CN117878205A - 一种紫外光发光二极管及发光装置、芯片 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种紫外光发光二极管及发光装置、芯片，包括：半导体外延叠层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层；其中，所述电子阻挡层包括至少两层子掺杂电子阻挡层，所述至少两层子掺杂电子阻挡层包括第一掺杂浓度的第一电子阻挡层和第二掺杂浓度的第二电子阻挡层；所述第一掺杂浓度为1E16‑1E19atoms/cm3；所述第二掺杂浓度小于1E18atoms/cm3；所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。本申请通过降低电子阻挡层中的掺杂浓度的同时保证了提供空穴的数量，降低了晶格缺陷的产生，提高了晶体质量，提高了发光二极管的光效。
Description
技术领域
本申请涉及发光半导体技术领域，具体地，涉及一种紫外光发光二极管及发光装置、芯片。
背景技术
随着发光二极管应用的发展，紫外光发光二极管的时长需求越来越大。紫外光发光二极管的发光波长范围在210-400nm，具有传统的紫外光光源无法比拟的优势。紫外光二极管不仅可以在照明领域，也可以在生物医疗、生化检测、防伪鉴定等方面替代传统含有毒物质的紫外汞灯。
目前，现有技术中通常采用向p型半导体中掺杂元素的方式提高紫外光发光二极管的发光效率。但是，由于掺杂元素的加入会导致晶格间隙之间形成缺陷以及产生记忆效应、扩散效应，均会导致紫外光发光二极管的光效下降。
发明内容
本申请的目的是提供一种紫外光发光二极管及发光装置、芯片，以解决现有技术中紫外光发光二极管由于掺杂浓度高导致的光效下降的问题。
为了实现上述目的，本申请采用以下技术方案：
本申请第一方面提供了一种紫外光发光二极管，包括：半导体外延叠层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层；其中，所述电子阻挡层包括至少两层掺杂子电子阻挡层，所述至少两层子掺杂电子阻挡层包括第一掺杂浓度的第一电子阻挡层和第二掺杂浓度的第二电子阻挡层；所述第一掺杂浓度为1E16-1E19 atoms/cm3；所述第二掺杂浓度小于1E18 atoms/cm3；所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。
本申请第二方面提供一种发光装置，其包括本申请第一方面所述的紫外光发光二极管。
本申请第三方面提供了一种紫外光发光二极管芯片，其包括本申请第一方面所述的紫外光发光二极管，所述紫外光发光二极管为倒装结构。
与现有技术相比，本申请的有益效果：
本申请提供了一种紫外光发光二极管及发光装置，包括：半导体外延叠层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层；其中，电子阻挡层至少包括第一掺杂浓度的第一电子阻挡层和第二掺杂浓度的第二电子阻挡层；第一掺杂浓度为1E16-1E19 atoms/cm3；第二掺杂浓度小于1E18atoms/cm3；第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。本申请通过降低电子阻挡层中的掺杂浓度的同时保证了提供空穴的数量，降低了晶格缺陷的产生，提高了晶体质量。较低的掺杂浓度降低了扩散效应的影响，提高了发光二极管的光效。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了本申请一个实施例中紫外光发光二极管的结构示意图；
图2示出了本申请实施例中电子阻挡层的结构示意图；
图3示出了本申请实施例中第一半导体层的结构示意图；
图4示出了本申请实施例中有源层的结构示意图；
图5示出了本申请实施例得到的紫外光发光二极管的SIMS的表征测试图。
附图标记说明：
11 第一半导体层
12 有源层
13 第二半导体层
111 n型AlGaN层
112 缓冲层
1121 低温氮化铝层
1122 高温氮化铝层
121 量子垒层
122 量子阱层
131 电子阻挡层
1311 第一电子阻挡层
1312 第二电子阻挡层
1313 第三电子阻挡层
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点与功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。
如在详述本申请实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖视图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本申请保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。本文使用的“介于……之间”表示包括两端点值。
在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意说明本申请的基本构想，遂图示中仅显示与本申请中有关的组间而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，其组件布局形态也可能更为复杂。
针对现有技术中存在的问题，本申请第一方面提供了一种紫外光发光二极管，包括：半导体外延叠层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层；其中，所述电子阻挡层包括至少两层掺杂子电子阻挡层，所述至少两层子掺杂电子阻挡层包括第一掺杂浓度的第一电子阻挡层和第二掺杂浓度的第二电子阻挡层；所述第一掺杂浓度为1E16-1E19atoms/cm3；所述第二掺杂浓度小于1E18 atoms/cm3；所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。
可选地，所述第一掺杂浓度为1E18-1E19 atoms/cm3。
可选地，所述第二掺杂浓度小于1E17 atoms/cm3。
可选地，所述第一电子阻挡层位于所述有源层与所述第二电子阻挡层之间。
可选地，所述第一电子阻挡层的厚度为1.0-10.0nm。
可选地，所述第二电子阻挡层的厚度为10.0-100.0nm。
可选地，所述电子阻挡层还包括第三电子阻挡层，所述第三电子阻挡层位于所述有源层与所述第一电子阻挡层之间。
可选地，所述第三电子阻挡层为非故意掺杂层，其掺杂浓度小于1E17atoms/cm3。
可选地，所述第三电子阻挡层的厚度为0.5-5.0nm。
可选地，所述电子阻挡层的总厚度为8.0-150.0nm。
可选地，所述电子阻挡层的材料为含铝的氮化物层。
可选地，所述第一电子阻挡层和所述第二电子阻挡层中的掺杂元素相同或不同。
可选地，所述第一电子阻挡层和所述第二电子阻挡层中的掺杂元素为Mg。
可选地，所述第二半导体层上还设置有电流扩展层，其位于所述第二半导体层远离所述有源层的一侧。
更具体地，下面结合附图对本申请的紫外光发光二极管做进一步阐述。
图1示出了本申请一些实施例中的紫外光发光二极管的结构示意图。如图1所示，本申请的紫外光发光二极管包括半导体外延叠层，其包括依次堆叠的第一半导体层11、有源层12、电子阻挡层131和第二半导体层13。设定有源层12朝向第二半导体层13的一面为上表面，与上表面相对设置并且朝向第一半导体层11的一面为底表面。具体地，前述第一半导体层11可以是n型半导体，第二半导体层13可以是p型半导体。n型杂质例如可以是Si，p型杂质例如可以是Mg，杂质种类不限于此。
前述电子阻挡层131包括至少两层掺杂子电子阻挡层，其包括第一掺杂浓度的第一电子阻挡层1311(记为EBL-1)和第二掺杂浓度的第二电子阻挡层1312(记为EBL-2)。其中，第一掺杂浓度为1E16-1E19 atoms/cm3，第二掺杂浓度小于1E18 atoms/cm3，第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。为了提供更多的空穴，现有技术中通常会对电子阻挡层采用高掺杂的技术手段，但是，掺杂浓度过高会带来更多的晶格缺陷，影响晶格质量。与现有技术高掺杂浓度相比，本申请的电子阻挡层131中包括两种不同浓度的掺杂层，其掺杂浓度均较低，能够提供更多空穴的同时保证晶格质量，降低了扩散效应的影响，提高了发光二极管的光效。优选地，第一掺杂浓度可以是1E18-1E19atoms/cm3，第二掺杂浓度小于1E17 atoms/cm3。
在一些实施例中，前述第一电子阻挡层1311至有源层12的距离小于第二电子阻挡层1312至有源层12的距离，即第一电子阻挡层1311位于有源层12与第二电子阻挡层1312之间。由于第一电子阻挡层1311的掺杂浓度比第二电子阻挡层1312的掺杂浓度更高，将其设定于更靠近有源层12的位置处，可以为有源层12提供更多的空穴，有助于提高有源层12的发光性能。
在一个具体的实施例中，第一电子阻挡层1311的厚度可以是1.0-10.0nm。第二电子阻挡层1312的厚度可以是10.0-100.0nm。本申请在将第一电子阻挡层1311及第二电子阻挡层1312的掺杂浓度均设置为较低浓度的情况下，将具有较高掺杂浓度的第一电子阻挡层1311的厚度设置为小于具有较低掺杂浓度的第二电子阻挡层1312的厚度，上述设计保证空穴数量的同时，有助于保证晶格的质量，减少缺陷的产生。前述第一电子阻挡层1311和第二电子阻挡层1312中的掺杂元素可以设置为相同或不同元素。在一个具体的实施例中，前述掺杂元素可以是Mg或Zn。作为一个优选的实施例，前述掺杂元素可以是Mg。
前述第二半导体层13位于电子阻挡层131远离有源层12的一侧，其材料可以是p型GaN。第二半导体层13远离有源层12的一侧设置有电流扩展层，电流扩展层的材料可以是Ni/Au或ITO。电流扩展层用于降低本申请紫外光发光二极管的正向工作电压，提高紫外光发光二极管的光电转换效率。本申请并不对电流扩展层的厚度做特殊限定。
以上结合图1对根据本申请实施例的一种紫外光发光二极管进行了示例性说明，图1所示的紫外光发光二极管能够减少晶格缺陷产生以及掺杂元素导致的扩散效应，提高紫外光发光二极管的紫外光发光效率。
图2示出了本申请实施例中第二半导体层的结构示意图，图3示出了本申请实施例中第一半导体层的结构示意图，图4示出了本申请实施例中有源层的结构示意图。通过下面的描述可知，图2所示的第二半导体层和电子阻挡层、图3所示的第一半导体层和图4所示的有源层可以是图1所示紫外光发光二极管的一个具体化表现形式。因此，前文结合图1的紫外光发光二极管的描述也可以适用于下面的描述中。
在一个实施例中，如图2所示，本申请的电子阻挡层131还可以包括第三电子阻挡层1313，第三电子阻挡层1313至有源层12的距离小于第一电子阻挡层1311至有源层12的距离，即第三电子阻挡层1313位于第一电子阻挡层1311与有源层12之间。在一个具体的实施例中，前述第三电子阻挡层1313中的掺杂浓度可以是非故意掺杂层，该非故意掺杂层可以理解为在制作第三电子阻挡层1313时，该层无元素掺杂，由于在其上继续制作的第一电子阻挡层1311中元素的渗透，使得该第三电子阻挡层1313中亦有少量元素掺杂，在一个实施例中，其掺杂浓度小于1E17 atoms/cm3。第三电子阻挡层1313的设置相对于第一电子阻挡层1311和第二电子阻挡层1312更靠近有源层12，其作用是通过设置非故意掺杂层以阻挡杂质，减小第一电子阻挡层1311和第二电子阻挡层1312中的掺杂元素例如Mg扩散到有源层12中，从而影响亮度。在一个具体的实施例中，第三电子阻挡层1313的厚度可以是0.5-5.0nm。优选地，电子阻挡层131的总厚度为8.0-150.0nm，以提高本申请紫外光发光二极体的亮度。
在一个实施例中，前述电子阻挡层131的材料可以是含铝的氮化物层。优选地，电子阻挡层的材料为Al1-x-yGa1-xIn1-yN，更具体的，AlGaN或者AlN。
在一个实施例中，如图3所示，前述第一半导体层11可以包括n型AlGaN层111和缓冲层112。其中，n型AlGaN层111位于缓冲层112与有源层12之间。可选地，n型掺杂的元素可以是Si、Ge或Sn。缓冲层112可以包括低温氮化铝层1121和高温氮化铝层1122，避免在衬底上直接生长n型AlGaN层而造成应力聚集，降低n型AlGaN层的材料界面应力，降低n型AlGaN层的龟裂问题，提高晶格质量。
有源层12为空穴和电子复合提供光辐射区域，根据发光波长的不同可以对应选择不同的材料。如图4所示，本申请紫外光发光二极管的有源层12可以是包括量子垒层121与量子阱层122的周期叠层结构。在一些实施例中，前述有源层12为包括n个周期的量子阱结构，每个量子阱结构包括依次沉积的量子垒层121和量子阱层122。其中量子垒层121比量子阱层122具有更大的带隙。通过调整有源层12中半导体材料的组成比，以期望辐射出目标波长的光。有源层12为提供电致发光辐射的材料层，例如量子垒层121可以是AlGaN或GaN，量子阱层122的材料为AlGaN、AlInGaN、InGaN或GaN。其中，有源层12的周期数为5-15。需要注意是，本申请实施例中量子垒层121和量子阱层122的厚度可以是相同的，也可以是不同的，可根据实际需要进行设置。本申请的有源层12的辐射波长可以是200-280nm或280-360nm。
本申请还提供了本申请第一方面的紫外光发光二极管的制作方法，包括：提供衬底，在该衬底上外延生长半导体外延叠层。衬底例如可以是选用导电材料或非导电材料，例如可以选用蓝宝石、SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP、Si、ZnO或MnO中的一种或几种。在一个实施例中，本申请实施例中衬底可以选用蓝宝石作为衬底。前述只是对本申请紫外光发光二极管的衬底做一个示例性说明，可以理解的是，前述描述只是示例性的而非限制性的。衬底例如还可以是碳化硅、硅、氧化锌等中的一种或任一种。
具体地，可以采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)、物理气相沉积(PVD)等方式在衬底上依序自下而上生长第一半导体层11、有源层12、电子阻挡层131和第二半导体层13。沉积过程通过控制温度及MO源的比例，来实现第一半导体层11、有源层12、电子阻挡层131和第二半导体层13的沉积。本申请对形成半导体外延叠层的方法不作特别限定，例如还可以是溅射法、离子镀法或PVD法等。前述第一半导体层11可以是n型半导体，第二半导体层13可以是p型半导体。n型杂质例如可以是Si，p型杂质例如可以是Mg，杂质种类不限于此。
其中，第一半导体层11可以包括设置于衬底上的缓冲层112和位于缓冲层112上的n型AlGaN层111。其中，缓冲层112可以进一步包括低温氮化铝层1121和高温氮化铝层1122，避免在衬底上生长n型AlGaN层111容易造成的应力聚集，降低界面龟裂的可能性。前述低温氮化铝层1121和高温氮化铝层1122可以根据生长温度进行界定，具体地，低温氮化铝层1121的生长温度可以是700-900℃，高温氮化铝层1122的生长温度可以是900-1200℃。低温氮化铝层1121与高温氮化铝层1122也可以通过该层中碳浓度来进行界定，生长温度越高，碳浓度越低。在一个具体的实施例中，n型AlGaN中n型掺杂的元素可以是Si、Ge或Sn。
有源层12位于第一半导体层11与电子阻挡层131之间，其为量子阱层与量子垒层交替层叠得到的叠层结构，以一层量子阱层122与一层量子垒层121为一个周期，本申请紫外光发光二极管中有源层12的周期数为5-15。本申请并不对量子阱层122与量子垒层121的厚度做特别限定。量子垒层121可以是AlGaN或GaN，量子阱层122的材料为AlGaN、AlInGaN、InGaN或GaN。本申请的有源层12的辐射波长可以是200-280nm或280-360nm。
前述电子阻挡层131生长于有源层12之上，电子阻挡层131的上表面生长有第二半导体层13。为了减少电子阻挡层131掺杂高浓度的元素带来的晶格缺陷，本申请的电子阻挡层131中的掺杂元素浓度较低，具体地，本申请的电子阻挡层131可以包括第一掺杂浓度的第一电子阻挡层1311和第二掺杂浓度的第二电子阻挡层1312。其中，第一掺杂浓度为1E16-1E19atoms/cm3，第二掺杂浓度小于1E18 atoms/cm3，第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。在一些具体的实施例中，前述第一电子阻挡层1311和第二电子阻挡层1312中的掺杂元素可以设置为相同或不同元素。在一个具体的实施例中，前述掺杂元素可以是Mg或Zn。作为一个优选的实施例，前述掺杂元素可以是Mg。
进一步，为了保证电子阻挡层131可以提供更多的空穴，本申请在有源层12上生长第一电子阻挡层1311，再在第一电子阻挡层1311上生长第二电子阻挡层1312。第一电子阻挡层1311的厚度可以是1.0-10.0nm。第二电子阻挡层1312的厚度可以是10.0-100.0nm。
在一个实施例中，为了降低第一电子阻挡层1311中的掺杂元素向有源层12的扩散进而影响发光二极管的亮度，本申请还可以在有源层12与第一电子阻挡层1311中生长第三电子阻挡层1313，第三电子阻挡层1313的掺杂浓度为非故意掺杂层，该非故意掺杂层可以理解为在制作第三电子阻挡层1313时，该层无元素掺杂，由于在其上继续制作的第一电子阻挡层1311中元素的渗透，使得该第三电子阻挡层1313中亦有少量元素掺杂，在一个实施例中，其掺杂浓度小于1E17 atoms/cm3。
在第二电子阻挡层1312上还可以继续生长第二半导体层13，其材料可以是p型GaN。第二半导体层13上还可以继续生长电流扩展层，其可以用于降低本申请紫外光发光二极管的正向工作电压，提高紫外光发光二极管的光电转换效率。本申请并不对电流扩展层的厚度做特殊限定。
图5示出了本申请实施例得到的紫外光发光二极管的SIMS的表征测试图。需要注意的是，在SIMS图中，由低浓度增加至高浓度的过程中，不会直接就攀升至实际值，而会存在一个向上的趋势，而最高点通常为它实际掺杂浓度，同理，高浓度下降至低浓度的过程中，同样会存在向下的趋势，而最低点通常为它实际掺杂浓度。本申请实施例提供的紫外光发光二极管的各元素分布如图5所示，第一电子阻挡层1311中的Mg掺杂浓度最大值大于第二电子阻挡层1312中Mg掺杂浓度的最小值。图5所示紫外光发光二极管中各元素的浓度分布与前述本申请发光二极管的结构设计相符。
在本申请第一方面提供的紫外光发光二极管的半导体外延叠层的基础上，本实施例还提供了一种倒装发光二极管芯片，该倒装发光二极管芯片包括本申请第一方面提供的发光二极管的半导体外延叠层结构。
具体地，本申请衬底用于支持半导体外延叠层结构，衬底具有第一表面，该第一表面为半导体外延叠层结构形成面。半导体外延叠层结构形成于衬底上，依次包括第一半导体层11、有源层12、电子阻挡层131和第二半导体层13。例如第一半导体层11为n型半导体，第二半导体层为p型半导体，两者也可以倒置。
在本申请的实施例中，第一半导体层11的边缘与衬底的边缘之间具有一定的距离，即第一半导体层11的侧壁位于衬底的侧壁的内侧。在紫外光发光二极管芯片中通过增加衬底的厚度可以有效提高发光效率，但是增加衬底的厚度的同时也增加了衬底的切割难度。因此，在本实施例中，可以通过将第一半导体层11的边缘与衬底的边缘之间保留一定的距离，以保证衬底切割时不会损伤半导体外延叠层结构，从而提升发光二极管的可靠性。
该半导体外延叠层结构包括第一台面和与第一台面相对的第二台面，第一电极和第二电极包括欧姆接触部分和焊盘电极。其中，第一半导体层11的欧姆接触部分和第二半导体层13的欧姆接触部分分别形成于第一台面和第二台面上，与第一半导体层11和第二半导体层113分别形成欧姆接触。
本申请的第二方面提供了一种发光装置，其包括如本申请第一方面提供的任一实施例中的发光二极管。发光二极管的尺寸可以是micro LED、mini LED或常规LED。该发光装置可应用于背光显示或RGB显示屏，小尺寸的倒装LED结构可以数百颗或数千颗或数万颗的数量集成式的安装在应用基板或封装基板上，形成背光显示装置或者RGB显示装置的发光光源部分。
以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本申请的保护范围。
Claims (16)
1.一种紫外光发光二极管，其特征在于，包括：
半导体外延叠层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层；
其中，所述电子阻挡层包括至少两层掺杂子电子阻挡层，所述至少两层掺杂子电子阻挡层包括第一掺杂浓度的第一电子阻挡层和第二掺杂浓度的第二电子阻挡层；
所述第一掺杂浓度为1E16-1E19 atoms/cm3；
所述第二掺杂浓度小于1E18 atoms/cm3；
所述第一掺杂浓度的最大值大于所述第二掺杂浓度的最小值。
2.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第一掺杂浓度为1E18-1E19 atoms/cm3。
3.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第二掺杂浓度小于1E17atoms/cm3。
4.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第一电子阻挡层位于所述有源层与所述第二电子阻挡层之间。
5.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第一电子阻挡层的厚度为1.0-10.0nm。
6.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第二电子阻挡层的厚度为10.0-100.0nm。
7.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层还包括第三电子阻挡层，所述第三电子阻挡层位于所述有源层与所述第一电子阻挡层之间。
8.如权利要求7所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第三电子阻挡层为非故意掺杂层，其掺杂浓度小于1E17 atoms/cm3。
9.如权利要求8所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第三电子阻挡层的厚度为0.5-5.0nm。
10.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层的总厚度为8.0-150.0nm。
11.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为含铝的氮化物层。
12.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第一电子阻挡层和所述第二电子阻挡层中的掺杂元素相同或不同。
13.如权利要求12所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第一电子阻挡层和所述第二电子阻挡层中的掺杂元素为Mg。
14.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层上还设置有电流扩展层，其位于所述第二半导体层远离所述有源层的一侧。
15.一种发光装置，其特征在于，包括如权利要求1至14任一项所述的紫外光发光二极管。
16.一种紫外光发光二极管芯片，其特征在于，包括如权利要求1至14任一项所述的紫外光发光二极管，所述紫外光发光二极管为倒装结构。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311827154.3A CN117878205A (zh) | 2023-12-27 | 2023-12-27 | 一种紫外光发光二极管及发光装置、芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311827154.3A CN117878205A (zh) | 2023-12-27 | 2023-12-27 | 一种紫外光发光二极管及发光装置、芯片 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117878205A true CN117878205A (zh) | 2024-04-12 |
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ID=90593989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311827154.3A Pending CN117878205A (zh) | 2023-12-27 | 2023-12-27 | 一种紫外光发光二极管及发光装置、芯片 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117878205A (zh) |
-
2023
- 2023-12-27 CN CN202311827154.3A patent/CN117878205A/zh active Pending
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