发射的X射线垂直入射的特定点到所述栅极驱动器元件安装区域的距离，并且Sdd是从所述X射线发生器的所述光源到所述数字X射线检测器面板的距离。
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