CN117813557A - 对基板进行图案化的方法、在基板上形成微细结构的方法和制造流体装置的方法 - Google Patents

对基板进行图案化的方法、在基板上形成微细结构的方法和制造流体装置的方法 Download PDF

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CN117813557A CN202280055856.1A CN202280055856A CN117813557A CN 117813557 A CN117813557 A CN 117813557A CN 202280055856 A CN202280055856 A CN 202280055856A CN 117813557 A CN117813557 A CN 117813557A
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Abstract

根据本公开内容的一个实施方式，提供一种对基板进行图案化的方法。在一些实施方式中，方法包括：对形成于基板表面的疏水性膜进行图案化、将对象材料涂布、以及使所涂布的对象材料的至少表面氧化。在一些实施方式中，方法进一步包括：从基板除去疏水性膜。

Description

对基板进行图案化的方法、在基板上形成微细结构的方法和 制造流体装置的方法
技术领域
本公开内容涉及一种对基板进行图案化的方法、在基板上形成微细结构的方法和制造流体装置的方法。
背景技术
在使用包括生物技术和半导体的微细加工技术的领域中，在晶片等基板的表面形成微细结构或结构。这样的结构在基板表面上部分地或离散地形成。其它基板表面不形成微细结构，实质上基板的表面露出。
然而，在许多情况下，由于微细加工或其作业工序的影响，在露出的基板表面上未必希望的结构或物质会形成或附着，如加工的碎片、粒子或化学污染物、非特异性物质的生长或形成。在一些情况下，希望未形成微细结构的基板的表面(可以是原来的基板表面，也可以是形成于原来的基板表面上的膜或层的表面)尽量保持或恢复清洁。
作为一个例子，存在在流路内包含微细结构的流体装置。为了在流路内配置微细结构，在基板的表面形成微细结构，使盖在该基板的表面上密合。在此，在与盖密合的基板表面上不能存在微细结构。当存在不希望、误形成的微细结构、粒子等污染物质等时，则会阻碍基板表面与盖的密合，可能损害内部容纳的流体的密闭性。
发明内容
发明所要解决的课题
在对基板进行图案化、微细结构的形成等工艺时，希望避免加工的碎片、粒子或化学污染物、非特异性物质的生长或形成等未必希望的结构或物质的形成或附着的方法。
用于解决课题的手段
根据本公开内容的一个实施方式，提供一种对基板进行图案化的方法。在一些实施方式中，方法包括：对形成于基板表面的疏水性膜进行图案化；将对象材料涂布；以及使所涂布的对象材料的至少表面氧化。
在一些实施方式中，方法进一步包括：从基板除去疏水性膜。
<基板>
本说明书中使用的“基板”通常是指任意的基板、或在制造工艺中在执行膜处理的基板上形成的材料表面。例如，能够进行处理的基板表面含有硅(Si)、二氧化硅(SiO2)、绝缘体上硅(SOI)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、玻璃、蓝宝石等材料。基板表面包含半导体材料或一般在半导体工艺中使用的材料。基板表面根据用途包含金属、金属氧化物、金属合金及其它导电性材料等其它材料。基板表面含有高分子材料。在基板表面上，可以在原子或微观水平上存在氧化物、脂成分等。基板包含硅晶片等半导体晶片、玻璃晶片、高分子膜，但并不限定于此。基板可以进行预处理工艺，对基板表面进行研磨、蚀刻、还原、氧化、羟基化、退火、清洗和/或烘烤。基板表面具有这些材料作为基本构成材料，例如，可以具有在大气中或清洁室环境下操作时的杂质或表面层。
在一些实施方式中，基板表面的一部分或全体可以具有疏水性。在一些实施方式中，基板表面的一部分或全体可以具有亲水性。
基板的表面可以实质上是平面。基板的表面可以具有平坦面。可以至少在除去疏水性膜后，基板的表面是平坦的。所述基板的表面能够与限定流路的构件粘接，将所述流路以不透流体的方式密闭。
基板表面可以具有5、4、3、2、0.5、0.4、0.3、0.2、0.1、0.9、0.8、0.7、0.6、0.5、0.4、0.3、0.2、0.1nmRa等中的任一者或更小的表面粗糙度。基板表面可以具有市售或产业上使用的基板的表面粗糙度。例如，可以使用市售的硅基板、玻璃基板、或高分子基板或膜。
<疏水性膜>
本说明书中使用的“疏水性膜”由具有疏水性的材料(疏水性材料，下同)构成，或是指在表面包含具有疏水性的材料的膜。疏水性膜可以含有氟化合物或树脂。疏水性膜可以是所谓的氟树脂膜。
疏水性材料可以选自由氟化聚合物、全氟化聚合物、硅聚合物和它们的混合物组成的组。例如，疏水性材料包括：无定形含氟聚合物(市售的例子包括具有以下末端官能团之一的AGC化学公司制的CYTOP(注册商标)系列。例如具有以下末端官能团之一：A型：-COON，M型：-CONH-Si(OR)，或S型：-CF3)；聚四氟乙烯(市售的例子包括Chemours公司制的TEFLON(注册商标))；派瑞林；氟化烃；氟代丙烯酸类共聚物(市售的例子包括Cytonix公司制造的FLUOROPEL(注册商标))；含氟硅烷(例如，三氯(1H,1H,2H,2H-全氟辛基)硅烷(PFOTS)；全氟癸基三氯硅烷(FDTS)等)；等离子体沉积碳氟化合物；聚二甲基硅氧烷；其它硅氧烷；1-十七碳炔等疏水性烃；或它们的混合物。
疏水性材料可以涂布在基板表面的至少一部分或全体上。疏水性材料可以通过干法或湿法涂布至基板表面。例如，疏水性材料可以在溶液的状态下滴加到基板表面并进行旋涂。之后可以进行干燥、热处理、或烘烤。
在一些实施方式中，形成于基板表面的疏水性膜被图案化。在一些实施方式中，可以使用光刻技术对疏水性膜进行图案化。通过旋涂机或喷吹将抗蚀剂涂布于塑性膜的表面，进行预烘烤、曝光和显影。由此，抗蚀剂被图案化。在除去了抗蚀剂的部位，疏水性膜露出。可以在显影之后进行冲洗、后烘焙等处理。
在一些实施方式中，图案化可以包括使用硬掩模(例如金属掩模)进行蚀刻。
<蚀刻>
在一些实施方式中，对露出的疏水性膜的表面进行蚀刻处理。由此，对应于抗蚀剂的图案，疏水性膜被图案化。疏水性膜的蚀刻没有特别限定，例如可以是氧蚀刻。由此，露出基板表面。
在一些实施方式中，在露出的基板表面涂布对象材料。对象材料可以涂布在整个基板、即抗蚀剂的表面。可以形成包含对象材料或实质上由对象材料构成的膜。
<对象材料>
对象材料例如可举出：金、铂、铝、铜、铁、钴、银、锡、铟、锌、镓、铬及它们的氧化物等。对象材料可以是能够氧化的材料。对象材料可以是铬(Cr)。对象材料可以是氧化锌(ZnO)。
<光致抗蚀剂的除去>
在一些实施方式中，可以在对象材料的涂布之后除去光致抗蚀剂。此时，可以将涂布在光致抗蚀剂表面的对象材料一起除去。该工艺可以称为剥离(lift-off)。在剥离时，疏水性膜和图案化形成的对象材料可以残留在基板表面。
<对象材料的处理>
在一些实施方式中，可以对所涂布的对象材料进行处理。处理可以是针对对象材料的表面的处理。处理可以是加热。加热可以包括在加热炉内加热基板、用激光照射对象材料或基板等。处理可以是对象材料的至少表面、或者体积的一部分或全体的氧化。氧化的例子包括在氧化气氛中的加热、等离子体处理等。
在一些实施方式中，可以对对象材料进行加工或处理。例如，可以在对象材料的表面形成微细结构。微细结构可以通过对对象材料进行蚀刻而形成。在一些实施方式中，微细结构可以形成于对象材料的表面。例如，可以在对象材料的表面上生长形成微细结构的构件。
<纳米线>
在一些实施方式中，可以在对象材料的表面形成纳米线。
例如，可以将用于使纳米线生长的粒子或催化剂涂布于对象材料的表面，以其表面为起点使纳米线生长。在一些实施方式中，对象材料可以是能够成为纳米线生长的催化剂或生长的起点的材料。
作为用于形成纳米线的粒子或种子层，例如可举出：ZnO、CrO。使用ZnO的纳米线可以使用水热合成方法在这些种子材料的表面生长。在一例中，首先，将ZnO涂布于基板的表面(对象材料的表面)。接着，将基板浸渍于将硝酸锌六水合物(Zn(NO3)2·6H2O)、六亚甲基四胺(C6H12N4)溶解于去离子水中而成的前体溶液中。由此，能够使ZnO纳米线在对象材料的表面生长。需要说明的是，在使用ZnO作为对象材料的情况下，其起到纳米线形成用粒子的作用。因此，不需要另外将ZnO涂布于对象材料的表面。
作为纳米线制作用的催化剂，例如可举出：金、铂、铝、铜、铁、钴、银、锡、铟、锌、镓、铬、钛等。
使用了催化剂的纳米线可以以以下步骤制作。
(a)使催化剂沉积在对象材料的表面上。
(b)使用SiO2、Li2O、MgO、Al2O3、CaO、TiO2、Mn2O3、Fe2O3、CoO、NiO、CuO、ZnO、Ga2O3、SrO、In2O3、SnO2、Sm2O3、EuO等材料，使用脉冲激光沉积、VLS(气-液-固)法等物理蒸镀法形成纳米线。需要说明的是，使用催化剂制作的纳米线可以是不具有支链的纳米线，也可以是具有支链的纳米线。
在一些实施方式中，可以在纳米线的表面上形成包覆层。包覆层可以使用溅射、EB(电子束)蒸镀、PVD(物理气相沉积)、原子层沉积装置(ALD装置：原子层沉积)等蒸镀法来形成。
在一些方式中，包覆层可以是具有高导热率的材料。例如，具有这样的包覆层的纳米线的装置可以用于样品的加热处理。在一些方式中，包覆层可以是与肽和/或核酸具有结合性且具有高导热率的材料。由此，能够用肽和/或核酸修饰纳米线的表面。经修饰的纳米线具有高效地捕捉生物分子或从其它物质分离生物分子的能力。这些是例示，用于包覆层的材料不限于这些。
<剥离>
在一些实施方式中，疏水性膜可以在对象材料的处理之后，例如在对象材料的加热、氧化或微细结构的形成等处理之后除去。疏水性膜可以通过剥离除去。
经过加热或氧化处理的疏水性膜通常变脆。通过使基板浸渍于水中，在预定的温度下加热，疏水性膜从基板剥离。此时，可以通过超声波清洗等加速除去疏水性膜。
除去疏水性膜后，在基板的表面上图案化的对象材料(或除此之外还有微细结构)和没有对象材料的基板表面被准备出。这样在图案化的同时露出的基板表面实质上不存在对象材料或微细结构等。因此，与对象材料相关的非特异性的处理表面或微细结构的形成被抑制或避免。或者，实质上具有原始的基板表面的平坦性或正常性(例如无粒子)。例如，这样的清洁基板表面能够与其它基板或构件接合，形成以不透流体的方式密闭的接合面。由此，能够制造具有高密闭性的流路或流体装置。
从其中仅示出和说明了本公开内容的示例性实施方式的以下详细描述中，本公开内容的其它方面和优点对于本领域技术人员来说将变得显而易见。如所理解的那样，本公开内容可以有其它不同的实施方式，并且其一些细节可以在各种明显的方面进行修改而不脱离本公开内容。因此，附图和说明本质上应当被视为示例而不应当被视为限定。
附图说明
图1A表示用于说明一个实施方式所涉及的基板的图案化方法的基板截面图。
图1B表示用于说明一个实施方式所涉及的基板的图案化方法的基板截面图。
图1C表示用于说明一个实施方式所涉及的基板的图案化方法的基板截面图。
图1D表示用于说明一个实施方式所涉及的基板的图案化方法的基板截面图。
图1E表示用于说明一个实施方式所涉及的基板的图案化方法的基板截面图。
图1F表示用于说明一个实施方式所涉及的基板的图案化方法的基板截面图。
图1G表示用于说明一个实施方式所涉及的基板的图案化方法的基板截面图。
图1H表示用于说明一个实施方式所涉及的基板的图案化方法的基板截面图。
图1I表示用于说明一个实施方式所涉及的基板的图案化方法的基板截面图。
图1J表示用于说明一个实施方式所涉及的基板的图案化方法的基板截面图。
图2表示用于说明一个实施方式所涉及的基板的图案化方法的基板截面图。
具体实施方式
参照图1至图1K，说明本公开内容的一个实施方式涉及的对基板进行图案化的方法、在基板上形成微细结构的方法和制造流体装置的方法。本实施方式中，使ZnO的纳米线在被图案化的区域生长，制造具有该纳米线的流路装置。这只是一个例子，本公开内容不应被解释为限于该实施方式。
如图1A所示，准备基板101，在其表面上形成疏水性膜102。基板101典型地是用于半导体工艺的硅基板或玻璃基板。基板1101可以预先清洗。由此，可以除去表面的污染物质或粒子。疏水性膜102可通过旋涂来形成。所涂布的疏水性膜102被烘烤。疏水性膜102在实施例中使用Cytop(注册商标，AGC株式会社制)。
如图1B所示，在疏水性膜102的表面涂布光致抗蚀剂103。光致抗蚀剂103可以使用半导体工艺中使用的材料。在实施例中，使用了AZ4903(Merck Performance Materials公司制造)。
如图1C所示，将光致抗蚀剂103图案化。对光致抗蚀剂103进行预烘烤。以与后续形成对象材料的图案对应的方式进行曝光。然后，进行显影。显影中，作为一例可以使用NMD-3(东京应化工业公司制造)。接着，用纯水对基板进行冲洗，用吹氮进行干燥。最后，光致抗蚀剂103被后烘烤。由此，光致抗蚀剂103被图案化。
如图1D所示，对图1C中开口或露出的疏水性膜102的部分进行蚀刻。可以对疏水性膜102进行氧蚀刻。例如，蚀刻装置可以是用于一般的半导体工艺的装置。在实施例中，使用RF等离子体装置、TEP-01C2(TATEYAMA MACHINE公司制造)。由此，在光致抗蚀剂103的开口部限定的部分，疏水性膜102被除去，露出基板101的表面。
如图1E所示，以包括图1D中露出的基板101的表面且覆盖基板101整体、即光致抗蚀剂103的表面的方式，涂布或沉积对象材料104。本实施方式中，作为对象材料104，将铬(Cr)通过溅射蒸镀沉积为大于100nm的厚度。
如图1F所示，通过剥离除去光致抗蚀剂103和在光致抗蚀剂103上形成的对象材料104。本实施方式中，使基板101整体在被加热的2-丙醇内浸渍预定时间。然后进行超音波清洗。由此，以对象材料104(铬)在基板101上被图案化、其它基板101的表面被疏水性膜102覆盖的方式构成。
如图1G所示，对象材料104被退火。本实施方式中，对象材料104的铬在大气气氛内在400℃下被保持而被氧化。大气气氛包含对铬的氧化而言足够量的氧气。可以将加热中的气氛设为氧化气氛。此外，可以通过等离子体处理来将铬的表面氧化。
如图1H所示，在被氧化的对象材料104(铬)的表面，作为微细结构使ZnO的纳米线105生长。本实施方式中，ZnO的纳米线105使用水热合成法。当疏水性膜102未覆盖基板101的表面时，则纳米线105有可能在基板101的表面上也非特异性生长。如图1H所示，由于疏水性膜102覆盖基板101的表面，因此纳米线105能够仅在被图案化的对象材料104的表面生长。
接着，除去或剥离疏水性膜102。由此，如图1I所示，基板101在其表面具有在通过图案化限定的对象材料104的位置形成的微细结构105(纳米线)。在不存在对象材料104的基板101的表面，实质上不存在微细结构105(纳米线)。这样，能够以对象材料作为种子层或起点，仅在该部分形成微细结构。
本实施方式中，制造内包这样形成的微细结构105的流体装置100。如图1J所示，流体装置100主要具有基板101和与其接合的盖(基板)111。该基板101是图1I中也示出的基板101。盖111以覆盖基板101的对象材料104和微细结构105的方式，具有框112和被框112包围的内部空间120。盖111在框112中与基板101的不存在微细结构105的露出表面紧密接触，形成接合界面130。接合界面130具有不透流体的高密闭性。因为形成接合界面130的基板101的表面没有微细结构105等的非特异性生长，具有基本与原始相同的平坦平面。
换言之，图1J所示的流体装置100具有：基板101，在其表面具有对象材料104和微细结构105；盖111，以内包该微细结构105的方式与基板101密合。或者，基板101和盖111在接合界面130密合，在内部形成内包微细结构105的内部空间或流路120。
在一些实施方式中，例如如图1J所示，流路120可以具有多个对象材料图案部104和/或微细结构105。在一些实施方式中，各流路可以具有单一的对象材料图案部和/或微细结构。在一些实施方式中，可以在基板的表面形成单一的对象材料图案部104和/或微细结构。可以将具有单一内部空间的盖接合于该基板。
在一些实施方式中，可以在基板的表面具有多个对象材料图案部和/或微细结构。图2所示的流体装置200具备：在表面上具有多个微细结构204和形成于它们表面上的纳米线205的基板201、与基板201密合粘接的盖211。盖211具有多个流路或内部空间220-1、220-2、220-3，通过包围它们的接合面与基板201粘接，形成密合面230。流路220-1、220-2、220-3形成为内包各自对应的微细结构204和纳米线205。这样，图2所示的流体装置200具有多个流路220-1、220-2、220-3。
在一些实施方式中，流体装置200可以沿着流路220-1、220-2、220-3的边界240-1、240-2被切断。其结果是可以制造多个单独流体装置200-1、200-2、200-3。在一些实施方式中，切断可以包括刀片或激光切割工序。
在一些实施方式中，可以在切断基板201之后，使盖与各个单独基板密合，制造单独的流体装置(未图示)。
在图2的例子中，示出了3个单独流路220-1、220-2、220-3和3个单独流体装置200-1、200-2、200-3的形成或制造，但本公开内容并不限定于此。例如，可以从一个基板制造多个流路和/或流体装置。其数量可以不是3个。
在一些实施方式中，盖可以具有多个内部空间和包围它们各自的多个框(未图示)。可以使具有多个内部空间的盖与多个对象材料图案部和/或微细结构密合，与各内部空间对应地将基板与盖的接合体切断或分离。
本公开内容中使用的“流路”一般是指容纳流体的空间。流路也可以与流体腔室、流体容纳器等术语互换使用。流路可以具有用于向其导入流体的入口和/或从其排出流体的出口。流体可以在流路内流动，可以被导入流路内并且实质上停止。
在一些实施方式中，可以在流路内配置所谓的混沌混合机(混沌混合器)或使流路中流动的流体发生非线性和/或三维流动的结构。这样的结构例如可以具有流路内中高差、截面积的变化，流路方向的变化等。
可以在流路的内壁面(基板表面或盖的表面)配置具有人字形凹凸的混沌混合机。由此，能够促进流体的非线性流动。由此例示性地能够将更多的溶液中的对象物质引导至配置在多个内壁面或曲面内壁面的微细结构(例如纳米线)。
流体装置可以检测、测定、分析、改变、处理和/或捕捉导入流路的流体中所含的物质。流体装置可以具有纳米线。流体装置可以使用纳米线来捕捉流体内所含的物质。例如，流体装置可以通过配置在该流路内的纳米线捕捉体液内的生物分子。
本公开内容中，被导入流路的流体可以是体液。“体液”是指从对象得到的体液或来自该体液的试样。体液非限定地可以是血液、血清、血浆、淋巴液，也可以是组织间液(间质液)、细胞间液等组织液，还可以是体腔液、浆膜腔液、胸水、腹水、心包液、脑脊液(脑脊髄液)、关节液(滑液)、眼房水(房水)。体液可以是唾液、胃液、胆汁、胰液、肠液等消化液，也可以是汗液、泪液、鼻涕、尿液、精液、阴道液、羊水、乳汁。体液可以是动物的体液，也可以是人的体液。
生物分子可以是细胞器，也可以是囊泡。囊泡非限定地可以是液胞、溶酶体、运输囊泡、分泌囊泡、气体囊泡、细胞外基质囊泡、细胞外囊泡等，可以包含其中的多种。细胞外囊泡非限定地可以是外泌体、Exotome、脱落的微泡、微囊泡体、膜粒子、质膜、细胞凋亡性大泡等。囊泡可以容纳核酸。
生物分子非限定地可以是细胞，也可以包含细胞。细胞可以是红细胞、白细胞、免疫细胞等。生物分子可以是病毒、细菌等。
溶液可以是体液、来自体液的液体(稀释液、处理液等)。溶液可以是非体液的(非来自体液的)溶液，也可以是人工准备的液体，还可以是体液或来自体液的溶液与非来自体液的溶液的混合液。溶液可以是样品测定中使用的溶液，也可以是校正用测定中使用的溶液。例如，溶液可以是标准液、校正液。作为测定对象的试样可以是样本。溶液可以包含含待回收物质的磷酸盐缓冲生理盐水(PBS)、N-三(羟甲基)甲基-2-氨基乙磺酸缓冲液(TES)等生理缓冲液。
本公开内容还提供以下的实施方式：
A001
一种对基板的对象材料进行图案化的方法，所述方法包括：
提供基板；
在所述基板的表面形成疏水性膜；
对所述疏水性膜进行图案化而使所述基板的所述表面的一部分露出；
在通过所述图案化而露出的所述基板的所述表面的所述一部分涂布能够氧化的对象材料；以及
对具有所述能够氧化的对象材料和所述疏水性膜的所述基板进行加热或使所述基板上的对象材料氧化。
A001b
一种对基板的对象材料进行图案化的方法，所述方法包括：
提供基板；
在所述基板的表面形成疏水性膜；
对所述疏水性膜进行图案化而使所述基板的所述表面的一部分露出；
在通过所述图案化而露出的所述基板的所述表面的所述一部分涂布对象材料；以及
对具有所述对象材料和所述疏水性膜的所述基板进行表面处理。
A011
根据实施方式A001或任一个实施方式所述的方法，其中，所述方法进一步包括：
在对所述基板进行加热或使所述对象材料氧化之后，除去所述疏水性膜。
A012
根据实施方式A011或任一个实施方式所述的方法，其中，
除去所述疏水性膜包括使被图案化的所述对象材料形成在所述基板的所述表面上。
A013
根据实施方式A011或A012或任一个实施方式所述的方法，其中，
除去所述疏水性膜包括使未涂布所述对象材料的所述基板的所述表面的部分露出。
A015
根据实施方式A001～A013中任一项或任一个实施方式所述的方法，其中，
所述疏水性膜由氟化合物形成。
A016
根据实施方式A015或任一个实施方式所述的方法，其中，
除去所述疏水性膜包括使用超音波清洗除去所述加热或氧化的所述氟化合物。
A021
根据实施方式A0012、或引用实施方式A012的A013～A016中任一项或任一个实施方式所述的方法，其中，所述方法进一步包括：
以在内部包含被图案化的所述对象材料的方式在所述基板上形成流路。
A022
根据实施方式A021或任一个实施方式所述的方法，其中，
在所述基板上形成所述流路包括使形成有所述流路的至少一部分的流路构件与所述基板的所述表面密合。
A023
根据实施方式A022或任一个实施方式所述的方法，其中，
划定所述流路的所述流路构件与所述基板的表面彼此密合。
A031
根据实施方式A001～A033中任一项或任一个实施方式所述的方法，其中，
所述基板至少在该基板的表面具有半导体、玻璃、金属或高分子。
A041
根据实施方式A011～A031中任一项或任一个实施方式所述的方法，其中，所述方法进一步包括：
在除去所述疏水性膜之前，对所述对象材料的表面进行处理。
A042
根据实施方式A011～A031中任一项或任一个实施方式所述的方法，其中，所述方法进一步包括：
在除去所述疏水性膜之前，在所述对象材料的表面形成微细结构。
A043
根据实施方式A042或任一个实施方式所述的方法，其中，
所述微细结构为纳米线。
A044
根据实施方式A042或A043或任一个实施方式所述的方法，其中，
所述微细结构具有捕捉生物分子的能力。
A051
根据实施方式A001～A044中任一项或任一个实施方式所述的方法，其中，
所述对象材料为金属。
A052
根据实施方式A051或任一个实施方式所述的方法，其中，
所述对象材料为铬。
A053
根据实施方式A043或任一个实施方式所述的方法，其中，
所述对象材料为铬，
在所述对象材料的表面形成微细结构包括在所述氧化的铬表面上形成包含ZnO的纳米线。
A061
根据实施方式A001～A053中任一项或任一个实施方式所述的方法，其中，
对所述疏水性膜进行图案化而使所述基板的所述表面的一部分露出包括：在所述疏水性膜上涂布光掩模，对所述光掩模进行图案化，
在通过所述图案化而露出的所述基板的所述表面的所述一部分上涂布能够氧化的对象材料包括：在所述涂布的图案化的所述光掩模上涂布所述对象材料，除去所述光掩模和所述对象材料。
A062
根据实施方式A061或任一个实施方式所述的方法，其中，
除去所述光掩模和所述对象材料是通过剥离来除去所述光掩模和所述对象材料。
虽然本说明书中给出并说明了本发明的优选的实施方式，但对本领域技术人员而言，显而易见这样的实施方式仅作为例子而提供。并不意图通过说明书内提供的特定例子限定本发明。虽然参照前述的说明书对本发明进行了说明，但本说明书的实施方式的说明和图解并不意味着以限定性的含义进行解释。本领域技术人员在不脱离本发明的前提下，将想到多种变形、变更和替换。此外，应当理解，本发明的所有方式并不限定于依赖各种条件和变量的本说明书中记载的特定描写、构成或相对比率。应当理解，可以在实施本发明时使用本说明书中记载的本发明的实施方式的各种替代方式。因此，本发明旨在也涵盖这样的替代、变更、变形或同等物。意在由本申请的权利要求书定义本发明的范围，权利要求书内的这些方法和结构以及它们的等同物由此而被涵盖。

Claims (15)

1.一种对基板的对象材料进行图案化的方法，所述方法包括：
提供基板；
在所述基板的表面形成疏水性膜；
对所述疏水性膜进行图案化而使所述基板的所述表面的一部分露出；
在通过所述图案化而露出的所述基板的所述表面的所述一部分涂布对象材料；以及
使所述基板上的对象材料氧化。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法进一步包括：
在使所述对象材料氧化后，除去所述疏水性膜。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，
除去所述疏水性膜包括使未涂布所述对象材料的所述基板的所述表面的部分露出。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，
所述疏水性膜由氟化合物形成。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其中，所述方法进一步包括：
以在内部包含被图案化的所述对象材料的方式在所述基板上形成流路。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，
在所述基板上形成所述流路包括使形成有所述流路的至少一部分的流路构件与所述基板的所述表面密合。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其中，
所述基板至少在该基板的表面具有半导体、玻璃、金属或高分子。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的方法，其中，所述方法进一步包括：
在除去所述疏水性膜之前，对所述对象材料的表面进行处理。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的方法，其中，所述方法进一步包括：
在除去所述疏水性膜之前，在所述对象材料的表面形成微细结构。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，
所述微细结构为纳米线。
11.根据权利要求9或10所述的方法，其中，
所述微细结构具有捕捉生物分子的能力。
12.根据权利要求A051所述的方法，其中，
所述对象材料为铬。
13.根据权利要求9所述的方法，其中，
所述对象材料为铬，
在所述对象材料的表面形成微细结构包括在所述氧化的铬表面上形成包含ZnO的纳米线。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的方法，其中，
对所述疏水性膜进行图案化而使所述基板的所述表面的一部分露出包括：在所述疏水性膜上涂布光掩模，对所述光掩模进行图案化，
在通过所述图案化而露出的所述基板的所述表面的所述一部分上涂布能够氧化的对象材料包括：在所述涂布的图案化的所述光掩模上涂布所述对象材料，除去所述光掩模和所述对象材料。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，
除去所述光掩模和所述对象材料是通过剥离来除去所述光掩模和所述对象材料。
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