CN117950279B - 一种图形关键尺寸量测方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种图形关键尺寸量测方法、装置、电子设备及存储介质，涉及电力电子半导体制造技术领域，包括：在切割道上形成每个曝光场对应的当层量测标识，当层量测标识由前层量测标识按照预设比例缩放确定，当层量测标识包括分别形成于曝光场四个顶角位置处的多个第一量测标识；根据当层量测标记图形，完成对晶圆上形成图形对应的关键尺寸的量测，其中，当层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由多个第一量测标识之间拼接形成，当层量测标记图形与前层量测标记图形不重合。本申请通过前层量测标记图形和当层量测标记图形之间的不重叠设置，避免二次刻蚀现象，保证后续关键尺寸量测结果的准确性和有效性，以及避免破坏晶圆性能。

Description

一种图形关键尺寸量测方法、装置、电子设备及存储介质

技术领域

本申请涉及电力电子半导体制造技术领域，尤其涉及一种图形关键尺寸量测方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

光刻工艺在芯片制作工艺中重要工艺技术之一，其能将掩膜版上的图形转移到硅片表面，在光刻工艺过程中将掩膜版上的图形投影到硅片表面的光刻胶上，通过曝光发生光化学反应，然后通过显影形成光刻图形，实现掩膜版图形的转移，而光刻图形的关键尺寸是监测光刻工艺好坏的关键指标。

目前量测光刻图形的关键尺寸的步骤大概分为：粗对准、细对准、图形定位、图形量测四个步骤，其中粗对准和细对准需要使用对比度较高的量测标记图形做识别才能进行图形量测，现有的相邻层之间的量测标记图形会完全重合，在一些特殊制程工艺上并不适用，如当存在当层刻蚀深度比前层刻蚀深度要深时，量测标记图形在同一位置会造成刻蚀穿透，刻蚀穿透会造成刻蚀环境污染以及有残留物的产生，残留物进入到芯片中会对里面的器件结构构成不良的影响，进而会影响芯片的性能，且量测标记图形也会被破坏，导致后续关键尺寸的测量结果不准确，丧失其有效性。

发明内容

有鉴于此，本申请的目的在于至少提供一种图形关键尺寸量测方法、装置、电子设备及存储介质，通过前层量测标记图形和当层量测标记图形之间的不重叠设置，避免二次刻蚀现象，保证后续关键尺寸量测结果的准确性和有效性，以及避免破坏晶圆性能。

本申请主要包括以下几个方面：

第一方面，本申请实施例提供一种图形关键尺寸量测方法，方法包括：提供一晶圆，晶圆由切割道划分为多个曝光场；使用曝光设备将光罩上的图形在晶圆的当层进行曝光，以在切割道上形成每个曝光场对应的当层量测标识，当层量测标识由前层量测标识按照预设比例缩放确定，当层量测标识包括分别形成于曝光场四个顶角位置处的多个第一量测标识，多个第一量测标识之间呈中心对称，对称中心为曝光场中心；根据当层量测标记图形，完成对晶圆上形成图形对应的关键尺寸的量测，其中，当层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由多个第一量测标识之间拼接形成，当层量测标记图形与前层量测标记图形不重合。

在一种可能得实施方式中，光罩包括由切割道划分开的多个当层曝光图案，多个当层曝光图案与多个曝光场一一对应，每个当层曝光图案对应切割道上形成有该当层曝光图案对应的当层量测标识，其中，通过以下方式在光罩上形成每个曝光图案对应的当层量测标识：获取当层曝光图案对应的曝光场的前层量测标识，前层量测标识包括分别形成于曝光场四个顶角位置处的多个第二量测标识，多个第二量测标识之间呈中心对称，对称中心为曝光场中心；将当层曝光图案的目标顶角处对应的第二目标量测标识按照预设比例进行缩放，以形成位于目标顶角处的第一目标量测标识；将第一目标量测标识分别旋转不同角度后，将得到的第一量测标识置于除目标顶角之外的其余顶角位置，以在光罩形成当层曝光图案对应的当层量测标识。

在一种可能得实施方式中，将第一目标量测标识分别旋转不同角度后，将得到的第一量测标识置于除目标顶角之外的其余顶角位置，包括：将第一目标量测标识分别旋转90°、180°和270°，依次得到三个第一量测标识；从目标顶角处开始，按照顺时针顺序将先后得到的三个第一量测标识分别置于除目标顶角之外的其余三个顶角位置处。

在一种可能得实施方式中，第一量测标识和第二量测标识在切割道宽度方向的长度均小于切割道宽度的二分之一。

在一种可能得实施方式中，前层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由多个第二量测标识之间拼接形成，当层量测标记图形和前层量测标记图形均的中心均处于切割道中心。

在一种可能得实施方式中，曝光场每个顶角处对应的第一量测标识和第二量测标识的图形中心相同，标识线条不重合。

第二方面，本申请实施例还提供一种图形关键尺寸量测装置，装置包括：提供模块，用于提供一晶圆，晶圆由切割道划分为多个曝光场；曝光模块，用于使用曝光设备将光罩上的图形在晶圆的当层进行曝光，以在切割道上形成每个曝光场对应的当层量测标识，当层量测标识由前层量测标识按照预设比例缩放确定，当层量测标识包括分别形成于曝光场四个顶角位置处的多个第一量测标识，多个第一量测标识之间呈中心对称，对称中心为曝光场中心；量测模块，用于根据当层量测标记图形，完成对晶圆上形成图形对应的关键尺寸的量测，其中，当层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由多个第一量测标识之间拼接形成，当层量测标记图形与前层量测标记图形不重合。

在一种可能得实施方式中，光罩包括由切割道划分开的多个当层曝光图案，多个当层曝光图案与多个曝光场一一对应，每个当层曝光图案对应切割道上形成有该当层曝光图案对应的当层量测标识，其中，装置还包括：当层量测标识形成模块，用于：获取当层曝光图案对应的曝光场的前层量测标识，前层量测标识包括分别形成于曝光场四个顶角位置处的多个第二量测标识，多个第二量测标识之间呈中心对称，对称中心为曝光场中心；将当层曝光图案的目标顶角处对应的第二目标量测标识按照预设比例进行缩放，以形成位于目标顶角处的第一目标量测标识；将第一目标量测标识分别旋转不同角度后，将得到的第一量测标识置于除目标顶角之外的其余顶角位置，以在光罩形成当层曝光图案对应的当层量测标识。

第三方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括：处理器、存储器和总线，存储器存储有处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，处理器与存储器之间通过总线进行通信，机器可读指令被处理器运行时执行上述第一方面或第一方面中任一种可能的实施方式中的图形关键尺寸量测方法的步骤。

第四方面，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器运行时执行上述第一方面或第一方面中任一种可能的实施方式中的图形关键尺寸量测方法的步骤。

本申请实施例提供的一种图形关键尺寸量测方法、装置、电子设备及存储介质，包括：在切割道上形成每个曝光场对应的当层量测标识，当层量测标识由前层量测标识按照预设比例缩放确定，当层量测标识包括分别形成于曝光场四个顶角位置处的多个第一量测标识；根据当层量测标记图形，完成对晶圆上形成图形对应的关键尺寸的量测，其中，当层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由多个第一量测标识之间拼接形成，当层量测标记图形与前层量测标记图形不重合。本申请通过前层量测标记图形和当层量测标记图形之间的不重叠设置，避免二次刻蚀现象，保证后续关键尺寸量测结果的准确性和有效性，以及避免破坏晶圆性能。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了本申请实施例所提供的一种图形关键尺寸量测方法的流程图；

图2示出了本申请实施例提供的一种量测标识的示意图；

图3示出了本申请实施例提供的一种量测标记图形的示意图；

图4示出了本申请实施例提供的一种曝光场对应的当层量测标识位置关系的示意图；

图5示出了本申请实施例提供的一种当层量测标记图形和前层量测标记图形堆叠后形成图形的示意图；

图6示出了本申请实施例提供的一种图形关键尺寸量测装置的结构示意图；

图7示出了本申请实施例所提供的一种电子设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当理解，本申请中的附图仅起到说明和描述的目的，并不用于限定本申请的保护范围。另外，应当理解，示意性的附图并未按实物比例绘制。本申请中使用的流程图示出了根据本申请的一些实施例实现的操作。应当理解，流程图的操作可以不按顺序实现，没有逻辑的上下文关系的步骤可以反转顺序或者同时实施。此外，本领域技术人员在本申请内容的指引下，可以向流程图添加一个或多个其他操作，也可以从流程图中移除一个或多个操作。

另外，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的全部其他实施例，都属于本申请保护的范围。

目前晶圆光刻图形关键尺寸的量测步骤大概分为：粗对准、细对准、图形定位、图形量测四个步骤，其中粗对准和细对准需要使用对比度较高的量测标记图形做识别才能进行图形量测。

现有量测标记图形不会根据晶圆不同光刻层进行区分，在切割道同一位置上，相邻层对应的量测标记图形是完全相同的，也就是说，量测标记图形的前层标记图形和当层标记图形会完全重合，这种情况在一些特殊制程工艺上并不适用，如工艺需求指示当层刻蚀深度需要比前层刻蚀深度深时，同一位置上不同层的量测标记图形会造成刻蚀穿透，刻蚀穿透会造成刻蚀环境污染以及有残留物的产生，而产生的残留物若进入到曝光场中，则会对曝光场内部的器件结构带来不良影响，进而直接影响晶圆性能。

且刻蚀穿透所带来的直观影响就是造成当层量测标记图形的损坏，直接使后续整个图形量测结果都是无效的。

基于此，本申请实施例提供了一种图形关键尺寸量测方法、装置、电子设备及存储介质，通过前层量测标记图形和当层量测标记图形之间的不重叠设置，避免二次刻蚀现象，保证后续关键尺寸量测结果的准确性和有效性，以及避免破坏晶圆性能，具体如下：

请参阅图1，图1示出了本申请实施例所提供的一种图形关键尺寸量测方法的流程图。如图1所示，本申请实施例提供的方法，包括以下步骤：

S100、提供一晶圆。

晶圆由切割道划分为多个曝光场；

S200、使用曝光设备将光罩上的图形在晶圆的当层进行曝光，以在切割道上形成每个曝光场对应的当层量测标识。

当层量测标识由前层量测标识按照预设比例缩放确定，当层量测标识包括分别形成于曝光场四个顶角位置处的多个第一量测标识，多个第一量测标识之间呈中心对称，对称中心为曝光场中心。

S300、根据当层量测标记图形，完成对晶圆上形成图形对应的关键尺寸的量测。

其中，当层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由多个第一量测标识之间拼接形成，当层量测标记图形与前层量测标记图形不重合。

在步骤S200中，晶圆当层为除晶圆首层之外的任一层，请参阅图2，图2示出了本申请实施例提供的一种量测标识的示意图。如图2所示，假设曝光场10对应的当层量测标识包括四个第一量测标识20，四个第一量测标识20分别形成于曝光场10对应的四个顶角位置处，且四个第一量测标识20位于曝光场10对应的切割道内，四个第一量测标识20关于曝光场10的中心呈中心对称，曝光场10对应的前层量测标识包括分别形成于曝光场10四个顶角位置处的多个第二量测标识30。

同样的，多个第二量测标识30之间呈中心对称，对称中心为曝光场中心，优选的，曝光场每个顶角处对应的第一量测标识和第二量测标识的图形中心相同，标识线条不重合。

具体的，本申请中，处于曝光场10同一顶角位置处的第一量测标识20和第二量测标识30的形状和图形中心均相同，且第一量测标识20可通过第二量测标识30按照预比例缩放得到，如图2曝光场10左下顶角所示的第一量测标识20和第二量测标识30，其具备同一图形中心O。

请参阅图3，图3示出了本申请实施例提供的一种量测标记图形的示意图。在步骤S300中，以当层量测标记图形为例，如图3所示的相邻的四个曝光场10、11、12和13，由于切割道的重合，曝光场10右下顶角处的第一量测标识20、曝光场11左下顶角处的第一量测标识20、曝光场12右上顶角处的第一量测标识20和曝光场13左上顶角处的第一量测标识20，在切割道内拼接形成对应的当层量测标记图形40。

具体的，晶圆不同层的光刻需要使用不同的光罩进行图形曝光，本申请中，晶圆当层光刻所使用的光罩包括：由切割道划分开的多个当层曝光图案，多个当层曝光图案与多个曝光场一一对应，每个当层曝光图案对应切割道上形成有该当层曝光图案对应的当层量测标识，晶圆前层光刻所使用的光罩包括：由切割道划分开的多个前层曝光图案，多个前层曝光图案与多个曝光场一一对应，每个前层曝光图案对应切割道上形成有该前层曝光图案对应的前层量测标识。

在一优选实施例中，通过以下方式在晶圆当层对应的光罩上形成每个曝光图案对应的当层量测标识：

获取当层曝光图案对应的曝光场的前层量测标识，将当层曝光图案的目标顶角处对应的第二目标量测标识按照预设比例进行缩放，以形成位于目标顶角处的第一目标量测标识，将第一目标量测标识分别旋转不同角度后，将得到的第一量测标识置于除目标顶角之外的其余顶角位置，以在光罩形成当层曝光图案对应的当层量测标识。

具体的，如图2所示，若第二目标量测标识为曝光场10对应的左下顶角处的第二量测标识30，保持第二目标量测标识对应的图形中心位置不变，将第二目标量测标识按照预设缩放比例进行放大处理，得到第一目标量测标识，即曝光场10左下顶角处的第一量测标识20。

在另一优选实施例中，将第一目标量测标识分别旋转不同角度后，将得到的第一量测标识置于除目标顶角之外的其余顶角位置，包括：

将第一目标量测标识分别旋转90°、180°和270°，依次得到三个第一量测标识，从目标顶角处开始，按照顺时针顺序将先后得到的三个第一量测标识分别置于除目标顶角之外的其余三个顶角位置处。

一示例中，请参阅图4，图4示出了本申请实施例提供的一种曝光场对应的当层量测标识位置关系的示意图。如图4所示，以第一目标量测标识为曝光场10左下顶角位置处的第一量测标识20为例，将第一目标量测标识旋转90°置于曝光场10左上顶角位置、将第一目标量测标识旋转180°置于曝光场10右上顶角位置以及将第二目标量测标识旋转270°置于曝光场10右下顶角位置，这样即可形成曝光场10对应的当层量测标识。

在一优选实施例中，第一量测标识和第二量测标识在切割道宽度方向的长度均小于切割道宽度的二分之一。

如图3所示，以第一量测标识20为例，由于形成的当层量测标记图形是由多个第一量测标识20拼接形成的，且当层量测标记图形还要处于切割道内，因此，当层量测标记图形在切割道宽度方向上的长度等于2倍的第一量测标识20的宽度（指切割道宽度方向），即第一量测标识20的宽度要小于切割道宽度的二分之一，这样拼接形成的当层量测标记图形才会处于切割道内。

同第一量测标识，第二量测标识在切割道宽度方向的长度也要小于切割道宽度的二分之一，在此不做赘述。

在一优选实施例中，前层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由多个第二量测标识之间拼接形成，当层量测标记图形和前层量测标记图形均的中心均处于切割道中心。

请参阅图5，图5示出了本申请实施例提供的一种当层量测标记图形和前层量测标记图形堆叠后形成图形的示意图。具体的，以图2示出的曝光场10对应的第一量测标识20和第二量测标识30为例，如图5所示，切割道重合作用，形成当层量测标记图形40和前层量测标记图形50，如图5所示，当层量测标记图形40和前层量测标记图形50中心位置相同，如图5，当层量测标记图形40和前层量测标记图形50完全不重合，因此在进行光刻时，不会出现二次刻蚀现象，避免曝光场污染带来的影响，也保证了后续基于当层量测标记图形40进行当层图形关键尺寸量测的有效性和准确性。

基于同一申请构思，本申请实施例中还提供了与上述实施例提供的图形关键尺寸量测方法对应的图形关键尺寸量测装置，由于本申请实施例中的装置解决问题的原理与本申请上述实施例的图形关键尺寸量测方法相似，因此装置的实施可以参见方法的实施，重复之处不再赘述。

请参阅图6，图6示出了本申请实施例提供的一种图形关键尺寸量测装置的结构示意图。如图6所示，装置包括：

提供模块600，用于提供一晶圆，晶圆由切割道划分为多个曝光场。

曝光模块610，用于使用曝光设备将光罩上的图形在晶圆的当层进行曝光，以在切割道上形成每个曝光场对应的当层量测标识，当层量测标识由前层量测标识按照预设比例缩放确定，当层量测标识包括分别形成于曝光场四个顶角位置处的多个第一量测标识，多个第一量测标识之间呈中心对称，对称中心为曝光场中心。

量测模块620，用于根据当层量测标记图形，完成对晶圆上形成图形对应的关键尺寸的量测，其中，当层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由多个第一量测标识之间拼接形成，当层量测标记图形与前层量测标记图形不重合。

优选的，光罩包括由切割道划分开的多个当层曝光图案，多个当层曝光图案与多个曝光场一一对应，每个当层曝光图案对应切割道上形成有该当层曝光图案对应的当层量测标识，其中，装置还包括：当层量测标识形成模块（图中未示出），用于：

获取当层曝光图案对应的曝光场的前层量测标识，前层量测标识包括分别形成于曝光场四个顶角位置处的多个第二量测标识，多个第二量测标识之间呈中心对称，对称中心为曝光场中心，将当层曝光图案的目标顶角处对应的第二目标量测标识按照预设比例进行缩放，以形成位于目标顶角处的第一目标量测标识，将第一目标量测标识分别旋转不同角度后，将得到的第一量测标识置于除目标顶角之外的其余顶角位置，以在光罩形成当层曝光图案对应的当层量测标识。

基于同一申请构思，请参阅图7，图7示出本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。电子设备700包括：处理器710、存储器720和总线730，存储器720存储有处理器710可执行的机器可读指令，当电子设备700运行时，处理器710与存储器720之间通过总线730进行通信，机器可读指令被处理器710运行时执行如上述实施例中任一提供的图形关键尺寸量测方法的步骤。

基于同一申请构思，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器运行时执行上述实施例提供的图形关键尺寸量测方法的步骤。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统和装置的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。在本申请所提供的几个实施例中，应所述理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。

所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个处理器可执行的非易失的计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者所述技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，所述计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器（Read-Only Memory，ROM）、随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种图形关键尺寸量测方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一晶圆，所述晶圆由切割道划分为多个曝光场；

使用曝光设备将光罩上的图形在晶圆的当层进行曝光，以在所述切割道上形成每个曝光场对应的当层量测标识，所述当层量测标识由前层量测标识按照预设比例缩放确定，所述当层量测标识包括分别形成于所述曝光场四个顶角位置处的多个第一量测标识，所述多个第一量测标识之间呈中心对称，对称中心为曝光场中心；

根据当层量测标记图形，完成对晶圆上形成图形对应的关键尺寸的量测，其中，所述当层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由所述多个第一量测标识之间拼接形成，所述当层量测标记图形与前层量测标记图形不重合；

其中，通过以下方式在所述光罩上形成每个曝光图案对应的所述当层量测标识：

获取当层曝光图案对应的曝光场的前层量测标识，所述前层量测标识包括分别形成于所述曝光场四个顶角位置处的多个第二量测标识，所述多个第二量测标识之间呈中心对称，对称中心为曝光场中心；

将当层曝光图案的目标顶角处对应的第二目标量测标识按照预设比例进行缩放，以形成位于所述目标顶角处的第一目标量测标识；

将所述第一目标量测标识分别旋转不同角度后，将得到的第一量测标识置于除所述目标顶角之外的其余顶角位置，以在所述光罩形成当层曝光图案对应的所述当层量测标识；

所述第一量测标识和所述第二量测标识在切割道宽度方向的长度均小于所述切割道宽度的二分之一；

当层量测标记图形和前层量测标记图形中心位置相同。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光罩包括由切割道划分开的多个当层曝光图案，多个当层曝光图案与多个曝光场一一对应，每个当层曝光图案对应切割道上形成有该当层曝光图案对应的所述当层量测标识。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述第一目标量测标识分别旋转不同角度后，将得到的第一量测标识置于除所述目标顶角之外的其余顶角位置，包括：

将所述第一目标量测标识分别旋转90°、180°和270°，依次得到三个第一量测标识；

从所述目标顶角处开始，按照顺时针顺序将先后得到的三个第一量测标识分别置于除所述目标顶角之外的其余三个顶角位置处。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由所述多个第二量测标识之间拼接形成，

所述当层量测标记图形和所述前层量测标记图形均的中心均处于切割道中心。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，曝光场每个顶角处对应的第一量测标识和第二量测标识的图形中心相同，标识线条不重合。

6.一种图形关键尺寸量测装置，其特征在于，所述装置包括：

提供模块，用于提供一晶圆，所述晶圆由切割道划分为多个曝光场；

曝光模块，用于使用曝光设备将光罩上的图形在晶圆的当层进行曝光，以在所述切割道上形成每个曝光场对应的当层量测标识，所述当层量测标识由前层量测标识按照预设比例缩放确定，所述当层量测标识包括分别形成于所述曝光场四个顶角位置处的多个第一量测标识，所述多个第一量测标识之间呈中心对称，对称中心为曝光场中心；

量测模块，用于根据当层量测标记图形，完成对晶圆上形成图形对应的关键尺寸的量测，其中，所述当层量测标记图形是曝光场切割道重叠，由所述多个第一量测标识之间拼接形成，所述当层量测标记图形与前层量测标记图形不重合；

其中，所述装置还包括：当层量测标识形成模块，用于：

获取当层曝光图案对应的曝光场的前层量测标识，所述前层量测标识包括分别形成于所述曝光场四个顶角位置处的多个第二量测标识，所述多个第二量测标识之间呈中心对称，对称中心为曝光场中心；

将当层曝光图案的目标顶角处对应的第二目标量测标识按照预设比例进行缩放，以形成位于所述目标顶角处的第一目标量测标识；

将所述第一目标量测标识分别旋转不同角度后，将得到的第一量测标识置于除所述目标顶角之外的其余顶角位置，以在所述光罩形成当层曝光图案对应的所述当层量测标识；

所述第一量测标识和所述第二量测标识在切割道宽度方向的长度均小于所述切割道宽度的二分之一；

当层量测标记图形和前层量测标记图形中心位置相同。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述光罩包括由切割道划分开的多个当层曝光图案，多个当层曝光图案与多个曝光场一一对应，每个当层曝光图案对应切割道上形成有该当层曝光图案对应的所述当层量测标识。

8.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过所述总线进行通信，所述机器可读指令被所述处理器运行时执行如权利要求1至5任一所述的图形关键尺寸量测方法的步骤。

9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行如权利要求1至5任一所述的图形关键尺寸量测方法的步骤。