CN1178998A - 制备平面场致发射显示屏的方法及其平面显示屏 - Google Patents
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Abstract
一种平面场致发射显示屏,其中形成有阴极且面对显示屏栅极的由电荷发射材料做成的微电极头(14)是管形的并具有小曲率半径部分(16)。在使阴极连接层(3、5)与栅极层(8)分开的介质层内形成开孔(10)、淀积覆盖开孔壁的导电材料层(11,12)和进行各向异性腐蚀以除去导电材料层,即除去覆盖壁的部分上边缘以形成具有发射头(16)的向内倾斜表面,之后除去微电极头周围的介质层部分,从而得到微电极头(14)。
Description
本发明涉及一种制备FED(场致发射显示)屏的方法，并涉及一种用该方法制成的平面显示屏。
众所周知，移动电子设备(便携式(laptop)计算机、个人管理器、袖珍电视、电子游戏机)不断发展的趋势导致对厚度薄、重量轻及低消耗的小型单色或彩色显示屏的巨大需求。由于使用传统的阴极射线管而无法达到对尺寸及厚度的需求，于是各种工艺技术近来得到广泛的研究，除去LCD(液晶显示)技术之外，就其特殊应用而言，其中最有意义的就是FED技术。该技术具有低消耗且与CRT具有相同色彩质量和任何角度均可视的优点。
FED技术(例如C.A.Spindt的美国专利3,665,241；3,755,704；3,812,559；5,064,369中和K.Wasa等人的美国专利3,875,442中的主题)是与普通的CRT技术相似，即通过对真空中的电子加速使其碰撞淀积在玻璃屏上的荧光物质而发光。这两种技术之间的主要区别在于产生及控制电子束的方法：普通的CRT技术使用单个阴极(或一种颜色一个阴极)，电子束由电场控制以对整个显示屏扫描；而FED技术使用若干个由微电极头组成的阴极，各自由与显示屏平行排列并有一小段距离的栅极控制，由栅极与阴极电压的适当组合激发微电极头从而依次扫描该显示屏。
形成为列矩阵的阴极结合体包括条形的第一低电阻率导电层；在第一导电层上设置由一介电层与其电绝缘的第二导电层，该层形成系统的栅极，以平行条形式与前者垂直形成行矩阵行；该第二导电层(栅极)和介质层括延伸到第一导电层并容纳与第一导电层电连接的微电极头的开孔。
电子发射是通过微电极头产生的，该微电极头为粗糙的圆锥形，以利于增强微电极头处的电场并因此减少电极头材料(例如金属)和真空之间的势垒。然而，因为电子发射实质上取决于发射体小的曲率半径，所以从理论上说利用如文献所涉及那样的三棱形或双锥形的电极进行有效发射也是可能的。
在上述的Spindt专利和美国专利4,857,161、4,940,916和5,194,780中例举了阴极和微电极头形成方法。特别是在US-A-4,857,161中所述的方法包括以下步骤：
1.将第一导电层(阴极)淀积在一绝缘基片(玻璃)上；
2.掩模并腐蚀第一导电层以构成列矩阵(阴极接头)；
3.淀积介质层；
4.淀积第二导电层(栅极)；
5.利用掩模，形成在第二导电层和介质层中，直径为1.2～1.5mm并延伸至第一导电层的圆形开孔；
6.在如此形成的结构上面通过高角度溅射法淀积镍层以为防止镍进入开孔；
7.接着通过溅射法淀积金属(如钼)，该金属在开孔处是直接接触第一导电层以形成电极头。该步骤是通过垂直或几乎垂直的溅射法完成的，开孔壁的防护作用和镍层使在开孔底部淀积的金属呈现出圆锥形状，其尖端部分的高度约接近栅电极。
8.通过电化学腐蚀，除去在第二导电层上的镍层，以将淀积在栅极上的金属除去，而不破坏开孔中形成的锥形电极头；
9.腐蚀第二导电层和介质层的周边部分，使阴极结合体的端部分离出来；
10.掩模和腐蚀第二导电层，形成行矩阵(栅极接头)；
11.作为阳极的导电材料涂层淀积在第二玻璃基片上；淀积阴极发光层；和把第二基片设置在栅极上面，在阴极发光层和栅极接头之间随意地设置一些隔离件。
上述方法有下述缺点。由于这种类型的平面显示屏的基片尺寸(大约27×36cm)相当大，所以步骤6中的高角度镍淀积处理是非常困难的；需要保证在整个基片上面均匀淀积以及在淀积过程中要转动基片以确保各向同性地覆盖。这样，上述步骤需要使用特殊设计的设备，该设备是复杂的，体积庞大而且昂贵的。
本发明的一个目的在于提供一种能用普通的微电子技术和设备并因此以很低的成本来生产微电极头的制备方法，该方法保证了所实现结果的极大可靠性。
如本发明技术方案分别描述的，根据本发明，这里提供一种制备平面FED屏的方法及因此而获得的平面显示屏。
实际上，根据本发明，以带有小曲率半径部分为特征的管状微电极头是通过在介质层内设置开孔、淀积覆盖开孔壁的导电材料层和各向异性地腐蚀导电材料层，以从覆盖壁上端部分之外的其余部分将其除去，并因此形成带圆锥形上端的管状微电极头。其后，有选择地腐蚀微电极头周围的介质层。
本发明的两个非限定性的最佳实施例将通过对照附图的举例方式予以描述，其中：
图1-5是根据第一实施例在不同制备步骤上半导体材料的晶片的透视横截面图。
图6-13是与第二实施例有关的相似的横截面图。
参照图1，开始，第一导电层3(例如铬，钼，铝，铌，钨，硅化钨，硅化钛，掺杂的非晶或单晶硅)淀积在绝缘材料(例如陶瓷或玻璃)基片1上；接着掩模和腐蚀第一导电层3以形成列矩阵(阴极接头)获得如图1所示的结构。
其后，例如将含有一层或多层的掺杂硅的高电阻率层5淀积在层3上面以限定或更好地分配在微电极头中的电流；淀积介质(例如氧化硅)层6，使阴极与栅极导体绝缘；淀积第二导电层8(例如与第一导电层3相同的材料)以作为栅电极；和通过掩模和随后的腐蚀，限定在第二导电层8和介质层6上形成开孔10，以形成如图2所示那样延伸至高电阻率层5的具有垂直壁的(即直径为0.8～1.5μm的圆孔)阱。
其后，用CVD技术淀积最终形成微电极头的导电层12。导电层12最好是用金属构成，最好是钨，它们可以容易地由WF6、H2和SiH4在温度400～500℃之间，用CVD技术预以淀积，因此它甚至与玻璃基片相容。在这种情况下，在形成开孔10后和淀积导电层12之前，钛/氮化钛的薄层11(为简化只在图3中示出)最好用溅射法或CVD技术予以淀积以加速导电层12的淀积和接合。另外，可以将单晶硅或非晶硅用作导电层12。导电层12(包括层11，如果有的话)的总厚度最好在400～800nm之间的范围，且必须大致小于开孔10直径的一半。CVD技术相当好地确保了均匀地覆盖圆形孔10的壁和底部，因此获得了图3的结构。
其后，腐蚀导电层12以形成微电极头。更为具体地说，就是执行各向异性的R.I.E步骤(反应离子腐蚀)，例如若导电层12由钨组成，则在SF6、Ar和O2的混合物中除去栅电极(层8)的平表面和开孔10底部所有的钨。由于用掺杂的非晶硅构成阴极(第一导电层3和电阻层5)和栅电极(第二导电层8)以及用钨或者一般用对腐蚀有不同灵敏度的材料形成导电层12，所以可以在不破坏层3、5和8的情况下有选择地腐蚀导电层12。
因为导电层12在开孔10的壁上比较厚，所以在层12被从开孔底部除去或几乎被除去时在壁上保留了腐蚀层12所留下的剩余物，从而同时形成了带内呈圆锥形的上缘的圆柱形结构。通常，剩余在开孔底部的钨量取决于淀积厚度和开孔直径之间的比率以及腐蚀量。在给定的淀积和腐蚀的条件下，圆柱形结构的上缘呈现出形成带圆柱形结构外壁的适于发射用的小曲率半径部分(头)的高角度的轮廓。
最好是，腐蚀连续进行以获得一定量的过腐蚀，其过腐蚀时间例如等于基本腐蚀时间的20-30％，即保证从第二导电层8和开孔10底部完全除去钨剩余物，也使圆柱形结构边缘低于栅极导体(第二导电层8)的平面。因此这就得到了图4中示出的结构，其中，获得的圆柱形结构由标号14表示，低于第二导电层8水平面的圆锥形边缘由标号15表示，具有小曲率半径并构成发射表面的部分由标号16表示。
其后，包围圆柱形结构14的介质层部分6通过各向同性腐蚀除去。例如，如果层6是氧化硅，那么在稀释的HF溶液中进行腐蚀。另外，可以进行各向同性(例如间接等离子体)腐蚀以获得图5的结构，该结构示出了通过在介质层6中的各向同性腐蚀形成的空腔18。这一步骤对于安全地消除圆柱形结构14(微电极头)和第二导电层8(阴极)之间的表面导电问题是很有用的。
继续沿用已知的步骤来制备栅极接头，通过掩模和腐蚀第二导电层8以形成阴极的外接触区和形成阳极及发光结构。
图6-13示出了第二个稍微复杂的实施例，该实施例用于更好地控制微电极头的上发射边缘和栅极之间的距离，并因此减少控制显示屏所需的电压。
在第二实施例中，正如已经描述的那样，淀积第一导电层3；进行腐蚀以确定列矩阵；以及淀积高电阻率层5、介质层6和第二导电层8。此时，淀积抗蚀剂掩模21(图6)，只在第二导电层8内延伸形成第一开孔22。在这之后，有选择地进行层8材料的各向异性反应离子腐蚀以获得图6所示的结构，例如，若第二导电层8是非晶硅，而介质6是氧化硅，则所述的腐蚀很容易进行。
除去抗蚀剂掩模21后，淀积间隔层23，最好如此选择用作间隔层23的介质材料，即使相对于第二导电层8(栅电极)和其下面的介质层6的材料均能有选择性地腐蚀。例如，用CVD技术淀积由氮化硅制成的间隔层23，可能的话用等离子体(PECVD)辅助以减少淀积温度。间隔层23的厚度取决于圆形孔22的直径，大约为200～400nm，图7中示出了该结构。
通过RIE技术对间隔层23作各向异性腐蚀，一直腐蚀到第二导电层8和在开孔22内的介质层6，以在开孔22壁上形成隔离件25(图8)。如果腐蚀间隔层23就层8和6的材料而言均造成了选择性问题，则可以在淀积形成开孔22用的淀积掩模21之前，淀积薄的氧化硅防护层(未示出)。
利用第二导电层和隔离件25作为防护，则利用RIE技术对开孔22处的介质层6各向异性地腐蚀，直到高电阻率层5上以形成开孔27(图9)。接下来的步骤是形成微电极头，如参照图3和图4所叙述的那样。更具体地说，最好是先淀积钛/氮化钛层28(为简化起见，只在图10中示出)，而后是导电层29(例如，图10中的钨)。其后，利用RIE技术各向异性地腐蚀层28和29，把它们从第二导电层8的表面和开孔27的底部除去。然而，在这样情况下，由于隔离件25的存在，则腐蚀时间完全是由从第二导电层8的表面除去层28、29所需要的时间来确定的。这就形成了图11的结构，其中，象第一实施例那样，该微电极头(圆柱形结构30)的锥形边缘31的部分32具有小的曲率半径。
接着通过例如在热磷酸溶液中或在间接的等离子体中(图12)的各向异性腐蚀，将隔离件25除去。参照图5所描述的那样，通过各向同性腐蚀，除去圆柱体结构30周围的介质层部分6，以获得腔室18(图13)。掩模并腐蚀第二导电层8形成行矩阵(栅极接头)，并完成最后工序得到本显示屏。
以下叙述本方法的优点。首先，它提供了利用已知技术和标准的微电子设备制造阴极微电极头，因此与至今所建议的FED显示屏的技术相比有较低的成本。此外，使用已知技术可保证本方法和产品获得高的可控性和可靠性。所需的各个步骤对大型显示屏来说也能给出好的结果。由于易于电子发射的微电极头具有延长的高角度的发射表面，因此所得到的显示屏的发射效率高。所述的本方法完全不受开孔直径或淀积层厚度的影响，并且，特别在第二实施例中，能精确控制栅极和微电极头之间的距离，从而减少控制本显示屏所需的电压并提供更均匀的发射。
然而，更清楚的是，在不脱离本发明范围的情况下，对本发明所叙述和图示说明的方法和显示屏可以作出各种变化。更具体地说，可以采用除所述之外的材料，特别是，可以把有机材料(聚酰亚胺)作为介质材料并在氧等离子体中腐蚀。导电层(阴极和栅极)可以用与微电极头不同的材料(例如钨、硅化钨、铬或铌的导电层，非晶硅微电极头)或相同材料(例如掺杂质的非晶硅)做成，将如氧化硅那样的防护层用于第二导体上，并有选择地对微电极头覆盖一层如钨那样的金属。而且，这两个导电层可以由不同材料做成，例如从所指出的那些材料中选择。
Claims (16)
1.一种平面场致发射显示屏的制备方法，包括下列步骤：
-形成第一导电层(3、5)；
-在所述的第一导电层上形成绝缘层(6)；
-在所述的绝缘层上形成第二导电层(8)；
-在所述的第二导电层和所述的绝缘层内形成有壁的开孔(10；27)；
其特征在于还包括下列步骤：
-用具有电荷发射材料的部分(14；30)覆盖所述开孔的壁；和
-各向异性地腐蚀所述电荷发射材料部分。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述各向异性腐蚀步骤之后的步骤是有选择地除去所述电荷发射材料部分(14；30)周围的所述绝缘层(6)的区域。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述的除去步骤包括相对于所述第一和第二导电层(3、5、8)以及所述电荷发射材料部分(14；30)对绝缘层(6)有选择地进行各向同性腐蚀的步骤。
4.根据上述权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于：所述的覆盖步骤包括在所述绝缘层(6)上面和所述开孔(10；27)内形成导电材料层(12；29)的步骤，所述的各向异性腐蚀步骤包括从所述第二导电层(8)的表面、所述开孔的底部以及部分地从所述的电荷发射材料部分(14；30)的上边缘除去所述导电材料层部分以形成所述电荷发射材料部分(14；30)的上表面(15；31)和小曲率半径部分(16；32)的步骤，该上表面相对于所述开孔壁是倾斜的。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述形成导电材料层(12；29)的步骤由化学汽相淀积法完成。
6.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于：所述的导电材料是从包含有钨、掺杂质的单晶硅和掺杂质的非晶硅组群中选择出的。
7.如上述权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于：所述的第一和第二导电层(3；8)是由从包含铬、钼、铝、铌、钨、硅化钨、硅化钛和掺杂质的非晶硅及单晶硅的组群中选出的材料形成的。
8.如上述的权利要求4至7中任何一项所述的方法，其特征在于：粘结层(11；28)是在所述形成导电材料层(12；29)的步骤之前淀积的。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述的导电材料是钨，所述的粘结层是钛/氮化钛。
10.如上述权利要求4至9中任何一项所述的方法，其特征在于：所述的各向异性腐蚀步骤包括为减小所述电荷发射材料部分(14；30)高度的过腐蚀步骤。
11.如上述权利要求中任何一项所述的方法，其特征在于：所述形成开孔(27)的步骤包括在所述的第二导电层中形成第一腔室(22)的步骤，所述第一腔室确定横向壁；形成包围所述第一腔室的所述横向壁的隔离件(25)和在所述介质层(6)内形成由所述隔离件掩模的第二腔室的步骤。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述的形成隔离件(25)的步骤包括在所述第二导电层(8)上面和所述第一腔室(22)内形成间隔层(23)，和各向异性地腐蚀所述间隔层的步骤。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于：所述的间隔层(23)是氮化物层。
14.如上述权利要求11至13中任何一项所述的方法，其特征在于：所述的各向异性地腐蚀所述间隔层(23)的步骤之后是除去所述隔离件(25)的步骤。
15.一种平面场致发射显示屏，包括：阴极区域(3、5)；在所述阴极区域上面的绝缘区域(6)；在绝缘区域上面的栅极区(8)；若干在绝缘区域内的开孔(18)；若干在所述开孔内的发射结构(14；30)；所述的发射结构与所述的阴极区域(3、5)电连接，且与所述栅极区域(8)隔开并面对栅极区域(8)；其特征在于：所述的发射结构(14；30)呈管状，其边缘表面(15；31)面向所述的栅极区域；所述的边缘表面向内倾斜并具有小曲率半径部分(16；32)。
16.如权利要求15所述的显示屏，其特征在于：所述的发射结构(14；30)呈圆柱体形状。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100399495C (zh) * | 2004-02-26 | 2008-07-02 | 三星Sdi株式会社 | 电子发射装置 |
| CN102436992A (zh) * | 2011-10-17 | 2012-05-02 | 友达光电股份有限公司 | 场发射显示器及其显示阵列基板的制造方法 |
| CN103260814A (zh) * | 2010-12-30 | 2013-08-21 | 3M创新有限公司 | 使用具有金面层的支撑构件进行激光切割的设备和方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6168491B1 (en) * | 1998-03-23 | 2001-01-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of forming field emitter cell and array with vertical thin-film-edge emitter |
| FR2779243B1 (fr) * | 1998-05-26 | 2000-07-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation par photolithographie d'ouvertures auto-alignees sur une structure, en particulier pour ecran plat a micropointes |
| GB2349271B (en) * | 1998-07-23 | 2001-08-29 | Sony Corp | Cold cathode field emission device and cold cathode field emission display |
| GB2339961B (en) * | 1998-07-23 | 2001-08-29 | Sony Corp | Processes for the production of cold cathode field emission devices and cold cathode field emission displays |
| US6297587B1 (en) | 1998-07-23 | 2001-10-02 | Sony Corporation | Color cathode field emission device, cold cathode field emission display, and process for the production thereof |
| US6936484B2 (en) * | 1998-10-16 | 2005-08-30 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
| EP1073090A3 (en) * | 1999-07-27 | 2003-04-16 | Iljin Nanotech Co., Ltd. | Field emission display device using carbon nanotubes and manufacturing method thereof |
| JP2001043790A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-02-16 | Sony Corp | 冷陰極電界電子放出素子の製造方法及び冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法 |
| TW439303B (en) * | 1999-11-22 | 2001-06-07 | Nat Science Council | Manufacturing method of field emission device |
| JP4023076B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2007-12-19 | 富士通株式会社 | 表裏導通基板及びその製造方法 |
| GB2383187B (en) * | 2001-09-13 | 2005-06-22 | Microsaic Systems Ltd | Electrode structures |
| FR2836280B1 (fr) * | 2002-02-19 | 2004-04-02 | Commissariat Energie Atomique | Structure de cathode a couche emissive formee sur une couche resistive |
| US7128438B2 (en) * | 2004-02-05 | 2006-10-31 | Agilight, Inc. | Light display structures |
| KR100705837B1 (ko) * | 2005-07-29 | 2007-04-10 | 엘지전자 주식회사 | 전계방출 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US7473577B2 (en) * | 2006-08-11 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Integrated chip carrier with compliant interconnect |
| JP4474431B2 (ja) | 2007-03-26 | 2010-06-02 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 半導体パッケージおよび該製造方法 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3755704A (en) | 1970-02-06 | 1973-08-28 | Stanford Research Inst | Field emission cathode structures and devices utilizing such structures |
| US3812559A (en) | 1970-07-13 | 1974-05-28 | Stanford Research Inst | Methods of producing field ionizer and field emission cathode structures |
| US3665241A (en) | 1970-07-13 | 1972-05-23 | Stanford Research Inst | Field ionizer and field emission cathode structures and methods of production |
| US3875442A (en) | 1972-06-02 | 1975-04-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Display panel |
| FR2593953B1 (fr) | 1986-01-24 | 1988-04-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ |
| US5064369A (en) | 1987-01-27 | 1991-11-12 | Tomy, Inc. | Orthodontic device |
| FR2623013A1 (fr) | 1987-11-06 | 1989-05-12 | Commissariat Energie Atomique | Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes et dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ,utilisant cette source |
| EP0416625B1 (en) * | 1989-09-07 | 1996-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emitting device, method for producing the same, and display apparatus and electron scribing apparatus utilizing same. |
| US5235244A (en) * | 1990-01-29 | 1993-08-10 | Innovative Display Development Partners | Automatically collimating electron beam producing arrangement |
| FR2663462B1 (fr) | 1990-06-13 | 1992-09-11 | Commissariat Energie Atomique | Source d'electrons a cathodes emissives a micropointes. |
| JP3054205B2 (ja) * | 1991-02-20 | 2000-06-19 | 株式会社リコー | 電子放出素子集積基板 |
| JP3116398B2 (ja) * | 1991-03-13 | 2000-12-11 | ソニー株式会社 | 平面型電子放出素子の製造方法及び平面型電子放出素子 |
| US5457355A (en) * | 1993-12-01 | 1995-10-10 | Sandia Corporation | Asymmetrical field emitter |
| US5714837A (en) * | 1994-12-09 | 1998-02-03 | Zurn; Shayne Matthew | Vertical field emission devices and methods of fabrication with applications to flat panel displays |
| KR100205051B1 (ko) * | 1995-12-22 | 1999-06-15 | 정선종 | 필드 에미션 디스플레이 소자의 제조방법 |
| US5865659A (en) * | 1996-06-07 | 1999-02-02 | Candescent Technologies Corporation | Fabrication of gated electron-emitting device utilizing distributed particles to define gate openings and utilizing spacer material to control spacing between gate layer and electron-emissive elements |
-
1996
- 1996-10-04 DE DE69621017T patent/DE69621017T2/de not_active Expired - Fee Related
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-
1997
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-
2000
- 2000-01-13 US US09/482,244 patent/US6465950B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100399495C (zh) * | 2004-02-26 | 2008-07-02 | 三星Sdi株式会社 | 电子发射装置 |
| US7728496B2 (en) | 2004-02-26 | 2010-06-01 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Electron emission device having curved surface electron emission region |
| CN103260814A (zh) * | 2010-12-30 | 2013-08-21 | 3M创新有限公司 | 使用具有金面层的支撑构件进行激光切割的设备和方法 |
| CN102436992A (zh) * | 2011-10-17 | 2012-05-02 | 友达光电股份有限公司 | 场发射显示器及其显示阵列基板的制造方法 |
| CN102436992B (zh) * | 2011-10-17 | 2014-08-13 | 友达光电股份有限公司 | 场发射显示器及其显示阵列基板的制造方法 |
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