CN117821920A - 半导体处理用基座和半导体处理设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种半导体处理用基座和半导体处理设备，半导体处理用基座包括底座、若干载具和导向部。底座顶面设置沿底座轴向延伸的导向部，使得导向部能够贯穿具有贯通孔的待处理物，若干载具设于底座顶面并围绕导向部间隔排布，载具顶面包括承托面，各承托面的高度相同并围绕所述导向部使得待处理物的边部底面能够为各承托面所稳定支撑且通过面接触方式能够使待处理物的绝大部分表面特别是顶面和侧面充分露出，若干载具围绕导向部间隔排布且各所述载具的顶部围成有中空区域，使得各载具之间的空间和中空区域是相通的，有利于气态处理介质的流通，从而有利于对露出表面进行高质量处理并提高处理效率。

Description

半导体处理用基座和半导体处理设备

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体处理用基座和半导体处理设备。

背景技术

半导体加工领域常用的诸如石墨盘由于使用需求大，使用频次高以及成本高需要进行清洁处理以供重复利用。石墨盘由于长期暴露在沉积工艺环境中，表面沉积物如不进行及时处理会影响后续的成膜质量。通常使用氯气等反应性气体作为和石墨盘相接触的反应介质对石墨盘进行烘烤，该反应气体在烘烤温度以及合适的烘烤压力下能够与石墨盘表面的沉积物进行反应，使石墨盘表面的沉积物剥离。

由于石墨盘表面沉积物绝大多数分布在承托面以及侧面，而且正是这部分区域的沉积物在沉积工艺的温度和压力下一旦剥离，很容易在气体流场的作用下落在晶圆表面从而影响成膜质量。现有技术的石墨盘烘烤架通常是沿水平方向设置系列卡槽，各石墨盘卡在卡槽中使其承托面(即用于承载晶圆的一面)垂直于水平面。上述卡槽卡设的方式遮挡了石墨盘的部分顶面和部分侧面，使得沉积物去除不完全。

另外，对于晶圆沉积而言，由于晶圆底面和下方的石墨盘贴合，沉积发生在顶面和侧面。当晶圆顶面沉积薄膜质量不符合要求，如能通过反应性介质，例如反应气体与薄膜反应使薄膜剥离晶圆，就能实现晶圆的重复利用。

因此，有必要开发一种新型的半导体处理用基座以解决现有技术存在的上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体处理用基座及具有该半导体处理用基座的半导体处理设备，适用于承载具有贯通孔的待处理物，并在稳定支撑的同时有利于提高对待处理物表面的处理质量和处理效率。

一方面，本发明提供一种半导体处理用基座，包括：

底座；

导向部，设于所述底座顶面，并沿所述底座轴向延伸；

若干载具，设于所述底座顶面并围绕所述导向部间隔排布，各所述载具的顶部围成有中空区域，所述导向部贯穿所述中空区域；

所述载具顶面包括承托面，各所述承托面的高度相同并围绕所述导向部以通过与待处理物边部部分底面的面接触实现对所述待处理物的承托，并在所述待处理物包含有沿所述底座轴向的贯通孔情况下使所述导向部穿过所述贯通孔。

另一方面，本发明还提供了一种半导体处理设备，包括处理腔室，所述处理腔室内容纳有所述半导体处理用基座，使所述半导体处理用基座沿所述处理腔室的轴向延伸。

本发明所述半导体处理用基座和所述半导体处理设备的有益效果均在于：所述底座顶面设置沿所述底座轴向延伸的导向部，使得导向部能够贯穿具有贯通孔的待处理物，若干载具设于所述底座顶面并围绕所述导向部间隔排布，所述载具顶面包括承托面，各所述承托面的高度相同并围绕所述导向部使得待处理物的边部能够为各所述承托面所稳定支撑且通过面接触方式能够使待处理物的绝大部分表面特别是顶面和侧面充分露出，且若干载具围绕所述导向部间隔排布，各所述载具的顶部围成有中空区域，使得各载具之间的空间和中空区域是相通的，有利于气态处理介质的流通，从而有利于对露出表面进行高质量处理并提高处理效率。

可选的，所述载具包括承托部和可拆卸连接所述承托部底部的支柱，各所述承托部围成有所述中空区域，各所述支柱设于所述底座顶面并围绕所述导向部间隔排布，各所述承托部顶面包括所述承托面。

可选的，所述承托部顶部包括远轴面、高度低于所述远轴面的承托面以及位于所述远轴面和承托面之间且分别连接所述远轴面和所述承托面的限位面以组成台阶结构，所述远轴面相较所述承托面远离所述导向部并用于可拆卸连接另一所述支柱。

可选的，所述若干载具组成一承托层，所述承托层的数目至少为2，沿所述底座轴向相邻的所述承托部之间通过一所述支柱可拆卸连接，同一层的各支柱相较于对应可拆卸连接的各所述承托部上的承托面而言远离所述导向部，所述导向部自下而上贯穿至少一所述承托层，同一所述承托层中各所述承托面的高度相同。

可选的，所述半导体处理用基座还包括设于至少一所述承托层的镂空承托板，同一所述承托层中的至少部分所述支柱贯穿一所述镂空承托板的边部，或者所述镂空承托板的边部为同一所述承托层的各承托面所承托。

可选的，所述导向部贯穿至少一所述镂空承托板。

可选的，所述半导体处理用基座还包括设于至少一所述承托层的遮蔽板，同一所述承托层中的至少部分所述支柱贯穿一所述遮蔽板的边部，或者所述遮蔽板的边部为同一所述承托层的各承托面所承托。

可选的，所述遮蔽板中部凸起，且外径自上而下增大。

可选的，所述导向部贯穿至少一所述遮蔽板。

可选的，不同所述承托层的位于同一侧的至少部分所述支柱同轴。

可选的，沿所述底座轴向相邻的所述承托部与所述支柱之间可拆卸转动连接。

可选的，同一所述承托层的相邻所述支柱之间由加强结构连接。

可选的，所述底座顶部设有凹陷结构，所述凹陷结构内悬设有架体，所述导向部自所述架体中部延伸，所述凹陷结构内与所述中空区域相通。

可选的，至少一所述栅格承载结构悬设于所述凹陷结构内。

可选的，所述架体与所述凹陷结构内壁之间设有至少一栅格承载结构。

可选的，所述底座侧壁开设与所述凹陷结构相通的至少一侧壁镂空结构。

可选的，所述半导体处理用基座还包括安全装置，所述安全装置可拆卸设于所述底座顶部并围绕所述若干载具。

附图说明

图1为本发明提供第一种半导体处理用基座的结构示意图；

图2为本发明提供一种承托部的结构示意图；

图3为本发明提供一种支柱的结构示意图；

图4为本发明提供的若干载具支撑待处理物的装配示意图，其中待处理物和部分载具仅显示了部分结构；

图5为本发明提供第二种半导体处理用基座的结构示意图；

图6为本发明提供第三种半导体处理用基座的结构示意图；

图7为本发明提供一种底座和导向部的装配结构示意图；

图8为本发明提供另一种底座和导向部的装配结构示意图；

图9为本发明提供2个载具与镂空承托板之间的一种装配结构示意图；

图10为本发明提供2个载具与镂空承托板之间的另一种装配结构示意图；

图11为本发明提供第一种镂空承托板结构示意图；

图12为本发明提供第二种镂空承托板结构示意图；

图13为本发明提供第三种镂空承托板结构示意图；

图14为本发明提供第四种镂空承托板结构示意图；

图15为本发明提供2个载具、遮蔽板和导向部之间的一种装配结构示意图；

图16为本发明提供2个载具、遮蔽板和导向部之间的另一种装配结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。

本发明实施例提供一种半导体处理用基座，如图1所示包括底座1、导向部4和若干载具2。导向部4设于底座1顶面并沿底座1轴向(即自下而上)延伸。若干载具2设于底座1顶面并围绕导向部4间隔排布使得相邻载具2之间具有间距以利于气态处理介质流通。各载具2的顶部围成有中空区域(图中未标示)，导向部4贯穿中空区域(图中未标示)。

参照图1至图3，载具2包括承托部22和可拆卸连接所述承托部22底部的支柱23，各承托部22围成有中空区域(图中未标示)，各支柱23设于底座1顶面并围绕导向部4间隔排布。具体的，承托部22顶部包括远轴面221、高度低于远轴面221的承托面222以及位于远轴面221和承托面222之间且分别连接远轴面221和承托面222的限位面223以组成图2所示的台阶结构。各承托部22的沿底座1径向朝向导向部4的侧壁面224所围成的区域为中空区域。各承托面222的高度相同并围绕导向部4。

上述结构适用于承载具有贯通孔结构的待处理物。例如在一些应用场景的沉积工艺需求下，石墨盘中部开贯通孔用于转动连接旋转装置以带动其所承载的衬底旋转。这种带贯通孔的石墨盘作为待处理物3在需要气体处理介质进行热处理以去除表面沉积产物时，参照图1、图2和图4，将待处理物3的贯通孔31对准导向部4并沿导向部4的轴向向下放置待处理物3，待处理物3的边部的底面被各承托部22的承托面222所承载，限位面223会有效限制待处理物3沿水平方向移动，以防止待处理物3从承托部22上掉落，提高承载稳定性。各承托面222的高度相同确保了水平支撑稳定性，导向部4贯穿待处理物3的贯通孔31，也会进一步限制待处理物3沿径向的移动，使得待处理物3能稳定地被各承托面222所承托。

进一步的，各支柱23设于底座1顶面并围绕导向部4间隔排布，对应可拆卸连接于对应支柱23顶部的各承托部22通过面接触承载待处理物，此种设计简化了本半导体处理用基座整体结构，减轻了本半导体处理用基座整体重量。

进一步的，利用承托部22的顶面实现面接触承载，方便取放待处理物，包括晶圆和重量大的石墨盘；而非像现有技术中采用插取方式实现对待处理物的取放(尤其是不适合重量大的石墨盘)，因此本半导体处理用基座应用范围更广泛，普适性更强。特别是待处理物3边部的部分底面被各所述承托部22的承托面222以非连续面接触的方式所承载，能够使待处理物3的顶面全部露出，且绝大部分底面也得以露出。而通过控制承托面222的径向长度可以使待处理物3侧壁与限位面223之间存在间距且能保证支撑稳定性，这样待处理物3的侧壁也能够完全暴露出来，有利于气体处理介质对待处理物3表面进行最大程度的清洁处理。

参照图2至图4，承托部22和相邻支柱23经对应的远轴面221可拆卸连接。支柱23的上下两端设有定位凸台(图中未标示)，承托部22上设有定位孔，定位凸台(图中未标示)嵌在定位孔中，实现承托部22与支柱23的可拆卸连接。

一些实施例中，支柱23和承托部22之间以螺纹连接的方式实现可拆卸连接。

一些实施例中，若干载具组成一承托层，所述承托层的数目至少为2。参照图5和图6，设置在底座1顶面上的各支柱23为第一层支柱层，第一支柱层的各支柱23所分别对应连接的各承托部22组成了第一承托层，第一支柱层和第一承托层共同组成了一个承托层。各承托层沿底座1轴向顺次可拆连接以实现多待处理物3的同步处理，提高了处理效率。

一些实施例中，导向部4自下而上贯穿至少一中空区域。如图6所示，各层的承托部22均承托带贯通孔结构的待处理物3。各中空区域相通，且各层待处理物之间的空间都是相通的，既利于气态处理介质流通，以提高加工质量，且由下至上分层承载能充分利用空间，减少占地面积，且可拆层设的设计，便于逐层取放待处理物。

一些实施例中，导向部4自下而上贯穿了部分中空区域，使得上层的承托部可用于承载不带贯通孔结构的待处理物3，而下层的承托部可用于承载带贯通孔结构的待处理物3，进一步提高了基座的普适性。具体的，当不同待处理物种类不同，而处理工艺，例如通过同一气体介质进行热烘处理除杂质的工艺相同，本实施例的半导体处理用基座可以同时处理不同类型的待处理物，例如可同时处理晶圆和石墨盘。在这种应用场景下，导向部4自下而上贯穿了部分中空区域，自顶部起向下起：顶部的至少一承托层未被导向部4所贯穿使得可装载对清洁程度要求高的晶圆，中部的至少一承托层未被导向部4所贯穿使得可装载不带贯通孔结构的石墨盘，底部的至少一承托层被导向部4所贯穿使得可装载带贯通孔结构的石墨盘。

当所述载具2数目至少为2，相邻载具2通过装配区域实现可拆层设。

参照图1和图5，沿底座1轴向相邻的承托部22之间通过一支柱23可拆卸连接。

在一实施例中，承托部22与对应的支柱23之间还转动连接。例如在将同一层的若干承托部22上所承载的相应待处理物取走后，可以不拆除该承托部22和支柱23，而是通过转动该承托部22至合适的位置使下面的待处理物完全暴露出来，实现从顶部下探方式将下面的待处理物取走，方便了取放待处理物。

参照图1至图4，单个载具2中的支柱23相较于对应连接的承托部22上的承托面222而言更加远离由各侧壁面224所围成的中空区域，使得待处理物3为同一层的各承载面222所承托后，进一步参照图5和图6，设置在这些同层承托面222上方的各支柱23会围绕在待处理物3的外面，从而进一步对待处理物3起到限位作用。

导向部4自下而上贯穿至少一承托层，不同承托层的各承托部22所围成的不同中空区域相通。参照图5，各层承托部22所围成的区域相通。

一些实施例的同一所述承托层中，各所述承托面222的高度相同，以有利于水平稳定支撑。

一些实施例中，不同承托层的位于同一侧的至少部分23支柱同轴以有利于平稳支撑。参照图5，位于导向部4同一侧且沿导向部4轴向相邻的各支柱23同轴。

一些实施例中，参照图6，底座1顶部设有凹陷结构11，导向部4设于凹陷结构11内。进一步参照图7和图8，凹陷结构11内悬设有架体111，导向部4自架体111中部延伸。具体的，架体111由多个支架161交汇组成，各支架161相交汇位于凹陷结构11的中部，导向部4设于各支架161的相交汇处，以共同支撑起导向部4。

进一步的，凹陷结构11内还与中空区域相通。凹陷结构11内由架体111所分隔形成的区域内可用于承载放置小尺寸的待处理物，例如小尺寸石墨盘，有效利用了底座1内的空间，提高了装载利用率。

进一步的，当待处理物种类不同，而处理工艺，例如通过同一气体介质进行热烘的工艺相同，例如可同时处理晶圆和石墨盘。在这种应用场景下，底座1内的凹陷结构11内，以及距离凹陷结构11最近的至少一顺次层设的各承托层可用于承载石墨盘，而其他上面的承托层用来承载晶圆；或者凹陷结构11内承载石墨盘，各承托层承载晶圆。

一些实施例中，带贯通孔结构的待处理物，例如中部开孔的石墨盘可经导向部4放置在架体111上，架体111对待处理物的支撑为面支撑，且接触面积小，使待处理物露出的顶面、侧壁以及绝大部分的底面都能得到有效清洁处理。

一些实施例中，参照图7和图8，架体111与凹陷结构11内壁之间设有至少一栅格承载结构151。各栅格承载结构151围绕导向柱4。具体的，架体111的各支架161在底座1中部交汇，并沿不同方向延伸至与底座1内侧壁相接。各栅格承载结构151位于相邻的支架161与位于相邻支架161两端之间的底座1的内壁部分之间，相邻支架161和位于该相邻支架161两端之间的底座1的内壁部分构成了底部实体区。第二待处理物，例如小石墨盘可分别放置在各栅格承载结构151顶面上。

一些实施例中，栅格承载结构151边缘连接对应支架161侧壁中部以及对应底座1内侧壁中部以实现悬设，使栅格承载结构151高度小于架体111高度，从而使栅格承载结构151上方和下方之间可实现气体流通空间有利于处理气体的流通和最大程度接触并作用于所对应放置的待处理物底面，提高处理质量及处理效率。

一些实施例中，参照图7和图8，底座1侧壁开设与凹陷结构11相通的至少一侧壁镂空结构12，可进一步加强处理介质的流通能力促进处理介质与待处理物表面充分接触，提高对加工质量及效率。

在一实施例中，当承托层数目至少为2，半导体处理用基座还包括设于至少一所述承托层的镂空承托板以承载小尺寸待处理物3。

一些实施例中，同一所述承托层中的支柱贯穿一镂空承托板的边部。参照图9，以同一层且径向相对的两个载具2支撑镂空承托板5为例，由于承托部22和支柱23之间是可拆连接，装配镂空承托板5时，将承托部22取下，将镂空承托板5套设在各支柱23外使支柱23贯穿镂空承托板5的边部。在一些具体的实施例中，镂空承托板5套设于各支柱23后能相对各支柱23静止并呈水平支撑状态，以及位于沿支柱23轴向相邻的承托部22之间。该镂空承托板5可用于承载至少一待处理物，有效增加了承载利用空间。特别是在一些情况下，如果待处理物3的尺寸不能满足放置在凹陷结构11内的要求，也不能满足通过同一层的各承托部22来实现支撑，可以通过镂空承托板5进行承载。

一些实施例中，镂空承托板5的边部为同一所述承托层的各承托面222所承托.参照图9和图10，以同一层且径向相对的两个载具2支撑镂空承托板5为例，镂空承托板5边部接触同一层的各承托部22的承托面222。

一些实施例中，导向部4贯穿至少一镂空承托板5。例如贯穿靠近底座1设置的镂空承托板5。

一些具体的实施例中，镂空承托板5的结构可以如图11至图14所示。参照图11至图14，镂空承托板5的边部设有若干支架孔51，中部设有4个顶部镂空区121，各顶部镂空区121为顶部实体区122所包围。在装配过程中，镂空承托板5通过各支架孔51套设于对应支柱23，从而位于沿底座1轴向相邻的承托部22之间。各顶部镂空区121可承载小尺寸的待处理物3，例如小石墨盘。镂空承托板5的中部还可以设有承托板贯穿孔52供导向部4穿设。例如，承托板贯穿孔52开设在顶部实体区122的中部，各顶部镂空区121围绕承托板贯穿孔52。

一些实施例中，顶部镂空区121的数量至少为1。具体的数量和分布可根据使用需求进行灵活调整。

在热处理过程中杂质从上一层的待处理物表面剥落会落到下一层待处理物表面，处理腔室顶部掉落的杂质也会落在待处理物上。当待处理物对清洁程度的要求高，例如待处理物为晶圆，会造成二次污染情况。在一实施例中，当承托层数目至少为2，半导体处理用基座还包括设于至少一所述承托层的遮蔽板。利用遮蔽板遮挡住上一层掉落的杂质，或处理腔室顶部掉落的杂质。

一些实施例中，遮蔽板为平板，同一承托层中的支柱贯穿一所述遮蔽板的边部，具体实现方式请参见前述对图9的论述，所不同在于将镂空承托板5替换为遮蔽板。

一些实施例中，遮蔽板为平板，遮蔽板的边部为同一承托层的各承托面所承托，具体实现方式请参见前述对图10的论述，所不同在于将镂空承托板5替换为遮蔽板。

一些实施例中，遮蔽板中部凸起，至少部分外壁倾斜于同一承托层的各承托面。具体的，遮蔽板中部凸起且外径自上而下增大。

一些实施例中，同一所述承托层中的支柱贯穿一遮蔽板的边部。参照图15，以同一层且径向相对的两个载具2支撑遮蔽板21为例，由于承托部22和支柱23之间是可拆连接，装配遮蔽板21时，将承托部22取下，将遮蔽板21套设在各支柱23外使支柱23贯穿遮蔽板21的边部。在一些具体的实施例中，遮蔽板21套设于各支柱23后能相对各支柱23静止，以及位于沿支柱23轴向相邻的承托部22之间。

一些实施例中，遮蔽板21的边部为同一所述承托层的各承托面222所承托.参照图15和图16，以同一层且径向相对的两个载具2支撑遮蔽板21为例，遮蔽板21边部接触同一层的各承托部22的承托面222。

一些实施例中，导向部4贯穿至少一遮蔽板21。例如贯穿靠近底座1设置的遮蔽板21。

在一些实施例中，遮蔽板21具体可以呈锥形、圆锥台、棱锥、或棱锥台结构。

在一实施例中，同一承托层中，至少一组相邻所述支柱23之间由加强结构连接，以增强支撑能力和稳定性。例如，加强结构可以弧形板，其两端分别固定连接在相邻所述支柱23侧壁。

同时，本发明实施例还提供一种半导体处理设备，包括处理腔室，所述处理腔室内容纳有所述的半导体处理用基座，使所述半导体处理用基座沿所述处理腔室的轴向延伸。本半导体处理设备，基于此种半导体处理用基座的设计，在满足承载待处理物需求同时，充分利用了处理腔室中高度方向上的空间，提高了空间利用率，且利于处理介质从待处理物各表面处流通，提高了对待处理物的加工质量；另外，基于导向部4的设计，便于快速将具有贯通孔结构的待处理物安放至底座1上的设定位置，且能有效限制被放置到位的待处理物从底座1上掉落。

在一实施例中，半导体处理设备为烘烤设备，将晶圆或石墨盘放置在半导体处理用基座上，再将半导体处理用基座放置在处理腔室中，处理腔室中流通有气体处理介质，气体处理介质流向半导体处理用基座上的晶圆或石墨盘表面，结合烘烤作用，实现对晶圆或石墨盘表面的处理。

在一实施例中，所述的半导体处理用基座，还包括安全装置，所述安全装置可拆卸设于所述底座1顶部并围绕至少一所述载具2。该安全装置相当于把一个外套套在底座1顶部，把所述载具2以及其所承载的待处理物都围起来，实现对载具2及待处理物限位。在装载后运输的过程中，如果待处理物脱离了承载区域往外滑，这个安全装置可以起阻挡作用。且基于可拆卸设置，便于在运输到位后，将安全装置拆下。

在一实施例中，安全装置采用限位筒体，底座1上设有限位槽，在运输过程中，限位筒体的下端嵌在限位槽中。

虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本发明的范围和精神之内。而且，在此说明的本发明可有其它的实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。

Claims (18)

1.一种半导体处理用基座，其特征在于，包括：

底座；

导向部，设于所述底座顶面，并沿所述底座轴向延伸；

若干载具，设于所述底座顶面并围绕所述导向部间隔排布，各所述载具的顶部围成有中空区域，所述导向部贯穿所述中空区域；

所述载具顶面包括承托面，各所述承托面的高度相同并围绕所述导向部以通过与待处理物边部部分底面的面接触实现对所述待处理物的承托，并在所述待处理物包含有沿所述底座轴向的贯通孔情况下使所述导向部穿过所述贯通孔。

2.根据权利要求1所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述载具包括承托部和可拆卸连接所述承托部底部的支柱，各所述承托部围成有所述中空区域，各所述支柱设于所述底座顶面并围绕所述导向部间隔排布，各所述承托部顶面包括所述承托面。

3.根据权利要求2所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述承托部顶部包括远轴面、高度低于所述远轴面的承托面以及位于所述远轴面和承托面之间且分别连接所述远轴面和所述承托面的限位面以组成台阶结构，所述远轴面相较所述承托面远离所述导向部并用于可拆卸连接另一所述支柱。

4.根据权利要求2所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述若干载具组成一承托层，所述承托层的数目至少为2，沿所述底座轴向相邻的所述承托部之间通过一所述支柱可拆卸连接，同一层的各支柱相较于对应可拆卸连接的各所述承托部上的承托面而言远离所述导向部，所述导向部自下而上贯穿至少一所述承托层，同一所述承托层中各所述承托面的高度相同。

5.根据权利要求4所述的半导体处理用基座，其特征在于，还包括设于至少一所述承托层的镂空承托板，同一所述承托层中的至少部分所述支柱贯穿一所述镂空承托板的边部，或者所述镂空承托板的边部为同一所述承托层的各承托面所承托。

6.根据权利要求5所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述导向部贯穿至少一所述镂空承托板。

7.根据权利要求4所述的半导体处理用基座，其特征在于，还包括设于至少一所述承托层的遮蔽板，同一所述承托层中的至少部分所述支柱贯穿一所述遮蔽板的边部，或者所述遮蔽板的边部为同一所述承托层的各承托面所承托。

8.根据权利要求7所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述遮蔽板中部凸起，且外径自上而下增大。

9.根据权利要求7所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述导向部贯穿至少一所述遮蔽板。

10.根据权利要求4所述的半导体处理用支架装置，其特征在于，不同所述承托层的位于同一侧的至少部分所述支柱同轴。

11.根据权利要求4所述的半导体处理用基座，其特征在于，沿所述底座轴向相邻的所述承托部与所述支柱之间可拆卸转动连接。

12.根据权利要求4所述的半导体处理用基座，其特征在于，同一所述承托层的相邻所述支柱之间由加强结构连接。

13.根据权利要求1所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述底座顶部设有凹陷结构，所述凹陷结构内悬设有架体，所述导向部自所述架体中部延伸，所述凹陷结构内与所述中空区域相通。

14.根据权利要求13所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述架体与所述凹陷结构内壁之间设有至少一栅格承载结构。

15.根据权利要求13所述的半导体处理用基座，其特征在于，所述底座侧壁开设与所述凹陷结构相通的至少一侧壁镂空结构。

16.根据权利要求14所述的半导体处理用基座，其特征在于，至少一所述栅格承载结构悬设于所述凹陷结构内。

17.根据权利要求1所述的半导体处理用基座，其特征在于，还包括安全装置，所述安全装置可拆卸设于所述底座顶部并围绕所述若干载具。

18.一种半导体处理设备，其特征在于，包括处理腔室，所述处理腔室内容纳有权利要求1所述的半导体处理用基座，使所述半导体处理用基座沿所述处理腔室的轴向延伸。