CN117858575A

CN117858575A - 显示装置

Info

Publication number: CN117858575A
Application number: CN202311216865.7A
Authority: CN
Inventors: 金晒玹; 李正浩; 文裕韩; 金德会; 裵基烈; 李旻洙
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2022-10-06
Filing date: 2023-09-20
Publication date: 2024-04-09

Abstract

提供一种显示装置。该显示装置包括：基板，包括发射区域布置在其中的显示区域、在显示区域周围的主非显示区域、由显示区域围绕的孔区域以及位于孔区域与显示区域之间的附加非显示区域；电路层；发光元件层；密封层；贯通部分，在孔区域中并且至少穿透基板；以及密封辅助结构，在附加非显示区域中并且顺序地围绕孔区域。密封辅助结构中的每一个包括：第一底切部分，在第一底切部分中第一覆盖层从第一主层突出；以及第二底切部分，在第二底切部分中第二覆盖层从第二主层突出。

Description

显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年10月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0128192号以及于2022年10月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0133282号的优先权和权益，这些韩国专利申请中的每一个的全部公开通过引用并入本文。

技术领域

本公开的一些实施例的各方面涉及显示装置。

背景技术

随着信息社会的发展，消费者对用于显示图像的显示装置的需求以各种形式增加。例如，显示装置可以应用于或结合到诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置中。

显示装置可以包括诸如液晶显示装置、场发射显示装置和发光显示装置的平板显示装置。发光显示装置可以包括包含有机发光元件的有机发光显示装置、包含无机发光元件(诸如包括无机半导体的无机发光元件)的无机发光显示装置以及包含微米或纳米发光元件的微米或纳米发光显示装置。

有机发光显示装置通常使用多个发光元件来显示图像，每个发光元件包括有机材料的发光层。因为有机发光显示装置如上所述使用自发光元件来实现图像，所以它在功耗、响应速度、发光效率、亮度和宽视角方面可以具有比其他显示装置相对高的性能。

在该背景部分中公开的以上信息仅用于增强对背景的理解，并且因此，在该背景部分中讨论的信息不一定构成现有技术。

发明内容

显示装置可以包括位于由显示区域围绕的孔区域中的贯通部分。

另外，为了在显示区域中提供发光元件，显示装置可以包括每个发射区域的阳极、在阳极上的第一公共层、在第一公共层上的发光层、在发射区域的发光层上的第二公共层以及在第二公共层上的阴极。也就是说，因为第二公共层和阴极在整个显示区域中，所以它们也可以布置在贯通部分周围。

当有机材料的第二公共层和金属材料的阴极布置在贯通部分周围时，可能在贯通部分周围产生氧或湿气渗透路径。因此，与贯通部分邻近的发光元件的寿命可能急剧缩短。

另外，当部分地去除贯通部分周围的第二公共层和阴极以阻止在贯通部分周围产生氧或湿气渗透路径时，添加单独的掩模工艺。

本公开的一些实施例的各个方面包括可能够延缓或阻止在贯通部分周围产生氧或湿气渗透路径而无需添加单独的掩模工艺的显示装置以及制造该显示装置的方法。

然而，根据本公开的实施例的各方面不限于在本文中阐述的一个方面。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

根据一些实施例，显示装置包括：基板，包括发射区域布置在其中的显示区域、在显示区域周围的主非显示区域、由显示区域围绕的孔区域以及位于孔区域与显示区域之间的附加非显示区域；电路层，在基板上并且包括分别与发射区域相对应的像素驱动器；发光元件层，在电路层上并且包括分别与发射区域相对应的发光元件；密封层，在发光元件层上；贯通部分，在孔区域中并且至少穿透基板；以及密封辅助结构，在附加非显示区域中并且顺序地围绕孔区域。根据一些实施例，密封辅助结构中的每一个包括：第一主层；第一覆盖层，在第一主层上；第二主层，在第一覆盖层上；第二覆盖层，在第二主层上；第一底切部分，在第一底切部分中第一覆盖层从第一主层突出；以及第二底切部分，在第二底切部分中第二覆盖层从第二主层突出。

根据一些实施例，发光元件层包括：阳极，在电路层上并且与发射区域中的一个相对应；像素限定层，在电路层上，与发射区域中的每一个周围的非发射区域相对应，并且覆盖阳极的边缘；第一公共层，在阳极上；发光层，在第一公共层上；第二公共层，在像素限定层和发光层上并且与显示区域相对应；以及阴极，在第二公共层上并且与显示区域相对应。根据一些实施例，发光元件中的每一个具有其中发光层在阳极与阴极之间的结构。根据一些实施例，第二公共层和阴极延伸到附加非显示区域，并且各自通过密封辅助结构中的每一个的第一底切部分和第二底切部分分离。

根据一些实施例，电路层包括：半导体层，在基板上；第一导电层，在覆盖半导体层的栅绝缘层上；第二导电层，在覆盖第一导电层的层间绝缘层上；第三导电层，在覆盖第二导电层的第一平坦化层上；以及第二平坦化层，覆盖第三导电层。根据一些实施例，第二导电层包括第一主层和第一覆盖层。根据一些实施例，第三导电层包括第二主层和第二覆盖层。

根据一些实施例，附加非显示区域包括：副封装区域，与孔区域邻近并且围绕孔区域；和布线旁路区域，在副封装区域与显示区域之间。根据一些实施例，电路层包括电连接到像素驱动器的布线。根据一些实施例，布线中的与孔区域和附加非显示区域交叉的一些布线在布线旁路区域中沿着孔区域的边缘从孔区域旁路。根据一些实施例，第一平坦化层和第二平坦化层延伸到布线旁路区域。

根据一些实施例，显示装置进一步包括：主坝部分，包括位于主非显示区域中的与显示区域邻近的主坝区域中并且顺序地围绕显示区域的边缘的一个或多个主坝；以及副坝部分，包括位于副封装区域中的与布线旁路区域邻近的副坝区域中并且顺序地围绕孔区域的一个或多个副坝。根据一些实施例，第一平坦化层、第二平坦化层和像素限定层与主坝区域和副坝区域间隔开。

根据一些实施例，密封层包括：第一无机层，覆盖发光元件层并且包括无机绝缘材料；有机层，在第一无机层上并且包括有机绝缘材料；和第二无机层，覆盖有机层并且包括无机绝缘材料。根据一些实施例，有机层与主坝部分和副坝部分之间的区域相对应并且与发光元件层重叠，并且第一无机层和第二无机层在主坝区域和副坝区域中彼此接触。

根据一些实施例，第一无机层接触第一主层的被密封辅助结构中的每一个的第一底切部分暴露的部分，并且接触第二主层的被密封辅助结构中的每一个的第二底切部分暴露的部分。

根据一些实施例，显示装置进一步包括位于密封辅助结构之间的区域中的蚀刻停止部分。根据一些实施例，密封辅助结构和蚀刻停止部分位于层间绝缘层上。

根据一些实施例，蚀刻停止部分包括在层间绝缘层上的第一主层的一部分。

根据一些实施例，第一主层和第二主层中的每一个包括铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种。根据一些实施例，第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个包括钛(Ti)和钼(Mo)中的至少一种。

根据一些实施例，第二导电层进一步包括在层间绝缘层与第一主层之间的第一底层。根据一些实施例，第三导电层进一步包括在第一平坦化层与第二主层之间的第二底层。根据一些实施例，密封辅助结构中的每一个进一步包括第一底层和第二底层。根据一些实施例，密封辅助结构中的每一个的第二底层位于第一覆盖层与第二主层之间。

根据一些实施例，蚀刻停止部分包括位于层间绝缘层上的第一底层。

根据一些实施例，蚀刻停止部分进一步包括在第一底层上的第一主层的一部分。

根据一些实施例，第一主层和第二主层中的每一个包括铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种。根据一些实施例，第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个包括钛(Ti)和钼(Mo)中的至少一种。根据一些实施例，第一底层和第二底层中的每一个包括钛(Ti)和钼(Mo)中的至少一种。

根据一些实施例，一个或多个主坝和一个或多个副坝中的每一个具有其中两个或更多个坝层堆叠的结构。根据一些实施例，两个或更多个坝层分别包括与第一平坦化层、第二平坦化层和像素限定层中的两个或更多个相同的层。

根据一些实施例，制造显示装置的方法包括：准备基板，基板包括发射区域布置在其中的显示区域、布置在显示区域周围的主非显示区域、由显示区域围绕的孔区域以及位于孔区域与显示区域之间的附加非显示区域；在基板上布置包括分别与发射区域相对应的像素驱动器的电路层；以及在电路层上布置包括分别与发射区域相对应的发光元件的发光元件层。根据一些实施例，布置电路层包括：在基板上布置半导体层；在基板上布置覆盖半导体层的栅绝缘层；在栅绝缘层上布置第一导电层；在栅绝缘层上布置覆盖第一导电层的层间绝缘层；在层间绝缘层上布置包括顺序地堆叠的第一主层和第一覆盖层的第二导电层；在层间绝缘层上布置与显示区域相对应并且覆盖第二导电层的第一平坦化层；在第一平坦化层上布置包括顺序地堆叠的第二主层和第二覆盖层的第三导电层；在第一平坦化层上布置与显示区域相对应并且覆盖第三导电层的第二平坦化层；以及在附加非显示区域中布置各自包括第一主层和第一覆盖层以及在第一覆盖层上的第二主层和第二覆盖层并且顺序地围绕孔区域的多层结构。根据一些实施例，布置发光元件层包括在第二平坦化层上布置与发射区域中的一个相对应的阳极。根据一些实施例，在布置第二导电层中，提供第一辅助材料层。根据一些实施例，第一辅助材料层在孔区域以及附加非显示区域的一部分中，并且包括第一主层和第一覆盖层。根据一些实施例，在布置第三导电层中，提供第二辅助材料层。根据一些实施例，第二辅助材料层在第一辅助材料层上并且包括第二主层和第二覆盖层。根据一些实施例，布置多层结构包括部分地去除第一辅助材料层和第二辅助材料层的工艺。根据一些实施例，在布置阳极中，附加非显示区域中的多层结构中的每一个的第一主层的至少一部分的侧表面和第二主层的侧表面被部分地去除，以将多层结构变形成密封辅助结构。根据一些实施例，密封辅助结构中的每一个包括：第一底切部分，在第一底切部分中第一覆盖层从第一主层突出；以及第二底切部分，在第二底切部分中第二覆盖层从第二主层突出。

根据一些实施例，布置发光元件层进一步包括：在第二平坦化层上布置与发射区域中的每一个周围的非发射区域相对应并且覆盖阳极的边缘的像素限定层；在阳极上布置第一公共层；在第一公共层上布置发光层；在像素限定层和发光层上布置与显示区域相对应的第二公共层；以及在第二公共层上布置与显示区域相对应的阴极。在布置第二公共层中，第二公共层延伸到附加非显示区域，并且在附加非显示区域中通过密封辅助结构中的每一个的第一底切部分和第二底切部分分离。根据一些实施例，在布置阴极中，阴极延伸到附加非显示区域，并且在附加非显示区域中通过密封辅助结构中的每一个的第一底切部分和第二底切部分分离。

根据一些实施例，在布置多层结构中，进一步提供与多层结构之间的区域相对应的蚀刻停止部分。

根据一些实施例，蚀刻停止部分包括第一主层的另一部分。

根据一些实施例，在布置第二导电层中，第二导电层进一步包括在层间绝缘层与第一主层之间的第一底层。根据一些实施例，在布置第三导电层中，第三导电层进一步包括在第一平坦化层与第二主层之间的第二底层。根据一些实施例，第二辅助材料层的第二底层在第一辅助材料层的第一覆盖层上。

根据一些实施例，蚀刻停止部分包括第一底层。

根据一些实施例，蚀刻停止部分进一步包括第一主层的另一部分。

根据一些实施例，该方法进一步包括：在布置发光元件层之后，在发光元件层上布置密封层；以及布置与孔区域相对应并且至少穿透基板的贯通部分。根据一些实施例，布置密封层包括：通过在发光元件层上堆叠无机绝缘材料来布置覆盖发光元件层的第一无机层；在第一无机层上布置包括有机绝缘材料并且与显示区域相对应的有机层；以及通过在有机层上堆叠无机绝缘材料来布置覆盖有机层的第二无机层。在布置第一无机层中，第一无机层接触第一主层的被密封辅助结构中的每一个的第一底切部分暴露的部分，并且接触第二主层的被密封辅助结构中的每一个的第二底切部分暴露的部分。

根据一些实施例，根据一些实施例的显示装置包括：基板，包括显示区域、主非显示区域、孔区域和附加非显示区域；电路层，在基板上；发光元件层，在电路层上；密封层，在发光元件层上；贯通部分，在孔区域中并且穿透基板；以及密封辅助结构，位于显示区域与孔区域之间的附加非显示区域中并且顺序地围绕贯通部分。根据一些实施例，密封辅助结构中的每一个包括第一底切部分和第二底切部分。根据一些实施例，第一底切部分由从第一主层突出的第一覆盖层提供。根据一些实施例，第二底切部分由从第一覆盖层上的第二主层突出的第二覆盖层提供。

根据一些实施例，发光元件层可以包括：阳极和像素限定层，在电路层上；第一公共层，在阳极上；发光层，在第一公共层上；第二公共层，在发光层和像素限定层上；以及阴极，在第二公共层上。根据一些实施例，第二公共层和阴极可以延伸到附加非显示区域，并且可以各自在附加非显示区域中通过密封辅助结构中的每一个的第一底切部分和第二底切部分分离。

根据一些实施例，密封层可以包括在发光元件层上的第一无机层、在第一无机层上的有机层和覆盖有机层的第二无机层。

如上所述，根据一些实施例，延伸到附加非显示区域的第二公共层和阴极各自通过密封辅助结构中的每一个的第一底切部分和第二底切部分分离。

相应地，可以降低附加非显示区域中的第二公共层和阴极将成为氧或湿气渗透路径的可能性。

另外，第一主层的一部分可以被密封辅助结构中的每一个的第一底切部分暴露而没有被延伸到附加非显示区域的第二公共层和阴极覆盖。另外，第二主层的一部分可以被密封辅助结构中的每一个的第二底切部分暴露而没有被延伸到附加非显示区域的第二公共层和阴极覆盖。

因此，即使第二公共层和阴极由于排除了单独的掩模工艺而延伸到附加非显示区域，第一无机层也可以接触第一主层的被密封辅助结构中的每一个的第一底切部分暴露的部分并且可以接触第二主层的被密封辅助结构中的每一个的第二底切部分暴露的部分。

相应地，因为第一无机层接触第一主层和第二主层中的每一个，所以可以在贯通部分周围提供通过无机材料之间的结合形成的密封结构。因此，即使不添加单独的掩模工艺，也可以阻止或延缓在贯通部分周围产生氧或湿气渗透路径。

根据本公开的实施例的特征不限于前述效果，并且各种其他特征包括在本说明书中。

附图说明

根据下面结合附图进行的实施例的描述，这些和/或其他方面将变得明显并且更容易理解，在附图中：

图1是根据一些实施例的显示装置的透视图；

图2是图1的显示装置的平面图；

图3是沿着图2的线A-A’截取的截面图；

图4是图1的显示装置的主区域和副区域的平面图；

图5是图示布置在图4的部分B中的发射区域的示例的布局图；

图6是根据一些实施例的像素驱动器的等效电路图；

图7是根据一些实施例的两个像素驱动器的平面图；

图8是图7中的半导体层和第一导电层的平面图；

图9是图7中的半导体层、第一导电层和第二导电层的平面图；

图10是图7中的第三导电层的平面图；

图11是沿着图7的线E-E’截取的截面图；

图12是根据一些实施例的图11的部分F的放大图；

图13是根据一些实施例的图11的部分G的放大图；

图14是根据一些实施例的沿着图4的线C-C’截取的截面图；

图15是根据一些实施例的图4的部分D的布局图；

图16是根据一些实施例的沿着图15的线H-H’截取的截面图；

图17是图16的部分I中的密封辅助结构和蚀刻停止部分的放大图；

图18是图16的部分I的放大图；

图19是根据一些实施例的图11的部分F的放大图；

图20是根据一些实施例的图11的部分G的放大图；

图21是根据一些实施例的沿着图15的线H-H’截取的截面图；

图22是图21的部分J的放大图；

图23是根据一些实施例的沿着图15的线H-H’截取的截面图；

图24是图23的部分K的放大图；

图25是图示根据一些实施例的制造显示装置的方法的流程图；

图26是图示图25中的设置电路层的操作的流程图；

图27是图示图25中的设置发光元件层的操作的流程图；并且

图28至图45是示出图25、图26和图27中所图示的操作的工艺图。

具体实施方式

现在将在下文中参照附图更充分地描述一些实施例的各方面。然而，实施例可以以不同的形式提供并且不应被解释为限制性的。在整个公开中，相同的附图标记指示相同的部件。在附图中，为了清楚起见，可能夸大了层和区域的厚度。

为了描述本公开的实施例，可以不提供与描述不相关联的部分中的一些部分。

还将理解，当层被称为“在”另一层或基板“上”时，它可以直接在该另一层或基板上，或者也可以存在居间层。比较而言，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，可以不存在居间元件。

进一步，术语“在平面图中”是指当从上方观察物体部分时，并且术语“在示意性截面图中”是指当从侧面观察通过垂直切割物体部分所截取的示意性截面时。术语“重叠”或“重叠的”是指第一物体可以在第二物体的上方或下方或旁边，反之亦然。另外，术语“重叠”可包括层叠、堆叠、面对及其变型、在……之上延伸、覆盖或部分覆盖或者本领域普通技术人员所了解和理解的任何其他合适的术语。表述“不重叠”可以包括诸如“与……分开”或“在……旁边”或“从……偏移”以及本领域普通技术人员将了解和理解的任何其他合适的等同的含义。术语“面对”及其变型可以是指第一物体可以直接或间接地与第二物体相对。在第三物体介于第一物体与第二物体之间的情况下，第一物体和第二物体可以被理解为彼此间接地相对，尽管仍然彼此面对。

为了便于描述，在本文中可以使用空间相对术语“下面”、“下方”、“下”、“上方”或“上”等，来描述如附图中所图示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还旨在涵盖在使用或操作中的装置的不同方位。例如，在附图中所图示的装置被翻转的情况下，定位于另一装置“下面”或“下方”的装置可以被设置在另一装置“上方”。因此，说明性术语“下面”可以包括下位置和上位置两者。装置也可以以其他方位定向，并且因此可以根据方位对空间相对术语进行不同的解释。

当元件被称为“连接”或“耦接”到另一元件时，该元件可以“直接连接”或“直接耦接”到另一元件，或者“电连接”或“电耦接”到另一元件，其中其间插入一个或多个居间元件。将进一步理解的是，当使用术语“包括”及其变型、“具有”及其变型和/或“包含”及其变型时，它们可以指明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其任何组合的存在或添加。

将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”或“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开或者为了便于描述和解释。例如，当在描述中讨论“第一元件”时，它可以被称为“第二元件”或“第三元件”，并且可以以类似的方式来称呼“第二元件”和“第三元件”，而不脱离本文中的教导。

考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关联的误差(例如，测量系统的限制)，如在本文中所使用的术语“大约”或“约”包括所陈述的值并且意味着在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“大约”可以意味着在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

在说明书和权利要求书中，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合，以达到其含义和解释的目的。例如，“A和/或B”可以理解为是指“A、B或者A和B”。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义来使用，并且可以理解为等同于“和/或”。在说明书和权利要求书中，术语“……中的至少一个”旨在包括“从……的组中选择的至少一个”的含义，以达到其含义和解释的目的。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为是指“A、B或者A和B”。

除非另有限定或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，术语，例如在常用词典中限定的术语，应当被解释为具有与其在相关领域的情境中的含义一致的含义，并且将不以理想或过于正式的意义来解释，除非在说明书中明确如此限定。

在下文中，将参照附图更详细地描述本公开的一些实施例的各方面。

图1是根据一些实施例的显示装置10的透视图。

参照图1，显示装置10是用于显示移动图像(例如，视频图像)或静止图像(例如，静态图像)的装置。显示装置10可以用作诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超移动PC(UMPC)的便携式电子装置中以及诸如电视、笔记本计算机、监视器、广告牌和物联网(IoT)装置的各种产品中的显示屏。

显示装置10可以是诸如使用有机发光二极管的有机发光显示装置、包括量子点发光层的量子点发光显示装置、包括无机半导体的无机发光显示装置或者使用微米或纳米发光二极管的微米或纳米发光显示装置的发光显示装置。下面将主要描述显示装置10是有机发光显示装置的实施例，但本公开的实施例的各方面也适用于包括有机绝缘材料、有机发光材料和金属材料的显示装置。

显示装置10可以形成为平坦的，但根据本公开的实施例不限于此。例如，显示装置10可以包括形成在左端和右端处并且具有恒定或变化的曲率的弯曲部分。另外，显示装置10可以形成为柔性的，使得它可以弯曲、弯折、折叠或卷曲。

显示装置10可以包括显示面板100、显示驱动电路200和电路板300。

显示面板100可以包括主区域MA以及从主区域MA的一侧突出的副区域SBA，主区域MA包括在其中显示图像的显示区域DA。

主区域MA包括显示区域DA、布置在显示区域DA周围的主非显示区域MNDA、由显示区域DA围绕的孔区域HLA以及在孔区域HLA与显示区域DA之间的附加非显示区域ANDA。发射区域EA(参见图5)布置在显示区域DA中。

也就是说，显示装置10可以包括用于显示图像的发射区域EA(参见图5)布置在其中的显示区域DA、布置在显示区域DA周围的主非显示区域MNDA、由显示区域DA围绕的孔区域HLA以及位于孔区域HLA与显示区域DA之间的附加非显示区域ANDA。

显示装置10可以进一步包括位于孔区域HLA中并至少穿透显示面板100的基板110(参见图3)的贯通部分THM(参见图16)。贯通部分THM可以与位于显示面板100的外部的功能模块的至少一部分重叠，并且可以被提供为用于输入功能模块的感测信息的路径或用于输出功能模块的声音的路径。

例如，功能模块可以布置成在显示面板100的后表面上与贯通部分THM以及贯通部分THM周围的区域重叠，或者可以位于贯通部分THM内。

例如，功能模块可以包括用于捕获或识别与显示装置10的前面相对应的图像的相机模块、用于检测用户的面部的面部识别传感器模块、用于检测用户的眼睛的瞳孔识别传感器模块、用于判断显示装置10的移动的加速度传感器模块和地磁传感器模块、用于检测与显示装置10的前面的接近的接近传感器模块和红外传感器模块、用于测量外部亮度水平的照度传感器模块等。

副区域SBA可以是从主区域MA的主非显示区域MNDA的一侧在第二方向DR2上突出的区域。

显示驱动电路200可以安装在副区域SBA中，并且电路板300可以附接到副区域SBA。

显示驱动电路200可以被提供为集成电路并且通过玻璃上芯片(COG)方法、塑料上芯片(COP)方法或超声波结合方法安装在第二副区域SB2(参见图4)中。然而，根据本公开的实施例不限于此。例如，显示驱动电路200也可以通过膜上芯片(COF)方法安装在电路板300上或者可以作为显示面板100的一部分嵌入。

电路板300可以使用各向异性导电膜或诸如自组装各向异性导电胶(SAP)的低电阻、高可靠性材料附接到第二副区域SB2，并且可以电连接到第二副区域SB2的信号焊盘SPD(参见图4)。

电路板300可以将数字视频数据、时序信号和驱动电压供给到位于显示区域DA中的像素驱动器PXD(参见图6)或副区域SBA中的显示驱动电路200。

电路板300可以是柔性印刷电路板、印刷电路板或诸如膜上芯片的柔性膜。

图2是图1的显示装置10的平面图。图3是沿着图2的线A-A’截取的截面图。

参照图2和图3，副区域SBA的一部分可以弯折。相应地，位于副区域SBA中的显示驱动电路200和附接到副区域SBA的电路板300可以位于显示面板100的后表面上。

参照图3，显示装置10的显示面板100包括基板110、位于基板110上的电路层120、位于电路层120上的发光元件层130以及位于发光元件层130上的密封层140。

基板110包括发射区域EA布置在其中的显示区域DA、位于显示区域DA周围(例如，在显示区域DA的外围或显示区域DA的覆盖区外部)的主非显示区域MNDA、由显示区域DA围绕的孔区域HLA以及在孔区域HLA与显示区域DA之间的附加非显示区域ANDA。

基板110可以包括主区域MA和副区域SBA。基板110的主区域MA包括显示区域DA、主非显示区域MNDA、孔区域HLA和附加非显示区域ANDA。

基板110可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成。例如，基板110可以由聚酰亚胺制成。基板110可以是能够弯折、折叠或卷曲的柔性基板。

电路层120包括分别与发射区域EA相对应的像素驱动器PXD。

发光元件层130可以位于显示区域DA中、电路层120上。发光元件层130包括分别与发射区域EA相对应的发光元件LE(参见图6和图11)。发光元件层130的发光元件LE可以分别电连接到电路层120的像素驱动器PXD。

另外，显示装置10进一步包括位于孔区域HLA中并至少穿透基板110的贯通部分THM。也就是说，贯通部分THM可以穿透孔区域HLA的显示面板100。

密封层140位于发光元件层130上。密封层140可以在主非显示区域MNDA中接触电路层120。

密封层140被设计成保护发光元件层130免受氧或湿气的渗透。密封层140可以具有其中至少一个无机层和至少一个有机层堆叠的结构。

另外，显示面板100可以进一步包括位于密封层140上的传感器电极层150。

传感器电极层150可以位于主区域MA中、密封层140上。传感器电极层150可以包括用于感测人或物体的触摸的触摸电极。

显示装置10可以进一步包括位于传感器电极层150上的覆盖窗(未示出)。覆盖窗可以通过诸如光学透明粘合剂(OCA)膜或光学透明树脂(OCR)膜的透明粘合构件附接到传感器电极层150上。覆盖窗可以是诸如玻璃的无机材料或者可以是诸如塑料或聚合物材料的有机材料。覆盖窗可以保护传感器电极层150、密封层140、发光元件层130和电路层120免受对显示表面的电冲击和物理冲击。

另外，显示装置10可以进一步包括位于传感器电极层150与覆盖窗之间的抗反射构件(未示出)。抗反射构件可以是偏振膜或滤色器。抗反射构件可以阻挡由传感器电极层150、密封层140、发光元件层130、电路层120以及它们之间的界面反射的外部光，从而防止显示装置10的图像的可见性降低。

显示装置10可以进一步包括用于驱动传感器电极层150的触摸驱动电路400。

触摸驱动电路400可以被提供为集成电路。触摸驱动电路400可以安装在电路板300上，并且因此电连接到传感器电极层150。

可替代地，与显示驱动电路200一样，触摸驱动电路400可以安装在基板110的副区域SBA中。

触摸驱动电路400可以将触摸驱动信号传输到包括在传感器电极层150中的多个驱动电极，通过多个感测电极分别接收多个触摸节点的触摸感测信号，并且基于触摸感测信号检测互电容的电荷改变量。

也就是说，触摸驱动电路400可以基于触摸节点中的每一个的触摸感测信号来确定或检测用户的触摸或接近是否已经发生。用户的触摸指示用户的手指或诸如笔的物体直接触摸显示装置10的前表面。用户的接近指示用户的手指或诸如笔的物体悬停在显示装置10的前表面上方。

图4是图1的显示装置10的主区域MA和副区域SBA的平面图。

显示装置10可以包括主区域MA以及从主区域MA的一侧突出的副区域SBA，主区域MA包括发射用于图像显示的光的显示区域DA。

主区域MA可以包括发射区域EA(参见图5)布置在其中的显示区域DA、布置在显示区域DA周围的主非显示区域MNDA、由显示区域DA围绕的孔区域HLA以及在孔区域HLA与显示区域DA之间的附加非显示区域ANDA。

显示区域DA可以形如具有沿着第一方向DR1的短边以及沿着与第一方向DR1交叉的第二方向DR2的长边的矩形平面。在第一方向DR1上延伸的短边与在第二方向DR2上延伸的长边相交的每个拐角可以以预定曲率倒圆或者可以是直角。显示区域DA的平面形状不限于四边形形状，而也可以是另外的多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。

显示区域DA可以占据主区域MA的大部分。显示区域DA可以位于主区域MA的中心。

主非显示区域MNDA可以与显示区域DA相邻并且可以位于显示区域DA的边缘外部。也就是说，主非显示区域MNDA可以是显示区域DA外部的区域。主非显示区域MNDA可以围绕显示区域DA。主非显示区域MNDA可以是主区域MA的边缘区域。

副区域SBA可以从主区域MA的一侧在第二方向DR2上突出。副区域SBA的在第二方向DR2上的长度可以小于主区域MA的在第二方向DR2上的长度。副区域SBA的在第一方向DR1上的长度可以小于主区域MA的在第一方向DR1上的长度或者可以与主区域MA的在第一方向DR1上的长度基本相同。

副区域SBA可以包括变形成弯折形状的弯折区域BA以及接触弯折区域BA的两侧的第一副区域SB1和第二副区域SB2。

第一副区域SB1是位于主区域MA与弯曲区域BA之间的区域。第一副区域SB1的一侧可以接触主区域MA的主非显示区域MNDA，并且第一副区域SB1的另一侧可以接触弯折区域BA。

第二副区域SB2是与主区域MA间隔开(其中弯折区域BA介于它们之间)的区域并且是由于弯折区域BA变形成弯折形状而位于显示面板100的后表面上的区域。也就是说，由于弯折区域BA变形成弯折形状，因此第二副区域SB2可以在显示面板100的厚度方向DR3上与主区域MA重叠。

第二副区域SB2的一侧可以接触弯折区域BA。第二副区域SB2的另一侧可以是基板110(参见图3)的边缘的一部分。

信号焊盘SPD和显示驱动电路200可以位于第二副区域SB2中。

显示驱动电路200可以生成用于驱动显示区域DA的像素驱动器PXD的信号和电压。

电路板300可以附接到第二副区域SB2的信号焊盘SPD并且电连接到信号焊盘SPD。

孔区域HLA可以与显示区域DA的边缘邻近。

尽管在图1、图2和图4中图示一个圆形的孔区域HLA，但根据一些实施例的孔区域HLA的形状不限于圆形形状，并且孔区域HLA的形状可以具有任何合适的形状。例如，根据一些实施例，孔区域HLA也可以被提供为诸如三角形或正方形的多边形形状或椭圆形形状。根据一些实施例的显示装置10还可以包括两个或更多个孔区域HLA。

附加非显示区域ANDA是孔区域HLA与显示区域DA之间的区域并且可以位于孔区域HLA的边沿外部。也就是说，附加非显示区域ANDA是孔区域HLA外部的区域并且可以围绕孔区域HLA。

附加非显示区域ANDA可以具有与孔区域HLA的形状类似的形状。然而，本公开不限于此，并且根据一些实施例的附加非显示区域ANDA也可以具有与孔区域HLA的形状不同的形状。

图5是图示布置在图4的部分B中的发射区域EA的示例的布局图。

参照图5，显示区域DA可以包括发射区域EA以及位于发射区域EA之间的非发射区域NEA。

发射区域EA当中的两个邻近的发射区域EA可以在第一方向DR1或第二方向DR2上彼此相邻。

发射区域EA中的每一个可以是被单独驱动而以预定亮度显示两种或更多种不同颜色中的任何一种颜色的光的单元。

例如，发射区域EA可以包括发射预定波段内的第一颜色的光的第一发射区域EA1、发射比第一颜色的波段低的波段内的第二颜色的光的第二发射区域EA2以及发射比第二颜色的波段低的波段内的第三颜色的光的第三发射区域EA3。

例如，第一颜色可以是约600nm至约750nm的波段内的红色，第二颜色可以是约480nm至约560nm的波段内的绿色，并且第三颜色可以是约370nm至约460nm的波段内的蓝色。然而，这仅是示例，并且根据本说明书的一些实施例的第一颜色、第二颜色和第三颜色的波段不限于此。

因为发射区域EA包括第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3，所以可以提供各自包括发射区域EA当中的彼此邻近的第一发射区域EA1至第三发射区域EA3的组合的单元像素UPX。

单元像素UPX中的每一个可以是用于单独显示包括白色的各种颜色的单元。也就是说，在每个单元像素UPX中显示的各种颜色的光可以被实现为从包括在每个单元像素UPX中的两个或更多个发射区域EA发射的光的混合。

在图5中，第一发射区域EA1和第三发射区域EA3在第一方向DR1和第二方向DR2上交替，并且第二发射区域EA2彼此并排定位，并且在与第一方向DR1和第二方向DR2交叉的斜线方向上与第一发射区域EA1和第三发射区域EA3邻近。在这种情况下，单元像素UPX中的每一个可以包括在第一方向DR1或第二方向DR2上彼此相邻的一个第一发射区域EA1和一个第三发射区域EA3以及在斜线方向上与第一发射区域EA1和第三发射区域EA3相邻的两个第二发射区域EA2。

然而，这仅是示例，并且根据一些实施例的发射区域EA的布置不限于图5中所图示的布置。

图6是根据一些实施例的像素驱动器PXD的等效电路图。

如上所述，显示装置10的电路层120可以包括分别与发射区域EA相对应并且分别电连接到发光元件层130的发光元件LE的像素驱动器PXD。

电路层120可以包括将数据信号Vdata传输到像素驱动器PXD中的每一个的数据线DL、将第一电力ELVDD传输到像素驱动器PXD中的每一个的第一电力线VDL以及将初始化电压Vint传输到像素驱动器PXD中的每一个的初始化电压线VIL。

电路层120可以包括将扫描写入信号GW传输到像素驱动器PXD中的每一个的扫描写入线GWL、将扫描初始化信号GI传输到像素驱动器PXD中的每一个的扫描初始化线GIL、将发射控制信号EC传输到像素驱动器PXD中的每一个的发射控制线ECL以及将栅控制信号GC传输到像素驱动器PXD中的每一个的栅控制线GCL。

像素驱动器PXD中的每一个除了包括生成用于驱动电连接到像素驱动器PXD的发光元件LE的驱动电流的驱动晶体管DT之外，还可以包括两个或更多个晶体管ST1至ST6，并且可以包括至少一个第一电容器PC1。

发光元件LE的阳极可以电连接到像素驱动器PXD，并且发光元件LE的阴极可以电连接到供给具有比第一电力ELVDD的电压电平低的电压电平的第二电力ELVSS的第二电力线VSL。

发光元件LE可以是具有由有机发光材料制成的发光层的有机发光二极管。可替代地，发光元件LE可以是具有由无机半导体制成的发光层的无机发光元件。可替代地，发光元件LE可以是具有量子点发光层的量子点发光元件。可替代地，发光元件LE可以是微米发光二极管。

与发光元件LE并联连接的电容器Cel表示阳极与阴极之间的寄生电容。

驱动晶体管DT在第一电力线VDL与第二电力线VSL之间与发光元件LE串联连接。也就是说，驱动晶体管DT的第一电极(例如，源电极)可以通过第五晶体管ST5连接到第一电力线VDL，并且驱动晶体管DT的第二电极(例如，漏电极)可以通过第六晶体管ST6连接到发光元件LE的阳极。

另外，驱动晶体管DT的第一电极可以通过第二晶体管ST2连接到数据线DL。

驱动晶体管DT的栅电极可以通过第一电容器PC1连接到第一电力线VDL。也就是说，第一电容器PC1可以连接在驱动晶体管DT的栅电极与第一电力线VDL之间。

相应地，驱动晶体管DT的栅电极的电位可以被维持在第一电力线VDL的第一电力ELVDD。

因此，当通过数据线DL接收的数据信号Vdata通过导通的第二晶体管ST2传输到驱动晶体管DT的第一电极时，可以在驱动晶体管DT的栅电极与驱动晶体管DT的第一电极之间生成与第一电力ELVDD和数据信号Vdata之间的差相对应的电压差。

这里，当驱动晶体管DT的栅电极与驱动晶体管DT的第一电极之间的电压差(即栅-源电压差)等于或大于阈值电压时，驱动晶体管DT可以导通。

然后，当第五晶体管ST5和第六晶体管ST6导通时，驱动晶体管DT可以生成与数据信号Vdata相对应的漏-源电流。驱动晶体管DT的漏-源电流可以作为发光元件LE的驱动电流被供给。

相应地，发光元件LE可以发射具有与数据信号Vdata相对应的亮度的光。

第二晶体管ST2可以连接在驱动晶体管DT的第一电极与数据线DL之间。

第一晶体管ST1可以连接在驱动晶体管DT的栅电极与驱动晶体管DT的第二电极之间。

第一晶体管ST1可以包括串联连接的多个子晶体管。例如，第一晶体管ST1可以包括第一子晶体管ST11和第二子晶体管ST12。

第一子晶体管ST11的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第二电极，第一子晶体管ST11的第二电极可以连接到第二子晶体管ST12的第一电极，并且第二子晶体管ST12的第二电极可以连接到驱动晶体管DT的栅电极和第三子晶体管ST31的第一电极。

相应地，可以防止或减少由于未导通的第一晶体管ST1所引起的泄漏电流而导致的驱动晶体管DT的栅电极的电位发生改变的情况。

第二晶体管ST2、第一子晶体管ST11和第二子晶体管ST12中的每一个的栅电极可以连接到扫描写入线GWL。

相应地，当通过扫描写入线GWL接收到扫描写入信号GW时，第二晶体管ST2、第一子晶体管ST11和第二子晶体管ST12可以导通。

这里，数据信号Vdata可以通过导通的第二晶体管ST2传输到驱动晶体管DT的第一电极。

另外，驱动晶体管DT的栅电极可以通过导通的第一子晶体管ST11和第二子晶体管ST12与驱动晶体管DT的第二电极具有基本相同的电位。

相应地，驱动晶体管DT可以导通。

第三晶体管ST3可以连接在驱动晶体管DT的栅电极与初始化电压线VIL之间。

第三晶体管ST3可以包括串联连接的多个子晶体管。例如，第三晶体管ST3可以包括第三子晶体管ST31和第四子晶体管ST32。

第三子晶体管ST31的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的栅电极，第三子晶体管ST31的第二电极可以连接到第四子晶体管ST32的第一电极，并且第四子晶体管ST32的第二电极可以连接到初始化电压线VIL。

相应地，可以防止或减少由于未导通的第三晶体管ST3所引起的泄漏电流而导致的驱动晶体管DT的栅电极的电位发生改变的情况。

第三子晶体管ST31和第四子晶体管ST32中的每一个的栅电极可以连接到扫描初始化线GIL。

相应地，当通过扫描初始化线GIL接收到扫描初始化信号GI时，第三子晶体管ST31和第四子晶体管ST32可以导通，使得驱动晶体管DT的栅电极的电位被初始化成通过初始化电压线VIL接收的初始化电压Vint。

第四晶体管ST4可以连接在发光元件LE的阳极与初始化电压线VIL之间。

第四晶体管ST4的栅电极可以连接到栅控制线GCL。

相应地，当通过栅控制线GCL接收到栅控制信号GC时，第四晶体管ST4可以导通。

这里，发光元件LE的阳极的电位可以通过导通的第四晶体管ST4被初始化成通过初始化电压线VIL接收的初始化电压Vint。

相应地，可以防止发光元件LE被阳极中剩余的电流驱动。

第五晶体管ST5可以连接在驱动晶体管DT的第一电极与第一电力线VDL之间。

第六晶体管ST6可以连接在驱动晶体管DT的第二电极与发光元件LE的阳极之间。

第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每一个的栅电极可以连接到发射控制线ECL。

相应地，当通过发射控制线ECL接收到发射控制信号EC时，第五晶体管ST5和第六晶体管ST6可以导通，使得驱动晶体管DT的漏-源电流作为发光元件LE的驱动电流被供给。

在图6中，包括在像素驱动器PXD中的驱动晶体管DT以及第一晶体管ST1至第六晶体管ST6全部是N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。然而，应当注意，实施例的像素驱动器PXD不限于图6的图示。也就是说，根据一些实施例的包括在像素驱动器PXD中的驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6中的至少一个也可以是P型MOSFET。

图7是根据一些实施例的两个像素驱动器PXD的平面图。图8是图7中的半导体层SEL和第一导电层CDL1的平面图。图9是图7中的半导体层SEL、第一导电层CDL1和第二导电层CDL2的平面图。图10是图7中的第三导电层CDL3的平面图。图11是沿着图7的线E-E’截取的截面图。

参照图7，根据一些实施例的显示装置10的像素驱动器PXD可以包括驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6。

电路层120可以包括在第一方向DR1上延伸的扫描线。扫描线可以包括扫描写入线GWL、扫描初始化线GIL、发射控制线ECL和栅控制线GCL。

初始化电压线VIL可以与扫描写入线GWL、扫描初始化线GIL、发射控制线ECL和栅控制线GCL由不同的导电层制成，并且可以在第一方向DR1上延伸。

电路层120可以包括在第二方向DR2上延伸的数据线DL和第一电力线VDL。数据线DL和第一电力线VDL可以与扫描写入线GWL、扫描初始化线GIL、发射控制线ECL和栅控制线GCL由不同的导电层制成。

电路层120可以进一步包括与初始化电压线VIL由相同的导电层制成、在第一方向DR1上延伸并且电连接到第一电力线VDL的第一电力辅助线VDAL。

参照图8，半导体层SEL可以包括驱动晶体管DT的沟道CHDT、第一电极SDT和第二电极DDT以及第一晶体管ST1至第六晶体管ST6中的每一个的沟道CH11、CH12、CH2、CH31、CH32、CH4、CH5或CH6、第一电极S11、S12、S2、S31、S32、S4、S5或S6和第二电极D11、D12、D2、D31、D32、D4、D5或D6。

第一导电层CDL1可以包括驱动晶体管DT的栅电极GDT、扫描写入线GWL、扫描初始化线GIL、发射控制线ECL和栅控制线GCL。扫描写入线GWL、扫描初始化线GIL、发射控制线ECL和栅控制线GCL在第一方向DR1上延伸。

半导体层SEL可以由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的任何一种制成。

除了与第一导电层CDL1(GDT、GWL、GIL、ECL和GCL)重叠的部分之外(即，除了晶体管DT以及ST1至ST6的沟道CHDT、CH11、CH12、CH2、CH31、CH32、CH4、CH5和CH6之外)的半导体层SEL可以被制成是导电的。

第一导电层CDL1可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的任何一种或多种制成的单层或多层。

第一子晶体管ST11的栅电极G11、第二子晶体管ST12的栅电极G12和第二晶体管ST2的栅电极G2可以是扫描写入线GWL的不同部分。

第三子晶体管ST31的栅电极G31和第四子晶体管ST32的栅电极G32可以是扫描初始化线GIL的不同部分。

第四晶体管ST4的栅电极G4可以是栅控制线GCL的一部分。

第五晶体管ST5的栅电极G5和第六晶体管ST6的栅电极G6可以是发射控制线ECL的不同部分。

驱动晶体管DT的沟道CHDT与驱动晶体管DT的栅电极GDT重叠，并且驱动晶体管DT的沟道CHDT的两端分别连接到驱动晶体管DT的第一电极SDT和驱动晶体管DT的第二电极DDT。

驱动晶体管DT的第一电极SDT可以连接到第二晶体管ST2的第二电极D2和第五晶体管ST5的第二电极D5。

驱动晶体管DT的第二电极DDT可以连接到第一子晶体管ST11的第一电极S11和第六晶体管ST6的第一电极S6。

第一晶体管ST1可以包括串联连接的第一子晶体管ST11和第二子晶体管ST12。

第一子晶体管ST11的沟道CH11与第一子晶体管ST11的是扫描写入线GWL的一部分的栅电极G11重叠，并且第一子晶体管ST11的沟道CH11的两端分别连接到第一子晶体管ST11的第一电极S11和第一子晶体管ST11的第二电极D11。

第一子晶体管ST11的第二电极D11可以连接到第二子晶体管ST12的第一电极S12。

第二子晶体管ST12的沟道CH12与第二子晶体管ST12的是扫描写入线GWL的一部分的栅电极G12重叠，并且第二子晶体管ST12的沟道CH12的两端分别连接到第二子晶体管ST12的第一电极S12和第二子晶体管ST12的第二电极D12。

第二子晶体管ST12的第二电极D12可以连接到第三子晶体管ST31的第一电极S31。

第二晶体管ST2的沟道CH2与第二晶体管ST2的是扫描写入线GWL的一部分的栅电极G2重叠，并且第二晶体管ST2的沟道CH2的两端分别连接到第二晶体管ST2的第一电极S2和第二晶体管ST2的第二电极D2。

第三晶体管ST3可以包括串联连接的第三子晶体管ST31和第四子晶体管ST32。

第三子晶体管ST31的沟道CH31与第三子晶体管ST31的是扫描初始化线GIL的一部分的栅电极G31重叠，并且第三子晶体管ST31的沟道CH31的两端分别连接到第三子晶体管ST31的第一电极S31和第三子晶体管ST31的第二电极D31。

第三子晶体管ST31的第二电极D31可以连接到第四子晶体管ST32的第一电极S32。

第四子晶体管ST32的沟道CH32与第四子晶体管ST32的是扫描初始化线GIL的一部分的栅电极G32重叠，并且第四子晶体管ST32的沟道CH32的两端分别连接到第四子晶体管ST32的第一电极S32和第四子晶体管ST32的第二电极D32。

第四晶体管ST4的沟道CH4与第四晶体管ST4的是栅控制线GCL的一部分的栅电极G4重叠，并且第四晶体管ST4的沟道CH4的两端分别连接到第四晶体管ST4的第一电极S4和第四晶体管ST4的第二电极D4。

第四晶体管ST4的第二电极D4可以连接到第六晶体管ST6的第二电极D6。

第五晶体管ST5的沟道CH5与第五晶体管ST5的是发射控制线ECL的一部分的栅电极G5重叠，并且第五晶体管ST5的沟道CH5的两端分别连接到第五晶体管ST5的第一电极S5和第五晶体管ST5的第二电极D5。

第六晶体管ST6的沟道CH6与第六晶体管ST6的是发射控制线ECL的一部分的栅电极G6重叠，并且第六晶体管ST6的沟道CH6的两端分别连接到第六晶体管ST6的第一电极S6和第六晶体管ST6的第二电极D6。

参照图9，第二导电层CDL2可以包括初始化电压线VIL和第一电力辅助线VDAL。初始化电压线VIL和第一电力辅助线VDAL可以在第一方向DR1上延伸。

第二导电层CDL2可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的两种或更多种制成的多层。

也就是说，第二导电层CDL2可以具有包括由具有相对低电阻的金属材料制成的第一主层MTL11(参见图12)和位于第一主层MTL11上并且与第一主层MTL11由不同的金属材料制成的第一覆盖层MTL12(参见图12)的多层结构。

第一覆盖层MTL12可以由能够阻止第一主层MTL11的金属材料扩散到周围绝缘材料的金属材料制成。例如，第一覆盖层MTL12可以包括钛(Ti)。

因为第二导电层CDL2如上所述包括具有相对低电阻的第一主层MTL11，所以它可以具有比第一导电层CDL1的电阻低的电阻。

第一电力辅助线VDAL的一部分可以与驱动晶体管DT的栅电极GDT重叠。

相应地，第一电容器PC1可以由第一电力辅助线VDAL与驱动晶体管DT的栅电极GDT之间的重叠区域提供。

电路层120可以包括穿透覆盖半导体层SEL的栅绝缘层122(参见图11)、覆盖第一导电层CDL1的层间绝缘层123(参见图11)和覆盖第二导电层CDL2的第一平坦化层124(参见图11)中的至少一个的第一连接接触孔CCH1至第七连接接触孔CCH7。

第一连接接触孔CCH1与驱动晶体管DT的栅电极GDT重叠。

第二连接接触孔CCH2与第一晶体管ST1和第三晶体管ST3之间的接触点(图8的D12和S31)重叠。

第三连接接触孔CCH3与第二晶体管ST2的第一电极S2重叠。

第四连接接触孔CCH4与第三晶体管ST3的第四子晶体管ST32(参见图8)的第二电极D32(参见图8)重叠。

第五连接接触孔CCH5与初始化电压线VIL重叠。

第六连接接触孔CCH6与第五晶体管ST5的第一电极S5(参见图8)重叠。

第七连接接触孔CCH7与第四晶体管ST4和第六晶体管ST6之间的接触点(图8的D4和D6)重叠。

如图11中所图示，第一连接接触孔CCH1至第七连接接触孔CCH7当中的与半导体层SEL重叠的第三连接接触孔CCH3、第四连接接触孔CCH4和第七连接接触孔CCH7可以穿透第一平坦化层124、层间绝缘层123和栅绝缘层122，以暴露半导体层SEL。同样地，第一连接接触孔CCH1至第七连接接触孔CCH7当中的与半导体层SEL重叠的第二连接接触孔CCH2和第六连接接触孔CCH6可以穿透第一平坦化层124、层间绝缘层123和栅绝缘层122，以暴露半导体层SEL。

第一连接接触孔CCH1可以穿透第一平坦化层124和层间绝缘层123，以暴露驱动晶体管DT的由第一导电层CDL1制成的栅电极GDT。

第五连接接触孔CCH5可以穿透第一平坦化层124，以暴露由第二导电层CDL2制成的初始化电压线VIL。

参照图10，第三导电层CDL3可以包括数据线DL、第一电力线VDL、第一连接电极CCE1、第二连接电极CCE2和阳极连接电极ANDE。

数据线DL和第一电力线VDL在第二方向DR2上延伸。

可替代地，根据一些实施例，第三导电层CDL3可以进一步包括在第二方向DR2上延伸的初始化电压辅助线VIAL(参见图15)。初始化电压辅助线VIAL可以在第一方向DR1上与数据线DL和第一电力线VDL间隔开，并且可以在第二方向DR2上延伸。初始化电压辅助线VIAL可以通过穿透第一平坦化层124的预定连接接触孔电连接到初始化电压线VIL。

第三导电层CDL3可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的两种或更多种制成的多层。

也就是说，第三导电层CDL3可以具有包括由具有相对低电阻的金属材料制成的第二主层MTL21(参见图13)和位于第二主层MTL21上并且与第二主层MTL21由不同的金属材料制成的第二覆盖层MTL22(参见图13)的多层结构。

第二覆盖层MTL22可以由能够阻止第二主层MTL21的金属材料扩散到周围绝缘材料的金属材料制成。例如，第二覆盖层MTL22可以包括钛(Ti)。

因为第三导电层CDL3如上所述包括具有相对低电阻的第二主层MTL21，所以它可以具有比第一导电层CDL1的电阻低的电阻。

参照图7、图9和图10，第一连接电极CCE1可以通过第一连接接触孔CCH1电连接到驱动晶体管DT的栅电极GDT，并且可以通过第二连接接触孔CCH2电连接到第一晶体管ST1和第三晶体管ST3。

相应地，驱动晶体管DT的栅电极GDT可以通过第一连接电极CCE1、第一连接接触孔CCH1和第二连接接触孔CCH2电连接到第一晶体管ST1和第三晶体管ST3。

数据线DL可以通过第三连接接触孔CCH3电连接到第二晶体管ST2的第一电极S2。

第二连接电极CCE2可以通过第四连接接触孔CCH4电连接到第四子晶体管ST32(参见图8)的第二电极D32(参见图8)，并且可以通过第五连接接触孔CCH5电连接到初始化电压线VIL。

相应地，第四子晶体管ST32(参见图8)的第二电极D32(参见图8)可以通过第二连接电极CCE2、第四连接接触孔CCH4和第五连接接触孔CCH5电连接到初始化电压线VIL。

第一电力线VDL可以通过第六连接接触孔CCH6电连接到第五晶体管ST5的第一电极S5(参见图8)。

阳极连接电极ANDE可以通过第七连接接触孔CCH7电连接到第四晶体管ST4和第六晶体管ST6。

参照图11，电路层120可以包括位于基板110上的半导体层SEL(CHDT、SDT、DDT、CH2、S2、D2、CH32、S32、D32、CH6、S6和D6)、位于覆盖半导体层SEL(CHDT、SDT、DDT、CH2、S2、D2、CH32、S32、D32、CH6、S6和D6)的栅绝缘层122上并且包括在第一方向DR1上延伸的第一方向线(图8中的GWL、GIL、ECL和GCL)的第一导电层CDL1(GWL、GIL、ECL和GDT)、位于覆盖第一导电层CDL1(GWL、GIL、ECL和GDT)的层间绝缘层123上的第二导电层CDL2(VIL和VDAL)、位于覆盖第二导电层CDL2(VIL和VDAL)的第一平坦化层124上并且包括在第二方向DR2上延伸的第二方向线VDRL(参见图15)的第三导电层CDL3(DL、VDL、CCE1、CCE2和ANDE)以及覆盖第三导电层CDL3(DL、VDL、CCE1、CCE2和ANDE)的第二平坦化层125。

电路层120可以进一步包括位于基板110与半导体层SEL(CHDT、SDT、DDT、CH2、S2、D2、CH32、S32、D32、CH6、S6和D6)之间的缓冲层121。

缓冲层121、栅绝缘层122和层间绝缘层123中的每一个可以由至少一个无机层制成。例如，缓冲层121、栅绝缘层122和层间绝缘层123中的每一个可以是其中选自氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的一个或多个无机层交替地堆叠的多层。

第一平坦化层124和第二平坦化层125中的每一个可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层制成。

发光元件层130可以位于电路层120的第二平坦化层125上。

发光元件层130可以包括：位于电路层120上并且与发射区域EA中的一个相对应的阳极131；位于电路层120上、与发射区域EA中的每一个周围的非发射区域NEA相对应并且覆盖阳极131的边缘的像素限定层132；位于阳极131上的第一公共层133；位于第一公共层133上的发光层134；位于像素限定层132和发光层134上的第二公共层135；以及位于第二公共层135上的阴极136。

位于像素限定层132和发光层134上的第二公共层135以及位于第二公共层135上的阴极136可以与包括发射区域EA和非发射区域NEA的显示区域DA相对应。也就是说，第二公共层135和阴极136可以与显示区域DA整体相对应。

阳极131可以位于第二平坦化层125上，可以与发射区域EA中的一个相对应，并且可以通过穿透第二平坦化层125的阳极接触孔ANDH电连接到阳极连接电极ANDE。

相应地，第四晶体管ST4和第六晶体管ST6可以通过阳极连接电极ANDE电连接到阳极131。

阳极131可以包括诸如铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或者APC合金和氧化铟锡的堆叠结构(ITO/APC/ITO)的具有高反射率的金属材料。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。

像素限定层132可以位于第二平坦化层125上，可以与非发射区域NEA相对应，并且可以覆盖阳极131的边缘。

像素限定层132可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层制成。

第一公共层133可以位于阳极131上并且可以与发射区域EA中的每一个相对应。在发射区域EA中的每一个中，第一公共层133可以位于阳极131与发光层134之间。

第一公共层133可以包括由空穴传输有机材料制成的空穴传输层。

可替代地，第一公共层133可以进一步包括位于阳极131与空穴传输层之间并且由空穴注入有机材料制成的空穴注入层。

发光层134可以由将电子-空穴对转换成光的有机发光材料制成。

有机发光材料可以包括主体材料和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光材料或荧光材料。

例如，发射第一颜色的光的每个第一发射区域EA1的发光层134可以包括咔唑联苯(CBP)或1,3-双(咔唑-9-基)(mCP)的主体材料。

另外，每个第一发射区域EA1的发光层134的掺杂剂可以包括选自双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮合铱(PIQIr(acac))、双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮合铱(PQIr(acac))、三(1-苯基喹啉)合铱(PQIr)和八乙基卟啉铂(PtOEP)中的一种或多种磷光材料，或者可以是包括PBD:Eu(DBM)₃(Phen)或苝的荧光材料。

发射比第一颜色的波段低的波段内的第二颜色的光的每个第二发射区域EA2的发光层134可以包括CBP或mCP的主体材料。

另外，第二发射区域EA2的发光层134的掺杂剂可以是包括Ir(ppy)₃(面式-三(2-苯基吡啶)合铱)的磷光材料或包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)的荧光材料。

发射比第二颜色的波段低的波段内的第三颜色的光的每个第三发射区域EA3的发光层134可以包括CBP或mCP的主体材料。

每个第三发射区域EA3的发光层134的掺杂剂可以是包括(4,6-F2ppy)₂Irpic或L2BD111的磷光材料。

发光层134的有机发光材料的以上描述仅是示例，并且根据一些实施例的发光层134的材料不限于以上描述。

第二公共层135可以位于像素限定层132和发光层134上，并且可以与包括发射区域EA的显示区域DA相对应。在发射区域EA中的每一个中，第二公共层135可以位于发光层134与阴极136之间。

第二公共层135可以包括由电子传输有机材料制成的电子传输层。

可替代地，第二公共层135可以进一步包括位于电子传输层与阴极136之间并且由电子注入有机材料制成的电子注入层。

阴极136位于第二公共层135上。与第二公共层135一样，阴极136可以与包括发射区域EA的显示区域DA相对应。

阴极136可以由诸如ITO或IZO的能够透光的透明导电氧化物(TCO)制成，或者由诸如镁(Mg)、银(Ag)或者Mg和Ag的合金的半透射导电材料制成。当阴极136由半透射导电材料制成时，可以预期通过微腔提高光输出效率。

发光元件层130可以包括发光元件LE，每个发光元件LE包括彼此面对的阳极131和阴极136以及介于阳极131与阴极136之间的第一公共层133、发光层134和第二公共层135。发光元件LE可以分别与发射区域EA相对应。

发光元件层130被位于发光元件层130上的密封层140覆盖。

密封层140可以包括覆盖发光元件层130并且由无机绝缘材料制成的第一无机层141、位于第一无机层141上并且由有机绝缘材料制成的有机层142以及覆盖有机层142并且由无机绝缘材料制成的第二无机层143。

第一无机层141和第二无机层143中的每一个可以由无机绝缘材料制成。例如，第一无机层141和第二无机层143中的每一个可以具有其中选自氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或多个无机层堆叠的结构。

有机层142位于第一无机层141与第二无机层143之间。有机层142可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层制成。

由有机绝缘材料制成的相对厚的有机层142可以防止或减少诸如灰尘的异物对发光元件层130的损坏。

因为有机层142位于各自由相对疏水的无机绝缘材料制成的第一无机层141与第二无机层143之间，所以可以减少氧或湿气通过有机层142的渗透。

图12是根据一些实施例的图11的部分F的放大图。图13是根据一些实施例的图11的部分G的放大图。

参照图12，根据一些实施例的电路层120的第二导电层CDL2可以具有其中第一主层MTL11和第一覆盖层MTL12堆叠的结构。

第一主层MTL11可以位于层间绝缘层123上。第一主层MTL11可以由具有相对低电阻的金属材料制成，以降低由第二导电层CDL2制成的布线(即，图9中的VIL和VDAL)的RC延迟。

第一覆盖层MTL12可以由与第一主层MTL11的金属材料具有腐蚀电位差的异种金属材料制成。第一覆盖层MTL12可以由能够阻止第一主层MTL11的金属材料扩散到周围区域的金属材料制成。

例如，第一主层MTL11可以由铜(Cu)或铝(Al)制成。在这种情况下，第一覆盖层MTL12可以由钛(Ti)或钼(Mo)制成。也就是说，第二导电层CDL2可以是Cu/Ti、Cu/Mo、Al/Ti和Al/Mo中的任何一种的双层。

参照图13，根据一些实施例的电路层120的第三导电层CDL3可以具有其中第二主层MTL21和第二覆盖层MTL22堆叠的结构。

第二主层MTL21可以位于第一平坦化层124上。第二主层MTL21可以由具有相对低电阻的金属材料制成，以降低由第三导电层CDL3制成的布线(即，图10中的DL和VDL)的RC延迟。

第二覆盖层MTL22可以由与第二主层MTL21的金属材料具有腐蚀电位差的异种金属材料制成。第二覆盖层MTL22可以由能够阻止第二主层MTL21的金属材料扩散到周围区域的金属材料制成。

例如，第二主层MTL21可以由铜(Cu)或铝(Al)制成。在这种情况下，第二覆盖层MTL22可以由钛(Ti)或钼(Mo)制成。也就是说，第三导电层CDL3可以是Cu/Ti、Cu/Mo、Al/Ti和Al/Mo中的任何一种的双层。

图14是根据一些实施例的沿着图4的线C-C’截取的截面图。

参照图14，根据一些实施例的显示装置10的基板110可以包括布置在显示区域DA周围的主非显示区域MNDA。

如图4中所图示，主非显示区域MNDA可以围绕显示区域DA。

如图14中所图示，主非显示区域MNDA可以包括与基板110的边缘邻近的主封装区域MENA。另外，主封装区域MENA可以包括与显示区域DA邻近的主坝区域MDMA。主封装区域MENA和主坝区域MDMA可以围绕显示区域DA。

根据一些实施例的显示装置10可以包括位于主非显示区域MNDA的主坝区域MDMA中的主坝部分MDM和MDM’。

主坝部分MDM和MDM’可以包括顺序地围绕显示区域DA的边缘的一个或多个主坝MDM和MDM’。

一个或多个主坝MDM和MDM’当中的一个主坝MDM可以具有其中两个或更多个坝层DML1至DML4堆叠的结构。两个或更多个坝层DML1至DML4可以分别由与第一平坦化层124、第二平坦化层125和像素限定层132中的两个或更多个相同的层制成。

另外，两个或更多个坝层DML1至DML4当中的最上层(即，第四坝层DML4)可以由与位于像素限定层132上、与非发射区域NEA的一部分相对应并且彼此间隔开的间隔物(未示出)相同的层制成。间隔物被设计成支撑在设置第一公共层133和发光层134的工艺中提供的掩模。间隔物可以减少对阳极131和像素限定层132以及第一公共层133和发光层134的损坏。

例如，一个或多个主坝MDM和MDM’当中的一个主坝MDM可以包括位于层间绝缘层123上并且由与第一平坦化层124相同的层制成的第一坝层DML1、位于第一坝层DML1上并且由与第二平坦化层125相同的层制成的第二坝层DML2、位于第二坝层DML2上并且由与像素限定层132相同的层制成的第三坝层DML3以及位于第三坝层DML3上并且由与间隔物相同的层制成的第四坝层DML4。

另外，一个或多个主坝MDM和MDM’当中的另一主坝MDM’可以包括位于层间绝缘层123上并且由与第一平坦化层124相同的层制成的第一坝层DML1、位于第一坝层DML1上并且由与第二平坦化层125相同的层制成的第二坝层DML2以及位于第二坝层DML2上并且由与像素限定层132相同的层制成的第三坝层DML3。

然而，以上描述仅是示例，并且根据一些实施例的主坝部分MDM和MDM’的结构不限于图14的图示。

主坝部分MDM和MDM’被设计成限制密封层140的有机层142位于其中的范围。也就是说，有机层142位于由主坝部分MDM和MDM’围绕的区域内，并且不延伸到基板110的边缘。

密封层140的第一无机层141和第二无机层143延伸到主非显示区域MNDA的主封装区域MENA并且覆盖主坝部分MDM和MDM’。例如，第一无机层141和第二无机层143可以延伸到基板110的边缘。

因为各自由第一导电层CDL1、第二导电层CDL2和第三导电层CDL3中的至少一个制成的连接布线位于主非显示区域MNDA中，所以第一平坦化层124、第二平坦化层125和像素限定层132可以延伸到主非显示区域MNDA的与显示区域DA邻近的部分。

然而，因为第一平坦化层124、第二平坦化层125和像素限定层132由有机绝缘材料制成，所以可能容易产生氧或湿气渗透路径。因此，第一平坦化层124、第二平坦化层125和像素限定层132可以不遍及整个主非显示区域MNDA延伸并且可以与主坝区域MDMA间隔开。相应地，可以在第一平坦化层124、第二平坦化层125和像素限定层132与主坝部分MDM和MDM’间隔开的部分中以及在一个或多个主坝MDM和MDM’之间的部分中形成暴露层间绝缘层123的谷。

另外，因为第一平坦化层124、第二平坦化层125和像素限定层132不延伸到基板110的边缘，所以层间绝缘层123也可以在主非显示区域MNDA的主封装区域MENA中的主坝区域MDMA与基板110的边缘之间的区域中被暴露。

因此，第一无机层141可以在主非显示区域MNDA的谷中以及在主封装区域MENA的一部分中接触暴露的层间绝缘层123。另外，第二无机层143可以在主封装区域MENA中接触第一无机层141。相应地，可以在主非显示区域MNDA中提供通过结合无机材料形成的密封结构。

因此，可以阻止或延缓在基板110的边缘处产生氧或湿气渗透路径。

图15是根据一些实施例的图4的部分D的布局图。图16是根据一些实施例的沿着图15的线H-H’截取的截面图。图17是图16的部分I中的密封辅助结构ESS和蚀刻停止部分EST的放大图。图18是图16的部分I的放大图。

参照图15，根据一些实施例的显示装置10的基板110包括显示区域DA、由显示区域DA围绕的孔区域HLA以及在显示区域DA与孔区域HLA之间的附加非显示区域ANDA。

根据一些实施例的显示装置10包括位于附加非显示区域ANDA中并且顺序地围绕孔区域HLA的密封辅助结构ESS。

参照图16，根据一些实施例的显示装置10的基板110的附加非显示区域ANDA可以包括与孔区域HLA的边沿邻近并且围绕孔区域HLA的副封装区域SENA以及与显示区域DA邻近并且围绕副封装区域SENA的布线旁路区域LSSA。

另外，根据一些实施例的显示装置10包括与孔区域HLA相对应并且至少穿透基板110的贯通部分THM。也就是说，贯通部分THM可以穿透显示装置10的与孔区域HLA相对应的部分。例如，贯通部分THM可以穿透基板110、缓冲层121、栅绝缘层122、层间绝缘层123、第一无机层141和第二无机层143中的每一个的一部分。

如图15中所图示，根据一些实施例的显示装置10的电路层120包括分别与布置在显示区域DA中的发射区域EA相对应的像素驱动器PXD。

另外，根据一些实施例的显示装置10的电路层120可以进一步包括电连接到像素驱动器PXD的布线SL、DL、VDL和VIAL。

例如，电路层120可以包括在第一方向DR1上延伸并且电连接到像素驱动器PXD的扫描线SL(GWL、GIL、GCL和ECL)以及在第二方向DR2上延伸并且电连接到像素驱动器PXD的第二方向线VDRL。

扫描线SL可以包括扫描写入线GWL、扫描初始化线GIL、发射控制线ECL和栅控制线GCL。

第二方向线VDRL可以包括数据线DL、第一电力线VDL和初始化电压辅助线VIAL。

另外，电路层120的布线SL、DL、VDL和VIAL当中的与孔区域HLA和附加非显示区域ANDA交叉的一些布线可以在附加非显示区域ANDA的布线旁路区域LSSA中沿着孔区域HLA的边沿从孔区域HLA旁路。

第二方向线VDRL可以包括与孔区域HLA和附加非显示区域ANDA交叉的孔交叉线HINL。第二方向线VDRL当中的孔交叉线HINL中的每一条可以包括位于布线旁路区域LSSA中并且沿着孔区域HLA的边沿从孔区域HLA旁路的旁路布线部分DEP。

也就是说，数据线DL可以包括与孔区域HLA和附加非显示区域ANDA交叉的第一孔交叉线HINL1以及除了第一孔交叉线HINL1之外的一般数据线DL’。

第一电力线VDL可以包括与孔区域HLA和附加非显示区域ANDA交叉的第二孔交叉线HINL2以及除了第二孔交叉线HINL2之外的一般第一电力线VDL’。

另外，初始化电压辅助线VIAL可以包括与孔区域HLA和附加非显示区域ANDA交叉的第三孔交叉线HINL3以及除了第三孔交叉线HINL3之外的一般初始化电压辅助线VIAL’。

如图16中所图示，与第二方向线VDRL(DL、VDL和VIAL)一样，孔交叉线HINL中的每一条的旁路布线部分DEP可以由第一平坦化层124上的第三导电层CDL3制成。

另外，与扫描线SL一样，扫描线SL中的每一条的位于布线旁路区域LSSA中的旁路布线部分可以由层间绝缘层123上的第二导电层CDL2制成。

根据一些实施例，第二导电层CDL2可以具有第一主层MTL11和第一覆盖层MTL12的堆叠结构，并且第三导电层CDL3可以具有第二主层MTL21和第二覆盖层MTL22的堆叠结构。

另外，根据一些实施例的显示装置10可以进一步包括位于副封装区域SENA的与布线旁路区域LSSA相对邻近的副坝区域SDMA中的副坝部分SDM和SDM’。

副坝部分SDM和SDM’可以包括顺序地围绕孔区域HLA的一个或多个副坝SDM和SDM’。

与一个或多个主坝MDM和MDM’一样，一个或多个副坝SDM和SDM’可以具有其中两个或更多个坝层DML1至DML4堆叠的结构。两个或更多个坝层DML1至DML4可以分别由与第一平坦化层124、第二平坦化层125和像素限定层132中的两个或更多个相同的层制成。

另外，两个或更多个坝层DML1至DML4当中的最上层(即，第四坝层DML4)可以由与位于像素限定层132上、与非发射区域NEA的一部分相对应并且彼此间隔开的间隔物(未示出)相同的层制成。

也就是说，一个或多个副坝SDM和SDM’当中的一个副坝SDM可以包括位于层间绝缘层123上并且由与第一平坦化层124相同的层制成的第一坝层DML1、位于第一坝层DML1上并且由与第二平坦化层125相同的层制成的第二坝层DML2、位于第二坝层DML2上并且由与像素限定层132相同的层制成的第三坝层DML3以及位于第三坝层DML3上并且由与间隔物相同的层制成的第四坝层DML4。

一个或多个副坝SDM和SDM’当中的另一副坝SDM’可以包括位于层间绝缘层123上并且由与第一平坦化层124相同的层制成的第一坝层DML1、位于第一坝层DML1上并且由与第二平坦化层125相同的层制成的第二坝层DML2以及位于第二坝层DML2上并且由与像素限定层132相同的层制成的第三坝层DML3。

然而，以上描述仅是示例，并且根据一些实施例的副坝部分SDM和SDM’的结构不限于图16的图示。

因为第二方向线VDRL的旁路布线部分DEP和扫描线SL的旁路布线部分位于布线旁路区域LSSA中，所以第一平坦化层124、第二平坦化层125和像素限定层132可以延伸到布线旁路区域LSSA。

然而，因为第一平坦化层124、第二平坦化层125和像素限定层132由有机绝缘材料制成，所以可能容易产生氧或湿气渗透路径。因此，第一平坦化层124、第二平坦化层125和像素限定层132可以不延伸到孔区域HLA的贯通部分THM并且可以与副坝区域SDMA间隔开。相应地，可以在第一平坦化层124、第二平坦化层125和像素限定层132与副坝部分SDM和SDM’间隔开的部分中以及在一个或多个副坝部分SDM和SDM’之间的部分中形成暴露层间绝缘层123的谷。

另外，因为第一平坦化层124、第二平坦化层125和像素限定层132不延伸到孔区域HLA的贯通部分THM，所以层间绝缘层123也可以在附加非显示区域ANDA的副封装区域SENA中的副坝区域SDMA与贯通部分THM之间的区域中被暴露。

相应地，副封装区域SENA的密封辅助结构ESS可以位于层间绝缘层123上。

参照图17，根据一些实施例的显示装置10中的密封辅助结构ESS中的每一个包括第一主层MTL11、位于第一主层MTL11上的第一覆盖层MTL12、位于第一覆盖层MTL12上的第二主层MTL21、位于第二主层MTL21上的第二覆盖层MTL22、其中第一覆盖层MTL12从第一主层MTL11突出的第一底切部分UC1以及其中第二覆盖层MTL22从第二主层MTL21突出的第二底切部分UC2。

也就是说，密封辅助结构ESS中的每一个可以包括第二导电层CDL2的第一主层MTL11和第一覆盖层MTL12以及第三导电层CDL3的第二主层MTL21和第二覆盖层MTL22。

第一底切部分UC1和第二底切部分UC2被设计成将第二公共层135和阴极136中的每一个分离。因此，可以考虑第二公共层135和阴极136中的每一个的厚度、沉积强度、附着力和内聚力，确定第一底切部分UC1的宽度和第二底切部分UC2的宽度等于或大于预定最小阈值。

另外，可以考虑第一覆盖层MTL12和第二覆盖层MTL22中的每一个的厚度和强度以及第一主层MTL11和第二主层MTL21中的每一个的宽度，确定第一底切部分UC1的宽度和第二底切部分UC2的宽度等于或小于预定最大阈值。例如，可以考虑第一覆盖层MTL12和第二覆盖层MTL22中的每一个的突出形状是否可以被维持，确定第一底切部分UC1的宽度和第二底切部分UC2的宽度。

第一底切部分UC1的宽度指代第一覆盖层MTL12从第一主层MTL11突出的宽度。

第二底切部分UC2的宽度指代第二覆盖层MTL22从第二主层MTL21突出的宽度。

例如，第一底切部分UC1的宽度和第二底切部分UC2的宽度中的每一个可以在0.2μm至0.3μm的范围内。

另外，因为密封辅助结构ESS中的每一个中的与第一底切部分UC1相对应的第一主层MTL11和第一覆盖层MTL12支撑第二主层MTL21，所以第一底切部分UC1的宽度可以小于第二底切部分UC2的宽度。

例如，第二底切部分UC2的宽度可以是0.3μm或更小，并且第一底切部分UC1的宽度可以是0.25μm或更小。

另外，根据一些实施例的显示装置10可以进一步包括位于密封辅助结构ESS之间的区域中的蚀刻停止部分EST。

与密封辅助结构ESS一样，蚀刻停止部分EST可以位于层间绝缘层123上。

如图17中所图示，根据一些实施例，蚀刻停止部分EST可以由第一主层MTL11的第一部分P1制成。

也就是说，蚀刻停止部分EST可以由第一主层MTL11的具有预定厚度并且位于密封辅助结构ESS之间的第一部分P1制成。

蚀刻停止部分EST在密封辅助结构ESS之间保留在层间绝缘层123上，以阻止层间绝缘层123的暴露。因此，可以在提供第一底切部分UC1和第二底切部分UC2的工艺中防止或减少对层间绝缘层123的损坏。

另外，副封装区域SENA中的第一主层MTL11可以进一步包括位于第一部分P1上的第二部分P2，并且第二部分P2可以提供在密封辅助结构ESS中的每一个中，并且可以被部分地去除以暴露蚀刻停止部分EST。

参照图18，与整个显示区域DA相对应的第二公共层135和阴极136在无需单独的掩模工艺的情况下被形成或布置。因此，它们也可以延伸到由显示区域DA围绕的孔区域HLA和附加非显示区域ANDA。

然而，根据一些实施例的显示装置10包括位于附加非显示区域ANDA中并且各自包括第一底切部分UC1和第二底切部分UC2的密封辅助结构ESS。

因此，位于附加非显示区域ANDA中的第二公共层135和阴极136可以各自通过密封辅助结构ESS中的每一个的第一底切部分UC1和第二底切部分UC2分离。

也就是说，附加非显示区域ANDA中的第二公共层135可以包括位于层间绝缘层123和蚀刻停止部分EST上的第一层分离部分135A、位于第一覆盖层MTL12和第二主层MTL21的侧表面上的第二层分离部分135B以及位于第二覆盖层MTL22上的第三层分离部分135C。

另外，附加非显示区域ANDA中的阴极136可以包括位于层间绝缘层123和蚀刻停止部分EST上的第一电极分离部分136A、位于第一覆盖层MTL12和第二主层MTL21的侧表面上的第二电极分离部分136B以及位于第二覆盖层MTL22上的第三电极分离部分136C。

因为有机材料的第二公共层135和金属材料的阴极136如上所述通过密封辅助结构ESS中的每一个分离，所以可以阻止使用有机材料和金属材料产生氧或湿气渗透路径。

例如，根据一些实施例，因为密封辅助结构ESS中的每一个包括第一底切部分UC1和第二底切部分UC2，所以第二公共层135和阴极136各自通过密封辅助结构ESS中的每一个分离两次。因此，可以更牢固地阻止氧或湿气渗透路径的产生。

另外，因为第二公共层135和阴极136在附加非显示区域ANDA中各自通过密封辅助结构ESS中的每一个的第一底切部分UC1和第二底切部分UC2分离，所以密封辅助结构ESS中的每一个的一部分可以被暴露而没有被第二公共层135和阴极136覆盖。

也就是说，在附加非显示区域ANDA中第一主层MTL11的与第一覆盖层MTL12邻近的部分可以被第一底切部分UC1暴露而没有被第二公共层135和阴极136覆盖，并且可以接触第一无机层141。

另外，在附加非显示区域ANDA中第二主层MTL21的与第二覆盖层MTL22邻近的部分可以被第二底切部分UC2暴露而没有被第二公共层135和阴极136覆盖，并且可以接触第一无机层141。

换句话说，在附加非显示区域ANDA的副封装区域SENA中，密封层140的第一无机层141可以接触分别被第一底切部分UC1和第二底切部分UC2暴露而没有被第二公共层135和阴极136覆盖的第一主层MTL11的一部分和第二主层MTL21的一部分。

因此，即使从设置第二公共层135和阴极136的工艺中排除单独的掩模工艺，也可以在附加非显示区域ANDA的副封装区域SENA中提供通过无机材料的结合形成的密封结构。

因此，可以阻止或延缓在贯通部分THM周围产生氧或湿气渗透路径。相应地，即使包括贯通部分THM，也可以防止或减少显示装置10的质量可靠性和寿命的降低。

接下来，将描述其他实施例的显示装置10。

图19是根据一些实施例的图11的部分F的放大图。图20是根据一些实施例的图11的部分G的放大图。图21是根据一些实施例的沿着图15的线H-H’截取的截面图。图22是图21的部分J的放大图。

参照图19，根据一些实施例的显示装置10的电路层120的第二导电层CDL2与图12中所图示的实施例的第二导电层CDL2基本相同，除了第二导电层CDL2进一步包括位于层间绝缘层123与第一主层MTL11之间的第一底层MTL13。因此，下面可以省略一些冗余描述。

参照图20，根据一些实施例的显示装置10的电路层120的第三导电层CDL3与图13中所图示的实施例的第三导电层CDL3基本相同，除了第三导电层CDL3进一步包括位于第一平坦化层124与第二主层MTL21之间的第二底层MTL23。因此，下面可以省略一些冗余描述。

与第一覆盖层MTL12和第二覆盖层MTL22一样，第一底层MTL13和第二底层MTL23中的每一个可以由钛(Ti)或钼(Mo)制成。

也就是说，根据一些实施例，第二导电层CDL2和第三导电层CDL3中的每一个可以是Ti/Cu/Ti、Ti/Cu/Mo、Ti/Al/Ti、Ti/Al/Mo、Mo/Cu/Ti、Mo/Cu/Mo、Mo/Al/Ti和Mo/Al/Mo中的任何一种的三层。

参照图21和图22，根据一些实施例的显示装置10与图16至图18中所图示的实施例的显示装置10基本相同，除了每个密封辅助结构ESS进一步包括第一底层MTL13和第二底层MTL23，并且每个密封辅助结构ESS的第二底层MTL23位于第一覆盖层MTL12与第二主层MTL21之间。因此，下面可以省略一些冗余描述。

另外，根据一些实施例，显示装置10的蚀刻停止部分EST可以包括第一底层MTL13。

如上所述，根据一些实施例，第二导电层CDL2进一步包括第一底层MTL13，并且第三导电层CDL3进一步包括第二底层MTL23。因此，可以防止或减少第一主层MTL11和第二主层MTL21的金属材料朝向基板110的扩散。

另外，因为第二导电层CDL2进一步包括第一底层MTL13，所以即使在提供第一底切部分UC1和第二底切部分UC2的工艺中第一主层MTL11在密封辅助结构ESS之间的区域中被完全蚀刻，第一底层MTL13也可以保留。因此，密封辅助结构ESS之间的蚀刻停止部分EST可以相对容易地由第一底层MTL13制成。

图23是根据一些实施例的沿着图15的线H-H’截取的截面图。图24是图23的部分K的放大图。

参照图23和图24，根据一些实施例的显示装置10与图21和图22中所图示的实施例的显示装置10基本相同，除了蚀刻停止部分EST进一步包括位于第一底层MTL13上的第一主层MTL11的一部分。因此，下面可以省略一些冗余描述。

如上所述，根据一些实施例，蚀刻停止部分EST包括第一底层MTL13以及第一主层MTL11的第一部分P1(参见图17)。因此，可以更牢固地保护层间绝缘层123。

接下来，将描述根据一些实施例的制造显示装置的方法。

图25是图示根据一些实施例的制造显示装置的方法的流程图。图26是图示图25中的设置电路层的操作的流程图。图27是图示图25中的设置发光元件层的操作的流程图。图28至图45是示出图25、图26和图27中所图示的操作的工艺图。

参照图25，根据一些实施例的制造显示装置的方法包括：准备包括发射区域EA布置在其中的显示区域DA、布置在显示区域DA周围的主非显示区域MNDA、由显示区域DA围绕的孔区域HLA以及在孔区域HLA与显示区域DA之间的附加非显示区域ANDA的基板110(操作S10)；在基板110上设置包括分别与发射区域EA相对应的像素驱动器PXD的电路层120(操作S20)；以及在电路层120上设置包括分别与发射区域EA相对应的发光元件LE的发光元件层130(操作S30)。

另外，根据一些实施例的制造显示装置的方法可以进一步包括：在设置发光元件层130(操作S30)之后，在发光元件层130上设置密封层140(操作S40)；以及设置与孔区域HLA相对应并且至少穿透基板110的贯通部分THM(操作S50)。

参照图26，设置电路层120(操作S20)包括：在基板110上设置半导体层SEL(操作S21)；在基板110上设置覆盖半导体层SEL的栅绝缘层122(操作S22)；在栅绝缘层122上设置第一导电层CDL1(操作S23)；在栅绝缘层122上设置覆盖第一导电层CDL1的层间绝缘层123(操作S24)；在层间绝缘层123上设置包括顺序地堆叠的第一主层MTL11和第一覆盖层MTL12的第二导电层CDL2(操作S25)；在层间绝缘层123上设置与显示区域DA相对应并且覆盖第二导电层CDL2的第一平坦化层124(操作S26)；在第一平坦化层124上设置包括顺序地堆叠的第二主层MTL21和第二覆盖层MTL22的第三导电层CDL3(操作S27)；在第一平坦化层124上设置与显示区域DA相对应并且覆盖第三导电层CDL3的第二平坦化层125(操作S28)；以及在附加非显示区域ANDA中设置各自包括第一主层MTL11和第一覆盖层MTL12以及在第一覆盖层MTL12上的第二主层MTL21和第二覆盖层MTL22并且顺序地围绕孔区域HLA的多层结构203(参见图34)(操作S29)。

在设置第二导电层CDL2(操作S25)中，提供位于附加非显示区域ANDA的一部分中并且包括第一主层MTL11和第一覆盖层MTL12的第一辅助材料层201(参见图31)。

在设置第三导电层CDL3(操作S27)中，提供位于第一辅助材料层201上并且包括第二主层MTL21和第二覆盖层MTL22的第二辅助材料层202(参见图33)。

另外，设置多层结构203(操作S29)包括部分地去除第一辅助材料层201和第二辅助材料层202的工艺。相应地，可以提供顺序地围绕孔区域HLA并且各自包括顺序地堆叠的第一主层MTL11、第一覆盖层MTL12、第二主层MTL21和第二覆盖层MTL22的多层结构203。

参照图27，设置发光元件层130(操作S30)包括在第二平坦化层125上设置与发射区域EA中的一个相对应的阳极131(操作S31)。

在设置阳极131(操作S31)中，附加非显示区域ANDA中的多层结构203中的每一个的第一主层MTL11的至少一部分(例如第二部分P2(参见图17))的侧表面和第二主层MTL21的侧表面被部分地去除。相应地，多层结构203变形成密封辅助结构ESS。这里，密封辅助结构ESS中的每一个包括第一底切部分UC1和第二底切部分UC2。第一底切部分UC1具有其中第一覆盖层MTL12从第一主层MTL11突出的结构。第二底切部分UC2具有其中第二覆盖层MTL22从第二主层MTL21突出的结构。

另外，设置发光元件层130(操作S30)可以进一步包括：在第二平坦化层125上设置与发射区域EA中的每一个周围的非发射区域NEA相对应并且覆盖阳极131的边缘的像素限定层132(操作S32)；在阳极131上设置第一公共层133(操作S33)；在第一公共层133上设置发光层134(操作S34)；在像素限定层132和发光层134上设置与显示区域DA相对应的第二公共层135(操作S35)；以及在第二公共层135上设置与显示区域DA相对应的阴极136(操作S36)。

参照图28，提供包括发射区域EA布置在其中的显示区域DA的基板110(操作S10)。

可以通过将无机绝缘材料施加在基板110上来设置缓冲层121。

缓冲层121可以与基板110的整个区域MA和SBA相对应。也就是说，缓冲层121可以延伸到基板110的边缘。

缓冲层121可以是其中选自氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的一个或多个无机层交替地堆叠的多层。

可以通过部分地去除堆叠在缓冲层121上的半导体材料，来在缓冲层121上设置半导体层SEL(CHDT、SDT、DDT、CH2、S2、D2、CH32、S32、D32、CH6、S6和D6)(操作S21)。

可以通过将覆盖半导体层SEL的无机绝缘材料施加在缓冲层121上来设置栅绝缘层122(操作S22)。

栅绝缘层122可以与基板110的整个区域MA和SBA相对应。也就是说，栅绝缘层122可以延伸到基板110的边缘。

栅绝缘层122可以是其中选自氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的一个或多个无机层交替地堆叠的多层。

可以通过部分地去除堆叠在栅绝缘层122上的导电材料，来在栅绝缘层122上设置第一导电层CDL1(GDT、GWL、GIL、ECL和GCL)(操作S23)。

这里，除了与第一导电层CDL1重叠的部分之外(即，除了晶体管DT以及ST1至ST6的沟道CHDT、CH11、CH12、CH2、CH31、CH32、CH4、CH5和CH6之外)的半导体层SEL可以被制成是导电的。

参照图29，可以通过将覆盖第一导电层CDL1(GDT、GWL、GIL、ECL和GCL)的无机绝缘材料施加在栅绝缘层122上来设置层间绝缘层123(操作S24)。

层间绝缘层123可以与基板110的整个区域MA和SBA相对应。也就是说，层间绝缘层123可以延伸到基板110的边缘。

层间绝缘层123可以是其中选自氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的一个或多个无机层交替地堆叠的多层。

参照图30，可以通过部分地去除层间绝缘层123上的导电材料，来在层间绝缘层123上设置第二导电层CDL2(VIL和VDAL)(操作S25)。

第二导电层CDL2可以具有包括由具有相对低电阻的金属材料制成的第一主层MTL11以及位于第一主层MTL11上并且由与第一主层MTL11的金属材料不同的金属材料制成的第一覆盖层MTL12的双层结构。

可替代地，第二导电层CDL2可以具有进一步包括位于层间绝缘层123与第一主层MTL11之间的第一底层MTL13的三层结构。

参照图31，在设置第二导电层CDL2(操作S25)中，可以提供位于孔区域HLA和附加非显示区域ANDA的与孔区域HLA邻近的一部分中并且包括第一主层MTL11和第一覆盖层MTL12的第一辅助材料层201。

也就是说，第二导电层CDL2进一步包括位于孔区域HLA和附加非显示区域ANDA的一部分中的第一辅助材料层201。

接下来，可以通过将覆盖第二导电层CDL2的有机绝缘材料施加在层间绝缘层123上来设置第一平坦化层124(操作S26)。

第一平坦化层124可以与显示区域DA相对应。另外，第一平坦化层124可以延伸到主非显示区域MNDA的一部分和附加非显示区域ANDA的一部分。

接下来，可以部分地去除第一平坦化层124以形成穿透第一平坦化层124的连接接触孔(例如，图32的CCH3、CCH4、CCH5和CCH7)。

这里，可以在主坝区域MDMA和副坝区域SDMA中设置第一坝层DML1。

如图31中所图示，第一平坦化层124与第一坝层DML1间隔开。

相应地，如图14和图16中所图示，暴露层间绝缘层123的谷可以位于第一平坦化层124与第一坝层DML1之间的区域中以及第一坝层DML1之间的区域中。另外，层间绝缘层123可以在第一坝层DML1与基板110的边缘之间的区域中被暴露。

第一平坦化层124可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层制成。

参照图32，可以通过部分地去除第一平坦化层124上的导电材料，在第一平坦化层124上设置第三导电层CDL3(DL、VDL、CCE1、CCE2和ANDE)(操作S27)。

第三导电层CDL3可以具有包括由具有相对低电阻的金属材料制成的第二主层MTL21以及位于第二主层MTL21上并且由与第二主层MTL21的金属材料不同的金属材料制成的第二覆盖层MTL22的双层结构。

可替代地，第三导电层CDL3可以具有进一步包括位于第一平坦化层124与第二主层MTL21之间的第二底层MTL23的三层结构。

参照图33，在设置第三导电层CDL3(操作S27)中，可以提供位于第一辅助材料层201上并且包括第二主层MTL21和第二覆盖层MTL22的第二辅助材料层202。

也就是说，第三导电层CDL3进一步包括位于孔区域HLA以及附加非显示区域ANDA的一部分中的第二辅助材料层202。

接下来，可以通过将覆盖第三导电层CDL3的有机绝缘材料施加在第一平坦化层124上来设置第二平坦化层125(操作S28)。

第二平坦化层125可以与显示区域DA相对应。另外，第二平坦化层125可以延伸到主非显示区域MNDA的一部分和附加非显示区域ANDA的一部分。

相应地，可以提供电路层120。

接下来，可以部分地去除第二平坦化层125，以形成穿透第二平坦化层125的阳极接触孔ANDH。

这里，第二坝层DML2可以设置在主坝区域MDMA和副坝区域SDMA中的每一个中的第一坝层DML1上。

第二平坦化层125与第二坝层DML2间隔开。

相应地，如图14和图16中所图示，暴露层间绝缘层123的谷可以位于第二平坦化层125与第二坝层DML2之间的区域中以及第二坝层DML2之间的区域中。另外，层间绝缘层123可以在第二坝层DML2与基板110的边缘之间的区域中被暴露。

第二平坦化层125可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机层制成。

参照图33和图34，在掩模210布置在附加非显示区域ANDA中以顺序地围绕孔区域HLA的状态下，第一辅助材料层201和第二辅助材料层202一起被部分地去除以形成多层结构203(操作S29)。

这里，可以进一步形成与多层结构203之间的区域相对应的蚀刻停止部分EST。

蚀刻停止部分EST可以包括第一底层MTL13。

可替代地，蚀刻停止部分EST可以包括第一底层MTL13以及第一主层MTL11的一部分。

可替代地，蚀刻停止部分EST可以包括位于层间绝缘层123上的第一主层MTL11的一部分。

可以在设置第二坝层DML2的工艺中提供用于设置多层结构203的掩模210。也就是说，掩模210可以是与第二平坦化层125相同的层。

参照图35，可以部分地去除第二平坦化层125上的导电材料，以在第二平坦化层125上提供与发射区域EA中的一个相对应的阳极131(操作S31)。

阳极131可以通过穿透第二平坦化层125的阳极接触孔ANDH电连接到电路层120的像素驱动器PXD中的一个。

参照图36，在设置阳极131(操作S31)中，在位于附加非显示区域ANDA中的多层结构203中的每一个中，第一主层MTL11的至少一部分的侧表面和第二主层MTL21的侧表面可以通过被暴露于用于设置阳极131的蚀刻材料而被部分地蚀刻。

相应地，多层结构203可以变形成各自包括第一底切部分UC1和第二底切部分UC2的密封辅助结构ESS。

第一底切部分UC1可以由其中第一覆盖层MTL12从第一主层MTL11突出的结构提供。

第二底切部分UC2可以由其中第二覆盖层MTL22从第二主层MTL21突出的结构提供。

另外，因为层间绝缘层123的与多层结构203之间的区域相对应的部分被蚀刻停止部分EST保护，所以它可以不被暴露于用于设置阳极131的蚀刻材料。相应地，可以防止或减少在密封辅助结构ESS之间的区域中对层间绝缘层123的损坏。这可以实现相对改善的密封。

参照图37，可以通过部分地去除施加在第二平坦化层125上的有机绝缘材料来设置与非发射区域NEA相对应并且覆盖阳极131的边缘的像素限定层132(操作S32)。

参照图38，在设置像素限定层132(操作S32)中，第三坝层DML3可以被设置在主非显示区域MNDA和附加非显示区域ANDA中的每一个中的第二坝层DML2上。

另外，根据一些实施例，当通过与像素限定层132的掩模工艺相同的掩模工艺在像素限定层132的一部分上提供间隔物时，第四坝层DML4可以与第三坝层DML3一起设置在第三坝层DML3的至少一部分上。

相应地，可以提供主坝部分MDM和MDM’以及副坝部分SDM和SDM’。

参照图39，在包括分别与发射区域EA相对应的透射部分231以及与非发射区域NEA相对应的阻挡部分232的沉积掩模230对齐的状态下印刷有机材料。相应地，可以在阳极131上设置与每个发射区域EA相对应的第一公共层133(操作S33)，并且可以在第一公共层133上设置发光层134(操作S34)。

这里，可以针对第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3中的每一个提供沉积掩模230。

也就是说，可以针对发射区域EA发射的光的每种颜色执行第一公共层133和发光层134的设置(操作S33和操作S34)。

参照图40，可以在像素限定层132和发光层134上设置与显示区域DA相对应的第二公共层135(操作S35)，并且可以在第二公共层135上设置阴极136(操作S36)。

相应地，可以提供发光元件层130。

参照图41，设置第二公共层135(操作S35)和设置阴极136(操作S36)可以不使用与每个发射区域EA相对应的掩模而是使用至少与整个显示区域DA相对应的掩模来执行。在这种情况下，第二公共层135和阴极136也被设置在被显示区域DA围绕的孔区域HLA以及附加非显示区域ANDA中。

然而，根据一些实施例，因为存在通过设置阳极131(操作S31)提供的密封辅助结构ESS，所以第二公共层135和阴极136各自在附加非显示区域ANDA中通过密封辅助结构ESS分离。

也就是说，如图18、图22和图24中所图示，附加非显示区域ANDA中的第二公共层135可以包括位于层间绝缘层123和蚀刻停止部分EST上的第一层分离部分135A、位于第一覆盖层MTL12和第二主层MTL21的侧表面上的第二层分离部分135B以及位于第二覆盖层MTL22上的第三层分离部分135C。

接下来，设置覆盖发光元件层130的密封层140(操作S40)。

设置密封层140(操作S40)可以包括设置第一无机层141、设置有机层142和设置第二无机层143。

参照图42，可以通过将无机绝缘材料施加在阴极136上来设置第一无机层141。

可替代地，根据一些实施例，可以在覆盖阴极136的有机材料的保护层上设置第一无机层141。

第一无机层141可以延伸到基板110的边缘，并且可以在主非显示区域MNDA和附加非显示区域ANDA中接触层间绝缘层123。

参照图43，第一无机层141可以接触被密封辅助结构ESS中的每一个的第一底切部分UC1和第二底切部分UC2暴露的第一主层MTL11的一部分和第二主层MTL21的一部分。

相应地，可以在主非显示区域MNDA和附加非显示区域ANDA中提供层间绝缘层123、密封辅助结构ESS和第一无机层141的无机材料的结合结构。

参照图44，可以通过在第一无机层141上滴落、扩散和固化有机绝缘材料而在主坝部分MDM和MDM’与副坝部分SDM和SDM’之间的区域中设置有机层142。

另外，可以通过将覆盖有机层142的无机绝缘材料施加在第一无机层141上来设置第二无机层143。

参照图45，第二无机层143可以延伸到基板110的边缘，并且可以在主非显示区域MNDA和附加非显示区域ANDA中接触第一无机层141。

相应地，可以在主非显示区域MNDA和附加非显示区域ANDA中提供位于有机层142的两个表面上的第一无机层141和第二无机层143的无机材料的结合结构。

接下来，可以提供与孔区域HLA相对应并且至少穿透基板110的贯通部分THM(操作S50)。

贯通部分THM可以穿透位于孔区域HLA中的绝缘材料和导电材料。也就是说，贯通部分THM可以穿透与孔区域HLA相对应的基板110、缓冲层121、栅绝缘层122、层间绝缘层123、蚀刻停止部分EST、第一层分离部分135A、第一电极分离部分136A、第一无机层141和第二无机层143。

如上所述，在根据一些实施例的制造显示装置的方法中，可以通过设置第二导电层CDL2(操作S25)、设置第三导电层CDL3(操作S27)、设置多层结构203(操作S29)和设置阳极131(操作S31)，来提供各自包括第一底切部分UC1和第二底切部分UC2的密封辅助结构ESS。因此，即使当设置第二公共层135和阴极136时不添加掩模工艺，第二公共层135和阴极136也可以各自在附加非显示区域ANDA中通过密封辅助结构ESS分离。因此，尽管排除了单独的掩模工艺并且存在贯通部分THM，但仍可以阻止或延缓在贯通部分THM周围产生氧或湿气渗透路径。

根据一些实施例的显示装置包括：基板，包括显示区域、主非显示区域、孔区域和附加非显示区域；在基板上的电路层；在电路层上的发光元件层；在发光元件层上的密封层；位于孔区域中并且穿透基板的贯通部分；以及位于显示区域与孔区域之间的附加非显示区域中并且顺序地围绕贯通部分的密封辅助结构。密封辅助结构中的每一个包括第一底切部分和第二底切部分。第一底切部分由从第一主层突出的第一覆盖层提供。第二底切部分由从位于第一覆盖层上的第二主层突出的第二覆盖层提供。

发光元件层可以包括在电路层上的阳极和像素限定层、在阳极上的第一公共层、在第一公共层上的发光层、在发光层和像素限定层上的第二公共层以及在第二公共层上的阴极。第二公共层和阴极可以延伸到附加非显示区域，并且可以各自在附加非显示区域中通过密封辅助结构中的每一个的第一底切部分和第二底切部分分离。

密封层可以包括在发光元件层上的第一无机层、在第一无机层上的有机层和覆盖有机层的第二无机层。

相应地，可以降低附加非显示区域中的第二公共层和阴极将成为氧、污染物或湿气渗透路径的可能性。

相应地，因为第一无机层接触第一主层和第二主层中的每一个，所以可以在贯通部分周围提供通过无机材料之间的结合而形成的密封结构。因此，即使不添加单独的掩模工艺，也可以阻止或延缓在贯通部分周围产生氧或湿气渗透路径。

然而，根据本公开的实施例的特征不限于本文中阐述的特征。通过参照权利要求及其等同，根据本公开的实施例的上述和其他特征对于本公开所属领域的普通技术人员来说将变得更加明显。

Claims

1.一种显示装置，包括：

基板，包括发射区域布置在其中的显示区域、在所述显示区域周围的主非显示区域、由所述显示区域围绕的孔区域以及位于所述孔区域与所述显示区域之间的附加非显示区域；

电路层，在所述基板上并且包括分别与所述发射区域相对应的像素驱动器；

发光元件层，在所述电路层上并且包括分别与所述发射区域相对应的发光元件；

密封层，在所述发光元件层上；

贯通部分，在所述孔区域中并且至少穿透所述基板；以及

密封辅助结构，在所述附加非显示区域中并且顺序地围绕所述孔区域，

其中，所述密封辅助结构中的每一个包括：

第一主层；

第一覆盖层，在所述第一主层上；

第二主层，在所述第一覆盖层上；

第二覆盖层，在所述第二主层上；

第一底切部分，在所述第一底切部分中所述第一覆盖层从所述第一主层突出；和

第二底切部分，在所述第二底切部分中所述第二覆盖层从所述第二主层突出，

其中，所述发光元件层包括：

阳极，在所述电路层上并且与所述发射区域中的一个相对应；

像素限定层，在所述电路层上，与所述发射区域中的每一个周围的非发射区域相对应，并且覆盖所述阳极的边缘；

第一公共层，在所述阳极上；

发光层，在所述第一公共层上；

第二公共层，在所述像素限定层和所述发光层上并且与所述显示区域相对应；和

阴极，在所述第二公共层上并且与所述显示区域相对应，

其中，所述发光元件中的每一个具有其中所述发光层在所述阳极与所述阴极之间的结构，并且

所述第二公共层和所述阴极延伸到所述附加非显示区域，并且各自通过所述密封辅助结构中的每一个的所述第一底切部分和所述第二底切部分分离。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电路层包括：

半导体层，在所述基板上；

第一导电层，在覆盖所述半导体层的栅绝缘层上；

第二导电层，在覆盖所述第一导电层的层间绝缘层上；

第三导电层，在覆盖所述第二导电层的第一平坦化层上；以及

第二平坦化层，覆盖所述第三导电层，

其中，所述第二导电层包括所述第一主层和所述第一覆盖层，并且

所述第三导电层包括所述第二主层和所述第二覆盖层。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述附加非显示区域包括：

副封装区域，与所述孔区域邻近并且围绕所述孔区域；和

布线旁路区域，在所述副封装区域与所述显示区域之间，并且

所述电路层包括电连接到所述像素驱动器的布线，

其中，所述布线中的与所述孔区域和所述附加非显示区域交叉的一些布线在所述布线旁路区域中沿着所述孔区域的边缘从所述孔区域旁路，并且

所述第一平坦化层和所述第二平坦化层延伸到所述布线旁路区域。

4.根据权利要求3所述的显示装置，进一步包括：

主坝部分，包括位于所述主非显示区域中的与所述显示区域邻近的主坝区域中并且顺序地围绕所述显示区域的边缘的一个或多个主坝；以及

副坝部分，包括位于所述副封装区域中的与所述布线旁路区域邻近的副坝区域中并且顺序地围绕所述孔区域的一个或多个副坝，

其中，所述第一平坦化层、所述第二平坦化层和所述像素限定层与所述主坝区域和所述副坝区域间隔开，

其中，所述密封层包括：

第一无机层，覆盖所述发光元件层并且包括无机绝缘材料；

有机层，在所述第一无机层上并且包括有机绝缘材料；和

第二无机层，覆盖所述有机层并且包括无机绝缘材料，

其中，所述有机层与所述主坝部分和所述副坝部分之间的区域相对应并且与所述发光元件层重叠，并且所述第一无机层和所述第二无机层在所述主坝区域和所述副坝区域中彼此接触。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一无机层接触所述第一主层的被所述密封辅助结构中的每一个的所述第一底切部分暴露的部分，并且接触所述第二主层的被所述密封辅助结构中的每一个的所述第二底切部分暴露的部分。

6.根据权利要求4所述的显示装置，进一步包括位于所述密封辅助结构之间的区域中的蚀刻停止部分，

其中，所述密封辅助结构和所述蚀刻停止部分位于所述层间绝缘层上。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止部分包括在所述层间绝缘层上的所述第一主层的一部分。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二导电层进一步包括在所述层间绝缘层与所述第一主层之间的第一底层，

所述第三导电层进一步包括在所述第一平坦化层与所述第二主层之间的第二底层，

所述密封辅助结构中的每一个进一步包括所述第一底层和所述第二底层，并且

所述密封辅助结构中的每一个的所述第二底层位于所述第一覆盖层与所述第二主层之间。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止部分包括位于所述层间绝缘层上的所述第一底层。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述蚀刻停止部分进一步包括在所述第一底层上的所述第一主层的一部分。