CN117835525A - 内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板，主要包括介电材料层、散热陶瓷块、固定部、梯级式金属电极层、功率晶体管及介电材质封装，其中介电材料层形成有贯穿孔，散热陶瓷块对应嵌入贯穿孔，散热陶瓷块的导热系数高于介电材料层、且厚度薄于介电材料层，梯级式金属电极层导电及导热功率晶体管，介电材质封装包封后供梯级式金属电极层的源极接脚、集极接脚和闸极接脚各自部分暴露，透过改变散热陶瓷块厚度，并将功率晶体管直接以内埋式作法，不仅让整体导热效率更佳，更让整体厚度变薄，同时保有应有热电分离功能。
Description
技术领域
本发明涉及一种印刷电路板，尤其是一种内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板。
背景技术
印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)是以铜箔基板为主要关键基础材料，用以供装设电子元件，该铜箔基板一般多以介电材料做为绝缘层，以铜箔形成的导线为导电材料层，并将导电材料层布局于该介电绝缘层而成。其中介电材料又多以纸质、电木板、玻璃纤维板、橡胶以及其他种类高分子等绝缘材料经树脂含浸形成为主。为便于后续说明，本案将此种铜箔基板的绝缘层称为介电材料层。
随着电路设计的日益复杂、多元的需求，印刷电路板的结构也由单面板(SingleLayer PCB)逐渐发展为双面板(Double Layer PCB)到多层板(Multi Layer PCB)。目前多层的印刷电路板是利用多层的介电材料层和导电材料层相迭合，形成更复杂并且更多元的电路，并且借由在介电材料层形成贯穿孔，以导电材料构成插塞(Plug)，进而连结多层板间各层的导线，以达到在更小的占用体积里允许容纳更多电子元件的目的。市面上常见的FR-4、FR-5、FR-6、FR-7等皆属于多层PCB常用材质。
在电子装置不断微型化的同时，特定需求的电子元件则朝向更高功率方向发展，如此一来，在更小的空间内就会伴随更高的发热。尤其导线的线距和导线本身的线径都要缩小，例如在电木板与玻璃纤维等为基础的基板材料上，电路间距都已可缩减到大约50微米(μm)，这使得电路领域中关于热能累积难以处理的高温问题愈发严重。
为了增进散热效率，目前常用的方法有以下几种：一是一般电子元件产生的热能，经由热对流或是热辐射扩散至印刷电路板周围的空气及环境，但此种散热效率并不高；二是透过导热性质比较好的金属导线或散热片(Heat-Sink)传导，虽然这类结构散热效果较单纯介电材质更好，但由于金属导线的线径不大，故此种路径之散热效率并不高；而散热片通常需经由导热胶等材料固定于印刷电路板，但是导热胶本身的导热系数远低于金属，因此即使在散热片远离产热电子元件的远程加装风扇，导热片的导热效果也会大打折扣。
目前比较被普遍实行的解决方案是使用陶瓷材料做为电路基板的绝缘材料层，最常见的陶瓷材料有氧化铝(Aluminium Oxide，Al2O3)制成的直接覆铜(Dircet BondedCopper，DBC)基板，其中，氧化铝在单晶结构下导热系数可达35Wm-1 K-1，多晶结构下则有20至27Wm-1 K-1。其他常见的陶瓷材料基板，还有：氮化铝(AlN)、氧化铍(BeO)及碳化硅(SiC)等。由于上述导热性能良好的陶瓷材料常用在有高功率电子元件的电路基板中，因此该类基板有时又称作高功率印刷电路基板(Power Electronic Substrate)。
然而，实务上若要使用以陶瓷材料基板制作的印刷电路板，虽然电路的导线线径可以细至30微米(μm)，但由于通常采用高温烧制，在制程中，一方面会造成少量的膨胀不均和翘曲，因此基板的精密度不如印刷电路板而不适合制造多层板；另方面在高温制程中容易使构成电路的金属原子游离扩散，使得导线间距须维持在80微米(μm)左右。因此，采用陶瓷材料基板制作印刷电路板除了成本增加外，还会造成导线的宽度、间距无法缩减，以及导线线路位置的精准度问题，使得应用整片陶瓷材料基板的电子装置体积无法微型化。
所以，针对高发热的电子元件，申请人所拥有的中国台湾第I670998和I690246号发明专利已经揭露将印刷电路基板中预先穿孔，随后将尺寸对应于高功率元件的陶瓷块嵌入穿孔并使印刷电路板和散热陶瓷块上下齐平，高功率电子元件则是设置于嵌入的散热陶瓷块上，一方面让高功率元件的高发热可以从嵌块下方传导出，另方面旁边的印刷电路板可以因应复杂的电路导接需求，两者各司其职，分别提供热传导和良好电讯号导接的技术功效，然而，随着电动车、计算机的功率消耗不断加大、且电路需微型化的市场需求，如何将已经运作良好的现有发明方案在散热效果及元件占用面积更进一步改良优化，就成为本发明所要解决的标的。
除此之外，申请人所拥有的上述发明，在使用这类型高发热的电子元件，例如高功率元件(IGBT)，虽然是以表面安装(Surface-mount technology，SMT)的方式焊接固定于散热陶瓷块上方的接垫处，但仍须至少部分经由金属引线，将IGBT的各电极导接至外部印刷电路板上的对应接垫，尤其一旦是要利用例如铝条来导接数安培甚至数十安培的大电流时，还必须依赖例如超音波探头加压熔接，在加工流程上增加复杂性；如果能同时将导引的接垫设计得具有更大的导接面积，且完全是裸露的金属接垫，将更易于电路设计及制造时的操作。
发明内容
针对现有技术的上述不足，根据本发明的实施例，希望提供一种内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板，旨在实现如下发明目的：(1)将高功率元件和散热陶瓷块一同内埋于印刷电路板中，由于散热陶瓷块厚度变薄，有效提升整体导热效率；(2)让高功率元件直接被内埋于电路板中，大幅提升电路板空间利用，利于微型化；(3)将内埋功率晶体管的源极、集极和闸极的对应接脚分别导接暴露于电路板相反于陶瓷块的一侧，进一步提升导热与电路分离的效果；(4)经由暴露的导出部，让电路设计便利且可靠。
根据实施例，本发明提供的一种内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板，包括：一介电材料层，包含一第一上板面和相反于前述第一上板面的一第一下板面，以及，该介电材料层形成有至少一个贯穿前述第一上板面和第一下板面的贯穿孔；至少一个对应嵌入上述贯穿孔的散热陶瓷块，包含一第二上板面与一第二下板面，前述散热陶瓷块的导热系数高于上述介电材料层、且前述散热陶瓷块的厚度薄于上述介电材料层；至少一个将上述散热陶瓷块嵌入固定于上述介电材料层的贯穿孔中的固定部，使得前述第二下板面对应于上述第一下板面；一导热设置于上述第二上板面上的梯级式金属电极层，包括至少一源极接脚或一集极接脚，前述源极或集极接脚被区分为一薄型接垫部和一延伸自前述薄型接垫部的源极或集极导出部；一导电及导热安装于上述梯级式金属电极层上的功率晶体管，前述晶体管具有至少一源极、一闸极和一集极，其中前述源极或集极是被导电连接至上述源极或集极接脚；至少两个分别导电连接前述源极或前述集极的另一者的一集极或源极接脚、以及导电连接前述闸极一闸极接脚，其中前述集极或源极接脚和前述闸极接脚分别包括有至少一集极或源极导出部和一闸极导出部；一填充前述贯穿孔的介电材质封装，包封上述第二上板面、上述薄型接垫部、及上述功率晶体管，借此形成与上述第一上板面齐平的第三上板面，以及该第三上板面是供前述源极接脚、前述集极接脚和前述闸极接脚各自的前述源极导出部、前述集极导出部和前述集极导出部分别至少部分暴露。
相对于现有技术，本发明由于选择薄型的陶瓷块，使得功率晶体管发热面可以透过更短的途径将热能导出，增加导热效能，也确保操作环境的温升可以良好控制；借由内埋设置功率晶体管，让出电路板上的安装空间，使得电路板的微型化更彻底；尤其是将功率晶体管以大面积的导电接脚导出，让电路设计和导接更为便利可靠，而且电路方向和热能导出方向相反、进一步降低功率晶体管发热对于电路板上其他元件的操作环境热干扰。
附图说明
图1-4为本发明内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板第一较佳实施例制造过程各阶段的侧面剖视图。
图5为图1状态的俯视图。
图6为本发明第一实施例封装后图4状态的俯视图。
图7为应用于本发明第二实施例之功率晶体管底视示意图(说明其源极、闸极和集极的共平面配置)。
图8本发明第二实施例封装完成后之电路板剖视示意图。
图9为图8实施例尚未安装功率晶体管及封装前俯视示意图。
图10为图8实施例封装后之俯视示意图。
图11本发明第三实施例封装完成后之电路板剖视示意图。
图12图11实施例封装后之俯视示意图。
其中：1、1'为介电材料层；10、10'、10”为贯穿孔；12、12'、12”为第一上板面；14为第一下板面；2为散热陶瓷块；22、22'、22”为第二上板面；24为第二下板面；3为固定部；4、4'为梯级式金属电极层；42、42'、42”为源极接脚；420、440、460、420'、460'为薄型接垫部；422、422'、422”为源极导出部；462、462'、462”为闸极导出部；44、44'、44”为集极接脚；442、442'、442”为集极导出部；46、46'、46”为闸极接脚；5、5'、5”为功率晶体管；52、52'、52”为源极；54、54'、54”为集极；56、56'、56”为闸极；6、6”为介电材质封装；62、62'、62”为第三上板面；7为界面纳米银胶层；8为铜层；9、9'为电路层。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐述本发明。这些实施例应理解为仅用于说明本发明而不用于限制本发明的保护范围。在阅读了本发明记载的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等效变化和修改同样落入本发明权利要求所限定的范围。
第一较佳实施例
如图1和图5所示，本发明第一较佳实施例提供的内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板，是以长、宽各10cm的FR-4的多层介电材料层1为基础，在介电材料层1中以例如雷射预切割出例如长、宽各2cm的贯穿孔10，再将对应的如氧化铝(Al2O3)材质方形柱状的散热陶瓷块2嵌入贯穿孔10中。不过，如熟悉本技术领域人士所能轻易理解，本实施例中的FR-4基板大小可以从大于10cm2到小于3600cm2的范围内简单替换，均无碍于本发明的实施。
为便于说明，在此依图式方向，将介电材料层1位于图1至4上方的表面称为第一上板面12，相对的下方称为第一下板面14，而将散热陶瓷块2的上、下表面分别称为第二上板面22和第二下板面24，散热陶瓷块2的导热系数高于介电材料层1、且散热陶瓷块2的厚度薄于介电材料层1。当然，熟知此领域技术者可以轻易了解上述介电材料层1无论改采FR-1(俗称电木板)、FR-3、FR-6、G-10等环氧树脂或玻璃纤维预浸基板均可；切割方式也可采用机械切割等类似方式，散热陶瓷块2则可以选择氮化硅(Si3N4)、氮化铝(AlN)、碳化硅(SiC)、氧化铍(BeO)等替代，均无碍于本案实施。
其中，固定部3以例如环氧树脂胶填入散热陶瓷块2的外周缘与FR-4介电材料层1的贯穿孔10内缘之间的间隙，胶材固化后，不仅可将散热陶瓷块2的外周缘与贯穿孔10内缘稳固结合，且胶材固化的固定部3本身还具有大于散热陶瓷块2的挠性，因此是一种机械缓冲混合材料，使得两种相异材质即使受热膨胀系数不一，仍可以提供缓冲保护。当然，熟知本技术领域之人可以轻易推知，虽本实施例以环氧树脂胶做说明，但可以硅为基底或其他具挠性的胶材均属简易变换，并无碍于本案实施。在本实施例中，此结合会使得第二下板面24与第一下板面14齐平，此外，由于散热陶瓷块2的第二下板面24是主要的散热途径，因此也可以随设计需求而额外增加散热金属层(未标号)，并且将散热鳍片(图中未标示)导热安装于此散热金属层之下；当然，熟悉本领域人士可以轻易理解，此处所谓第二下板面24和第一下板面14对应，也可以设计成让散热金属层和第一下板面14齐平，均无碍于本发明。
此时，第二上板面22上导热设置有梯级式金属电极层4，由于本实施例中的功率晶体管，是以源极和闸极共面，集极则位于相反面，因此如图5，梯级式金属电极层4包括一源极接脚42和一闸极接脚46，并且各自被区分为一薄型接垫部420、460和源极导出部422、闸极导出部462，其中彼此共平面且相互电气绝缘的薄型接垫部420、460主要导热设置于第二上板面22上，而源极导出部422、闸极导出部462在本实施例中则是由薄型接垫部420往上延伸出并达到至少与介电材料层1的第一上板面12同高度，使源极导出部422与薄型接垫部420整体呈弯折延伸设置。就图5的俯视图可以看出，由于闸极的电流量低、接脚面积远小于源极，因此源极的源极导出部422暴露于第一上板面的面积也明显较大，借此容许更多电流行经。
如图2所示，梯级式金属电极层的薄型接垫部420、460之上，则直接导电及导热安装有功率晶体管5，由于功率晶体管5的源极52和闸极56位于图示下方，因此分别被例如焊接至薄型接垫部420、460，并且借由大面积的薄型接垫部420，实现将功率晶体管5大量热能高效率向下导出的效果，经由量测结果显示，基于导热陶瓷块的厚度大幅减小，甚至可薄至仅数百微米(μm)，使得功率晶体管因陶瓷块的温度差而造成的操作环境温升，由以往的摄氏三度明显降低到摄氏一度或更低，大幅提升整体的散热效果。
由于本实施例中，功率晶体管5的集极54是位于图2的上方侧，因此在随后的图3中，会在功率晶体管5在上方的集极54的平面导接安装集极接脚44，本实施例中的集极接脚44仅有单层的铜层8，在此称为集极导出部442，使得集极导出部442是被设置于源极接脚42与闸极接脚46的薄型接垫部420、460反向位置，而且在本实施例中，集极导出部442的铜层与功率晶体管5的集极54之间是作为黏着的接口纳米银胶层7，让数毫米的铜层8被可靠地导电结合至集极54，且集极导出部442的厚度恰好可以达到至少与第一上板面齐平，借此暴露于电路板的上侧。
随后如图4和图6所示，填充贯穿孔10的介电材质封装6(可为环氧树脂胶)，用于包封第二上板面22、薄型接垫部420、460、以及功率晶体管5，借此形成与第一上板面12齐平的第三上板面62，透过介电材质封装6将源极接脚42、闸极接脚46的源极导出部422、闸极导出部462以及集极接脚44的集极导出部442暴露以形成裸露于电路板上方侧的接点，当然，如熟悉本技术领域人士所能轻易理解，一旦有公差存在，可以借由抛磨的方式，使得上述第一上板面12、第三上板面62、以及所有源极导出部422、闸极导出部462和集极导出部442齐平，以利于介电材料层上的电路元件与功率晶体管5的源极52、集极54和闸极56对接；当然，上述的第一上板面12也可以是包括已经在FR-4板上设置完成一电路层9后的顶面，使得电路层9可位于第一上板面12及第三上板面62上方，与暴露的源极接脚42、集极接脚44与闸极接脚46共平面。
由上述可知，本发明主要是将散热陶瓷块2降低厚度，让散热陶瓷块2的厚度远薄于介电材料层1，使得以往技术结构的散热效果可以更佳提升，而散热陶瓷块2与介电材料层1之间的落差高度则可容纳功率晶体管5内埋置入，不仅可以有效确保功率晶体管的操作温度环境，更让整体厚度变薄，有效利用电路板布局面积，同时良好确保热电分离功能。除此之外，依照功率晶体管5的源极52、集极54和闸极56设计的位置绝佳，让导接途径最大化，借此容许大电流通过，还不影响整体导热效率与厚度。
尤其再次强调，功率晶体管5以例如表面安装(Surface-mount technology，SMT)的方式焊接固定于散热陶瓷块2上方的接垫处，借由薄型接垫部的大面积接触，即使应用于作功量较大的电子设备，如：电动车、冷气机、电冰箱、音响、马达驱动器以及高功率计算机等，功率晶体管5产生的大量热能，也会因热阻低而直接穿经氧化铝(Al2O3)的散热陶瓷块2，向下传导至高导热层(未标号)，而由后方的散热鳍片或热导管导离散热陶瓷块2的位置，更进一步确保安装于介电材料层上的电路元件不受高温影响效能。
第二较佳实施例
不同于第一实施例中，功率晶体管5仅有源极52和闸极56位于同一作用面，而集极54是位于作用面的相反面，本发明的第二较佳实施例主要是因应如图7所示的源极52'、集极54'和闸极56'是位于同一平面的功率晶体管5'，因此，本实施例如图8至图10所示，其中的梯级式金属电极层4'同时包括源极接脚42'、集极接脚44'和闸极接脚46'，其中于源极接脚42'或闸极接脚46'被区分为一薄型接垫部420'、460'和源极导出部422'、闸极导出部462'，其中薄型接垫部420'、460'主要导热设置于第二上板面22'上，而源极导出部422'、闸极导出部462'则由薄型接垫部420'、460'往上延伸出并与介电材料层1'同高度，使源极导出部422'、闸极导出部462'与薄型接垫部420'、460'整体呈弯折延伸设置，至于本实施例中的集极接脚44'则界定有一集极薄型接垫部440'及由集极薄型接垫部440'延伸出的集极导出部442'，集极薄型接垫部440'同样是导热设置于第二上板面22'上，而集极导出部442'则由集极薄型接垫部440'往上延伸出并与介电材料层1'同高度，使集极导出部442'与集极薄型接垫部440'整体呈弯折延伸设置。
由于集极接脚44'呈弯折延伸设置因此无须第一实施例中的铜层，且集极接脚44'设置于源极接脚42'与闸极接脚46'高度完全对应的位置，其中功率晶体管5'的源极52'、集极54'和闸极56'是位于同一作用面，因此，源极接脚42'、集极接脚44'和闸极接脚46'的薄型接垫部420'、460'与集极薄型接垫部440'彼此共平面且电气绝缘。
随后，填充贯穿孔10'的介电材质封装(可为环氧树脂胶)，用于包封第二上板面22'、薄型接垫部420'、集极薄型接垫部440'以及功率晶体管5'，借此形成与第一上板面12'齐平的第三上板面62'，透过介电材质封装将源极接脚42'、闸极接脚46'的源极导出部422'、闸极导出部462'以及集极接脚44'上的集极薄型接垫部440'分别至少部分暴露以形成接点，以利于与功率晶体管5'的源极52'、集极54'和闸极56'对接，完成上述封装后，以抛磨方式，使第一上板面12'齐平的第三上板面62'及源极导出部422'、闸极导出部462'与集极导出部442'能有更平整的接触面，最后将电路层9'设置于第一上板面12'、第三上板面62'、以及暴露的源极接脚42'、集极接脚44'与闸极接脚46'上方位置，更进一步，电路层9'可位于第一上板面12'及第三上板面62'上方，与暴露的源极接脚42'、集极接脚44'与闸极接脚46'共平面。
由上述可知，当功率晶体管5'的源极52'、集极54'和闸极56'是位于同一平面的形式暴露于电路板的上方侧，而功率晶体管的发热则可以依赖下方大面积导热连接的导热陶瓷向电路板下方导出，不仅借由比现有技术更薄的陶瓷块，让功率晶体管操作环境的温升控制到更低，内埋式的结构也可以将电路板上表面清空，并且留下大面积的接脚，让大电流可以顺利流入、流出，不仅让整体电路板结构空间利用更巧妙，也同时提升原有的热电分离效率。
第三较佳实施例
不同于第一实施例中，功率晶体管源极和闸极对应于散热陶瓷块的第二上板面，而集极是位于相反面，本实施例如图11至图12所示，集极54”是位于接近且面向第二上板面22”，而源极和闸极则是位于一远离第二上板面的相反面。换言之，集极、源极和闸极的位置与第一实施例相反。
功率晶体管5”在下方的集极54”的平面导接安装集极接脚44”，本实施例中的集极接脚44”除设置于第二上板面22”上的铜层作为薄型接垫部440”之外，还从薄型接垫部440”向上呈L型地弯折延伸出环绕四方的集极导出部442”；相对地，在本实施例的源极52”和闸极56”则是朝向图的上方，使得源极接脚42”与闸极接脚46”仅分别包括源极导出部422”和闸极导出部462”。
与第一实施例相同是采介电材质封装6”填充贯穿孔10”，而包封的则是第二上板面22”、集极导出部442”、以及功率晶体管5”，借此形成与第一上板面12”齐平的第三上板面62”，至于源极导出部422”、闸极导出部462”以及集极导出部442”，则经过抛光后，以共平面的结构暴露于介电材质封装6”之中，以形成裸露于电路板上方侧的接点。因此，一方面散热陶瓷块的厚度低于热电分离电路板的整体厚度，使得散热陶瓷块顶面和底面之间的温差更低，可以更有效率地进行散热；另方面安装于散热陶瓷块上的功率晶体管完全被包埋于贯穿孔中，有效节省电路板体积；而功率晶体管的源极、集极和闸极都可以借由各自的导出部暴露于电路板上，并且保有平坦广大的焊接面，让导接途径最大化，完全可以因应大电流所需要的多根导电线并联压焊，以容许大电流通过，电动车或其他大电流的操作控制易于实施。
Claims (10)
1.一种内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板，其特征是，包括:
一介电材料层，包含一第一上板面和相反于前述第一上板面的一第一下板面，以及，该介电材料层形成有至少一个贯穿前述第一上板面和第一下板面的贯穿孔；
至少一个对应嵌入上述贯穿孔的散热陶瓷块，包含一第二上板面与一第二下板面，前述散热陶瓷块的导热系数高于上述介电材料层、且前述散热陶瓷块的厚度薄于上述介电材料层；
至少一个将上述散热陶瓷块嵌入固定于上述介电材料层的贯穿孔中的固定部，使得前述第二下板面对应于上述第一下板面；
一导热设置于上述第二上板面上的梯级式金属电极层，包括至少一源极接脚或一集极接脚，前述源极或集极接脚被区分为一薄型接垫部和一延伸自前述薄型接垫部的源极或集极导出部；
一导电及导热安装于上述梯级式金属电极层上的功率晶体管，前述晶体管具有至少一源极、一闸极和一集极，其中前述源极或集极是被导电连接至上述源极或集极接脚；
至少两个分别导电连接前述源极或前述集极的另一者的一集极或源极接脚、以及导电连接前述闸极一闸极接脚，其中前述集极或源极接脚和前述闸极接脚分别包括有至少一集极或源极导出部和一闸极导出部；
一填充前述贯穿孔的介电材质封装，包封上述第二上板面、上述薄型接垫部、及上述功率晶体管，借此形成与上述第一上板面齐平的第三上板面，以及该第三上板面是供前述源极接脚、前述集极接脚和前述闸极接脚各自的前述源极导出部、前述集极导出部和前述集极导出部分别至少部分暴露。
2.如权利要求1所述的内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板，其特征是，上述功率晶体管是一裸晶晶粒。
3.如权利要求2所述的内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板，其特征是，上述功率晶体管的上述源极、上述集极和上述闸极都是位于同一平面，其中前述源极接脚、前述集极接脚和前述闸极接脚分别都具有一导热设置于上述第二上板面且彼此共平面且电气绝缘的的薄型接垫部；以及前述源极导出部、前述集极导出部和前述闸极导出部分别弯折延伸自各自对应的上述薄型接垫部。
4.如权利要求2所述的内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板，其特征是，上述功率晶体管的上述源极和闸极是位于同一作用面，而上述集极是位于一前述作用面的相反面；以及前述源极接脚和前述闸极接脚分别具有彼此共平面且电气绝缘的上述薄型接垫部，及分别弯折延伸自前述薄型接垫部的上述源极导出部和上述闸极导出部；以及前述集极导出部则是设置于上述相反面上。
5.如权利要求4所述的内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板，其特征是，上述集极导出部是一设置于上述功率晶体管的上述相反面上的铜层。
6.如权利要求5所述的内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板，其中上述集极接脚的上述集极导出部进一步包括一设置于上述功率晶体管的上述相反面和上述铜层间的界面纳米银胶层。
7.如权利要求2所述的内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板，其特征是，上述功率晶体管的上述集极是位于接近且面向上述第二上板面，而上述源极和闸极则是位于一远离前述第二上板面的相反面。
8.如权利要求7所述的内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板，其特征是，前述集极接脚具有上述薄型接垫部，及弯折延伸自前述薄型接垫部的上述集极导出部；以及前述源极导出部和前述闸极导出部则是彼此绝缘且共平面地设置于上述相反面上。
9.如权利要求1-8任一项所述的内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板，其特征是，进一步包括一位于上述第一上板面、第三上板面、以及前述暴露的源极接脚、前述集极接脚和前述闸极接脚上方的电路层。
10.如权利要求1-8任一项所述的内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板，其特征是，进一步包括一位于上述第一上板面、第三上板面上方的电路层；以及前述暴露的源极接脚、前述集极接脚和前述闸极接脚是和前述电路层共平面。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211201125.1A CN117835525A (zh) | 2022-09-29 | 2022-09-29 | 内埋式具有陶瓷基板及功率晶体管的热电分离电路板 |
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- 2022-09-29 CN CN202211201125.1A patent/CN117835525A/zh active Pending
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